PL207297B1 - Bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca i zastosowanie bezkrzemianowej kompozycji czyszczącej - Google Patents
Bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca i zastosowanie bezkrzemianowej kompozycji czyszczącejInfo
- Publication number
- PL207297B1 PL207297B1 PL374021A PL37402103A PL207297B1 PL 207297 B1 PL207297 B1 PL 207297B1 PL 374021 A PL374021 A PL 374021A PL 37402103 A PL37402103 A PL 37402103A PL 207297 B1 PL207297 B1 PL 207297B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- cleaning
- residues
- composition
- compositions
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- FCKYPQBAHLOOJQ-UWVGGRQHSA-N 2-[[(1s,2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]cyclohexyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical group OC(=O)CN(CC(O)=O)[C@H]1CCCC[C@@H]1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UWVGGRQHSA-N 0.000 claims description 9
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 7
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- MBDNRNMVTZADMQ-UHFFFAOYSA-N sulfolene Chemical class O=S1(=O)CC=CC1 MBDNRNMVTZADMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 3
- 150000003966 selones Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 8
- -1 for example Substances 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCCN(C)C1=O RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100005280 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) cat-3 gene Proteins 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 1-butylsulfonylbutane Chemical compound CCCCS(=O)(=O)CCCC AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXYCADTAFPULN-UHFFFAOYSA-N 1-propylsulfonylpropane Chemical compound CCCS(=O)(=O)CCC JEXYCADTAFPULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAYFWMOSHFCQPG-UHFFFAOYSA-N 3-Methyl sulfolene Chemical compound CC1=CCS(=O)(=O)C1 FAYFWMOSHFCQPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMJLMPKFQPJDKP-UHFFFAOYSA-N 3-methylthiolane 1,1-dioxide Chemical compound CC1CCS(=O)(=O)C1 CMJLMPKFQPJDKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012933 diacyl peroxide Substances 0.000 description 1
- 229940090960 diethylenetriamine pentamethylene phosphonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L disodium;carboxylatooxy carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)OOC([O-])=O VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYTNHSCLZRMKON-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);zirconium(4+);diacetate Chemical compound [O-2].[Zr+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O LYTNHSCLZRMKON-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229940045872 sodium percarbonate Drugs 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005494 tarnishing Methods 0.000 description 1
- IXZDIALLLMRYOU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl hypochlorite Chemical compound CC(C)(C)OCl IXZDIALLLMRYOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- BZWNJUCOSVQYLV-UHFFFAOYSA-H trifluoroalumane Chemical class [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Al+3].[Al+3] BZWNJUCOSVQYLV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
- C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
- C23G1/061—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors nitrogen-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
-
- C11D2111/22—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0783—Using solvent, e.g. for cleaning; Regulating solvent content of pastes or coatings for adjusting the viscosity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/121—Metallo-organic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca i zastosowanie bezkrzemianowej kompozycji czyszczącej. Kompozycje według wynalazku służą do oczyszczania mikroelektronicznych elementów, szczególnie te kompozycje są użyteczne i posiadają ulepszoną kompatybilność z elementami zawierającymi ditlenek krzemu, wrażliwe dielektryki o małej lub dużej stałej dielektrycznej oraz metalizowanych miedzią, jak również elementy metalizowane Al lub Al(Cu). Przedmiotem wynalazku jest także zastosowanie takich kompozycji do usuwania fotomaski, pozostałości z wytworzonych w procesie plazmowym związków organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych, usuwania pozostałości z procesów planaryzacji, takich jak polerowanie chemicznomechaniczne (CMP).
Wiele substancji do usuwania fotomaski i pozostałości proponowano do stosowania w mikroelektronice jako substancje czyszczące we współprądowych i przeciwprądowych liniach produkcyjnych. W procesie produkcyjnym, na płytce osadza się cienką folię fotomaski i następnie na niej odwzorowuje się projekt układu cyfrowego. Po wysuszeniu, pozostałość, która nie uległa polimeryzacji, usuwa się za pomocą wywoływacza fotomaski. Następnie, uzyskany obraz przenosi się na materiał podłoża, którym na ogół jest dielektryk lub metal, poprzez trawienie plazmowe reaktywnymi gazami lub roztworami chemicznymi. Gazy trawiące lub chemiczne roztwory trawiące selektywnie atakują niezabezpieczoną powierzchnię fotomaski. W wyniku trawienia plazmowego, wokół lub na ściankach bocznych wytrawionych w elemencie otworów osadzają się pozostałości fotomaski, gazu trawiącego oraz produkty uboczne powstałe w czasie trawienia materiału.
Ponadto, po zakończeniu etapu trawienia, warstwa ochronna musi zostać usunięta z zabezpieczonej powierzchni płytki tak, aby można było przeprowadzić końcowe operacje. Można to osiągnąć, stosując trawienie plazmowe odpowiednim gazem trawiącym lub wodne, chemiczne substancje czyszczące. Jednak nie jest łatwo znaleźć odpowiednią kompozycję czyszczącą zdolną do usunięcia warstwy ochronnej materiału bez szkodliwego działania, takiego jak np. korodowanie, rozpuszczanie lub matowienie, metalowego zespołu obwodów elektrycznych.
Ponieważ zwiększa się poziom integracji układów mikroelektronicznych i zmniejszają się rozmiary tych urządzeń, coraz częściej stosuje się metalizację miedzią dielektryków o małej lub dużej stałej dielektrycznej. Materiały te wymagają znalezienia odpowiednich kompozycji czyszczących. Wiele kompozycji technologicznych, które uprzednio stosowano do „tradycyjnych lub „typowych urządzeń półprzewodnikowych, zawierających struktury Al/SiO2 lub Al(Cu)SiO2, nie można stosować do metalizowanych miedzią układów o małej lub dużej stałej dielektrycznej. Kompozycje usuwające powłoki lub pozostałości oparte np. na hydroksyloaminie z powodzeniem stosuje się do oczyszczania urządzeń metalizowanych Al, ale praktycznie nie nadają się do układów metalizowanych miedzią. Podobnie, roztwory do usuwania powłok, stosowane do wielu układów metalizowanych miedzią o małej stałej dielektrycznej K nie są odpowiednie dla urządzeń metalizowanych Al, o ile nie zastosowano istotnych zmian składu kompozycji.
Usunięcie pozostałości po trawieniu plazmowym i/lub procesie spopielania stanowi również poważny problem. Niecałkowite usunięcie lub zneutralizowanie tych pozostałości może prowadzić do absorpcji wody i powstania niepożądanych substancji, które mogą powodować korozję struktury metalu. Materiał zespołu obwodów elektrycznych ulega korozji pod wpływem niepożądanych substancji, powstają nieciągłości w obwodzie elektrycznym i niekorzystnie zwiększa się opór elektryczny.
Stosowane obecnie kompozycje do przeciwprądowego oczyszczania, charakteryzują się szerokim zakresem zgodności z pewnymi, wrażliwymi dielektrykami i elementami metalizowanymi, od kompozycji całkowicie niedopuszczalnych do krańcowo zadowalających. Wiele z obecnie stosowanych roztworów do usuwania powłok lub pozostałych substancji oczyszczających nie należy stosować do zaawansowanych, łączących się wzajemnie materiałów, takich jak porowate materiały, dielektryki o ma ł ej stał ej dielektrycznej K i elementy metalizowane miedzią . Ponadto, stosowane do typowego oczyszczania, alkaliczne roztwory są zbyt agresywne dla porowatych materiałów, dielektryków o małej oraz dużej stałej dielektrycznej K i/lub elementów metalizowanych miedzią. Co więcej, wiele tych alkalicznych kompozycji do oczyszczania zawiera rozpuszczalniki organiczne, które wykazują słabą trwałość, szczególnie w środowisku o wyższych zakresach pH i w wyższych temperaturach procesu.
Dotychczas, do oczyszczania stosowano środki utleniające głównie w postaci roztworów wodnych.
Utleniacze, takie jak powszechnie stosowane nadtlenek wodoru i kwasy nadtlenowe, łatwo reagują lub łatwo ulegają rozkładowi-, szczególnie w środowisku rozpuszczalników organicznych, które są na ogół stosowane w kompozycjach do usuwania powłok. W takich przypadkach czynnik utleniający zużywa się
PL 207 297 B1 i nie może spełniać już swojej roli. Co więcej, kompozycje do oczyszczania mikroelektroniki, zawierające środki utleniające, często charakteryzują się słabą trwałością, szczególnie w obecności znaczących ilości 10% wagowych lub więcej rozpuszczalników organicznych oraz przy wyższych wartościach pH i wyższych temperaturach procesu. Ponadto, stosowane w wielu kompozycjach stabilizatory i rozpuszczalniki, często wiążą czynnik utleniający, prowadząc w efekcie do zmniejszenia jego zdolności do przeprowadzenia skutecznej reakcji utleniania/redukcji, stosowanej w procesie oczyszczania.
Przedmiotem wynalazku jest bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca, trwała w środowisku silnie alkalicznym o pH>9 i w obecności H2O2, do czyszczenia w jednoetapowym procesie elementu mikroelektronicznego pokrytego miedzią lub Al lub Al(Cu) i mającego niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej, pozostałości o wysokiej fotoresystywności, pozostałości związków nieorganicznych, organometalicznych i organicznych generowanych w plazmowym procesie, pozostałości z procesu planaryzacji, takiego jak polerowanie chemiczno-mechaniczne i do zastosowania jako dodatek do planaryzacji zawiesiny pozostałości, charakteryzujący się tym, że zawiera od 10 do 90% wagowych sulfolanu jako polarnego rozpuszczalnika organicznego ze zdolnością do tworzenia wiązań wodorowych i minimalnie bądź niereagującego z czynnikiem utleniającym, od 0,1 do 10% wagowych wodorotlenku tetra-alkiloamoniowego, od 10 do 60% wody, od 0,1 do 5% wagowych środka chelatującego lub kompleksującego metal wybranego z grupy obejmującej kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy.
Korzystnie kompozycja jako czynnik chelatujący lub kompleksujący metal zawiera kwas trans1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy.
Korzystnie zawiera co najmniej sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i wodę.
Korzystnie zawiera sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i wodę.
Przedmiotem wynalazku jest zastosowanie kompozycji według wynalazku do jednoetapowego czyszczenia elementu mikroelektronicznego pokrytego miedzią lub Al lub Al(Cu) i mającego niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej, pozostałości o wysokiej fotoresystywności, pozostałości związków nieorganicznych, organometalicznych i organicznych generowanych w procesie plazmowym, przy czym kontaktuje się element mikroelektroniczny z kompozycją czyszczącą w ciągu czasu wystarczającego do usunięcia pozostałości z elementu mikroelektronicznego.
Kompozycje według wynalazku służą do oczyszczania elementów mikroelektronicznych opartych na rozpuszczalnikach organicznych. Są trwałe w warunkach silnie alkalicznych, pH>9, w wysokich temperaturach, takich jak 60°C lub więcej i w obecności silnych czynników utleniających, takich jak nadtlenek wodoru itp. Są odpowiednie do przeciwprądowych operacji oczyszczania, skutecznych środków czyszczących, odpowiednich do usuwania fotomaski i usuwania pozostałości z wytworzonych w procesie plazmowym związków organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych, usuwania pozostałości z procesów planaryzacji, takich jak CMP, przydatne jako dodatki w zawiesinowo/cieczowej planaryzacji i można je stosować do zaawansowanych, łączących się materiałów, zawierających układy metalizowane miedzią oraz porowate lub nieporowate dielektryki o małej (tj. K=3 lub mniej) lub dużej (tj. K=20 lub więcej) wartości stałej dielektrycznej K, jak również są przydatne do oczyszczania typowych urządzeń, takich jak układy metalizowane glinem lub glinem (miedzią), zawierające ditlenek krzemu, dielektryki o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej K.
Stwierdzono, że szeroko dopuszczalne kompozycje do oczyszczania mogą dostarczać preparaty niemające w swym składzie krzemianów, zawierające silnie alkaliczne zasady oraz pewne polarne rozpuszczalniki organiczne, które minimalnie bądź wcale nie reagują z czynnikiem utleniającym i szczególnie te rozpuszczalniki, które pomagają stabilizować czynnik utleniają cy. Stwierdzono, ż e takie preparaty mogą dostarczać rozpuszczalniki ze zdolnością do tworzenia wiązań wodorowych.
Kompozycja według wynalazku do oczyszczania przeciwprądowego będzie zawierać jedną lub więcej dowolnej mocnej zasady alkalicznej i pewne polarne rozpuszczalniki organiczne. Kompozycje do oczyszczania można tworzyć w środowisku wysoko wodnym, półwodnym lub rozpuszczalnika organicznego. Kompozycje do oczyszczania można stosować same, tylko z innymi rozpuszczalnikami, lub można je łączyć z zasadami i kwasami. Kompozycje do oczyszczania według wynalazku można stosować w szerokim zakresie warunków pH i temperatury procesu/operacji, oraz można je stosować do skutecznego usuwania fotomaski, pozostałości po plazmowym trawieniu/spopieleniu, protektorowych, absorbujących światło materiałów i przeciwodblaskowych powłok (ARC). Ponadto stwierdzono, że bardzo trudne do oczyszczenia próbki, takie jak wysoko usieciowane lub utwardzone fotomaski
PL 207 297 B1 i struktury zawierające tytan (takie jak tytan, tlenek tytanu i azotek tytanu) lub tantal (takie jak tantal, tlenek tantalu i azotek tantalu) można łatwo oczyścić kompozycjami do oczyszczania według wynalazku.
Zasada alkaliczna może występować w ilości od 0,1 do 10% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 5% wagowych. W kompozycjach do oczyszczania można stosować dowolną odpowiednią zasadę alkaliczną. Korzystnymi zasadami są wodorotlenek amonu lub zasada będąca lub nie pochodną amoniaku. Jeśli kompozycja ma być stosowana do oczyszczania struktur metalizowanych miedzią korzystną zasadą jest ta, która nie jest pochodną amoniaku i jeśli kompozycja ma być stosowana do oczyszczania struktur zawierających glin, bardziej pożądaną zasadą alkaliczną będzie wodorotlenek amonu, zasady będące lub nie pochodnymi amoniaku w połączeniu z hamującym korozję współrozpuszczalnikiem i/lub czynnikiem hamującym korozję, jak ujawniono poniżej. Jako przykłady odpowiednich zasad nie pochodzących od amoniaku można wymienić wodorotlenki tetraalkiloamoniowe, takie jak te o wzorze R4N+OH-, gdzie każdy R oznacza niezależnie podstawione lub niepodstawione grupy alkilowe, zawierające korzystnie 1 do 22 atomów węgla i korzystniej 1 do 4 atomów węgla. Pośród alkalicznych zasad stosowanych w kompozycjach można wymienić, np. wodorotlenek tetrametyloamoniowy, wodorotlenek tertrabutyloamoniowy, wodorotlenek choliny, itp. Jako zasady alkaliczne można także stosować zasady nieorganiczne, takie jak np. wodorotlenek potasu, wodorotlenek sodu itp.
Rozpuszczalnikiem organicznym jest polarny rozpuszczalnik organiczny ze zdolnością do tworzenia wiązań wodorowych i minimalnie bądź wcale nie reagujący z czynnikiem utleniającym. Do takich rozpuszczalników organicznych należą: amidy, sulfony, sulfoleny, selenony i nasycone alkohole. Pośród korzystnych rozpuszczalników można wymienić: sulfolan (1,1-ditlenek tetrahydrotiofenu), 3-metylosulfolan, sulfon n-propylowy, sulfon n-butylowy, sulfolen (1,1-ditlenek 2,5-dihydrotiofenu), 3-metylosulfolen, amidy takie jak 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon (HEP), dimetylopiperydon (DMPD), N-metylopirolidynon (NMP) i dimetyloacetamid (DMAc), dimetyloformamid (DMF), oraz nasycone alkohole, takie jak etanol, propanol, butanol, heksanol, glikol etylenowy, glikol propylenowy, glicerol i heksafluoroizopropanol. Rozpuszczalnik organiczny - składowa kompozycji może obejmować jeden lub więcej rozpuszczalników i na ogół występuje w ilości od 10 do 90% wagowych i korzystnie w ilości od 30 do 80% wagowych. Rozpuszczalniki te są odporne na kwasowe i alkaliczne środowisko i nie wiążą się ze środkiem utleniającym zbyt mocno. Ponadto, gdy preparat według wynalazku łączy się z czynnikiem utleniającym, są zdolne do stabilizacji środka utleniającego, takiego jak nadtlenek wodoru, poprzez tworzenie trwałych kompleksów, dzięki wzajemnemu oddziaływaniu jak wiązanie wodorowe.
Woda może występować w kompozycjach oczyszczających w ilości od 10 do 60% wagowych, korzystnie w ilości od 15 do 50% wagowych. Woda może być częścią składową innych składników i/lub może być dodana dodatkowo.
Jak zaznaczono wcześniej, kompozycję do oczyszczania według wynalazku można także stosować przy kwasowych wartościach pH i dowolny, odpowiedni kwasowy składnik, taki jak np. HCl lub HF, można stosować w ilości wystarczającej do wytworzenia kwasowego pH kompozycji.
Kompozycja do oczyszczania może również ewentualnie zawierać jeden lub więcej hamujących korozję współrozpuszczalników. Korzystne hamujące korozję współrozpuszczalniki stosowane w kompozycjach według wynalazku posiadają następują cy wzór ogólny
W-[CR1R2]n-Y w którym R1 i R2 niezależnie od siebie oznaczają podstawnik wybrany spośród takich jak H-alkil, korzystnie alkil zawierający od 1 do 6 atomów węgla, aryl, korzystnie aryl zawierający od 3 do 14 atomów węgla, OR3 i SO2R4; n oznacza cyfrę od 2 do 6, korzystnie 2 lub 3; W i Y niezależnie od siebie oznaczają podstawnik wybrany spośród takich jak OR3 i SO2R4 oraz R3 i R4 niezależnie od siebie oznaczają podstawnik wybrany spośród takich jak H-alkil, korzystnie alkil zawierający od 1 do 6 atomów węgla i aryl, korzystnie aryl zawierający od 3 do 14 atomów węgla. Jako przykłady takich hamujących korozję współrozpuszczalników można wymienić, np. glikol etylenowy, glikol propylenowy i glicerol itp. Jeśli wymaganym polarnym rozpuszczalnikiem organicznym - składnikiem kompozycji oczyszczającej nie jest nasycony alkohol spełniający powyższy wzór, to może on występować jako współrozpuszczalnik. Współrozpuszczalniki mogą występować w kompozycji w ilości od 0 do 80% wagowych, korzystnie od 1 do 50% wagowych, najkorzystniej od 1 do 30% wagowych.
Kompozycje według wynalazku mogą także zawierać inne środki hamujące korozję, korzystnie związki arylowe zawierające dwie lub więcej grup OH, OR5, i/lub SO2R6 związanych bezpośrednio z pierścieniem aromatycznym, w którym R5 i R6 niezależnie od siebie oznaczają alkil, korzystnie alkil zawierający od 1 do 6 atomów węgla lub aryl, korzystnie aryl zawierający od 6 do 14 atomów węgla.
Przykładami takich korzystnych środków hamujących korozję są katechol, pirogalol, kwas galusowy,
PL 207 297 B1 rezorcyna itp. Powyższe środki hamujące korozję mogą występować w ilości od 0 do 15% wagowych, korzystnie od 0,1 do 10% wagowych, najkorzystniej od 0,5 do 5% wagowych.
Organiczne lub nieorganiczne środki chelatujące lub kompleksujące metale nie są wymagane, ale zapewniają istotne korzyści, takie jak np. ulepszona trwałość produktu. Przykładami odpowiednich środków chelatujących lub kompleksujących mogą być między innymi: kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy (CyDTA), kwas etylenodiaminotetraoctowy (EDTA), cyniany, pirofosforany, pochodne kwasu alkilidenodifosfonowego (np. etano-1-hydroksy-1,1-difosfonian), fosfoniany zawierające reszty funkcyjne pochodzące od etylenodiaminy, dietylenotriaminy lub trietylenotetraaminy np. kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy (EDTMP), kwas dietylenotriaminopentametylenofosfonowy, kwas trietylenotetraaminoheksametylenofosfonowy. Czynnik chelatujący będzie występował w kompozycji w ilości od 0,1 do 5% wagowych, korzystnie od 0,1 do 2% wagowych. Różne fosfoniany, środki chelatujące lub kompleksujące metal, takie jak kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy (EDTMP) umożliwiają znacznie większą stabilizację kompozycji do oczyszczania według wynalazku, zawierającej czynnik utleniający w środowisku kwasowym i alkalicznym, tak więc są na ogół korzystne.
Można stosować również inne inhibitory korozji metali, takie jak benzotriazol, w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie od 0,1 do 2% wagowych.
Kompozycje do oczyszczania mogą ewentualnie zawierać surfaktanty, takie jak np. dimetyloheksynol (Surfynol-61), etoksytetrametylodecynediol (Surfynol-465), politetrafluoroetylenoacetoksypropylobetaina (Zonyl FSK), Zonyl FSH itp. Surfaktant na ogół będzie występował w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie 0,1 do 3% wagowych.
Kompozycje do oczyszczania mogą również ewentualnie zawierać związki fluoru, takie jak np. fluorek tetrametyloamoniowy, fluorek tetrabutyloamoniowy oraz fluorek amonu. Inne odpowiednie związki fluoru obejmują, np. fluoroborany, fluoroborany tetrabutyloamoniowe, heksafluorki glinu, fluorek antymonu itp. Związki fluoru będą występować w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych.
Jak wcześniej wspomniano, kompozycje do oczyszczania według wynalazku można stosować w połączeniu z czynnikiem utleniają cym, co jak przedstawiono poniż ej, umoż liwia wytworzenie kolejnych kompozycji do oczyszczania i usuwania powłok. Takie kompozycje mogą zawierać dowolny czynnik utleniający odpowiedni do stosowania w kompozycjach do oczyszczania elementów mikroelektronicznych. Jako przykłady takich czynników utleniających można wymienić, np. nadtlenki, szczególnie nadtlenek wodoru, cząsteczkowe związki addycyjne peroksyhydratów z nadtlenkiem wodoru i oksykwasami, octan cyrkonylu i azozwiązki, np. nadwęglan sodu, nadborany sodu, jak również nadjodany(IO4-), nadtlenoborany, nadtlenomanganiany (MnO4-), nadtlenowodorosiarczany, nadtlenosiarczany i alkiloksyhalogenki, np. t-BuOCl. Można również stosować, lecz mniej korzystnie inne związki nadtlenowe, powstałe w wyniku reakcji podstawienia H2O2 i cząsteczek organicznych. Przykłady obejmują alkilonadtlenki, kwasy nadtlenowe, diacylonadtlenki i ketononadtlenki. Podobne produkty reakcji podstawienia H2O2 cząsteczkami nieorganicznymi, takie jak kwas nadtlenosiarkowy, można także stosować. Czynnik utleniający jest stosowany w kompozycjach do oczyszczania według wynalazku w ilości od 0 do 30% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych i najkorzystniej w ilości od 1 do 5% wagowych. Uprzywilejowanym ś rodkiem utleniającym jest nadtlenek wodoru (H2O2), korzystnie stosowany w postaci 3 do 30% wodnego roztworu.
Przykłady kompozycji do oczyszczania według wynalazku przedstawiono w poniższych tabelach 1 do 4.
Stosowane w tabelach skróty oznaczają.
TMAH = 25% roztwór wodorotlenku tetrametyloamoniowego
HEP = 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon
CyDTA = kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy
DMPD = dimetylopiperydon
SFL = sulfolan
EG = glikol etylenowy
CAT = katechol
EDTMP = kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy
NH4OH = wodorotlenek amonu
CH = wodorotlenek choliny
Woda = dodatkowa woda, oprócz tej, którą zawiera roztwór wodny składników.
PL 207 297 B1
T a b e l a 1
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
| Składnik | A | B | C | D | E | F |
| 25% TMAH | 25 | 17,5 | 10 | 2,5 | 2 | 9 |
| 6,21% | 6,75% | 5,24% | 4,29% | 3,09% | 4,28% | |
| HEP | ||||||
| SFL | 300 | 150 | 30 | 50 | ||
| 74,57% | 57,85% | 51,52% | 77,29% | |||
| CyDTA | 2,3 | 0,9 | 0,23 | 0,19 | 1,15 | |
| 0,57% | 0,47% | 0,39% | 0,29% | 0,55% | ||
| EDTMP | 1,8 0,69% | |||||
| DMPD | 120 62,86% | |||||
| EG | 30 | 15 | 200 | |||
| 11,57% | 25,76% | 95,17% | ||||
| CAT | 3 | |||||
| 5,15% | ||||||
| 29% NH4OH | ||||||
| 20% CH | ||||||
| H2O | 75 | 60 | 60 | 7,5 | 12,5 | |
| 18,65% | 23,14% | 31,43% | 12,89% | 19,33% | ||
| SUMA składników kompozycji | 402,3 | 259,3 | 190,9 | 58,23 | 64,69 | 210,15 |
| 100% | 100% | 100% | 100% | 100% | 100% |
T a b e l a 2
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
| Składnik | G | H | I | J | K | L |
| 25% TMAH | 25 | 25 | 20 | 25 | 17,5 | 17,5 |
| 6,79% | 6,20% | 5,44% | 6,73% | 6,75% | 7,31% | |
| HEP | ||||||
| SFL | 300 | 300 | 300 | 300 | 150 | 150 |
| 81,52% | 74,44% | 81,63% | 80,75% | 57,85% | 62,68% | |
| CyDTA | 3 | 3 | 2,5 | 1,5 | ||
| 0,82% | 0,74% | 0,68% | 0,40% | |||
| EDTMP | 1,8 | 1,8 | ||||
| 0,69% | 0,75% | |||||
| DMPD | ||||||
| EG | 5 | 30 | 40 | 20 | ||
| 1,36% | 7,44% | 15,43% | 8,36% | |||
| CAT | ||||||
| 29% NH4OH | ||||||
| 20% CH | ||||||
| H2O | 35 | 45 | 45 | 45 | 50 | 50 |
| 9,51% | 11,18% | 12,24% | 12,12% | 19,28% | 20,90% | |
| SUMA składników kompozycji | 368 | 403 | 367,5 | 371,5 | 259,3 | 239,3 |
| 100% | 100% | 100% | 100% | 100% | 100% |
PL 207 297 B1
T a b e l a 3
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
| Składnik | M | N | 0 | P | Q | R |
| 25% TMAH | 2,5 | 3,1 | ||||
| 4,29% | 2,64% | |||||
| HEP | ||||||
| SFL | 30 | 50 | 50 | 50 | 50 | 74 |
| 51,52 | 73,76% | 65,79% | 77,77% | 68,97% | 63,04% | |
| CyDTA | 0,23 | 0,39 | 0,39 | 0,28 | ||
| 0,39% | 0,57% | 0,61% | 0,24% | |||
| EDTMP | 0,6 | 0,6 | ||||
| 0,79% | 0,83% | |||||
| DMPD | ||||||
| EG | 15 | |||||
| 25,76% | ||||||
| CAT | 3 | 3,5 | 3,5 | |||
| 5,15% | 5,16% | 4,60% | ||||
| 29% NH4OH | 1,4 | 1,9 | 1,4 | 1,9 | ||
| 2,06% | 2,50% | 2,18% | 2,62% | |||
| 20% CH | ||||||
| H2O | 7,5 | 12,5 | 20 | 12,5 | 20 | 40 |
| 12,89% | 18,45% | 26,32% | 19,44% | 27,58% | 34,08% | |
| SUMA składników kompozycji | 58,23 | 67,79 | 76 | 64,29 | 72,5 | 117,38 |
| 100% | 100% | 100% | 100% | 100% | 100% |
T a b e l a 4
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
| Składnik | S | T | U | V |
| 25% TMAH | 7,5 | 17,5 | 6,25 | 7,5 |
| 6,90% | 13,43% | 19,62% | 6,90% | |
| HEP | 75 69,00% | |||
| SFL | 75 57,56% | |||
| CyDTA | 1,2 | 0,8 | 0,6 | 1,2 |
| 1,10% | 0,61% | 1,88% | 1,10% | |
| EDTMP | ||||
| DMPD | 75 69,00% | |||
| EG | ||||
| CAT | ||||
| 29% NH4OH | ||||
| 20% CH | 12 9,21% | |||
| H2O | 25 | 25 | 25 | 25 |
| 23% | 19,19% | 78,50% | 23% | |
| SUMA składników kompozycji | 108,7 | 130,3 | 31,85 | 108,7 |
| 100% | 100% | 100% | 100% |
PL 207 297 B1
Szybkości trawienia miedzi przez kompozycje do oczyszczania według wynalazku przedstawiono w tabeli 5. Szybkość trawienia oznaczono dla kompozycji A, B (zmodyfikowanej) i E wg tabeli 1, wykorzystując następującą procedurę.
Do badań stosowano kawałki folii miedzi o przybliżonych wymiarach 13 x 50 mm. Masa kawałków folii została zmierzona. Oczyszczone 2-propanolem, wodą destylowaną oraz acetonem kawałki folii osuszono w suszarni wysokotemperaturowej. Oczyszczone i osuszone kawałki folii wprowadzono następnie do luźno zamkniętych butelek, zawierających ogrzane kompozycje do oczyszczania według wynalazku i umieszczono w piecu próżniowym na okres dwóch do dwudziestu czterech godzin we wskazanej temperaturze. Po powyższej obróbce, oczyszczone kawałki folii wyjęto z suszarni i butelek, przepł ukano dużą ilością wody destylowanej, suszono w suszarni wysokotemperaturowej przez 1 godzinę i pozostawiono do ochłodzenia do temperatury pokojowej, następnie szybkość trawienia określono na podstawie utraty lub zmiany masy.
T a b e l a 5
| Kompozycja wg tabeli 1 | Szybkość trawienia Cu w temperaturze 55°C (A/min) | Szybkość trawienia Cu w temperaturze 65°C (A /min) |
| A | 6 | 6 |
| B + 25%TMAH (62,5:5) | 3 | |
| E | 4 | 3 |
Szybkości trawienia międzywarstw dielektryka (ILD) przez kompozycje A i B wg tabeli 1 według wynalazku, wobec różnych dielektryków, oszacowano stosując następującą procedurę.
Grubość folii na kawałkach płytek mierzy się stosując Interferometer Rudolph. Kawałki płytek (z międzywarstwami dielektryka ILD osadzonymi na płytkach krzemowych) zanurzono we wskazanych kompozycjach do oczyszczania w określonej temperaturze na okres 30 minut, po czym przepłukano wodą dejonizowaną i wysuszono w strumieniu azotu. Następnie ponownie zmierzono grubości i szybkości trawienia obliczono w oparciu o zmianę grubości folii, spowodowaną wskazaną obróbką .
Szybkości trawienia IDL za pomocą kompozycji A przedstawiono w tabeli 6 i szybkości trawienia IDL za pomocą kompozycji B w tabeli 7.
T a b e l a 6
| Dielektryk | Szybkość trawienia w temperaturze 70°C (A /min) |
| Tlenek domieszkowany węglem (CDO) | 5 |
| Azotek krzemu (SIN) | 3 |
| Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) | 1,5 |
| Polimer organiczny SiLKTM | - |
| Fluorowane szkło krzemianowe (FSG) | <1 |
| Tlenek domieszkowany węglem CoralTM | 18 |
T a b e l a 7
| Dielektryk | Szybkość trawienia w temperaturze 70°C (A/min) |
| Tlenek domieszkowany węglem (CDO) | 1,5 |
| Azotek krzemu (SiN) | 4 |
| Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) | 1 |
| Polimer organiczny SiLKTM | <1 |
| Fluorowane szkło krzemianowe (FSG) | <1 |
| Tlenek domieszkowany węglem CoralTM | 3 |
PL 207 297 B1
Zdolność kompozycji według wynalazku do oczyszczania, ilustruje następujący test, w którym układ mikroelektroniczny składający się z płytki o strukturze: fotomaska/powłoka przeciwodblaskowa (ARC)/porowaty tlenek domieszkowany węglem, zanurzono w roztworze do oczyszczania kompozycji A w temperaturze 50°C przez okres 20 minut, nastę pnie przepłukano wodą , osuszono i stopień oczyszczenia określono za pomocą pomiarów SEM. Przeprowadzony test pokazał, że kompozycja oczyściła większość ARC, jednocześnie minimalnie trawiąc porowaty tlenek domieszkowany węglem.
Claims (5)
- Zastrzeżenia patentowe1. Bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca, trwała w środowisku silnie alkalicznym o pH>9 i w obecnoś ci H2O2, do czyszczenia w jednoetapowym procesie elementu mikroelektronicznego pokrytego miedzią lub Al lub Al(Cu) i mającego niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej, pozostałości o wysokiej fotoresystywności, pozostałości związków nieorganicznych, organometalicznych i organicznych generowanych w plazmowym procesie, pozostałości z procesu planaryzacji takiego jak polerowanie chemiczno-mechaniczne i do zastosowania jako dodatek do planaryzacji zawiesiny pozostałości, znamienna tym, że zawiera od 10 do 90% wagowych sulfolanu jako polarnego rozpuszczalnika organicznego ze zdolnością do tworzenia wiązań wodorowych i minimalnie bądź nie reagującego z czynnikiem utleniającym, od 0,1 do 10% wagowych wodorotlenku tetra-alkiloamoniowego, od 10 do 60% wody, od 0,1 do 5% wagowych środka chelatującego lub kompleksującego metal wybranego z grupy obejmują cej kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy.
- 2. Kompozycja według zastrz. 1, znamienna tym, że jako czynnik chelatujący lub kompleksujący metal zawiera kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy.
- 3. Kompozycja według zastrz. 2, znamienna tym, że zawiera co najmniej sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i wodę.
- 4. Kompozycja według zastrz. 3, znamienna tym, że zawiera sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i wodę.
- 5. Zastosowanie kompozycji określonej w zastrz. 1 do jednoetapowego czyszczenia elementu mikroelektronicznego pokrytego miedzią lub Al lub Al(Cu) i mającego niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej, pozostałości o wysokiej fotoresystywności, pozostałości związków nieorganicznych, organometalicznych i organicznych generowanych w procesie plazmowym, przy czym kontaktuje się element mikroelektroniczny z kompozycją czyszczącą w ciągu czasu wystarczającego do usunięcia pozostałości z elementu mikroelektronicznego.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US38680002P | 2002-06-07 | 2002-06-07 | |
| US40168802P | 2002-08-07 | 2002-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL374021A1 PL374021A1 (pl) | 2005-09-19 |
| PL207297B1 true PL207297B1 (pl) | 2010-11-30 |
Family
ID=29739917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL374021A PL207297B1 (pl) | 2002-06-07 | 2003-05-27 | Bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca i zastosowanie bezkrzemianowej kompozycji czyszczącej |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8906838B2 (pl) |
| EP (1) | EP1512050A2 (pl) |
| JP (1) | JP4330529B2 (pl) |
| KR (1) | KR100958068B1 (pl) |
| CN (2) | CN1659480A (pl) |
| AU (1) | AU2003240827A1 (pl) |
| BR (1) | BR0311830A (pl) |
| CA (1) | CA2488737A1 (pl) |
| IL (1) | IL165581A (pl) |
| IN (2) | IN2004CH02744A (pl) |
| MY (1) | MY142745A (pl) |
| NO (1) | NO20050075L (pl) |
| PL (1) | PL207297B1 (pl) |
| RS (1) | RS106104A (pl) |
| TW (1) | TWI330766B (pl) |
| WO (1) | WO2003104901A2 (pl) |
| ZA (1) | ZA200409622B (pl) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7208049B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
| CN101833251B (zh) * | 2004-02-11 | 2013-11-13 | 安万托特性材料股份有限公司 | 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物及清洗方法 |
| US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
| US7867779B2 (en) | 2005-02-03 | 2011-01-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream |
| US7923424B2 (en) * | 2005-02-14 | 2011-04-12 | Advanced Process Technologies, Llc | Semiconductor cleaning using superacids |
| US8044009B2 (en) * | 2005-04-04 | 2011-10-25 | Avantor Performance Materials, Inc. | Compositions for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications |
| CN101233456B (zh) | 2005-06-07 | 2013-01-02 | 高级技术材料公司 | 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物 |
| KR101152139B1 (ko) | 2005-12-06 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
| KR101349491B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2014-01-08 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 배선 기판의 잔사 제거용 조성물 및 세정 방법 |
| WO2008080097A2 (en) * | 2006-12-21 | 2008-07-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Liquid cleaner for the removal of post-etch residues |
| US20080149884A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing |
| US8110508B2 (en) | 2007-11-22 | 2012-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer |
| CN101487993A (zh) * | 2008-01-18 | 2009-07-22 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种厚膜光刻胶清洗剂 |
| WO2009108474A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Microelectronic substrate cleaning compositions |
| JP2009231354A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法 |
| CN101359189B (zh) * | 2008-09-17 | 2011-04-27 | 电子科技大学 | 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液 |
| EP2387801A2 (en) * | 2009-01-14 | 2011-11-23 | Avantor Performance Materials B.V. | Solution for increasing wafer sheet resistance and/or photovoltaic cell power density level |
| WO2010099017A2 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers |
| EP2401655B1 (en) * | 2009-02-25 | 2014-03-12 | Avantor Performance Materials, Inc. | Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition |
| US8754021B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-amine post-CMP composition and method of use |
| CN101901784B (zh) * | 2010-07-21 | 2012-05-30 | 河北工业大学 | 钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法 |
| CN101901782B (zh) * | 2010-07-21 | 2011-12-14 | 河北工业大学 | 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法 |
| EP2768920A4 (en) * | 2011-10-21 | 2015-06-03 | Advanced Tech Materials | AMIN FREE POST-KMP COMPOSITION AND METHOD OF USE THEREOF |
| CN103809394B (zh) * | 2012-11-12 | 2019-12-31 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液 |
| US9460934B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-10-04 | Globalfoundries Inc. | Wet strip process for an antireflective coating layer |
| JP6599322B2 (ja) | 2013-10-21 | 2019-10-30 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
| JP2015108041A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | ダイキン工業株式会社 | 洗浄用組成物 |
| US9562211B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-02-07 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
| US9803162B2 (en) | 2014-04-10 | 2017-10-31 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Liquid composition for cleaning semiconductor device, and method for cleaning semiconductor device |
| US9570285B2 (en) * | 2015-04-17 | 2017-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cleaning composition and methods thereof |
| TWI705132B (zh) | 2015-10-08 | 2020-09-21 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法 |
| TWI816635B (zh) | 2015-10-15 | 2023-10-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法 |
| US10988718B2 (en) | 2016-03-09 | 2021-04-27 | Entegris, Inc. | Tungsten post-CMP cleaning composition |
| CN107313055A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-03 | 马爱连 | 一种金属油污清洗剂及其制备方法和使用方法 |
| WO2019186624A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液 |
| US10752867B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-08-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning compositions |
| WO2022163350A1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、基板の洗浄方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3673099A (en) * | 1970-10-19 | 1972-06-27 | Bell Telephone Labor Inc | Process and composition for stripping cured resins from substrates |
| US4744834A (en) * | 1986-04-30 | 1988-05-17 | Noor Haq | Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide |
| US5037724A (en) | 1988-02-25 | 1991-08-06 | Hoya Corporation | Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin |
| US6492311B2 (en) * | 1990-11-05 | 2002-12-10 | Ekc Technology, Inc. | Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process |
| US5308745A (en) | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
| US5561105A (en) * | 1995-05-08 | 1996-10-01 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chelating reagent containing photoresist stripper composition |
| JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JPH1116882A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Toray Fine Chem Co Ltd | フォトレジスト剥離用組成物 |
| JPH1167632A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置用洗浄剤 |
| JPH11323394A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP3606738B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2005-01-05 | 東京応化工業株式会社 | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
| JP4224652B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
| US6475966B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-11-05 | Shipley Company, L.L.C. | Plasma etching residue removal |
| US6531436B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
| MY129673A (en) * | 2000-03-20 | 2007-04-30 | Avantor Performance Mat Inc | Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates |
| US6274296B1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-08-14 | Shipley Company, L.L.C. | Stripper pretreatment |
| US6455479B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Stripping composition |
| US6599370B2 (en) | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
-
2003
- 2003-05-27 PL PL374021A patent/PL207297B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2003-05-27 CN CN038130262A patent/CN1659480A/zh active Pending
- 2003-05-27 CA CA002488737A patent/CA2488737A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-27 RS YUP-1061/04A patent/RS106104A/sr unknown
- 2003-05-27 AU AU2003240827A patent/AU2003240827A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-27 EP EP03731423A patent/EP1512050A2/en not_active Withdrawn
- 2003-05-27 JP JP2004511911A patent/JP4330529B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-27 US US10/515,372 patent/US8906838B2/en active Active
- 2003-05-27 TW TW092114287A patent/TWI330766B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-27 CN CN2011100761494A patent/CN102135735A/zh active Pending
- 2003-05-27 WO PCT/US2003/016829 patent/WO2003104901A2/en active Application Filing
- 2003-05-27 BR BR0311830-4A patent/BR0311830A/pt not_active IP Right Cessation
- 2003-05-27 KR KR1020047019579A patent/KR100958068B1/ko active IP Right Grant
- 2003-06-06 MY MYPI20032124A patent/MY142745A/en unknown
-
2004
- 2004-11-29 ZA ZA200409622A patent/ZA200409622B/xx unknown
- 2004-12-06 IL IL165581A patent/IL165581A/en active IP Right Grant
- 2004-12-06 IN IN2744CH2004 patent/IN2004CH02744A/en unknown
- 2004-12-07 IN IN2762CH2004 patent/IN2004CH02762A/en unknown
-
2005
- 2005-01-06 NO NO20050075A patent/NO20050075L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050176602A1 (en) | 2005-08-11 |
| KR20050012770A (ko) | 2005-02-02 |
| KR100958068B1 (ko) | 2010-05-14 |
| WO2003104901A3 (en) | 2004-03-18 |
| TWI330766B (en) | 2010-09-21 |
| BR0311830A (pt) | 2005-03-29 |
| CN102135735A (zh) | 2011-07-27 |
| AU2003240827A8 (en) | 2003-12-22 |
| PL374021A1 (pl) | 2005-09-19 |
| WO2003104901A2 (en) | 2003-12-18 |
| JP4330529B2 (ja) | 2009-09-16 |
| NO20050075L (no) | 2005-01-06 |
| IN2004CH02762A (pl) | 2006-02-10 |
| IN2004CH02744A (pl) | 2006-02-10 |
| EP1512050A2 (en) | 2005-03-09 |
| AU2003240827A1 (en) | 2003-12-22 |
| JP2005529363A (ja) | 2005-09-29 |
| TW200401958A (en) | 2004-02-01 |
| CN1659480A (zh) | 2005-08-24 |
| IL165581A (en) | 2009-06-15 |
| US8906838B2 (en) | 2014-12-09 |
| RS106104A (en) | 2007-04-10 |
| ZA200409622B (en) | 2006-05-31 |
| IL165581A0 (en) | 2006-01-15 |
| CA2488737A1 (en) | 2003-12-18 |
| MY142745A (en) | 2010-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL207297B1 (pl) | Bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca i zastosowanie bezkrzemianowej kompozycji czyszczącej | |
| US7419945B2 (en) | Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents | |
| JP4393553B2 (ja) | ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
| KR100744223B1 (ko) | 중합체성 부식 억제제를 함유하는 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물 | |
| KR100642185B1 (ko) | 프럭토스를 함유하는 비-수성 마이크로전자 세정 조성물 | |
| US7393819B2 (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
| PL199393B1 (pl) | Kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice z pozostałości po trawieniu lub spopieleniu plazmowym i sposób oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice z pozostłości po trawieniu lub spopieleniu plazmowym | |
| IL159762A (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
| JP4177758B2 (ja) | 基板適合性が改善されたアンモニア不含アルカリ性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
| KR20170028525A (ko) | 세정액 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20120527 |