JPH11214338A - シリコンウェハーの研磨方法 - Google Patents
シリコンウェハーの研磨方法Info
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- JPH11214338A JPH11214338A JP856098A JP856098A JPH11214338A JP H11214338 A JPH11214338 A JP H11214338A JP 856098 A JP856098 A JP 856098A JP 856098 A JP856098 A JP 856098A JP H11214338 A JPH11214338 A JP H11214338A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属不純物によるシリコンウェハー表面の汚
染を防止することができ、研磨後のシリコンウェハー表
面の電気特性の向上に寄与することができるシリコンウ
ェハーの研磨方法を提供する。 【解決手段】 蒸留により精製した珪酸メチルを、メタ
ノール溶媒中でアンモニア又はアンモニアとアンモニウ
ム塩を触媒として水と反応させることにより得られるコ
ロイダルシリカ粒子を用いる。このコロイダルシリカ粒
子の長径／短径比が、１．４以上である。
染を防止することができ、研磨後のシリコンウェハー表
面の電気特性の向上に寄与することができるシリコンウ
ェハーの研磨方法を提供する。 【解決手段】 蒸留により精製した珪酸メチルを、メタ
ノール溶媒中でアンモニア又はアンモニアとアンモニウ
ム塩を触媒として水と反応させることにより得られるコ
ロイダルシリカ粒子を用いる。このコロイダルシリカ粒
子の長径／短径比が、１．４以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウェハ
ーの研磨方法に関し、特にシリコンウェハー基板上の蓄
電器等に用いられる酸化シリコン膜の電気特性の向上に
寄与するシリコンウェハーの研磨方法に関する。
ーの研磨方法に関し、特にシリコンウェハー基板上の蓄
電器等に用いられる酸化シリコン膜の電気特性の向上に
寄与するシリコンウェハーの研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 一般に、半導体素子の製造には、鏡面
状に研磨されたシリコンウェハーが用いられており、こ
のシリコンウェハー製造の仕上げ工程である最終研磨に
使用される研磨材料としては、コロイダルシリカにアン
モニア、アルカリ金属等の研磨促進剤と界面活性効果の
ある湿潤剤を含有する水系組成物が使用されている。
状に研磨されたシリコンウェハーが用いられており、こ
のシリコンウェハー製造の仕上げ工程である最終研磨に
使用される研磨材料としては、コロイダルシリカにアン
モニア、アルカリ金属等の研磨促進剤と界面活性効果の
ある湿潤剤を含有する水系組成物が使用されている。
【０００３】 コロイダルシリカには、主として２種類
あり、その一つは、水ガラス等のアルカリ金属珪酸塩の
水溶液を脱陽イオン処理することにより得られる球状の
コロイダルシリカまたはその会合体であり（以下、水ガ
ラス法シリカという）、もう一つは、触媒として、アン
モニア又はアンモニアとアンモニウム塩の存在下でアル
コキシシランと水をアルコール溶液中で反応させて得ら
れた球状または長径／短径比が１．４以上であるコロイ
ダルシリカ粒子である（以下、ゾルゲル法シリカとい
う）。
あり、その一つは、水ガラス等のアルカリ金属珪酸塩の
水溶液を脱陽イオン処理することにより得られる球状の
コロイダルシリカまたはその会合体であり（以下、水ガ
ラス法シリカという）、もう一つは、触媒として、アン
モニア又はアンモニアとアンモニウム塩の存在下でアル
コキシシランと水をアルコール溶液中で反応させて得ら
れた球状または長径／短径比が１．４以上であるコロイ
ダルシリカ粒子である（以下、ゾルゲル法シリカとい
う）。
【０００４】 しかしながら、これらの方法で得られた
コロイダルシリカには、鉄、ニッケル、クロム、アルミ
ニウム、銅等の金属不純物が介在しており、これらが研
磨時にシリコンウェハー表面に付着し、その結果、シリ
コンウェハー表面が汚染されるため、半導体特性に悪影
響を与える。特に、初期の半導体製造工程で表面に形成
される酸化膜の電気特性を低下させるという問題があ
る。
コロイダルシリカには、鉄、ニッケル、クロム、アルミ
ニウム、銅等の金属不純物が介在しており、これらが研
磨時にシリコンウェハー表面に付着し、その結果、シリ
コンウェハー表面が汚染されるため、半導体特性に悪影
響を与える。特に、初期の半導体製造工程で表面に形成
される酸化膜の電気特性を低下させるという問題があ
る。
【０００５】 尚、不純物の含有量は、水ガラス法シリ
カが圧倒的に多く、ゾルゲル法シリカでは、比較的少な
いとされているが、それでも鉄がシリカ当り１０重量ｐ
ｐｂ以上、クロムとニッケルを合わせて同２ｐｐｂ以
上、アルミニウムが同５ｐｐｂ以上、銅が同３ｐｐｂ以
上含まれている。
カが圧倒的に多く、ゾルゲル法シリカでは、比較的少な
いとされているが、それでも鉄がシリカ当り１０重量ｐ
ｐｂ以上、クロムとニッケルを合わせて同２ｐｐｂ以
上、アルミニウムが同５ｐｐｂ以上、銅が同３ｐｐｂ以
上含まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、珪素以外の金属の含有を極力抑制したコロイ
ダルシリカ粒子を主材とした研磨材を用いることによ
り、金属不純物によるシリコンウェハー表面の汚染を防
止することができ、研磨後のシリコンウェハー表面の電
気特性を向上することができるシリコンウェハーの研磨
方法を提供するものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、珪素以外の金属の含有を極力抑制したコロイ
ダルシリカ粒子を主材とした研磨材を用いることによ
り、金属不純物によるシリコンウェハー表面の汚染を防
止することができ、研磨後のシリコンウェハー表面の電
気特性を向上することができるシリコンウェハーの研磨
方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、コロイダルシリカ粒子を主材とした研磨材を用い
るシリコンウェハーの研磨方法であって、蒸留により精
製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中でアンモニア又
はアンモニアとアンモニウム塩を触媒として水と反応さ
せることにより得られるコロイダルシリカ粒子を用い、
且つ該コロイダルシリカ粒子の長径／短径比が、１．４
以上であることを特徴とするシリコンウェハーの研磨方
法が提供される。
れば、コロイダルシリカ粒子を主材とした研磨材を用い
るシリコンウェハーの研磨方法であって、蒸留により精
製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中でアンモニア又
はアンモニアとアンモニウム塩を触媒として水と反応さ
せることにより得られるコロイダルシリカ粒子を用い、
且つ該コロイダルシリカ粒子の長径／短径比が、１．４
以上であることを特徴とするシリコンウェハーの研磨方
法が提供される。
【０００８】 また、本発明によれば、コロイダルシリ
カ粒子を主材とした研磨材を用いるシリコンウェハーの
研磨方法であって、該コロイダルシリカ粒子の主原料で
ある珪酸メチル中の金属不純物の含有量がそれぞれ、鉄
が１．０重量ｐｐｂ未満、クロムが０．２重量ｐｐｂ未
満、ニッケルが０．１重量ｐｐｂ以下、アルミニウムが
０．５重量ｐｐｂ未満、銅が０．２重量ｐｐｂ以下であ
ることを特徴とするシリコンウェハーの研磨方法が提供
される。
カ粒子を主材とした研磨材を用いるシリコンウェハーの
研磨方法であって、該コロイダルシリカ粒子の主原料で
ある珪酸メチル中の金属不純物の含有量がそれぞれ、鉄
が１．０重量ｐｐｂ未満、クロムが０．２重量ｐｐｂ未
満、ニッケルが０．１重量ｐｐｂ以下、アルミニウムが
０．５重量ｐｐｂ未満、銅が０．２重量ｐｐｂ以下であ
ることを特徴とするシリコンウェハーの研磨方法が提供
される。
【０００９】 尚、本発明で用いるコロイダルシリカ粒
子が、鉄、ステンレス、スチール、アルミニウム、銅等
の金属に非接触な状態で処理し得る容器、機器、配管で
構成された製造装置により製造されることが好ましい。
子が、鉄、ステンレス、スチール、アルミニウム、銅等
の金属に非接触な状態で処理し得る容器、機器、配管で
構成された製造装置により製造されることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウェハーの研
磨方法は、蒸留により精製した珪酸メチルを、メタノー
ル溶媒中でアンモニア又はアンモニアとアンモニウム塩
を触媒として水と反応させることにより得られるコロイ
ダルシリカ粒子を用い、且つコロイダルシリカ粒子の長
径／短径比が、１．４以上であるものである。
磨方法は、蒸留により精製した珪酸メチルを、メタノー
ル溶媒中でアンモニア又はアンモニアとアンモニウム塩
を触媒として水と反応させることにより得られるコロイ
ダルシリカ粒子を用い、且つコロイダルシリカ粒子の長
径／短径比が、１．４以上であるものである。
【００１１】 以上のように、珪素以外の金属の含有を
極力抑制したコロイダルシリカ粒子を主材とした研磨材
を用いることにより、金属不純物によるシリコンウェハ
ー表面の汚染を防止することができ、研磨後のシリコン
ウェハーの電気特性を向上することができる。
極力抑制したコロイダルシリカ粒子を主材とした研磨材
を用いることにより、金属不純物によるシリコンウェハ
ー表面の汚染を防止することができ、研磨後のシリコン
ウェハーの電気特性を向上することができる。
【００１２】 ここで、本発明で用いる蒸留方法は、単
蒸留でも連続蒸留でもよいが、還流付で行うことが好ま
しい。これにより、珪酸メチルの精製度および純度がよ
り向上するからである。
蒸留でも連続蒸留でもよいが、還流付で行うことが好ま
しい。これにより、珪酸メチルの精製度および純度がよ
り向上するからである。
【００１３】 以下、本発明のシリコンウェハーの研磨
方法について詳細に説明する。ここで、シリコンウェハ
ーの研磨方法とは、光学的光沢をもち加工歪のない鏡面
ウェハーを製造する工程（ポリッシング）のことであ
り、アルカリ性コロイダルシリカによるポリッシングの
場合、ＳｉＯ2砥粒による機械的研磨とアルカリ液によ
る化学エッチングとの複合作用によるメカノケミカルプ
ロセスによって説明することができる。
方法について詳細に説明する。ここで、シリコンウェハ
ーの研磨方法とは、光学的光沢をもち加工歪のない鏡面
ウェハーを製造する工程（ポリッシング）のことであ
り、アルカリ性コロイダルシリカによるポリッシングの
場合、ＳｉＯ2砥粒による機械的研磨とアルカリ液によ
る化学エッチングとの複合作用によるメカノケミカルプ
ロセスによって説明することができる。
【００１４】 このとき、本発明の主な特徴としては、
コロイダルシリカ粒子の原料となる珪酸メチルに、還流
付単蒸留又は還流付連続蒸留により精製した珪酸メチル
を用いたことにある。これにより、鉄、ニッケル、クロ
ム、アルミニウム、銅等の金属不純物が確実に除去され
た超高純度の珪酸メチルを用いることができるため、極
めて金属汚染の少ないコロイダルシリカ粒子を製造する
ことができる。
コロイダルシリカ粒子の原料となる珪酸メチルに、還流
付単蒸留又は還流付連続蒸留により精製した珪酸メチル
を用いたことにある。これにより、鉄、ニッケル、クロ
ム、アルミニウム、銅等の金属不純物が確実に除去され
た超高純度の珪酸メチルを用いることができるため、極
めて金属汚染の少ないコロイダルシリカ粒子を製造する
ことができる。
【００１５】 本発明で用いる珪酸メチルの精製方法に
ついて、更に詳細に説明する。珪酸メチルの合成方法と
しては、四塩化珪素にメタノールを添加する方法と金属
珪素とメタノールを直接反応させる方法がある。
ついて、更に詳細に説明する。珪酸メチルの合成方法と
しては、四塩化珪素にメタノールを添加する方法と金属
珪素とメタノールを直接反応させる方法がある。
【００１６】 四塩化珪素にメタノールを添加する方法
は、原料の四塩化珪素にメタノールを添加し、正珪酸メ
チルが生成される主反応と、四塩化珪素とメタノールが
反応してメタ珪酸メチル、塩化メチルと水が生成される
副反応とが同時進行し、生成した水が更に正珪酸メチル
と反応して、メタ珪酸メチルとなってしまい、正珪酸メ
チルの収率が悪くなる欠点があるため、副反応を抑制す
る必要がある。
は、原料の四塩化珪素にメタノールを添加し、正珪酸メ
チルが生成される主反応と、四塩化珪素とメタノールが
反応してメタ珪酸メチル、塩化メチルと水が生成される
副反応とが同時進行し、生成した水が更に正珪酸メチル
と反応して、メタ珪酸メチルとなってしまい、正珪酸メ
チルの収率が悪くなる欠点があるため、副反応を抑制す
る必要がある。
【００１７】 また、金属珪素とメタノールを直接反応
させる方法は、前記の四塩化珪素にメタノールを添加す
る方法と比較して、副反応がほとんどないことから、工
業的にはこの方法が主に用いられている。ただし、反応
中に金属珪素の不純物が不動体の膜を形成し、金属珪素
の反応率を下げる欠点があるため、工業的には反応触媒
の選択が鍵となっている。
させる方法は、前記の四塩化珪素にメタノールを添加す
る方法と比較して、副反応がほとんどないことから、工
業的にはこの方法が主に用いられている。ただし、反応
中に金属珪素の不純物が不動体の膜を形成し、金属珪素
の反応率を下げる欠点があるため、工業的には反応触媒
の選択が鍵となっている。
【００１８】 次に、珪酸メチルの精製方法としては、
前記のいずれかの方法で合成された正珪酸メチルを、単
蒸留または還流比（製品当りの還流の重量比）が１以下
の還流付単蒸留で精製することが好ましく、より高純度
の正珪酸メチルを得るためには、還流付連続蒸留で精製
することが好ましい。
前記のいずれかの方法で合成された正珪酸メチルを、単
蒸留または還流比（製品当りの還流の重量比）が１以下
の還流付単蒸留で精製することが好ましく、より高純度
の正珪酸メチルを得るためには、還流付連続蒸留で精製
することが好ましい。
【００１９】 このとき、正珪酸メチル中の金属不純物
の含有量がそれぞれ、鉄が１．０重量ｐｐｂ未満、クロ
ムが０．２重量ｐｐｂ未満、ニッケルが０．１重量ｐｐ
ｂ以下、アルミニウムが０．５重量ｐｐｂ未満、銅が
０．２重量ｐｐｂ以下であることが、極めて金属汚染の
少ないコロイダルシリカ粒子を製造する上で重要であ
る。
の含有量がそれぞれ、鉄が１．０重量ｐｐｂ未満、クロ
ムが０．２重量ｐｐｂ未満、ニッケルが０．１重量ｐｐ
ｂ以下、アルミニウムが０．５重量ｐｐｂ未満、銅が
０．２重量ｐｐｂ以下であることが、極めて金属汚染の
少ないコロイダルシリカ粒子を製造する上で重要であ
る。
【００２０】 次に、還流付単蒸留又は還流付連続蒸留
により精製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中でアン
モニア又はアンモニアとアンモニウム塩を触媒として水
と反応させることにより、コロイダルシリカ粒子を製造
する。
により精製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中でアン
モニア又はアンモニアとアンモニウム塩を触媒として水
と反応させることにより、コロイダルシリカ粒子を製造
する。
【００２１】 このとき、コロイダルシリカ粒子の長径
／短径比が、１．４以上であることが重要である。これ
は、コロイダルシリカの一次粒子は、製法の差があって
も一般的には球状粒子である。球状一次粒子が局部的に
会合して出来る二次粒子の表面も、基本的には一次粒子
の表面の一部が露出しているので、被研磨物質にあたる
コリダルシリカの研磨粒子は、球状の表面であるため、
研磨ダメージ（研磨時の傷等）が少なくなるからであ
る。
／短径比が、１．４以上であることが重要である。これ
は、コロイダルシリカの一次粒子は、製法の差があって
も一般的には球状粒子である。球状一次粒子が局部的に
会合して出来る二次粒子の表面も、基本的には一次粒子
の表面の一部が露出しているので、被研磨物質にあたる
コリダルシリカの研磨粒子は、球状の表面であるため、
研磨ダメージ（研磨時の傷等）が少なくなるからであ
る。
【００２２】 ここで、長径／短径比が１．４以上であ
る粒子とは、二個程度の一次粒子が会合して繭型の二次
粒子になったもので、粒度分布も極めて狭い特徴を有す
るものである。このため、研磨圧力が砥粒に均一にかか
り、研磨ダメージを少なくすることができる。
る粒子とは、二個程度の一次粒子が会合して繭型の二次
粒子になったもので、粒度分布も極めて狭い特徴を有す
るものである。このため、研磨圧力が砥粒に均一にかか
り、研磨ダメージを少なくすることができる。
【００２３】 一方、会合が均一でなく、二次粒子の粒
度分布が広くなると、粗粒度が研磨面で嵩高になり、集
中的に研磨圧力を受けるために、研磨面にダメージを与
えやすく、また一次粒子だけの球状粒子や、一次粒子が
数十個会合した二次粒子（長径／短径が１．４より小さ
い）である場合、研磨時に粒子が転がり易く、研磨効率
が向上しない。
度分布が広くなると、粗粒度が研磨面で嵩高になり、集
中的に研磨圧力を受けるために、研磨面にダメージを与
えやすく、また一次粒子だけの球状粒子や、一次粒子が
数十個会合した二次粒子（長径／短径が１．４より小さ
い）である場合、研磨時に粒子が転がり易く、研磨効率
が向上しない。
【００２４】 更に、本発明では、コロイダルシリカ粒
子を製造するにあたり、鉄、ステンレス、スチール、ア
ルミニウム、銅等の金属に非接触な状態で処理し得る容
器、機器、配管で構成された製造装置を用いることが、
金属不純物による汚染を最小限にすることができるため
に好ましい。
子を製造するにあたり、鉄、ステンレス、スチール、ア
ルミニウム、銅等の金属に非接触な状態で処理し得る容
器、機器、配管で構成された製造装置を用いることが、
金属不純物による汚染を最小限にすることができるため
に好ましい。
【００２５】 尚、ここで用いる製造装置は、特に限定
されないが、例えば、ガラス製容器、樹脂製パイプ、及
び接触面が樹脂又は樹脂コーティングされた機器を組み
合わせたものであることが好ましい。
されないが、例えば、ガラス製容器、樹脂製パイプ、及
び接触面が樹脂又は樹脂コーティングされた機器を組み
合わせたものであることが好ましい。
【００２６】
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、本発明のシリコンウェハーの研磨方法によっ
て得られた珪酸メチル及びシリコンウェハーは、以下に
示す方法により評価した。
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、本発明のシリコンウェハーの研磨方法によっ
て得られた珪酸メチル及びシリコンウェハーは、以下に
示す方法により評価した。
【００２７】 （珪酸メチル中の金属不純物の測定方
法）一般的には、原子吸光法で金属不純物を測定する
が、今回は、珪酸メチル中に含まれる金属不純物が微量
であるため、誘導結合高周波プラズマ分光分析の質量分
析計（ＩＣＰ−ＭＳ）で測定した。
法）一般的には、原子吸光法で金属不純物を測定する
が、今回は、珪酸メチル中に含まれる金属不純物が微量
であるため、誘導結合高周波プラズマ分光分析の質量分
析計（ＩＣＰ−ＭＳ）で測定した。
【００２８】 （コロイダルシリカの粒径測定方法）透
過型電子顕微鏡で測定した。
過型電子顕微鏡で測定した。
【００２９】 （シリコンウェハーの評価方法１）研磨
後、精密洗浄を施したシリコンウェハーを、弗酸液滴回
収法を用い、シリコンウェハー表面の残留金属を、原子
吸光法で測定した。
後、精密洗浄を施したシリコンウェハーを、弗酸液滴回
収法を用い、シリコンウェハー表面の残留金属を、原子
吸光法で測定した。
【００３０】 （シリコンウェハーの評価方法２）研磨
後、精密洗浄を施したシリコンウェハーを、２００℃×
１ｈｒで加熱した後、弗酸液滴回収法を用い、シリコン
ウェハー表面内層の残留金属を原子吸光法で測定した。
後、精密洗浄を施したシリコンウェハーを、２００℃×
１ｈｒで加熱した後、弗酸液滴回収法を用い、シリコン
ウェハー表面内層の残留金属を原子吸光法で測定した。
【００３１】 （実施例１、比較例１：珪酸メチル中の
金属不純物の評価試験）コロイダルシリカの原料とし
て、正珪酸メチルを用い、これを還流付蒸留することに
より、超高純度の正珪酸メチルを精製した（実施例
１）。尚、このときの還流付蒸留の条件は、常圧下、ガ
ラス器内で正珪酸メチルを沸騰させ、留出蒸気を内径５
０ｍｍ、長さ５００ｍｍのガラス管内にセラミック製充
填材を詰めた中を通し、通過した蒸気を濃縮させ、その
半量を還流しながら製品として取り出した。次に、市販
の正珪酸メチル（比較例１）と実施例１により得られた
超高純度正珪酸メチル（実施例１）中の金属不純物の含
有量をそれぞれ測定した。以上の結果を表１に示す。
金属不純物の評価試験）コロイダルシリカの原料とし
て、正珪酸メチルを用い、これを還流付蒸留することに
より、超高純度の正珪酸メチルを精製した（実施例
１）。尚、このときの還流付蒸留の条件は、常圧下、ガ
ラス器内で正珪酸メチルを沸騰させ、留出蒸気を内径５
０ｍｍ、長さ５００ｍｍのガラス管内にセラミック製充
填材を詰めた中を通し、通過した蒸気を濃縮させ、その
半量を還流しながら製品として取り出した。次に、市販
の正珪酸メチル（比較例１）と実施例１により得られた
超高純度正珪酸メチル（実施例１）中の金属不純物の含
有量をそれぞれ測定した。以上の結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】 （考察：実施例１、比較例１）表１の結
果から、市販の正珪酸メチル（比較例１）と比較して、
超高純度正珪酸メチル（実施例１）は、金属不純物の含
有量が減少していることが判明した。これにより、還流
付蒸留を適切に行うことにより、鉄、ニッケル、クロ
ム、アルミニウム、銅等の金属不純物が確実に除去する
ことができることを確認した。
果から、市販の正珪酸メチル（比較例１）と比較して、
超高純度正珪酸メチル（実施例１）は、金属不純物の含
有量が減少していることが判明した。これにより、還流
付蒸留を適切に行うことにより、鉄、ニッケル、クロ
ム、アルミニウム、銅等の金属不純物が確実に除去する
ことができることを確認した。
【００３４】 （実施例２、比較例２：研磨後のシリコ
ンウェハーの評価）ガラス製容器、樹脂製パイプ、及び
接触面が樹脂又は樹脂コーティングされた機器を組み合
わせた製造装置を用いて、上記の正珪酸メチル（実施例
１、比較例１）をメタノール溶媒中でアンモニア又はア
ンモニアとアンモニウム塩を触媒として水と反応させる
ことによりコロイダルシリカ粒子をそれぞれ製造した
（実施例２、比較例２）。
ンウェハーの評価）ガラス製容器、樹脂製パイプ、及び
接触面が樹脂又は樹脂コーティングされた機器を組み合
わせた製造装置を用いて、上記の正珪酸メチル（実施例
１、比較例１）をメタノール溶媒中でアンモニア又はア
ンモニアとアンモニウム塩を触媒として水と反応させる
ことによりコロイダルシリカ粒子をそれぞれ製造した
（実施例２、比較例２）。
【００３５】 上記のそれぞれのコロイダルシリカ（実
施例２、比較例２）に、アンモニア、アルカリ金属等の
促進剤（具体例：アンモニア）と界面活性効果のある潤
滑剤（具体例：ポリプロピレングリコール）を含有する
水系組成物を配合した研磨剤を用いてシリコンウェハー
の研磨を行った後、シリコンウェハーの評価をそれぞれ
行った。得られたシリコンウェハー表面及び表面内層の
残留金属不純物濃度（原子／ｃｍ2）の測定結果を表２
に示す。
施例２、比較例２）に、アンモニア、アルカリ金属等の
促進剤（具体例：アンモニア）と界面活性効果のある潤
滑剤（具体例：ポリプロピレングリコール）を含有する
水系組成物を配合した研磨剤を用いてシリコンウェハー
の研磨を行った後、シリコンウェハーの評価をそれぞれ
行った。得られたシリコンウェハー表面及び表面内層の
残留金属不純物濃度（原子／ｃｍ2）の測定結果を表２
に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】 （考察：実施例２、比較例２）表２の結
果から、本発明（実施例２）は、シリコンウェハー表面
及び表面内層の残留金属不純物濃度（原子／ｃｍ2）の
うち、特に銅の濃度（原子／ｃｍ2）の低減に寄与する
ことが判明した。これにより、シリコンウェハー表面欠
陥、デバイス特性及び酸化膜耐圧特性の劣化を予防する
ことができる。
果から、本発明（実施例２）は、シリコンウェハー表面
及び表面内層の残留金属不純物濃度（原子／ｃｍ2）の
うち、特に銅の濃度（原子／ｃｍ2）の低減に寄与する
ことが判明した。これにより、シリコンウェハー表面欠
陥、デバイス特性及び酸化膜耐圧特性の劣化を予防する
ことができる。
【００３８】
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウェハーの研磨方法は、珪素以外の金属の
含有を極力抑制したコロイダルシリカ粒子を主材とした
研磨材を用いることにより、金属不純物によるシリコン
ウェハー表面の汚染を防止することができ、研磨後のシ
リコンウェハー表面の電気特性の向上に寄与することが
できる。
明のシリコンウェハーの研磨方法は、珪素以外の金属の
含有を極力抑制したコロイダルシリカ粒子を主材とした
研磨材を用いることにより、金属不純物によるシリコン
ウェハー表面の汚染を防止することができ、研磨後のシ
リコンウェハー表面の電気特性の向上に寄与することが
できる。
Claims (3)
- 【請求項１】 コロイダルシリカ粒子を主材とした研磨
材を用いるシリコンウェハーの研磨方法であって、 蒸留により精製した珪酸メチルを、メタノール溶媒中で
アンモニア又はアンモニアとアンモニウム塩を触媒とし
て水と反応させることにより得られるコロイダルシリカ
粒子を用い、且つ該コロイダルシリカ粒子の長径／短径
比が、１．４以上であることを特徴とするシリコンウェ
ハーの研磨方法。 - 【請求項２】 コロイダルシリカ粒子を主材とした研磨
材を用いるシリコンウェハーの研磨方法であって、 該コロイダルシリカ粒子の主原料である珪酸メチル中の
金属不純物の含有量がそれぞれ、鉄が１．０重量ｐｐｂ
未満、クロムが０．２重量ｐｐｂ未満、ニッケルが０．
１重量ｐｐｂ以下、アルミニウムが０．５重量ｐｐｂ未
満、銅が０．２重量ｐｐｂ以下であることを特徴とする
シリコンウェハーの研磨方法。 - 【請求項３】 コロイダルシリカ粒子が、鉄、ステンレ
ス、スチール、アルミニウム、銅等の金属に非接触な状
態で処理し得る容器、機器、配管で構成された製造装置
により製造された請求項１又は２に記載のシリコンウェ
ハーの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP856098A JPH11214338A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP856098A JPH11214338A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214338A true JPH11214338A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11696486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP856098A Pending JPH11214338A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214338A (ja) |
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