RS106104A - Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge) - Google Patents

Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge)

Info

Publication number
RS106104A
RS106104A YUP-1061/04A YUP106104A RS106104A RS 106104 A RS106104 A RS 106104A YU P106104 A YUP106104 A YU P106104A RS 106104 A RS106104 A RS 106104A
Authority
RS
Serbia
Prior art keywords
cleaning composition
cleaning
residues
substrate
composition according
Prior art date
Application number
YUP-1061/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Chien Pin Sherman Hsu
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc.,
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc., filed Critical Mallinckrodt Baker Inc.,
Publication of RS106104A publication Critical patent/RS106104A/sr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • C23G1/061—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors nitrogen-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0783—Using solvent, e.g. for cleaning; Regulating solvent content of pastes or coatings for adjusting the viscosity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12—Using specific substances
    • H05K2203/121—Metallo-organic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12—Using specific substances
    • H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Kompozicije za čišćenje, pogodne za čišćenje mikroelektronskih struktura koje imaju silicijumdioksid, dieelektrike niske k-vrednosti ili visoke k-vrednosti i bakarne ili aluminijumske metalizacije, sadrže jedan polarni organski rastvarač biran od amida, sulfona, sulfolena, selenona i zasićenih alkohola i jednu jako alkalnu bazu.

Description

KOMPOZICIJE ZA ČIŠĆENJE MIKROELEKTRONIKE I ZA
UKLANJANJE OBLOGA PROTIVODSJAJA (ARC)
OBLAST U KOJU SPADA PRONALAZAK
Ovaj se pronalazak odnosi na postupke i na kompozicije za čišćenje mikroelektronskih podloga, a posebno na kompozicije za čišćenje pogodne za mikroelektronske podloge sa kojima su kompatibilne, a koje su karakteristične po silicijum dioksidu, osetljivim dielektricima niskeK-vrednosti ili visokeK-vrednosti i po bakarnoj metalizaciji, kao i po podlogama sa Al ili Al(Cu) metalizacijama. Pronalazak se takođe odnosi na primenu tih kompozicija za čišćenje za struganje fotografskog laka, za čišćenje ostataka organskih, organo-metalnih i neorganskih jedinjenja generisanih u plazmenim procesima, za čišćenje ostataka od procesa održavanja ravnih površina kao što je hemijsko mehaničko poliranje (CMP), a koriste se kao aditiv u ostacima mulja od održavanja ravnih površina.
STANJE TEHNIKE
Predlagana su mnoga sredstva za struganje fotografskog laka i sredstva za uklanjanje ostataka za primenu u oblasti mikroelektronike kao sredstva za čišćenje niz proizvodne linije ili na njihovom zadnjem kraju. U toku proizvodnog procesa na jednu se podlogu stavi tanak sloj fotografskog laka pa se snimi crtež kola na tanak sloj. Posle pečenja se nepolimerizovan fotografski lak (ili rezist) uklanja razvijačem za fotografski lak. Dobijena se slika potom prenosi na materijal podloge, koji je uglavnom neki dielektrik ili metal, pomoću reaktivnih plazmenih gasova za nagrizanje ili hemijskih rastvora za nagrizanje. Gasovi za nagrizanje ili hemijski rastvori za nagrizanje selektivno napadaju područja podloge koja nisu zaštićena fotografskim lakom. Kao rezultat plazmenog postupka za nagrizanje, fotografski lak, gas za nagrizanje i sporedni proizvodi nagriženog materijala talože se kao otpaci oko ili na bočnim zidovima otvora u podlozi načinjenih nagrizanjem.
Pored toga, po završetku faze nagrizanja, maska od fotografskog laka mora se ukloniti sa zaštićenog područja podloge tako da se može izvesti završna operacija. To se može izvršiti u jednom stepenu obrade primenom pogodnih plazmenih gasova za uklanjanje ili vlažnih hemijskih sredstava za struganje. Nalaženje pogodne kompozicije za čišćenje kojom će se ukloniti ovaj materijal maske od fotografskog laka a da to ne utiče negativno, npr. korodiranjem, rastvaranjem ili gubitkom sjaja, na metalno kolo, takođe se pokazalo problematičnim.
Kako su povećani nivoi integracije mikroelektronskih proizvoda a dimenzije standardnih mikroelektronskih naprava smanjene, sve je više uobiča-jeno da se koriste bakarne metalizacije dielektrika malek- vrednosti i velikek-vrednosti. Ovi su materijali postali dodatni izazov da se nađu prihvatljive kompozicije sredstava za čišćenje. Mnoge standardne kompozicije koje su ranije razvijene za "tradicionalne" ili "konvencionalne" poluprovodničke uređaje koji sadrže Al/Si02ili Al (Cu)Si02strukture ne mogu se primeniti na bakrom metalizovane dielektrične strukture malek- vrednosti ili velikeK-vrednosti. Tako, na primer, kompozicije za struganje ili za uklanjanje ostataka na bazi hidroksi-lamina uspešno su korišćene za čišćenje uređaja sa Al metalizacijom, ali su praktično nepogodne za one sa bakarnim metalizacijama. Slično tome, mnoga sredstva malek- vrednosti za struganje bakarne metalizacije nisu pogodna za Al metalizovane uređaje ukoliko se ne izvrše znatne izmene u kompozicijama.
Uklanjanje ovih ostataka nagrizanja i/ili pepela posle procesa nagrizanja ili sagorevanja plazmom pokazalo se problematičnim. Neuspeh da se potpuno uklone ili neutralizuju ti ostaci može dovesti do apsorbovanja vlage i do obrazovanja nepoželjnih materijala koji mogu izazvati koroziju na metalnim strukturama. Materijali kola korodiraju od nepoželjnih materijala i stvaraju prekide u provodnicima kola i nepoželjne poraste električnog otpora.
Postojeća sredstva za završno čišćenje imaju širok opseg kompatibilnosti sa izvesnim, osetljivim dielektricima i metaliacijama, od potpuno neprihvatljivih do granično zadovoljavajućih. Mnoga od postojećih sredstava za struganje ili za čišćenje otpadaka nisu prihvatljiva za savremene međusobno spojive materijale kao što su porozni dielektrici i bakarne metalizacije. Pored toga, tipični alkalni rastvori za čišćenje koji se koriste prekomerno su agresivni prema poroznim dielektricima niske i visokeK-vrednosti i/ili prema bakarnoj metalizaciji. Pored toga, mnoge od ovih alkalnih kompozicija za čišćenje sadrže organske rastvarače koji izazivaju lošu stabilnost proizvoda, posebno u višim pH opsezima i pri višim temperaturama procesa
Do sada su u kompozicijama za čišćenje korišćeni oksidatori u prven-stveno vodenom obliku. Oksidatori, kao što su obično korišćeni vodonik peroksid i per-kiseline, poznati su po tome da lako reaguju ili da se lako razlažu, naročito u matricama organskih rastvarača koji su obično korišćeni u kompozicijama za struganje. U takvim se slučajevima oksidator istroši i više ga nema za predviđenu primenu. Pored toga, kompozicije za čišćenje mikroelektronike koje sadrže oksidatore često su nedovoljno stabilne, naročito u prisustvu značajnih količina od 10 mas.% ili više organskih rastvarača, pri većim opsezima pH i visokim temperaturama procesa. Pored toga, u mnogim kompozicijama korišćenje stabilizatora i rastvarača često vezuje oksidator čime umanjuje njegove sposobnosti da izvrši efikasne oksidaciono/rcdukcionc reakcije koje se koriste u procesu čišćenja.
KRATAK PREGLED PRONALASKA
Iz napred rečenog, postoji potreba za kompozicijama za čišćenje mikroelektronskih elemenata na bazi organskih rastvarača, koje su stabilne u jakim alkalnim uslovima sa pll>9, pri visokim temperaturama od 60"C i višim, i u prisustvu snažnog oksidatora kao što je vodonik peroksid i slično, i pogodnim za operacije završnog čišćenja, koje su kompozicije efikasna sredstva za čišćenje i primenljive su za struganje fotografskog laka i za uklanjanje ostataka organskih, organo-metalnih i neorganskih jedinjenja iz plazmenih procesa, za čišćenje ostataka iz procesa održavanja ravnih površina, kao što je CMP, i koje su korisne kao aditivi u mulju/tečnosti od održavanja ravnih površina i koje se mogu koristiti kod savremenih materijala za međusobno povezivanje koji koriste bakarne metalizacije, i porozne ili neporozne dialektrike niskeK-vrednosti (tj.,K-vrednosti 3 ili manje) ili visokeK-vrcdnosi (tj.,K-vrednosti 20 ili veće), kao i za čišćenje konven-cionalnih naprava, kao što su one sa aluminijumskim ili aluminijum(bakar) metalizacijama koje sadrže silicijum dioksid i dielektrike niske ili visokek-vrednosti. Ovaj se pronalazak takođe odnosi na takve kompozicije koje se mogu kombinovati sa jednim oksidatorom da bi se dobile kompozicije za čišćenje koje su efikasna sredstva za čišćenje svih navedenih naprava.
Utvrđeno je da formulacije bez silikata koje sadrže jake alkalne baze i neke određene polarne organske rastvarače koji minimalno ili nikako ne reaguju sa oksidatorima, a posebno one rastvarače koji pomažu stabilisanje oksidatora, mogu ostvariti ove tako široko prihvatljive kompozicije za čišćenje. Utvrđeno je da rastvarači sa dobrim svojstvima vezivanja vodonika obezbeđuju takve formulacije. Kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku obično sadrže od oko 0,1 do oko 30 mas.% jake alkalne baze i oko 1 do oko 99,9 mas.% organskog polarnog rastvarača sa dobrim svojstvima vezivanja vodonika. Kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku mogu, po želji, da sadrže vodu i/ili kompatibilne kiseline ili alkalne baze, reagense za obrazovanje helatnih jedinjenja, pomoćne rastvarače, agense za stabilisanje oksidatora, sredstva za suzbijanje korozije metala, površinski aktivna sredstva i fluoridna jedinjenja. Maseni procenti navedeni u ovoj specifikaciji dati su na bazi ukupne mase kompozicije za čišćenje.
DETALJAN OPIS PRONALASKA I PREPORUČLJIVIH IZVOĐENJA
Nova krajnja kompozicija za čišćenje prema ovom pronalasku sadržaće jednu ili više jakih alkalnih baza i polarnih organskih rastvarača. Kompozije za čišćenje mogu biti formulisane u vidu veoma vodenih, poluvodenih formulacija ili formulacija na bazi organskih rastvarača. Kompozicije za čišćenje mogu sc koristiti same samo sa drugim rastvaračima, ili se mogu kombinovati sa bazama i kiselinama. Kompozicije za čišćenje mogu se koristiti u širokom opsegu procesnih/radnih uslova pH i temperature, i mogu se koristiti za efikasno uklanjanje fotografskog laka, ostataka posle nagrizanja/rezanja plazmom, jednokrano upotrebljivih materijala za apsorbovanje svetlosti i obloga za suzbijanje odsjaja (ARC). Pored toga, otkriveno je da se uzorci koji sc veoma teško čiste, kao što su fotografski lakovi sa jakim unakrsnim vezama ili otvrdnuti fotografski lakovi i strukture koje sadrže titan (kao što je titan, titanoksid ili titannitrid) ili tantal (kao što je tantal, tantaloksid i tantalnitrid), mogu lako čistiti sa kompozicijama za čišćenje prema ovom pronalasku.
Alkalna se baza može nalaziti u količini od 0 do oko 30 mas.%, poželjno u količini od oko 0,1 do oko 10 mas.%, najbolje u količini od oko 0,1 do oko 5 mas.%. U kompozicijama za čišćenje može se koristiti bilo koja pogodna alkalna baza. Baza je poželjno amonijum hidroksid ili neka baza izvedena od amonijaka ili ne od amonijaka. Kada kompozicija treba da se koristi za čišćenje struktura metalizovanih bakrom, baza je poželjno ncamonijačna baza, a kada kompozicija treba da se koristi za čišćenje struktura koje sadrže aluminijum, alkalna je baza poželjno amonijum hidroksid, baza izvedena od amonijaka, ili baza koja nije izvedena od amonijaka u kombinaciji sa pomoćnim rastvaračem koji suzbija koroziju i/ili nekim sredstvom za suzbijanje korozije, što će kasnije biti opisano. Kao primeri baza koje nisu izvedene od amonijaka mogu se pomenuti tetraalkilamonijum hidroksidi kao što su oni formule R4N<+>OH~, kod kojih je svako R nezavisno jedna supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa, poželjno sa 1 do 22 atoma ugljenika, a najbolje sa 1 do 4 atoma ugljenika. Od baza koje nisu izvedene od amonijaka a koje se mogu koristiti u kompozicijama, mogu se pomenuti, na primer, tetrametilamonijum hidroksid, tetrabutilamonijum hidroksid, holin hidroksid, i slične. Neorganske baze, kao što je, na primer, kalijum-hidroksid, natrijumhidroksid i slično, takođe se mogu koristiti kao alkalne baze.
Organski je rastvarač jedan polarni organski rastvarač sposoban za vezivanje sa vodonikom, a koji minimalno ili nikako ne reaguje sa oksidatorom. Takvi organski rastvarači obuhvataju amide, sulfone, sulfolene, selenone i zasi-ćene alkohole. Od preporučljivih rastvarača mogu dc pomenuti sulfolan (tetra-hidrotiopen-l,l-dioksid), 3-metilsulfolan, n-propil sulfon, n-butil sulfon, sulfolen (2,5-dihidrotiopen-l,l-dioksid), 3-metilsulfolen, amidi kao što su l-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon (HEP), dimetilpiperidon (DMPD), N-metil pirolidi-non (NMP) i dimetilacetamid (DMAc), dimetilformamid (DMF) i zasićeni alko-holi kao što su etanol, propanol, butanol, heksanol, etilenglikol, propilenglikol, glicerol i heksafluoropropanol. Komponenta organskog rastvarača može obuhva-tati jedan ili više rastvarača i obično se nalazi u kompoziciji u količini od oko 1 do oko 99,9 mas.%, poželjno u količini od oko 10 do oko 90 mas.%, a najbolje u količini od oko 30 do 80 mas.%. Ovi su rastvarači otporni na kisele i alkalne uslove i ne vezuju se suviše čvrsto za oksidator. Pored toga, u stanju su da stabilizuju oksidator, na primer vodonik peroksid, obrazujući stabilne komplekse međusobnim delovanjem kao što je vezivanje vodonika.
Voda može postojati u kompoziciji za čišćenje i kada je ima, može je biti u količini od oko 0,1 do oko 98 mas.%, poželjno u količini od oko 10 do oko 60 mas.%, najbolje u količini od oko 15 do oko 50 mas.%. Voda se može nalaziti kao vodeni deo drugih komponenata i/ili kao naknadno dodana voda.
Kao što je napred rečeno, kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku mogu se takođe koristiti pod kiselim pH uslovima a može se koristiti svaka pogodna kisela komponenta u količini dovoljnoj da se kompoziciji obezbedi kiselo pH, kao, na primer, HC1 ili HE.
Kompozicija za čišćenje može isto tako da po želji obuhvata jedan ili više pomoćnih rastvarača za suzbijanje korozije. Poželjni pomoćni rastvarači za suzbijanje korozije koji se mogu koristiti u kompozicijama prema ovom pronalasku jesu oni koji imaju opštu formulu
W-[CR1R2]„-Y
gde su Rii R2svaki nezavisno birani od H, alkila, poželjno alkila sa 1 do 6 atoma ugljenika, arila, poželjno arila sa 3 so 14 atoma ugljenika, OR3i S02R4; n je jedan broj od 2 do 6, poželjno 2 ili 3; W i Y se biraju svaki nezavisno od OR, i
S02R4; a R3i R4su svaki nezavisno birani od H, alkila, poželjno alkila sa 1 do 6 atoma ugljenika, arila, poželjno arila sa 3 do 14 atoma ugljenika. Kao primeri ovih pomoćnih rastvarača za suzbijanje korozije, mogu se pomenuti, na primer, etilenglikol, propilenglikol i glicerol i slično. Ako zahtevana komponenta kompozicije za čišćenje koju čini polarni organski rastvarač nije neki zasićen alkohol u okviru napred pomenute formule, takav se zasićen alkohol može uneti kao pomoćni rastvarač. Pomoćni se rastvarači mogu nalaziti u kompoziciji u količini od 0 do oko 80 mas.%, poželjno od oko 1 do oko 50 mas.%, a najbolje od oko 1 do 30 mas.%.
Kompozicije prema ovom pronalasku mogu da sadrže i druge agense za suzbijanje korozije, poželjno jedinjenja arila koja sadrže dve ili više OH, OR6i/ili S02R6grupa neposredno vezanih na aromatični prsten, gde su R5i R6svaki nezavisno alkil, poželjno alkil sa 1 do 6 atoma ugljenika, ili aril, poželjno aril sa 3 do 14 atoma ugljenika. Kao primeri takvih preporučljivih agensa za suzbijanje korozije mogu se navesti katehol, pirogalol, galna kiselina, resorcinol i slično. Ovi drugi agensi za suzbijanje korozije mogu se nalaziti u količini od 0 do oko 15 mas.%, poželjno od oko 0,1 do oko 10 mas.%, najbolje od 0,5 do oko 5 mas.%.
Organski ili neorganski reagensi za helatovanje ili za obrazovanje kompleksa metala nc zahtevaju se, ali pružaju značajne koristi, kao što je, na primer, poboljšana stabilnost proizvoda. Primeri pogodnih reagensa za helatovanje ili za obrazovanje kompleksa obuhvataju, ali nisu na njih ograničeni, trans-l,2-cikloheksandiamin tetrasirćetnu kiselinu (CyDTA), etilendiamin tetrasirćetnu kiselinu (EDTA), stanate, pirofosfate, derivate alkiliden-difosfonske kiseline (npr. etan-l-hidroksi-l,l-difosfonat), fosfonate koji sadrže etilendiaminske, dietilentriaminske ili trietilentetraminske funkcionalne grupe (npr. etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina) (EDTMP), dietilentriamin penta(metilen fosfonska kiselina), trietilentetramin heksa(metilen fosfonska kiselina). Reagens za helatovanje biće sadržan u kompoziciji u količini od 0 do oko 5 mas.%, poželjno od oko 0,1 do oko 2 mas.%. Reagensi za helatovanje ili za obrazovanje kompleksa od različitih fosfonata, kao što je etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina (EDTMP) pružaju veoma poboljšano stabili-zovanje kompozicija za čišćenje prema pronalasku koje sadrže oksidatore u kiselinskim i alkalnim uslovima pa su zbog toga obično poželjni.
Eventualno: druga srestva za suzbijanje korozije metala, kao što je benzo-triazol, mogu se koristiti u količini od 0 do oko 5 mas.%, poželjno od oko 0,1 do 2 mas.%.
Kompozicije za čišćenje mogu, po želji, takođe da sadrže površinski aktivna sredstva, kao što su, na primer, dimetil heksinol (Surfynol-61), etoksi-lovan tetrametil decindiol (Surfynol-465), politetrafluoroetilen cetoksipropil-betain (Zonyl FSK), Zonyl FSH i slično. Površinski aktivna sredstva biće obično u količini od 0 do 5 mas.%, poželjno od 0,1 do oko 3 mas.%.
Kompozicije za čišćenje mogu eventualno da sadrže fluoridna jedinjenja u kompoziciji za čišćenje, kao što su, na primer, tetrametilainonijum fluorid, tetrabutilamonijum fluorid i amonijum fluorid. Drugi pogodni fluoridi obuhvataju, na primer, fluoroboratc, tetrabutilamonijum fluoroboratc, aluminijum hek-safluoride, antimon fluoride i slično. Fluoridne komponente će se nalaziti u količini od 0 do 10 mas.%, poželjno od 0,1 do oko 3 mas.%.
Kako je ranije rečeno, kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku mogu se koristiti u kombinaciji sa oksidatorima, kako je ranije rasmatrano, radi obrazovanja dodatnih kompozicija za čišćenje i struganje. Te kompozicije mogu sadržati bilo koji oksidator pogodan za upotrebu u kompozicijama za čišćenje mikroelektronskih naprava. Kao primeri takvih oksidatora mogu se pomenuti, na primer, peroksidi, naročito vodonik peroksid, molekulski proizvodi pripajanja peroksihidrata od vodonik peroksida i oksi-kiselina, cirkonil acetata i azo jedinjenja, npr., natrijum pcrkarbonata, natrijum perborata, kao i perjodati (I04), perborati, permanganati (Mn04~), vodonik persulfati, persulfati i alkiloksihalidi, na primer t-BuOCl. Druga peroksidna jedinjenja iz supstitucionih reakcija H202i organskih molekula mogu se koristiti, ali su manje poželjna. Primeri obuhvataju alkilperokside, peroksidne kiseline, diacil perokside i keton perokside. Slični proizvodi supstitucije H202sa neorganskim molekulima, kao što je peroksi-sumporna kiselina, takođe se mogu koristiti. Kada se kompozicije prema ovom pronalasku kombinuju sa nekim oksidatorom, oksidator se koristi u dobijenim kompozicijama za čišćenje u količini od 0,1 od oko 30 mas.%, poželjno od oko 0,1 do oko 5 mas.%, a najbolje od oko 0,5 do oko 5 mas.%. Preporučljivi je oksidator vodonik peroksid (H202) poželjno korišćen kao 3 do 30% vodeni rastvor.
Primeri kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku prikazani su u sledećim Tabelama 1 do 4.
U sledećim se tabelama koriste navedene skraćenice:
TMAH = 25% tetra-metilamonijumhidroksid
HEP — l-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon
CyDTA = trans-1,2-cikloheksan diamin tetrasirćetna kiselina
DMPD = dimetilpiperidon
SFL = sulfolan
EG = etilenglikol
CAT =katehol, pirokatehin
EDTMP = etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina)
NH4OH = amonijum hidroksid
CH = holin hidroksid
Voda = dodatna voda pored vode iz vodenog rastvora komponenata
Brzina nagrizanja bakra za kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku prikazane su podacima o brzini nagrizanja u sledećoj Tabeli 5. Brzina nagrizanja određena je za kompozicije A, B (modifikovana) iViiz Tabele 1 korišćenjem sledeće procedure ispitivanja.
Korišćeni su komadi bakarne folije, veličine od oko 13 x 50 mm. M ere na je masa komada folija. Posle čišćenja komada folije sa 2-propanolom, dcstili-sanom vodom i acetonom, komadi folije su sušeni u jednoj peći za sušenje. Očišćeni, sušeni komadi stavljeni su u labavo zatvorene boce napunjene predgrejanim kompozicijama za čišćenje prema pronalasku i stavljene u vaku-umsku peć u trajanju od dva do dvadeset četiri časa na naznačenoj temperaturi. Posle obrade i vađenja iz peći i iz boca, očišćene su folije isprane obilnim količinama destilisane vode i sušene oko 1 časa u peći za sušenje pa puštene da se ohlade do sobne temperature, pa je potom brzina nagrizanja određena na bazi gubitka mase ili promene mase.
Brzine nagrizanja međuslojnog dielektrika (ILD) za kompozicije A i B iz Tabele 1 prema ovom pronalasku za razne dielektrike procenjene su sledećom procedurom ispitivanja.
Debljina sloja komada podloge merena je pomoću jednog "Rudolph" Iinterferometra. Komadi podloge (sa ILD materijalom nanetim na silicijumsku podlogu) potopljeni su u određenu kompoziciju za čišćenje na naznačenoj temperaturi u trajanju od 30 min, posle čega su isprani dejonizovanom vodom i sušeni u struji azota. Debljina je merena posle obrade a brzine nagrizanja su pre-računate na bazi promena debljine sloja koje su izazvane naznačenim obradama.
Brzine nagrizanja IDL za kompoziciju A date su u Tabeli 6 a za kompoziciju B brzine nagrizanja IDL date su u Tabeli 7.
Sposobnost čišćenja kompozicija prema ovom pronalasku takođe je ilustrovana sledećim ispitivanjima u kojima je jedna mikroelektronska struktura koja je sadržala podlogu sledeće strukture, i to jedan nagrižen uzorak načinjen od fotografskog laka/obloge za suzbijanje odsjaja (ARC)/poroznog oksida sa dodatkom ugljenika potopljen je ratvor za čišćenje kompozicije A iz Tabele 1, na 50°C i u trajanju od 20 min, potom je ispran vodom, sušen pa je čišćenje utvrđeno SEM pregledom (elektronskim mikroskopom). Rezultati su bili da je kompozicija očistila najveći đeo ARC uz samo malo nagrizanje poroznog oksida sa dodatkom ugljenika.
Mada je pronalazak opisan sa pozivom na neka njegova specifična izvođe-nja, podrazumeva se da se mogu vršiti izmene, modifikacije i varijacije bez odstupanja od duha i opsega ovde opisanog pronalazačkog koncepta. Prema tome, namera je da se obuhvate sve takve izmene, modifikacije i varijacije koje poklapaju sa duhom i opsegom priloženih patentnih zahteva.

Claims (36)

1. Kompozicija za čišćenje bez silikata, za čišćenje fotografskog laka i ostataka iz mikroelektronskih podloga, pri čemu pomenuta kompozicija za čišćenje obuhvata: polarni organski rastvarač biran iz grupe koja se sastoji od amida, sulfona, sulfolena, selenona i zasićenih alkohola, i jednu jaku alkalnu bazu, i po želji jednu ili više od sledećih komponenata: jedne kiseline, jednog pomoćnog rastvarača koji suzbija koroziju, jednog reagensa za helatovanje ili za obrazovanje kompleksa metala, jednog reagensa za stabilisanje oksidatora, jednog reagensa za suzbijanje korozije, jednog sredstva za suzbijanje korozije metala, jednog fluoridnog jedinjenja, jednog površinski aktivnog sredstva, i vode.
2. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što se polarni organski rastvarač bira iz grupe koja se sastoji od l-(2-hidroksietil)-2-pirolidinona (HEP), dimetilpiperidona (DMPD), N-metil pirolidinona (NMP), dimetilacetamida (DMAc), dimetilformamida (DMF), sulfolana, 3-metilsul-folana, n-propil sulfona, n-butil sulfona, dimetilsulfona, sulfolena, 3-metil-sulfolena, etilenglikola, propilen glikola, glicerola i heksafluoroizopropanola.
3. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što se alkalna baza bira od amonijumhidroksida, tetraalkilamonijum hidroksida i holin hidroksida.
4. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 2, naznačena time, što se alkalna baza bira od amonijumhidroksida i tetraalkilamonijum hidroksida.
5. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što je polarni organski rastvarač sulfolan.
6. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 2, naznačena time, što je polarni organski rastvarač sulfolan.
7. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 3, naznačena time, što jc polarni organski rastvarač sulfolan.
8. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 4, naznačena time, što jc polarni organski rastvarač sulfolan.
9. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 4, naznačena time, što je polarni organski rastvarač etilen glikol.
10. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 4, naznačena time, što je polarni organski rastvarač dimetilpiperidon.
11. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 8 naznačena time, što sadrži trans-l,2-cikloheksan-diamin tetrasirćetnu kiselinu kao reagens za helatovanje metala.
12. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 8, naznačena time, što sadrži etilendiamin tetra(metilen fosfonsku kiselinu).
13. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što sadrži sulfolan, tetrametilamonijum hidroksid, trans- 1,2-cikloheksandiamin tetra-sirćetnu kiselinu, vodonik peroksid i vodu.
14. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što sadrži sulfolan, tetrametilamonijum hidroksid, etilendiamintetra (metilen fosfonsku kiselinu), etilen glikol i vodu.
15. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što sadrži sulfolan, tetrametilamonijum hidroksid, trans-1,2-cikloheksandiamin tetra-sirćetnu kiselinu, etilen glikol, katehol i vodu.
16. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što sadrži dimetilpiperidon, trans-1,2-cikloheksandiamin tetrasirćetnu kiselinu, tetrametilamonijum hidroksid i vodu.
17. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što sadrži tetrametilamonijum hidroksid, trans-l,2-cikloheksandiamin tetrasirćetnu kiselinu i etilenglikol.
18. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 1.
19. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 2.
20. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 3.
21. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 4.
22. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 5.
23. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 6.
24. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 7.
25. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 8.
26. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 9.
27. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 10.
28. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 11.
29. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 12.
30. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 13.
31. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 14.
32. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 15.
33. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 16.
34. Postupak za čišćenje fotografskog laka ili ostataka iz mikroelektronskih podloga, naznačen time, što proces obuhvata dodir podloge sa jednom kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za čišćenje obuhvata jednu kompoziciju prema zahtevu 17.
35. Postupak prema zahtevu 31, naznačen time, što mikroelektronska struktura koja se čisti ima bakarnu metalizaciju i jedan dielektrik biran od grupe koja se sastoji od silicijumdioksida, jednog dielektrika niskeK-vrednosti i jednog dielektrika visokeK-vrednosti.
36. Postupak prema zahtevu 27, naznačen time, što mikroelektronska struktura koja se čisti ima bakarnu mctalizaciju i jedan dielektrik biran od grupe koja se sastoji od silicijumdioksida, jednog dielektrika niskeK-vrednosti i jednog dielektrika visokeK-vrednosti.
YUP-1061/04A 2002-06-07 2003-05-27 Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge) RS106104A (sr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38680002P 2002-06-07 2002-06-07
US40168802P 2002-08-07 2002-08-07
PCT/US2003/016829 WO2003104901A2 (en) 2002-06-07 2003-05-27 Microelectronic cleaning and arc remover compositions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RS106104A true RS106104A (sr) 2007-04-10

Family

ID=29739917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
YUP-1061/04A RS106104A (sr) 2002-06-07 2003-05-27 Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge)

Country Status (17)

Country Link
US (1) US8906838B2 (sr)
EP (1) EP1512050A2 (sr)
JP (1) JP4330529B2 (sr)
KR (1) KR100958068B1 (sr)
CN (2) CN102135735A (sr)
AU (1) AU2003240827A1 (sr)
BR (1) BR0311830A (sr)
CA (1) CA2488737A1 (sr)
IL (1) IL165581A (sr)
IN (2) IN2004CH02744A (sr)
MY (1) MY142745A (sr)
NO (1) NO20050075L (sr)
PL (1) PL207297B1 (sr)
RS (1) RS106104A (sr)
TW (1) TWI330766B (sr)
WO (1) WO2003104901A2 (sr)
ZA (1) ZA200409622B (sr)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7208049B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment
SG150508A1 (en) * 2004-02-11 2009-03-30 Mallinckrodt Baker Inc Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
US7923424B2 (en) * 2005-02-14 2011-04-12 Advanced Process Technologies, Llc Semiconductor cleaning using superacids
EP1875493A2 (en) * 2005-04-04 2008-01-09 MALLINCKRODT BAKER, Inc. Composition for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
SG10201504423QA (en) 2005-06-07 2015-07-30 Entegris Inc Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
KR101152139B1 (ko) 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
CN101331811B (zh) * 2005-12-20 2010-09-08 三菱瓦斯化学株式会社 用于除去配线基板的残渣的组合物以及洗涤方法
US20080149884A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing
KR20160085902A (ko) * 2006-12-21 2016-07-18 엔테그리스, 아이엔씨. 에칭 후 잔류물의 제거를 위한 액체 세정제
US8110508B2 (en) * 2007-11-22 2012-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer
CN101487993A (zh) * 2008-01-18 2009-07-22 安集微电子（上海）有限公司 一种厚膜光刻胶清洗剂
EP2247672B1 (en) * 2008-02-29 2013-06-05 Avantor Performance Materials, Inc. Microelectronic substrate cleaning compositions
JP2009231354A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
CN101359189B (zh) * 2008-09-17 2011-04-27 电子科技大学 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
MX2011007413A (es) * 2009-01-14 2011-07-21 Avantor Performance Materials B V Solucion para aumentar la resistencia de la hoja de lamina y/o elevar la densidad de energia de la celda fotovoltaica.
SG173833A1 (en) * 2009-02-25 2011-09-29 Avantor Performance Mat Inc Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
WO2010098899A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
CN101901784B (zh) * 2010-07-21 2012-05-30 河北工业大学 钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法
CN101901782B (zh) * 2010-07-21 2011-12-14 河北工业大学 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法
EP2768920A4 (en) * 2011-10-21 2015-06-03 Advanced Tech Materials AMIN FREE POST-KMP COMPOSITION AND METHOD OF USE THEREOF
CN103809394B (zh) * 2012-11-12 2019-12-31 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液
US9460934B2 (en) * 2013-03-15 2016-10-04 Globalfoundries Inc. Wet strip process for an antireflective coating layer
CN105849245B (zh) 2013-10-21 2020-03-13 富士胶片电子材料美国有限公司 用于去除表面上残余物的清洗调配物
JP2015108041A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 ダイキン工業株式会社 洗浄用組成物
EP3719105B1 (en) 2013-12-06 2023-09-27 Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
CN105210176B (zh) 2014-04-10 2016-09-28 三菱瓦斯化学株式会社 半导体元件的清洗用液体组合物、和半导体元件的清洗方法
US9570285B2 (en) * 2015-04-17 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning composition and methods thereof
TWI705132B (zh) 2015-10-08 2020-09-21 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法
TWI816635B (zh) 2015-10-15 2023-10-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法
US10988718B2 (en) 2016-03-09 2021-04-27 Entegris, Inc. Tungsten post-CMP cleaning composition
CN107313055A (zh) * 2017-07-19 2017-11-03 马爱连 一种金属油污清洗剂及其制备方法和使用方法
US11230668B2 (en) * 2018-03-26 2022-01-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Etchant
US10752867B2 (en) 2018-03-28 2020-08-25 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning compositions
WO2022163350A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04 富士フイルム株式会社 組成物、基板の洗浄方法
KR102853955B1 (ko) * 2022-09-05 2025-09-03 재원산업 주식회사 과산화수소의 분해 안정성이 향상된 마스크 세정용 조성물
JP2024060243A (ja) * 2022-10-19 2024-05-02 Jsr株式会社 半導体処理用組成物及び処理方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3673099A (en) * 1970-10-19 1972-06-27 Bell Telephone Labor Inc Process and composition for stripping cured resins from substrates
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
US5037724A (en) * 1988-02-25 1991-08-06 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin
US6492311B2 (en) * 1990-11-05 2002-12-10 Ekc Technology, Inc. Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5561105A (en) * 1995-05-08 1996-10-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chelating reagent containing photoresist stripper composition
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH1116882A (ja) * 1997-06-19 1999-01-22 Toray Fine Chem Co Ltd フォトレジスト剥離用組成物
JPH1167632A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤
JPH11323394A (ja) * 1998-05-14 1999-11-26 Texas Instr Japan Ltd 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP3606738B2 (ja) * 1998-06-05 2005-01-05 東京応化工業株式会社 アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
US6531436B1 (en) * 2000-02-25 2003-03-11 Shipley Company, L.L.C. Polymer removal
US6475966B1 (en) * 2000-02-25 2002-11-05 Shipley Company, L.L.C. Plasma etching residue removal
MY129673A (en) * 2000-03-20 2007-04-30 Avantor Performance Mat Inc Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates
US6274296B1 (en) * 2000-06-08 2001-08-14 Shipley Company, L.L.C. Stripper pretreatment
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
US6599370B2 (en) 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6773873B2 (en) * 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates

Also Published As

Publication number Publication date
CN102135735A (zh) 2011-07-27
TW200401958A (en) 2004-02-01
CA2488737A1 (en) 2003-12-18
PL374021A1 (en) 2005-09-19
US8906838B2 (en) 2014-12-09
KR20050012770A (ko) 2005-02-02
ZA200409622B (en) 2006-05-31
CN1659480A (zh) 2005-08-24
TWI330766B (en) 2010-09-21
JP2005529363A (ja) 2005-09-29
US20050176602A1 (en) 2005-08-11
JP4330529B2 (ja) 2009-09-16
IL165581A (en) 2009-06-15
WO2003104901A3 (en) 2004-03-18
NO20050075L (no) 2005-01-06
IN2004CH02744A (sr) 2006-02-10
IL165581A0 (en) 2006-01-15
AU2003240827A1 (en) 2003-12-22
WO2003104901A2 (en) 2003-12-18
IN2004CH02762A (sr) 2006-02-10
PL207297B1 (pl) 2010-11-30
EP1512050A2 (en) 2005-03-09
MY142745A (en) 2010-12-31
KR100958068B1 (ko) 2010-05-14
BR0311830A (pt) 2005-03-29
AU2003240827A8 (en) 2003-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RS106104A (sr) Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge)
RS106204A (sr) Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače
JP4393553B2 (ja) ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
RS1204A (sr) Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnošću prema supstratu
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
KR20010067436A (ko) 제거제 조성물
JP4177758B2 (ja) 基板適合性が改善されたアンモニア不含アルカリ性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
JP4272676B2 (ja) フルクトース含有非水性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
KR20170028525A (ko) 세정액 조성물