DE112006003810T5

DE112006003810T5 - Polierzusammensetzung für Siliciumwafer, Polierzusammensetzungskit für Siliciumwafer und Verfahren zum Siliciumwaferpolieren

Info

Publication number: DE112006003810T5
Application number: DE112006003810T
Authority: DE
Inventors: Naoyuki Iwata; Isao Nagashima
Original assignee: DuPont Air Products NanoMaterials LLC
Current assignee: DA Nanomaterials LLC
Priority date: 2006-03-15
Filing date: 2006-10-18
Publication date: 2009-01-15
Also published as: US20090317974A1; WO2007108153A1; JPWO2007108153A1; KR101351104B1; JP5564177B2; TW200804574A; KR20090045145A

Abstract

Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer, umfassend:
Ceroxid und Wasser umfassendes, kolloidales Ceroxid; und
eine eine alkalische Substanz und Wasser umfassende, alkalische Polierzusammensetzung.

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf eine Polierzusammensetzung für Siliciumwafer, ein Polierzusammensetzungskit für Siliciumwafer und ein Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers.
Bei einem Polierverfahren eines Halbleiters, insbesondere eines Siliciumwafers, wurde vielfach eine kolloidales Siliciumdioxid als Schleifkörner beinhaltende Polierzusammensetzung verwendet (zum Beispiel japanische Patentveröffentlichung Nr. 61-38954 (Patentdokument 1)). Mit der modernen hohen Integration von Siliciumgeräten wurden die Einschränkungen bezüglich Kontamination oder Defekten des polierten Siliciumwafers zunehmend schärfer. Zum Beispiel wurde die Kontamination durch an dem polierten Siliciumwafer verbleibende, winzige Mengen von Metallen oder das Auftreten von Defekten durch die Agglomeration von in dem Schleifmittel beinhalteten Siliciumdioxid ein signifikantes Problem und daher ist eine Verschlechterung des Ausbeuteverhältnisses in einem Geräteherstellungsverfahren unvermeidbar solch einer Kontamination oder solch einem Defekten zuzuschreiben.
Es wurde herausgefunden, dass die winzigen Mengen der in dem polierten Siliciumwafer verbleibenden Metalle Metallen zuzuschreiben sind, die in der Polierzusammensetzung beinhaltet sind, und das meiste der Metallverunreinigungen von kolloidalem Siliciumdioxid stammt. Daher ist es erforderlich, den Gehalt der Metallverunreinigungen der Polierzusammensetzung zu verringern, insbesondere einen Gehalt von Verunreinigungen von kolloidalem Siliciudioxid. Um auf solche eine Anforderung einzugehen, wurde ein Verfahren der Verwendung einer das kolloidale Siliciumdioxid in hoher Reinheit beinhalten Polierzusammensetzung vorgeschlagen (siehe zum Beispiel veröffentlichtes japanisches Patent Nr. 11-214338 (Patentdokument 2)). Allerdings ist solch eine Polierzusammensetzung mit hoher Reinheit im Allgemeinen teuer und daher tritt ein Problem mit den Kosten auf.
Daher wurde ein Verfahren zum Polieren der Siliciumwafer mit einer Polierzusammensetzung vorgeschlagen, welche im Wesentlichen kein kolloidales Siliciumdioxid beinhaltet, das in den gewöhnlichen Polierzusammensetzung beinhaltet ist (Siehe zum Beispiel veröffentlichtes japanisches Patent Nr. 62-259769 (Patentdokument 3)). Allerdings, da die Polierzusammensetzung, welche das kolloidale Siliciumdioxid im Wesentlichen nicht beinhaltet, keinen Beitrag zum Entfernen einer oxidierten Schicht (hiernach auch natürlich oxidierte Schicht genannt), die auf einer Siliciumwaferoberfläche als ein polierter Siliciumgegenstand erzeugt wurde, leistet, kann die Polierung im Wesentlichen nicht durchgeführt werden.
Um die natürlich oxidierte Schicht zu Entfernen, obwohl es ein in einem Polierverfahren verwendetes Beispiel darstellt, gibt es das Beispiel, bei dem die natürlich oxidierte Schicht vor dem Polierverfahren mit einer HF-Lösung entfernt wurde und danach wurde die Polierung mit einer Polierzusammensetzung durchgeführt, welche im Wesentlichen kein kolloidales Siliciumdioxid beinhaltet (Siehe zum Beispiel veröffentlichtes japanisches Patent Nr. 2002-16025 (Patentdokument 4)). Allerdings ist das Verfahren zum Entfernen der natürlich oxidierten Schicht mit der HF-Lösung kompliziert und der Siliciumwafer, auf welchem die natürlich oxidierte Schicht in dem Verfahren des Entfernens der natürlich oxidierten Schicht mit der HF-Lösung entfernt wird, weist eine Oberfläche auf, welche für die Dauer ungeschützt ist, bis der Siliciumwafer zu dem nächsten Polierverfahren überführt wird. Daher ist der Siliciumwafer verschiedenen Kontaminationen ausgesetzt. Die komplizierte Situation der Verwendung von HF oder die gefährliche Situation gegenüber verschiedenen Kontaminationen gilt für Präzisionspolieren, aber auch Grobpolieren.
Patentdokument 1: Japanische Patentveröffentlichung Nr. 61-38954
Patentdokument 2: veröffentlichtes japanisches Patent Nr. 11-214338
Patentdokument 3: veröffentlichtes japanisches Patent Nr. 62-259769
Patentdokument 4: veröffentlichtes japanisches Patent Nr. 2002-16025
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Polierzusammensetzung bereitzustellen, welche eine natürlich oxidierte Schicht eines Halbleiterwafers Entfernen kann, insbesondere eines Siliciumwafers, und anschließend effizientes Polieren des Siliciums durchführt, oder effizient das Entfernen einer natürlich oxidierten Schicht und das Polieren eines Halbleiterwafers gleichzeitig durchführt. Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, ein Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers unter Verwendung dieser Polierzusammensetzung bereitzustellen und ein Kit zur Bereitstellung dieser Polierzusammensetzung bereitzustellen. Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Polierzusammensetzung mit winzigen Mengen an Metallverunreinigungen bereitzustellen. Ferner besteht noch darüber hinaus die Aufgabe der Erfindung darin, eine Polierzusammensetzung bereitzustellen, welche die Metallverunreinigungen in einem Siliciumwafer nach dem Polieren und Defekte auf einer Siliciumwaferoberfläche nach dem Polieren verringern kann.
Die Erfindung wurde angesichts der vorhergehenden Probleme gemacht und bezieht sich auf eine Polierzusammensetzung für Siliciumwafer, welche Ceroxid und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung umfasst. Die Polierzusammensetzung der Erfindung kann ein chelatbildendes Mittel enthalten. Bei der Erfindung ist die alkalische Substanz bevorzugt ausgewählt aus N-(2-Aminoethyl)Ethanolamin, Piperazin, 2-Aminoethanol, Ethylendiamin, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Natriumkarbonat oder Kaliumkarbonat, und das chelatbildende Mittel ist bevorzugt ausgewählt aus Ethylendiamintetraessigsäure, Diethylentriamin-pentaessigsäure, Nitrilotriessigsäure, N-Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure oder Hydroxyethyliminodiessigsäure. Die Polierzusammensetzung weist bevorzugt einen pH-Wert von 10.5 bis 12.5 auf. Die Polierzusammensetzung der Erfindung weist eine Konzentration des Ceroxids von 0.0025 bis 1 Gewichtsteilen zu 1000 Gewichtsteilen der Verbindung zum Verwendungszeitpunkt der Polierzusammensetzung auf.
Die Erfindung stellt ein Polierverfahren eines Siliciumwafers bereit. Das Polierverfahren der Erfindung beinhaltet ein Polierverfahren des Entfernens einer oxidierten Schicht auf einer Siliciumwaferoberfläche (erste Ausführungsform), und ein Polierverfahren zur Durchführung einer Politur eines Siliciumwafers, das die Entfernung einer oxidierten Schicht (zweite und dritte Ausführungsform) beinhaltet.
Das Polierverfahren gemäß der ersten Ausführungsform umfasst einen Schritt des Polierens einer Siliciumwaferoberfläche mit Ceroxid und Wasser beinhaltendem, kolloidalem Ceroxid. Das Polierverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform umfasst Schritte des Entfernens einer oxidierten Schicht auf der Siliciumwaferoberfläche durch Polieren der Siliciumwaferoberfläche mit Ceroxid und Wasser beinhaltendem, kolloidalem Ceroxid, und des anschließenden Polierens des Siliciumwafers mit einer eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltenden, alkalischen Polierzusammensetzung. Das Polierverfahren gemäß der dritten Ausführungsform umfasst einen Schritt des Polierens eines Siliciumwafers mit einer Polierzusammensetzung für die Siliciumwafer, welche Ceroxid und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung umfasst.
Die Erfindung stellt ferner ein Polierzusammensetzungskit zum Polieren eines Halbleiterwafers bereit. Dieses Kit kann Ceroxid und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung umfassen. Ferner kann ein chelatbildendes Mittel in wenigstens einem aus dem kolloidalem Ceroxid und der alkalischen Polierzusammensetzung in diesem Kit beinhaltet sein. In dem Kit der Erfindung ist die alkalische Substanz bevorzugt ausgewählt aus N-(2-Aminoethyl)Ethanolamin, Piperazin, 2-Aminoethanol, Ethylendiamin, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Natriumkarbonat oder Kaliumkarbonat, und das chelatbildende Mittel ist bevorzugt ausgewählt aus Ethylendiamintetraessigsäure, Diethylentriamin-pentaessigsäure, Nitrilotriessigsäure, N-Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure oder Hydroxyethyliminodiessigsäure.
Bei der Verwendung der Polierzusammensetzung der Erfindung können die Entfernung der natürlich oxidierten Schicht an dem Siliciumwafer und das Polieren des Siliciumwafers extrem effizient durchgeführt werden. Bei der Durchführung der Politur mit dem kolloidalen Ceroxid und der die alkalische Substanz beinhaltenden, alkalischen Polierzusammensetzung, kann die natürlich oxidierte Schicht an dem Siliciumwafer entfernt werden und auch die Politur des Siliciumwafers durchgeführt werden, ohne Metallverunreinigungen und Oberflächendefekt zu verursachen. Ferner ist es gemäß dem Polierverfahren der Erfindung möglich, die natürlich oxidierte Schicht auf dem Siliciumwafer effizient zu entfernen. Zusätzlich kann gemäß dem Polierverfahren der Erfindung die natürlich oxidierte Schicht auf dem Siliciumwafer entfernt werden und auch die Politur des Siliciumwafers kann durchgeführt werden, ohne die Metallverunreinigungen und die Oberflächendefekte zu verursachen.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Polierzusammensetzung für einen Halbleiterwafer, und insbesondere auf eine Polierzusammensetzung für Siliciumwafer. Die Erfindung bezieht sich auf eine Polierzusammensetzung, die im Allgemeinen für ein Primärpolieren eines Halbleiterwafers verwendet wird.
Eine Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer in einer ersten Ausführungsform der Erfindung umfasst Ceroxid und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung. Bei der vorliegenden Spezifikation bedeutet kolloidales Ceroxid ein durch Dispergieren von Ceroxidpulver in Wasser gebildetes Dispergens.
Die Polierzusammensetzung der Erfindung umfasst Ceroxid. Da üblicherweise angenommen wird, dass das Polieren eines Siliciumwafers mit Ceroxid Defekte darauf verursacht, wird das Ceroxid als ungeeignet zum Polieren des Siliciumwafers betrachtet. Daher wurde das Ceroxid bisher nicht in der Polierzusammensetzung für die Siliciumwafer verwendet. Die Erfindung ist auf der Grundlage der Erkenntnis gemacht, dass das Ceroxid eine auf einer Oberfläche eines Siliciumwafers erzeugte oxidierte Schicht (natürlich oxidierte Schicht) effektiv entfernen kann. Die Polierzusammensetzung der Erfindung kann effektiv die natürlich oxidierte Schicht entfernen, durch Verwendung der Polierzusammensetzung in einem Zustand des Beinhaltens winziger Mengen des Ceroxids beim Polieren.
Das heißt, bei der Erfindung dient das Ceroxid zum damit Entfernen der natürlich oxidierten Schicht, und Wasser hat die Funktion, das Ceroxid und die alkalische Substanz an einer Kontaktfläche zwischen einem Belag und einem Halbleiterwafer bei einem Poliervorgang bereitzustellen.
Die Polierzusammensetzung für den Siliciumwafer der Erfindung kann ferner ein chelatbildendes Mittel in der zuvorgenannten Polierzusammensetzung für den Siliciumwafer umfassen. Das chelatbildende Mittel richtet sich auf die Vermeidung der Kontamination eines Halbleiterwafers durch das Metall.
Die Polierzusammensetzung der Erfindung umfasst nicht das kolloidale Siliciumdioxid und daher sind die Kontaminationen der Metallverunreinigungen extrem gering. Folglich ist es nicht im Besonderen erforderlich, ein chelatbildendes Mittel zum Abfangen der Metallverunreinigungen hinzuzugeben. Allerdings besteht die Möglichkeit, dass Metallverunreinigungen bei der Herstellung oder der Verwendung der Polierzusammensetzung eingemischt werden. Daher ist es bevorzugt, das chelatbildende Mittel zum Abfangen der Metallverunreinigungen zu verwenden. Die Verwendung des chelatbildenden Mittels verursacht, dass die in der Polierzusammensetzung vorliegenden Metallionen mit dem chelatbildenden Mittel reagieren, wobei Komplex-Ionen gebildet werden, und dadurch werden Metallverunreinigungen auf einer Siliciumwaferoberfläche effektiv verhindert.
Nachstehend wird jede der Verbindungen der Polierzusammensetzung und ein Herstellungsverfahren einer Polierzusammensetzung erklärt.
(Verbindungen in einer Polierzusammensetzung)
(1) Kolloidales Ceroxid
Die Polierzusammensetzung der Erfindung verwendet Ceroxidpulver und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid. Das kolloidale Ceroxid kann durch Dispergieren des Ceroxids in dem Wasser hergestellt werden oder das kolloidale Ceroxid, das im Voraus durch Mischen des Ceroxids mit dem Wasser hergestellt wird, wird kommerziell erworben. Das kolloidale Ceroxid kann zum Beispiel von Nayacol Company erhalten werden.
(1-1) Ceroxid
Das in dem kolloidalen Ceroxid beinhaltete Ceroxid weist einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 50–500 nm auf, bevorzugt 80–250 nm. Wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser des Ceroxids weniger als 50 nm beträgt, verschlechtert sich eine Entfernungseffizienz der natürlich oxidierten Schicht. Wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser des Ceroxids mehr als 500 nm beträgt, neigen Defekte dazu, nach dem Polieren auf dem Siliciumwafer zu verbleiben. Daher ist das Ceroxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße außerhalb des Bereichs von 50–500 nm nicht effektiv.
Eine Menge des Ceroxids liegt, zum Beispiel beim Polieren eines Siliciumwafers, in einem Bereich von 2.5 ppm bis 1000 ppm (0.0025 bis 1 Gewichtsteile zu 1000 Gewichtsteilen einer Polierzusammensetzung), bei einem Zustand, bei welchem die Polierzusammensetzung zur Verwendung in einem eigentlichen Poliervorgang verdünnt ist (hiernach auch als Verwendungszeitpunkt des Polierens bezeichnet), bevorzugt 2.5 ppm bis 250 ppm (0.0025 bis 0.25 Gewichtsteile zu 1000 Gewichtsteilen einer Polierzusammensetzung). Wenn eine Menge des Ceroxids weniger als 2.5 ppm beträgt, verschlechtert sich die Entfernungseffizienz der natürlich oxidierten Schicht. Wenn eine Menge des Ceroxids mehr als 1000 ppm beträgt, verbessert sich die Entfernungseffizienz der natürlich oxidierten Schicht, aber die wirtschaftliche Effizienz verschlechtert sich.
Auf diese Art und Weise ist es bevorzugt, dass bei der Erfindung das kolloidale Ceroxid winzige Mengen des Ceroxids in einem Zustand beinhaltet, bei welchem die Polierzusammensetzung zur Verwendung in dem eigentlichen Poliervorgang verdünnt ist.
(2) Wasser
Die Erfindung verwendet Wasser als ein Medium. Es ist bevorzugt, dass Verunreinigungen in dem Wasser so weit wie möglich verringert sind. Zum Beispiel kann die Erfindung entionisiertes Wasser verwenden, bei welchem Ionenverunreinigungen mit einem Ionentauscherharz entfernt sind. Ferner kann die Erfindung Wasser verwenden, welches entionisierte Wasser ferner zum Entfernen suspendierter Feststoffe einen Filter durchströmt, oder destilliertes Wasser. Es sollte beachtet werden, dass es bei der vorliegenden Spezifikation einen Fall gibt, bei dem das Wasser, in welchem diese Verunreinigungen so weit wie möglich verringert sind, einfach „Wasser" oder „reines Wasser" genannt wird. Soweit nicht explizit beschrieben, bezeichnet „Wasser" oder „reines Wasser" das Wasser, in welchem diese Verunreinigungen so weit wie möglich verringert sind.
(3) Alkalische Polierzusammensetzung
Die Verbindung der Erfindung umfasst eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung. Es sollte beachtet werden, dass das als Medium verwendete Wasser wie vorher beschrieben ist.
(3-1) Alkalische Substanz
Die alkalische Substanz ist bevorzugt ausgewählt aus N-(2-Aminoethyl)Ethanolamin, Piperazin, 2-Aminoethanol, Ethylendiamin, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Natriumkarbonat oder Kaliumkarbonat. Bei der Erfindung können diese alkalischen Substanzen als Einzelbestanteile oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden. Um eine schnelle Poliergeschwindigkeit zu verwirklichen, ist es bevorzugt, eine oder mehrere Substanzen ausgewählt aus Aminen wie N-(2-Aminoethyl)Ethanolamin, Piperazin, 2-Aminoethanol und Ethylendiamin zu verwenden. Eine Menge der in der Polierzusammensetzung beinhalteten alkalischen Substanz liegt, zum Beispiel für den Fall des Polierens eines Siliciumwafers, bevorzugt in einem Bereich 100 ppm bis 10000 ppm zum Verwendungszeitpunkt eines Polierens. Wenn eine Menge der alkalischen Substanz weniger als 100 ppm beträgt, ist eine Poliergeschwindigkeit des Siliciums gering und die Polierzusammensetzung ist nicht brauchbar zur Verwendung. Wenn eine Menge der alkalischen Substanz mehr als 10000 ppm beträgt, neigt eine raue Struktur gebildet zu werden, als ob die polierte Oberfläche erodiert ist.
(4) Chelatbildendes Mittel
Die Zusammensetzung der Erfindung umfasst ein chelatbildendes Mittel als optionalen Bestandteil.
Das chelatbildende Mittel kann ausgewählt sein aus Ethylendiamintetraessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, Nitrilotriessigsäure, N-Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure oder Hydroxyethyliminodiessigsäure. In der Erfindung können diese chelatbildenden Mittel als Einzelbestandteil oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden. Eine Menge der in der Polierzusammensetzung beinhalteten, chelatbildenden Mittel liegt, zum Beispiel für den Fall des Polierens eines Siliciumwafers, bevorzugt in einem Bereich von 10 ppm bis 1000 ppm zum Verwendungszeitpunkt eines Polierens.
(Herstellung von Polierzusammensetzung)
Die Polierzusammensetzung der Erfindung kann hergestellt werden, durch generelles Mischen der jeweiligen Bestandteile mit Wasser zu einem gewünschten Gehaltanteil und Dispergieren dieser Bestandteile in Wasser. Zum Beispiel können für den Fall der Verwendung von Ceroxidpulver das Ceroxidpulver und die alkalische Substanz so mit dem Wasser gemischt werden, um einen gewünschten Gehaltsanteil zu erreichen. In einem Fall des Verwendens kolloidalen Ceroxids kann das kolloidale Ceroxid mit einer gewünschten Konzentration ausgehend von Ceroxidpulver und Wasser hergestellt werden und dann kann die alkalische Substanz mit dem kolloidalen Ceroxid vermischt werden. Alternativ, in einem Fall des kommerziellen Erwerbens des kolloidalen Ceroxids, kann, nach dem Verdünnen des kommerziell erworbenen, kolloidalen Ceroxids mit Wasser, um die gewünschte Konzentration zu erhalten, eine alkalische Substanz mit dem verdünnten kolloidalen Ceroxid gemischt werden. Das vorherige Beispiel ist nur ein Beispiel und die Mischreihenfolge des kolloidalen Ceroxids, der alkalischen Substanz und des chelatbildenden Mittels können willkürlich gewählt werden. Zum Beispiel kann in der Polierzusammensetzung die Reihenfolge der Dispergierung der jeweiligen Bestandteile mit Ausnahme der alkalischen Substanz und des chelatbildenden Mittels und das Lösen der alkalischen Substanz und des chelatbildenden Mittels willkürlich gewählt werden, oder die Dispergierung und das Lösen können gleichzeitig ausgeführt werden. Alternativ werden das kolloidale Ceroxid eines gewünschten Gehaltanteils und die alkalische Polierzusammensetzung eines gewünschten Gehaltsanteils entsprechend hergestellt und dann werden sie miteinander gemischt.
In dem Fall, bei welchem die Zusammensetzung der Erfindung ein chelatbildendes Mittel umfasst, kann das chelatbildende Mittel (welches nicht gelöst oder in Wasser gelöst sein kann) mit einer gewünschten Konzentration bei jedem Vorgang der entsprechenden vorherigen Vorgehensweisen gelöst werden.
Jedes Verfahren des Dispergierens oder Lösens des vorherigen Bestandteils in dem Wasser kann angewendet werden. Zum Beispiel kann der Bestandteil durch Rühren mit einem Rührer wie einem Propeller-artigen Rührer oder dergleichen dispergiert werden.
Die Polierzusammensetzung der Erfindung kann in einem verdünnten Zustand bereitgestellt werden beim Verwenden bei einem eigentlichen Poliervorgang, aber kann auch in einer konzentrierten Lösung einer relativ hohen Konzentration (hiernach auch einfach als konzentrierte Lösung bezeichnet) hergestellt werden, um bereitgestellt zu werden. Solch eine konzentrierte Lösung ist beim Lagern oder Transportieren in einem konzentrierten Zustand und kann bei einem eigentlichen Poliervorgang verdünnt werden. Es ist bevorzugt, dass bei der Polierzusammensetzung der Erfindung im Hinblick auf die Handhabung der Polierzusammensetzung, die Polierzusammensetzung in Form einer konzentrierten Lösung einer hohen Konzentration hergestellt wird, transportiert wird und bei einem eigentlichen Poliervorgang verdünnt wird.
Ein bevorzugter Konzentrationsbereich jedes zuvor genannten Bestandteils ist beschrieben als einer bei einem eigentlichen Poliervorgang (Verwendungszeitpunkt der Politur). In dem Fall einer konzentrierten Lösung weist die Polierzusammensetzung notwendigerweise für jeden Bestandteil eine hohe Konzentration auf. Eine bevorzugte Konzentration jeden Bestandteils in Form der konzentrierten Lösung wist, dass das Ceroxid in einem Bereich von 0.01 bis 10 Gew.-% liegt, eine alkalische Substanz in einem Bereich von 5 bis 25 Gew.-% liegt und das chelatbildende Mittel in einem Bereich von 0.04 bis 4 Gew.-% auf der Grundlage des Gesamtgewichts der Polierzusammensetzung liegt.
Die Polierzusammensetzung der Erfindung weist bevorzugt einen pH-Wert von 10.5 bis 12.5 auf, in einem Fall des Einschließens einer alkalischen Substanz. Das Polieren des Siliciumwafers kann effektiv innerhalb dieses Bereichs durchgeführt werden.
Als nächstes wird ein Polierverfahren der Erfindung erklärt. Das Polierverfahren der Erfindung ist ein Polierverfahren unter Verwendung der Polierzusammensetzung der Erfindung.
Ein Polierverfahren einer ersten Ausführungsform ist ein Polierverfahren zum Entfernen einer oxidierten Schicht an einer Oberfläche eines Siliciumwafers. Das Polierverfahren verwendet Ceroxid und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid als Poliermaterial. Spezieller umfasst das Polierverfahren Schritte des Bereitstellens kolloidalen Ceroxids einer gewünschten Konzentration, Polieren eines Siliciumwafers mit diesem kolloidalen Ceroxid und Entfernen einer auf der Oberfläche des Halbleiterwafer gebildeten, oxidierten Schicht.
Ein Polierverfahren einer zweiten Ausführungsform ist ein Polierverfahren eines Siliciumwafers unter Verwendung kolloidalen Ceroxids und einer eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltenden, alkalischen Polierzusammensetzung.
Spezieller umfasst das Polierverfahren des Silciumwafers Schritte des Entfernens einer oxidierten Schicht auf einer Siliciumwaferoberfläche durch Polieren der Siliciumwaferoberfläche mit Ceroxid und Wasser aufweisendem, kolloidalem Ceroxid und Polieren des Siliciumwafers mit einer eine alkalische Substanz und Wasser aufweisenden, alkalischen Polierzusammensetzung.
Ein Polierverfahren einer dritten Ausführungsform ist ein Polierverfahren eines Siliciumwafers unter Verwendung einer Polierzusammensetzung, die kolloidales Ceroxid und eine alkalische Polierzusammensetzung beinhaltet. Spezieller umfasst das Polierverfahren des Siliciumwafers einen Schritt des Polierens des Siliciumwafers mit einer Siliciumwafer-Polierzusammensetzung, die Ceroxid und Wasser beinhaltendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung beinhaltet.
Ein bekanntes Verfahren kann für einen Polierschritt bei dem Polierverfahren der Erfindung angewendet werden. Zum Beispiel kann ein von einer Haltevorrichtung gehaltener Siliciumwafer in engem Kontakt mit einer mit einem Poliergewebe bedeckten, rotierenden Platte sein, welche unter einem Durchfluss von Flüssigkeit einer Polierzusammensetzung zum Polieren rotiert wird. Bedingungen wie die Durchflussrate der Flüssigkeit der Polierzusammensetzung und eine Rotiergeschwindigkeit einer rotierenden Platte können, obwohl sie von den Polierbedingungen abhängig, innerhalb konventioneller Bedingungsbereiche eingestellt werden.
Ein polierfähiger Wafer bei der Erfindung stellt bevorzugt einen Siliciumwafer dar, wie einen Einkristallsiliciumwafer und einen polykristallinen Siliciumwafer. In der folgenden Erklärung wird ein Beispiel eines Siliciumwafers erklärt.
In dem Polierverfahren gemäß der ersten Ausführungsform wird zunächst Ceroxid einer gewünschten Konzentration beinhaltetes, kolloidales Ceroxid das auf der Grundlage der Vorgehensweise hergestellt, die in dem Abschnitt des Herstellungsverfahrens der zuvor genannten Polierzusammensetzung erklärt ist. Bei einem Fall des Herstellens kolloidalen Ceroxids als eine konzentrierte Lösung einer hohen Konzentration, wird die konzentrierte Lösung mit Wasser verdünnt, um die gewünschte Konzentration davon zu erhalten. Die Verdünnung kann mit einem bekannten Mischungs- oder Verdünnungsverfahren wie einem Rühren durchgeführt werden. Ein Gehalt an Ceroxidpulver in dem kolloidalen Ceroxid liegt bevorzugt in einem Bereich von 2.5 bis 1000 ppm zum Verwendungszeitpunkt des Polierens.
Als nächstes wird ein Siliciumwafer unter Verwendung von winzigen Mengen des aus Ceroxid und Wasser bestehenden, kolloidalen Ceroxids poliert. Ein Poliervorgang unter Verwendung des die winzigen Mengen des Ceroxids beinhaltenden, kolloidalen Ceroxids ist insbesondere geeignet zum Entfernen einer auf dem Siliciumwafer gebildeten, natürlich oxidierten Schicht. Folglich ist das das Ceroxid und Wasser beinhaltende, kolloidale Ceroxid in der Erfindung als eine Polierzusammensetzung zum Entfernen der auf dem Siliciumwafer gebildeten, natürlich oxidierten Schicht eingeschlossen.
Bei dem Polierverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform wird zunächst Ceroxid der gewünschten Konzentration beinhaltendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung auf der Grundlage der Vorgehensweise hergestellt, die in dem Abschnitt des Herstellungsverfahrens der Polierzusammensetzung wie zuvor beschrieben erklärt ist. Durch Verwenden der hergestellten Polierzusammensetzung verrichtet das Polierverfahren die zwei Schritte der Poliervorgehensweise, die die Schritte des Entfernens einer oxidierten Schicht (natürlich oxidierte Schicht) auf einer Oberfläche eines Siliciumwafers durch kolloidales Ceroxid und ferner das Polieren des Siliciumwafers durch eine alkalische Polierzusammensetzung umfasst. Es sollte beachtet werden, dass in einem Fall des Verwendens des kolloidalen Ceroxids als ein Schleifmittel der Grund des Anwendens eines Zweischrittverfahrens, welches ferner den Siliciumwafer mit der alkalischen Polierzusammensetzung poliert, darin besteht, dass, da das kolloidale Ceroxid die natürlich oxidierte Schicht entfernt kann, aber nicht den Siliciumwafer polieren kann, es nötig ist, das Polieren mit einer alkalischen Polierzusammensetzung durchzuführen. Der Entfernungsschritt der natürlich oxidierten Schicht und der Polierschritt des Siliciumwafers können als eine Abfolge von kontinuierlichen Vorgängen, die getrennte Vorgänge umfassen, oder als getrennte Vorgänge, welche nicht kontinuierlich sind, ausgeführt werden.
Bei einem Polierverfahren eines dritten Ausführungsbeispiels, da eine Polierzusammensetzung der Erfindung verwendet wird, die kolloidales Ceroxid und eine alkalische Polierzusammensetzung umfasst, ist eine alkalische Polierzusammensetzung im Voraus in der Polierzusammensetzung beinhaltet. Daher kann das vorliegende Polierverfahren eine natürlich oxidierte Schicht entfernen und gleichzeitig einen Siliciumwafer polieren.
Die Polierzusammensetzung der Erfindung wird bevorzugt hergestellt durch im Voraus Mischen der jeweiligen Bestandteile zu einer gewünschten Konzentration als eine Polierflüssigkeit und wird dann zu einem Poliermaterial wie einem Siliciumwafer gegossen.
Als nächstes wird ein Polierzusammensetzungskit der Erfindung beschrieben.
Ein Polierzusammensetzungskit einer ersten Ausführungsform umfasst kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung.
Ein Polierzusammensetzungskit einer zweiten Ausführungsform umfasst kolloidales Ceroxid, eine eine alkalische Substanz und Wasser beinhaltende, alkalische Polierzusammensetzung und ein chelatbildendes Mittel.
Es ist bevorzugt, dass in dem Polierzusammensetzungskit der Erfindung das kolloidale Ceroxid und die alkalische Polierzusammensetzung in unterschiedlichen Behältern enthalten sind. Zusätzlich kann das chelatbildende Mittel zu einem von beiden oder beiden aus dem kolloidalen Ceroxid und der alkalischen Polierzusammensetzung zugegeben werden.
Es ist für einen Fachmann verständlich, dass die Form des Polierzusammensetzungskits der Erfindung ein Beispiel darstellt und verschiedenartig modifiziert werden kann. Zum Beispiel kann das kolloidale Ceroxid in einem Gefäß in einem Zustand enthalten sein, bei welchem es im Voraus mit Wasser gemischt ist, oder das Ceroxidpulver und das Wasser können in einem Gefäß als getrennte Einheiten enthalten sein. Ferner kann die alkalische Substanz der alkalischen Polierzusammensetzung in einem Gefäß in einem Zustand enthalten sein, bei welchem es im Voraus mit Wasser gemischt ist, oder die alkalische Substanz und das Wasser können in einem Gefäß als getrennte Einheiten enthalten sein. Zusätzlich können die jeweiligen Bestandteile des Polierzusammensetzungskits der Erfindung (jeweils Material und Medium) entsprechend in getrennten Gefäßen enthalten sein, oder sie können in einem einzigen Gefäß in einem Zustand enthalten sein, bei welchem ein Teil der jeweiligen Bestandteile im Voraus gemischt ist.
Bei der Erfindung, in einem Fall, bei welchem mehrere alkalische Substanzen oder chelatbildende Mittel in der Polierzusammensetzung beinhaltet sind, können diese in einem einzelnen Gefäß oder in getrennten Gefäßen enthalten sein.
Das Kit der Erfindung kann, wenn notwendig, zusätzliche Elemente wie ein Mischgefäß, eine Rührvorrichtung zum Mischen und Rühren jeweiliger Bestandteile und eine Anleitung zur Verwendung (nicht darauf beschränkt) aufweisen, zusätzlich zu den jeweiligen Bestandteilen der Polierzusammensetzung wie vorher beschrieben.
Das Polierzusammensetzungskit der Erfindung kann in einem bei einem eigentlichen Poliervorgang verwendeten Verdünnungszustand verpackt, gelagert und transportiert werden, aber es können auch getrennt Bestandteile für eine konzentrierte Lösung der Polierzusammensetzung verpackt, gelagert und transportiert werden. Bei einem Fall einer konzentrierten Lösung kann zum Beispiel eine hohe Konzentration von jedem des kolloidalen Ceroxids, der alkalischen Substanz und des chelatbildenden Mittels in einer gewünschten Form als ein Kit verpackt, gelagert und transportiert werden. Die konzentrierten Bestandteile können gemischt und verdünnt werden, um eine vorherbestimmte Konzentration unverzüglich vor dem Polieren zu erhalten. Es ist bevorzugt, dass in dem Kit der Erfindung eine Konzentration des in dem kolloidalen Ceroxid in hoher Konzentration beinhalteten Ceroxids in einem Bereich von 0.01 bis 20 Gew.-% liegt.
Wie vorher beschrieben, da die Polierzusammensetzung, das Polierverfahren und das Polierzusammensetzungskit keine Schleifkörner enthalten, die Metallkontaminationen oder Oberflächendefekte von Silicium oder dergleichen verursachen, werden keine Metallverunreinigungen und keine Oberflächendefekte erzeugt. Zusätzlich kann durch winzige Mengen des Ceroxids die Entfernung der natürlich oxidierten Schicht an dem Siliciumwafer durchgeführt werden und die Politur des Siliciumwafers kann durchgeführt werden.
Beispiele
Hiernach werden Beispiele der Erfindung beschrieben. Bei den folgenden Beispielen, wenn nicht anders angegeben, bedeutet ein Zahlenwert einen Gewichtsteil. Ferner sind die folgenden Beispiele lediglich veranschaulichend für die Erfindung und daher ist die Erfindung nicht darauf beschränkt.
(Polierverfahren)

Zwei Köpfe, die einen P-artigen (100) Siliciumwafer mit vier Zoll halten, werden gegen eine rotierende Auflagefläche, die mit einer Urethan-basierten Scheibe („Pad", SUBA600 hergestellt bei Nitta Haas Co.) bedeckt ist, zum Druckausüben gedrückt, und die Köpfe werden ebenfalls gedreht, um jede in der folgenden Tabelle 1 angegebene Polierflüssigkeit zuzuführen, dabei das Polieren durchzuführend. Der Fortgang des Polierens wurde betrachtet durch beobachten einer Temperatur der Scheibe. Vor und nach dem Polieren wurde ein Gewicht des Wafers gemessen, um eine Poliergeschwindigkeit durch die Gewichtsreduzierung zu berechnen. (Polierbedingungen)

Druck:	300 gr/cm²
Auflageflächen-Drehzahl:	120 rpm
Polierflüssigkeits-Zuführungsgeschwindigkeit:	200 ml/min
Polierflüssigkeitstemperatur:	ungefähr 25°C
Scheiben-(„Pad")-temperatur zu Beginn des Polierens:	Ungefähr 35°C

(Beispiele 1 bis 4)
Es werden Beispiele einer Zweischritt-Polierung eines Siliciumwafers unter Verwendung kolloidalen Ceroxids und einer alkalischen Polierzusammensetzung gezeigt und ein Polieren eines Siliciumwafers unter alleiniger Verwendung kolloidalen Ceroxids.
(Herstellung der Polierflüssigkeit)
Polierflüssigkeit A
Jeweilige in der folgenden Tabelle 1 gezeigte Verbindungen werden gemischt, um Polierflüssigkeit A herzustellen. Tabelle 1

DIW Kolloidales Ceroxid

1000 0.025

DIW: entionisiertes Wasser
Kolloidales Ceroxid: Lösung beinhaltend 5 Gew.-% an Ceroxid

Polierlösung B
Jeweilige in der folgenden Tabelle 2 gezeigte Verbindungen werden gemischt, um Polierflüssigkeit B herzustellen (alkalische Polierzusammensetzung). Tabelle 2

DIW EA PD

1000 1 2

DIW: entionisiertes Wasser
EA: N-(2-Aminoethyl)Ethanol
PD: Piperazin

Die zuvor genannten Polierbedingungen werden verwendet, um das Polieren jeder der in Tabelle 3 gezeigten Beispiele 1 bis 4 durchzuführen und die Poliergeschwindigkeiten wurden gemessen. Tabelle 3

Beispiel 1	Polieren wurde für 20 Sekunden unter Verwendung von Polierflüssigkeit A durchgeführt und unverzüglich danach wurde die Polierflüssigkeit A durch Polierflüssigkeit B ersetzt und Polieren wurde für insgesamt 20 Minuten durchgeführt.
Beispiel 2	Polieren wurde für 3 Minuten unter Verwendung von Polierflüssigkeit A durchgeführt und unverzüglich danach wurde die Polierflüssigkeit A durch Polierflüssigkeit B ersetzt und Polieren wurde für insgesamt 20 Minuten durchgeführt.
Beispiel 3	Polieren wurde für 10 Minuten unter Verwendung von Polierflüssigkeit A durchgeführt und unverzüglich danach wurde die Polierflüssigkeit A durch Polierflüssigkeit B ersetzt und Polieren wurde für insgesamt 20 Minuten durchgeführt.
Beispiel 4	Polieren wurde für 20 Minuten unter Verwendung von Polierflüssigkeit A durchgeführt (das Polieren unter Verwendung der Polierflüssigkeit B wurde nicht durchgeführt).

Ergebnisse
Die Poliergeschwindigkeit (micron/min) der Beispiele 1 bis 4 waren wie folgt. Tabelle 4

Beispiel 1 0.72

Beispiel 2 0.65

Beispiel 3 0.38

Beispiel 4 0.066
Das Ergebnis zeigen, dass die Polierflüssigkeit A nur auf eine oxidierte Schicht wirkt und keinen Effekt auf das Siliciumpolieren hat.
Das vorherige Ergebnis zeigen, dass das kolloidale Ceroxid nur die oxidierte Schicht auf dem Siliciumwafer entfernte.
(Beispiele 5 bis 10 und vergleichende Beispiele 1 bis 5)
Dies sind Beispiele des Polierens eines Siliciumwafers unter Verwendung einer Flüssigkeit zum Polieren, die kolloidales Ceroxid und eine alkalische Polierzusammensetzung umfasst. In jedem der Beispiele 5 bis 10 und den vergleichenden Beispielen 1 bis 5 wurde ein Kopf, der einen Siliciumwafer mit 6 Zoll hält, zum Polieren gedrückt. Es sollte beachtet werden, dass die vergleichenden Beispiele Beispiele der Durchführung des Polierens unter Verwendung kolloidalen Siliciumdioxids anstatt von kolloidalem Ceroxid und Beispiele der Durchführung des Polierens nur unter Verwendung einer alkalischen Polierzusammensetzung beinhaltet.
Die jeweiligen in der folgenden Tabelle 5 gezeigten Bestandteile wurden gemischt, um eine Polierflüssigkeit herzustellen. Diese Flüssigkeiten wurden zum Polieren eines Siliciumwafers unter den vorherigen Polierbedingungen verwendet.

Die Polierzeit wurde auf 20 Minuten festgelegt. Tabelle 5

	DIW	EA	PD	Kolloidales Ceroxid	Kolloidales Siliciumdioxid
Beispiel 5	1000	1	2	0.0025	0
Beispiel 6	1000	1	2	0.005	0
Beispiel 7	1000	1	2	0.0125	0
Beispiel 8	1000	1	2	0.025	0
Beispiel 9	1000	1	2	0.05	0
Beispiel 10	1000	1	2	0.1	0

Vergleichendes Beispiel 1	1000	1	2	0	0
Vergleichendes Beispiel 2	1000	1	2	0.001	0

Vergleichendes Beispiel 3	1000	1	2	0	0.005
Vergleichendes Beispiel 4	1000	1	2	0	0.05
Vergleichendes Beispiel 5	1000	1	2	0	0.02

DIW: entionisiertes Wasser
EA: N-(2-Aminoethyl)Ethanol
PD: Piperazin (6 Hydrate)
kolloidales Ceroxid: Lösung beinhaltend 5 Gew.-% an Ceroxid
kolloidales Siliciumdioxid: Losung beinhaltend 50 Gew.-% an Siliciumdioxid

Ergebnisse

Die Zeit, bis die natürlich oxidierte Schicht entfernt wurde, wurde gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 6 gezeigt. Tabelle 6

	Zeit, bis natürlich oxidierte Schicht entfernt ist (sek)	Durchschnittliche Poliergeschwindigkeit (micron/min)
Beispiel 5	40	0.64
Beispiel 6	50	0.65
Beispiel 7	30	0.73
Beispiel 8	20	0.76
Beispiel 9	15	0.71
Beispiel 10	15	0.74

Vergleichendes Beispiel 1	natürlich oxidierte Schicht kann nicht entfernt werden	0
Vergleichendes Beispiel 2	natürlich oxidierte Schicht kann nicht entfernt werden	0

Vergleichendes Beispiel 3	natürlich oxidierte Schicht kann nicht entfernt werden	0
Vergleichendes Beispiel 4	Sehr lange Zeit, in der keine Entfernung der natürlich oxidierte Schicht gemessen werden kann	0.5
Vergleichendes Beispiel 5	Sehr lange Zeit, in der keine Entfernung der natürlich oxidierte Schicht gemessen werden kann	0.56

Die Polierzusammensetzung der Erfindung, die winzige Mengen Ceroxid (kolloidales Ceroxid) und eine alkalische Polierzusammensetzung umfasst, kann die natürlich oxidierte Schicht auf dem Siliciumwafer entfernen und den Siliciumwafer gleichzeitig polieren.
Es wurde herausgefunden, dass es bei den vergleichenden Beispielen 3 bis 5 unter Verwendung kolloidalen Siliciumdioxids zum Polieren des Siliciumwafers notwendig ist, kolloidales Siliciumdioxid mit einer relativ hohen Konzentration verglichen mit kolloidalem Ceroxid zu verwenden, und dass die durchschnittliche Poliergeschwindigkeit auch langsamer ist als die der Polierzusammensetzung der Erfindung. Es ist gezeigt, dass die winzige Mengen Ceroxid und alkalische Substanzen beinhaltende Polierzusammensetzung der Erfindung zuerst die oxidierte Schicht entfernt und anschließend das Silicium effizient poliert.
(Beispiel 11 und vergleichendes Beispiel 6)
Eine in der Polierzusammensetzung beinhaltete Konzentration an Metallverunreinigungen wurde gemessen. Die gemessenen Polierzusammensetzungen sind konzentrierte Lösungen einer Polierflüssigkeit von Beispiel 6 und einer Polierflüssigkeit vom vergleichendem Beispiel 5, welche durch Agilent 7500 ICP-MS gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 7 gezeigt. Tabelle 7

Detektierte Elemente Konzentrierte Lösung von Beispiel 6 (ppm) Konzentrierte Lösung vom vergleichenden Beispiel 5 (ppm)

Fe 50 7000

Al 400 25000

Cu 2 40

Ni 2 30

Cr 10 220

Zn 30 30
Wie in Tabelle 7 gezeigt, konnte die Polierzusammensetzung der Erfindung verglichen mit der konventionellen Polierzusammensetzung Metallverunreinigungen reduzieren.
Die Erfindung kann auf dem Gebiet des Polierens eines Halbleiterwafers angewendet werden.
Zusammenfassung
Die vorliegende Erfindung stellt eine Polierzusammensetzung bereit, welche eine natürlich oxidierte Schicht auf einem Siliciumwafer entfernen kann und den Siliciumwafer effizient polieren kann. Die Polierzusammensetzung der Erfindung umfasst kolloidales Ceroxid und eine alkalische Polierzusammensetzung. Die Polierzusammensetzung der Erfindung kann ferner ein chelatbildendes Mittel umfassen. Die Erfindung beinhaltet ein Polierverfahren, das das Entfernen einer oxidierten Schicht mit kolloidalem Ceroxid umfasst; ein Polierverfahren, das das Entfernen einer oxidierten Schicht mit kolloidalem Ceroxid und das Polieren eines Siliciumwafers mit einer alkalischen Polierzusammensetzung umfasst; und ein Polierverfahren, das das Polieren eines Siliciumwafers mit einer kolloidales Ceroxid und eine alkalische Polierzusammensetzung umfassenden Polierzusammensetzung umfasst. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Polierzusammensetzungskit, das kolloidales Ceroxid und eine alkalische Polierzusammensetzung umfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 61-38954 [0002, 0005]
- JP 11-214338 [0003, 0005]
- JP 62-259769 [0004, 0005]
- JP 2002-16025 [0005, 0005]

Claims

Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer, umfassend: Ceroxid und Wasser umfassendes, kolloidales Ceroxid; und eine eine alkalische Substanz und Wasser umfassende, alkalische Polierzusammensetzung.
Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer nach Anspruch 1, ferner umfassend: ein chelatbildendes Mittel.
Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer nach Anspruch 1 oder 2, wobei die alkalische Substanz ausgewählt ist aus N-(2-Aminoethyl)Ethanolamin, Piperazin, 2-Aminoethanol, Ethylendiamin, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Natriumkarbonat oder Kaliumkarbonat.
Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer nach Anspruch 2, wobei das chelatbildende Mittel ausgewählt ist aus Ethylendiamintetraessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, Nitrilotriessigsäure, N-Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure oder Hydroxyethyliminodiessigsäure.
Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer nach Anspruch 1, wobei die Polierzusammensetzung vor dem Polieren des Siliciumwafers verdünnt wird.
Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer nach Anspruch 1, wobei die Polierzusammensetzung einen pH-Wert von 10.5 bis 12.5 aufweist.
Polierzusammensetzung für einen Siliciumwafer nach Anspruch 1, wobei eine Konzentration des Ceroxids 0.0025 bis 1 Gewichtsteile zu 1000 Gewichtsteilen der Verbindung zum Verwendungszeitpunkt beim Verwenden der Polierzusammensetzung beträgt.
Polierverfahren zur Entfernung einer oxidierten Schicht an einer Siliciumwaferoberfläche umfassend: Polieren der Siliciumwaferoberfläche mit Ceroxid und Wasser umfassendem, kolloidalem Ceroxid.
Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers, umfassend: Entfernen einer oxidierten Schicht an einer Siliciumwaferoberfläche durch Polieren der Siliciumwaferoberfläche mit Ceroxid und Wasser umfassendem, kolloidalem Ceroxid; und Polieren des Siliciumwafers mit einer eine alkalische Substanz und Wasser umfassenden, alkalischen Polierzusammensetzung.
Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers, umfassend: Polieren des Siliciumwafers mit einer Siliciumwaferpolierzusammensetzung, die Ceroxid und Wasser umfassendes, kolloidales Ceroxid und eine eine alkalische Substanz und Wasser umfassende, alkalische Polierzusammensetzung umfasst.
Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei das kolloidale Ceroxid und/oder die alkalische Polierzusammensetzung ferner ein chelatbildendes Mittel umfassen.
Polierzusammensetzungskit für einen Siliciumwafer, umfassend: Ceroxid und Wasser umfassendes, kolloidales Ceroxid; und eine eine alkalische Substanz und Wasser umfassende, alkalische Polierzusammensetzung.
Polierzusammensetzungskit für einen Siliciumwafer nach Anspruch 12, wobei das kolloidale Ceroxid und/oder die alkalische Polierzusammensetzung ferner ein chelatbildendes Mittel umfassen.
Polierzusammensetzungskit für einen Siliciumwafer nach Anspruch 12, wobei die alkalische Substanz ausgewählt ist aus N-(2-Aminoethyl)Ethanolamin, Piperazin, 2-Aminoethanol, Ethylendiamin, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Natriumkarbonat oder Kaliumkarbonat.
Polierzusammensetzungskit zum Polieren eines Siliciumwafers nach Anspruch 13, wobei das chelatbildende Mittel ausgewählt ist aus Ethylendiamintetraessigsäure, Diethylentriamin-pentaessigsäure, Nitrilotriessigsäure, N-Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure oder Hydroxyethyliminodiessigsäure.
Polierzusammensetzungskit zum Polieren eines Siliciumwafers nach einem der Ansprüche 12 bis 15, wobei eine Konzentration des in dem kolloidalen Ceroxid enthaltenen Ceroxids bei 0.01 bis 20 Gew.-% liegt.
Polierzusammensetzungskit zum Polieren eines Siliciumwafers nach Anspruch 16, wobei die Polierzusammensetzung vor dem Polieren des Siliciumwafers verdünnt wird.