KR101062618B1 - 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법 - Google Patents

연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101062618B1
KR101062618B1 KR1020030067402A KR20030067402A KR101062618B1 KR 101062618 B1 KR101062618 B1 KR 101062618B1 KR 1020030067402 A KR1020030067402 A KR 1020030067402A KR 20030067402 A KR20030067402 A KR 20030067402A KR 101062618 B1 KR101062618 B1 KR 101062618B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing composition
water
polishing
particle diameter
colloidal silica
Prior art date
Application number
KR1020030067402A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040028588A (ko
Inventor
야마다슈헤이
가와세아키히로
Original Assignee
가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드 filed Critical 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
Publication of KR20040028588A publication Critical patent/KR20040028588A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101062618B1 publication Critical patent/KR101062618B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

반도체 장치용 웨이퍼의 표면을 정밀연마할 때 사용되는 본 발명에 따른 연마용 조성물은 웨이퍼 표면 상에 헤이즈가 발생되는 것을 현저하게 감소시킨다. 이 연마용 조성물은 이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물 및 물을 포함한다. 이 이산화규소는 콜로이덜 실리카 또는 퓸드 실리카 이다. 콜로이덜 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm이고, 그리고 콜로이덜 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 120nm이다. 퓸드 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm이고, 그리고 퓸드 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 200nm이다.
이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물, 물

Description

연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법{Polishing Composition and Polishing Method Using The Same}
본 발명은 반도체 장치용 웨이퍼의 표면을 정밀하게 연마할 때에 사용되는 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것이다.
일반적으로 잉곳으로부터 절결된 웨이퍼는 랩핑공정에서 거칠게 연마 처리되고, 그 다음, 폴리싱 공정에서 정밀연마처리된다. 폴리싱 공정에서 사용되는 종래의 연마용 조성물은 일본 특개소49-76470호, 특개평2-158684호, 특개평8-113772호, 특개평10-309660호, 특개평11-214338호 및 특개평11-116942호에 개시되어 있다.
웨이퍼의 가공시, 어떤 경우에는 헤이즈(haze; 안개모양의 것)가 웨이퍼의 표면에 발생한다. 이 헤이즈는 반도체 장치의 전기특성과 양품률을 감소시킬 뿐만 아니라 웨이퍼의 표면에 부착된 입자(particles)들을 측정할 때에 그 검출한계를 저하시키는 요인이 된다. 반도체 장치의 고성능화 및 고집적밀도화에 따라서 웨이퍼들에 요구되는 품질이 엄격하게 되고 있는 현재로서는 종래의 연마용 조성물에 의해 정밀연마된 웨이퍼의 표면의 헤이즈 레벨은 필연적으로 불충분하다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 표면에 발생하는 헤이즈를 현저하게 저감할 수 있는 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 웨이퍼 표면을 정밀하게 연마할 때에 사용되는 연마용 조성물을 제공한다. 이 연마용 조성물은 이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물 및 물을 포함한다. 이 이산화규소는 콜로이덜 실리카(colloidal silica) 또는 퓸드 실리카(fumed silica)이다. BET법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 비표면적으로부터 얻어지는 콜로이덜 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm이다. 레이저 산란법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 120nm이다. BET법으로 측정된 퓸드 실리카의 비표면적으로부터 얻어지는 퓸드 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm이다. 레이저 산란법으로 측정된 퓸드 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 200nm이다.
본 발명은 웨이퍼를 연마하는 방법을 또한 제공한다. 이 방법은 연마용 조성물을 준비하는 단계 그리고 이 연마용 조성물을 이용하여 웨이퍼의 표면을 정밀연마하는 단계를 포함하고 있다. 이 연마용 조성물은 이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물 및 물을 함유한다. 이 이산화규소는 콜로이덜 실리카 또는 퓸드 실리카이다. BET법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 비표면적으로부터 얻어지 는 콜로이덜 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm이다. 레이저 산란법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 120nm이다. BET법으로 측정된 퓸드 실리카의 비표면적으로부터 얻어지는 퓸드 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm이다. 레이저 산란법으로 측정된 퓸드 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 200nm이다.
본 발명의 다른 태양과 장점은 본 발명의 원리를 예에 의해서 설명하는 다음의 설명으로부터 명백하게 될 것이다.
(바람직한 실시예의 상세한 설명)
이하, 본 발명의 일실시예가 설명될 것이다.
본 실시예에 따른 연마용 조성물은 이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물 및 물을 함유한다.
상기된 이산화규소는 연마될 피연마물을 기계적으로 연마한다. 이 이산화규소는 콜로이덜 실리카 또는 퓸드 실리카, 바람직하게는 콜로이덜 실리카이다.
BET법으로 측정된 이산화규소의 비표면적으로부터 얻어지는 이산화규소의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 30nm, 바람직하게는 5 내지 25nm, 보다 바람직하게는 5 내지 20nm이다.
이 이산화규소가 콜로이덜 실리카일 때, 레이저 산란법으로 측정된 이산화규소의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 120nm, 바람직하게는 5 내지 100nm, 보다 바 람직하게는 5 내지 80nm이다. 이 이산화규소가 퓸드 실리카일 때, 이산화규소의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 200nm이다.
연마용 조성물에 함유되는 이산화규소의 양은 바람직하게는 0.1 내지 40wt%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 30wt%, 보다 더 바람직하게는 1 내지 20wt%이다.
상기된 알칼리화합물은 연마될 피연마물을 화학적으로 연마한다.
구체적인 예로서의 알칼리화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨과 같은 무기알칼리화합물; 암모니아; 수산화테트라메틸암모늄, 탄산수소암모늄 및 탄산암모늄과 같은 암모늄염; 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, 헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 무수피페라진, 피페라진육수화물, 1-(2-아미노에틸)피페라진 및 N-메틸피페라진과 같은 아민을 포함하고 있다. 바람직한 알칼리화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 무수피페라진, 피페라진육수화물, 1-(2-아미노에틸)피페라진 또는 N-메틸피페라진 이고, 특히 바람직한 알칼리화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄, 무수피페라진, 또는 피페라진육수화물 이다. 이 연마용 조성물은 단지 한 종류의 알칼리화합물 또는 두개 또는 그 이상의 종류의 알칼리화합물을 함유할 수 있다.
이 알칼리화합물이 피페라진 또는 피페라진 유도체 이외의 것이면, 연마용 조성물에 함유되는 알칼리화합물의 양은 바람직하게는 0.01 내지 8wt%, 보다 바람직하게는 0.05 내지 5wt%, 보다 더 바람직하게는 0.1 내지 3wt% 이다. 이 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진 또는 N-메틸피페라진 이면, 이 화합물의 양은 바람직하게는 0.005 내지 3wt%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 2wt%, 보다 더 바람직하게는 0.05 내지 1.5wt% 이다. 이 알칼리화합물이 피페라진육수화물 이면, 이 화합물의 양은 바람직하게는 0.01 내지 6wt%, 보다 바람직하게는 0.02 내지 3wt%, 보다 더 바람직하게는 0.2 내지 1wt% 이다.
상기된 수용성 고분자화합물은 바람직하게는 하이드록시에틸 셀룰로즈, 폴리비닐알코올, 또는 폴리에틸렌옥사이드 이고, 보다 바람직하게는 하이드록시에틸 셀룰로즈 이다. 이 연마용 조성물은 단지 한 종류의 수용성 고분자화합물 또는 2개 또는 그 이상의 종류의 수용성 고분자화합물을 함유할 수 있다.
하이드록시에틸 셀룰로즈의 평균분자량은 바람직하게는 300,000 내지 3,000,000, 보다 바람직하게는 600,000 내지 2,000,000, 보다 더 바람직하게는 900,000 내지 1,500,000 이다. 폴리비닐알코올의 평균분자량은 바람직하게는 1,000 내지 1,000,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 500,000, 보다 더 바람직하게는 10,000 내지 300,000 이다. 폴리비닐알코올의 평균중합도가 바람직하게는 200 내지 3,000 이고, 폴리비닐알코올의 비누화도가 바람직하게는 70 내지 100% 이다. 폴리에틸렌옥사이드의 평균분자량은 20,000 내지 50,000,000, 보다 바람직하게는 20,000 내지 30,000,000, 보다 더 바람직하게는 20,000 내지 10,000,000 이 다.
수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물의 양은 바람직하게는 0.005 내지 1.5wt%, 보다 바람직하게는 0.02 내지 0.8wt%, 보다 더 바람직하게는 0.05 내지 0.5wt% 이다. 수용성 고분자화합물이 폴리비닐알코올 이면, 이 화합물의 양은 바람직하게는 0.001 내지 2wt%, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1wt%, 보다 더 바람직하게는 0.02 내지 0.5wt% 이다. 수용성 고분자화합물이 폴리에틸렌옥사이드 이면, 이 화합물의 양은 바람직하게는 0.001 내지 1wt%, 보다 바람직하게는 0.005 내지 0.5wt%, 보다 더 바람직하게는 0.01 내지 0.2wt% 이다.
상기된 물은 연마용 조성물에 함유된 물과 다른 분산 또는 용해 성분의 매체로서 작용한다. 이 물에는 불순물이 가능한한 함유되지 않는 것이 바람직하다. 바람직한 물은 이온교환수를 필터여과한 것 또는 증류수 이다.
다음에 상기 연마용 조성물을 이용하여 반도체 장치용 웨이퍼 표면을 정밀연마하는 공정을 포함한 웨이퍼의 제조공정에 관하여 설명한다.
잉곳으로부터 폴리싱된 웨이퍼를 생산하는 공정은 슬라이싱(slicing) 단계, 베벨링(beveling) 단계, 랩핑(wrapping) 단계, 에칭 단계, 에지 폴리싱 단계, 및 폴리싱 단계를 포함한다. 이 슬라이싱 단계에서, 웨이퍼는 잉곳으로부터 절단된다. 다음의 베벨링 단계에서, 웨이퍼의 에지는 면깎기 된다. 다음의 랩핑 단계에서, 웨이퍼이 표면은 거칠게 연마된다. 다음의 에칭 단계에서, 에칭 단계 이전의 공정들에서 웨이퍼의 표면 상에 발생된 가공변질층이 제거된다. 다음의 에지 폴리 싱 단계에서는, 상기 베벨 단계에서 면깎기된 에지가 연마된다. 다음의 폴리싱 단계에서, 웨이퍼의 표면이 정밀연마된다.
상기 연마용 조성물은 그 일련의 단계들 중 폴리싱 단계에서 사용된다. 이 폴리싱 단계에서는, 웨이퍼의 표면은 웨이퍼의 표면과 연마부재를 접촉시켜서 그 접촉부분에 이 연마용 조성물을 공급하면서 웨이퍼 표면과 연마부재를 상대적으로 미끄럼이동시킴으로써 웨이퍼의 표면이 연마된다.
본 발명의 실시예는 다음의 장점을 제공한다.
웨이퍼의 표면이 본 실시예에 따른 연마용 조성물에 의해 정밀 연마된 경우, 웨이퍼의 표면 상에서 발생하는 헤이즈가 현저하게 감소된다. 따라서, 반도체 장치의 전기특성 및 양품률이 향상되고, 웨이퍼에 부착된 입자들이 입자 카운터로 계측될 때 그 검출한계가 또한 향상된다.
이 연마용 조성물에 함유된 이산화규소의 평균 일차 입자직경 DSA 는 30nm 이하 이다. 따라서, 이산화규소의 평균 일차 입자직경 DSA 의 과대함에 기인되는 헤이즈의 증대가 방지된다. 또한, 이산화규소의 평균 일차 입자직경 DSA 의 과대함에 기인되는 웨이퍼 표면에서의 스크래치(scratch;긁힘)의 발생 및 웨이퍼 표면에서의 거칠기의 증대도 방지된다. 상기 효과들은 그 평균 일차 입자직경 DSA 가 25nm 이하일 때 향상되고, 그 평균 일차 입자직경 DSA 가 20nm 이하일 때 더 향상된다.
이 연마용 조성물에 함유된 이산화규소가 콜로이덜 실리카일 때, 이산화규소 의 평균 2차 입자직경 DN4 가 120nm 이하 이고, 그리고 이 연마용 조성물에 함유된 이산화규소가 퓸드 실리카일 때, 이산화규소의 평균 2차 입자직경 DN4 가 200nm 이하 이다. 이것은 이산화규소의 평균 2차 입자직경 DN4 의 과대함에 기인되는 헤이즈의 증대를 방지한다. 또한, 이산화규소의 평균 2차 입자직경 DN4 의 과대함에 기인되는 웨이퍼 표면에서의 스크래치의 발생 및 웨이퍼 표면에서의 거칠기의 증대도 방지된다. 상기 효과들은 연마용 조성물에 함유된 이산화규소가 콜로이덜 실리카일 때 그리고 이산화규소의 평균 2차 입자직경 DN4 가 100nm 이하일 때 향상되고, 그 평균 2차 입자직경 DN4 가 80nm 이하일 때 더 향상된다.
특히, 연마용 조성물에 함유된 이산화규소가 콜로이덜 실리카일 때 웨이퍼의 표면에서의 스크래치의 발생을 억제할 수 있다.
연마용 조성물에 있어서의 이산화규소의 함유량이 0.1wt% 이상일 때, 그 함유량의 과소함에 기인되는 연마속도에 있어서의 극단적인 감소가 방지된다. 또한, 상기 함유량이 0.5wt% 이상일 때 상기의 효과가 향상되고, 상기 함유량이 1wt% 이상일 때 상기 효과가 더 향상된다.
연마용 조성물에 있는 이산화규소의 함유량이 40wt% 이하일 때 그 함유량의 과대함에 기인되는 연마용 조성물의 점도에 있어서의 증대가 방지된다. 또한, 상기 함유량이 30wt% 이하일 때 상기의 효과가 향상되고, 상기 함유량이 20wt% 이하일 때 상기 효과가 더 향상된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 무수피페라진, 피페라진육수화물, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 및 N-메틸피페라진으로부터 선택된 적어도 한 종류의 것이면, 연마속도가 증대한다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄, 무수피페라진 및 피페라진육수화물로부터 선택된 적어도 한 종류의 것이면, 연마용 조성물 중의 금속불순물에 의한 웨이퍼의 오염이 억제된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진 및 피페라진 유도체와 다른 화합물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.01wt% 이상일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 또는 N-메틸피페라진이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.005wt% 이상일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진육수화물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.01wt% 이상일 때, 그 함유량의 과소함에 기인되는 연마속도의 극단적인 감소가 방지된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진 및 피페라진 유도체와 다른 화합물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.05wt% 이상일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 또는 N-메틸피페라진이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.01wt% 이상일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진육수화물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.02wt% 이상일 때, 상기의 효과 가 향상된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진 및 피페라진 유도체와 다른 화합물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.1wt% 이상일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 또는 N-메틸피페라진이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.05wt% 이상일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진육수화물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 0.2wt% 이상일 때, 상기의 효과가 더 향상된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진 및 피페라진 유도체와 다른 화합물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 8wt% 이하일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 또는 N-메틸피페라진이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 3wt% 이하일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진육수화물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 6wt% 이하일 때, 그 함유량의 과대함에 기인되는 연마용 조성물에 있어서의 겔화 및 코스트 증대가 방지된다. 또한, 동시에, 알칼리화합물의 함유량의 과대함에 기인되는 웨이퍼 표면의 거칠어짐이 방지된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진 및 피페라진 유도체와 다른 화합물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 5wt% 이하일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 또는 N-메틸피페라진이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 2wt% 이하일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진육수화물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 3wt% 이하일 때, 상기의 효과가 향상된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진 및 피페라진 유도체와 다른 화합물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 3wt% 이하일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 무수피페라진, 1-(2-아미노에틸) 피페라진 또는 N-메틸피페라진이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 1.5wt% 이하일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 알칼리화합물이 피페라진육수화물이면서 그 알칼리화합물의 함유량이 1wt% 이하일 때, 상기의 효과가 더 향상된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈, 폴리비닐알코올, 및 폴리에틸렌옥사이드로부터 선택된 적어도 한 종류 이면, 헤이즈가 감소된다. 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면, 웨이퍼의 습윤성이 개선된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.005wt% 이상일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리비닐알코올 또는 폴리에틸렌옥사이드 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.001wt% 이상일 때, 헤이즈가 감소된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.02wt% 이상일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리비닐알코올 또는 폴리에틸렌옥사이드 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.005wt% 이상일 때, 상기의 효과가 향상된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.05wt% 이상일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리비닐알코올 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.02wt% 이상일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리에틸렌옥사이드 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.01wt% 이상일 때, 상기의 효과가 더 향상된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 1.5wt% 이하일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리비닐알코올 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 2wt% 이하일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리에틸렌옥사이드 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 1wt% 이하일 때, 그 함유량의 과대함에 기인되는 연마용 조성물의 점도에 있어서의 증대가 억제된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.8wt% 이하일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리비닐알코올 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 1wt% 이하일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리에틸렌옥사이드 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.5wt% 이하일 때, 상기의 효과가 향상된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 하이드록시에틸 셀룰로즈 또는 폴리비닐알코올 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.5wt% 이하일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 폴리에틸렌옥사이드 이면서 그 수용성 고분자화합물의 함유량이 0.2wt% 이하일 때, 상기의 효과가 더 향상된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 300,000 이상의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 1,000 이상의 평균분자량을 가진 폴리비닐알코올일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 20,000 이상의 평균분자량을 가진 폴리에틸렌옥사이드일 때, 헤이즈가 감소된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 600,000 이상의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 5,000 이상의 평균분자량을 가진 폴리비닐알코올일 때, 상기의 효과가 향상된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 900,000 이상의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 10,000 이상의 평균분자량을 가진 폴리비닐알코올일 때, 상기의 효과가 더 향상된다.
상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 3,000,000 이하의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 1,000,000 이하의 평균분자량을 가진 폴리비닐알코올일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 50,000,000 이하의 평균분자량을 가진 폴리에틸렌옥사이드일 때, 수용성 고분자화합물의 평균분자량의 과대함에 기인되는 연마용 조성물의 점도에 있어서의 증대가 방지된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 2,000,000 이하의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화 합물이 500,000 이하의 평균분자량을 가진 폴리비닐알코올일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 30,000,000 이하의 평균분자량을 가진 폴리에틸렌옥사이드일 때, 상기의 효과가 향상된다. 또한, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 1,500,000 이하의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈일 때, 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 300,000 이하의 평균분자량을 가진 폴리비닐알코올일 때, 그리고 상기 연마용 조성물에 함유된 수용성 고분자화합물이 10,000,000 이하의 평균분자량을 가진 폴리에틸렌옥사이드일 때, 상기의 효과가 더 향상된다.
본 발명이 본 발명의 사상 또는 범주로부터 벗어남 없이 여러 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 것은 당해분야 종사자에게는 자명한 것이다. 특히, 본 발명이 다음의 형태들로 구체화될 수 있다는 것은 자명하다.
이 실시예에 따른 연마용 조성물은 종래의 연마용 조성물에서 일반적으로 함유된 공지의 첨가제, 예를 들면 계면활성제, 킬레이트제, 방부제 등을 또한 함유할 수 있다.
이 실시예에 따른 연마용 조성물은 물과 다른 성분들이 비교적 고 농도로 함유되도록 사전에 준비되어 비축된 액상의 물을 사용하여 희석되어서 준비될 수도 있다. 그 희석배율은 50배 이하가 바람직하고, 40배 이하가 보다 바람직하며, 25배 이하가 보다 더 바람직하다.
다음에, 본 발명이 실시예와 비교예에 의해 보다 상세하게 설명될 것이다.
이산화규소, 알칼리화합물, 및 수용성 고분자화합물은 실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 7의 연마용 조성물들을 준비하도록 이온교환수에 혼합되었다. 연마용 조성물들에 함유된 이산화규소, 알칼리화합물, 및 수용성 고분자화합물은 표 1에 상세하게 표시되어 있다.
표 1에 있는 "이산화규소"의 컬럼에서, "A1"은 7nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 15nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 콜로이덜 실리카를 나타내고, "A2"은 13nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 32nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 콜로이덜 실리카를 나타내고, "A3"은 26nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 90nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 콜로이덜 실리카를 나타내고, "A4"은 14nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 35nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 콜로이덜 실리카를 나타내고, "A5"은 35nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 70nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 콜로이덜 실리카를 나타내고, "A6"은 90nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 200nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 콜로이덜 실리카를 나타내고, "B1"은 20nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 100nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 퓸드 실리카를 나타내고, 그리고 "B2"은 40nm의 평균 일차 입자직경 DSA 과 250nm의 평균 2차 입자직경 DN4 을 가진 퓸드 실리카를 나타낸다.
표 1에 있는 "알칼리화합물"의 컬럼에서, "AM"은 암모니아(29wt%수용액)를 나타내고, "PHA"는 수산화칼륨을 나타내고, "TMAH"는 수산화테트라메틸 암모늄 (25wt%수용액)을 나타내고, 그리고 "PIZ"는 무수피페라진을 나타낸다.
표 1에 있는 "수용성 고분자화합물"의 컬럼에서 "HEC"는 1,200,000의 평균분자량을 가진 하이드록시에틸 셀룰로즈를 나타내고, "PVA"는 62,000의 평균분자량과 1400의 평균중합도 및 95%의 비누화도를 가진 폴리비닐알코올을 나타내고, 그리고 "PEO"는 150,000 내지 400,000의 평균분자량을 가진 폴리에틸렌옥사이드를 나타낸다.
웨이퍼(연마될 피연마물)의 표면은 다음 조건들 하에서 상기 연마용 조성물에 의해 정밀연마되었다.
<연마조건>
연마기: 편면연마기 SPM-15(후지코시기계공업사제),
연마될 피연마물: 폴리싱재 "GLANZOX-1101"(후지미 인코퍼레이티드사제)를 이용하여 예비연마된 ø60″(= 150 mm)의 실리콘 웨이퍼(여기에서 표 1에 있는 "연마될 피연마물"의 컬럼에서, "P++"로 표시된 실리콘 웨이퍼는 0.01Ω·cm 미만의 저항률을 가지고 있고, "P+"로 표시된 실리콘 웨이퍼는 0.01Ω·cm 이상 그리고 0.1Ω·cm 미만의 저항률을 가지고 있고, 그리고, "P-"로 표시된 실리콘 웨이퍼는 0.1Ω·cm 이상의 저항률을 가지고 있다),
연마하중: 9.4 kPa,
정반(定盤)회전수: 30 rpm,
웨이퍼 회전수: 30 rpm,
연마패드: "Surfin 000"(후지미 인코퍼레이티드사제)
연마시간: 8분
연마용 조성물의 공급속도: 500㎖/min(연속적용)
정밀연마후 순수한 물로 스크러브(scrub)정화된 웨이퍼에서, 헤이즈 레벨이 AMS-AWIS3110(ADE사제)에 의해 측정되었다. 헤이즈 레벨이 0.05ppm 미만이면 ＯＯ로서 평가되었고, 0.05ppm 이상 이고 0.075 미만이면 Ｏ으로서 평가되었고, 0.075ppm 이상이고 0.1ppm 미만이면 △로서 평가되었고, 0.1ppm 이상이고 0.2ppm 미만이면 ×로서 평가되었고, 0.2ppm 이상이면 ××로서 평가되었다. 그 결과들이 표 1에 있는 "헤이즈"의 컬럼에 나타나 있다.
정밀연마후 순수한 물로 스크러브세정된 웨이퍼의 표면은 암실내에서 스포트라이트(500klx)로 조명되면서 시각적으로 관찰되었다. 웨이퍼의 표면에 전혀 스크래치가 나타나지 않은 것은 ＯＯ로서 평가되었고, 거의 스크래치가 나타나지 않은 것은 Ｏ으로서 평가되었고, 약간의 스크래치가 나타나 있는 것은 △로서 평가되었고, 두드러진 스크래치가 나타나 있는 것은 ×로서 평가되었다. 그 결과들이 표 1에 있는 "스크래치"의 컬럼에 나타나 있다.
AMS-AWIS3110(ADE사제)를 이용하여 헤이즈 레벨이 측정되었을 때, "Catch All"의 카운트 수가 30이하로 될때까지 2분 미만의 연마시간을 필요로 하는 것은 ＯＯ으로서 평가되었고, 2분 이상 그리고 3분 미만의 연마시간을 필요로 하는 것은 Ｏ으로서 평가되었고, 3분 이상 그리고 5분 미만의 연마시간을 필요로 하는 것은 △로서 평가되었고, 5분 이상의 연마시간을 필요로 하는 것은 ×로서 평가되었다. 그 결과들이 표 1에 있는 "HFT"의 컬럼에 나타나 있다. HFT는 "Haze Free Time"의 약어이다.
피연마물 이산화규소 알칼리화합물 수용소고분자화합물 헤이즈 스크래치 HFT
실시예1 P++ A1 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ △
실시예2 P++ A2 0.1wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ △
실시예3 P++ A2 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예4 P++ A2 1wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예5 P++ A3 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% Ｏ ＯＯ Ｏ
실시예6 P++ A4 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예7 P++ B1 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ Ｏ Ｏ
실시예8 P++ A2 0.5wt% PHA 0.015wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예9 P++ A2 0.5wt% TMAH 0.025wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예10 P++ A2 0.5wt% PIZ 0.015wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예11 P++ A2 0.5wt% AM
TMAH		 0.025wt%
0.0125wt%		 HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ Ｏ
실시예12 P++ A2 0.5wt% AM 0.05wt% PVA 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ △
실시예13 P++ A2 0.5wt% AM 0.05wt% HEC
PEO		 0.0125wt%
0.005wt%		 ＯＯ ＯＯ △
실시예14 P+ A2 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ ＯＯ
실시예15 P- A2 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% ＯＯ ＯＯ ＯＯ
비교예1 P++ A5 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% △ ＯＯ Ｏ
비교예2 P++ A6 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% × ＯＯ Ｏ
비교예3 P++ B2 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% × △ Ｏ
비교예4 P++ A2 0.5wt% - - HEC 0.0125wt% ×× △ ×
비교예5 P++ A2 0.5wt% AM 0.05wt% - - ×× × ×
비교예6 P+ A5 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% △ ＯＯ ＯＯ
비교예7 P- A5 0.5wt% AM 0.05wt% HEC 0.0125wt% Ｏ ＯＯ ＯＯ

표 1에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 15의 연마용 조성물을 이용하여 정밀연마된 웨이퍼는 비교예 1 내지 7의 연마용 조성물을 이용하여 정밀연마된 웨이퍼에 비하여 헤이즈 레벨들이 양호하였다. 따라서, 실시예 1 내지 15의 연마용 조성물이 웨이퍼의 표면 상에서 헤이즈를 현저하게 감소시키는 효과를 가지고 있다는 것은 명백하다.
본 실시예 및 구체예들은 제한이 아니라 예시로서 간주되어야 하며, 본 발명은 여기에 주어진 상세들에 제한받지 않지만 첨부된 청구범위의 범주 및 등가물들 내에서 수정될 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼 표면 상의 헤이즈를 현저하게 저감시킬 수가 있다.

Claims (11)

  1. 웨이퍼 표면을 정밀연마할 때에 사용되는 연마용 조성물에 있어서,
    상기 연마용 조성물은 이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물 및 물을 함유하고,
    이 이산화규소는 콜로이덜 실리카이고,
    BET법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 비표면적으로부터 얻어지는 콜로이덜 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 25nm이고,
    레이저 산란법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    콜로이덜 실리카의 상기 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 수용성 고분자화합물은 하이드록시에틸 셀룰로즈, 폴리비닐알코올, 및 폴리에틸렌옥사이드로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 수용성 고분자화합물은 하이드록시에틸 셀룰로즈인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 연마용 조성물에 함유된 상기 하이드록시에틸 셀룰로즈는 0.005 내지 1.5wt%인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  10. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 알칼리화합물은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄, 무수피페라진 및 피페라진육수화물로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  11. 웨이퍼를 연마하는 방법에 있어서,
    연마용 조성물을 준비하는 단계 그리고
    이 연마용 조성물을 이용하여 웨이퍼의 표면을 정밀연마하는 단계를 포함하고 있으며,
    이 연마용 조성물은 이산화규소, 알칼리화합물, 수용성 고분자화합물 및 물을 함유하며,
    상기 이산화규소는 콜로이덜 실리카이고,
    BET법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 비표면적으로부터 얻어지는 콜로이덜 실리카의 평균 일차 입자직경 DSA 는 5 내지 25nm이고,
    레이저 산란법으로 측정된 콜로이덜 실리카의 평균 2차 입자직경 DN4 는 5 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 연마방법.
KR1020030067402A 2002-09-30 2003-09-29 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법 KR101062618B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00287448 2002-09-30
JP2002287448A JP4593064B2 (ja) 2002-09-30 2002-09-30 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040028588A KR20040028588A (ko) 2004-04-03
KR101062618B1 true KR101062618B1 (ko) 2011-09-07

Family

ID=31973445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030067402A KR101062618B1 (ko) 2002-09-30 2003-09-29 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7481950B2 (ko)
EP (1) EP1403351B1 (ko)
JP (1) JP4593064B2 (ko)
KR (1) KR101062618B1 (ko)
DE (1) DE60315933T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130105365A (ko) * 2012-03-16 2013-09-25 후지필름 가부시키가이샤 반도체 기판 제품의 제조 방법 및 에칭액

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128069A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP4668528B2 (ja) * 2003-09-05 2011-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2005268664A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2005268667A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2005286048A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
JP2006005246A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Fujimi Inc リンス用組成物及びそれを用いたリンス方法
JP4814502B2 (ja) 2004-09-09 2011-11-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2006086462A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた配線構造体の製造法
JP4808394B2 (ja) * 2004-10-29 2011-11-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5121128B2 (ja) * 2005-06-20 2013-01-16 ニッタ・ハース株式会社 半導体研磨用組成物
JP2006352043A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
JP2007214205A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
CN100462203C (zh) * 2006-06-09 2009-02-18 河北工业大学 Ulsi多层铜布线化学机械抛光中粗糙度的控制方法
JP5204960B2 (ja) * 2006-08-24 2013-06-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
JP5335183B2 (ja) * 2006-08-24 2013-11-06 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
US8017524B2 (en) * 2008-05-23 2011-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Stable, high rate silicon slurry
JP5474400B2 (ja) * 2008-07-03 2014-04-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法
JP5492603B2 (ja) * 2010-03-02 2014-05-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
SG192058A1 (en) 2011-01-26 2013-08-30 Fujimi Inc Polishing composition, polishing method using same, and substrate production method
JP2013004839A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェーハの研磨方法
US9579769B2 (en) 2011-10-24 2017-02-28 Fujimi Incorporated Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate
MY171383A (en) * 2012-05-25 2019-10-10 Nissan Chemical Ind Ltd Polishing liquid composition for wafers
CN103897605A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 天津西美半导体材料有限公司 单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液
KR102226441B1 (ko) 2013-02-13 2021-03-12 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물, 연마용 조성물 제조 방법 및 연마물 제조 방법
JP6110681B2 (ja) * 2013-02-13 2017-04-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法
US10717899B2 (en) 2013-03-19 2020-07-21 Fujimi Incorporated Polishing composition, method for producing polishing composition and polishing composition preparation kit
JP6389629B2 (ja) * 2014-03-31 2018-09-12 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物
JP6389630B2 (ja) * 2014-03-31 2018-09-12 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物
JP6314019B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-18 ニッタ・ハース株式会社 半導体基板の研磨方法
JP6482234B2 (ja) 2014-10-22 2019-03-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20210277282A1 (en) * 2018-07-04 2021-09-09 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Polishing composition
JP7221479B2 (ja) * 2018-08-31 2023-02-14 日化精工株式会社 ダイシング加工用製剤及び加工処理液
JP6756422B1 (ja) * 2019-02-21 2020-09-16 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
US20230106868A1 (en) * 2020-03-13 2023-04-06 Fujimi Incorporated Polishing composition and polishing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118815A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Speedfam Co Ltd 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715842A (en) * 1970-07-02 1973-02-13 Tizon Chem Corp Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces
DE2247067C3 (de) * 1972-09-26 1979-08-09 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verwendung einer Poliersuspension zum schleierfreien Polieren von Halbleiteroberflächen
US4169337A (en) * 1978-03-30 1979-10-02 Nalco Chemical Company Process for polishing semi-conductor materials
US4310594A (en) * 1980-07-01 1982-01-12 Teijin Limited Composite sheet structure
US4462188A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Nalco Chemical Company Silica sol compositions for polishing silicon wafers
US4588421A (en) * 1984-10-15 1986-05-13 Nalco Chemical Company Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers
JP2714411B2 (ja) 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
US5352277A (en) * 1988-12-12 1994-10-04 E. I. Du Pont De Nemours & Company Final polishing composition
JPH08113772A (ja) 1994-10-18 1996-05-07 Asahi Denka Kogyo Kk シリコンウェハ研磨剤組成物及びシリコンウェハ研磨剤用組成物
JPH08302338A (ja) * 1995-05-15 1996-11-19 Sony Corp スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH0982668A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Sony Corp 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法
DE69611653T2 (de) * 1995-11-10 2001-05-03 Tokuyama Corp Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH10309660A (ja) 1997-05-07 1998-11-24 Tokuyama Corp 仕上げ研磨剤
JP4115562B2 (ja) 1997-10-14 2008-07-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPH11214338A (ja) 1998-01-20 1999-08-06 Memc Kk シリコンウェハーの研磨方法
JP3810588B2 (ja) * 1998-06-22 2006-08-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TWI296006B (ko) * 2000-02-09 2008-04-21 Jsr Corp
KR100398141B1 (ko) * 2000-10-12 2003-09-13 아남반도체 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 제조방법
JP3440419B2 (ja) * 2001-02-02 2003-08-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6685757B2 (en) * 2002-02-21 2004-02-03 Rodel Holdings, Inc. Polishing composition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118815A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Speedfam Co Ltd 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130105365A (ko) * 2012-03-16 2013-09-25 후지필름 가부시키가이샤 반도체 기판 제품의 제조 방법 및 에칭액
KR102105333B1 (ko) * 2012-03-16 2020-04-28 후지필름 가부시키가이샤 반도체 기판 제품의 제조 방법 및 에칭액

Also Published As

Publication number Publication date
JP4593064B2 (ja) 2010-12-08
EP1403351A1 (en) 2004-03-31
US20040127047A1 (en) 2004-07-01
KR20040028588A (ko) 2004-04-03
JP2004128070A (ja) 2004-04-22
EP1403351B1 (en) 2007-08-29
US7481950B2 (en) 2009-01-27
DE60315933T2 (de) 2008-06-12
DE60315933D1 (de) 2007-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101062618B1 (ko) 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마방법
KR100981978B1 (ko) 연마용 조성물 및 그것을 이용한 연마방법
KR101163071B1 (ko) 연마용 조성물
US20050205837A1 (en) Polishing composition and polishing method
US20080053001A1 (en) Polishing Composition and Polishing Method
KR100662546B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 표면 품질을 개선하는 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
US8080476B2 (en) Polishing composition and polishing process
EP3584298B1 (en) Polishing method using a polishing composition
EP3121239A1 (en) Polishing composition, polishing method, and method for producing substrate
JP2016124943A (ja) 研磨用組成物
EP3605589A1 (en) Polishing composition and polishing method
TW201518488A (zh) 研磨用組成物及其製造方法
JP5497400B2 (ja) 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法
JP5220428B2 (ja) 研磨用組成物を用いた研磨方法
KR20000006327A (ko) 연마조성물및표면처리조성물
JP7253335B2 (ja) 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
JP7074525B2 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
KR100754807B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법
JP2004335723A (ja) 半導体ウェハ研磨用組成物
KR20220070289A (ko) 연마용 조성물
WO2023032715A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023032714A1 (ja) 研磨用組成物
KR100643632B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20110228

Effective date: 20110615

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150612

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160727

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180730

Year of fee payment: 8