JP7082087B2 - 有機膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体 - Google Patents
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Description
このような範囲の重量平均分子量を有する重合体を含む有機膜形成用組成物であれば、有機溶剤への溶解性を損なわず、ベーク時のアウトガスを抑制できるものとなる。
前記有機溶剤が前記混合物であれば、前記重合体に高沸点溶剤の添加による有機膜の熱流動性が付与されることで、有機膜形成用組成物は高度な埋め込み/平坦化特性を併せ持つものとなる。
前記添加剤を含む有機膜形成用組成物であれば、塗布性、埋め込み/平坦化特性のより優れたものとなる。
前記回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクをエッチングでパターン転写する工程、前記パターンが形成された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜をエッチングでパターン転写する工程、前記パターンが形成された有機膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成する工程を含むパターン形成方法を提供する。
前記無機ハードマスクをCVD法あるいはALD法によって形成すると、被加工基板に微細なパターンをより高精度で形成することができる。
前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する方法として前記方法を用いると、被加工基板に微細なパターンをより高精度で形成することができる。
現像方法として、アルカリ現像または有機溶剤による現像を用いると、被加工基板に微細なパターンをより高精度で形成することができる。
本発明では、前記被加工体として、例えば、前記のものを用いることができる。
前記金属としてこれらのものを用いることができる。
このような分子量であれば、有機溶剤への溶解性を確保でき、ベーク時に生じる昇華物を抑制することができる。また有機膜形成用組成物の熱流動性が良好なものとなるため、基板上に形成されている微細構造を前記有機膜形成用組成物で良好に埋め込むことが可能になるだけでなく、基板全体が平坦となる有機膜を形成することができる。なお、本発明において、重量平均分子量は、THF(テトラヒドロフラン)を展開溶媒としたGPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)測定により求めたポリスチレン換算値である。
本発明の一般式(1A)で示される重合体の製造方法の一例として、下記に示す3級アルコール基を有するフルオレノール類をモノマーとして用いた、脱水を伴うフルオレン環への親電子置換反応を例示できる。下記式中のAr1、Ar2は前記と同じである。
また、本発明では、一般式(1A)で示される部分構造を有する重合体及び有機溶剤を含有する有機膜形成用組成物を提供する。なお、本発明の有機膜形成用組成物において、本発明の一般式(1A)で示される部分構造を有する重合体を単独又は複数組み合わせて用いることができる。
本発明の有機膜形成用組成物において使用可能な有機溶剤としては、一般式(1A)で示される部分構造を有する重合体、酸発生剤、架橋剤、その他添加剤等が溶解するものであれば特に制限はない。具体的には、特開2007-199653号公報中の(0091)~(0092)段落に記載されている溶剤などの沸点が180℃未満の溶剤を使用することができる。中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、2-ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン及びこれらのうち2種以上の混合物が好ましく用いられる。
本発明の有機膜形成用組成物においては、硬化反応を更に促進させるために酸発生剤を添加することができる。酸発生剤は熱分解によって酸を発生するものや、光照射によって酸を発生するものがあるが、いずれのものも添加することができる。具体的には、特開2007-199653号公報中の(0061)~(0085)段落に記載されている材料を添加することができるがこれらに限定されない。
また、本発明の有機膜形成用組成物は、2層レジストプロセス、ケイ素含有中間層膜を用いた3層レジストプロセス、ケイ素含有無機ハードマスク中間膜及び有機反射防止膜を用いた4層レジストプロセス等といった多層レジストプロセス用レジスト下層膜材料として極めて有用である。
本発明では、前記有機膜形成用組成物を用い、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜又は半導体製造用平坦化膜として機能する有機膜を形成する方法を提供する。
なお、このレジスト下層膜又は半導体装置製造用平坦化膜等の有機膜の厚さは適宜選定されるが、30~20,000nmとすることが好ましく、50~15,000nmとすることがより好ましい。
本発明では、このような有機膜形成用組成物を用いた3層レジストプロセスによるパターン形成方法として、被加工基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工基板上に本発明の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成する工程、前記有機膜の上にケイ素含有するレジスト下層膜材料を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成する工程、前記ケイ素含有レジスト下層膜の上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成する工程、前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する工程、前記回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記ケイ素含有レジスト下層膜にエッチングでパターン転写する工程、前記パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターン転写する工程、前記パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを形成する工程を含むパターン形成方法を提供する。
また、露光光としては、波長300nm以下の高エネルギー線、具体的には248nm、193nm、157nmのエキシマレーザー、3~20nmの軟X線、電子ビーム、X線等を挙げることができる。
本発明のパターン形成方法において、前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する方法として、波長が10nm以上300nm以下の光リソグラフィー、電子線による直接描画、ナノインプリンティングまたはこれらの組み合わせを用いることが好ましい。
本発明のパターン形成方法において、前記被加工体として、半導体装置基板、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属酸化炭化膜または金属酸化窒化膜を用いることが好ましい。
さらに、前記金属として、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、銀、金、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデンまたはこれらの合金を用いることが好ましい。
3層レジストプロセスの場合、図1(A)に示したように、基板1の上に積層された被加工層2上に本発明の有機膜形成用組成物を用いて有機膜3を形成した後、ケイ素含有レジスト下層膜4を形成し、その上にレジスト上層膜5を形成する。
有機膜形成用組成物に含有される重合体(A1)~(A8)の合成には下記フルオレノール類(B1)~(B4)と芳香族含有化合物(C1)~(C3)を用いた。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B1)30.0gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸15.8gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF(テトラヒドロフラン)100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A1)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A1)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=2600、Mw/Mn=1.68であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B2)30.0gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸12.4gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A2)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A2)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=2900、Mw/Mn=1.58であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B1)30.0g、水0.30gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸15.8gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A3)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A3)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1800、Mw/Mn=1.49であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B1)30.0g、芳香族含有化合物(C1)3.89gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸15.8gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A4)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A4)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1520、Mw/Mn=1.48であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B1)30.0g、芳香族含有化合物(C2)2.75gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸15.8gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A5)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A5)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1420、Mw/Mn=1.53であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B2)30.0g、芳香族含有化合物(C3)5.82gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸12.4gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A6)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A6)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1720、Mw/Mn=1.38であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B1)15.0g、フルオレノール(B3)18.1gに1,2-ジクロロエタン200gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸15.8gをゆっくりと加え、内温70℃で8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A7)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A7)重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=2430、Mw/Mn=1.74であった。
窒素雰囲気下、フルオレノール(B4)10.0gに1,2-ジクロロエタン100gを加え、内温50℃で均一溶液とした。メタンスルホン酸15.8gをゆっくりと加え、内温70℃で4時間反応を行った。その後、内温50℃まで冷却した後、予め均一化させたフルオレノール(B2)21.0g、1,2-ジクロロエタン100g混合液をゆっくりと滴下し、再度、内温70℃に昇温し8時間反応した。室温まで冷却後、トルエン500gを加え、純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(A8)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(A8)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=2930、Mw/Mn=1.61であった。
窒素雰囲気下、ナフタレン12.8g、9―フルオレノン18.0gを加え、230℃まで昇温させ8時間反応を行った、反応開始直後から1 時間おきにメタンスルホン酸0.25ml を計8 回、反応液に加えた。室温まで冷却後、反応液にトルエン40g を加え、純水で6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF(テトラヒドロフラン)100gを加え均一溶液とした後、メタノール300gに晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール200gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することにより下記式で示される重合体(R1)を得た。THFを展開溶媒としたGPC測定により求めたポリスチレン換算値による重合体(R1)の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=2130、Mw/Mn=2.61であった。
前記重合体(A1)~(A8)および(R1)、高沸点溶剤として(S1)1,6-ジアセトキシヘキサン(沸点260℃)、(S2)トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点242℃)を用い、FC-4430(住友スリーエム(株)製)を0.1質量%を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)またはシクロヘキサノン(CyHO)を用いて表2に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって有機膜形成用組成物(UDL-1~12、比較UDL-1~2)をそれぞれ調製した。なお、比較例用UDLには下記式で示される酸発生剤(AG)および架橋剤(XL)を用いた。
前記UDL-1~12、比較UDL-1~2をシリコン基板上に塗布し、大気中、350℃で60秒間ベークした後、膜厚を測定し、その上にPGMEA溶媒をディスペンスし、30秒間放置しスピンドライ、100℃で60秒間ベークしてPGMEAを蒸発させ、PGMEA処理前後の膜厚を測定した。成膜後の膜厚とPGMEA処理後の膜厚を用いて残膜率を求めた。その結果を表3に示す。
前記UDL-1~12、比較UDL-1~2をシリコン基板上に塗布し、大気中、350℃で60秒間ベークし、膜厚200nmの有機膜を形成した。これらの有機膜を東陽テクニカ社製ナノインデンターSA2型装置でナノインデンテーション試験を行い、前記有機膜のハードネスを測定した。その結果を表4に示す。
[CF4/CHF3系ガスでのエッチング試験]
前記UDL-1~12、比較UDL―1~2をシリコン基板上に塗布して、大気中、350℃で60秒間ベークし、膜厚200nmになるよう有機膜を形成後、下記条件でCF4/CHF3系ガスでのエッチング試験を行った。この場合、東京エレクトロン株式会社製ドライエッチング装置TE-8500を用い、エッチング前後の有機膜の膜厚差を求めた。結果を表5に示す。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,000W
CHF3ガス流量 10ml/min
CF4ガス流量 100ml/min
Heガス流量 200ml/min
時間 20sec
前記UDL-1~12、比較UDL―1~2をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、大気中、350℃で60秒間ベークし、膜厚 200nmになるよう有機膜を形成し、下記条件でO2系ガスでのエッチング試験を行った。この場合、東京エレクトロン株式会社製ドライエッチング装置TE-8500を用い、エッチング前後のポリマー膜の膜厚差を求めた。結果を表5に併せて示す。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 100W
O2ガス流量 30ml/min
N2ガス流量 70ml/min
時間 60sec
前記UDL1-1~1-12、比較UDL1-1~1-2を膜厚200nmのSiO2膜が形成された直径300mmのSiウェハー基板上に塗布し、大気中、350℃で60秒間ベーク後の膜厚200nmになるようにレジスト下層膜を形成した。その上にケイ素含有レジスト中間層材料(SOG-1)を塗布して220℃で60秒間ベークして膜厚35nmのレジスト中間層膜を形成し、レジスト上層膜材料(ArF用SLレジスト)を塗布し、105℃で60秒間ベークして膜厚100nmのレジスト上層膜を形成した。レジスト上層膜に液浸保護膜(TC-1)を塗布し90℃で60秒間ベークし膜厚50nmの保護膜を形成した。
その後、東京エレクトロン製エッチング装置Teliusを用いてドライエッチングによるレジストパターンをマスクにしたケイ素含有中間層の加工、ケイ素含有中間層をマスクにした下層膜の加工、下層膜をマスクにしたSiO2膜の加工を順次行った。
レジストパターンのSOG膜への転写条件:
チャンバー圧力 10.0Pa
RFパワー 1,500W
CF4ガス流量 15sccm
O2ガス流量 75sccm
時間 15sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 500W
Arガス流量 75sccm
O2ガス流量 45sccm
時間 120sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 2,200W
C5F12ガス流量 20sccm
C2F6ガス流量 10sccm
Arガス流量 300sccm
O2 60sccm
時間 90sec
SiO2基板上に厚さ500nmで直径が160nmの密集ホールパターンが形成されているSiO2段差基板上に、UDL-1~12を350℃で60秒ベークにより平坦な基板上で80nmの膜厚になるような条件で塗布しレジスト下層膜を形成した。レジスト下層膜を形成した基板を割断し、ホールの底までレジスト下層膜が埋め込まれているかどうかを走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した結果を表7に示す。
有機膜形成用組成物(UDL-1、3、11、12、比較UDL-1、2)をそれぞれ、巨大孤立トレンチパターン(トレンチ幅10μm、トレンチ深さ0.10μm)を有するSiO2ウエハー基板上に塗布し、大気中、350℃で60秒間焼成した後、トレンチ部分と非トレンチ部分の有機膜の段差(図2中のdelta)を、パークシステムズ社製NX10原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察した。結果を表8に示す。本評価において、段差が小さいほど、平坦化特性が良好であるといえる。なお、本評価では、深さ0.10μmのトレンチパターンを、通常膜厚約0.2μmの有機膜形成用組成物を用いて平坦化しており、平坦化特性の優劣を評価するために厳しい評価条件となっている。
3・・・有機膜、3a・・・有機膜パターン、
4・・・ケイ素含有レジスト下層膜、4a・・・ケイ素含有レジスト下層膜パターン、
5・・・レジスト上層膜、5a・・・レジストパターン、6・・・所用部分。
Claims (18)
- 前記重合体が重量平均分子量500~5000のものであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物。
- 前記有機溶剤が、沸点が180℃未満の有機溶剤1種以上と、沸点が180℃以上の有機溶剤1種以上との混合物であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物。
- 前記有機膜形成用組成物が更に界面活性剤および可塑剤のうち1種以上を含有するものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物。
- 被加工体上に請求項1~6のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成する工程、
前記有機膜の上にケイ素含有レジスト下層膜材料を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成する工程、
前記ケイ素含有レジスト下層膜の上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成する工程、
前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する工程、
前記回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記ケイ素含有レジスト下層膜にエッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工体上に請求項1~6のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成する工程、
前記有機膜の上にケイ素含有レジスト下層膜材料を用いてケイ素含有レジスト下層膜を形成する工程、
前記ケイ素含有レジスト下層膜の上に有機反射防止膜(BARC)を形成する工程、
前記BARC上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成する工程、
前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する工程、
前記回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記BARCと前記ケイ素含有レジスト下層膜に順次エッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが転写されたケイ素含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工体上に請求項1~6のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成する工程、
前記有機膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスクを形成する工程、
前記無機ハードマスクの上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成する工程、
前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する工程、
前記回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクをエッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが形成された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜をエッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが形成された有機膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 被加工体上に請求項1~6のいずれか1項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成する工程、
前記有機膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、ケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスクを形成する工程、
前記無機ハードマスクの上に有機反射防止膜(BARC)を形成する工程、
前記BARC上にフォトレジスト組成物を用いてレジスト上層膜を形成する工程、
前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する工程、
前記回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記BARCと前記無機ハードマスクに順次エッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが形成された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜にエッチングでパターン転写する工程、
前記パターンが形成された有機膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして前記被加工体にパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記無機ハードマスクをCVD法あるいはALD法によって形成することを特徴とする請求項9又は10に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト上層膜に回路パターンを形成する方法として、波長が10nm以上300nm以下の光リソグラフィー、電子線による直接描画、ナノインプリンティングまたはこれらの組み合わせを用いることを特徴とする請求項7~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 現像方法として、アルカリ現像または有機溶剤による現像を用いることを特徴とする請求項7~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体として、半導体装置基板、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属酸化炭化膜または金属酸化窒化膜を用いることを特徴とする請求項7~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記金属として、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、銀、金、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデンまたはこれらの合金を用いることを特徴とする請求項14に記載のパターン形成方法。
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