JPH01193170A - 鏡面研磨方法 - Google Patents
鏡面研磨方法Info
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- JPH01193170A JPH01193170A JP63016309A JP1630988A JPH01193170A JP H01193170 A JPH01193170 A JP H01193170A JP 63016309 A JP63016309 A JP 63016309A JP 1630988 A JP1630988 A JP 1630988A JP H01193170 A JPH01193170 A JP H01193170A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、シリコン等のウェハの表面を鏡面研磨する
鏡面研磨方法に関するものである。
鏡面研磨方法に関するものである。
「従来の技術」
従来、シリコン等のウェハの表面を鏡面研磨する方法と
して、ウェハ（被研磨材）と研磨盤とを摺動さ仕つつウ
ェハ表面に、水溶性アミン（アミノエチルエタノールア
ミン、エチレンジアミン等）の水溶液に数重量％の研磨
砥粒（Ｓｉｎｓ）を含有さ仕てなる研磨液を供給する方
法が知られている。
して、ウェハ（被研磨材）と研磨盤とを摺動さ仕つつウ
ェハ表面に、水溶性アミン（アミノエチルエタノールア
ミン、エチレンジアミン等）の水溶液に数重量％の研磨
砥粒（Ｓｉｎｓ）を含有さ仕てなる研磨液を供給する方
法が知られている。
そして、このような鏡面研磨方法では、ウェハ表面に水
溶性アミンによる溶解作用と、Ｓｉｎ、による加工作用
とが同時作用し、これにより鏡面研磨を行うようになっ
ている。
溶性アミンによる溶解作用と、Ｓｉｎ、による加工作用
とが同時作用し、これにより鏡面研磨を行うようになっ
ている。
「発明が解決しようとする課題」
ところが、上記の鏡面研磨方法においては、研磨液中の
研磨砥粒がウェハの表面を引っ掻くようにして研磨する
ため、ウェハの表面にこの研磨砥粒によるダメージ層が
形成され易く、このため良好な鏡面を得難いという欠点
があった。そこで、このウェハ表面へのダメージ層の発
生を防止するために、研磨砥粒を含まない研磨液を使用
して研磨することが考えられるが、ウェハ表面には研磨
開始時において、水溶性アミンと化学反応しない自然酸
化膜が形成されているので、研磨砥粒を含まない研磨液
のみによる研磨では、良好な鏡面を得難いという問題点
があった。
研磨砥粒がウェハの表面を引っ掻くようにして研磨する
ため、ウェハの表面にこの研磨砥粒によるダメージ層が
形成され易く、このため良好な鏡面を得難いという欠点
があった。そこで、このウェハ表面へのダメージ層の発
生を防止するために、研磨砥粒を含まない研磨液を使用
して研磨することが考えられるが、ウェハ表面には研磨
開始時において、水溶性アミンと化学反応しない自然酸
化膜が形成されているので、研磨砥粒を含まない研磨液
のみによる研磨では、良好な鏡面を得難いという問題点
があった。
「発明の目的」
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、被研
磨材の表面を良好な鏡面状態に研磨することができる鏡
面研磨方法を提供することを目的としている。
磨材の表面を良好な鏡面状態に研磨することができる鏡
面研磨方法を提供することを目的としている。
「課題を解決するための手段」
この発明の鏡面研磨方法は、研磨開始時に研磨砥粒を含
有する第一研磨液を被研磨材の表面に供給し、その後は
上記研磨砥粒を含有しない第二研磨液を上記被研磨材の
表面に供給するものである。
有する第一研磨液を被研磨材の表面に供給し、その後は
上記研磨砥粒を含有しない第二研磨液を上記被研磨材の
表面に供給するものである。
「作用」
この発明の鏡面研磨方法にあっては、研磨開始時に供給
される第一研磨液中の研磨砥粒により被研磨材の表面の
酸化膜を除去し、その後、酸化膜が除去された被研磨材
の表面を第二研磨液中の水溶性アミンによる溶解作用と
研磨盤による除去作用とにより研磨する。
される第一研磨液中の研磨砥粒により被研磨材の表面の
酸化膜を除去し、その後、酸化膜が除去された被研磨材
の表面を第二研磨液中の水溶性アミンによる溶解作用と
研磨盤による除去作用とにより研磨する。
「実施例」
以下この発明の鏡面研磨方法の一実施例を説明する。
まず、複数のウェハ（被研磨材）がワックス等により貼
着された定盤を自転あるいは自・公転させると共に、ウ
ェハを、自転する研磨盤に貼着された研磨布に摺動させ
ながら、ウェハの表面に研磨砥粒（Ｓ＋Ｏ＊）を含有す
る第一研磨液を供給する。
着された定盤を自転あるいは自・公転させると共に、ウ
ェハを、自転する研磨盤に貼着された研磨布に摺動させ
ながら、ウェハの表面に研磨砥粒（Ｓ＋Ｏ＊）を含有す
る第一研磨液を供給する。
この研磨砥粒によりウェハの表面を１〜２μｌ削ること
により、ウェハの表面に形成されている酸化膜を除去す
る。なお、研磨砥粒（Ｓ＋Ｏｔ）の粒径は２〜２００ｎ
ｚが望ましい。
により、ウェハの表面に形成されている酸化膜を除去す
る。なお、研磨砥粒（Ｓ＋Ｏｔ）の粒径は２〜２００ｎ
ｚが望ましい。
そして、酸化膜が除去されたならば、第一研磨液の供給
を停止して、研磨砥粒を含有しない第二研磨液をウェハ
の表面に供給し、この第二研磨液中の水溶性アミンによ
る溶解作用と研磨布による除去作用により鏡面研磨を行
う。
を停止して、研磨砥粒を含有しない第二研磨液をウェハ
の表面に供給し、この第二研磨液中の水溶性アミンによ
る溶解作用と研磨布による除去作用により鏡面研磨を行
う。
ここで、上記研磨液は、純水にアミノエチルエタノール
アミン等の水溶性アミンを添加した水溶液であり、水溶
性アミンの濃度としては０．０１〜０．５重量％が望ま
しい。
アミン等の水溶性アミンを添加した水溶液であり、水溶
性アミンの濃度としては０．０１〜０．５重量％が望ま
しい。
しかして上記鏡面研磨方法によれば、研磨開始時に供給
される第一研磨液中の研磨砥粒（Ｓｉｄｅ）によりウェ
ハの表面の酸化膜を除去し、その後、酸化膜が除去され
たウェハの表面を第二研磨液中の水溶性アミンによる溶
解作用と研磨布による除去作用とにより研磨するように
したので、研磨されたウェハ表面に研磨砥粒によるダメ
ージ層が発生することがなく、よって良好な鏡面を得る
ことができる。
される第一研磨液中の研磨砥粒（Ｓｉｄｅ）によりウェ
ハの表面の酸化膜を除去し、その後、酸化膜が除去され
たウェハの表面を第二研磨液中の水溶性アミンによる溶
解作用と研磨布による除去作用とにより研磨するように
したので、研磨されたウェハ表面に研磨砥粒によるダメ
ージ層が発生することがなく、よって良好な鏡面を得る
ことができる。
また、比較的高価な研磨砥粒（Ｓｉｎｓ）を少なくする
ことができるので、鏡面研磨に要するコストを軽減する
ことができる。
ことができるので、鏡面研磨に要するコストを軽減する
ことができる。
「実験例」
次に、実験例を挙げてこの発明の効果をより明確にする
。
。
■実験例・・・第１表の１〜４に示すような構成の第一
研磨液および第二研磨液を用いてウェハの表面を研磨し
て、それぞれの研磨に要する時間およびウェハ表面の鏡
面状態をチエツクした。その結果を同表に示す。
研磨液および第二研磨液を用いてウェハの表面を研磨し
て、それぞれの研磨に要する時間およびウェハ表面の鏡
面状態をチエツクした。その結果を同表に示す。
■比較例・・・第２表の５〜７に示すような研磨液を用
いてウェハの表面を研磨して、それぞれの研磨に要する
時間およびウェハの表面の鏡面状態をチエツクした。そ
の結果を同表に示す。
いてウェハの表面を研磨して、それぞれの研磨に要する
時間およびウェハの表面の鏡面状態をチエツクした。そ
の結果を同表に示す。
なお、上記実験例および比較例とも、研磨圧力を３５０
ｇ／ＣＪ！”、研磨盤の回転数を８０ ｒｐｔａとし、
水溶性アミンとしてはアミノエチルエタノールアミンを
用いた。
ｇ／ＣＪ！”、研磨盤の回転数を８０ ｒｐｔａとし、
水溶性アミンとしてはアミノエチルエタノールアミンを
用いた。
以下余白
第１表および第２表から明らかなように、この発明の鏡
面研磨方法によれば、従来に比べ若干研磨時間はかかる
ものの、ウェハ表面に研磨砥粒（Ｓ＋Ｏｔ）によるキズ
等（ダメージ層）が発生することがなく、よって良好な
鏡面を得ることができる。
面研磨方法によれば、従来に比べ若干研磨時間はかかる
ものの、ウェハ表面に研磨砥粒（Ｓ＋Ｏｔ）によるキズ
等（ダメージ層）が発生することがなく、よって良好な
鏡面を得ることができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の鏡面研磨方法によ口ば
、研磨開始時に供給される第一研磨液中の研磨砥粒によ
り被研磨材の表面の酸化膜を除去し、その後、酸化膜が
除去された被研磨材の表面を第二研磨液中の水溶性アミ
ンによる溶解作用と研磨盤による除去作用とにより研磨
するようにしたので、研磨された被研磨材の表面に研磨
砥粒によるダメージ層が発生することがなく、よって良
好な鏡面を得ることができる。
、研磨開始時に供給される第一研磨液中の研磨砥粒によ
り被研磨材の表面の酸化膜を除去し、その後、酸化膜が
除去された被研磨材の表面を第二研磨液中の水溶性アミ
ンによる溶解作用と研磨盤による除去作用とにより研磨
するようにしたので、研磨された被研磨材の表面に研磨
砥粒によるダメージ層が発生することがなく、よって良
好な鏡面を得ることができる。
また、比較的高価な研磨砥粒を少なくすることができる
ので、鏡面研磨に要するコストを軽減することができる
。
ので、鏡面研磨に要するコストを軽減することができる
。
Claims (2)
- （１）被研磨材と研磨盤とを摺動させることにより上記
被研磨材の表面を鏡面研磨する方法において、研磨開始
時に研磨砥粒を含有する第一研磨液を上記被研磨材の表
面に供給し、その後は上記研磨砥粒を含有しない第二研
磨液を上記被研磨材の表面に供給することを特徴とする
鏡面研磨方法。 - （２）上記第二研磨液が純水に水溶性アミンを添加した
水溶液であること特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の鏡面研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63016309A JPH01193170A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 鏡面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63016309A JPH01193170A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 鏡面研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01193170A true JPH01193170A (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=11912927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63016309A Pending JPH01193170A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 鏡面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01193170A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181924A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Nec Corp | シリコン研磨方法 |
| US5885334A (en) * | 1996-05-15 | 1999-03-23 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Polishing fluid composition and polishing method |
| WO2007108153A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Dupont Airproducts Nanomaterials Limited Liability Company | シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハ研磨用組成物キットおよびシリコンウエハの研磨方法 |
| JP2008091383A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの粗研磨方法、及び半導体ウェハの研磨装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917176A (ja) * | 1972-05-22 | 1974-02-15 | ||
| JPS5461391A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-17 | Shibayama Kikai Kk | Water grinding for polishing machine |
| JPS62162462A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Rohm Co Ltd | ウエハ表面仕上方法 |
| JPS62259769A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Nec Corp | シリコンウエハの加工方法 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63016309A patent/JPH01193170A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917176A (ja) * | 1972-05-22 | 1974-02-15 | ||
| JPS5461391A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-17 | Shibayama Kikai Kk | Water grinding for polishing machine |
| JPS62162462A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Rohm Co Ltd | ウエハ表面仕上方法 |
| JPS62259769A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Nec Corp | シリコンウエハの加工方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181924A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Nec Corp | シリコン研磨方法 |
| US5885334A (en) * | 1996-05-15 | 1999-03-23 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Polishing fluid composition and polishing method |
| WO2007108153A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Dupont Airproducts Nanomaterials Limited Liability Company | シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハ研磨用組成物キットおよびシリコンウエハの研磨方法 |
| JP2008091383A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの粗研磨方法、及び半導体ウェハの研磨装置 |
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