JP5255343B2 - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents
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Description
本実施形態の研磨用組成物は、砥粒、ピペラジン及び強電解質塩を水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、砥粒、ピペラジン、強電解質塩及び水を含有する。本実施形態の研磨用組成物は、シリコン単結晶基板を研磨する用途、特に表面に半導体配線が形成されたシリコン単結晶基板の裏面を研磨する用途での使用を主に想定したものである。
研磨用組成物中に含まれる砥粒は特に種類を限定されるものではなく、例えば、酸化ケイ素や酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化セリウムのような金属酸化物粒子を使用することができる。ただし、シリコン単結晶基板を研磨する用途で研磨用組成物が用いられる場合に特に好適に使用されうるのは二酸化ケイ素であり、中でも特にコロイダルシリカである。二酸化ケイ素、中でもコロイダルシリカを砥粒として使用した場合には、研磨用組成物による研磨後のシリコン単結晶基板はスクラッチ数が特に低減される。
研磨用組成物中のピペラジンの含有量は0.02mol/L以上であることが必須である。研磨用組成物中のピペラジンの含有量が0.02mol/L未満である場合には、研磨用組成物によるシリコン単結晶基板の研磨速度は概して実用に不足する。研磨用組成物によるシリコン単結晶基板の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させるためには、研磨用組成物中のピペラジンの含有量は0.035mol/L以上であることが好ましい。
研磨用組成物中に含まれる強電解質塩は特に種類を限定されるものではなく、例えば、塩化カリウム(KCl)や塩化ナトリウム(NaCl)、硫酸カリウム(K2SO4)、硫酸ナトリウム(Na2SO4)のような無機のアルカリ金属塩を使用することができる。ただし、低コストで入手できること及び水に易溶であることから、塩化カリウムが特に好適に使用されうる。
本実施形態の研磨用組成物は、砥粒、ピペラジン及び強電解質塩を含有しており、研磨用組成物中のピペラジン及び強電解質塩のそれぞれの含有量が所定の値以上に設定されるとともに、研磨用組成物中の強電解質塩に対するピペラジンのモル比の値が所定の範囲内に設定されている。そのため、研磨用組成物は、シリコン単結晶基板を高い除去速度で研磨することができる。従って、本実施形態の研磨用組成物は、シリコン単結晶基板を研磨する用途で好適に使用することができる。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、キレート剤をさらに含有してもよい。キレート剤をさらに含有させた場合には、研磨用組成物によるシリコン単結晶基板の金属汚染が抑制される。使用可能なキレート剤の例としては、例えば、アミノカルボン酸系キレート剤及び有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムなどが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤には、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1,−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸などが含まれる。ただし、特に好適に使用されうるのは、有機ホスホン酸系キレート剤であり、中でもエチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)又はジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)が好ましく、より好ましくはエチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)である。
・ 前記実施形態の研磨用組成物はそれぞれ研磨用組成物の原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
実施例1〜20では、砥粒としてのコロイダルシリカ、ピペラジン、強電解質塩及びキレート剤を水に混合して研磨用組成物を調製した。比較例1〜9では、コロイダルシリカを、ピペラジン又はそれに代わる化合物、強電解質塩又はそれに代わる化合物、及びキレート剤のうちのいくつかとともに、水と混合して研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物中のピペラジン又はそれに代わる化合物、強電解質塩又はそれに代わる化合物、及びキレート剤の詳細を表1に示す。表1には、各例の研磨用組成物のpHを測定した結果と、基準スラリーのゼータ電位に対する各研磨用組成物のゼータ電位の差分を求めた結果も示す。なお、実施例1〜20及び比較例1〜9の研磨用組成物中に含有されているコロイダルシリカはいずれも、平均一次粒子径が52nmで平均二次粒子径が115nmであり、いずれの研磨用組成物の場合もコロイダルシリカの含有量は2.25質量%である。また、実施例1〜3,5〜20及び比較例2,3,7〜9の研磨用組成物中のキレート剤の含有量はいずれも0.1g/Lである。
PIPは、ピペラジンを、
EDAは、エチレンジアミンを、
NH3は、アンモニアを、
DABは、1,4−ジアミノブタンを、
TMAHは、水酸化テトラメチルアンモニウムを、
KOHは、水酸化カリウムを表す。
KClは、塩化カリウムを、
NaClは、塩化ナトリウムを、
K2SO4は、硫酸カリウムを、
K2CO3は、炭酸カリウム(弱電解質塩)を表す。
EDTPOは、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)を、
DTPAは、ジエチレントリアミン五酢酸を、
TTHAは、トリエチレンテトラミン六酢酸を表す。
Claims (6)
- 砥粒と、ピペラジンと、強電解質塩と、水とを含有し、
強電解質塩に対するピペラジンのモル比が0.07〜1.2の範囲にあり、
ピペラジンの含有量が0.02mol/L以上であり、
強電解質塩の含有量が0.03mol/L以上であることを特徴とする研磨用組成物。 - 研磨用組成物のゼータ電位が、研磨用組成物中の砥粒と同種同量の砥粒及び残部の水からなる基準スラリーのゼータ電位に比べて40mV以上高い請求項1に記載の研磨用組成物。
- pHが10.3〜11.3の範囲にある請求項1又は2に記載の研磨用組成物。
- キレート剤をさらに含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- キレート剤が有機ホスホン酸系キレート剤である請求項4に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、シリコン単結晶基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
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