JP4769344B2 - 低k誘電体膜の後処理 - Google Patents

低k誘電体膜の後処理 Download PDF

Info

Publication number
JP4769344B2
JP4769344B2 JP2007509459A JP2007509459A JP4769344B2 JP 4769344 B2 JP4769344 B2 JP 4769344B2 JP 2007509459 A JP2007509459 A JP 2007509459A JP 2007509459 A JP2007509459 A JP 2007509459A JP 4769344 B2 JP4769344 B2 JP 4769344B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric constant
low dielectric
constant film
post
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007509459A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007534174A (ja
Inventor
ズヘンジアング クイ
ジョセフィン ジェイ チャング
アレックサンドロス ティー デモス
レザ アルガバニ
デレック アール ウィティー
ヘレン アール アルメル
ギリシュ エイ ディキシット
ヒチェム マサード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2007534174A publication Critical patent/JP2007534174A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4769344B2 publication Critical patent/JP4769344B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31633Deposition of carbon doped silicon oxide, e.g. SiOC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02348Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02351Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to corpuscular radiation, e.g. exposure to electrons, alpha-particles, protons or ions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

発明の分野
本発明は集積回路の製造に関する。更に詳細には、本発明の実施形態は低誘電率膜を堆積及び後処理するための方法に関する。
関連技術の説明
半導体デバイスの形状は、数十年前にそのようなデバイスが初めて導入されて以来、そのサイズにおいて劇的な縮小を見せてきた。それ以来、集積回路は概して2年/半分のサイズという法則(しばしばムーアの法則と呼ばれる)に従ってきており、これはチップ上に取り付けることの可能なデバイスの数が2年毎に2倍になることを意味している。今日の製造プラントは0.13μm、更には0.1μmものフィーチャサイズを有するデバイスを日常的に製造しており、更に小さな形状のデバイスが製造される日は目の前である。
集積回路のデバイスのサイズを更に縮小するために、抵抗率の低い導電材料を用い、隣接する金属ライン間の容量結合を低下させるために誘電率(k)が低い絶縁体を使用することが必要になってきている。低誘電率の絶縁膜における近年の開発は、ケイ素(Si)、炭素(C)、酸素(O)原子を膜に組み込むことに焦点を当てている。この分野における課題は、低k値及び望ましい熱及び機械的な特性を有するSi、C、O含有膜を開発することであった。望ましい誘電率を有するSi、C、O含有膜の機械強度は低く、化学エッチング及びそれに続く処理におけるプラズマ照射によって容易に損傷を受け、集積回路の故障を引き起こすことが多い。
低誘電率膜の特性を改善する試みの中で、熱及びプラズマアニール処理が開発された。熱及びプラズマアニール処理は、その上に低誘電率膜を堆積する基板もしくはデバイスのその他の構成部品への損傷を防止するために、典型的には約400℃未満の温度で行われてきた。熱及びプラズマアニール処理によって、Si、C、Oを含有する低誘電率膜を高密度化できることが知られている。しかしながら、こういったアニール処理は典型的には約30分〜2時間行われるため、基板処理時間が著しく延びる。また、低誘電率膜の機械特性及び誘電特性の更なる向上が依然として求められいてる。
よって、低誘電率膜を後処理してその性質を向上させるための方法への需要が依然としてある。
発明の概要
本発明の実施形態は基板の処理方法を提供し、ケイ素と炭素を含む低誘電率膜をRFパワーの存在下で基板上に堆積し、堆積させた低誘電率膜を少なくとも約600℃の所望の温度に少なくとも約10℃/秒の速度で加熱し、この所望の温度で低誘電率膜を維持する時間は約5秒以下であり、低誘電率膜を少なくとも約10℃/秒の速度で冷却することを含む工程によって後処理することとを含む。一実施形態において、低誘電率膜の加熱及び冷却は約0.5分〜約5分内に行われる。
一実施形態において、低誘電率膜は約25℃〜約250℃から約600℃〜約1000℃の所望の温度にまで加熱され、その所望の温度で低誘電率膜が加熱される時間は約5秒以下であり、その所望の温度から冷却される。低誘電率膜の加熱及び冷却は約0.5分〜約5分以内に行われる。
本発明の別の実施形態は、低誘電率膜を所望の温度まで少なくとも約10℃/秒の速度で加熱し、その所望の温度で低誘電率膜を維持する時間は約5秒以下であり、低誘電率膜を少なくとも約10℃/秒の速度で冷却し、電子ビーム処理及び紫外線処理から構成される群から選択された1つ以上の処理によって低誘電率膜を処理することで後処理することを含む。
好ましい実施形態の詳細な説明
本発明の実施形態は、基板上に低誘電率膜を堆積し、低誘電率膜を例えば約600℃〜約1000℃の所望の高温にまで急速に加熱し、低誘電率膜がその所望の高温に露出される時間が約5秒以下になるように低誘電率膜を急速に冷却することを含む工程によって後処理する方法を提供するものである。好ましくは、低誘電率膜をその所望の高温に露出する時間は約1秒以下である。一態様において、低誘電率膜を急速に加熱及び冷却する工程はスパイクアニール処理である。

低誘電率膜の堆積
低誘電率膜の誘電率は約4未満であり、ケイ素、炭素及び好ましくは酸素を含む。低誘電率膜は1つ以上の有機ケイ素化合物を含む混合物から、RFパワーの存在下で堆積される。低誘電率層を堆積するために使用する1以上の有機ケイ素化合物はオルガノシラン、オルガノシロキサン又はその組み合わせであってもよい。ここで使用の「有機ケイ素化合物」という用語は有機基に炭素原子を含む化合物を示すものとし、環式化合物又は直鎖化合物である。有機基には、その官能基誘導体に加えてアルキル、アルケニル、シクロヘキセニル、アリール基が含まれる。有機ケイ素化合物は、適切な処理条件下において酸化によって炭素原子がすぐに除去されないようにケイ素原子に結合させた1つ以上の炭素原子を含むことが好ましい。また、有機ケイ素化合物は好ましくは1つ以上の酸素原子を含む。
適切な環式有機ケイ素化合物は3つ以上のケイ素原子、及び任意で1つ以上の酸素原子を有する環状構造を含む。使用し得る市販の環式有機ケイ素化合物は、ケイ素と酸素原子を交互に有し、1つ又は2つのアルキル基がケイ素原子に結合している環を含む。例示的な環式有機ケイ素化合物は以下のものを含む。
1,3,5−トリシラノ−2,4,6−トリメチレン、-(-SiH2CH2-)3-(環式)
1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン (TMCTS) 、
-(-SiHCHO-)4-(環式)
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、-(-Si(CH3)2-O-)4-(環式)
1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、
-(-SiHCH3-O-)5-(環式)
1,3,5,7−テトラシラノ−2,6−ジオキシ−4,8−ジメチレン、
-(-SiH2-CH2-SiH2-O-)-(環式)
ヘキサメチルシクロトリシロキサン、-(-Si(CH3)2-O-)3-(環式)
適切な直鎖有機ケイ素化合物には、1つ以上のケイ素原子と1つ以上の炭素原子を有する直鎖又は分岐構造の脂肪族有機ケイ素化合物が含まれる。更に、有機ケイ素化合物は1つ以上の酸素原子を含んでいてもよい。模範的な直鎖有機ケイ素化合物には以下のものが含まれる。
メチルシラン、CH3-SiH3
ジメチルシラン、(CH3)2-SiH2
トリメチルシラン、(CH3)3-SiH
エチルシラン、CH3-CH2-SiH3
ジシラノメタン、SiH3-CH2-SiH3
ビス(メチルシラノ)メタン、CH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3
1,2−ジシラノエタン、SiH3-CH2-CH2-SiH3
1,2−ビス(メチルシラノ)エタン、CH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3
2,2−ジシラノプロパン、SiH3-C(CH3)2-SiH3
ジエチルシラン、(C2H5)2-SiH2
プロピルシラン、C3H7-SiH3
ビニルメチルシラン、(CH2=CH)-SiH2-CH3
1,1,2,2−テトラメチルジシラン、(CH3)2-SiH-SiH-(CH3)2
ヘキサメチルジシラン、(CH3)3-Si-Si-(CH3)3
1,1,2,2,3,3−ヘキサメチルトリシラン、(CH3)2-SiH-Si(CH3)2-SiH-(CH3)2
1,1,2,3,3−ペンタメチルトリシラン、(CH3)2-SiH-SiH(CH3)-SiH-(CH3)2
1,3−ビス(メチルシラノ)プロパン、CH3-SiH2-(CH2)3-SiH2-CH3
1,2−ビス(ジメチルシラノ)エタン、(CH3)2-SiH-(CH2)2-SiH-(CH3)2
1,3−ビス(ジメチルシラノ)プロパン、(CH3)2-SiH-(CH2)3-SiH-(CH3)2
ジエトキシメチルシラン(DEMS)、CH3-SiH-(O-CH2-CH3)2
1,3−ジメチルジシロキサン、CH3-SiH2-O-SiH2-CH3
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、(CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2
ヘキサメチルジシロキサン(HMDS)、(CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3
1,3−ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、(SiH3-CH2-SiH2-)2-O
ビス(1−メチルジシロキサニル)メタン、(CH3-SiH2-O-SiH2-)2-CH2
2,2−ビス(1−メチルジシロキサニル)プロパン、(CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)2
ジメチルジメトキシシラン(DMDMOS)、(CH3O)2-Si-(CH3)2
フェニルジメトキシシラン、C6H5-SiH-(O-CH3)2
ジフェニルメチルシラン、(C6H5)2-SiH-CH3
ジメチルフェニルシラン、(CH3)2-SiH-C6H5
ジメトキシメチルビニルシラン(DMMVS)、(CH3O)2-Si(CH3)-CH2=CH3
一実施形態において、低誘電率膜はRFパワーの存在下、1つ以上の有機ケイ素化合物及び1つ以上の酸化ガスを含む混合物から堆積される。使用し得る酸化ガスは酸素(O)、オゾン(O)、亜酸化窒素(NO)、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO)、水(HO)、2,3−ブタンジオン、又はその組み合わせを含む。オゾンを酸化ガスとして使用する場合、オゾン発生器は供給源となるガス中の6重量%〜20重量%、典型的には約15重量%の酸素をオゾンに転化し、残りは典型的には酸素である。しかしながら、オゾン濃度は所望のオゾン量及び使用するオゾン発生装置のタイプによって増加もしくは低下し得る。酸素又は酸素含有化合物の解離は、ケイ素含有化合物の過剰な解離を低減するために、堆積チャンバに入る前にマイクロ波チャンバで行うことが考えられる。好ましくは、無線周波(RF)パワーを反応帯に印加して解離を向上させる。
任意で、1つ以上の有機ケイ素化合物と任意の1つ以上の酸化ガスに加え、1つ以上の炭化水素化合物を低誘電率膜を堆積するための混合物に含ませてもよい。使用し得る炭化水素化合物には、1〜約20個の隣接する炭素原子を有する脂肪族炭化水素化合物が含まれる。炭化水素化合物は、単結合、二重結合、三重結合のいずれの組み合わせによって結合された隣接する炭素原子を含むことが可能である。例えば、有機化合物は2〜約20個の炭素原子を有するアルケン及びアルキレン、例えばエチレン、プロピレン、アセチレン、ブタジエンを含む。
環状基を有する1つ以上の炭化水素化合物も使用し得る。ここで用いる「環状基」という用語は環状構造を示すものである。環状構造は原子を3つしか含まない場合がある。原子には、例えば炭素、ケイ素、窒素、酸素、フッ素及びその組み合わせが含まれる。環状基は1つ以上の単結合、二重結合、三重結合及びそのいずれの組み合わせを含み得る。例えば、環状基は1つ以上の芳香環、アリール、フェニル、シクロヘキサン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン及びその組み合わせを含む。また、環状基は二環式もしくは三環式であってもよい。更に、環状基は好ましくは直鎖もしくは分岐官能基に結合している。直鎖もしくは分岐官能基は好ましくはアルキル又はビニルアルキル基を含み、1〜20個の炭素原子を有している。また、直鎖もしくは分岐官能基は例えばケトン、エーテル及びエステルのように酸素原子を含んでいてもよい。少なくとも1つの環状基を有する模範的な炭化水素化合物には、アルファ−テルピネン(ATP)、ビニルシクロヘキサン(VCH)、及び酢酸フェニルが含まれる。
低誘電率膜を堆積するために使用する混合物は、任意で1つ以上のキャリアガスを含んでいてもよい。使用し得るキャリアガスにはアルゴン、ヘリウム、二酸化炭素及びその組み合わせが含まれる。
膜は、化学気相成長(CVD)が可能ないずれの処理チャンバを用いて堆積してもよい。図1は使用し得る平行平板型CVD処理チャンバ10の垂直断面図である。チャンバ10は高真空領域15と、穿孔を有し、この穿孔を通して基板(図示せず)に処理ガスを分散させるためのガス分散マニホルド11とを含む。基板は基板支持板、即ちサセプタ12上に置かれている。サセプタ12は、サセプタ12と昇降モニタとを繋ぐ支持軸13上に搭載されている。昇降モータ14は、低い位置にある装填/除荷位置とマニホルド11に近接する上方の処理位置との間をサセプタ12(及びサセプタの上表面に支持された基板)が制御可能に移動できるように、処理位置とそれより低い位置にある基板装填位置との間でサセプタ12を上下させる。サセプタ12と基板が上方の処理位置にあるとき、絶縁体17がサセプタ12と基板とを取り巻く形になる。
マニホルド11に導入されたガスは基板表面に放射線状に均一に分散される。スロットルバルブを有する真空ポンプ32が、チャンバ10からマニホルド24を経由してのガスの排気速度を制御する。必要ならば、堆積及びキャリアガスはガス管18を通って混合システム19、それからマニホルド11に流入する。一般的に、各処理ガス供給管18は(i)自動的又は手動で処理ガスのチャンバへの流入を遮断するために使用可能な安全遮断バルブ(図示せず)と、(ii)ガス供給管18を通るガス流を測定するための流量制御装置(これも図示せず)とを含む。処理において毒性ガスを使用する場合、従来の構成では各ガス供給管18に幾つかの安全遮断バルブを位置させている。
一態様において、有機ケイ素化合物は混合システム19に、200又は300mmの基板に対して流量約100sccm〜約10000sccmで導入される。任意の炭化水素化合物は混合システム19に流量約100sccm〜約10000sccmで導入される。任意の酸化ガスの流量は約100sccm〜約6000sccmである。キャリアガスの流量は約100sccm〜約5000sccmである。好ましい実施形態において、有機ケイ素化合物はオクタメチルシクロテトラシロキサンであり、炭化水素化合物はエチレンである。
堆積処理は好ましくはプラズマ強化法である。プラズマ強化法においては、典型的には、RFパワー供給源25を用いてガス分散マニホルド11に印加されたRFエネルギーによって、制御されたプラズマが基板に隣接して発生する。あるいは、RFパワーはサセプタ12に供給することが可能である。堆積チャンバへのRFパワーをサイクルもしくはパルス動作させて基板の加熱を低減し、堆積膜の多孔性を促進させてもよい。200又は300mm基板に関しての出力密度は約0.03W/cm〜約3.2W/cmであり、これは200mm基板での約10W〜約1000W、300mm基板での約20W〜約2250WのRFパワーに相当する。好ましくは、300mm基板でRFパワーレベルは約200W〜約1700Wである。
RFパワー供給源25は、約0.01MHz〜300MHzの単一周波数FRパワーを供給することが可能である。好ましくは、高真空領域15に導入された反応種の分解を促進するために、混合した同時周波数を用いてRFパワーを供給してもよい。一態様において、混合周波数は約12kHzの低周波と約13.56mHzの高周波を有している。他の態様において、低周波は約300Hz〜約1000kHz、高周波は約5mHz〜約50mHzの範囲であってもよい。好ましくは、低周波電力レベルは約150Wである。好ましくは、高周波電力レベルは約200W〜約750W、更に好ましくは約200W〜約400Wである。
堆積中、基板は約−20℃〜約500℃、好ましくは約100℃〜約450℃で維持される。堆積圧力は典型的には約1Torr〜約20Torr、好ましくは約4Torr〜約7Torrである。本願に記載の実施形態による低誘電率層を堆積するために使用し得る模範的なチャンバは以下のものである。
酸化ガスの遠隔解離が望ましい場合、ガスを処理チャンバ10に導入するに先立って、任意のマイクロ波チャンバ28を用いて約50ワット〜約6000ワットの電力を酸化ガスに投入することが可能である。マイクロ波電力を追加することで、酸化ガスと反応する前に有機ケイ素化合物が過剰に解離することを防止することができる。マイクロ波電力を酸化ガスに追加する場合、有機ケイ素化合物と酸化ガス用に別々の流路を有するガス分散板(図示せず)が好ましい。
典型的には、チャンバ内張り、分散マニホルド11、サセプタ12、その他の様々な反応装置ハードウェアのいずれか又は全てがアルミニウムもしくは陽極酸化アルミウムから成る。このようなCVD反応装置の一例が、ワン(Wang)らに付与され、アプライドマテリアル社の本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5000113号の「熱CVD/PECVD反応装置及び二酸化ケイ素の熱化学気相成長法と現場の多段階平坦化処理への利用」に記載されており、引用により本発明と矛盾しない範囲で本願に組み込まれる。
システム制御装置34はモータ14、ガス混合システム19及び高周波電力供給源25を制御し、これらは制御線36によって接続されている。システム制御装置34はCVD反応装置の動作を制御し、典型的にはハードディスクドライブ、フロッピー(登録商標)ディスクドライブ、カードラックを含む。カードラックはシングルボードコンピュータ(SBC)、アナログ及びデジタル入力/出力ボード、インターフェースボード、ステッパモータ制御ボードを格納している。システム制御装置34は、ボード、カードケージ、コネクタの寸法及びタイプを規定するバーサ・モジュラ欧州標準規格(VME)(Versa Modular Europeans standard)に準拠する。また、VME標準規格は16ビットデータバス及び24ビットアドレスバスを有するバス構造を規定している。システム制御装置34はハードディスクドライブ38に記憶されたコンピュータプログラムの制御の下で作動する。
ここに記載の低誘電率膜は、実行すると汎用コンピュータに堆積チャンバを制御せしめるソフトウェアルーチンを格納したコンピュータ記憶媒体を用いて堆積してもよい。ソフトウェアルーチンは本願に記載の全ての実施形態の膜を堆積するための指示を含み得る。
低誘電率膜の後処理
低誘電率膜を堆積した後、低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、その後急速に冷却することとを含む工程によって後処理する。所望の高温とは約600℃〜約1000℃、例えば約800℃であってもよい。好ましくは、低誘電率膜は約25℃〜約250℃からその所望の高温まで少なくとも約10℃/秒の速度で加熱される。例えば、低誘電率膜は約10℃/秒〜約300℃/秒の速度で加熱する。好ましくは、低誘電率膜は約100℃/秒〜約300℃/秒、例えば約250℃/秒で加熱する。低誘電率膜が所望の温度に達したら、低誘電率膜を加熱するのに使用した熱源の電源を切り、低誘電率膜を少なくとも約10℃/秒、例えば約10℃/秒〜約100℃/秒の速度で冷却する。低誘電率膜の冷却を、後処理チャンバの反射板によって強化してもよい。好ましくは、冷却速度は後処理チャンバの反射板の存在と、低誘電率膜を堆積する基板の裏面側をヘリウム等の不活性ガス流に露出することの双方によって促進される。例えば、基板の裏側をヘリウムガス流に速度約10sccm〜約500sccmで露出する。低誘電率膜を急速に加熱し急速に冷却するため、低誘電率膜の加熱開始と冷却終了との間の時間は典型的には約0.5分〜約5分である。
一般的に、低誘電率膜はアルゴン(Ar)、窒素(N)、ヘリウム(He)、酸素(O)、水素(H)、水蒸気(HO)、亜酸化窒素(NO)、又はその組み合わせを含み得るチャンバ雰囲気中で加熱及び冷却される。チャンバ圧は約100Torr〜約760Torrであってもよい。チャンバ圧を調節して、低誘電率膜の冷却速度を変更し得る。
一実施形態において、低誘電率膜はアルゴン環境で加熱及び冷却される。一実施形態において、アルゴンはチャンバへと約10sccm〜約100sccmの速度で導入される。
低誘電率膜を所望の温度に約5秒以下、好ましくは1秒以下にわたって急速に加熱し、その後急速に冷却可能ないずれのチャンバも、低誘電率膜の後処理に使用し得る。ここに記載の実施形態による低誘電率膜の後処理に使用し得る模範的なチャンバを以下に挙げる。
使用し得るチャンバの1つが、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能なラディアンス(商標名)RTPチャンバである。図2はラディアンス(商標名)RTPチャンバの一実施形態であるチャンバ200を図示する。図2に示されるように、チャンバ200は側壁214と底壁215とに囲まれた処理領域213を含む。チャンバ200の側壁214の上部はOリング216によってウィンドウ248に封止されている。
典型的には、炭化ケイ素製の支持リング262によって、基板つまりウェハ261はその端部でもって領域213内部に支持されている。支持リング262は回転式石英シリンダ上に取り付けられている。石英シリンダ263を回転させることで、支持リング262とウェハ261を回転させることができる。炭化ケイ素製アダプタリングを追加して使用することで、直径の異なるウェハ(例えば、150mm、200mm、300mm)を処理することが可能となる。ウェハ261の外径から延びる支持リング262の外縁部は2インチ未満であることが好ましい。チャンバ200の容積は、300mmシステムに関しては、約9リットルである。
チャンバ200は、処理ガスを領域213に注入して領域213において様々な処理工程を行うための、側壁214に形成されたガス注入口269を含む。側壁214のガス注入口269の反対側にはガス出口268が位置している。ガス出口268はポンプ等の真空源286に連結されており、処理ガスをチャンバ200から排気し、チャンバ200内の圧力を低下させる。処理中、処理ガスがチャンバに供給される一方で、真空源286は所望の圧力を維持する。
放射エネルギーアセンブリ218はウィンドウ248上に位置している。放射エネルギーアセンブリ218は複数のタングステンハロゲンランプ219、例えばシルバニアEYTランプを含み、それぞれはステンレススチール、金、真鍮、アルミニウム、その他の金属から成る光パイプ221にはめ込まれている。ランプ219は、その中心軸がランプエンベロープの中心軸と平行になるようにコイル状に巻かれたフィラメントを含む。光の大部分は周囲を取り巻く光パイプ221の壁方向に向って、中心軸に対して垂直方向に放射される。光パイプの長さは、少なくとも対応するランプの長さになるように選択される。反射が大きくなることでウェハに到達する電力が実質的に減衰することがないならば、光パイプ221は対応するランプより長くてもよい。ランプ219は六角形配列、つまり「ハニカム形状」に位置される。ランプ219は、ウェハ261表面全体と支持リング262を十分に覆うように位置される。ランプ219(約数百になる場合がある)は区画ごとにまとめられており、本方法で望ましいとされるように、個別に制御してウェハ261を極めて均一にもしくは不均一に加熱することが可能である。
複数の光パイプ221及び対応するランプ219を含む放射エネルギー源218により、薄い石英ウィンドウ248を使用することで排気処理チャンバ内で基板を加熱するための光ポートを設けることが可能になる。ウィンドウ248の主要な目的は、ランプ219が熱くなりすぎ処理ガスと反応する可能性があることから、処理環境をランプ219から隔離することである。光パイプ221は水等の冷却剤を様々な熱パイプ間に流すことで冷却することができる。
放射エネルギー源218は複数のタングステンハロゲンランプ219を含むものとして上述したが、別の実施形態においては、放射エネルギー源218は紫外線ランプを含む。
チャンバ200の底壁215はエネルギーをウェハ261の裏面に反射するための上面211を含む。更に、チャンバ200はその底壁215を貫通して位置される光学温度プローブ270を複数含んでおり、その底面全体にわたる複数の位置でウェハ261の温度を検知する。シリコンウェハ261の裏面と反射表面211との間の反射により黒体空洞が形成されるため、温度測定をウェハ裏面の放射率とは独立して行うことができ、正確な温度測定が可能となる。
一実施形態において、反射表面211は波長0.7〜0.96nmで反射する吸収反射板の形態であり、放射エネルギーアセンブリ218によって放射されたその他の波長も反射する。反射板の吸収特性により低誘電率膜の冷却は強化される。低誘電率膜の冷却速度を、その上に低誘電率膜を堆積する基板の裏面を不活性ガス流に露出することで更に促進してもよく、例えば不活性ガスを反射板の縁部周辺にもしくは反射板の穴を通して基板の裏面に導入することが挙げられる。
チャンバ200の状態は、制御システム(図示せず)によって操作される。制御システムは、制御装置、プロセッサ及び入力/出力デバイスをいくつ含んでいてもよい。一実施形態において、制御システムは基板を処理しながら処理チャンバ200内の様々なパラメータをモニタし、その後、様々な設定点に応じて必要な調整を加えるための1つ以上の制御信号を発信する閉ループフィードバックシステムの構成部品の1つである。一般に、モニタされるパラメータには温度、圧力、ガス流量が含まれる。
更に別の実施形態において、低誘電率膜の後処理には低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、この所望の高温から急速に冷却し、電子ビーム処理によって低誘電率膜を処理することを含む。低誘電率膜の電子ビーム処理は、急速加熱及び冷却の前又は後に行うことが考えられる。
電子ビーム(eビーム)処理の線量は典型的には、約1〜20キロ電子ボルト(KeV)で1平方センチメートルあたり約50〜約2000マイクロクーロン(μc/cm)である。電子ビーム電流は典型的には約1mA〜約40mAであり、好ましくは約1〜約20mAである。典型的には、電子ビーム処理は室温前後〜約450℃で約10秒〜約15分行われる。一態様において、厚さ約1ミクロンの膜を処理するための電子ビーム処理条件は、6kV,10〜18mA及び50μc/cm、350℃で約15〜30秒である。他の態様において、厚さ約5000Åの膜を処理するための電子ビーム処理条件は、4.5kV、10〜18mA及び50μc/cm、350℃で約15〜約30秒である。電子ビーム処理中、アルゴン又は水素が存在してもよい。いずれの電子ビーム装置を使用してもよいが、模範的な装置の一例としてはアプライドマテリアル社から入手可能なEBKチャンバが挙げられる。低誘電率膜の堆積後にその膜を電子ビームで処理すると、膜中の有機基の少なくとも一部が揮発し、膜中にボイドが形成される場合がある。
図3は、本発明の一実施形態による電子ビームチャンバ300を示す。電子ビームチャンバ300は真空チャンバ320、大面積カソード322、フィールドフリー領域338に設置された標的面330、標的面330と大面積カソード322との間に位置されたグリッドアノード326を含む。電子ビームチャンバ300は更に、グリッドアノード326を大面積カソード322から隔離する高圧絶縁体324及び加速フィールド領域336、真空チャンバ320の外側に設置されたカソードカバー絶縁体328、真空チャンバ320内の圧力を制御するための可変リーク弁、大面積カソード322に接続された可変高圧電源329、グリッドアノード326に接続された可変低圧電源331を含む。
稼動中、電子ビームに露出する低誘電率膜をその上に有する基板(図示せず)は標的面330上に置かれる。真空チャンバ320は大気圧から約1mTorr〜約200mTorrに排気される。正確な圧力は可変速度型リーク弁332によって制御され、圧力を約0.1mTorrまで制御可能である。一般的に、電子ビームは十分な高圧下で発生され、高圧電源329によって大面積カソード322に印加される。電圧は約−500ボルト〜約30000ボルト、もしくはそれ以上であってもよい。高圧電源329はニューヨーク州ヒックヴィルのバータン社(Bertan)製のバータンモデル番号105−30R、又はニューヨーク州ホップホッグのスペルマンハイボルテージエレクトロニクス社製のスペルマンモデル番号SL30N−1200X258であってもよい。可変低圧電源331は、大面積カソード322に印加された電圧に対して正である電圧をグリッドアノード326に印加する。この電圧を用いて、大面積カソード322からの電子放出を制御する。可変低圧電源331はペンシルバニア州イーストンのエーコピアン社(Acopian)製のエーコピアンモデル番号150PT12電源が考えられる。
電子ビームチャンバ300についてのその他の詳細に関しては、ウィリアム・R・リブセイに付与され、エレクトロンヴィジョン社に譲渡された(現在は本発明の譲受人によって所有)米国特許第5003178号の「大面積用の均一な電子源」に記載されており、引用により本発明と矛盾しない範囲で本願に組み込まれる。
他の実施形態において、低誘電率膜の後処理は、膜を所望の高温まで急速に加熱し、その所望の高温から急速に冷却し、紫外線で処理することを含む。好ましくは、低誘電率膜の紫外線処理は、膜の急速加熱及び/又は冷却の少なくとも一部と同時に行われる。しかしながら、低誘電率膜の紫外線処理は膜の急速加熱及び冷却の前又は後に行ってもよい。低誘電率膜の紫外線処理を膜の急速加熱及び冷却の前又は後に行う実施形態の場合、好ましくは、低誘電率膜は紫外線処理中、約200℃〜約600℃で加熱される。例えば、低誘電率膜は紫外線源を有する炉等のチャンバ内で紫外線に露出される。紫外線処理中、チャンバ内は真空又は周囲大気下のいずれかにある。
低誘電率膜は1つ以上の紫外線波長に露出してもよい。低誘電率膜を紫外線に露出するために使用し得るチャンバ及び方法の一例が、共通して譲渡される米国特許第6614181号に記載されており、引用により本願に組み込まれる。
更に別の実施形態においては、低誘電率膜は膜を急速に加熱及び冷却し、紫外線で処理し、電子ビームで処理することを含む方法によって後処理される。後処理工程はどの順序で行ってもよい。しかしながら、低誘電率膜を本願に記載の実施形態に従って急速に加熱・冷却、同時に紫外線処理し、続いて電子ビームで処理することが好ましい。
低誘電率膜の急速加熱・冷却と紫外線処理及び/又は電子ビーム処理との双方を含む後処理によって、低誘電率膜の性質が強化されるものと思われる。例えば、急速加熱・冷却及び紫外線処理を含む後処理によって、堆積された膜の誘電率が低下すると考えられる。急速加熱及び冷却、電子ビーム処理、任意の紫外線処理を含む後処理により、堆積された膜の誘電率が低下し、膜の硬度と弾性率が向上すると思われる。
本願に記載のいずれの実施形態においても、低誘電率膜をアプライドマテリアル社から入手可能なセンチュラ(Centura)又はプロデューサ(Producer)等の集積処理システム内で堆積及び後処理し得る。よって、低誘電率膜を大気に曝すことなく堆積及び後処理することが可能である。1つ以上の後処理工程を行う実施形態においては、異なる後処理工程間において、低誘電率膜を大気から保護することができる。例えば、低誘電率膜は、別のチャンバ内で急速に加熱・冷却、任意で紫外線処理された後、急速加熱・冷却と電子ビーム処理との間で大気に露出されることなく電子ビームチャンバに搬送される。
以下の実施例は、低誘電率膜をその上に堆積させた基板の処理方法を説明するものである。膜はアプライドマテリアル社から入手可能なプロデューサ(商標名)CVDチャンバを用いて300mm基板上に堆積された。
比較例1
ケイ素、炭素、酸素を含む低誘電率膜を、OMCTS、トリメチルシラン、エチレンを含むガス混合物から基板上に堆積した。OMCTSは流速520sccm、トリメチルシランは流速300sccm、エチレンは流速2200sccmでチャンバに導入した。ヘリウムは流速1000sccm、酸素は流速1000sccmでチャンバに導入した。膜は400℃、圧力5.7Torrで13.56MHz、800W RFパワーを用いて20秒間堆積された。堆積後、低誘電率膜の厚さは5,043Å、誘電率(k)は2.77、硬度は0.59gPaであった。
比較例2
低誘電率膜を比較例1に記載したように基板上に堆積した。低誘電率膜は、800℃で1分間、熱アニール処理することで後処理した。堆積後、低誘電率膜の厚さは5,085Åであった。後処理後、低誘電率膜の厚さは4,463Åであった(収縮率12.2%)。後処理後、低誘電率膜の誘電率(k)は3.35、硬度は1.82gPaであった。
比較例3
低誘電率膜を比較例1に記載したように基板上に堆積した。低誘電率膜は、電流3mA、線量100μc/cmの電子ビーム処理で4.5kV、400℃で後処理された。堆積後、低誘電率膜の厚さは5074Åであった。後処理後、低誘電率膜の厚さは4763Åであった(収縮率6.1%)。後処理後、低誘電率膜の誘電率(k)は2.74、硬度は1.14gPaであった。
実施例1
低誘電率膜を比較例1に記載したように基板上に堆積した。低誘電率膜を、室温から800℃まで急速に加熱し、その後120℃まで急速に冷却することでラディアンス(Radiance、商標名)RTPチャンバ内で後処理した。膜の加熱及び冷却は30秒以内になるように行われた。堆積後、低誘電率膜の厚さは5,036Åであった。後処理後、低誘電率膜の厚さは5,021Åであった(収縮率0.3%)。後処理後、低誘電率膜の誘電率(k)は2.53、硬度は0.62gPaであった。
実施例2
低誘電率膜を比較例1に記載したように基板上に堆積した。低誘電率膜を、室温から800℃まで急速に加熱し、その後すぐに120℃まで冷却することでラディアンス(Radiance、商標名)RTPチャンバ内で後処理した。膜の加熱及び冷却は30秒以内になるように行われた。堆積後、低誘電率膜の厚さは5,011Åであった。後処理後、低誘電率膜の厚さは4,996Åであった(収縮率0.3%)。後処理後、低誘電率膜の誘電率(k)は2.44であった。
実施例1及び2から、本願に記載の実施形態に従って低誘電率膜を急速に加熱・冷却して低誘電率膜の後処理を行うことにより、膜の誘電率が、後処理していない膜又は電子ビーム処理又は通常のアニール処理された膜に比べて低くなることがわかる。ここで得られた、後処理をした膜の低誘電率は、低誘電率膜を後処理した際に有機基等のポロゲンが低誘電率膜から放出されることによって達成されるものと思われる。
更に、実施例1は本願に記載の実施形態による低誘電率膜の急速加熱・冷却は、堆積された膜の硬度に実質的に影響しなかったことを示している。また、本願に記載の実施形態による低誘電率膜の後処理により、他の後処理工程に比べて収縮率が低くなったことが実施例からわかる。
よって、本発明の実施形態は、低誘電率膜の硬度を低下させることなくその誘電率を低下させ、後処理による膜の収縮を最低限に抑える低誘電率膜の後処理方法を提供する。本発明の実施形態による急速加熱・冷却後処理のその他の利点には、迅速な後処理工程に起因するより高い基板スループットと、本発明の実施形態に従って処理した基板のより低いサーマルバジェットが含まれる。
以上の記載は本発明の実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱することなく更に別の実施形態を考案することもでき、本発明の範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
本発明の上述した構成を詳細に理解可能なように、その幾つかを添付の図面に図示した実施形態を参照することで、上記で簡単に概要を述べた本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを図示するに過ぎず、その他の同等に効果的な実施形態を認め得ることから、本発明の範囲を制限するものではないことに留意すべきである。
本願に記載の実施形態に従って使用するように構成された例示的なCVD反応装置の断面図である。 本発明の一実施形態による急速熱処理(RTP)チャンバの一部の垂直断面図である。 本発明の一実施形態による電子ビームチャンバを示す図である。

Claims (19)

  1. ケイ素と炭素を含む低誘電率膜をRFパワーの存在下で基板上に堆積し、
    堆積させた低誘電率膜の誘電率を、後処理プロセスによって低下させ、
    後処理プロセスは、
    低誘電率膜を少なくとも約600℃の所望の温度に少なくとも約10℃/秒の速度で加熱し、この所望の温度で低誘電率膜を維持する時間は約5秒以下であり、
    低誘電率膜を少なくとも約10℃/秒の速度で冷却することを含み、加熱及び冷却は30秒以内で行われる基板の処理方法。
  2. 低誘電率膜が約10℃/秒〜約300℃/秒で加熱され、約10℃/秒〜約100℃/秒で冷却される請求項1記載の方法。
  3. 後処理プロセスが低誘電率膜を紫外線で処理することを更に含む請求項1記載の方法。
  4. 後処理プロセスが、低誘電率膜の紫外線処理を同時に行うことを含む請求項3記載の方法。
  5. 後処理プロセスが低誘電率膜を電子ビームで処理することを更に含む請求項4記載の方法。
  6. 加熱と電子ビーム処理との間で低誘電率膜が大気に露出されることがないように、低誘電率膜の後処理プロセスを集積処理システム内で行う請求項5記載の方法。
  7. 低誘電率膜の加熱及び冷却と低誘電率膜の紫外線処理とを連続して行う請求項3記載の方法。
  8. 後処理プロセスが低誘電率膜を電子ビームで処理することを更に含む請求項1記載の方法。
  9. 加熱と電子ビーム処理との間で低誘電率膜が大気に露出されることがないように、低誘電率膜の後処理を集積処理システム内で行う請求項8記載の方法。
  10. 低誘電率膜が更に酸素を含む請求項1記載の方法。
  11. ケイ素と炭素を含む低誘電率膜をRFパワーの存在下で基板上に堆積し、
    堆積された低誘電率膜を約25℃〜約250℃から約600℃〜約1000℃まで加熱し、約600℃〜約1000度のその温度で低誘電率膜が加熱される時間は約5秒以下であり、
    約600℃〜約1000℃から低誘電率膜を冷却し、低誘電率膜の加熱及び冷却は30秒以内で行われることを含む工程によって後処理することとを含む基板の処理方法。
  12. 低誘電率膜は約10℃/秒〜約300℃/秒で加熱され、約10℃/秒〜約100℃/秒で冷却される請求項11記載の方法。
  13. 後処理が低誘電率膜を紫外線で処理することを更に含む請求項11記載の方法。
  14. 後処理が低誘電率膜を電子ビームで処理することを更に含む請求項11記載の方法。
  15. 低誘電率膜の冷却が基板をバックサイドガスに露出することを含む請求項11記載の方法。
  16. ケイ素と炭素を含む低誘電率膜をRFパワーの存在下で基板上に堆積し、
    プロセスにより堆積された低誘電率膜の後処理することによって、堆積された低誘電率膜の誘電率を低下させ、
    プロセスは、
    堆積された低誘電率膜を所望の温度まで少なくとも約10℃/秒の速度で加熱し、この所望の温度で低誘電率膜を維持する時間は約5秒以下であり、
    低誘電率膜を少なくとも約10℃/秒で冷却し、低誘電率膜の加熱及び冷却は約0.5分〜約5分以内で行われることを含む基板の処理方法。
  17. 低誘電率膜を約25℃〜約250℃から加熱し、所望の温度が約800℃〜約900℃である請求項16記載の方法。
  18. 後処理が低誘電率膜を紫外線で処理することを更に含む請求項16記載の方法。
  19. 後処理が低誘電率膜を電子ビームで処理することを更に含む請求項16記載の方法。
JP2007509459A 2004-04-21 2005-01-27 低k誘電体膜の後処理 Expired - Fee Related JP4769344B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/830,203 US7018941B2 (en) 2004-04-21 2004-04-21 Post treatment of low k dielectric films
US10/830,203 2004-04-21
PCT/US2005/002927 WO2005109484A1 (en) 2004-04-21 2005-01-27 Post treatment of low k dielectric films

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007534174A JP2007534174A (ja) 2007-11-22
JP4769344B2 true JP4769344B2 (ja) 2011-09-07

Family

ID=34960755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007509459A Expired - Fee Related JP4769344B2 (ja) 2004-04-21 2005-01-27 低k誘電体膜の後処理

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7018941B2 (ja)
JP (1) JP4769344B2 (ja)
KR (1) KR101046530B1 (ja)
CN (1) CN100472733C (ja)
TW (1) TWI374498B (ja)
WO (1) WO2005109484A1 (ja)

Families Citing this family (448)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003008941A2 (en) * 2001-07-17 2003-01-30 Bioforce Nanosciences, Inc. Combined molecular blinding detection through force microscopy and mass spectrometry
US20080268177A1 (en) * 2002-05-17 2008-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants
US9061317B2 (en) 2002-04-17 2015-06-23 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US8951342B2 (en) 2002-04-17 2015-02-10 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7060330B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
JP2006013289A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US20060035477A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Karen Mai Methods and systems for rapid thermal processing
US7972441B2 (en) * 2005-04-05 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Thermal oxidation of silicon using ozone
US20070134435A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ahn Sang H Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films
US20070173071A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 International Business Machines Corporation SiCOH dielectric
US20090107527A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 United Microelectronics Corp. Method of cleaning transparent device in a thermal process apparatus, thermal process apparatus and process using the same thermal process apparatus
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8703624B2 (en) * 2009-03-13 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric films comprising silicon and methods for making same
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US20120285621A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
CN103121856B (zh) * 2011-07-25 2014-08-13 重庆文理学院 一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP2014099541A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Tokyo Electron Ltd 低誘電率誘電膜の形成方法、形成装置及びポロジェンの脱離方法
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US8735204B1 (en) 2013-01-17 2014-05-27 Alliance For Sustainable Energy, Llc Contact formation and gettering of precipitated impurities by multiple firing during semiconductor device fabrication
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8895416B2 (en) * 2013-03-11 2014-11-25 Alliance For Sustainable Energy, Llc Semiconductor device PN junction fabrication using optical processing of amorphous semiconductor material
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9947576B2 (en) * 2015-07-13 2018-04-17 Applied Materials, Inc. UV-assisted material injection into porous films
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
US11348784B2 (en) 2019-08-12 2022-05-31 Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09237785A (ja) * 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH10189569A (ja) * 1996-11-07 1998-07-21 Applied Materials Inc 低誘電率の多層膜を堆積するための方法及び装置
WO2003025994A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-27 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing process for porous low-k materials
WO2003095702A2 (en) * 2002-05-08 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Method for curing low dielectric constant film by electron beam

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5003178A (en) 1988-11-14 1991-03-26 Electron Vision Corporation Large-area uniform electron source
US6607991B1 (en) 1995-05-08 2003-08-19 Electron Vision Corporation Method for curing spin-on dielectric films utilizing electron beam radiation
US6080526A (en) 1997-03-24 2000-06-27 Alliedsignal Inc. Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation
US6500740B1 (en) 1997-07-14 2002-12-31 Agere Systems Inc. Process for fabricating semiconductor devices in which the distribution of dopants is controlled
US6030904A (en) * 1997-08-21 2000-02-29 International Business Machines Corporation Stabilization of low-k carbon-based dielectrics
US6033999A (en) 1998-02-02 2000-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of solving contact oblique problems of an ILD layer using a rapid thermal anneal
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6025279A (en) 1998-05-29 2000-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of reducing nitride and oxide peeling after planarization using an anneal
US6383951B1 (en) 1998-09-03 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication
US6204201B1 (en) 1999-06-11 2001-03-20 Electron Vision Corporation Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing
US6133086A (en) 1999-06-24 2000-10-17 United Microelectronics Corp. Fabrication method of a tantalum pentoxide dielectric layer for a DRAM capacitor
EP1123991A3 (en) * 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
US6582777B1 (en) 2000-02-17 2003-06-24 Applied Materials Inc. Electron beam modification of CVD deposited low dielectric constant materials
US6444136B1 (en) 2000-04-25 2002-09-03 Newport Fab, Llc Fabrication of improved low-k dielectric structures
US6614181B1 (en) 2000-08-23 2003-09-02 Applied Materials, Inc. UV radiation source for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films
US6566278B1 (en) 2000-08-24 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation
US6437406B1 (en) 2000-10-19 2002-08-20 International Business Machines Corporation Super-halo formation in FETs
US6790789B2 (en) 2000-10-25 2004-09-14 International Business Machines Corporation Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made
US6607980B2 (en) 2001-02-12 2003-08-19 Symetrix Corporation Rapid-temperature pulsing anneal method at low temperature for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same
US6303524B1 (en) 2001-02-20 2001-10-16 Mattson Thermal Products Inc. High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques
US6764940B1 (en) * 2001-03-13 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications
US20020162500A1 (en) 2001-05-02 2002-11-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten silicide films
US6800833B2 (en) 2002-03-29 2004-10-05 Mariusch Gregor Electromagnetically levitated substrate support
US7060330B2 (en) 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
US6936551B2 (en) 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US20040101632A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Applied Materials, Inc. Method for curing low dielectric constant film by electron beam
US6586297B1 (en) 2002-06-01 2003-07-01 Newport Fab, Llc Method for integrating a metastable base into a high-performance HBT and related structure
US7058237B2 (en) * 2002-06-28 2006-06-06 Microsoft Corporation Real-time wide-angle image correction system and method for computer image viewing
US6780720B2 (en) 2002-07-01 2004-08-24 International Business Machines Corporation Method for fabricating a nitrided silicon-oxide gate dielectric
US6846756B2 (en) * 2002-07-30 2005-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for preventing low-k dielectric layer cracking in multi-layered dual damascene metallization layers
US7404990B2 (en) 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
US6927169B2 (en) 2002-12-19 2005-08-09 Applied Materials Inc. Method and apparatus to improve thickness uniformity of surfaces for integrated device manufacturing
US6737365B1 (en) 2003-03-24 2004-05-18 Intel Corporation Forming a porous dielectric layer
US7622399B2 (en) 2003-09-23 2009-11-24 Silecs Oy Method of forming low-k dielectrics using a rapid curing process

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09237785A (ja) * 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH10189569A (ja) * 1996-11-07 1998-07-21 Applied Materials Inc 低誘電率の多層膜を堆積するための方法及び装置
WO2003025994A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-27 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing process for porous low-k materials
WO2003095702A2 (en) * 2002-05-08 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Method for curing low dielectric constant film by electron beam

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070004975A (ko) 2007-01-09
TWI374498B (en) 2012-10-11
US7018941B2 (en) 2006-03-28
US20050239293A1 (en) 2005-10-27
CN1947229A (zh) 2007-04-11
KR101046530B1 (ko) 2011-07-04
TW200536018A (en) 2005-11-01
WO2005109484A1 (en) 2005-11-17
CN100472733C (zh) 2009-03-25
JP2007534174A (ja) 2007-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4769344B2 (ja) 低k誘電体膜の後処理
US7056560B2 (en) Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
US7060330B2 (en) Method for forming ultra low k films using electron beam
US6943127B2 (en) CVD plasma assisted lower dielectric constant SICOH film
US6936551B2 (en) Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
KR100857649B1 (ko) 화학 기상 증착에 의해 증착된 규소 층의 k값을감소시키는 방법
JP2005524983A (ja) 電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法
US20120156890A1 (en) In-situ low-k capping to improve integration damage resistance
US20080107573A1 (en) Method for forming an ultra low dielectric film by forming an organosilicon matrix and large porogens as a template for increased porosity
JP2011071555A (ja) 有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応による液状シリカ層の形成
US20060252273A1 (en) Strengthening the interface between dielectric layers and barrier layers with an oxide layer of varying composition profile
KR101376969B1 (ko) 저―κ의 유전 필름의 이중층 캡핑
US20030211244A1 (en) Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
JP2009519612A (ja) 低誘電率膜のアッシング/ウエットエッチング損傷抵抗と組込み安定性を改善する方法
US6936309B2 (en) Hardness improvement of silicon carboxy films
KR20050004844A (ko) 전자 비임에 의한 저유전상수 필름의 경화 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100921

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101220

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101228

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110119

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110126

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110221

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110322

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110619

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees