DE112012004431T5 - Zusammensetzung zu Polierzwecken, Polierverfahren unter Verwendung derselben und Verfahren zur Herstellung eines Substrates - Google Patents
Zusammensetzung zu Polierzwecken, Polierverfahren unter Verwendung derselben und Verfahren zur Herstellung eines Substrates Download PDFInfo
- Publication number
- DE112012004431T5 DE112012004431T5 DE112012004431.2T DE112012004431T DE112012004431T5 DE 112012004431 T5 DE112012004431 T5 DE 112012004431T5 DE 112012004431 T DE112012004431 T DE 112012004431T DE 112012004431 T5 DE112012004431 T5 DE 112012004431T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- polishing composition
- polishing
- abrasive grains
- water
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 165
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 78
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims abstract description 49
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 5
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 20
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 17
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 8
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 7
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 5
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 2
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HDTRYLNUVZCQOY-UHFFFAOYSA-N α-D-glucopyranosyl-α-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(O)C(O)C(O)C(CO)O1 HDTRYLNUVZCQOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 1-phosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(C)P(O)(O)=O MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INJFRROOFQOUGJ-UHFFFAOYSA-N 2-[hydroxy(methoxy)phosphoryl]butanedioic acid Chemical compound COP(O)(=O)C(C(O)=O)CC(O)=O INJFRROOFQOUGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOOLSJAKRPYLSA-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-phosphonobutanedioic acid Chemical compound CCC(P(O)(O)=O)(C(O)=O)CC(O)=O OOOLSJAKRPYLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWGVBFSIIZBHJ-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonobutane-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)CP(O)(O)=O MYWGVBFSIIZBHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017060 Arachis glabrata Nutrition 0.000 description 1
- 241001553178 Arachis glabrata Species 0.000 description 1
- 235000010777 Arachis hypogaea Nutrition 0.000 description 1
- 235000018262 Arachis monticola Nutrition 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDTRYLNUVZCQOY-WSWWMNSNSA-N Trehalose Natural products O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 HDTRYLNUVZCQOY-WSWWMNSNSA-N 0.000 description 1
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- HDTRYLNUVZCQOY-LIZSDCNHSA-N alpha,alpha-trehalose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 HDTRYLNUVZCQOY-LIZSDCNHSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000002744 anti-aggregatory effect Effects 0.000 description 1
- DXGKKTKNDBFWLL-UHFFFAOYSA-N azane;2-[bis(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound N.N.N.OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O DXGKKTKNDBFWLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920006184 cellulose methylcellulose Polymers 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N hydroxymethylphosphonic acid Chemical compound OCP(O)(O)=O GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N n-ethenylformamide Chemical compound C=CNC=O ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229940113162 oleylamide Drugs 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000020232 peanut Nutrition 0.000 description 1
- LQPLDXQVILYOOL-UHFFFAOYSA-I pentasodium;2-[bis[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl]amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(=O)[O-])CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O LQPLDXQVILYOOL-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 229960005141 piperazine Drugs 0.000 description 1
- 229960003506 piperazine hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N piperazine;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.C1CNCCN1 AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000244 polyoxyethylene sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- DZCAZXAJPZCSCU-UHFFFAOYSA-K sodium nitrilotriacetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CC([O-])=O DZCAZXAJPZCSCU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001393 triammonium citrate Substances 0.000 description 1
- 235000011046 triammonium citrate Nutrition 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Bereitgestellt wird eine Polierzusammensetzung, welche Schleifkörner, ein wasserlösliches Polymer, einen Aggregationshemmer und Wasser enthält. Das Verhältnis R1/R2 beträgt 1,3 oder weniger, wobei R1 den mittleren Partikeldurchmesser der in der Schleifzusammensetzung vorhandenen Schleifkörner darstellt und R2 den mittleren Partikeldurchmesser der Schleifkörner darstellt, welche mit der gleichen Konzentration in Wasser dispergiert sind, wie die Schleifkörner in der Polierzusammensetzung. Die Polierzusammensetzung kann hauptsächlich zum Polieren der Oberfläche eines Siliziumsubstrates verwendet werden.
Description
- TECHNISCHES GEBIET
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Polierzusammensetzung, welche zum Polieren eines Substrates verwendet wird, ein Verfahren zum Polieren eines Substrates unter Verwendung der Polierzusammensetzung und ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates.
- STAND DER TECHNIK
- In Halbleitervorrichtungen, welche in Computern verwendet werden, ist die Miniaturisierung der Verdrahtungsbreite, welche als Designrules bzw. -richtlinien bezeichnet wird, Jahr für Jahr fortgeschritten, um höhere Integration und höhere Geschwindigkeit weiter zu realisieren. Daher gibt es eine zunehmende Anzahl von Fällen, bei denen Substratoberflächendefekte in Nanometergroße, welche herkömmlicherweise nicht problematisch waren, negative Wirkung auf die Leistung von Halbleitervorrichtungen ausüben. Demzufolge ist es sehr wichtig, sich mit den Substratoberflächendefekten in Nanometergröße zu beschäftigen.
- Um unter Halbleitersubstraten ein Siliziumsubstrat zu polieren, wird eine Polierzusammensetzung enthaltend Siliziumdioxidpartikel und ein wasserlösliches Polymer geeignet eingesetzt (siehe z. B. Patentdokument 1). Die in dem Patentdokument 1 offenbarte Polierzusammensetzung bildet einen Schutzfilm, abgeleitet von dem wasserlöslichen Polymer, auf der Oberfläche eines polierten Siliziumsubstrates. Dieser Schutzfilm verleiht der Oberfläche des polierten Substrates Hydrophilie, wodurch die Handhabung des polierten Substrates einfacher wird. Das für die Polierzusammensetzung verwendete wasserlösliche Polymer weist jedoch ein Molekulargewicht von einigen Hunderttausend oder mehr auf, und formt daher zusammen mit den Siliziumdioxidpartikeln Aggregate. Die aus den Siliziumdioxidpartikeln und dem wasserlöslichen Polymer bestehenden Aggregate können zu Substratoberflächendefekten führen, welche als Punktdefekte bzw. Light Point Defects (LPDs) bezeichnet werden.
- Um LPDs aufgrund von Aggregaten, welche aus Siliziumdioxidpartikeln und wasserlöslichem Polymer bestehen, zu verringern, ist es wichtig, Aggregate aus der Polierzusammensetzung zu eliminieren. Ein wirkungsvolles Beispiel hierfür ist es, dass, wenn die Polierzusammensetzung, welche Siliziumdioxidpartikel und wasserlösliches Polymer enthält, hergestellt und verwendet wird, die Polierzusammensetzung einer Filtration mittels eines Filters unterworfen wird, um Aggregate zu entfernen. Die Polierzusammensetzung bewirkt jedoch unmittelbar ein Verstopfen des Filters und daher tritt ein Problem auf, dass der Filter häufig ausgetauscht werden muss.
- Um das Flugvermögen bzw. das Dispersionsvermögen von Schleifkörnern in der Polierzusammensetzung zu verbessern wurde eine Zusammensetzung aus einem Dispersionsmittel oderdergleichen in der Polierzusammensetzung vorgeschlagen. Patentdokument 2 offenbart, dass ein oberflächenaktives Mittel zu der Polierzusammensetzung zugegeben wird, um das Dispersionsvermögen der Schleifkörner zu verbessern. Die in dem Patentdokument 2 offenbarte Polierzusammensetzung enthält kein wasserlösliches Polymer, welches ein Molekulargewicht von einigen Hunderttausend oder mehr aufweist und man nimmt an, dass es Aggregate zusammen mit Schleifkörnern bildet. Das Patentdokument 2 offenbart nur, dass die Polierzusammensetzung, zu welcher das oberflächenaktive Mittel zugegeben wird, verwendet wird, um so die Poliergeschwindigkeit eines Wafers zu verbessern.
- Das Patentdokument 3 offenbart eine auf Wasser basierende Dispersion zum Polieren, enthaltend ein wasserlösliches Polymer und ein oberflächenaktives Mittel als Dispergiermittel. Die auf Wasser basierende Dispersion zum Polieren enthält jedoch kein wasserlösliches Polymer mit einem Molekulargewicht von einigen Hunderttausend oder mehr, so dass vorhergesagt wird, dass das Polymer zusammen mit den Schleifkörnern Aggregate bildet. Das Patentdokument 3 offenbart nur, dass die auf Wasser basierende Dispersion zum Polieren, zu welcher die Dispersionsmittel zugegeben werden, verwendet wird, um so Kratzer auf einem Kupferfilm bzw. -folie zu reduzieren.
- Des Weiteren offenbart das Patentdokument 4 eine Polierzusammensetzung enthaltend wenigstens ein wasserlösliches Polymer gewählt aus Polyvinylpyrrolidon und Poly(N-vinylformamid) und einem Alkali. Es ist auch offenbart, dass die Polierzusammensetzung wirksam ist um LPDs zu verringern. Das Patentdokument 4 offenbart jedoch keine Polierzusammensetzung enthaltend ein wasserlösliches Polymer mit einem Molekulargewicht von einigen Hunderttausend oder mehr, man nimmt an, dass das Polymer zusammen mit Schleifkörnern Aggregate bildet, und die Druckschrift offenbart nicht das Dispersionsvermögen der Schleifkörner.
- Demzufolge besteht ein Bedarf an einer Polierzusammensetzung, welche der Oberfläche eines polierten Substrates hohe Hydrophilie verleiht, LPDs verringert und ein hohes Dispersionsvermögen von Schleifkörnern erzielt.
- DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIK
-
- Patentdokument 1: offengelegte Patenveröffentlichung der japanischen nationalen Phase Nr.
2005-518668 - Patentdokument 2: offengelegte
japanische Patentveröffentlichung Nr. 2001-15461 - Patentdokument 3: offengelegte
japanische Patentveröffentlichung Nr. 2005-158867 - Patentdokument 4: offengelegte
japanische Patentveröffentlichung Nr. 2008-53415 - ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Probleme, die die Erfindung lösen soll
- Ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, eine Polierzusammensetzung bereitzustellen, welche der Oberfläche eines polierten Substrates hohe Hydrophilie verleiht, LPDs auf der Oberfläche eines polierten Substrates verringert, ein wasserlösliches Polymer enthält und Schleifkörner, die darin fein dispergiert sind. Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Polieren eines Substrates unter Verwendung der Polierzusammensetzung bereitzustellen und ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates.
- Mittel zur Lösung der Probleme
- Um die vorgenannten Aufgaben zu erzielen und gemäß eines Gegenstandes der vorliegenden Erfindung wird eine Polierzusammensetzung bereitgestellt, welche Schleifkörner, ein wasserlösliches Polymer, einen Aggregationshemmer und Wasser enthält. Wenn eine mittlere Partikelgröße der Partikel, die in der Polierzusammensetzung vorhanden sind, als R1 definiert wird und eine mittlere Partikelgröße der Schleifkörner in dem Fall, in dem die Schleifkörner in Wasser dispergiert sind, um so die gleiche Konzentration wie die Konzentration der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung aufzuweisen, als R2 definiert wird, beträgt R1/R2 1,3 oder weniger.
- Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Polieren eines Siliziumsubstrates bereitzustellen, unter Verwendung der Polierzusammensetzung gemäß dem ersten Gegenstand. Noch ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrates zur Verfügung, einschließlich eines Schrittes des Polierens eines Siliziumsubstrates unter Verwendung der Polierzusammensetzung gemäß dem obigen Gegenstand.
- WIRKUNG DER ERFINDUNG
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Polierzusammensetzung bereitgestellt, welche der Oberfläche eines polierten Siliziumsubstrates hohe Hydrophilie verleiht und Schleifkörner mit einem hohen Dispersionsvermögen enthält; ein Verfahren zum Polieren eines Substrates unter Verwendung derselben und ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates.
- ARTEN ZUR DURCHFÜHRUNG DER ERFINDUNG
- Im Folgenden wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- Eine Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform wird hergestellt, indem Schleifkörner, ein wasserlösliches Polymer, ein Aggregationshemmer und Wasser vermischt werden, und sofern notwendig, eine basische Verbindung zugegeben wird.
- Die Schleifkörner dienen dazu, die Oberfläche eines Substrates physikalisch zu polieren. Spezifische Beispiele der Schleifkörner umfassen solche, die aus Siliziumcarbid, Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Cerdioxid, Zirkoniumdioxid, Kalziumkarbonat und Diamant bestehen. Wenn die Polierzusammensetzung zum Polieren eines Halbleitersubstrates verwendet wird, insbesondere eines Siliziumsubstrates, bestehen die Schleifkörner vorzugsweise aus Siliziumdioxid, noch bevorzugter kolloidalem Siliziumdioxid oder hochdispersem Siliziumdioxid, weiter bevorzugt kolloidalem Siliziumdioxid. Wenn kolloidales Siliziumdioxid oder hochdisperses Siliziumdioxid verwendet wird, insbesondere wenn kolloidales Siliziumdioxid verwendet wird, werden Kratzer, die während eines Polierschrittes auf der Oberfläche eines Substrates erzeugt werden, verringert. Die Schleifkörner können einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
- Im Allgemeinen werden in einer Polierzusammensetzung enthaltend ein wasserlösliches Polymer und Schleifkörner, Aggregate der Schleifkörner vermittelt durch das wasserlösliche Polymer einfach gebildet. Daher neigt die Polierzusammensetzung, welche ein wasserlösliches Polymer und Schleifkörner enthält, dazu, eine größere mittlere Partikelgröße der Partikel aufzuweisen, welche in der Polierzusammensetzung vorhanden sind, als eine Polierzusammensetzung, welche kein wasserlösliches Polymer enthält. Der Ausdruck „in der Polierzusammensetzung vorhandene Partikel” wird hier als ein Ausdruck verwendet, der nicht nur Aggregate der Schleifkörner vermittelt durch das wasserlösliche Polymer umfasst, sondern auch Schleifkörner die keine Aggregate bilden.
- Die mittlere Partikelgröße der in der Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform vorhandenen Partikel beträgt vorzugsweise 10 nm oder mehr und noch bevorzugter 20 nm oder mehr. Hier ist der Wert der mittleren Partikelgröße eine volumengemittelte Partikelgröße, gemessen durch eine Partikelgrößenverteilungsmessvorrichtung gemäß eines dynamischen Lichtstreuungsverfahrens.
- Die mittlere Partikelgröße der Schleifkörner beträgt vorzugsweise 5 nm oder mehr und noch bevorzugter 10 nm oder mehr. Hierbei kann der Wert der mittleren primären Partikelgröße der Schleifkörner basierend auf der spezifischen Oberfläche der Schleifkörner berechnet werden, gemessen durch das BET-Verfahren.
- Wenn die mittlere Partikelgröße der in der Polierzusammensetzung vorhandenen Partikel und die mittlere Partikelgröße der Schleifkörner in den obigen Bereichen liegen, wird die Oberflächenbearbeitungsleistung, wie die Polierrate eines Siliziumsubstrates verbessert.
- Die mittlere Partikelgröße der in der Polierzusammensetzung vorhandenen Partikel beträgt vorzugsweise 200 nm oder weniger und noch bevorzugter 100 nm oder weniger.
- Die mittlere primäre Partikelgröße der Schleifkörner beträgt vorzugsweise 100 nm oder weniger und noch bevorzugter 50 nm oder weniger.
- Wenn die mittlere Partikelgröße der in der Polierzusammensetzung enthaltenen Partikel und die mittlere primäre Partikelgröße der Schleifkörner in den obigen Bereichen liegen, wird die Dispersionsstabilität der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung verbessert. Als ein Ergebnis wird eine gute Filtrationseigenschaft erzielt, auch wenn die Polierzusammensetzung einer Filtration unter Verwendung eines Filters mit einer kleinen Maschengröße unterworfen wird.
- Bei der volumenbasierten Partikelgrößenverteilung der Schleifkörner, gemessen durch eine Partikelgrößenverteilungsmessvorrichtung gemäß eines dynamischen Lichtstreuungsverfahrens, liegt der Wert D90/D10 zwischen einschließlich 1 und 4, wobei D90/D10 erhalten wird, indem die Partikelgröße D90, bei welcher die kumulative Partikelgrößenverteilung von der kleineren Partikelgröße 90% erzielt, durch die Partikelgröße D10 geteilt wird, bei welcher die kumulative Partikelgrößenverteilung von der kleineren Partikelgröße 10% erreicht. Wenn D90/D10 in diesem Bereich liegt, ist die Polierrate höher und eine polierte Oberfläche wird erhalten, die eine ausgezeichnete Glätte aufweist.
- Die Schleifkörner weisen vorzugsweise eine nicht-sphärische Form auf. Beispiele der nicht-sphärischen Form umfassen eine elliptische Form mit einem eingeengten Teil in einem zentralen Bereich, welcher als eine Erdnussschalenform bezeichnet wird, eine sphärische Form mit einer Vielzahl von Vorsprüngen auf der Oberfläche und der Form eines Rugby-Balls. Zusätzlich können die Schleifkörner eine Struktur aufweisen, bei welcher zwei oder mehr primäre Partikel miteinander verbunden sind. Hierbei wird der Index der nicht-sphärischen Form durch ein Aspektverhältnis bzw. Seitenverhältnis ausgedrückt. Das Aspektverhältnis wird wie folgt berechnet. In einer Rasterelektronenaufnahme der Schleifkörner wird das minimale Begrenzungsrechteck in Bezug auf jedes der Schleifkörner definiert. Anschließend wird die Länge einer langen Seite durch die Länge einer kurzen Seite in Bezug auf jedes minimale Begrenzungsrechteck geteilt. Nachfolgend wird der Durchschnitt der resultierenden Werte bestimmt.
- Das Seitenverhältnis der Schleifkörner beträgt vorzugsweise mehr als 1, noch bevorzugter 1,1 oder mehr und besonders bevorzugt 1,2 oder mehr. Wenn das Seitenverhältnis der Schleifkörner in dem obigen Bereich liegt, wird die Polierrate eines Siliziumsubstrates durch die Polierzusammensetzung verbessert.
- Das Seitenverhältnis der Schleifkörner beträgt vorzugsweise 4,0 oder weniger, vorzugsweise 3,0 oder weniger und besonders bevorzugt 2,5 oder weniger. Wenn das Seitenverhältnis der Schleifkörner in dem obigen Bereich liegt, kann das Auftreten von Oberflächendefekten und die Zunahme der Oberflächenrauigkeit nach dem Polieren eines Gegenstandes unter Verwendung der Polierzusammensetzung unterdrückt werden.
- Der Gehalt der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,01 Gew.-% oder mehr. Wenn der Gehalt der Schleifkörner in dem obigen Bereich liegt, wird eine Oberflächenbearbeitungsleistung, wie die Polierrate eines Siliziumsubstrates, verbessert.
- Der Gehalt der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 5 Gew.-% oder weniger, noch bevorzugter 1 Gew.-% oder weniger und besonders bevorzugt 0,5 Gew.-%. Wenn der Gehalt der Schleifkörner in dem obigen Bereich liegt, wird die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung verbessert und der Rückstand der Schleifkörner nach dem Polieren wird reduziert, wodurch LPDs reduziert werden.
- Das wasserlösliche Polymer in der Polierzusammensetzung dient dazu, der Oberfläche eines polierten Substrates Hydrophilie zu verleihen. Wenn die Hydrophilie auf der Oberfläche eines Substrates verschlechtert wird, bleiben die Bestandteile in der Polierzusammensetzung und fremde Substanzen, die von dem Substrat erzeugt werden, auf der Oberfläche und bewirken die Zerstörung der Sauberkeit der Oberfläche des gereinigten Substrates. Daher kann die Oberflächengenauigkeit des Substrates verringert werden. Des Weiteren weist das wasserlösliche Polymer auch solch eine Eigenschaft auf, die Schleifkörner zu vernetzen, um Aggregate zu bilden. Beispiele des wasserlöslichen Polymers umfassen Zellulose und Polysaccharide. Spezifische Beispiele der Zellulosen umfassen Hydroxyethylzellulose, Hydroxypropylzellulose und Carboxymethylzellulose. Spezifische Beispiele der Polysaccharide umfassen Stärke, Cyklodextrin, Trehalose und Pullulan. Von dem Gesichtspunkt aus, der Oberfläche eines Substrates nach dem Reinigen eine hohe Benetzbarkeit und gute Sauberkeit zu verleihen, ist das wasserlösliche Polymer vorzugsweise eine Zellulose und noch bevorzugter Hydroxyethylzellulose.
- Das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des wasserlöslichen Polymers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 10.000 oder mehr. Wenn das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des wasserlöslichen Polymers in dem obigen Bereich liegt, kann die Hydrophilie, welche der Oberfläche eines Siliziumsubstrates verliehen werden soll, verbessert werden.
- Das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des wasserlöslichen Polymers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 2.000.000 oder weniger, noch bevorzugter 1.000.000 oder weniger, besonders bevorzugt 500.000 oder weniger und am meisten bevorzugt 300.000 oder weniger. Wenn das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des wasserlöslichen Polymers in dem obigen Bereich liegt, wird die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung verbessert und die Sauberkeit eines gereinigten Siliziumsubstrates wird verbessert.
- Der Gehalt des wasserlöslichen Polymers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,0001 Gew.-% oder mehr, noch bevorzugter 0,001 Gew.-% oder mehr und besonders bevorzugt 0,005 Gew.-% oder mehr. Wenn der Gehalt des wasserlöslichen Polymers in dem obigen Bereich liegt, wird die der Oberfläche eines Siliziumsubstrates zu verleihende Hydrophilie verbessert.
- Der Gehalt des wasserlöslichen Polymers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,5 Gew.-% oder weniger, besonders bevorzugt 0,1 Gew.-% oder weniger und des Weiteren bevorzugt 0,05 Gew.-% oder weniger. Wenn der Gehalt des wasserlöslichen Polymers in dem obigen Bereich liegt, wird die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung verbessert.
- Wenn die Schleifkörner und das wasserlösliche Polymer in dem gleichen Lösungsmittel vorhanden sind, zeigt der Aggregationshemmer in der Polierzusammensetzung im Allgemeinen die Wirkung die Aggregation der Schleifkörner durch das wasserlösliche Polymer zu unterdrücken. Wenn die Schleifkörner und das wasserlösliche Polymer koexistieren, wird angenommen, dass das wasserlösliche Polymer an den Schleifkörner adsorbiert und die Schleifkörner aggregieren über das wasserlösliche Polymer. Auf der anderen Seite adsorbieren das wasserlösliche Polymer und der Aggregationshemmer bei Anwesenheit des Aggregationshemmers konkurrierend an den Schleifkörnern. Daher nimmt man an, dass die Aggregationskraft zwischen den Schleifkörnern im Vergleich mit dem Fall, in dem nur das wasserlösliche Polymer an den Schleifkörner adsorbiert, geschwächt wird, was zu einer Verbesserung des Dispersionsvermögens führt. Die Verbesserung des Dispersionsvermögens der Schleifkörner zeigt sich spezifisch als die Wirkung der Verbesserung der Filtrationseigenschaft der Polierzusammensetzung.
- Als Aggregationshemmer kann eine übliche Verbindung verwendet werden, solang die Verbindung die obige Wirkung aufweist. Beispiele des Aggregationshemmer umfassen auf Vinyl basierende wasserlösliche Polymere, Oxyalkylen-Polymere, Oxyalkylen-Copolymere und Silikonpolymere. Spezifische Beispiele des auf Vinyl basierenden wasserlöslichen Polymers umfassen Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylcaprolactam, Polyacrylamid und Polyacrylsäure. Spezifische Beispiele des Oxyalkylen-Polymers umfassen Polyethylenglycol und Polypropylenglykol. Weitere Beispiele des Oxyalkylen-Copolymers umfassen Diblock-, Triblock-, Random- und alternierende Copolymere von Polyoxyethylen und Polyoxypropylen. Spezifische Beispiele von Oxyalkylen-Copolymer umfassen Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Polyoxyethylentriblockcopolymere. Spezifische Beispiele des Silikonpolymers umfassen polyethermodifiziertes Silikon. Von dem Gesichtspunkt aus, der Polierzusammensetzung hohes Dispersionsvermögen zu verleihen, ist der Aggregationshemmer vorzugsweise einer oder mehrere gewählt aus dem auf Vinyl basierenden wasserlöslichen Polymer, dem Oxyalkylen-Copolymer und dem Silikonpolymer und des Weiteren bevorzugt ein oder mehrere gewählt aus den auf Vinyl basierenden wasserlöslichen Polymeren und den Oxyalkylenpolymeren. Von dem Gesichtspunkt der Verbesserung der Hydrophilie ist der Aggregationshemmer noch bevorzugter einer oder mehrere gewählt aus Polyvinylpyrrolidon und Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Polyoxyethylentriblockcopolymere.
- Das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des Aggregationshemmers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 300 oder mehr, noch bevorzugter 1.000 oder mehr und besonders bevorzugt 3.000 oder mehr. Zusätzlich beträgt das gewichtsgemittelte Molekulargewicht vorzugsweise 2.000.000 oder weniger, noch bevorzugter 1.000.000 oder weniger, besonders bevorzugt 500.000 oder weniger und am meisten bevorzugt 100.000 oder weniger. Wenn das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des Aggregationshemmers in dem obigen Bereich liegt, wird die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung verbessert.
- Der Gehalt des Aggregationshemmers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,00001 Gew.-% oder mehr, noch bevorzugter 0,0001 Gew.-% oder mehr, besonders bevorzugt 0,001 Gew.-% oder mehr, des Weiteren bevorzugt 0,002 Gew.-% oder mehr, und am meisten bevorzugt 0,005 Gew.-% oder mehr. Wenn der Gehalt des Aggregationshemmers in dem obigen Bereich liegt, wird die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung verbessert.
- Der Gehalt des Aggregationshemmers in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,1 Gew.-% oder weniger, noch bevorzugter 0,05 Gew.-% oder weniger und besonders bevorzugt 0,01 Gew.-% oder weniger. Wenn der Gehalt des Aggregationshemmers in dem obigen Bereich liegt, wird die Hydrophilie auf der Oberfläche eines Substrates verbessert.
- Hier ist der Ausdruck „Grad der Aggregation der Schleifkörner” als R1/R2 definiert. R1 stellt die mittlere Partikelgröße der Partikel dar, die in der Polierzusammensetzung, welche die Schleifkörner, das wasserlösliche Polymer, den Aggregationshemmer und Wasser enthält, vorhanden sind und R2 stellt die mittlere Partikelgröße der Schleifkörner dar, wenn die Schleifkörner in Wasser dispergiert werden, um so die gleiche Konzentration wie die Konzentration der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung aufzuweisen. Der Grad der Aggregation der Schleifkörner muss das 1,3-fache oder weniger, und vorzugsweise das 1,2-fache oder weniger betragen. Man nimmt an, dass ein niedrigerer Grad der Aggregation der Schleifkörner bedeutet, dass die Aggregate der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung klein sind. Solch eine Polierzusammensetzung weist eine gute Filtrationseigenschaft auf, wenn ein Filter mit einer kleinen Maschengröße verwendet wird.
- Die Polierzusammensetzung kann des Weiteren eine basische Verbindung enthalten. Die in der Polierzusammensetzung enthaltene basische Verbindung weist eine chemisch-ätzende Wirkung gegenüber der Oberfläche eines Substrates auf, und dient dazu, die Oberfläche eines Substrates chemisch zu polieren. Die basische Verbindung dient auch dazu, die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung zu verbessern. Beispiele der basischen Verbindung umfassen Ammoniak, ein Alkalimetallhydroxid, ein quaternäres Ammoniumhydroxid und ein Amin. Spezifische Beispiele der basischen Verbindung umfassen Ammoniak, Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Tetraethylammoniumhydroxid, Methylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Ethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Ethylendiamin, Monoethanolamin, N-(β-aminethyl)ethanolamin, Hexamethylendiamin, Diethylentriamin, Triethylentetraamin, wasserfreies Piperazin, Piperazinhexahydrat, 1-(2-Aminoethyl)piperazin und N-Methylpiperazin. Unter diesen sind Ammoniak, Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid und Tetraethylammoniumhydroxid bevorzugt, des Weiteren bevorzugt sind Ammoniak, Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid oder Tetraethylammoniumhydroxid und besonders bevorzugt ist Ammoniak. Die oben angeführten basischen Verbindungen können einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
- Der Gehalt der basischen Verbindung in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,0001 Gew.-% oder mehr, noch bevorzugter 0,001 Gew.-% oder mehr und des Weiteren bevorzugt 0,005 Gew.-% oder mehr. Wenn der Gehalt der basischen Verbindung in dem obigen Bereich liegt, wird ein chemisches Ätzen der Oberfläche eines Substrates unterstützt und die Poliergeschwindigkeit eines Siliziumsubstrates wird verbessert. Zusätzlich wird die Dispersionsstabilität der Polierzusammensetzung auch verbessert.
- Der Gehalt der basischen Verbindung in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,5 Gew.-% oder weniger, noch bevorzugter 0,1 Gew.-% oder weniger, besonders bevorzugt 0,05 Gew.-% oder weniger und am meisten bevorzugt 0,01 Gew.-% oder weniger. Wenn der Gehalt der basischen Verbindung in dem obigen Bereich liegt, wird die Glattheit der Oberfläche eines polierten Substrates verbessert.
- Das in der Polierzusammensetzung enthaltene Wasser dient zur Auflösung oder Dispersion anderer Bestandteile in der Polierzusammensetzung. Zum Beispiel wird vorzugsweise Wasser, bei welchem der Gesamtgehalt der Übergangsmetallionen 100 ppb oder weniger beträgt, verwendet, um die Wirkung der anderen Bestandteile nicht zu hemmen. Insbesondere ist Ionenaustauschwasser aus dem Verunreinigungsionen unter Verwendung eines Ionenaustauschharzes entfernt wurden und anschließend fremde Substanzen durch einen Filter entfernt wurden, oder reines Wasser, ultrareines Wasser oder destilliertes Wasser bevorzugt.
- Der pH-Wert der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 8 oder mehr und noch bevorzugter 9 oder mehr. Zusätzlich beträgt der pH-Wert der Polierzusammensetzung vorzugsweise 12 oder weniger und noch bevorzugter 11 oder weniger. Wenn der pH-Wert der Polierzusammensetzung in dem obigen Bereich liegt, wird ein in der Praxis bevorzugter Poliergrad erzielt.
- Die Polierzusammensetzung kann des Weiteren ein oberflächenaktives Mittel enthalten. Das oberflächenaktive Mittel wird zugegeben und daher kann das Aufrauen der Oberfläche eines Substrates aufgrund einer chemischen Ätzwirkung der basischen Verbindung unterdrückt werden und die Glattheit der Oberfläche wird verbessert.
- Das oberflächenaktive Mittel kann ein ionisches oder nichtionischen oberflächenaktives Mittel sein, ist jedoch bevorzugt ein nichtionisches oberflächenaktives Mittel. Wenn das nichtionische oberflächenaktive Mittel verwendet wird, wird des Weiteren das Aufschäumen der Polierzusammensetzung unterdrückt, im Vergleich mit dem Fall, bei welchem ein kationisches oberflächenaktives Mittel oder ein anionisches oberflächenaktives Mittel verwendet wird, und daher wird die Polierzusammensetzung einfach hergestellt oder verwendet. Da das oberflächenaktive Mittel des Weiteren den pH-Wert der Polierzusammensetzung nicht verändert, wird der pH-Wert der Polierzusammensetzung einfach bei der Herstellung oder Verwendung der Polierzusammensetzung kontrolliert. Da das nichtionische oberflächenaktive Mittel des Weiteren hinsichtlich der biologischen Abbaubarkeit ausgezeichnet ist und für lebende Körper weniger giftig ist, ist es möglich den Einfluss auf die Umwelt und das Risiko bei der Handhabung zu verringern.
- Das nichtionische oberflächenaktive Mittel ist nicht durch seine Struktur beschränkt. Beispiele des nichtionischen oberflächenaktiven Mittels umfassen Polyoxyalkylenaddukte wie Polyoxyethylenalkylether, Polyoxyethylenalkylphenylether, Polyoxyethylenalkylamin, Polyoxyethylenfettsäureester, Polyoxyethylenglyceryletherfettsäureester und Polyoxyethylensorbitanfettsäureester. Spezifische Beispiele des nichtionischen oberflächenaktiven Mittels umfassen Polyoxyethylenglycol, Polyoxyethylenpropylether, Polyoxyethylenbutylether, Polyoxyethylenpentylether, Polyoxyethylenhexylether, Polyoxyethylenoctylether, Polyoxyethylen-2-ethylhexylether, Polyoxyethylennonylether, Polyoxyethylendecylether, Polyoxyethylenisodecylether, Polyoxyethylentridecylether, Polyoxyethylenlaurylether, Polyoxyethylencetylether, Polyoxyethylenstearylether, Polyoxyethylenisostearylether, Polyoxyethylenoleylether, Polyoxyethylenphenylether, Polyoxyethylenoctylphenylether, Polyoxyethylennonylphenylether, Polyoxyethylendodecylphenylether, Polyoxyethylenstyrolphenylether, Polyoxyethylenlaurylamin, Polyoxyethylenstearylamin, Polyoxyethylenoleylamin, Polyoxyethylenstearylamid, Polyoxyethylenoleylamid, Polyoxyethylen-Monolaurinsäureester, Polyoxyethylen-Monostearinsäureester, Polyoxyethylen-Distearinsäureester, Polyoxyethylen-Monoölsäureester, Polyoxyethylen-Diölsäureester, Polyoxyethylen-Sorbitanonolaurat, Polyoxyethylen-Sorbitanmonopalmitat, Polyoxyethylen-Sorbitanmonostearat, Polyoxyethylen-Sorbitanmonooleat, Polyoxyethylen-Sorbitantrioleat, Polyoxyethylen-Sorbittetraoleat, ein Polyoxyethylen-Kastoröl und ein Polyoxyethylen hydriertes Kastoröl. Die oberflächenaktiven Mittel können einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
- Das gewichtsgemittelte Molekulargewicht der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 200 oder mehr und noch bevorzugter 300 oder mehr. Zusätzlich beträgt das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des oberflächenaktiven Mittels in der Polierzusammensetzung vorzugsweise 15.000 oder weniger und noch bevorzugter 10.000 oder weniger. Wenn das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des oberflächenaktiven Mittels in der Polierzusammensetzung in dem obigen Bereich liegt, wird die Wirkung, das Aufrauen der Oberfläche eines Substrates zu unterdrücken, stark ausgeübt.
- Der Gehalt des oberflächenaktiven Mittels in der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise 0,00001 Gew.-% oder mehr und noch bevorzugter 0,00005 Gew.-% oder mehr. Zusätzlich beträgt der Gehalt des oberflächenaktiven Mittels in der Polierzusammensetzung vorzugsweise 0,1 Gew.-% oder weniger und noch bevorzugter 0,05 Gew.-% oder weniger. Wenn der Gehalt des oberflächenaktiven Mittels in der Polierzusammensetzung in dem obigen Bereich liegt, wird die Wirkung, das Aufrauen der Oberfläche eines Substrates zu unterdrücken, stark ausgeübt.
- Die Polierzusammensetzung kann des Weiteren ein oder mehrere Bestandteile enthalten, welche aus einer organischen Säure, einer anorganischen Säure und Salzen davon gewählt sind. Diese Bestandteile weisen die Wirkung auf, die Hydrophilie auf der Oberfläche eines Siliziumsubstrates zu verbessern, nachdem das Substrat poliert wurde.
- Beispiele der organischen Säure umfassen eine Carbonsäure, eine aromatische Carbonsäure, eine organische Sulfonsäure und eine organische Phosphonsäure. Spezifische Beispiele der Carbonsäure umfassen Ameisensäure, Essigsäure, Propionsäure, Zitronensäure, Oxalsäure, Weinsäure, Apfelsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Bernsteinsäure. Spezifische Beispiele der aromatischen Carbonsäure umfassen Benzoesäure und Phthalsäure. Spezifische Beispiele der anorganischen Säure umfassen Kohlensäure, Salzsäure, Schwefelsäure und Salpetersäure. Zusätzlich umfassen Beispiele eines basischen Ions, welches mit der organischen Säure oder der anorganischen Säure reagiert, um ein organischen Salz oder ein anorganisches Salz zu bilden, ein Ammoniumion und ein Alkalimetallion. Unter diesen ist ein Ammoniumion, von dem Gesichtspunkt der Verringerung der metallischen Verunreinigung auf einem Substrat aus bevorzugt. Die organischen Säuren, anorganischen Säuren, organischen Salze oder anorganische Salze können allein oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
- Die Polierzusammensetzung kann des Weiteren ein Chelatbildner enthalten. Wenn die Polierzusammensetzung einen Chelatbildner enthält kann die metallische Verunreinigung auf einem Siliziumsubstrat unterdrückt werden. Beispiele des Chelatbildner umfassen einen Aminocarbonsäure-Chelatbildner und einen organischen Phosphonsäure-Chelatbildner. Spezifische Beispiele des Aminocarbonsäure-Chelatbildners umfassen Ethylendiamintetraessigsäure, Natriumethylendiamintetraacetat, Nitrilotriessigsäure, Natriumnitrilotriacetat, Ammoniumnitrilotriacetat, Hydroxyethylethylendiamintriessigsäure, Natriumhydroxyethylethylendiamintriacetat, Diethylentriaminpentaessigsäure, Natriumdiethylentriaminpentaacetat, Triethylentetraminhexaessigsäure und Natriumtriethylentetraminhexaacetat. Spezifische Beispiele des organischen Phosphonsäure-Chelatbildners umfassen 2-Aminoethylphosphonsäure, 1-Hydroxyethyliden-1,1-diphosphononsäure, Aminotri(methylenphosphonsäure), Ethylendiamintetrakis(methylenphosphonsäure), Diethylentriaminpenta(methylenphosphonsäure), Ethan-1,1-diphosphonsäure, Ethan-1,1,2-triphosphonsäure, Ethan-1-hydroxy-1,1-diphosphonsäure, Ethan-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonsäure, Ethan-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonsäure, Methanhydroxyphosphonsäure, 2-Phosphonobutan-1,2-dicarbonsäure, 1-Phosphonobutan-2,3,4-tricarbonsäure und α-Methylphosphonobernsteinsäure.
- Die Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform weist die vorliegenden Vorteile auf.
- Die Polierzusammensetzung enthält das wasserlösliche Polymer und weist einen Grad der Aggregation der Schleifkörner von 1,3 oder weniger auf. Daher weist die Polierzusammensetzung eine gute Filtrationseigenschaft auf und verleiht der Oberfläche eines polierten Substrates geeignete Hydrophilie, wodurch LPDs auf der Oberfläche eines Substrates verringert werden. Demzufolge kann die Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform geeignet in Anwendungen zum Polieren der Oberfläche eines Substrates verwendet werden, insbesondere für Anwendungen zum Fertigpolieren der Oberfläche eines Siliziumsubstrates, welches eine hohe Substratoberflächengenauigkeit aufweisen muss.
- Die Ausführungsform kann wie folgt modifiziert werden.
- Die Polierzusammensetzung der Ausführungsform kann des Weiteren bekannte Zusatzmittel enthalten, wie ein Konservierungsmittel und ein Schimmelnachweismittel, sofern notwendig. Spezifische Beispiele des Konservierungsmittels und des Schimmelnachweismittels umfassen eine Isothiazolinverbindung, Paraoxybenzoate und Phenoxyethanol.
- Die Polierzusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann eine Verbindung mit einem Bestandteil oder eine Mehrbestandteil- bzw. -komponentenverbindung sein, welche zwei oder mehr Bestandteile enthält.
- Die Polierzusammensetzung der Verbindung kann durch Auflösen oder Dispergieren der oben beschriebenen Bestandteile, mit Ausnahme von Wasser, durch ein herkömmliches Verfahren in Wasser hergestellt werden. Die Reihenfolge der jeweiligen Bestandteile, welche in Wasser aufgelöst oder dispergiert werden, ist nicht besonders beschränkt. Da Auflösungs- oder Dispersionsverfahren ist auch nicht besonders beschränkt. Zum Beispiel kann ein übliches Verfahren, wie Rühren unter Verwendung eines Stabrührers oder Dispersion unter Verwendung eines Homogenisators verwendet werden.
- Die Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform kann in dem Zustand einer konzentrierten Stammlösung vorliegen, wenn sie hergestellt oder verkauft wird. Wenn die Polierzusammensetzung in einer Form einer konzentrierten Stammlösung vorliegt, ist das Volumen der Polierzusammensetzung geringer und daher können die Kosten für den Transport oder die Lagerung reduziert werden. Der Konzentrationsgrad der Stammlösung der Polierzusammensetzung beträgt vorzugsweise das 5-fache oder mehr, noch bevorzugter das 10-fache oder mehr und des Weiteren bevorzugt das 20-fache oder mehr, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Hier betrifft der Konzentrationsgrad das Verhältnis des Volumens der Polierzusammensetzung nach dem Verdünnen zu dem Volumen der Stammlösung der Polierzusammensetzung.
- Die Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform und die Stammlösung der Polierzusammensetzung können in der Verwendung um das 5- bis 60-fache verdünnt werden. Da die Polierzusammensetzung und die Stammlösung der Polierzusammensetzung eine gute Dispergierbarkeit der Schleifkörner beibehalten, zeigen sie in diesem Fall eine gute Filtrationseigenschaft. Zusätzlich wird die verdünnte Lösung einer Filtration unterworfen und anschließend zum Polieren verwendet, wodurch es ermöglicht wird, dass die LPDs auf der Oberfläche eines polierten Substrates weiter reduziert werden.
- Die Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform kann auch in Anwendungen verwendet werden, in denen ein anderes Substrat als ein Siliziumsubstrat poliert wird. Spezifische Beispiele solch eines Substrates umfassen ein Siliziumdioxidsubstrat, ein Kunststoffsubstrat und ein Quarzsubstrat.
- Die Polierzusammensetzung der vorliegenden Ausführungsform kann auch einer Filtrationsbehandlung unterworfen werden und dann zum Polieren verwendet werden. Die Maschengröße eines Filters, welcher bei der Filtrationsbehandlung verwendet wird, beträgt vorzugsweise 10 um oder weniger, noch bevorzugter 1 μm oder weniger und des Weiteren bevorzugt 0,5 μm oder weniger, von dem Gesichtspunkt der Entfernung feiner fremder Substanzen aus. Zusätzlich sind das Material und die Struktur des Filters, welcher in dem Filtrationsschritt verwendet wird, nicht besonders beschränkt. Beispiele des Materials für den Filter umfassen Nylon, Polysulfon, Polyethersulfon, Polypropylen, Polytetrafluorethylen (PTFE), Polykarbonat, Zelluloseester und Glas. Das Material des Filters ist vorzugsweise Nylon, Polyethersulfon oder Polypropylen und noch bevorzugter Nylon, von dem Gesichtspunkt der Filtrationsfließgeschwindigkeit aus.
- Beispiele und Vergleichsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden beschrieben.
- Jede der Polierzusammensetzung in den Beispielen 1 bis 19 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 6 wurde durch Mischen eines Teils oder des gesamten des kolloidalen Siliziumdioxids, eines wasserlöslichen Polymers, eines Aggregationshemmers, einer basischen Verbindung und einem Salz mit Ionenaustauschwasser hergestellt. Die Zusammensetzung jeder der Polierzusammensetzung der Beispiele 1 bis 19 und der Vergleichsbeispiele 1 bis 6 sind in der Tabelle 1 dargestellt.
- Die mittlere Partikelgröße des kolloidalen Siliziumoxids wurde gemäß des dynamischen Lichtzerstreuungsverfahrens unter Verwendung von UPA-UT151 hergestellt von Nikkiso Co., Ltd gemessen. Die mittlere Partikelgröße der kolloidalen Siliziumoxidschleifkörner, welche in jedem der Beispiele 1 bis 19 und Vergleichsbeispiele 1 bis 6 verwendet werden, ist in der Spalte ”Partikelgröße” in der Spalte ”kolloidales Siliziumoxid” in Tabelle 1 angegeben. Dies entspricht R2 in der Definition des Grades der Aggregation der Schleifkörner. Zusätzlich wurde in Bezug auf jede der Polierzusammensetzungen in den Beispielen 1 bis 19 und Vergleichsbeispielen 1 bis 6 die mittlere Partikelgröße R1 der in den Polierzusammensetzungen vorhandenen Partikel auf die gleiche Weise bestimmt und ist in der Spalte ”mittlere Partikelgröße der Partikel in der Polierzusammensetzung” in Tabelle 1 dargestellt. Dies entspricht R1 in der Definition des Grades der Aggregation der Schleifkörner. R1 wurde durch R2 geteilt, um so den Grad der Aggregation der Schleifkörner zu bestimmen. Der resultierende Wert ist in der Spalte ”Grad der Aggregation der Schleifkörner” in Tabelle 1 dargestellt.
- In der Spalte ”wasserlösliches Polymer” in Tabelle 1, stellt HEC Hydroxyethylzellulose dar und CMC stellt Carboxymethylzellulose dar. Zusätzlich stellt in der Spalte ”Aggregationshemmer” in Tabelle 1 PVP Polyvinylpyrrolidon dar, Si-Öl stellt polyethermodifiziertes Silikon dar und A1 stellt ein Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Polyoxyethylen-Triblockcopolymer dar. Des Weiteren stellt in der Spalte ”Salz” in Tabelle 1 B1 Triammoniumcitrat dar.
- Die Filtrationseigenschaft der Polierzusammensetzung wurde wie folgt bestimmt. In Bezug auf jede der Polierzusammensetzungen in den Beispielen 1 bis 19 und Vergleichsbeispielen 1 bis 6, wurde Abnutschen unter den in Tabelle 2 angegebenen Bedingungen für 5 Minuten durchgeführt und das Volumen der Polierzusammensetzung, welche den Filter durchlief, wurde gemessen. In der Spalte ”Filtrationseigenschaft” in Tabelle 1, bedeutet ”A” dass das Volumen der durch den Filter laufenden Polierzusammensetzung 200 ml oder mehr betrug, ”B” bedeutet, dass das Volumen 100 ml oder mehr und weniger als 200 ml betrug und ”C” bedeutet, dass das Volumen weniger als 100 ml betrug.
- Die Hydrophilie auf der Oberfläche eines Substrates, welche durch die Polierzusammensetzung verliehen wurde, wurde durch das unten beschriebene Verfahren bewertet. Zunächst wurde eine Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 200 mm, ein leitender Typ P, einer <100> Kristallorientierung und einem Widerstand von 0,1 Ω·cm oder mehr und weniger als 100 Ω·cm in Chips in Form eines Quadrats mit Seiten von 60 mm geschnitten, um Siliziumsubstrate herzustellen. Jedes der Siliziumsubstrate wurde vorbereitend unter Verwendung einer Polieraufschlämmung (Warennamen: GLANZOX 2100), hergestellt von Fujimi Incorporated, poliert. Anschließend wurde jede der Polierzusammensetzungen der Beispiele 1 bis 19 und der Vergleichsbeispiele 1 bis 6 verwendet, um jedes der Siliziumsubstrate unter den in Tabelle 3 angegebenen Bedingungen zu polieren. Anschließend wurde die Oberfläche jedes der Siliziumsubstrate mit laufendem Wasser mit einer Fließgeschwindigkeit von 7 l/min für 10 Sekunden gespült, jedes der Siliziumsubstrate wurde vertikal gestellt und für 30 Sekunden stehen gelassen und anschließend wurde der maximale Abstand von einem Kantenbereich zu einen nassen Bereich auf jedem der Siliziumsubstrate gemessen, d. h. der maximale wasserabweisende Abstand wurde gemessen. Es wird angegeben, dass die Hydrophilie auf der Oberfläche jedes der Siliziumsubstrate um so schlechter ist, je länger der maximale wasserabweisende Abstand ist. In der Spalte ”Hydrophilie” in Tabelle 1 bedeutet ”A” das der maximale wasserabweisende Abstand 5 mm oder kürzer war und ”B” bedeutet, dass der maximale wasserabweisende Abstand länger als 5 mm war. [Tabelle 1]Ex.: Beispiel, Com. Ex.: Vergleichsbeispiel [Tabelle 2]
Filtrationsverfahren: Abnutschen Filtrationsdifferenzdruck: 50 kPa Filtrationsdauer: 5 Minuten Art des Filters: OMNIPORE MEMBRANE (Scheibenart) (hergestellt von Nihon Millipore K. K.) Filterdurchmesser: 47 mm Filtermaschengröße: 5,0 μm Poliermaschine: Poliertischmachine EJ-380IN (hergestellt von Engis Japan Corporation) Polierladung: 15 kPa Tischrotationsgeschwindigkeit: 30 Upm Kopfrotationsgeschwindigkeit: 30 Upm Polierdauer: 1 Minute Temperatur der Polierzusammensetzung: 20°C Zufuhrgeschwindigkeit der Polier zusam- mensetzung: 0,25 l/min (Gießen auf den Wafer) - Wie in Tabelle 1 dargestellt, fand man heraus, dass jede der Polierzusammensetzungen der Beispiele 1 bis 19 eine große Filtrationseigenschaft aufwies und der Oberfläche eines polierten Siliziumsubstrates Hydrophilie verlieh, im Gegensatz zu jeder der Polierzusammensetzungen der Vergleichsbeispiele 1 bis 6.
Claims (4)
- Polierzusammensetzung, welche Schleifkörner, ein wasserlösliches Polymer, einen Aggregationshemmer und Wasser enthält, wobei die Polierzusammensetzung dadurch gekennzeichnet ist, dass, wenn die mittlere Partikelgröße der Partikel, welche in der Polierzusammensetzung enthalten sind, als R1 definiert ist und eine mittlere Partikelgröße der Schleifkörner in dem Fall in dem die Schleifkörner in Wasser dispergiert sind, um so die gleiche Konzentration wie die Konzentration der Schleifkörner in der Polierzusammensetzung aufzuweisen, als R2 definiert ist, R1/R2 1,3 oder weniger beträgt.
- Polierzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das wasserlösliche Polymer eine Zellulose ist.
- Verfahren zum Polieren eines Substrates, gekennzeichnet durch das Polieren eines Siliziumsubstrates unter Verwendung der Polierzusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 oder 2.
- Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrates, gekennzeichnet durch das Polieren eines Siliziumsubstrates unter Verwendung des Polierverfahrens nach Anspruch 3.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011233208 | 2011-10-24 | ||
| JP2011-233208 | 2011-10-24 | ||
| PCT/JP2012/076125 WO2013061771A1 (ja) | 2011-10-24 | 2012-10-09 | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE112012004431T5 true DE112012004431T5 (de) | 2014-07-10 |
Family
ID=48167605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE112012004431.2T Pending DE112012004431T5 (de) | 2011-10-24 | 2012-10-09 | Zusammensetzung zu Polierzwecken, Polierverfahren unter Verwendung derselben und Verfahren zur Herstellung eines Substrates |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9579769B2 (de) |
| JP (1) | JP5860057B2 (de) |
| KR (1) | KR101983868B1 (de) |
| CN (1) | CN103890114B (de) |
| DE (1) | DE112012004431T5 (de) |
| MY (1) | MY171840A (de) |
| SG (1) | SG11201401309PA (de) |
| TW (1) | TWI547531B (de) |
| WO (1) | WO2013061771A1 (de) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102237745B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2021-04-09 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 구리 화학 기계적 평탄화 후 수성 세정 조성물 |
| JP6360311B2 (ja) * | 2014-01-21 | 2018-07-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
| JP6389629B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-09-12 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
| JP6389630B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-09-12 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
| JP6185432B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2017-08-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物 |
| JP6435689B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2018-12-12 | Ａｇｃ株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
| CN104130717B (zh) * | 2014-08-07 | 2016-06-08 | 佳明新材料科技有限公司 | 一种太阳能硅片研磨液配方 |
| WO2016132676A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物および研磨方法 |
| US20190010357A1 (en) * | 2015-06-26 | 2019-01-10 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| EP3366746B1 (de) * | 2015-10-23 | 2023-02-22 | NITTA DuPont Incorporated | Polierzusammensetzung |
| SG11201803362VA (en) * | 2015-10-23 | 2018-05-30 | Nitta Haas Inc | Polishing composition |
| JP6348927B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2018-06-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物 |
| JP6678076B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-04-08 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| KR102515815B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2023-03-30 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 |
| WO2018150945A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット |
| KR102544607B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2023-06-19 | 솔브레인 주식회사 | 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| US10961487B2 (en) * | 2017-11-30 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device cleaning solution, method of use, and method of manufacture |
| JP7138432B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-09-16 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ製造方法 |
| JP7141837B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-09-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、および半導体基板の製造方法 |
| EP3894495A1 (de) * | 2018-12-12 | 2021-10-20 | Basf Se | Chemisch-mechanisches polieren von kupfer- und rutheniumhaltigen substraten |
| CN110054995A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-07-26 | 连云港众成磨料有限公司 | 一种处理半导体元件电子芯片表面去除量的研磨材料 |
| JP7477964B2 (ja) * | 2019-12-13 | 2024-05-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械研磨組成物及びそれを用いた化学機械研磨方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015461A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 研磨液および研磨方法 |
| US6685757B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-02-03 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing composition |
| JP2004128069A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4593064B2 (ja) | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4212861B2 (ja) | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
| JP2005158867A (ja) | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体を調製するためのセット |
| CN101311205A (zh) * | 2004-07-23 | 2008-11-26 | 日立化成工业株式会社 | Cmp研磨剂以及衬底的研磨方法 |
| JP4808394B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2007103515A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 研磨方法 |
| JP4983603B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2012-07-25 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨液及びこれらを用いた基板の研磨方法 |
| JP5204960B2 (ja) | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| KR100725803B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2007-06-08 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼 최종 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한실리콘 웨이퍼 최종 연마 방법 |
| US20100112728A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
| CN102084465A (zh) | 2008-02-01 | 2011-06-01 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物以及使用其的研磨方法 |
| JP5297695B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-09-25 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | スラリー供給装置及び同装置を用いる半導体ウェーハの研磨方法 |
| CN102105267B (zh) | 2008-06-18 | 2016-08-03 | 福吉米株式会社 | 抛光组合物及利用该抛光组合物的抛光方法 |
| JP5255343B2 (ja) | 2008-06-27 | 2013-08-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP5474400B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| JP5362319B2 (ja) | 2008-10-21 | 2013-12-11 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP5413456B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-02-12 | 日立化成株式会社 | 半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法 |
-
2012
- 2012-10-09 CN CN201280051935.1A patent/CN103890114B/zh active Active
- 2012-10-09 JP JP2013540715A patent/JP5860057B2/ja active Active
- 2012-10-09 KR KR1020147013217A patent/KR101983868B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-09 WO PCT/JP2012/076125 patent/WO2013061771A1/ja active Application Filing
- 2012-10-09 DE DE112012004431.2T patent/DE112012004431T5/de active Pending
- 2012-10-09 US US14/352,393 patent/US9579769B2/en active Active
- 2012-10-09 MY MYPI2014000981A patent/MY171840A/en unknown
- 2012-10-09 SG SG11201401309PA patent/SG11201401309PA/en unknown
- 2012-10-19 TW TW101138653A patent/TWI547531B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5860057B2 (ja) | 2016-02-16 |
| CN103890114B (zh) | 2015-08-26 |
| US20140302752A1 (en) | 2014-10-09 |
| SG11201401309PA (en) | 2014-06-27 |
| KR101983868B1 (ko) | 2019-05-29 |
| CN103890114A (zh) | 2014-06-25 |
| US9579769B2 (en) | 2017-02-28 |
| TW201333131A (zh) | 2013-08-16 |
| KR20140080543A (ko) | 2014-06-30 |
| MY171840A (en) | 2019-11-04 |
| JPWO2013061771A1 (ja) | 2015-04-02 |
| TWI547531B (zh) | 2016-09-01 |
| WO2013061771A1 (ja) | 2013-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE112012004431T5 (de) | Zusammensetzung zu Polierzwecken, Polierverfahren unter Verwendung derselben und Verfahren zur Herstellung eines Substrates | |
| DE112013004295T5 (de) | Polierzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats | |
| DE60318172T2 (de) | Polierzusammensetzung und Waschzusammensetzung | |
| DE102007039910B4 (de) | Polierverfahren | |
| DE112014003673T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines polierten Objekts und Poliermittelsatz | |
| DE112011103185T5 (de) | Polierzusammensetzung und Spülzusammensetzung | |
| DE60315933T2 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter deren Verwendung | |
| DE60225956T2 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter ihrer Verwendung | |
| DE102009031356B4 (de) | Herstellung eines Benetzungsmittels für Halbleiter, Herstellung einer Polierzusammensetzung und sie verwendendes Polierverfahren | |
| DE69925199T2 (de) | Polierverfahren für Silizium-Wafer unter Verwendung einer Polierzusammensetzung und einer Oberflächenbehandlungszusammensetzung | |
| DE112013001454T5 (de) | Abrasive Zusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats | |
| KR102167392B1 (ko) | 연마용 조성물, 연마용 조성물의 제조 방법 및 연마용 조성물 원액의 제조 방법 | |
| DE112011103232T5 (de) | Oberflächenbehandlungszusammensetzung und Oberflächenbehandlungsverfahren unter Verwendung derselben | |
| DE112013000912T5 (de) | Polierzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats | |
| DE112008002628B4 (de) | Polierzusammensetzung | |
| DE102005012607A1 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren | |
| DE112017005434T5 (de) | Spülmittelzusammensetzung für Silicium-Wafer | |
| DE112012002344T5 (de) | Poliermittel und Polierverfahren | |
| DE112013000578T5 (de) | Polierzusammensetzung, Herstellungsverfahren dieser, unverdünnte Flüssigkeit, Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats und Siliziumsubstrat | |
| DE102005027212A1 (de) | Spülzusammensetzung und Verfahren zum Spülen und Herstellen von Siliziumwafern | |
| DE102007039911A1 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren | |
| DE112012003686T5 (de) | Poliermittel und Polierverfahren | |
| DE112018006626T5 (de) | Polierzusammensetzung | |
| DE112013001199T5 (de) | Polierzusammensetzung, Herstellungsverfahren für diese, Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats und ein Siliziumsubstrat | |
| DE112012000662T5 (de) | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE |
|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021304000 Ipc: H01L0021302000 |
|
| R016 | Response to examination communication |