KR101046530B1 - 저 유전 상수(κ) 필름의 후-처리 방법 - Google Patents
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Abstract
저 유전 상수 필름을 기판 상에 증착하고 상기 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 방법이 제공된다. 상기 후-처리 단계는 상기 저 유전 상수 필름이 약 5초 이하 동안 상기 소정의 온도에 노출되지 않도록 상기 저 유전 상수 필름을 소정의 온도로 급속 냉각하고 상기 저 유전 상수 필름을 급속 냉각하는 단계를 포함한다. 일면에서, 상기 후-처리 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 전자 빔 및/또는 UV 방사선에 노출시키는 단계도 포함한다.
Description
본 발명은 집적 회로의 제조에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 저 유전 상수 필름의 증착 및 후-처리 공정에 관한 것이다.
반도체 소자의 구조는 수십 년 전에 제일 먼저 도입된 이후로 크기 면에서 현저히 감소 되었다. 그 이후로, 집적 회로는 칩 상에 제공되는 반도체 소자의 수가 매 2 년마다 두 배가된다는 것을 의미하는 2년/절반 크기 법칙(소위, 무어의 법칙이라 칭함)을 일반적으로 따르고 있다. 오늘날의 제조 공장들은 0.13 ㎛ 심지어는 0.1 ㎛의 회로선 폭을 갖는 반도체 소자들을 반복적으로 생산하고 있으나, 미래의 공장들은 보다 작아진 크기를 갖는 반도체 소자들을 생산할 것이다.
집적 회로 상의 반도체 소자들의 크기를 더욱 감소시키기 위해서, 인접 금속 라인들 사이의 용량성 결합을 감소시킬 수 있도록 저 유전 상수(κ)를 갖는 절연체를 사용하고 낮은 저항을 갖는 전도체 재료를 사용할 필요가 있다. 저 유전 상수의 절연 필름에서의 최근의 발전 상황은 실리콘(Si), 탄소(C), 및 산소(O) 원자들을 필름으로 결합시키는 것에 초점이 맞춰져 있다. 이러한 분야에 있어서의 하나의 도전은 낮은 유전 상수 값을 가지며 원하는 열적 및 기계적 특성을 나타내는 Si, C, 및 O를 함유하는 필름을 발전시키는데 있다. 종종, 바람직한 유전 상수를 갖는 Si, C, 및 O를 함유하는 필름은 연속적인 후속 공정 중의 플라즈마 노출과 에칭 화학물에 의해 손상되기 쉽고 열악한 기계적 강도를 나타내게 되어, 집적 회로로의 완성에 실패하게 된다.
열적 및 플라즈마 어닐링 공정은 낮은 유전 상수 필름의 특성을 개선시키고자 하는 시도들로 인해 발전 되어 왔다. 열적 및 플라즈마 어닐링 공정은 통상적으로, 낮은 유전 상수 필름이 증착되는 기판 또는 반도체 소자의 다른 성분들에 대한 손상을 방지하도록 약 400℃ 미만의 온도에서 수행된다. 열적 및 플라즈마 어닐링 공정은 Si, C, 및 O를 포함하는 저 유전 상수 필름을 고밀도화시키는 것이 발견되었다. 그러나, 그러한 어닐링 공정은 통상적으로 약 30 분 내지 2 시간 동안 수행되어야 하기 때문에 기판 처리 시간을 상당히 증가시킨다. 또한, 저 유전 상수 필름에 대한 기계적 및 유전체 특성에 대한 추가의 개선이 여전히 요망되고 있다.
따라서, 저 유전 상수 필름의 특성을 개선하기 위해 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 방법에 대한 필요성이 남아 있다.
본 발명은, RF 전력의 존재하에서 실리콘과 탄소를 함유하는 저 유전체 상부 필름을 기판 상에 증착하는 단계; 및 상기 저 유전 상수 필름을 약 5초 이하 동안 소정의 온도로 유지하면서, 약 10℃/초 이상의 속도로 약 600℃ 이상의 소정 온도에서 상기 저 유전 상수 필름을 가열한 후에, 약 10℃/초 이상의 속도로 상기 저 유전 상수 필름을 냉각시키는 공정에 의해 상기 증착된 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 약 0.5 분 내지 약 5분의 시간 주기 내에 가열 및 냉각된다.
일 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 약 25℃ 내지 약 250℃ 범위의 온도로부터 약 600℃ 내지 약 1000℃의 소정의 온도로 가열되며, 여기서 상기 저 유전 상수 필름은 약 5초 이하 동안 소정의 온도에서 가열된 후에 소정의 온도로부터 냉각되며, 약 0.5분 내지 약 5분의 시간 주기 내에서 가열 및 냉각된다.
또한, 본 발명은 저 유전 상수 필름을 약 5초 이하 동안 소정의 온도로 유지하면서 약 10℃/초 이상의 속도로 상기 저 유전 상수 필름을 소정의 온도로 가열하고, 상기 저 유전 상수 필름을 약 10℃/초 이상의 속도로 냉각시키고, 전자 빔 처리 및 UV 방사선 처리로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나 이상의 공정으로 상기 저 유전 상수 필름을 처리함으로써 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 방법을 제공한다.
전술한 본 발명의 특징들이 더 상세히 이해될 수 있도록, 서두에서 간단히 요약한 본 발명에 대한 더욱 상세한 설명을 위해 첨부 도면에 일부가 도시되어 있는 몇몇 실시예들을 참조했다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 본 발명의 통상적인 실시예들이므로 본 발명의 사상을 한정하는 것이라고 이해해서는 않되며 다른 동등한 효과적인 실시예들이 있을 수 있다고 이해해야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 사용될 수 있도록 구성된 예시적인 CVD 반응기의 횡단면도이며,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리(RTP) 챔버의 일부분에 대한 종단면도이며,
도 3은 본 발명에 따른 전자 빔 챔버이다.
본 발명의 실시예들은 저 유전 상수 필름을 기판 상에 증착하고, 약 600℃ 내지 약 1000℃와 같은 소정의 고온으로 상기 저 유전 상수 필름을 급속 가열한 후에 상기 저 유전 상수 필름이 약 5초 이하 동안 상기 소정의 고온에 노출되도록 상기 저 유전 상수 필름을 급속 냉각하는 공정에 의해 상기 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 방법을 제공한다. 바람직하게, 상기 저 유전 상수 필름은 약 1초 이하 동안 상기 소정의 고온에 노출된다. 일 실시예에서, 상기 저 유전 상수 필름을 급속 가열하고 냉각하는 공정은 스파이크(spike) 어닐링 공정이다.
저 유전 상수 필름의 증착
저 유전 상수 필름은 약 4 미만의 유전 상수를 가지며 실리콘과 탄소, 및 바람직하게 산소를 포함한다. 저 유전 상수 필름은 RF 전력의 존재하에서 하나 이상의 유기 실리콘 화합물을 포함하는 혼합물로부터 증착된다. 저 유전 상수 층을 증착하는데 사용되는 하나 이상의 유기 실리콘 화합물은 유기실란, 유기실록산, 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 본 발명에 사용된 용어 "유기 실리콘 화합물"은 유기족에서 탄소 원자를 함유하는 화합물을 지칭하며 고리형 또는 선형일 수 있다. 유기족은 알킬, 알케닐, 사이클로헥세닐, 및 아릴족과 이들의 기능성 유도체를 포함할 수 있다. 바람직하게, 유기 실란 화합물은 탄소 원자가 적합한 처리 조건에서 산화에 의해 쉽게 제거될 수 있도록 실리콘 원자에 부착된 하나 이상의 탄소 원자를 포함한다. 유기 실란 화합물은 바람직하게 하나 이상의 산소 원자를 포함할 수 있다.
적합한 고리형 유기 실란 화합물은 3 개 이상의 실리콘 원자와, 선택적으로 하나 이상의 산소 원자를 갖는 링 구조를 포함한다. 본 발명에 사용될 수 있는 상업적으로 이용가능한 고리형 유기 실란 화합물은 실리콘 원자에 결합된 하나 또는 두 개의 알킬족과 교대하는 실리콘 및 산소 원자를 갖는 링을 포함한다. 몇몇 예시적인 고리형 유기 실란 화합물은 다음과 같다.
적합한 유기 실리콘 화합물은 하나 이상의 실리콘 원자와 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 가지형 구조의 지방족 유기 실리콘 화합물을 포함한다. 유기 실란 화합물은 하나 이상의 산소 원자를 더 포함할 수 있다. 몇몇 예시적인 선형 유기 실리콘 화합물은 다음과 같다.
일 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 RF 전력하에서 하나 이상의 유기 실리콘 화합물과 하나 이상의 산화 가스를 포함하는 혼합물로부터 증착된다. 사용가능한 산화 가스로는 산소(O2), 오존(O3), 질소 산화물(N2O), 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 2,3-부탄 디온(dione), 또는 이들의 조합물이다. 오존이 산화 가스로서 사용될 때, 오존 발생기는 소스 가스 내의 6 중량% 내지 20 중량%, 통상 약 15 중량%의 산소를 오존으로 변환시키며, 나머지는 통상적으로 산소이다. 그러나, 오존 농도는 요구되는 오존량과 사용되는 오존 발생 장비의 형태에 근거하여 증가 또는 감소된다. 산소나 산소 함유 화합물의 용해는 실리콘 함유 화합물의 과도한 용해를 감소시키기 위해 증착 챔버로 유입되기 이전에 마이크로웨이브 챔버 내에서 발생될 수 있다. 바람직하게, RF 전력은 용해를 증가시키기 위해 반응 영역에 가해질 수 있다.
선택적으로, 하나 이상의 유기 실리콘 화합물과 선택적인 하나 이상의 산화 가스 이외에도, 하나 이상의 탄화 수소 화합물이 저 유전 상수 필름을 증착시키기 위한 혼합물에 포함될 수 있다. 사용될 탄화 수소 화합물로는 하나 내지 약 20의 탄소 원자를 갖는 지방족 탄화 수소 화합물이 포함된다. 탄화 수소 화합물은 단결합, 이중 결합, 및 삼중 결합의 임의 조합에 의해 결합되는 인접 탄소 원자들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 화합물로는 에틸렌, 프로필렌, 아세틸렌, 및 부타디엔과 같은, 2 개 내지 약 20개의 탄소 원자를 갖는 알켄 및 알킬렌을 포함한다.
고리형 족(cyclic group)을 갖는 하나 이상의 탄화 수소 화합물도 사용된다. 본 발명에 사용된 용어 "고리형 족"은 링 구조를 지칭하는 의도이다. 링 구조는 3개 정도의 몇몇 원자만을 포함한다. 상기 원자로는 예를 들어, 탄소, 실리콘, 질소, 산소, 불소, 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 고리형 족은 하나 이상의 단결합, 이중 결합, 삼중 결합, 및 이들의 조합 결합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 고리형 족은 하나 이상의 지방족, 아릴, 페닐, 사이클로헥산, 사이클로헥사디엔, 사이클로헵타디엔, 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 고리형 족은 또한 이중 고리 또는 삼중 고리를 포함할 수 있다. 또한, 고리형 족은 바람직하게 선형 또는 가지형 기능족과 결합된다. 선형 또는 가지형 기능족은 바람직하게, 알킬 또는 비닐 알킬족을 포함하며 1 내지 20 개의 탄소 원자를 가진다. 선형 또는 가지형 기능족도 케톤, 에테르, 및 에스테르와 같은 산소 원자를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 고리형 족을 갖는 몇몇 예시적인 탄화수소 화합물은 알파테르핀(ATP), 비닐사이클로헥산(VCH), 및 페닐아세테이트를 포함한다.
선택적으로, 하나 이상의 캐리어 가스가 저 유전 상수 필름을 증착시키는데 사용된 혼합물에 포함될 수 있다. 사용될 캐리어 가스는 아르곤, 헬륨, 이산화탄소, 및 이들의 조합물을 포함한다.
상기 필름은 화학 기상 증착(CVD) 가능한 임의의 프로세싱 챔버를 사용하여 증착될 수 있다. 도 1은 사용가능한 평행판 CVD 프로세싱 챔버(10)의 종단면도이다. 상기 챔버(10)는 고 진공 영역(15) 및 프로세스 가스들을 기판(도시 않음)으로 분산시키는 천공 구멍들을 갖는 가스 분배 매니폴드(11)를 포함한다. 기판은 기판 지지대 판 또는 서셉터(12) 상에 놓여 진다. 서셉터(12)는 서셉터(12)를 리프트 모터(14)에 연결하는 지지대 스템(13) 상에 장착된다. 리프트 모터(14)는 프로세싱 위치와 하부 기판 정전 위치 사이에서 서셉터(12)를 상승 및 하강시킴으로써 서셉터(12)[및 서셉터(12)의 상면 상에 지지된 기판]가 매니폴드(11)에 아주 근접한 상부 프로세싱 위치와 하부 장전(loading)/비장전(off-loading) 위치 사이에서 제어가능하게 이동될 수 있다. 절연체(17)는 서셉터(12)와 기판이 상부 프로세싱 위치에 있을 때 기판과 서셉터(12)를 에워싼다.
매니폴드(11)로 도입되는 가스들은 기판 표면에 걸쳐서 반경 방향으로 균일하게 분포된다. 드로틀 밸브를 갖는 진공 펌프(32)는 챔버(10)로부터 매니폴드(24)를 통해 가스의 배기량을 제어한다. 필요하다면, 증착 및 캐리어 가스들은 가스 라인(18)을 통해 혼합 시스템(19)으로, 그 후에 매니폴드(11)로 유동한다. 일반적으로, 각각의 프로세스 가스 공급 라인(18)은 챔버 내측으로 프로세스 가스의 유동을 자동 또는 수동으로 차단하는데 사용되는 안전 차단 밸브(도시 않음), 및 가스 공급 라인(18)을 통한 가스의 유동을 측정하기 위한 질량 유동 제어기(도시 않음)를 포함한다. 독성 가스가 공정 중에 사용되는 경우에, 종래의 구성에서는 여러 개의 안전 차단 밸브가 각각의 가스 공급 라인(18) 상에 위치된다.
본 발명의 일면에서, 유기 실리콘 화합물이 200 mm 또는 300 mm 기판에 대해 약 100 sccm 내지 약 10,000 sccm의 유량으로 혼합 시스템(19)의 내측으로 유입된다. 선택적인 탄화수소 화합물이 약 100 sccm 내지 약 10,000 sccm의 유량으로 혼합 시스템(19)의 내측으로 유입된다. 선택적인 산화 가스는 약 100 sccm 내지 약 6,000 sccm의 유량을 가진다. 캐리어 가스는 약 100 sccm 내지 약 5,000 sccm의 유량을 가진다. 적합한 실시예에서, 유기 실리콘 화합물은 옥타메틸사이클로테트라실록산이며 탄화수소 화합물은 에틸렌이다.
증착 공정은 바람직하게 플라즈마 강화 공정이다. 플라즈마 강화 공정에 있어서, 제어된 플라즈마가 통상적으로, RF 전력원(25)을 사용하여 가스 분배 매니폴드(11)에 인가된 RF 에너지에 의해 기판에 인접되게 형성된다. 이와는 달리, RF 전력이 서셉터(12)에 제공될 수 있다. 증착 챔버로의 RF 전력은 기판의 가열을 감소시키고 증착된 필름 내에 더욱 큰 다공도를 제공하도록 주기화되거나 펄스화될 수 있다. 200 mm 또는 300 mm 기판에 대한 플라즈마 전력 밀도는 약 0.03 W/㎠ 내지 약 3.2 W/㎠ 범위이며, 이는 200 mm 기판에 대해 약 10 W 내지 약 1,000W, 그리고 300 mm 기판에 대해 약 20 W 내지 약 2,250 W의 RF 전력 레벨과 대응한다. 바람직하게, RF 전력 베벨은 300 mm 기판에 대해 약 200 W 내지 약 1,700 W범위이다.
RF 전력원(25)은 약 0.01 ㎒내지 약 300 ㎒ 범위의 단일 주파수 RF 전력을 공급할 수 있다. 바람직하게, RF 전력은 고 진공 영역(15)의 내측으로 유입되는 반응성 종의 분해를 개선하도록 혼합형, 동기 주파수를 사용하여 분배될 수 있다. 일면에서, 혼합 주파수는 약 12 ㎑의 저 주파수와 약 13.56 m㎐의 고 주파수를 가진다. 다른 일면에서, 저 주파수는 약 300 ㎐ 내지 약 1,000 ㎑ 범위이고 고 주파수는 약 5 m㎐ 내지 약 50 m㎐ 범위이다. 바람직하게, 저 주파수 전력 레벨은 약 150 W이다. 바람직하게, 고 주파수 전력 레벨은 약 200 W 내지 약 750 W, 바람직하게 약 200 W 내지 약 400 W이다.
증착 중에, 기판은 약 -20 ℃ 내지 약 500 ℃, 바람직하게 약 100 ℃ 내지 약 450℃ 범위의 온도로 유지된다. 증착 압력은 통상적으로, 약 1 Torr 내지 약 20 Torr, 바람직하게 약 4 Torr 내지 약 7 Torr 범위이다. 전술한 실시예에 따라 저 유전 상수 층을 증착하는데 사용될 수 있는 예시적인 챔버가 아래에 제공된다.
산화 가스의 원격 분해가 바람직할 때, 프로세싱 챔버(10)로 가스를 유입시키기 이전에 약 50 와트 내지 약 약 6,000와트 범위의 전력을 산화 가스에 입력시키는데 선택적인 마이크로웨이브 챔버(28)가 사용될 수 있다. 추가의 마이크로웨이브 전력으로 산화 가스와의 반응 이전에 유기 실리콘 화합물의 과도한 분해를 피할 수 있다. 유기 실란 화합물과 산화 가스용 분리된 통로를 갖는 가스 분배판(도시 않음)은 마이크로웨이브 전력이 산화 가스에 부가될 때 바람직하다.
통상적으로, 임의의 또는 전체적인 챔버 라이닝, 분배 매니폴드(11), 서셉터(12), 및 다수의 다른 반응로 하드웨어는 알루미늄 또는 양극 산화 처리된 알루미늄과 같은 재료로 제조될 수 있다. 그러한 예시적인 CVD 반응로는 왕 등에게 허여되어 본 발명의 양수인인 어플라이드 머티어리얼스에게 양도되었으며 본 발명과 불일치되지 않는 범위 내에서 본 발명에 참조된, 발명의 명칭이 "실리콘 이산화물의 열적 화학 기상 증착을 위한 열적 CVD/PECVD 반응로와 그 용도 및 인-시튜 다단계 평탄화 공정"인 미국 특허 제 5,000,113호에 설명되어 있다.
시스템 제어기(34)는 제어 라인(36)에 의해 접속되는 모터(14), 가스 혼합 시스템(19) 및 고 주파수 전력원(25)을 제어한다. 시스템 제어기(34)는 CVD 반응로의 활동도를 제어하고 통상적으로, 하드 디스크 드라이브 및 카드 랙을 포함한 다. 카드 랙은 단일 보드 컴퓨터(SBC), 아나로그 및 디지털 입력/출력 보드, 인터페이스 보드, 및 스텝퍼 모터 제어기 보드를 포함한다. 시스템 제어기(34)는 보드, 카드 케이지, 및 제어기의 칫수 및 형태를 규정하는 버사 모듈러 유럽 표준[Versa Modular Europeans(VME) standard]을 만족한다. VME 표준은 또한 16-비트 데이터 및 24-비트 어드레스 버스를 갖는 버스 구조도 규정한다. 시스템 제어기(34)는 하드 디스크 드라이브(38) 상에 저장된 컴퓨터 프로그램의 제어 하에서 작동한다.
본 발명에서 설명하는 저 유전 상수 필름은 실행시, 범용 컴퓨터가 증착 챔버를 제어하게 하는 소프트웨어 루틴을 내장하는 컴퓨터 저장 매체를 사용하여 증착될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 본 발명에 따른 임의의 실시예들에 따른 임의의 필름을 증착하기 위한 명령어를 포함할 수 있다.
저 유전체 필름의 후-처리
저 유전 상수 필름이 증착된 후에, 저 유전 상수 필름은 저 유전 상수 필름을 소정의 고온으로 급속 가열한 후에 저 유전 상수 필름을 급속 냉각하는 공정에 의해 후-처리된다. 소정의 고온은 약 800℃와 같은 약 600℃ 내지 약 1000℃ 범위의 온도일 수 있다. 바람직하게, 저 유전 상수 필름은 적어도 약 10℃/초의 속도로 약 25℃ 내지 약 250℃ 범위의 온도로부터 소정의 고온으로 가열된다. 예를 들어, 저 유전 상수 필름은 약 10℃/초 내지 약 300℃/초 범위의 속도로 가열될 수 있다. 바람직하게, 저 유전 상수 필름은 약 100℃/초 내지 약 300℃/초, 예를 들어 약 250℃/초의 속도로 가열된다. 저 유전 상수 필름이 소정의 온도에 도달한 후에, 저 유전 상수 필름을 가열하는데 사용되는 열원이 꺼지고 저 유전 상수 필름은 약 10℃/초 내지 약 100℃/초의 범위와 같은 적어도 약 10℃/초의 속도로 냉각된다. 저 유전 상수 필름의 냉각은 후-처리 챔버 내의 반사판에 의 존재에 의해 개선될 수 있다. 바람직하게, 냉각 속도는 후-처리 챔버 내의 반사판과 저 유전 상수 필름이 증착되는 기판의 후면을 헬륨과 같은 불활성 가스의 유동에 노출시킴으로써 개선된다. 예를 들어, 기판의 후면은 약 10 sccm 내지 약 500 sccm 범위의 유량을 갖는 헬륨의 유동에 노출될 수 있다. 저 유전 상수 필름이 급속 가열 및 냉각되기 때문에, 저 유전 상수 필름의 가열 초기와 저 유전 상수 필름의 냉각 말기 사이의 시간 길이는 통상적으로 약 0.5분 내지 약 5분이다.
일반적으로, 저 유전 상수 필름은 아르곤, 질소, 헬륨, 산소, 수소, 수증기(H2O), 산화 질소(N2O), 또는 이들의 혼합물을 포함하는 챔버 분위기에서 가열 및 냉각된다. 챔버 압력은 약 100 Torr 내지 약 760 Torr 범위일 수 있다. 챔버 압력은 저 유전 상수 필름의 냉각속도를 변경하도록 조절될 수 있다.
일 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 아르곤 분위기에서 가열 및 냉각된다. 일 실시예에서, 아르곤은 약 10 sccm 내지 약 100 sccm 범위의 유량으로 챔버 내부로 유입된다.
약 5초 이하, 바람직하게 약 1초 이하 동안 소정의 고온으로 저 유전 상수 필름을 급속 가열한 후에 저 유전 상수를 급속 냉각할 수 있는 임의의 챔버가 저 유전 상수 필름을 후-처리하는데 사용될 수 있다. 전술한 실시예들에 따라 저 유전 상수 필름을 후-처리하는데 사용될 수 있는 예시적인 챔버가 아래에 제공된다.
사용 가능한 하나의 챔버는 미국 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이션에 의해 이용가능한 래디언스(Radiance:등록 상표) RTP 챔버이다. 도 2는 래디언스 RTP 챔버의 실시예인 챔버(200)를 도시한다. 도 2에 도시한 챔버(200)는 측벽(214)과 바닥 벽(215)에 의해 둘러싸인 프로세스 영역(213)을 도시한다. 챔버(200)의 측벽(214)의 상부는 "O" 형 링(216)에 의해 윈도우에 대해 밀봉된다.
기판 또는 웨이퍼(261)가 통상적으로 실리콘 탄화물로 제조되는 지지 링(262)에 의해 에지 내측 영역(213) 상에 지지된다. 지지 링(262)은 회전 가능한 석영 실린더(263) 상에 장착된다. 석영 실린더(263)의 회전에 의해 지리 링(262)과 웨이퍼(261)가 회전된다. 추가의 실리콘 탄화물 어댑터 링이 사용되어서 다른 치수(예를 들어, 150 mm, 200mm 및 300mm)의 웨이퍼가 처리될 수 있게 한다. 지지 링(262)의 외측 에지는 바람직하게 웨이퍼(261)의 외경으로부터 약 2인치 미만으로 연장된다. 챔버(200)의 부피는 300mm 웨이퍼에 대해 약 9 리터이다.
챔버(200)는 프로세스 가스를 영역(213)으로 분사하여 다양한 처리 단계가 영역(213)에서 수행될 수 있게 하는, 측벽(214)을 관통 형성되는 가스 입구(269)를 포함한다. 가스 입구(269)의 대향 측면에 있는 측벽(214)에 위치된 것은 가스 출구(268)이다. 가스 출구(268)는 펌프와 같은 진공원(286)에 연결되어서, 프로세스 가스를 챔버(200)로부터 배기시키고 챔버(200) 내의 압력을 감소시킨다. 진공 원(286)은 프로세스 가스가 처리 중에 챔버의 내측으로 공급되는 동안에 소정의 압력을 유지한다.
복사 에너지 조립체(218)는 윈도우(248) 위에 위치된다. 복사 에너지 조립체(218)는 복수의 텅스텐 할로겐 램프(219), 예를 들어 실바니아 이와티 램프(Sylvania EYT lamp)를 포함하며, 이들 각각은 스테인레스 스틸, 금, 청동, 알루미늄 또는 기타 재료일 수 있는 광 파이프(221)의 내측에 장착된다. 램프(219)는 램프 외피의 축선에 평행한 축선을 갖는 코일로서 감긴 필라멘트를 포함한다. 대부분은 광은 광 파이프(221)를 에워싸는 벽을 향해서 상기 축선에 수직하게 방출된다. 광 파이프 길이는 적어도 관련 램프보다 길게 선택된다. 광 파이프(221)는 웨이퍼에 도달하는 파워가 증가된 반사에 의해 실질적으로 증폭되지 않으면 보다 길어질 수 있다. 램프(219)는 "벌집 형상체" 또는 육각형 배열로 위치될 수 있다. 램프(219)는 웨이퍼(261)와 지지 링(262)의 전체 표면적을 적절히 덮도록 위치된다. (수백 개 정도일 수 있는)램프(219)는 공정에 따라 바람직한 형태로 웨이퍼(261)를 극히 균일하거나 불균일한 가열을 제공하도록 독립적으로 제어될 수 있는 영역에서 그룹을 이루고 있다.
복수의 광 파이프(221)와 관련 램프(219)를 포함하는 복사 에너지원(218)은 진공 프로세싱 챔버 내에서 기판을 가열하기 위한 광 포트를 제공하도록 석영 윈도우(248)의 사용을 가능하게 한다. 윈도우(248)의 주 목적은 램프(219)와 프로세싱 환경을 격리시키는 것인데, 그 이유는 램프(219)가 너무 뜨거워지면 프로세스 가스들과 반응하기 때문이다. 광 파이프(221)는 다양한 광 파이프들 사이로 물과 같은 냉각제를 유동시킴으로써 냉각될 수 있다.
복사 에너지원(218)이 복수의 텅스텐 할로겐 램프(219)를 포함하는 것으로서 설명하였지만, 다른 실시예에서는 복사 에너지원(218)은 자외선 램프를 포함한다.
챔버(200)의 바닥 벽(215)은 에너지를 웨이퍼(261)의 후면 상에 반사시키기 위한 상부면(211)을 포함한다. 또한, 챔버(200)는 바닥 표면을 가로지르는 복수의 위치에서 웨이퍼(261)의 온도를 검출하도록 챔버(200)의 바닥 벽(215)을 관통해 위치되는 복수의 광학 온도 탐침(270)을 포함한다. 실리콘 웨이퍼(261)의 후면과 반사면(211) 사이의 반사는 웨이퍼 후면 방사율에 무관하게 온도 측정을 하는 흑체 공동(blackbody cavity)을 형성함으로써 정확한 온도 측정 능력을 제공한다.
일 실시예에서, 반사면(211)은 파장 0.7 내지 0.96 nm에서, 그리고 복사 에너지 조립체에 의해 방출되는 다른 파장에서 반사 성질을 갖는 흡수 반사기 판의 형태이다. 반사기 판의 흡수 특성은 저 유전 상수 필름의 냉각 속도를 개선한다. 저 유전 상수 필름의 냉각 속도는 반사기 판의 에지 주위로 또는 반사기 판 내의 구멍을 통해 기판의 후면으로 불활성 가스를 유입시키는 것과 같이, 저 유전 상수 필름이 증착되는 기판을 불활성 가스의 유동에 노출시킴으로써 더욱 개선될 수 있다.
챔버(200)는 (도시 않은) 제어 시스템에 의해 작동된다. 제어 시스템은 다수의 제어기, 프로세서 및 입력/출력 장치를 포함한다. 일 실시예에서, 제어 시스템은 기판을 처리하는 동안에 프로세스 챔버(200) 내의 다수의 변수들을 모니터링하여 다수의 설정점들에 따라 필요한 조절을 수행하는 폐루프 피이드백 시스템 성분이다. 일반적으로, 모니터링될 변수들은 온도, 압력, 및 가스 유량을 포함한다.
다른 실시예에서, 저 유전 상수 필름의 후-처리는 저 유전 상수 필름을 소정의 고온으로 급속 가열하는 단계, 저 유전 상수 필름을 상기 소정의 고온으로부터 급속 냉각하는 단계, 및 저 유전 상수 필름을 전자 빔 처리에 의해 처리하는 단계를 포함한다. 저 유전 상수 필름은 급속 가열 및 냉각 이전 또는 이후에 전자 빔 처리에 의해 처리될 수 있다.
전자 빔(e-beam) 처리는 통상적으로, 약 1 내지 20 킬로일렉트론 볼트(KeV)에서 제곱 센티미터당 약 50 내지 약 2000 마이크로 컬럼(μc/㎠) 범위의 1회 조사량(dose)을 가진다. 전자 빔 전류는 통상적으로, 약 1 ㎃ 내지 약 40 ㎃ 범위, 바람직하게 약 1 내지 약 20 ㎃ 범위이다. 전자 빔 처리는 통상적으로 약 실온 내지 약 450℃에서 약 10 초 내지 약 15 분 동안 작동한다. 일면에서, 전자 빔은 약 1 마이크론 두께를 갖는 필름을 처리하기 위해 약 15 내지 약 30초 동안에 6 ㎸, 10 내지 18㎃ 및 50 μc/㎠의 처리 조건을 포함한다. 다른 일면에서, 전자 빔은 약 5000Å 두께를 갖는 필름을 처리하기 위해 약 15 내지 약 30초 동안에 4.5 ㎸, 10 내지 18㎃ 및 50 μc/㎠의 처리 조건을 포함한다. 아르곤 또는 수소가 전자 빔 처리 동안에 존재할 수 있다. 어떤 전자 빔 장치도 사용될 수 있지만, 하나의 예시적인 장치는 어플라이드 머티리얼스 인코포레이티드로부터 이용가능한 EBK 챔버이다. 저 유전 상수 필름이 증착된 후에 전자 빔으로 저 유전 상수 필름의 처리로 필름 내부의 유기 족의 적어도 일부를 증발시킴으로써 필름 내에 공동을 형성할 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 챔버(300)를 도시한다. 전자 빔 챔버(300)는 진공 챔버(320), 대형 캐소드(322), 필드-프리(field-free) 영역(338) 내에 위치되는 타겟 평면(330), 타겟 평면(330)과 대형 캐소드(322) 사이에 위치되는 그리드 애노드(326)를 포함한다. 전자 빔 챔버(300)는 고전압 절연체(324) 및 대형 캐소드(322)로부터 그리드 애노드(326)를 고립시키는 가속 필드 영역(336), 진공 챔버(320)의 외측에 위치되는 캐소드 커버 절연체(328), 진공 챔버(320) 내측의 압력을 제어하기 위한 가변 누설 밸브(leak valve; 332), 대형 캐소드(322)에 연결되는 가변 고전압 전력원(329), 및 그리드 애노드(326)에 연결되는 가변 저전압 전력원(331)을 포함한다.
작동시, 전자 빔에 노출될 저 유전 상수 필름을 상부에 갖는 (도시 않은)기판이 타겟 평면(330) 상에 놓인다. 진공 챔버(320)는 대기압으로부터 약 1 mTorr 내지 약 200 mTorr 범위의 압력으로 펌핑된다. 정확한 압력은 약 0.1 mTorr의 압력으로 제어할 수 있는 가변 누설 밸브(332)에 의해 제어된다. 전자 빔은 일반적으로 고 전압 전력원(329)에 의해 대형 캐소드(322)에 인가되는 충분히 높은 전압에서 발생된다. 전압은 약 -500볼트 내지 약 30,000볼트 이상의 범위일 수 있다. 고 전압 전력원(329)은 미국 뉴욕 힉빌리 소재의 베르탄(Bertan)에 의해 제작된 베르탄 모델 #105-30R, 또는 미국 뉴욕 하우포지(Hauppauge) 소재의 스펠맨 하이 볼테이지 일렉트로닉스 코포레이션에 의해 제작된 스펠맨 모델 #SL30N-1200X258일 수 있다. 가변 저전압 전력원(331)은 대형 캐소드(322)에 인가되는 전압에 대해 양의 전압을 그리드 애노드(326)에 인가한다. 이들 전압은 대형 캐소드(322)로부터의 전자 방출을 제어하는데 사용된다. 가변 저 전압 전력원(331)은 미국 펜실베니아 이스톤 소재의 아코피언(Acopian)으로부터 이용가능한 아코피언 모델 #150PT12 전력원일 수 있다.
전자 빔 챔버(300)의 다른 세부 사항은 윌리암 알. 리베세이에게 허여되어 (현재 본 발명의 양수인의 소유인)일렉트론 비젼 코포레이션에게 양도되었으며 본 발명에 불일치됨이 없는 한 본 발명에 참조된, 발명의 명칭이 "대형 균일 전자 소스"인 미국 특허 제 5,003,178호이다.
다른 실시예에서, 저 유전 상수 필름의 후-처리는 저 유전 상수 필름을 소정의 고온으로 급속 가열하는 단계, 저 유전체 상부 필름을 소정의 고온으로 급속 냉각하는 단계, 및 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계를 포함한다. 바람직하게, 저 유전 상수 필름은 저 유전 상수 필름의 급속 가열 및/또는 냉각 단계 중의 적어도 일부와 동시에 UV 방사선으로 처리된다. 그러나, 저 유전 상수 필름은 저 유전 상수 필름이 급속 가열되고 냉각되는 이전 또는 이후에 UV로 처리될 수 있다. 저 유전 상수 필름이 급속 가열되고 냉각되는 이전 또는 이후에 저 유전 상수 필름이 UV로 처리되는 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 UV 방사선 처리 중에 약 200℃ 내지 약 600℃ 범위의 온도에서 가열된다. 예를 들어, 저 유전 상수 필름은 UV 소스를 갖는 노와 같은 챔버 내에서 UV 방사선에 노출될 수 있다. 챔버는 UV 방사선 처리 중에 진공 또는 대기압을 가질 수 있다.
저 유전 상수 필름은 하나 이상의 UV 방사선 파장에 노출될 수 있다. 저 유전 상수 필름을 UV 방사선에 노출시키는데 사용될 수 있는 챔버 및 방법의 예들이 공동 양도되어 본 발명에 참조된 미국 특허 제 6,614,181호에 제공되어 있다.
또 다른 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 저 유전 상수 필름을 급속 가열 및 냉각시키는 단계, 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계, 및 저 유전 상수 필름을 전자 빔으로 처리하는 단계를 포함하는 방법에 의해 후-처리된다. 후-처리 공정은 임의의 순서로 수행될 수 있다. 그러나, 바람직하게 저 유전 상수 필름은 본 발명에 설명된 실시예들에 따라 저 유전 상수 필름을 급속 가열 및 냉각하는 단계와 동시에, 저 유전 상수 필름을 UV 조사하는 한 후에 저 유전 상수 필름을 전자 빔으로 처리하는 단계에 의해 후-처리된다.
저 유전 상수 필름을 급속 가열 및 냉각하는 단계, 및 저 유전 상수 필름을 UV 조사하고 전자 빔으로 처리하는 단계를 포함하는 후-처리는 저 유전 상수 필름의 특성을 개선하는 것으로 여겨진다. 예를 들어, 급속 가열 및 냉각 단계 및 UV 조사 단계를 포함하는 후-처리는 증착된 필름의 유전 상수를 낮추는 것으로 여겨진다. 급속 가열 및 냉각 단계, 전자 빔 처리 단계, 및 선택적인 UV 조사 단계를 포함하는 후-처리 단계는 증착된 필름의 유전 상수를 낮추며 필름의 경도와 모듈러스를 증가시키는 것으로 여겨진다.
본 발명에 기술된 임의의 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 어플라이드 머티리얼스, 인코포레이트로부터 이용가능한 센츄라(등록상표) 또는 프로듀서(등록상표) 플랫폼과 같은 통합 프로세싱 시스템 내에서 증착 및 후-처리될 수 있다. 따라서, 저 유전 상수 필름은 필름은 대기에 노출됨이 없이 증착 및 후-처리될 수 있다. 하나 이상의 후-처리 단계가 수행되는 실시예에서, 저 유전 상수 필름은 상이한 후-처리 공정들 사이에서 대기로부터 보호될 수 있다. 예를 들어, 저 유전 상수 필름은 급속 가열 및 냉각 단계와 전자 빔 처리 단계 사이에 대기에 노출됨이 없이, 급속 가열 및 냉각된 후에, 그리고 선택적으로 다른 챔버 내에서 UV 조사된 후에 전자 빔 챔버로 이송될 수 있다.
다음 예들은 상부에 증착된 저 유전 상수 필름을 갖는 기판의 처리 방법을 예증한다. 필름들은 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드에 의해 이용가능한 프로듀서(등록상표) CVD 챔버를 사용하여 300mm 기판 상에 증착된다.
비교예
1
실리콘, 탄소 및 산소를 포함하는 저 유전 상수 필름이 OMCTS, 트리메틸실란, 및 에틸렌을 포함하는 가스 혼합물로부터 기판 상에 증착되었다. OMCTS는 520 sccm의 유량으로 챔버의 내측으로 유입되며, 트리메틸실란은 300 sccm의 유량으로 챔버 내측으로 유입되며, 에틸렌은 2200 sccm의 유량으로 챔버 내측으로 유입된다. 헬륨은 1000 sccm의 유량으로 챔버의 내측으로 유입되며, 산소는 1000 sccm의 유량으로 챔버의 내측으로 유입된다. 필름은 13.56 ㎒의 800와트 RF 전력을 사용하여 5.7 Torr의 압력 및 400℃에서 20초동안 증착되었다. 증착되었을 때, 저 유전 상수 필름은 5,043Å의 두께, 2.77의 유전 상수, 및 0.59 gPa의 경도를 가진다.
비교예
2
저 유전 상수 필름이 비교예 1에 설명된 대로 기판 상에 증착되었다. 저 유전 상수 필름은 1분 동안 800℃의 온도에서 저 유전 상수 필름을 열적으로 어닐링함으로써 후-처리되었다. 증착되었을 때, 저 유전 상수 필름은 5,085Å의 두께를 가진다. 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 4,463Å의 두께를 가진다(수축률 12.2%). 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 3.35의 유전 상수와 1.82 gPa의 경도를 가진다.
비교예
3
저 유전 상수 필름이 비교예 1에 설명된 대로 기판 상에 증착되었다. 저 유전 상수 필름은 3 mA의 전류, 4.5 kV에서 100 μc/㎠의 도우즈량, 및 400℃의 온도에서 전자 빔 처리에 의해 후-처리되었다. 증착되었을 때, 저 유전 상수 필름은 5,074Å의 두께를 가진다. 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 4,763Å의 두께를 가진다(수축률 6.1%). 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 2.74의 유전 상수와 1.14 gPa의 경도를 가진다.
예 1
저 유전 상수 필름이 비교예 1에 설명된 대로 기판 상에 증착되었다. 저 유전 상수 필름은 실온으로부터 800℃의 온도로 급속 가열된 후에 상기 저 유전 상수 필름을 120 ℃로 급속 냉각시킴으로써 상기 필름이 30초 이내에 가열 및 냉각될 수 있도록 래디언스(등록상표) RTP 챔버에서 후-처리 되었다. 증착되었을 때, 저 유전 상수 필름은 5,036Å의 두께를 가진다. 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 5,021Å의 두께를 가진다(수축률 0.3%). 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 2.53의 유전 상수와 0.62 gPa의 경도를 가진다.
예 2
저 유전 상수 필름이 비교예 1에 설명된 대로 기판 상에 증착되었다. 저 유전 상수 필름은 실온으로부터 800℃의 온도로 급속 가열된 후에 즉시 상기 저 유전 상수 필름을 120 ℃로 급속 냉각시킴으로써 상기 필름이 30초 이내에 가열 및 냉각될 수 있도록 래디언스(등록상표) RTP 챔버에서 후-처리 되었다. 증착되었을 때, 저 유전 상수 필름은 5,011Å의 두께를 가진다. 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 4,996Å의 두께를 가진다(수축률 0.3%). 후-처리 후에, 저 유전 상수 필름은 2.44의 유전 상수를 가진다.
예 1 과 예 2는 전술한 본 발명의 실시예에 따른 저 유전 상수 필름을 급속 가열 및 냉각함으로써 저 유전 상수 필름을 후-처리한 결과 후-처리 되지 않은 필름 또는 전자 빔이나 종래의 어닐링 공정에 의해 후-처리 된 필름들보다 낮은 유전 상수를 갖는다는 것을 보여준다. 이는 본 발명에 따라 후-처리된 필름의 낮은 유전 상수는 저 유전 상수 필름의 후-처리시 저 유전 상수 필름으로부터 유기 족과 같은 프로젠(progens)의 방출에 의해 달성되는 것으로 여겨진다.
예 1은 본 발명의 실시예들에 따른 저 유전 상수 필름의 급속 가열 및 냉각이 증착된 필름의 경도에 실질적으로 영향을 끼치지 않는다는 것도 입증한다. 예 1 및 예 2는 또한 본 발명에 따른 저 유전 상수 필름의 후-처리가 다른 후-처리 공정보다도 수축률을 적게 한다는 것도 입증하고 있다.
따라서, 본 발명의 실시예들은 필름의 경도를 감소시킴이 없이 유전 상수를 낮추며 후-처리에 의해 필름 수축률을 최소화할 수 있는 저 유전 상수 필름의 후-처리 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 급속 가열 및 냉각의 다른 장점들은 본 발명에 따라 처리되는 기판들에 대한 낮은 열 목표값과 신속한 후-처리 공정으로 인한 높은 기판 생산력을 제공한다는 점이다.
본 발명의 실시예들에 대해 전술하였지만, 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 본 발명의 기본 사상으로부터 벗어남이 없이 고려될 수 있으며 본 발명의 사상은 다음의 청구의 범위에 의해 결정된다.
Claims (20)
- 기판 처리 방법으로서,RF 전력의 존재하에 실리콘과 탄소를 함유하는 저 유전 상수 필름을 기판상에 증착하는 단계, 및적어도 10℃/초의 속도로 상기 저 유전 상수 필름을 적어도 600℃의 소정의(desired) 온도로 가열하는 단계 ―상기 저 유전 상수 필름은 5초 이하 동안 상기 소정의 온도로 유지됨―; 및이후에, 10℃/초 이상의 속도로 상기 저 유전 상수 필름을 냉각하는 단계를 포함하는 공정에 의해 상기 증착된 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 저 유전 상수 필름의 유전 상수를 낮추기에 충분한 조건하에서 수행되는, 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름은 10 ℃/초 내지 300 ℃/초의 속도로 가열되고 10 ℃/초 내지 100 ℃/초의 속도로 냉각되는, 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름을 가열하는 단계 및 냉각하는 단계를 포함하는 상기 공정은 상기 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계와 동시에 수행되는, 기판 처리 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 전자 빔으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름은 상기 저 유전 상수 필름이 상기 저 유전 상수 필름을 가열하는 단계와 전자 빔으로 처리하는 단계 사이에서 대기에 노출되지 않도록 통합 처리 시스템에서 후-처리되는, 기판 처리 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름을 가열하는 단계 및 냉각하는 단계를 포함하는 상기 공정 및 상기 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계는 순차적으로 수행되는, 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 전자 빔으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름은 상기 저 유전 상수 필름이 상기 저 유전 상수 필름을 가열하는 단계와 전자 빔으로 처리하는 단계 사이에서 대기에 노출되지 않도록 통합 처리 시스템에서 후-처리되는, 기판 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름은 산소를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 기판 처리 방법으로서,RF 전력의 존재하에 실리콘과 탄소를 포함하는 저 유전 상수 필름을 기판상에 증착하는 단계, 및상기 저 유전 상수 필름을 25℃ 내지 250℃의 온도로부터 600℃ 내지 1000℃의 온도로 가열하는 단계 ― 상기 저 유전 상수 필름은 5초 이하 동안 600℃ 내지 1000℃의 온도로 가열됨―; 및이후에, 600℃ 내지 1000℃의 온도로부터 상기 저 유전 상수 필름을 냉각하는 단계 ―상기 저 유전 상수 필름은 0.5분 내지 5분의 시간 주기 내에서 가열 및 냉각됨―를 포함하는 공정에 의해 상기 증착된 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름은 10 ℃/초 내지 300 ℃/초의 속도로 가열되고 10 ℃/초 내지 100 ℃/초의 속도로 냉각되는, 기판 처리 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 전자 빔으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름을 냉각하는 단계는 상기 기판을 후면 가스에 노출시키는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
- 기판 처리 방법으로서,RF 전력의 존재하에 실리콘과 탄소를 포함하는 저 유전 상수 필름을 기판상에 증착하는 단계, 및상기 저 유전 상수 필름을 적어도 10℃/초의 속도로 소정의(desired) 온도로 가열하는 단계 ― 상기 저 유전 상수 필름은 5초 이하 동안 상기 소정의 온도로 유지됨―;및적어도 10℃/초의 속도로 상기 저 유전 상수 필름을 냉각하는 단계 ―상기 저 유전 상수 필름은 0.5분 내지 5분의 시간 주기 내에서 가열 및 냉각됨―를 포함하는 공정에 의해 증착된 상기 저 유전 상수 필름을 후-처리하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 저 유전 상수 필름은 25℃ 내지 250℃의 온도로부터 가열되며, 상기 소정의 온도는 800℃ 내지 900℃인, 기판 처리 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 UV 방사선으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 후-처리하는 단계는 상기 저 유전 상수 필름을 전자 빔으로 처리하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
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---|---|---|---|---|
WO2003008941A2 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Combined molecular blinding detection through force microscopy and mass spectrometry |
US8951342B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-02-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films |
US20080268177A1 (en) * | 2002-05-17 | 2008-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants |
US9061317B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-06-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US6936551B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US7060330B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming ultra low k films using electron beam |
JP2006013289A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
US20060035477A1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | Karen Mai | Methods and systems for rapid thermal processing |
US7972441B2 (en) * | 2005-04-05 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal oxidation of silicon using ozone |
US20070134435A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Ahn Sang H | Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films |
US20070173071A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | International Business Machines Corporation | SiCOH dielectric |
US20090107527A1 (en) * | 2007-10-31 | 2009-04-30 | United Microelectronics Corp. | Method of cleaning transparent device in a thermal process apparatus, thermal process apparatus and process using the same thermal process apparatus |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US8703624B2 (en) * | 2009-03-13 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric films comprising silicon and methods for making same |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US20120285621A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
CN103121856B (zh) * | 2011-07-25 | 2014-08-13 | 重庆文理学院 | 一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法 |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
JP2014099541A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 低誘電率誘電膜の形成方法、形成装置及びポロジェンの脱離方法 |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US8735204B1 (en) | 2013-01-17 | 2014-05-27 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Contact formation and gettering of precipitated impurities by multiple firing during semiconductor device fabrication |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US8895416B2 (en) * | 2013-03-11 | 2014-11-25 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Semiconductor device PN junction fabrication using optical processing of amorphous semiconductor material |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9947576B2 (en) * | 2015-07-13 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | UV-assisted material injection into porous films |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
TWI728456B (zh) | 2018-09-11 | 2021-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 相對於基板的薄膜沉積方法 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
US11348784B2 (en) | 2019-08-12 | 2022-05-31 | Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd | Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566278B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation |
US20040002226A1 (en) | 2002-07-01 | 2004-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a nitrided silicon-oxide gate dielectric |
US20060033999A1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-16 | Microsoft Corporation | Real-time wide-angle image correction system and method for computer image viewing |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5003178A (en) | 1988-11-14 | 1991-03-26 | Electron Vision Corporation | Large-area uniform electron source |
US6607991B1 (en) | 1995-05-08 | 2003-08-19 | Electron Vision Corporation | Method for curing spin-on dielectric films utilizing electron beam radiation |
JPH09237785A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5804259A (en) * | 1996-11-07 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film |
US6080526A (en) | 1997-03-24 | 2000-06-27 | Alliedsignal Inc. | Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation |
US6500740B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-12-31 | Agere Systems Inc. | Process for fabricating semiconductor devices in which the distribution of dopants is controlled |
US6030904A (en) * | 1997-08-21 | 2000-02-29 | International Business Machines Corporation | Stabilization of low-k carbon-based dielectrics |
US6033999A (en) | 1998-02-02 | 2000-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of solving contact oblique problems of an ILD layer using a rapid thermal anneal |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6025279A (en) | 1998-05-29 | 2000-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of reducing nitride and oxide peeling after planarization using an anneal |
US6383951B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication |
US6204201B1 (en) | 1999-06-11 | 2001-03-20 | Electron Vision Corporation | Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing |
US6133086A (en) | 1999-06-24 | 2000-10-17 | United Microelectronics Corp. | Fabrication method of a tantalum pentoxide dielectric layer for a DRAM capacitor |
EP1123991A3 (en) * | 2000-02-08 | 2002-11-13 | Asm Japan K.K. | Low dielectric constant materials and processes |
US6582777B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Electron beam modification of CVD deposited low dielectric constant materials |
US6444136B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-09-03 | Newport Fab, Llc | Fabrication of improved low-k dielectric structures |
US6614181B1 (en) | 2000-08-23 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | UV radiation source for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films |
US6437406B1 (en) | 2000-10-19 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Super-halo formation in FETs |
US6790789B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made |
US6607980B2 (en) | 2001-02-12 | 2003-08-19 | Symetrix Corporation | Rapid-temperature pulsing anneal method at low temperature for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same |
US6303524B1 (en) | 2001-02-20 | 2001-10-16 | Mattson Thermal Products Inc. | High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques |
US6764940B1 (en) * | 2001-03-13 | 2004-07-20 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications |
US20020162500A1 (en) | 2001-05-02 | 2002-11-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten silicide films |
US20030054115A1 (en) | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Ralph Albano | Ultraviolet curing process for porous low-K materials |
US6800833B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-10-05 | Mariusch Gregor | Electromagnetically levitated substrate support |
US7060330B2 (en) | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming ultra low k films using electron beam |
EP1504138A2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method for using low dielectric constant film by electron beam |
US20040101632A1 (en) | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method for curing low dielectric constant film by electron beam |
US6936551B2 (en) | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US6586297B1 (en) | 2002-06-01 | 2003-07-01 | Newport Fab, Llc | Method for integrating a metastable base into a high-performance HBT and related structure |
US6846756B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for preventing low-k dielectric layer cracking in multi-layered dual damascene metallization layers |
US7404990B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
US6927169B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-08-09 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus to improve thickness uniformity of surfaces for integrated device manufacturing |
US6737365B1 (en) | 2003-03-24 | 2004-05-18 | Intel Corporation | Forming a porous dielectric layer |
US7622399B2 (en) | 2003-09-23 | 2009-11-24 | Silecs Oy | Method of forming low-k dielectrics using a rapid curing process |
-
2004
- 2004-04-21 US US10/830,203 patent/US7018941B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-27 JP JP2007509459A patent/JP4769344B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 CN CNB2005800127783A patent/CN100472733C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 KR KR1020067024006A patent/KR101046530B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 WO PCT/US2005/002927 patent/WO2005109484A1/en active Application Filing
- 2005-02-03 TW TW094103444A patent/TWI374498B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566278B1 (en) * | 2000-08-24 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation |
US20060033999A1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-16 | Microsoft Corporation | Real-time wide-angle image correction system and method for computer image viewing |
US20040002226A1 (en) | 2002-07-01 | 2004-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a nitrided silicon-oxide gate dielectric |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US7018941B2 (en) | 2006-03-28 |
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