JP2000352822A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 定在波、現像欠陥の発生が実質上無く、しか
も高感度で高解像力の優れた化学増幅型ポジ型フォトレ
ジスト組成物を提供する。 【解決手段】（ａ）特定の末端構造を有するアセタール
基を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリ現像液
に対する溶解性が増大する化合物、及び（ｂ）活性光線
又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する
ポジ型フォトレジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子、集積回路製造用マスク、プリント配線板、液晶パネ
ル等の製造に用いるポジ型フォトレジスト組成物に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物として、米
国特許第4,491,628号明細書、欧州特許第29,139号明細
書等に記載されている化学増幅系レジスト組成物があ
る。化学増幅型ポジレジスト組成物は、遠紫外光等の放
射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒
とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の
現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形
成させるパターン形成材料である。

【０００３】上記化学増幅型ポジレジスト組成物は、ア
ルカリ可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化
合物（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有するアルカリ
可溶性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系
と、酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有
する樹脂と光酸発生剤からなる２成分系、更に酸との反
応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂、酸
分解性基を有する低分子溶解阻止化合物、及び光酸発生
剤から成るハイブリット系に大別できる。

【０００４】特開平２−１９８４７号公報にはポリ（ｐ
−ヒドロキシスチレン）のフェノール性ヒドロキシル基
を全部あるいは部分的にテトラヒドロピラニル基で保護
した樹脂を含有することを特徴とするレジスト組成物が
開示されている。特開平４−２１９７５７号公報には同
様にポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）のフェノール性ヒ
ドロキシル基の２０〜７０％がアセタール基で置換され
た樹脂を含有することを特徴とするレジスト組成物が開
示されている。更に特開平５−２４９６８２号公報にも
同様のアセタール保護された樹脂を用いたフォトレジス
ト組成物が示されている。また特開平８−１２３０３２
号公報にはアセタール基で置換された基を含む三元共重
合体を用いたフォトレジスト組成物が示されている。更
に、特開平８−２５３５３４号公報にはアセタール基で
置換された基を含む、部分架橋ポリマーを用いたフォト
レジスト組成物が示されている。

【０００５】また、特開平１０−８７７２４号公報には
オキシ連結やエステル連結のアセタール基を導入した樹
脂が開示されている。

【０００６】しかしながら、これら従来の酸分解性基を
有する樹脂を含有するフォトレジスト組成物は、定在波
が強く残存し、また特に現像欠陥悪く、その改良が望ま
れていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、定在
波、現像欠陥の発生が実質上無く、しかも高感度で高解
像力の優れた化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を
提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、特定の構造の酸分解性基を有する化合物を含有
するポジ型フォトレジスト組成物により、上記目的が達
成され、本発明を完成るに到った。すなわち、本発明に
係わるポジ型フォトレジスト組成物は下記構成である。 （１）（ａ）下記一般式（Ｉ）で示される基を有し、か
つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解
性が増大する化合物、及び（ｂ）活性光線又は放射線の
照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴と
するポジ型フォトレジスト組成物。

【０００９】

【化２】

【００１０】上記一般式（Ｉ）中：Ｒ¹、Ｒ²は、同一で
も異なっていてもよく、水素原子又は炭素数１〜４のア
ルキル基を表す。Ｘは、置換されていてもよい炭素数１
〜２０のアルキレン基を表す。Ｙは、２価の連結基を表
す。Ｚは、置換されていてもよいヘテロ環基を表す。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 （ａ）上記一般式（Ｉ）で示される基を有し、酸の作用
により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大す
る化合物 一般式（Ｉ）におけるＲ¹、Ｒ²の炭素数１〜４のアルキ
ル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げる
ことができる。Ｒ¹、Ｒ²としては、水素原子及びメチル
基が好ましい。

【００１２】一般式（Ｉ）におけるＸの炭素数１〜２
０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基の具体例
としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブ
チレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン
基、オクチレン基、ノニレン基、デカニレン基等が挙げ
られる。なかでも、エチレン、プロピレン基、ブチレン
基等が好ましい。

【００１３】上記アルキレン基は、置換されていてもよ
く、その置換基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、フェニル基、トリル基、シクロヘキシ
ル基等が挙げられる。

【００１４】上記Ｚのヘテロ環としては、チイラン、シ
クロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾ
チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジ
ン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾー
ル、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等が挙げ
られるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造（炭素とヘテ
ロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成さ
れる環）であれば、これらに限定されない。

【００１５】また、Ｚにおける上記のヘテロ環基の更な
る置換基としては、水酸基、ハロゲン原子（フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、上記のアル
キル基、メトキシ基・エトキシ基・ヒドロキシエトキシ
基・プロポキシ基・ヒドロキシプロポキシ基・ｎ−ブト
キシ基・イソブトキシ基・ｓｅｃ−ブトキシ基・ｔ−ブ
トキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基・エ
トキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベン
ジル基・フエネチル基・クミル基等のアラルキル基、ア
ラルキルオキシ基、ホルミル基・アセチル基・ブチリル
基・ベンゾイル基・シアナミル基・バレリル基等のアシ
ル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアル
ケニル基、ビニルオキシ基・プロペニルオキシ基・アリ
ルオキシ基・ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ
基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキ
シ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニ
ル基を挙げることができる。

【００１６】Ｙの２価の連結基としては、−Ｏ−Ｃ（＝
Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｓ
ｅ−、及び炭素数１〜４のアルキレン基等を挙げること
ができる。これらは単独で、また２種類以上組み合わせ
て用いることができる。

【００１７】Ｙの２価の連結基の例としては、好ましく
は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ
₂−、−Ｓｅ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ₂−である。

【００１８】一般式（Ｉ）で示される基の具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。

【００１９】

【化３】

【００２０】

【化４】

【００２１】

【化５】

【００２２】

【化６】

【００２３】上記のような一般式（Ｉ）で示される基を
有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する
溶解性が増大する化合物としては、一般式（Ｉ）で示さ
れる基を含有するアルカリ可溶性樹脂（ポリマー型溶解
阻止化合物）及び非ポリマー型溶解阻止化合物を含むも
のである。本発明のポジ型フォトレジスト組成物の好ま
しい態様としては以下に示すものが挙げられる。 光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物 光酸発生剤と非ポリマー型溶解阻止化合物とアルカリ
可溶性樹脂 光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー
型溶解阻止化合物 光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー
型溶解阻止化合物とアルカリ可溶性樹脂

【００２４】以下、ポリマー型溶解阻止化合物について
説明する。本発明におけるポリマー型溶解阻止化合物と
は、モノマ−を重合して得られる、分子量分布を有する
化合物に、一般式（Ｉ）で示される酸分解性基を導入し
た構造を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化
合物のことである。ポリマー型溶解阻止化合物として
は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両
方に、一般式（Ｉ）で示される基を有する樹脂である。
この内、一般式（Ｉ）で示される基を側鎖に有する樹脂
がより好ましい。次に、一般式（Ｉ）で示される基が側
鎖として結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−Ｏ
Ｈもしくは−ＣＯＯＨ、好ましくは−Ｒ０−ＣＯＯＨも
しくは−Ａ−ＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂であ
る。例えば、後述する酸分解性基を含有していないアル
カリ可溶性樹脂を挙げることができる。

【００２５】本発明において好ましい母体樹脂として
は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂で
ある。本発明に用いられるフェノール性水酸基を有する
アルカリ可溶性樹脂は、ｏ−、ｍ−又はｐ−ヒドロキシ
スチレン（これらを総称してヒドロキシスチレンと言
う）、あるいはｏ−、ｍ−又はｐ−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン（これらを総称してヒドロキシ−α−メチ
ルスチレンと言う）に相当する繰り返し単位を少なくと
も３０モル％、好ましくは５０モル％以上含有する共重
合体又はそのホモポリマー、あるいは該単位のベンゼン
核が部分的に水素添加された樹脂であることが好まし
く、ｐ−ヒドロキシスチレンホモポリマーがより好まし
い。上記共重合体を共重合により調製するためのヒドロ
キシスチレン及びヒドロキシ−α−メチルスチレン以外
のモノマーとしては、アクリル酸エステル類、メタクリ
ル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド
類、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、無水マレ
イン酸、スチレン、α−メチルスチレン、アセトキシス
チレン、アルコキシスチレン類が好ましく、スチレン、
アセトキシスチレン、ｔ−ブトキシスチレンがより好ま
しい。

【００２６】本発明では、このような樹脂中における一
般式（Ｉ）で示される基を有する繰り返し単位の含有量
としては、全繰り返し単位に対して５モル％〜５０モル
％が好ましく、より好ましくは５モル％〜４０モル％で
ある。本発明において上記のポリマー型溶解阻止化合物
中には、上記一般式（Ｉ）で示される基以外に、他の酸
分解性基を含んでいてもよい。

【００２７】上記一般式（Ｉ）で示される基を含有する
ポリマー型溶解阻止化合物は、対応するビニルエーテル
を合成し、テトラヒドロフラン等の適当な溶媒に溶解し
たフェノール性水酸基含有アルカリ可溶性樹脂と既知の
方法により反応させることで得ることができる。反応
は、通常酸性の触媒、好ましくは、酸性イオン交換樹脂
や、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸あるいは、ピリジニ
ウムトシレートのような塩の存在下実施される。

【００２８】上記一般式（Ｉ）で示される基を含有する
ポリマー型溶解阻止化合物の重量平均分子量は３,００
０〜８０,０００が好ましく、より好ましくは７,０００
〜５０,０００である。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範
囲は、１．０１〜４．０であり、好ましくは１．０５〜
３．００である。このような分子量分布のポリマーを得
るにはアニオン重合、ラジカル重合等の手法を用いるこ
とが好ましい。

【００２９】このようなポリマー型溶解阻止化合物の具
体的構造を以下に例示するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。

【００３０】

【化７】

【００３１】

【化８】

【００３２】

【化９】

【００３３】

【化１０】

【００３４】

【化１１】

【００３５】

【化１２】

【００３６】

【化１３】

【００３７】次に、非ポリマー型溶解阻止化合物につい
て説明する。非ポリマー型溶解阻止化合物とは、３,０
００以下の一定の分子量を有し、単一の構造を有する化
合物に、上記一般式（Ｉ）で示される基を導入した構造
を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物の
ことである。本発明に使用される上記非ポリマー型溶解
阻止化合物は、酸分解性基として上記一般式（Ｉ）で示
される基を少なくとも１種有する。各化合物中、酸分解
性基はそれぞれその構造中に少なくとも２個存在し、該
酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解
性基を除く結合原子を少なくとも１０個、好ましくは少
なくとも１１個、更に好ましくは少なくとも１２個経由
する化合物、又は酸分解性基を少なくとも３個有し、該
酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解
性基を除く結合原子を少なくとも９個、好ましくは少な
くとも１０個、更に好ましくは少なくとも１１個経由す
る化合物を使用するのが有利である。

【００３８】非ポリマー型溶解阻止化合物は、アルカリ
可溶性樹脂のアルカリへの溶解性を抑制し、露光を受け
ると発生する酸により酸分解性基が脱保護され、逆に樹
脂のアルカリへの溶解性を促進する作用を有する。

【００３９】本発明において、好ましい非ポリマー型溶
解阻止化合物は、１分子中にアルカリ可溶性基を３個以
上有する分子量３０００以下の単一構造化合物の該アル
カリ可溶性基の１／２以上を一般式（Ｉ）で示される基
を有する１価の酸分解性基で保護した化合物をあげるこ
とができる。このようなアルカリ可溶性基を残した非ポ
リマー型溶解阻止化合物を用いることにより、非ポリマ
ー型溶解阻止化合物の溶剤溶解性が向上し、本発明の効
果を更に高めるという点で好ましい。

【００４０】また、本発明において、上記結合原子の好
ましい上限は５０個、更に好ましくは３０個である。本
発明において、非ポリマー型溶解阻止化合物が、酸分解
性基を３個以上、好ましくは４個以上有する場合、又酸
分解性基を２個有するものにおいても、該酸分解性基が
互いにある一定の距離以上離れている場合、アルカリ可
溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上する。

【００４１】なお、本発明における酸分解性基間の距離
は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示される。例
えば、以下の化合物（１），（２）の場合、酸分解性基
間の距離は、各々結合原子４個であり、化合物（３）で
は結合原子１２個である。

【００４２】

【化１４】

【００４３】また、本発明における非ポリマー型溶解阻
止化合物は、１つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基
を有していても良いが、好ましくは、１つのベンゼン環
上に１個の酸分解性基を有する骨格から構成される化合
物である。更に、本発明の非ポリマー型溶解阻止化合物
の分子量は３，５００以下であり、好ましくは５００〜
３，０００、更に好ましくは１，０００〜２，５００で
ある。本発明の非ポリマー型溶解阻止化合物の分子量が
上記範囲であると高解像力の点で好ましい。

【００４４】好ましい非ポリマー型溶解阻止化合物は、
特開平１−２８９９４６号、特開平１−２８９９４７
号、特開平２−２５６０号、特開平３−１２８９５９
号、特開平３−１５８８５５号、特開平３−１７９３５
３号、特開平３−１９１３５１号、特開平３−２００２
５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００
２５３号、特開平３−２００２５４号、特開平３−２０
０２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２
７９９５８号、特開平３−２７９９５９号、特開平４−
１６５０号、特開平４−１６５１号、特開平４−１１２
６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５
７号、特願平３−３３２２９号、特願平３−２３０７９
０号、特願平３−３２０４３８号、特願平４−２５１５
７号、特願平４−５２７３２号、特願平４−１０３２１
５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８
８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９
５号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物のフ
エノール性ＯＨ基の一部もしくは全部を上記一般式
（Ｉ）で示される基を有する１価の酸分解性基で保護し
た化合物が含まれる。

【００４５】更に好ましくは、特開平１−２８９９４６
号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５
５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−２００２
５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００
２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７
９９５８号、特開平４−１６５０号、特開平４−１１２
６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５
７号、特願平４−２５１５７号、特願平４−１０３２１
５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８
８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９
５号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。

【００４６】より具体的には、下記一般式［Ｉ］〜［Ｖ
III］で表される化合物が挙げられる。

【００４７】

【化１５】

【００４８】

【化１６】

【００４９】ここで、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹³⁰：同
一でも異なっていても良く、水素原子、前記一般式
（Ｉ）で示される酸分解性基を構成する基を表す。 Ｒ¹⁰⁰：−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−
ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2
−、−ＳＯ3−もしくは下記式で示される基を表す。

【００５０】

【化１７】

【００５１】上記式中、Ｇは２〜６の整数である。但し
Ｇが２のときはＲ¹⁵⁰、Ｒ¹⁵¹のうち少なくとも一方はア
ルキル基である。 Ｒ¹⁵⁰、Ｒ¹⁵¹：同一でも異なっていても良く、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、
−ＣＮ、ハロゲン原子、−Ｒ¹⁵²−ＣＯＯＲ¹⁵³もしくは
−Ｒ¹⁵⁴−ＯＨを表す。 Ｒ¹⁵²、Ｒ¹⁵⁴：アルキレン基を表す。 Ｒ¹⁵³：水素原子、アルキル基、アリール基もしくはア
ラルキル基を表す。 Ｒ⁹⁹、Ｒ¹⁰³〜Ｒ¹⁰⁷、Ｒ¹⁰⁹、Ｒ¹¹¹〜Ｒ¹¹⁸、及びＲ¹³¹
〜Ｒ¹³⁴：同一又は異なって、水素原子、水酸基、アル
キル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキル
オキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、
シアノ基もしくは−Ｎ（Ｒ¹⁵⁵）（Ｒ¹⁵⁶）（Ｒ¹⁵⁵、Ｒ
¹⁵⁶：Ｈ、アルキル基もしくはアリール基である）を表
す。 Ｒ¹¹⁰：単結合、アルキレン基もしくは下記式で示され
る基を表す。

【００５２】

【化１８】

【００５３】上記式中、Ｒ¹⁵⁷、Ｒ¹⁵⁹：同一又は異なっ
て、単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−
もしくはカルボキシル基を表す。 Ｒ¹⁵⁸：水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シ
アノ基もしくはカルボキシル基である。但し、水酸基が
上記一般式（Ｉ）で示される基を含む１価の酸分解性基
で置き換ってもよい。

【００５４】Ｒ¹¹⁹、Ｒ¹²⁰：同一又は異なって、メチレ
ン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン基も
しくはハロアルキル基である。ここで、低級アルキル基
とは炭素数１〜４個のアルキル基を表す。 Ａ：メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメ
チレン基もしくはハロアルキル基を表す。 a〜v，g1〜n1は、複数のとき、括弧内の基は同一でも異
なっていてもい。 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1：０もしくは１〜５の整数
である。 r,u：０もしくは１〜４の整数である。 j1,n1,：０もしくは１〜３の整数である。 ここで、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(g1+h1+i1+j1)≧２、 (j1+n1)≦３、 (r+u)≦４、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1)≦５、 を満たす。

【００５５】

【化１９】

【００５６】ここで、 Ｒ¹⁶⁰：有機基、単結合、−Ｓ−、−ＳＯ−、もしくは
−Ｓ(＝Ｏ)２−を表す。 Ｒ¹⁶¹：水素原子、一価の有機基もしくは下記式で示さ
れる基を表す。

【００５７】

【化２０】

【００５８】上記式中、 Ｒ¹⁶²〜Ｒ¹⁶⁶：同一又は異なって、水素原子、水酸基、
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル
基、もしくは一般式（Ｉ）で示される基を構成する基で
ある。但し、少なくとも２つは一般式（Ｉ）で示される
基を構成する基である。また、各４もしくは６個の同一
記号の置換基は同一の基でなくても良い。 Ｘ：２価の有機基を表す。 e2 :０もしくは１を表す。

【００５９】

【化２１】

【００６０】ここで、 Ｒ¹⁶⁷〜Ｒ¹⁷⁰：同一又は異なって、水素原子、水酸基、
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、もしくはア
ルケニル基である。但し、各４〜６個の同一記号の置換
基は同一の基ではなくても良い。 Ｒ¹⁷¹,Ｒ¹⁷²：水素原子、アルキル基もしくは下記式で
示される基である。

【００６１】

【化２２】

【００６２】上記式中、 Ｒ¹⁷³：少なくとも２つは一般式（Ｉ）で示される基を
構成する基であり、その他は水酸基である。 f2,h2：０もしくは１〜４の整数である。 g2 :０もしくは１〜４の整数である。

【００６３】

【化２３】

【００６４】ここで、 Ｒ¹⁷⁴〜Ｒ¹⁸⁰：同一又は異なって、水素原子、水酸基、
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、
アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ
カルボニル基、アリールカルボニル基、アシロキシ基、
アシル基、アラルキルオキシ基、もしくはアリールオキ
シ基を表す。但し、各６個の同一記号の置換基は同一の
基でなくても良い。 Ｒ¹⁸¹：少なくとも２つは一般式（Ｉ）で示される基を
構成する基であり、その他は水酸基である。 好ましい化合物骨格の具体例を以下に示す。

【００６５】

【化２４】

【００６６】

【化２５】

【００６７】

【化２６】

【００６８】

【化２７】

【００６９】

【化２８】

【００７０】

【化２９】

【００７１】

【化３０】

【００７２】

【化３１】

【００７３】

【化３２】

【００７４】

【化３３】

【００７５】

【化３４】

【００７６】

【化３５】

【００７７】

【化３６】

【００７８】

【化３７】

【００７９】

【化３８】

【００８０】

【化３９】

【００８１】

【化４０】

【００８２】化合物（１）〜（６３）中のＲは、水素原
子、及び下記式で表される基

【００８３】

【化４１】

【００８４】から選ばれる。但し、化合物中の少なくと
も２個もしくは構造により少なくとも３個のＲは、水素
原子以外の基であり、そして少なくとも１個は前記一般
式（Ｉ）で表される基を含む基である。複数個存在する
各置換基Ｒは同一の基でなくてもよい。

【００８５】本発明において、一般式（Ｉ）で示される
基を有する、酸の作用に分解し、アルカリ現像液に対す
る溶解性が増大する化合物の組成物中の添加量を、以下
に示す。 光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物を含む場合の
ポリマー型溶解阻止化合物の含有量は、組成物の全重量
（固形分換算で）に対して５〜５０重量％が好ましく、
より好ましくは１０〜４０重量％である。 光酸発生剤と非ポリマー型溶解阻止化合物とアルカリ
可溶性樹脂を含む場合の非ポリマー型溶解阻止化合物の
含有量は、組成物の全重量（固形分換算で）に対して３
〜５０重量％が好ましく、より好ましくは５〜３５重量
％である。

【００８６】光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物
と非ポリマー型溶解阻止化合物を含む場合の非ポリマー
型溶解阻止化合物の含有量が、組成物の全重量（固形分
換算で）に対して３〜４０重量％が好ましく、より好ま
しくは５〜３０重量％であり、ポリマー型溶解阻止化合
物の含有量が、組成物の全重量（固形分換算で）に対し
て２〜５０重量％が好ましく、より好ましくは５〜４０
重量％である 光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー
型溶解阻止化合物とアルカリ可溶性樹脂を含む場合、非
ポリマー型溶解阻止化合物の含有量が、組成物の全重量
（固形分換算で）に対して３〜４０重量％が好ましく、
より好ましくは５〜３０重量％であり、ポリマー型溶解
阻止化合物の含有量が、組成物の全重量（固形分換算
で）に対して２〜４０重量％が好ましく、より好ましく
は５〜３０重量％である

【００８７】本発明において、組成物中に酸分解性基を
含有していないアルカリ可溶性樹脂を用いることがで
き、これにより感度が向上する。上記酸分解性基を含有
していないアルカリ可溶性樹脂（以下単にアルカリ可溶
性樹脂と言う）は、アルカリに可溶な樹脂であり、ポリ
ヒドロキシスチレン、ノボラック樹脂及びこれらの誘導
体を好ましく挙げることができる。またｐ−ヒドロキシ
スチレン単位を含有する共重合樹脂もアルカリ可溶性で
あれば用いることができる。なかでもポリ（ｐ−ヒドロ
キシスチレン）、ポリ（ｐ／ｍ−ヒドロキシスチレン）
共重合体、ポリ（ｐ／ｏ−ヒドロキシスチレン）共重合
体、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）共重合
体が好ましく用いられる。更に、ポリ（４−ヒドロキシ
−３−メチルスチレン）樹脂、ポリ（４−ヒドロキシ−
３，５−ジメチルスチレン）樹脂のようなポリ（アルキ
ル置換ヒドロキシスチレン）樹脂、上記樹脂のフェノー
ル性水酸基の一部がアルキル化又はアセチル化された樹
脂もアルカリ可溶性であれば好ましく用いられる。

【００８８】更に上記樹脂のフェノール核の一部（全フ
ェノール核の３０ｍｏｌ％以下）が水素添加されている
場合は、樹脂の透明性が向上し、感度、解像力、プロフ
ァイルの矩形形成の点で好ましい。本発明に用いられる
アルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、
水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、
ポリヒドロキシスチレン、アルキル置換ポリヒドロキシ
スチレン、ポリ（ヒドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイ
ミド）共重合体、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−ア
ルキル化物もしくはＯ−アシル化物、ポリ（スチレン−
無水マレイン酸）共重合体、カルボキシル基含有メタク
リル系樹脂及びその誘導体、ポリ（スチレン−ヒドロキ
シスチレン）共重合体、水素化ポリヒドロキシスチレン
を挙げることができるが、これらに限定されるものでは
ない。

【００８９】本発明に用いられる特に好ましいアルカリ
可溶性樹脂は、ノボラック樹脂、ｐ−ヒドロキシスチレ
ンの単位を含有するアルカリ可溶性樹脂（好ましくはポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ／ｍ−ヒドロ
キシスチレン）共重合体、ポリ（ｐ／ｏ−ヒドロキシス
チレン）共重合体、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−ス
チレン）共重合体、ポリ（４−ヒドロキシ−３−メチル
スチレン）樹脂、ポリ（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルスチレン）樹脂のようなポリ（アルキル置換ヒドロ
キシスチレン）樹脂、上記樹脂のフェノール性水酸基の
一部がアルキル化又はアセチル化された樹脂、部分水添
ポリヒドロキシスチレン樹脂、ポリヒドロキシスチレン
樹脂、部分水添ノボラック樹脂、部分水添ポリヒドロキ
シスチレン樹脂である。

【００９０】本発明において、ポリヒドロキシスチレン
とは、ｐ−ヒドロキシスチレンモノマー、ｍ−ヒドロキ
シスチレンモノマー、ｏ−ヒドロキシスチレンモノマー
及び上記モノマーの水酸基の結合位置からオルソ位が炭
素数１〜４のアルキルで置換されたヒドロキシスチレン
モノマーからなる群から選ばれた少なくとも一種のモノ
マーを重合して得られたポリマーを示す。

【００９１】前記ノボラック樹脂は所定のモノマーを主
成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮
合させることにより得られる。

【００９２】所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のク
レゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等
のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチル
フェノール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノール、ｐ−オクチルフエノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メト
キシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジ
メトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノ
ール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノー
ル、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノ
ール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ジ
ヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、フェニルフ
ェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ
芳香化合物を単独もしくは２種類以上混合して使用する
ことができるが、これらに限定されるものではない。

【００９３】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、
ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデ
ヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズ
アルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチル
ベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、
フルフラール及びこれらのアセタール体等を使用するこ
とができるが、これらの中で、ホルムアルデヒドを使用
するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、単独でも
しくは２種類以上組み合わせて用いられる。

【００９４】酸性触媒としては硫酸、ギ酸、酢酸、シュ
ウ酸等を使用することができる。

【００９５】酸分解性基を含有していないアルカリ可溶
性樹脂の含有量としては、該樹脂と酸分解性基含有樹脂
との合計に対して、９０重量％以下、好ましくは８０重
量％以下、更に好ましくは７０重量％以下である。

【００９６】本発明で用いられる光酸発生剤（ｂ）は、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物で
ある。本発明で使用される活性光線又は放射線の照射に
より分解して酸を発生する化合物としては、光カチオン
重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の
光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使
用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、
遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦ
エキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電
子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生す
る化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用する
ことができる。

【００９７】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特開平3-140,140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curin
g ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
同339,049号、同第410,201号、特開平2-150,848号、特
開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、J.V.Criv
ello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crivello eta
l.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt etal,J.Polym
er Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.V.Crivel
lo etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello e
tal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.V.Crivello
etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(197
9)、欧州特許第370,693 号、同161,811号、同410,201
号、同339,049号、同233,567号、同297,443号、同297,4
42号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同4,76
0,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国特許第
2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meieret al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.
P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
cc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase etal,
J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.P
holymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhue
tal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,
Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton eta
l,J.Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal, J.Che
m.SoC.,Perkin I,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetr
ahedron Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.A
m.Chem.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busmanetal,J.Imagi
ng Technol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Mac
ormolecules,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Che
m.Soc.,Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macro
molecules,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Elect
rochem.Soc.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.H
oulihan etal,Macromolcules,21,2001(1988)、欧州特許
第0290,750号、同046,083号、同156,535号、同271,851
号、同0,388,343号、米国特許第3,901,710号、同4,181,
531号、特開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記
載の０−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、
M.TUNOOKA etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Be
rner etal,J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coati
ng Technol.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,P
olymer Preprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672
号、同84515号、同044,115号、同618,564号、同0101,12
2号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774 号、特開昭
64-18143号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等に
記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解して
スルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号等に
記載のジスルホン化合物を挙げることができる。

【００９８】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化
合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.Soc.,
104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sci.,30
(5),218(1986)、S.Kondo etal,Makromol.Chem.,Rapid C
ommun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Chem.,15
2,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,P
olymer Chem.Ed.,17,3845(1979)、米国特許第3,849,137
号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特開昭55-
164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038 、特開
昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029
号等に記載の化合物を用いることができる。

【００９９】さらにV.N.R.Pillai, Synthesis,(1),1(19
80)、A.Abad et al,Tetrahedron Lett.,(47)4555(197
1)、D.H.R.Barton et al,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、
米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載
の光により酸を発生する化合物も使用することができ
る。

【０１００】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【０１０１】

【化４２】

【０１０２】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）３
をしめす。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。

【０１０３】

【化４３】

【０１０４】

【化４４】

【０１０５】

【化４５】

【０１０６】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。

【０１０７】

【化４６】

【０１０８】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は、各々独立、に置
換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基
としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メル
カプト基及びハロゲン原子が挙げられる。

【０１０９】Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８の
アルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、シクロアル
キル基、ニトロ基、カルボキシル基、メルカプト基、ヒ
ロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対し
ては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、ア
ルコシキカルボニル基である。

【０１１０】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ４^-、
ＡｓＦ６^-、ＰＦ６^-、ＳｂＦ６^-、ＳｉＦ６^2-、ＣｌＯ
４^-、ＣＦ３ＳＯ３^-等のパーフルオロアルカンスルホン
酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核
芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸
アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができ
るがこれらに限定されるものではない。

【０１１１】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。

【０１１２】また、露光後加熱処理までの経時での性能
変化（Ｔ−Ｔｏｐ形成、線幅変化等）が少ないような光
酸発生剤が好ましい。そのような光酸発生剤としては例
えば、上記一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）におい
て、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｒ²⁰³〜Ｒ^{2 05}が置換あるいは未置換
のアリール基を表し、Ｚ^-が、光の照射により酸として
発生したときにレジスト膜中で拡散性が比較的小さいも
のである。具体的には、Ｚ^-が、分岐状又は環状の炭素
数８個以上のアルキル基又はアルコキシ基の群の中から
選ばれる基を少なくとも１個有するか、直鎖状、分岐状
又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基又はアルコキシ
基の群の中から選ばれる基を少なくとも２個有するか、
もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル
基又はアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少くとも
３個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸
又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。

【０１１３】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１１４】

【化４７】

【０１１５】

【化４８】

【０１１６】

【化４９】

【０１１７】

【化５０】

【０１１８】

【化５１】

【０１１９】

【化５２】

【０１２０】

【化５３】

【０１２１】

【化５４】

【０１２２】

【化５５】

【０１２３】

【化５６】

【０１２４】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.
Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.P
olym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648
号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。

【０１２５】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。

【０１２６】

【化５７】

【０１２７】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１２８】

【化５８】

【０１２９】

【化５９】

【０１３０】

【化６０】

【０１３１】

【化６１】

【０１３２】

【化６２】

【０１３３】

【化６３】

【０１３４】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。

【０１３５】

【化６４】

【０１３６】ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換してもよいアリール基を表す。具体例
としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。

【０１３７】

【化６５】

【０１３８】本発明において、活性光線又は放射線の照
射により酸を発生する化合物（ｂ）が、オニウム塩、ジ
スルホン、４位ＤＮＱスルホン酸エステル、トリアジン
化合物であることが好ましい。また、これらの化合物は
２種以上を混合させてもよく、その場合、オニウム塩同
士のような類似構造同士を混合させても、オニウム塩と
ジスルホン等異なる骨格の化合物を混合させてもよい。

【０１３９】これらの活性光線又は放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物（ｂ）の添加量は、本発明
のポジ型フォトレジスト組成物の全重量（塗布溶媒を除
く）を基準として通常０．００１〜４０重量％の範囲で
用いられ、好ましくは０．０１〜２０重量％、更に好ま
しくは０．１〜５重量％の範囲で使用される。活性光線
又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の
添加量が、０．００１重量％より少ないと感度が低くな
り、また添加量が４０重量％より多いとレジストの光吸
収が高くなりすぎ、プロファイルの悪化や、プロセス
（特にベーク）マージンが狭くなり好ましくない。

【０１４０】本発明の組成物に有機塩基性化合物を用い
ることができる。これにより、保存時の安定性向上及び
ＰＥＤによる線巾変化が少なくなるため好ましい。本発
明で用いることのできる好ましい有機塩基性化合物と
は、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。中で
も含窒素塩基性化合物が好ましい。好ましい化学的環境
として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）構造を挙げることができ
る。

【０１４１】

【化６６】

【０１４２】ここで、Ｒ²⁵⁰、Ｒ²⁵¹及びＲ²⁵²は、同一
又は異なり、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭
素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロ
キシアルキル基又は炭素数６〜２０の置換もしくは非置
換のアリール基であり、ここでＲ²⁵¹とＲ²⁵²は互いに結
合して環を形成してもよい。

【０１４３】

【化６７】

【０１４４】（式中、Ｒ²⁵³、Ｒ²⁵⁴、Ｒ²⁵⁵及びＲ
²⁵⁶は、同一又は異なり、炭素数１〜６のアルキル基を
示す） 更に好ましい化合物は、窒素含有環状化合物あるいは一
分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する
含窒素塩基性化合物である。窒素含有環状化合物として
は、多環構造であることがより好ましい。窒素含有多環
環状化合物の好ましい具体例としては、下記一般式
（Ｆ）で表される化合物が挙げられる。

【０１４５】

【化６８】

【０１４６】上記式（Ｆ）中、Ｙ、Ｚは、同一又は異な
って、直鎖、分岐、あるいは環状アルキレン基を表す。
これらアルキレン基はヘテロ原子を含んでいてもよい
し、置換されていてもよい。ここで、ヘテロ原子として
は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が挙げられる。アル
キレン基としては、炭素数２〜１０のものが好ましく、
より好ましくは炭素数２〜５のものである。アルキレン
基の置換基としては、炭素数１〜６個のアルキル基、ア
リール基、アルケニル基の他、ハロゲン原子、ハロゲン
置換アルキル基が挙げられる。一般式（Ｆ）で示される
化合物の具体例としては、下記に示す化合物が挙げられ
る。

【０１４７】

【化６９】

【０１４８】上記の中でも、１，８−ジアザビシクロ
〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、１，５−ジアザビ
シクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エンが特に好ましい。

【０１４９】一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を
２個以上有する含窒素塩基性化合物としては、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。好ましい具体例としては、置換
もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のア
ミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピ
リジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換
もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは未置換の
ピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もし
くは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリ
ン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは
未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。

【０１５０】特に好ましい化合物として、グアニジン、
１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テト
ラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノ
ピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピ
リジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルア
ミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−ア
ミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピ
リジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ
−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４
−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペ
ラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−
（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，
２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノ
ピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノ
エチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メ
チルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−ト
リルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５
−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリ
ミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾ
リン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−
（２−アミノエチル）モルフォリン、トリメチルイミダ
ゾール、トリフェニルイミダゾール、メチルジフェニル
イミダゾール等が挙げられるがこれに限定されるもので
はない。

【０１５１】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、ポジ型フォトレジスト組成物（溶媒を除
く）１００重量部に対し、通常、０．００１〜１０重量
部、好ましくは０．０１〜５重量部である。０．００１
重量部未満では上記効果が得られない。一方、１０重量
部を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する
傾向がある。

【０１５２】本発明のポジ型フォトレジスト組成物には
必要に応じて、更に界面活性剤、染料、顔料、可塑剤、
光増感剤及び現像液に対する溶解性を促進させるフエノ
ール性ＯＨ基を２個以上有する化合物等を含有させるこ
とができる。

【０１５３】本発明の感光性樹脂組成物には、界面活性
剤を含有することが好ましい。具体的には、ポリオキシ
エチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステア
リルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポ
リオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチ
レンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノ
ールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエ
ーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン
ブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソ
ルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレー
ト、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエ
ート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪
酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウ
レート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、
ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオ
キシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキ
シエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系
界面活性剤、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ
３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７
１，Ｆ１７３，Ｆ１７６，Ｆ１８９，Ｒ０８（大日本イ
ンキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３１
（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の中でも、フッ素系またはシリコン系界面活性剤が塗
布性、現像欠陥低減の点で好ましい。これらの界面活性
剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合
わせで添加することもできる。界面活性剤の添加量は、
組成物中の全固形分に対して、０．０１〜２重量％、好
ましくは０．０１〜１重量％である。

【０１５４】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１５５】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明のポジ型フォ
トレジスト組成物をｉ又はｇ線に感度を持たせることが
できる。好適な分光増感剤としては、具体的にはベンゾ
フェノン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェ
ノン、ｐ，ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェ
ノン、２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エ
トキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレ
ン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、
ベンゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェ
ニルアントラセン、９−フルオレノン、アセトフェノ
ン、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニト
ロアセナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニト
ロアニリン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−
ニトロアニリン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナ
フチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチ
ルアントラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン
１，２−ベンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−
ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセト
ン、１，２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビ
ス（５，７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロ
ネン等であるがこれらに限定されるものではない。

【０１５６】現像液に対する溶解性を促進させるフェノ
ール性ＯＨ基を２個以上有する化合物としては、ポリヒ
ドロキシ化合物が挙げられ、好ましくはポリヒドロキシ
化合物には、フェノール類、レゾルシン、フロログルシ
ン、フロログルシド、２，３，４−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、α，α' ，α''−トリス（４−ヒドロキシ
フェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンがある。

【０１５７】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
上記各成分を溶解する溶媒に溶かして支持体上に塗布す
るものであり、使用することのできる溶媒としては、エ
チレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタ
ノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエ
チルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシ
エチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン
酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピル
ビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒド
ロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混
合して使用する。

【０１５８】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：
シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コータ
ー等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通
して露光し、ベークを行い現像することにより良好なレ
ジストパターンを得ることができる。

【０１５９】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナト
リウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機
アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第
１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等
の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等のアルコールアミン類、ホルムア
ミドやアセトアミド等のアミド類、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリブチルメチルアンモニウムヒド
ロキシド、テトラエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、メチルトリエタノールアンモニウムヒドロキシド、
ベンジルメチルジエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、ベンジルジメチルエタノールアンモニウムヒドロキ
シド、ベンジルトリエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
ブチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウ
ム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン等のアルカ
リ類の水溶液等がある。

【０１６０】

【実施例】以下、本発明によって更に具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 〔合成例Ｉ−１：アルカリ可溶性樹脂Ｒ−１の合成〕ｐ
−アセトキシスチレン３２．４ｇ（０．２モル）を酢酸
ブチル１２０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、８０
℃にてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０
３３ｇを２．５時間置きに３回添加し、最後に更に５時
間撹拌を続けることにより、重合反応を行った。反応液
をヘキサン１２００ｍｌに投入し、白色の樹脂を析出さ
せた。得られた樹脂を乾燥後、メタノール１５０ｍｌに
溶解した。これに水酸化ナトリウム７．７ｇ（０．１９
モル）／水５０ｍｌの水溶液を添加し、３時間加熱還流
することにより加水分解させた。その後、水２００ｍｌ
を加えて希釈し、塩酸にて中和し白色の樹脂を析出させ
た。この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラ
ヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、５Ｌの超純水中に激
しく撹拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を
３回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で１２０
℃、１２時間乾燥し、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
アルカリ可溶性樹脂Ｒ−１を得た。得られた樹脂の重量
平均分子量（ＧＰＣ法により測定されたポリスチレン換
算値）は１５,０００であった。

【０１６１】〔アルカリ可溶性樹脂Ｒ−２〕日本曹達株
式会社製、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＶＰ８０
００）をアルカリ可溶性樹脂Ｒ−２とした。重量平均分
子量は９８００であった。

【０１６２】〔合成例II-1〕 ＜２−チエニルメチルカルボニルオキシエチルビニルエ
ーテル（Ｘ−１）の合成＞１００ｇのチオフェン−２−
酢酸を５００ｍ１のＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド）に溶解し、３１ｇの水酸化ナトリウムを加えて
室温で１０分撹拌した。そこへ２−クロロエチルビニル
エーテル１１２ｇを加えて、１２０度で２時間撹伴した
（塩が析出）。反応液に水と酢酸エチルを加えて、分液
操作を行い、水洗を３回行った。得られた有機相を乾燥
後、濃縮し、減圧蒸留によって上記目的物（Ｘ−１）を
得た。目的物はＮＭＲにて同定した。

【０１６３】〔合成例II−２〕 ＜チエニルカルボニルオキシエチルビニルエーテル（Ｘ
−２）の合成＞原料にテノイル酸を用いた以外は合成例
II-1と同様の操作によって、上記目的物（Ｘ−２）を得
た。

【０１６４】〔合成例II-３〕 ＜ビニルオキシエチルピロリドン（Ｘ−３）の合成＞原
料に２−ピロリドンを用いた以外は合成例II-1と同様の
操作によって、目的物（Ｘ−３）を得た。

【０１６５】〔合成例II-４〕 ＜２−チエニルエチルビニルエーテル（Ｘ−４）の合成
＞原料に２−チエニルリチウム又は２−チエニルマグネ
シウムブロミドを用いた以外は合成例II-1と同様の操作
によって、上記目的物（Ｘ−４）を得た。

【０１６６】〔合成例II-５〕 ＜２−フリルカルボニルオキシエチルビニルエーテル
（Ｘ−５）の合成＞原料に２−フリルカルボン酸を用い
た以外は合成例II-1と同様の操作によって、目的物（Ｘ
−５）を得た。 〔合成例II-６〕 ＜２−チエニルチオエチルビニルエーテル（Ｘ−６）の
合成＞原料に２−チエニルチオールを用いた以外は合成
例II-1と同様の操作によって、目的物（Ｘ−６）を得
た。

【０１６７】上記で合成したビニルエーテル（Ｘ−１）
〜（Ｘ−６）の構造を下記する。

【０１６８】

【化７０】

【０１６９】〔合成例III−１〕合成例Ｉ−１で得られ
たアルカリ可溶性樹脂Ｒ−１（２０ｇ）をプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
に溶解し、減圧留去により脱水した後、合成例II-1で合
成したＸ−１（１１ｇ）とｐ−トルエンスルホン酸４０
ｍｇを添加して室温下２時間撹拌した。反応液に４２ｍ
ｇのトリエチルアミンを添加し、その後超純水と酢酸エ
チルを添加して分液し、さらに水洗３回行った。得られ
た有機相を減圧留去することによって、酢酸エチルと水
を留去し、本発明に係わる置換基を有するアルカリ可溶
性樹脂（Ｂ−１）を得た。

【０１７０】〔合成例III−２〜III−６〕下記表１に記
載されるように樹脂とビニルエーテルを変えて、合成例
III−１と同様の方法で樹脂（Ｂ−２）〜（Ｂ−６）を
合成した。

【０１７１】〔合成例III−７〕合成例Ｉ−１で得られ
たアルカリ可溶性樹脂Ｒ−１（２０g）をプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
に溶解し、減圧留去により脱水した後、ビニルエーテル
Ｘ−１（１１ｇ）とＰ一トルエンスルホン酸４０ｍｇを
添加して室温下２時間撹拌した。反応液にピリジン２．
０ｇと無水酢酸２．１ｇを添加し、１時間撹伴した。そ
の後、超純水と酢酸エチルを添加して分液操作を行い、
さらに水洗を３回行った。得られた有機相を減圧留去す
ることによって、酢酸エチルと水を除去し、本発明に係
わる置換基を有するアルカリ可溶性樹脂（Ｂ−７）を得
た。

【０１７２】〔合成例III−８〜III−１２〕表１に示さ
れるように樹脂とビニルエーテルを変え、合成例III−
７と同様の方法で樹脂（Ｂ−８）〜（Ｂ−１２）を合成
した。 〔合成例III−１３〜III−１８〕合成例III−１〜III−
６の原料としてＲ−２を用いて合成したものを樹脂（Ｂ
−１３）〜（Ｂ−１８）とした。 〔合成例III−１９〜III−２４〕合成例III−７〜III−
１２の原料としてＲ−２を用いて合成したものを樹脂
（Ｂ−１９）〜（Ｂ−２４）とした。

【０１７３】〔合成例III−２５〕樹脂としてアルカリ
可溶性樹脂Ｒ−１を用い、これとエチルビニルエーテル
とを合成例III−１と同様な方法で、樹脂Ｃ−１を得
た。

【０１７４】

【表１】

【０１７５】（実施例１〜３２、比較例１） 〔感光性組成物の調製と評価〕下記表２に示す各素材を
ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート）８ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターで
濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト溶液
を、スピンコーターを利用して、シリコンウエハー上に
塗布し、１３０℃、６０秒間真空吸着型のホットプレー
トで乾燥して、膜厚０．８μｍのレジスト膜を得た。

【０１７６】

【表２】

【０１７７】

【表３】

【０１７８】上記表２において、非ポリマー型溶解阻止
化合物は、前記骨格の具体例である化合物（４４）であ
り、下記（ｇ−１）で示される構造を有する。また、実
施例、比較例に用いた各光酸発生剤及び有機塩基性化合
物を以下に示す。

【０１７９】

【化７１】

【０１８０】このレジスト膜に、２４８ｎｍＫｒＦエキ
シマレーザーステッパー（ＮＡ＝０．４５）を用いて露
光を行った。露光後１００℃ホットプレートで６０秒間
加熱を行い、直ちに０．２６Ｎテトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸
漬し、３０秒間水でリンスして乾燥した。このようにし
て得られたシリコンウェハー上のパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、レジストの性能を評価した。その結果
を表３に示す。

【０１８１】〔感度〕：０．３０μｍのラインアンドス
ペースのマスクパターンを再現する最低露光量を表す。 〔解像力〕：０．３０μｍのラインアンドスペースのマ
スクパターンを再現する露光量における限界解像力を表
す。 〔定在波の残存〕：０．３０μｍのラインアンドスペー
スのマスクパターンで得られたレジストパターンの側壁
を走査型電子顕微鏡により観察し、下記の４段階評価を
行った。 〇：定在波が全くなく、パターン側壁がきれいな場合 △：定在波が若干見られるか、あるいはパターン側壁に
凹凸が見られる場合 ×：定在波が明らかに確認できる場合 ××：定在波が非常に強く確認できる場合

【０１８２】〔現像欠陥〕：６インチのＢａｒｅ Ｓｉ
基板上に各レジスト膜を０．５μｍに塗布し、真空吸着
式ホットプレートで１３０℃、６０秒間乾燥した。次
に、０．３５μｍコンタクトホールパターン（Ｈｏｌｅ
Ｄｕｔｙ比＝１：３）のテストマスクを介してＮｉｋ
ｏｎ ステッパーＮＳＲ−１５０５ＥＸにより露光した
後、露光後加熱を１３０℃で９０秒間行った。引き続き
２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液）で６０秒間のパドル現像後、純水で３０
秒間水洗しスピン乾燥した。こうして得られたサンプル
をケーエルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２１１２
機により現像欠陥数（ＫＬＡによる現像欠陥）を測定
し、得られた１次データ値を現像欠陥数とした。ＳＥＭ
で確認して、下記の３段階評価を行った。 〇：全く認められないか、１〜２個レベルで確認される
場合 △：１０個以下程度確認される場合 ×：１０個を上回る数が確認される場合

【０１８３】

【表４】

【０１８４】表３の結果から明らかなように、各実施例
のポジ型フォトレジスト組成物は、それぞれ満足すべき
結果を得たが、各比較例のフォトレジスト組成物は、定
在波が残存し、現像欠陥に劣るものであった。

【０１８５】

【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、定在波の発生が実質上無く、現像欠陥が良好であ
り、しかも高感度で高解像力である。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 309/31 Ｃ０７Ｃ 309/31 309/38 309/38 309/39 309/39 309/43 309/43 309/44 309/44 309/47 309/47 309/58 309/58 317/12 317/12 317/14 317/14 317/22 317/22 321/20 321/20 321/28 321/28 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AB08 AB15 AB16 AB17 AC01 AC03 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4H006 AA03 AB76 BJ50 BM30 BM74 BS30 EA22 EA23 GP03 TA02 TA04

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）下記一般式（Ｉ）で示される基を
   有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対
   する溶解性が増大する化合物、及び（ｂ）活性光線又は
   放射線の照射により酸を発生する化合物を含有すること
   を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 【化１】 上記一般式（Ｉ）中：Ｒ¹、Ｒ²は、同一でも異なってい
   てもよく、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表
   す。Ｘは、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアル
   キレン基を表す。Ｙは、２価の連結基を表す。Ｚは、置
   換されてもよいヘテロ環基を表す。