JP2001015461A - 研磨液および研磨方法 - Google Patents
研磨液および研磨方法Info
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- JP2001015461A JP2001015461A JP18391599A JP18391599A JP2001015461A JP 2001015461 A JP2001015461 A JP 2001015461A JP 18391599 A JP18391599 A JP 18391599A JP 18391599 A JP18391599 A JP 18391599A JP 2001015461 A JP2001015461 A JP 2001015461A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上さ
せ、ウエハ研磨速度をほぼ一定とし得る研磨液および研
磨方法を実現する。 【解決手段】純水中に研磨粒子が分散され、研磨粒子の
分散性を向上させるための界面活性剤が添加されてなる
研磨液を用いて、半導体ウエハ上に形成された膜のＣＭ
Ｐを行う。
せ、ウエハ研磨速度をほぼ一定とし得る研磨液および研
磨方法を実現する。 【解決手段】純水中に研磨粒子が分散され、研磨粒子の
分散性を向上させるための界面活性剤が添加されてなる
研磨液を用いて、半導体ウエハ上に形成された膜のＣＭ
Ｐを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に際して半導体ウエハ上の絶縁膜あるいは金属膜などを
化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて研磨する工程で使用
される研磨液および研磨方法に係り、特に研磨液の成分
および当該研磨液を用いた研磨方法に関するものであ
る。
に際して半導体ウエハ上の絶縁膜あるいは金属膜などを
化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて研磨する工程で使用
される研磨液および研磨方法に係り、特に研磨液の成分
および当該研磨液を用いた研磨方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ上の絶縁膜あるいは金属膜
をＣＭＰ法を用いて研磨する工程において、従来は、純
水中にシリカ粒子を重量比で数％分散させた研磨液（ス
ラリー液）を使用している。
をＣＭＰ法を用いて研磨する工程において、従来は、純
水中にシリカ粒子を重量比で数％分散させた研磨液（ス
ラリー液）を使用している。
【０００３】ここで、それぞれ粒子濃度が異なる３種類
の従来の研磨液１、研磨液２、研磨液３を用いてＣＭＰ
法により研磨した場合について、ウエハ研磨速度の粒子
濃度とウエハ押し付け荷重とウエハ研磨速度との関係を
測定した結果を表１および図２に示す。
の従来の研磨液１、研磨液２、研磨液３を用いてＣＭＰ
法により研磨した場合について、ウエハ研磨速度の粒子
濃度とウエハ押し付け荷重とウエハ研磨速度との関係を
測定した結果を表１および図２に示す。
【０００４】なお、試料としては、半導体ウエハ上の全
面に例えば８００ｎｍの厚さに形成されたアルミニウム
膜を用い、研磨液としては、一次粒子径が約１０ｎｍの
シリカ粒子を純水中に分散させた研磨液１、研磨液２、
研磨液３を用いた。
面に例えば８００ｎｍの厚さに形成されたアルミニウム
膜を用い、研磨液としては、一次粒子径が約１０ｎｍの
シリカ粒子を純水中に分散させた研磨液１、研磨液２、
研磨液３を用いた。
【０００５】上記研磨液１は純水中にシリカ粒子を２．
５重量（ｗｔ）％分散させたもの、研磨液２は純水中に
シリカ粒子を５ｗｔ％分散させたもの、研磨液３は純水
中にシリカ粒子を７．５ｗｔ％分散させたものである。
５重量（ｗｔ）％分散させたもの、研磨液２は純水中に
シリカ粒子を５ｗｔ％分散させたもの、研磨液３は純水
中にシリカ粒子を７．５ｗｔ％分散させたものである。
【０００６】
【表１】
【０００７】図２から、ウエハ研磨速度のウエハ押し付
け荷重依存性には変極点が存在することが分かる。即
ち、研磨液１を用いた場合には、ウエハ押し付け荷重２
００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近まではウエハ研磨速度がウエ
ハ押し付け荷重に比例して増加し、ウエハ押し付け荷重
が２００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近以上ではウエハ研磨速度
がほぼ一定となる。また、研磨液２を用いた場合には、
ウエハ押し付け荷重４００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近までは
ウエハ研磨速度がウエハ押し付け荷重に比例して増加
し、ウエハ押し付け荷重が４００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近
以上ではウエハ研磨速度がほぼ一定となる。なお、研磨
液３を用いた場合には、ウエハ押し付け荷重〜８００
（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近まではウエハ研磨速度がウエハ押
し付け荷重に比例して増加するが、ウエハ押し付け荷重
がある程度以上ではウエハ研磨速度がほぼ一定となるも
のと思われる。
け荷重依存性には変極点が存在することが分かる。即
ち、研磨液１を用いた場合には、ウエハ押し付け荷重２
００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近まではウエハ研磨速度がウエ
ハ押し付け荷重に比例して増加し、ウエハ押し付け荷重
が２００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近以上ではウエハ研磨速度
がほぼ一定となる。また、研磨液２を用いた場合には、
ウエハ押し付け荷重４００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近までは
ウエハ研磨速度がウエハ押し付け荷重に比例して増加
し、ウエハ押し付け荷重が４００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近
以上ではウエハ研磨速度がほぼ一定となる。なお、研磨
液３を用いた場合には、ウエハ押し付け荷重〜８００
（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近まではウエハ研磨速度がウエハ押
し付け荷重に比例して増加するが、ウエハ押し付け荷重
がある程度以上ではウエハ研磨速度がほぼ一定となるも
のと思われる。
【０００８】そこで、従来のＣＭＰにおいては、ウエハ
研磨速度が一定となるように、ウエハ研磨速度のウエハ
押し付け荷重依存性の比例領域内でウエハ押し付け荷重
が一定となるように微妙に制御している。
研磨速度が一定となるように、ウエハ研磨速度のウエハ
押し付け荷重依存性の比例領域内でウエハ押し付け荷重
が一定となるように微妙に制御している。
【０００９】しかし、ウエハ押し付け荷重のウエハ面内
分布の均一性を維持するようにウエハ押し付け荷重を制
御することは困難であり、ウエハ押し付け荷重のウエハ
面内分布が不均一であると、ウエハ研磨速度もウエハ押
し付け荷重のウエハ面内分布にしたがってウエハ面内分
布が不均一になってしまう。
分布の均一性を維持するようにウエハ押し付け荷重を制
御することは困難であり、ウエハ押し付け荷重のウエハ
面内分布が不均一であると、ウエハ研磨速度もウエハ押
し付け荷重のウエハ面内分布にしたがってウエハ面内分
布が不均一になってしまう。
【００１０】ところで、前記したウエハ研磨速度のウエ
ハ押し付け荷重依存性に変極点が存在するメカニズムに
ついて、本願発明者は以下に説明するように考える。
ハ押し付け荷重依存性に変極点が存在するメカニズムに
ついて、本願発明者は以下に説明するように考える。
【００１１】図３は、ＣＭＰの様子を説明するために、
ウエハ３０、ウエハホルダー３１、研磨布３２、研磨液
中の研磨粒子を拡大して概略的に示す断面図である。
ウエハ３０、ウエハホルダー３１、研磨布３２、研磨液
中の研磨粒子を拡大して概略的に示す断面図である。
【００１２】純水中に研磨粒子を分散させると、最小粒
子径で存在する一次粒子３３ａの状態と、一次粒子が数
個凝集した二次粒子３３ｂの状態との２種類の状態が存
在する。研磨は、研磨粒子がウエハ３０の被研磨膜に接
触して被研磨膜表面を削りとりながら進行する。この
間、研磨液中の二次粒子３３ｂは、ウエハ押し付け荷重
の増加につれて一次粒子３３ａの状態に分散し、研磨粒
子と被研磨膜との接触面積は増加するので、ウエハ研磨
速度はウエハ押し付け荷重に依存する。やがて、研磨液
中の粒子が全て一次粒子３３ａの状態に分散してしまう
と、研磨粒子と被研磨膜との接触面積は一定となり、ウ
エハ研磨速度も一定となる。
子径で存在する一次粒子３３ａの状態と、一次粒子が数
個凝集した二次粒子３３ｂの状態との２種類の状態が存
在する。研磨は、研磨粒子がウエハ３０の被研磨膜に接
触して被研磨膜表面を削りとりながら進行する。この
間、研磨液中の二次粒子３３ｂは、ウエハ押し付け荷重
の増加につれて一次粒子３３ａの状態に分散し、研磨粒
子と被研磨膜との接触面積は増加するので、ウエハ研磨
速度はウエハ押し付け荷重に依存する。やがて、研磨液
中の粒子が全て一次粒子３３ａの状態に分散してしまう
と、研磨粒子と被研磨膜との接触面積は一定となり、ウ
エハ研磨速度も一定となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
ＣＭＰ用の研磨液を用いた研磨方法は、ウエハ押し付け
荷重のウエハ面内分布の均一性を維持するようにウエハ
押し付け荷重を制御することは困難であり、ウエハ押し
付け荷重のウエハ面内分布が不均一であると、ウエハ研
磨速度もウエハ押し付け荷重のウエハ面内分布にしたが
ってウエハ面内分布が不均一になってしまうという問題
があった。
ＣＭＰ用の研磨液を用いた研磨方法は、ウエハ押し付け
荷重のウエハ面内分布の均一性を維持するようにウエハ
押し付け荷重を制御することは困難であり、ウエハ押し
付け荷重のウエハ面内分布が不均一であると、ウエハ研
磨速度もウエハ押し付け荷重のウエハ面内分布にしたが
ってウエハ面内分布が不均一になってしまうという問題
があった。
【００１４】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、ＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上さ
せることができ、研磨粒子が被研磨膜に接触して被研磨
膜表面を削りとりながら進行する時に研磨粒子と被研磨
膜との接触面積を一定とし、ウエハ研磨速度もほぼ一定
とし得る研磨液を提供することを目的とする。
たもので、ＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上さ
せることができ、研磨粒子が被研磨膜に接触して被研磨
膜表面を削りとりながら進行する時に研磨粒子と被研磨
膜との接触面積を一定とし、ウエハ研磨速度もほぼ一定
とし得る研磨液を提供することを目的とする。
【００１５】また、本発明の他の目的は、ＣＭＰに際し
て、ウエハ研磨速度のウエハ押し付け荷重依存性のほぼ
平坦領域にウエハ押し付け荷重を設定することにより、
ウエハ押し付け荷重のウエハ面内分布が不均一であって
も、ウエハ研磨速度がほぼ一定になる研磨方法を提供す
ることにある。
て、ウエハ研磨速度のウエハ押し付け荷重依存性のほぼ
平坦領域にウエハ押し付け荷重を設定することにより、
ウエハ押し付け荷重のウエハ面内分布が不均一であって
も、ウエハ研磨速度がほぼ一定になる研磨方法を提供す
ることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨液は、純水
中に研磨粒子が分散され、前記研磨粒子の分散性を向上
させるための界面活性剤が添加されてなることを特徴と
する。
中に研磨粒子が分散され、前記研磨粒子の分散性を向上
させるための界面活性剤が添加されてなることを特徴と
する。
【００１７】上記界面活性剤としては、ＰＶＰ（ポリビ
ニルピロリドン）、セルロース、ヒドロキシプロピルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース、アルギン酸エ
チレングリコールのいずれか１つを使用することが可能
である。
ニルピロリドン）、セルロース、ヒドロキシプロピルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース、アルギン酸エ
チレングリコールのいずれか１つを使用することが可能
である。
【００１８】また、本発明の研磨方法は、半導体ウエハ
上に形成された膜を化学機械研磨法を用いて研磨する工
程で本発明の研磨液を用いることを特徴とする。
上に形成された膜を化学機械研磨法を用いて研磨する工
程で本発明の研磨液を用いることを特徴とする。
【００１９】上記半導体ウエハ上に形成された膜の材質
として、Ａｌ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、多結晶Ｓｉ、Ｗ、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ｎｂ、ＮｂＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｒｕ
のいずれかに適用可能である。
として、Ａｌ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、多結晶Ｓｉ、Ｗ、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ｎｂ、ＮｂＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｒｕ
のいずれかに適用可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００２１】本発明に係る研磨液および研磨方法の第１
の実施の形態では、純水中に、一次粒子径が約１０ｎｍ
のシリカ粒子を例えば７．５ｗｔ％分散させるとともに
研磨粒子の分散性を向上させるための界面活性剤として
ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）を添加し、粒子濃度が
７．５ｗｔ％の研磨液を製造した。
の実施の形態では、純水中に、一次粒子径が約１０ｎｍ
のシリカ粒子を例えば７．５ｗｔ％分散させるとともに
研磨粒子の分散性を向上させるための界面活性剤として
ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）を添加し、粒子濃度が
７．５ｗｔ％の研磨液を製造した。
【００２２】なお上記粒子濃度が７．５ｗｔ％の研磨液
として、ＰＶＰ添加量を変えてＰＶＰ濃度が例えば０．
１％、０．２％、０．３％、０．５％の４種類の研磨液
を製造した。
として、ＰＶＰ添加量を変えてＰＶＰ濃度が例えば０．
１％、０．２％、０．３％、０．５％の４種類の研磨液
を製造した。
【００２３】そして、試料として、半導体ウエハ上の全
面に例えば８００ｎｍの厚さに形成されたＡｌ（アルミ
ニウム）膜を用い、前記４種類の研磨液を別々に用いて
それぞれＣＭＰを行った。このＣＭＰにおけるウエハ押
し付け荷重とウエハ研磨速度との関係を測定した結果を
表２および図１に示す。
面に例えば８００ｎｍの厚さに形成されたＡｌ（アルミ
ニウム）膜を用い、前記４種類の研磨液を別々に用いて
それぞれＣＭＰを行った。このＣＭＰにおけるウエハ押
し付け荷重とウエハ研磨速度との関係を測定した結果を
表２および図１に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】なお、表２中および図１中には、比較のた
め、ＰＶＰ濃度が０％の研磨液（従来例の研磨液３に相
当する）を用いてＣＭＰを行った場合についても測定結
果を示している。
め、ＰＶＰ濃度が０％の研磨液（従来例の研磨液３に相
当する）を用いてＣＭＰを行った場合についても測定結
果を示している。
【００２６】表２および図１によれば、ＰＶＰを添加し
た本発明の研磨液を使用した場合の特性は、図２中に示
した従来の研磨液３を使用した場合の特性と比べて、ウ
エハ押し付け荷重が小さい領域から大きい領域までの広
い範囲においてウエハ研磨速度がほぼ一定となることが
分かる。特に、ＰＶＰ添加量を０．３％以上にすると、
ウエハ押し付け荷重が４００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近から
８００（ｇｆ／ｃｍ2）付近までの広い範囲においてウ
エハ研磨速度がほぼ一定となることが分かる。
た本発明の研磨液を使用した場合の特性は、図２中に示
した従来の研磨液３を使用した場合の特性と比べて、ウ
エハ押し付け荷重が小さい領域から大きい領域までの広
い範囲においてウエハ研磨速度がほぼ一定となることが
分かる。特に、ＰＶＰ添加量を０．３％以上にすると、
ウエハ押し付け荷重が４００（ｇｆ／ｃｍ2 ）付近から
８００（ｇｆ／ｃｍ2）付近までの広い範囲においてウ
エハ研磨速度がほぼ一定となることが分かる。
【００２７】なお、ウエハ研磨速度がほぼ一定となるウ
エハ押し付け荷重の範囲は、研磨粒子、界面活性剤の種
類に依存する。
エハ押し付け荷重の範囲は、研磨粒子、界面活性剤の種
類に依存する。
【００２８】即ち、上記したような本発明の実施の形態
に係る研磨液は、純水中に、研磨粒子を分散させるとと
もに、研磨粒子の分散性を向上させるための界面活性剤
としてＰＶＰを添加した。これにより、上記研磨液を用
いたウエハのＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上
させることができ、研磨粒子が被研磨膜に接触して被研
磨膜表面を削りとりながら進行する時、研磨粒子の殆ん
どが全てが一次粒子の状態に分散して存在する。
に係る研磨液は、純水中に、研磨粒子を分散させるとと
もに、研磨粒子の分散性を向上させるための界面活性剤
としてＰＶＰを添加した。これにより、上記研磨液を用
いたウエハのＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上
させることができ、研磨粒子が被研磨膜に接触して被研
磨膜表面を削りとりながら進行する時、研磨粒子の殆ん
どが全てが一次粒子の状態に分散して存在する。
【００２９】したがって、ＣＭＰが進行する時、研磨粒
子と被研磨膜との接触面積は大きく、かつ一定となり、
ウエハ研磨速度も一定となる。この場合、ウエハ研磨速
度はウエハ押し付け荷重に殆んど依存しなくなり、ウエ
ハ押し付け荷重が小さい領域から大きい領域までの広い
範囲において研磨粒子とウエハ研磨速度がほぼ一定とな
ることが確認された。
子と被研磨膜との接触面積は大きく、かつ一定となり、
ウエハ研磨速度も一定となる。この場合、ウエハ研磨速
度はウエハ押し付け荷重に殆んど依存しなくなり、ウエ
ハ押し付け荷重が小さい領域から大きい領域までの広い
範囲において研磨粒子とウエハ研磨速度がほぼ一定とな
ることが確認された。
【００３０】換言すれば、上記したような本発明の実施
の形態に係る研磨液を用いた研磨方法によれば、従来の
ようにウエハ研磨速度がほぼ一定となるようにウエハ研
磨速度のウエハ押し付け荷重依存性の比例領域内でウエ
ハ押し付け荷重が一定となるように微妙に制御しなくて
も、ウエハ押し付け荷重が小さい領域から大きい領域ま
での広い範囲においてウエハ研磨速度がほぼ一定とな
る。
の形態に係る研磨液を用いた研磨方法によれば、従来の
ようにウエハ研磨速度がほぼ一定となるようにウエハ研
磨速度のウエハ押し付け荷重依存性の比例領域内でウエ
ハ押し付け荷重が一定となるように微妙に制御しなくて
も、ウエハ押し付け荷重が小さい領域から大きい領域ま
での広い範囲においてウエハ研磨速度がほぼ一定とな
る。
【００３１】つまり、ウエハ押し付け荷重のウエハ面内
分布が不均一であったとしても、ウエハ押し付け荷重を
広い範囲内で維持するように制御するだけで、ウエハ押
し付け荷重のウエハ面内分布に関係なくウエハ研磨速度
をほぼ一定とすることが可能になる。結果として、ウエ
ハのＣＭＰに際して、ウエハ面内の均一性を向上させる
ことができる。
分布が不均一であったとしても、ウエハ押し付け荷重を
広い範囲内で維持するように制御するだけで、ウエハ押
し付け荷重のウエハ面内分布に関係なくウエハ研磨速度
をほぼ一定とすることが可能になる。結果として、ウエ
ハのＣＭＰに際して、ウエハ面内の均一性を向上させる
ことができる。
【００３２】なお、本発明の研磨液は、研磨粒子の分散
性を向上させるために添加する界面活性剤として、前記
ＰＶＰに限らず、セルロース、ヒドロキシプロピルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース、アルギン酸エチ
レングリコールのいずれか１つを使用することが可能で
ある。
性を向上させるために添加する界面活性剤として、前記
ＰＶＰに限らず、セルロース、ヒドロキシプロピルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース、アルギン酸エチ
レングリコールのいずれか１つを使用することが可能で
ある。
【００３３】また、本発明の研磨方法は、被研磨膜とし
て、前記Ａｌ膜に限らず、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳ
Ｇ、ＰＳＧ、ＳｉＮ、α（アモルファス）−Ｓｉ、多結
晶Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ｎｂ、ＮｂＮ、Ｔ
ａ、ＴａＮ、Ｒｕにも適用することが可能である。
て、前記Ａｌ膜に限らず、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳ
Ｇ、ＰＳＧ、ＳｉＮ、α（アモルファス）−Ｓｉ、多結
晶Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ｎｂ、ＮｂＮ、Ｔ
ａ、ＴａＮ、Ｒｕにも適用することが可能である。
【００３４】なお、従来、ＣＭＰに際して、被研磨膜の
表面に付着させて表面の平坦性を向上させるための界面
活性剤を使用する場合はあったが、研磨粒子の分散性を
向上させるための界面活性剤は使用されていなかった。
表面に付着させて表面の平坦性を向上させるための界面
活性剤を使用する場合はあったが、研磨粒子の分散性を
向上させるための界面活性剤は使用されていなかった。
【００３５】
【発明の効果】上述したように本発明の研磨液によれ
ば、ＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上させるこ
とができ、研磨粒子が被研磨膜に接触して被研磨膜表面
を削りとりながら進行する時に研磨粒子と被研磨膜との
接触面積を一定とし、ウエハ研磨速度もほぼ一定とする
ことができる。
ば、ＣＭＰに際して、研磨粒子の分散性を向上させるこ
とができ、研磨粒子が被研磨膜に接触して被研磨膜表面
を削りとりながら進行する時に研磨粒子と被研磨膜との
接触面積を一定とし、ウエハ研磨速度もほぼ一定とする
ことができる。
【００３６】また、本発明の研磨方法によれば、ＣＭＰ
に際して、ウエハ研磨速度のウエハ押し付け荷重依存性
のほぼ平坦領域にウエハ押し付け荷重を設定することに
より、ウエハ押し付け荷重のウエハ面内分布が不均一で
あっても、ウエハ研磨速度をほぼ一定にすることができ
る。
に際して、ウエハ研磨速度のウエハ押し付け荷重依存性
のほぼ平坦領域にウエハ押し付け荷重を設定することに
より、ウエハ押し付け荷重のウエハ面内分布が不均一で
あっても、ウエハ研磨速度をほぼ一定にすることができ
る。
【図１】本発明の実施の形態に係る研磨液を用いてＣＭ
Ｐを行った場合について研磨液のＰＶＰ濃度をパラメー
タとして、ウエハ研磨速度のウエハ押し付け荷重依存性
を測定した結果を示す図。
Ｐを行った場合について研磨液のＰＶＰ濃度をパラメー
タとして、ウエハ研磨速度のウエハ押し付け荷重依存性
を測定した結果を示す図。
【図２】粒子濃度が異なる３種類の従来の研磨液１、研
磨液２、研磨液３を用いてＣＭＰ法により研磨した場合
についてウエハ研磨速度の研磨粒子濃度とウエハ押し付
け荷重とウエハ研磨速度との関係を測定した結果を示す
特性図。
磨液２、研磨液３を用いてＣＭＰ法により研磨した場合
についてウエハ研磨速度の研磨粒子濃度とウエハ押し付
け荷重とウエハ研磨速度との関係を測定した結果を示す
特性図。
【図３】ＣＭＰの様子を説明するために、研磨布、ウエ
ハ、ウエハホルダー、研磨粒子を拡大して概略的に示す
断面図。
ハ、ウエハホルダー、研磨粒子を拡大して概略的に示す
断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竪山 佳邦 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AC04 CB01 DA02 DA17
Claims (4)
- 【請求項１】 純水中に研磨粒子が分散され、前記研磨
粒子の分散性を向上させるための界面活性剤が添加され
てなることを特徴とする研磨液。 - 【請求項２】 前記界面活性剤として、ポリビニルピロ
リドン、セルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、
ヒドロキシエチルセルロース、アルギン酸エチレングリ
コールのいずれか１つが使用されることを特徴とする請
求項１記載の研磨液。 - 【請求項３】 半導体ウエハ上に形成された膜を化学機
械研磨法を用いて研磨する際、請求項１または２記載の
研磨液を用いて研磨することを特徴とする研磨方法。 - 【請求項４】 前記半導体ウエハ上に形成された膜の材
質は、Ａｌ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、
ＳｉＮ、アモルファスＳｉ、多結晶Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔ
ｉＮ、Ｃｕ、Ｎｂ、ＮｂＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｒｕのいず
れかであることを特徴とする請求項３記載の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18391599A JP2001015461A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 研磨液および研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18391599A JP2001015461A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 研磨液および研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015461A true JP2001015461A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16144049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18391599A Pending JP2001015461A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 研磨液および研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015461A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140080543A (ko) | 2011-10-24 | 2014-06-30 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 |
| KR20140117495A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 희석용 원액, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| KR20140117496A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| KR20170118690A (ko) | 2015-02-19 | 2017-10-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| DE112021006638T5 (de) | 2020-12-23 | 2023-10-26 | Nitta Dupont Incorporated | Polierzusammensetzung und verfahren zum polieren von silizium-wafer |
-
1999
- 1999-06-29 JP JP18391599A patent/JP2001015461A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140080543A (ko) | 2011-10-24 | 2014-06-30 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 |
| US9579769B2 (en) | 2011-10-24 | 2017-02-28 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate |
| KR20140117495A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 희석용 원액, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| KR20140117496A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| US9206336B2 (en) | 2012-01-16 | 2015-12-08 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, manufacturing process therefor, process for production of silicon substrate, and silicon substrate |
| KR20170118690A (ko) | 2015-02-19 | 2017-10-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| US10273383B2 (en) | 2015-02-19 | 2019-04-30 | Fujimi Incorporated | Polishing composition for silicon wafer and polishing method |
| DE112021006638T5 (de) | 2020-12-23 | 2023-10-26 | Nitta Dupont Incorporated | Polierzusammensetzung und verfahren zum polieren von silizium-wafer |
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