KR100851842B1 - 네거티브 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
또한, 불소원자를 보유하는 유기산을 발생하는 오늄염 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 페놀유도체중, 특히 바람직한 예를 이하에 열거한다.
레지스트 조성물 | 감도(mJ/㎠) | 해상도(㎛) | 패턴형상 |
실시예 1 | 95 | 0.09 | 직사각형 |
비교예 1 | 140 | 0.16 | 역테이퍼 형상 |
비교예 2 | 170 | 0.14 | 역테이퍼 형상 |
Claims (22)
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- (A)알칼리 가용성 수지, (B)방사선을 조사할 경우에 산을 발생할 수 있는 화합물, (C)산의 작용에 의해 가교될 수 있는 가교제, 및 (D)하기 A군에서 선택되는 1종 이상의 용매, 하기 B군에서 선택되는 1종 이상의 용매 및 하기 C군에서 선택되는 1종 이상의 용매를 포함하는 혼합용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자선 및 X선 중 어느 하나로 조사되는 네거티브 레지스트 조성물:A군: 프로필렌글리콜모노알킬에테르카르복실레이트B군: 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 유산알킬, 초산에스테르, 쇄상케톤 및 알킬알콕시프로피오네이트C군: γ-부티로락톤, 에틸렌카보네이트 및 프로필렌카보네이트
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- 제2항에 있어서, 상기 (A)수지는 하기 식(2)로 표시되는 수지인 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물:(식(2)중, R1a~R5a는 각각 개별적으로 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다. R6a~R11a는 각각 개별적으로 수소원자, 탄소수 1~4개의 알킬기, 탄소수 1~4개의 알콕시기, 히드록시기 또는 -C(=O)O-R14a(R14a는 수소원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타냄)를 나타낸다. R12a는 -COOR15a(R15a는 수소원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타냄)를 나타낸다. 0 < l ≤100, 0 ≤ m < 100, 0 ≤ n < 100, 0 ≤ o < 100, 0 ≤ p < 100 및 l + m + n + o + p = 100이다.)
- 제2항에 있어서, 상기 (B)화합물은 식(I)~(III)로 표시되는 1개 이상의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물:(식(I)~(III)에서, R1~R37은 각각 개별적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 히드록시기, 할로겐원자, 또는 -S-R38로 표시되는 기를 나타낸다. R38은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. R1~R15에서 선택되는 2개 이상의 기는 서로 말단에서 직접적으로 결합하거나, 또는 산소, 황 및 질소로부터 선택되는 원자에 의해 간접적으로 결합하여, 고리구조를 형성하여도 좋다. R16~R27에서 선택되는 2개 이상의 기는 서로 말단에서 직접적으로 결합하거나, 또는 산소, 황 및 질소로부터 선택되는 원자에 의해 간접적으로 결합하여, 고리구조를 형성하여도 좋다. R28~R37에서 선택되는 2개 이상의 기는 서로 말단에서 직접적으로 결합하거나, 또는 산소, 황 및 질소로부터 선택되는 원자에 의해 간접적으로 결합하여, 고리구조를 형성하여도 좋다. X-는 벤젠술폰산, 나프탈렌술폰산 및 안트라센술폰산으로부터 선택되는 산의 음이온을 나타내고, 이들은 알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 술포닐기, 술포닐옥시기, 술포닐아미노기, 아릴기, 아랄킬기 및 알콕시카르보닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 유기기를 보유한다.)
- 제2항에 있어서, 상기 (C)가교제는 분자내에 벤젠환 원자단을 3~5개 포함하고, 분자량은 1200 이하이며, 상기 3~5 벤젠환 원자단내에 히드록시메틸 및 알콕시메틸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 2개 이상의 치환기를 보유하는 페놀유도체인 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 유기염기성 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 불소원자와 실리콘원자 중 하나 이상을 함유하는 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 (A)수지의 분자량분포(Mw/Mn)는 1.0~1.4인 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 (A)수지의 중량평균 분자량(Mw)은 2000~9000인 것을 특징으로 하는 네거티브 레지스트 조성물.
- 삭제
- 제2항에 기재된 네거티브 레지스트 조성물을 기판위에 도포하여 레지스트막을 형성하는 단계, 전자선 및 X선중 어느 하나를 상기 레지스트막에 조사하는 단계, 및 상기 레지스트막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성 방법.
- (A)알칼리 가용성 수지, (B)방사선을 조사할 경우에 산을 발생할 수 있는 화합물, (C)산의 작용에 의해 가교될 수 있는 가교제, 및 (D)하기 A군에서 선택되는 1종 이상의 용매와 하기 C군에서 선택되는 1종 이상의 용매를 함유하는 혼합용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자선 및 X선 중 어느 하나로 조사되는 네거티브 레지스트 조성물:A군: 프로필렌글리콜모노알킬에테르카르복실레이트C군: γ-부티로락톤, 에틸렌카보네이트 및 프로필렌카보네이트
- 제21항에 기재된 네거티브 레지스트 조성물을 기판위에 도포하여 레지스트막을 형성하는 단계, 전자선 및 X선중 어느 하나를 상기 레지스트막에 조사하는 단계, 및 상기 레지스트막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성 방법.
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