KR100694924B1 - 레지스트 박리조성물 및 레지스트 박리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 산화제, (b) 킬레이트제, (c) 수용성 불소화합물 및 필요에 따라 (d) 유기용매를 함유하는 수성 레지스트 박리조성물을 제공한다. 또한, 수성레지스트 박리조성물을 활용하여 에칭처리후 남은 레지스트막 및 레지스트 잔사를 박리하는 방법을 제공한다. 이 박리방법에 의해, 반도체재료, 회로형성재료, 절연막 등의 부식이 최소화되고 또한 알코올 같은 유기용매 없이 물만으로도 충분히 세정할 수 있다.

Description

레지스트 박리조성물 및 레지스트 박리방법{RESIST STRIPPING COMPOSITION AND PROCESS FOR STRIPPING RESIST}
도 1은 패턴화된 레지스트막을 마스크로 사용하여 드라이에칭에 이어서 산소플라즈마 애싱 처리한 후의 회로소자를 보여주는 개략 단면도.
본 발명은 포토레지스트 박리조성물 및 이 포토레지스트 박리조성물을 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이고, 더 구체적으로는 레지스트막 제거용 박리조성물 및 반도체 집적회로 혹은 액정디스플레이 제조시 레지스트막의 박리방법에 관한 것이다.
포토리소그래피는 IC 및 LSI 같은 반도체소자의 제조에 널리 사용되어온 방법이었다. 사진평판법에 의한 반도체소자의 제조는 산화실리콘막 같은 절연막 및 회로배선용 금속막 같은 전도성 박막을 통상 실리콘웨이퍼 같은 기판 위에 형성하는 단계; 이 막에 포토레지스트 조성물을 균일도포하여 감광층을 형성하는 단계; 감광층을 선택적 노광 및 현상하여 원하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 하부 박막을 선택적으로 에칭하는 단계; 및 레지스트 패턴을 완전제거하는 단계들을 순차적으로 포함한다.
이전보다 고집적화된 반도체소자에 대한 최근의 수요는 1/4마이크론 이하의 패턴을 요구하고 있다. 이와 같은 가공치수의 초미세화에 따라, 선택적 에칭 처리는 주로 드라이에칭 처리에 의해 달성되며 또한 패턴화된 레지스트는 산소플라즈마 애싱(ashing) 처리로 제거하게 되었다.
그러나, 드라이에칭 처리시 패턴의 주변부에 드라이에칭 가스, 포토레지스트 및 전기전도성 박막에 기인하는 잔류물이 발생하는 것으로 알려졌다. 상기 잔류물은 이하 "레지스트 잔사" 라고 한다. 특히 비아호올(via hole) 속이나 주변에 남은 레지스트 잔사는 전기저항 증가, 전기적 단락 발생 같은 문제점을 일으킨다. 따라서, 고품질 반도체소자의 생산에 있어서 레지스트 잔사의 제거는 매우 중요하다.
일본특허공개 62-49355 및 64-42653 은 알칸올아민 및 유기용매의 혼합물을 포함하는 유기아민 박리액으로 레지스트 잔사를 제거하는 것에 대해 설명한다. 그러나, 여기서 제안된 박리액은 비교적 고온에서 이용되므로 박리액 내의 가연성 유기화합물이 기화하여 불꽃을 일으키기 쉽다. 유기아민 박리액으로 세척(cleansing)한 기판을 알코올 같든 유기용매의 사용없이 물로 세정(rinsing)할 경우, 기판상의 금속막이 남아있는 유기아민의 알칼리성 때문에 부식하게 된다. 따라서, 세정시 알코올 등의 유기용매를 써야한다. 이 문제점을 해결하기 위해, 일본특허공개 7-201794 및 8-20205 는 불소화합물, 유기용매 및 내식제를 함유하는 불소계 수용액을 개시하였다. 이 용액은 유기아민 박리액과 비교할 때 레지스트 잔류물 제거력이 우수하며 저온에서도 사용할 수 있는 것으로 알려졌다.
최근에는 반도체소자 및 액정디스플레이 패널을 위한 기판의 제조에서 드라이에칭 및 애싱처리에 관한 엄격한 조건 때문에, 상기의 유기아민 박리액 및 불소계 수용액에 의해 더이상 완전히 제거되지 않는 더욱 복잡하게 변성된 레지스트 잔사가 생성된다. 제거되지 않고 남은 레지스트 잔사는 전기저항의 증가, 도전선의 단선, 전기단락 및 회로배선 이상 등의 전기적 문제들을 일으킨다. 따라서, 레지스트 잔사 등을 완전히 제거할 수 있는 세정제가 강력히 요망된다.
본 발명의 목적은 반도체 집적회로나 액정 디스플레이에 사용할 반도체소자의 회로 형성 공정에서 드라이에칭 처리후 무기질 기판상에 남은 패턴화된 레지스트막 및 레지스트 잔사를 단시간에 제거하고, 각종 회로재료나 절연재료에 대해 부식을 일으키지 않는 레지스트 박리조성물을 제공하는 것이다. 또한, 또다른 목적은 상기 레지스트 박리조성물을 이용하는 레지스트 박리방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적에 관하여 광범위한 연구 결과, 본 발명자는 (a) 산화제, (b) 킬레이트제 및 (c) 수용성 불소화합물을 포함하는 수성 레지스트 박리조성물이 드라이에칭 처리후 무기질 기판상에 남은 레지스트 잔사 및 패턴화된 레지스트막, 또는 드라이에칭에 이어서 애싱처리 후 남은 레지스트 잔사를 단시간에 손쉽게 제거하는 것을 발견하였다. 또한, 레지스트 박리조성물은 회로 형성재료 혹은 절연막의 부식없이 초미세 회로 가공을 가능하게 하며, 또한 세정액인 알코올 등의 유기용매를 필요로 하지 않고 물만으로 반도체소자를 세정하여 고정밀 회로를 제조할 수 있도록 한다는 것도 발견하였다.
따라서, 본 발명의 첫번째 측면에서는 (a) 산화제, (b) 킬레이트제 및 (c) 수용성 불소화합물을 포함하는 수성 레지스트 박리조성물을 제공한다.
본 발명의 두번째 측면에서는 (a) 산화제, (b) 킬레이트제, (c) 수용성 불소화합물 및 (d) 유기용매를 포함하는 수성 레지스트 박리조성물을 제공한다.
본 발명의 세번째 측면에서는, 상기 박리조성물을 이용하는 레지스트 박리방법을 제공한다.
본 발명에서 이용되는 산화제(a)는 과산화수소, 오존, 차아염소산 등의 무기산화물을 포함하고 바람직하게는 과산화수소이다. 레지스트 박리조성물 내의 산화제 농도는 0.0001 내지 60중량%, 바람직하게는 0.0005 내지 30중량%이다.
본 발명에서 이용되는 킬레이트제(b)는 아미노폴리카르복실산 및 이것의 암모늄염, 금속염 및 유기알칼리염 같은 이들의 염이다. 아미노폴리카르복실산은 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), 디히드록시에틸에틸렌디아민테트라아세트산(DHEDTA), 1,3-프로판디아민테트라아세트산(1,3-PDTA), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DTPA), 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산(TTNA), 니트릴로트리아세트산(NTA), 또한 히드록시에틸이미노디아세트산(HIMDA)을 포함할 수 있다.
또다른 킬레이트제는 분자속에 적어도 하나의 포스폰산기(phosphonic acid group)를 갖는 포스폰킬레이트제(phosphonic chelating agent), 이것의 산화유도체, 및 암모늄염, 유기아민염 및 알칼리금속염 같은 이것의 염이다. 포스폰킬레이트제는 에틸디포스폰산, 아미노트리스메틸렌포스폰산, 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스메틸렌포스폰산, 도데실아미노비스메틸렌포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민비스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 헥산디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산 및 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산을 포함할 수 있다. 포스폰킬레이트제 분자속의 질소원자는 산화하여 N-산화물 유도체를 형성할 수 있다.
그 밖의 유용한 킬레이트제로는 메타인산, 테트라메타인산, 헥사메타인산 및 트리폴리인산 등의 축합인산과 이들의 암모늄염, 금속염 및 유기아민염 같은 이들의 염류가 있다.
상기 킬레이트제 중에서, 한 분자에 적어도 2개의 포스폰산기를 하나의 분자에 갖는 것이 바람직하며 2 내지 6개의 포스폰산기를 가진 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산 및 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산 등이 바람직하며 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산이 특히 더 바람직하다.
상기 킬레이트제는 단독 혹은 2가지 이상의 조합형태로 사용되기도 한다.
킬레이트제의 농도는 박리조성물 전체중량을 기초하여 바람직하게는 0.01 내지 5중량%, 더 바람직하게는 0.05 내지 3중량%이다.
본 발명에서 유용한 수용성 불소화합물(c)은 불화암모늄, 산성 불화암모늄 및 불화 모노에탄올아민 같은 유기아민 불화물, 또한 불화 테트라메틸암모늄을 포함한다. 수용성 불소화합물의 농도는 박리조성물 전체중량을 기초하여 바람직하게는 0.001 내지 10중량%, 더 바람직하게는 0.005 내지 5중량%이다.
본 발명에서 유용한 유기용매(d)는 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 디프로필렌글리콜 디메틸에테르 같은 에테르 용매; 포름아미드, 모노메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 모노에틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디에틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 및 N-에틸피롤리돈 같은 아미드 용매; 또한 디메틸술폭시드, 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시)술폰 및 테트라메틸렌술폰 등의 황화합물 용매 등을 포함한다. 바람직한 것은 디메틸술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등이다.
유기용매는 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 유기용매의 농도는 박리조성물 전체중량을 기초할 때 1 내지 7중량% 범위에서 선택된다. 유기용매의 사용여부나 그의 농도는 드라이에칭 처리 및/또는 애싱 처리의 조건, 또한 당업자에 잘 알려진 기타의 요인에 따라 쉽게 결정된다.
본 발명에 따른 박리조성물은 성분(a) 내지 (c), 선택적인 성분(d) 및 나머지로서 물을 함유하는 수성 조성물이다. 박리조성물은 분산물 혹은 현탁물로서 통상 수용액 형태이다. 레지스트 박리액은 본 발명의 목적에 악영향을 미치지 않는 한 종래의 레지스트 박리액에서 사용되는 첨가제를 함유할 수 있다.
박리조성물의 pH값은 특별히 한정되지 않지만 에칭 처리조건, 무기질 기판재료 등에 따라 pH3 내지 pH12 범위에서 선택된다. 알칼리성 박리조성물에 있어서, 암모니아, 아민 혹은 테트라메틸암모늄 히드록시드 같은 제4급 암모늄 수산화물을 첨가해도 되며, 산성 박리조성물에 있어서는 유기산이나 무기산을 첨가해도 된다.
박리조성물의 습윤성을 개선하기 위해 양이온성, 비이온성 및 음이온성 계면활성제를 사용할 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리조성물은 공지방법에 따라 제조한다. 예를들어, 성분(a) 내지 (c)와 선택적인 성분(d)를 혼합물이 균질한 상태로 될 때까지 교반하에 물을 첨가한다. 성분들의 첨가순서는 중요치 않다.
본 발명에 따른 박리방법은 통상 상온 내지 80℃까지의 범위에서 실행하며 특정한 박리온도를 에칭조건과 사용되는 무기질 기판재료에 따라 적절히 선택할 수 있다.
무기질 기판재료는 실리콘, 비정질실리콘, 폴리실리콘, 산화실리콘막, 질화실리콘막, 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 티타늄, 티타늄-텅스텐, 질화티타늄, 텅스텐, 탄탈륨, 탄탈륨 화합물, 탄탈륨 합금, 크롬, 산화크롬, 크롬합금과 ITO(인듐-주석 산화물), 갈륨-비소, 갈륨-인 및 인듐-인 등의 반도체 형성 재료; 또한 LCD용 유리기판을 들 수 있다.
본 발명의 박리방법은 무기질 기판에 피복된 레지스트막, 에칭처리후 남은 패턴화된 레지스트막, 또는 에칭 처리에 이어서 애싱 처리 후에 남은 레지스트 잔사 등을 제거하는 방법이다. 박리방법에서, 레지스트막 및/또는 레지스트 잔사를 침지 혹은 디핑(dipping) 등으로 레지스트 박리조성물과 접촉시킨다. 필요시, 가열, 초음파노출법 등을 병용할 수 있다.
"애싱" 처리는 예컨대 유기고분자로 이루어진 레지스트를 산소플라즈마로 연소처리하여 증발시켜 CO 및 CO2를 발생하는 레지스트 제거법이다. 구체적으로, 처리된 기판 및 애싱 가스를 한쌍의 전극사이에 위치한 챔버에 넣어 밀봉한다. 고주파전압을 전극에 인가하여 애싱 가스의 플라즈마를 챔버속에서 발생시킨다. 플라즈마 속의 활성이온 및 기판면의 물질 간의 반응에 따라 포토레지스트가 증발한다.
본 발명의 레지스트 박리조성물에 의한 처리 뒤 세정은 물만 사용하여 실행할 수 있고 알코올 같은 유기용매는 필요없다.
본 발명을 다음의 실시예를 참조하여 더 상세히 설명한다. 그러나, 다음의 실시예는 예시적인 것이며 본 발명을 제한하지는 않는다.
[실시예 1-10 및 비교예 1-8]
도 1은 Al합금(Al-Cu)회로패턴(5)을 형성하기 위해 드라이에칭 처리와 후속의 산소플라즈마 애싱 처리를 거친 후의 Al합금 회로소자를 보여주는 단면도이다. 도1에서, 산화물막(2)은 실리콘 기판(1) 위에 형성되며 Al합금 회로패턴(5)은 배리어 금속(barrier metal)막인 티타늄막(3)과 질화티타늄막(4)을 통해 그 위에 형성되었다. Al합금 회로패턴(5)에 또다른 질화티타늄막(4')을 도포했다. 레지스트 잔사(6)는 적층막의 측벽 상에 남아 있다.
더 구체적으로, 도 1은 산소플라즈마 애싱 처리후의 Al합금 회로소자를 보여주는 단면도이다. 이것은 실리콘 기판 상에 회로패턴을 위한 Al합금(Al-Cu)막을 형성하여 얻었다. Al합금막 상에 레지스트 조성물을 피복하여 레지스트막을 형성하고 다시 포토리소그래피로 패턴화하였다. 그 뒤에, 상기 패턴화된 레지스트막을 마스크로 사용하여 불소계 기체로 드라이에칭 처리를 수행하여 Al합금막을 회로패턴으로 만들었으며, 이어서 산소플라즈마 애싱 처리를 행하였다. 도 1에서, 레지스트 잔사는 Al합금 회로패턴의 측벽상에 남아 있다.
Al합금 회로소자는 각각의 조건에서 표 1에 나타내는 바와 같은 화학 조성을 갖는 레지스트 박리조성물에 침지하고, 초순수로 세척한 뒤 건조시켰다. 그 뒤, 회로소자 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하여 레지스트 잔사의 제거 및 Al합금의 부식상태를 다음의 기준에 따라 평가했다. 이 결과는 표 1에서 보는 바와 같다.
SEM 관찰 평가기준:
++ : 완전제거됨
+ : 거의 완전히 제거됨
- : 부분 잔류함
-- : 대부분 잔류함
부식성
++ : 부식없음
+ : 거의 부식없음
- : 부식에 의한 구멍 혹은 패임
-- : 전체적으로 거친 면 및 Al합금막의 손실
표 1
레지스트 박리조성물
산화제(중량%) 킬레이트제(중량%) 불소화합물(중량%) 유기용매(중량%) 물
실시예
1 HP(5) C1(0.2) AF(0.05) - 나머지
2 HP(2) C1(0.5) AF(0.1) - 나머지
3 HP(1) C1(0.1) AF(0.5) - 나머지
4 HP(5) C2(0.2) AF(0.1) - 나머지
5 HP(5) C3(0.2) AF(0.1) - 나머지
6 HP(5) C4(0.2) AF(0.1) - 나머지
7 HP(0.5) C1(0.2) AF(0.01) - 나머지
8 HP(7) C1(0.2) AF(0.8) S1(45) 나머지
9 HP(7) C5(0.3) AF(0.8) S2(45) 나머지
10 HP(7) C6(0.3) AF(0.8) S2(50) 나머지
비교예
1 HP(5) - - - 나머지
2 - C1(0.5) - - 나머지
3 - - AF(0.5) - 나머지
4 - - - S1(40) 나머지
5 HP(5) C1(0.2) - - 나머지
6 HP(5) - AF(0.1) - 나머지
7 - - AF(0.5) S1(45) 나머지
8 - C1(0.2) AF(0.5) S1(45) 나머지
HP: 과산화수소
C1: 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산
C2: 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산
C3: 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산
C4: 에틸렌디아민 테트라아세트산
C5: 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산
C6: 인산
AF: 불화암모늄
S1: 디메틸아세트아미드
S2: 디메틸포름아미드
표 1 (계속)
박리조건 레지스트 잔사 제거 Al합금 부식
실시예 온도(℃) 시간(분)
1 23 5 ++ ++
2 23 5 ++ ++
3 23 5 ++ ++
4 23 5 ++ ++
5 23 5 ++ ++
6 23 5 ++ ++
7 40 5 ++ ++
8 23 3 ++ ++
9 23 3 ++ ++
10 23 5 ++ ++
비교예
1 23 5 -- ++
2 23 5 -- ++
3 23 5 - +
4 23 5 -- ++
5 23 5 - ++
6 23 5 + -
7 23 5 - +
8 23 5 + +
[실시예11]
실시예 1과 동일한 방식으로, Al합금(Al-Cu)막은 실리콘 기판에 형성되고 레지스트막으로 피복되었으며 이 막은 포토리소그래피 처리되어 패턴화된 레지스트막을 형성하였다. 그 뒤 Al합금막은 패턴화된 레지스트막을 마스크로 사용하여 불소계 기체로 드라이에칭 처리했다. 수득된 회로소자를 실시예 1에서와 동일한 포토레지스트 박리조성물에 50℃에서 5분간 침지하여 마스크로 이용되었던 패턴화된 레지스트막과 또한 드라이에칭 처리시 생성된 레지스트 잔사를 제거했고, 초순수로 세정한 뒤 건조시켰다. 그 후, 회로소자의 표면을 주사전자현미경(SEM) 하에 관찰하여 패턴화된 레지스트막 및 레지스트 잔사물의 제거 및 Al합금 부식성을 상술한 평가기준에 따라 평가하였다. 그 결과, 패턴화된 레지스트막 및 레지스트 잔사는 Al합금 회로패턴의 부식이 전혀 없이 완전히 제거되었음이 확인되었다.
본 발명에 따른 레지스트 박리조성물을 사용함으로써, 무기질 기판상에 피복된 레지스트막, 에칭처리후 남은 패턴화된 레지스트막, 또는 에칭처리에 이어서 애싱처리후 남은 레지스트 잔사 등을 저온에서 단시간에 쉽게 제거할 수 있다. 이러한 박리처리를 이용하면 하부배선 재료의 부식이 전혀 없으므로 정밀가공된 회로패턴이 얻어진다. 또한, 박리처리후의 회로소자를 물만으로 충분히 세정할 수 있고 알코올 같은 유기용매를 사용할 필요가 없기 때문에 고정밀도 및 고품질의 회로 패턴을 제조할 수 있다.

Claims (19)

  1. 삭제
  2. (a) 산화제, (b) 킬레이트제, (c) 수용성 불소화합물 및 (d) 유기용매를 함유하며, 상기 유기용매는 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 디프로필렌글리콜 디메틸에테르, 포름아미드, 모노메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 모노에틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디에틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 및 N-에틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시)술폰 및 테트라메틸렌술폰으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 용매인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 산화제는 과산화수소, 오존 및 차아염소산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 산화물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 산화제는 과산화수소인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 아미노폴리카르복실산, 아미노폴리카르복실산의 암모늄염, 아미노폴리카르복실산의 금속염, 아미노폴리카르복실산의 유기알칼리염, 포스폰킬레이트제(phosphonic chelating agent), 포스폰킬레이트제의 암모늄염, 포스폰킬레이트제의 유기아민염, 포스폰킬레이트제의 알칼리금속염, 포스폰킬레이트제의 N-산화물, 축합인산, 축합인산의 암모늄염, 축합인산의 금속염 및 축합인산의 유기아민염으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 아미노폴리카르복실산은 에틸렌디아민 테트라아세트산, 디히드록시에틸에틸렌디아민테트라아세트산, 1,3-프로판디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산, 니트릴로트리아세트산 및 히드록시에틸이미노디아세트산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 포스폰킬레이트제는 메틸디포스폰산(methyldiphosphonic acid), 아미노트리스메틸렌포스폰산, 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스메틸렌포스폰산, 데실아미노비스메틸렌포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민비스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 헥산디아민테트라키스메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산 및 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 축합인산은 메타인산, 테트라메타인산, 헥사메타인산 및 트리폴리인산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 포스폰킬레이트제인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 포스폰킬레이트제는 2 내지 6개의 포스폰산기(phosphonic acid group)를 갖는 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 포스폰킬레이트제는 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산 및 에틸렌디아민테트라키스메틸렌포스폰산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  12. 제 2항에 있어서,
    상기의 수용성 불소화합물은 불화암모늄, 산성 불화암모늄, 불화 모노에탄올아민 및 불화 테트라메틸암모늄으로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기의 수용성 불소화합물은 불화암모늄인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  14. 삭제
  15. 제 2항에 있어서,
    상기 유기용매는 디메틸술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 구성된 군에서 선택된 적어도 1종의 용매인 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  16. 삭제
  17. 제 2항에 있어서,
    상기 (a)산화제 0.0001 내지 60중량%, 상기 (b)킬레이트제 0.01 내지 5중량%, 상기 (c)수용성 불소화합물 0.001 내지 10중량%, 상기 (d)유기용매 1 내지 70중량% 및 잔여부로서 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 수성 레지스트 박리조성물.
  18. 무기질 기판에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막을 패턴화처리하여 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 패턴화된 레지스트막을 마스크로 사용하여 상기 패턴화된 레지스트막 하부의 막을 드라이에칭하여 상기 하부막의 비마스크 영역을 제거하는 단계; 및
    상기 드라이에칭 과정에서 형성된 레지스트 잔사(residue) 및/또는 드라이에칭후 잔존하는 상기 패턴화된 레지스트막을 제 2항 내지 제 13항, 제 15항 및 제 17항 중 어느 한 항에 따른 수성 레지스트 박리조성물과 접촉시킴으로써 상기 레지스트 잔사 및/또는 상기 패턴화된 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 및 레지스트 잔사의 박리방법.
  19. 무기질 기판에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막을 패턴화처리하여 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 패턴화된 레지스트막을 마스크로 사용하여 상기 패턴화된 레지스트막 하부의 막을 드라이에칭하여 상기 하부막의 비마스크 영역을 제거하는 단계;
    상기 패턴화된 레지스트막을 애싱(ashing) 처리하는 단계; 및
    상기 드라이에칭 과정에서 형성된 레지스트 잔사를 제 2항 내지 제 13항, 제 15항 및 제 17항 중 어느 한 항에 따른 수성 레지스트 박리조성물과 접촉시킴으로써 상기 레지스트 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 및 레지스트 잔사의 박리방법.
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