CN105849245B - 用于去除表面上残余物的清洗调配物 - Google Patents

Abstract

本公开涉及清洗组合物，其含有：1)至少一种螯合剂，所述螯合剂为聚氨基聚羧酸；2)至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯以及水溶性醚；3)至少一种单羧酸，其含有伯氨基或仲氨基、和至少一个额外含氮碱基；4)至少一种金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂是被取代或未被取代的苯并三唑；以及5)水。本公开还涉及一种使用上述组合物来清洗半导体基板的方法。

Description

用于去除表面上残余物的清洗调配物

相关申请的交叉引用

本申请主张于2013年10月21日提交的美国临时申请系列号61/893,424的优先权，该案的全文内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于半导体基板的新型清洗组合物，以及用于清洗半导体基板的方法。更具体地，本公开涉及清洗组合物，其用于在对在基板上沉积的金属层或介电材料层进行等离子体蚀刻之后、将在半导体基板上形成的等离子体残余物去除，以及用于在通过等离子体灰化工艺去除大量抗蚀剂之后将在基板上留下的残余物去除。

背景技术

在集成电路器件的制造过程中，将光阻剂作为中间掩模，通过一系列光刻和等离子体蚀刻步骤，将标线上的原始掩模图案转印到晶圆基板上。在集成电路器件制造过程中的一个重要步骤是，将图案化的光阻剂膜从晶圆基板上去除。一般来说，该步骤通过下述两种方法之一来完成。

一种方法涉及湿式剥离布骤，其中，将光阻剂覆盖的基板与主要含有有机溶剂和胺类的光阻剂剥离剂溶液接触。但是，剥离剂溶液不能完全并可靠地去除光阻剂膜，尤其是在制造过程中光阻剂膜被暴露于紫外辐射和等离子体处理的情况下。一些光阻剂膜通过此类处理之后变得高度交联，更加难以在剥离剂溶液中溶解。此外，在这类常规湿式剥离方法中所用的化学物质，有时对于去除在使用含卤素气体对金属或氧化物层进行等离子体蚀刻期间所形成的无机或有机金属残余物质无效。

一种去除光阻膜的替代方法涉及将涂有光阻剂的晶圆暴露于基于氧的等离子体，以将光阻膜从基板上烧掉，也被称为等离子体灰化(plasma ashing)。但是，等离子体灰化在去除上述等离子体蚀刻副产物时并不是完全有效的。而且，去除这些等离子体蚀刻副产物，通常是通过随后将处理过的金属和介电薄膜暴露于某些清洗溶液来完成的。

金属基板一般容易被腐蚀。例如，诸如铝、铜、铝铜合金、氮化钨、钨(W)、钴(Co)、氮化钛、其他金属和金属氮化物的基板易于被腐蚀，并且可以通过使用常规清洗化学品来蚀刻介电质[ILD,ULK]。此外，由于器件几何尺寸越来越小，集成电路器件制造商可以忍受的腐蚀的量也越来越小。

同时，由于残余物变得更加难以去除，以及腐蚀必须被控制到更低的水平，清洗溶液必须要使用安全且对环境友好。

因此，该清洗溶液应当能够有效去除等离子体蚀刻残余物和等离子体灰化残余物，并且对于所有暴露的基板材料还得是非腐蚀性的。

发明内容

本公开涉及非腐蚀性清洗组合物，其主要用于在多步骤制造工艺的中间步骤中去除来自半导体基板的残余物(例如，等离子体蚀刻和/等离子体灰化残余物)的。这些残余物包含众多以下材料的相对不可溶的混合物：有机化合物例如残余光阻剂、有机金属化合物、从诸如铝、铝/铜合金、铜、钛、钽、钨、钴之类的暴露金属得到的作为反应副产物的金属氧化物、诸如钛氮化物或钨氮化物之类的金属氮化物、以及其他材料。本文所述清洗组合物的优势是能够清洗所遇到的宽范围残余物，并且对于暴露的基板材料基本上是非腐蚀性的。

一方面，本公开特征在于清洗组合物，其包含：1)至少一种螯合剂，所述螯合剂为聚氨基聚羧酸；2)至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚；3)至少一种单羧酸，所述单羧酸包含伯氨基或仲氨基以及至少一个额外的含氮碱基；4)至少一种金属腐蚀抑制剂，所述金属抑制剂为被取代或未被取代的苯并三唑；以及5)水。在一些实施方式中，所述清洗组合物是均匀溶液。

例如，所述清洗组合物可以包含：

1)约0.01wt％至约0.5wt％重量的至少一种聚氨基聚羧酸螯合剂；

2)约2wt％至约20wt％的至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚；

3)约0.02wt％至约2wt％的至少一种单羧酸化合物，所述单羧酸化合物含有伯氨基或仲氨基以及至少一个额外的含氮碱基；

4)约0.05wt％至约2wt％的至少一种金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂选自被取代或未被取代的苯并三唑；

5)约78％至约98％的水；以及

6)可选地，约1ppm至约1000ppm的消泡剂，其中，所述清洗组合物的pH为7到约9。

本公开还涉及从半导体基板上清洗残余物的方法。该方法包括将含有蚀刻后残余物和/或灰化后残余物的半导体基板与文中清洗组合物接触。例如，该方法可以包括以下步骤：

(A)提供含有蚀刻后和/或灰化后残余物的半导体基板；

(B)将该半导体基板与文中所述清洗组合物接触；

(C)使用适宜的冲洗溶剂对该半导体基板进行冲洗；以及

(D)可选地，通过能够去除冲洗溶剂、但不会损伤该半导体基板完整性的任何方法，对该半导体基板进行干燥。

附图说明

图1是含有蚀刻后残余物的部分完成的器件的图示，所述蚀刻后残余物可以通过本文所述清洗组合物来清洗。在图1中，PER为蚀刻后残余物，ILD为层间电介质。

具体实施方式

如在本文中所定义，除非另有说明，所有表示的百分比应当理解为是相对于清洗组合物总重量的重量百分数。除非另有说明，环境温度被定义为在约16摄氏度至约27摄氏度(℃)之间。

如在本文中所定义，“水溶性”物质(例如，水溶性醇、酮、酯或醚)指的是在25摄氏度下，在水中具有至少5wt％溶解度的物质。

本公开的一个实施方式提供非腐蚀性清洗组合物，其包含：

1)约0.01wt％至约0.5wt％的至少一种聚氨基聚羧酸螯合剂；

2)约2wt％至约20wt％的至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚；

3)约0.05％至约2％的至少一种单羧酸化合物，所述单羧酸化合物含有伯氨基或仲氨基，以及至少一个额外的含氮碱基；

4)约0.02wt％至约2wt％的至少一种金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂选自被取代和未被取代的苯并三唑；

5)约78％至约98％的水；以及

6)可选地，约1ppm至约1000ppm的消泡剂，

其中，所述清洗组合物的pH为从7到约9。

本公开的组合物含有至少一种聚氨基聚羧酸螯合剂。出于本公开的目的，聚氨基聚羧酸指的是具有多个氨基和多个羧酸基的化合物。聚氨基聚羧酸螯合剂的适宜类型包括但不限于：单-或聚亚烷基聚胺聚羧酸、聚氨基烷烃聚羧酸、聚氨基烷醇聚羧酸、以及羟基烷基醚聚胺聚羧酸。

适宜的聚氨基聚羧酸螯合剂包括但不限于：丁二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸(DTPA)、乙二胺四丙酸、三乙烯四胺六乙酸、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-N,N,N’,N’-四乙酸、丙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、反-1,2-二氨基环己烷四乙酸、乙二胺二乙酸、乙二胺二丙酸、1,6-亚己基-二氨基-N,N,N’,N’-四乙酸、N,N-二(2-羟基苄基)乙二胺-N,N-二乙酸、二氨基丙烷四乙酸、1,4,7,10-四氮杂环十二烷-四乙酸、二氨基丙醇四乙酸、以及(羟基乙基)乙二胺三乙酸。在一些实施方式中，优选使用诸如DTPA和EDTA的聚亚烷基聚胺。

在一些实施方式中，本公开的组合物包含至少约0.01wt％(例如，至少约0.05wt％或至少约0.1wt％)和/或至多约0.5wt％(例如，至多约0.3wt％或至多约0.2wt％)的聚氨基聚羧酸螯合剂。

本公开的组合物包含至少一种有机溶剂，该有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚(例如，二醇二醚类)。

水溶性醇的种类包含但不限于：烷二醇(包含但不限于亚烷基二醇)、二醇、烷氧基醇(包含但不限于二醇单醚)、饱和脂肪族一元醇、不饱和非芳香一元醇、以及含有环结构的低分子量醇。

水溶性烷二醇的实例包含但不限于：2-甲基-1,3-丙二醇、1,3-丙二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、频那醇以及亚烷基二醇。

适当的水溶性亚烷基二醇的实例包括但不限于：乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇以及四乙二醇。

水溶性烷氧基醇的实施例包含但不限于：3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇、1-甲氧基-2-丁醇、以及水溶性二醇单醚。

水溶性二醇单醚的实例包括但不限于：乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单正丙醚、乙二醇单异丙醚、乙二醇单正丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丁醚、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲氧基-1-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、2-乙氧基-1-丙醇、丙二醇单正丙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单正丙醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单甲醚、乙二醇单苄醚以及二乙二醇单苄醚。

水溶性饱和脂肪族一元醇的实例包括但不限于：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、1-丁醇、2-丁醇、异丁醇、叔丁醇、2-戊醇、叔戊醇和1-己醇。

水溶性不饱和非芳香族一元醇的实例包括但不限于：烯丙醇、炔丙醇、2-丁烯醇、3-丁烯醇以及4-戊烯-2-醇。

含环结构的水溶性低分子量醇的实例包括但不限于：四氢呋喃甲醇、呋喃甲醇以及1,3-环戊二醇。

水溶性酮的实例包括但不限于：丙酮(acetone)、丙酮(propanone)、环丁酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇、2-丁酮、5-己二酮、1,4-环己二酮、3-羟基苯乙酮、1,3-环己二酮以及环己酮。

水溶性酯的实施例包括但不限于：乙酸乙酯、二醇单酯(诸如乙二醇单乙酸酯以及二乙二醇单乙酸酯)、以及二醇单醚单酯(诸如丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯以及乙二醇单乙醚乙酸酯)。

水溶性醚的实例包括但不限于：1,2-二甲氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、以及三乙二醇二甲醚。

在一些实施方式中，本发明的组合物包含：至少约2wt％(例如，至少约3wt％、至少约5wt％或至少约10wt％)和/或至多约20wt％(例如至多约18wt％、至多约15wt％或至多约12wt％)的有机溶剂。

本发明的组合物含有至少一种单羧酸化合物，所述单羧酸化合物含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外的含氮碱基。出于本发明之目的，所需的伯氨基或仲氨基不直接键合到另一个含氮碱基(例如，NH₂、H₂NC(＝X)、或H₂NNHC(＝X)，其中，X＝O、S或NR，R为H或C₁-C₄烷基)的部分，并且也不构成该另一含氮碱基的部分。换言之，在本公开中，NH₂NH-、H₂NC(＝X)NH-或H₂NNHC(＝X)NH-不被看作是伯氨基或仲氨基。因此，只含有此类碱基(例如，NH₂NH-、H₂NC(＝X)NH-或H₂NNHC(＝X)NH-)的单羧酸并不包含伯氨基或仲氨基，因此被排除在本公开所述的含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮衍生碱基的单羧酸化合物之外。此类被排除在外的单羧酸的实施例包含胍乙酸和4-胍基丁酸。

含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物的适宜类型那些化合物，其含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个选自下述的含氮碱基：咪唑基、三唑基、苯并三唑基、哌嗪基、吡咯基、吡咯烷基、吡唑基、哌啶基、胍基、咔唑基(carbazatyl)、酰肼基(hydrazidyl)、氨基脲基(semicarbazidyl)、氨基胍基、伯氨基(例如，C₁-C₁₀伯氨基)以及仲氨基(例如，C₁-C₁₀仲氨基)。而且这些基团可以进一步被除仲氨基之外的取代基所取代，例如低级烷基。

在本公开的一些实施方式中，所述至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物选自由以下通用结构(I)所描述的化合物：

(R³NH)C(R¹)(R²)CO₂H (I)，

其中，R¹和R²各自独立地为氢原子、C₁-C₄烷基或具有至少一个含氮碱基的基团(例如，C₁-C₁₀基团)；并且，R³为氢原子、C₁-C₁₀烷基或具有至少一个含氮碱基的基团(例如C₁-C₁₀基团)；其中，R¹、R²和R³中的至少一个为具有至少一个含氮碱基的基团。

在一些实施方式中，R¹可以是具有至少一个含氮碱基的基团，其中，该具有至少一个含氮碱基的基团为C₁-C₁₀烷基，其被氨基、胍基或咪唑基所取代，且可选地进一步被OH基所取代。在这些实施方式中，R²可以是H或C₁-C₁₀烷基，且R³可以是H、C₁-C₁₀烷基或具有至少一个含氮碱基的基团，其中，该具有至少一个含氮碱基的基团为C₁-C₁₀烷基，其可选地被氨基、胍基或咪唑基所取代，且可选地进一步被OH基所取代。

在一些实施方式中，R³可以是具有至少一个含氮碱基的基团，其中，该具有至少一个含氮碱基的基团为C₁-C₁₀烷基，其被氨基、胍基或咪唑基所取代，且可选地进一步被OH基所取代。在这些实施方式中，R¹和R²中的每一者分别可以是H或C₁-C₄烷基。

在本公开的一些实施方式中，所述至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物选自由上述结构(I)所描述的化合物，其中，R¹为具有至少一个含氮碱基的基团，并且R²和R³均为氢原子。具有此结构的化合物的实例包括但不限于：赖氨酸、2,3-二氨基丁酸、2,4-二氨基丁酸、鸟氨酸、2,3-二氨基丙酸、2,6-二氨基庚酸、4-甲基赖氨酸、3-甲基赖氨酸、5-羟基赖氨酸、3-甲基-L-精氨酸、精氨酸、高精氨酸、N⁵-单甲基-L-精氨酸、N⁵-[亚氨基(甲基氨基)甲基]-D-鸟氨酸、刀豆氨酸和组氨酸。

在本公开的一些实施方式中，该至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物选自由上述结构(I)所描述的化合物，其中，R¹和R²均为氢原子，且R³为含有具有至少一个含氮碱基的基团的C₁-C₁₀基团。具有此结构的化合物的实施例包括但不限于：N-(2-氨基乙基)甘氨酸和N-(2-氨基丙基)甘氨酸。

在本公开的一些实施方式中，所述至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物选自由上述结构(I)所描述的化合物，其中，R¹为具有至少一个含氮碱基的基团，R²为氢原子，且R³为C₁-C₁₀烷基。具有此结构的化合物的实例包括但不限于：N²-甲基赖氨酸和N²-甲基-L-精氨酸。

在本公开的一些实施方式中，该至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个含氮碱基的单羧酸化合物选自由上述结构(I)所描述的单羧酸化合物，其中，R¹为具有至少一个含氮碱基的基团，R²为氢原子，且R³为具有至少一个含氮碱基的基团。具有此结构的化合物的实施例包括但不限于：N²-(2-氨基乙基)-D-精氨酸和N²-(2-氨基乙基)-L-精氨酸。

在本发明的一些实施方式中，该至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物选自由上述结构(I)所描述的单羧酸化合物，其中，R¹为C₁-C₄烷基，R²为具有至少一个含氮碱基的基团，且R³为氢原子。具有此结构的化合物的实例包括但不限于：2-甲基赖氨酸和2-甲基-L-精氨酸。

在本公开的一些实施方式中，该至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物选自具有以下结构的化合物：其中，所需要的伯氨基或仲氨基没有键合到与羧基相同的碳原子上。具有此结构的化合物的实例包括但不限于：3,4-二氨基丁酸和3-氨基-5-[(氨基亚氨基甲基)甲基氨基]戊酸。

在一些实施方式中，本公开的组合物包含至少约0.02wt％(例如，至少约0.05wt％、至少约0.1wt％、至少约0.2wt％或至少约0.5wt％)和/或至多约2wt％(例如，至多约1.8wt％、至多约1.5wt％、至多约1.2wt％或至多约1wt％)的单羧酸化合物。

本公开的组合物含有至少一种金属腐蚀抑制剂，其选自被取代或未被取代的苯并三唑。被取代的苯并三唑的适宜类型包括但不限于：被烷基基团、芳基基团、卤素基团、氨基基团、硝基基团、烷氧基基团和羟基基团所取代的苯并三唑。被取代的苯并三唑还包含与一个或多个芳基(例如苯基)或杂环芳基稠合的苯并三唑。出于本公开之目的，短语“被取代或未被取代的苯并三唑”被限定为排除了任何同时含有羧基以及伯氨基或仲氨基的苯并三唑化合物。

用作金属腐蚀抑制剂的适宜的苯并三唑包括但不限于：苯并三唑(BTA)、5-氨基苯并三唑、1-羟基苯并三唑、5-苯基硫醇基-苯并三唑、5-氯苯并三唑、4-氯苯并三唑、5-溴苯并三唑、4-溴苯并三唑、5-氟苯并三唑、4-氟苯并三唑、萘并三唑、甲苯三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、4-硝基-苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、苯并三唑-5-羧酸、4-甲基苯并三唑、4-乙基苯并三唑、5-乙基苯并三唑、4-丙基苯并三唑、5-丙基苯并三唑、4-异丙基苯并三唑、5-异丙基苯并三唑、4-正丁基苯并三唑、5-正丁基苯并三唑、4-异丁基苯并三唑、5-异丁基苯并三唑、4-戊基苯并三唑、5-戊基苯并三唑、4-己基苯并三唑、5-己基苯并三唑、5-甲氧基苯并三唑、5-羟基苯并三唑、二羟基丙基苯并三唑、1-[N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基]-苯并三唑、5-叔丁基苯并三唑、5-(1’,1’-二甲基丙基)-苯并三唑、5-(1’,1’,3’-三甲基丁基)苯并三唑、5-正辛基苯并三唑以及5-(1’,1’,3’,3’-四甲基丁基)苯并三唑。

在一些实施方式中，本公开的组合物包含至少约0.05wt％(例如，至少约0.1wt％、至少约0.2wt％，或至少约0.5wt％)或至多约2wt％(例如，至多约1.5wt％、至多约1.2wt％或至多约1wt％)的金属腐蚀抑制剂。

本公开的清洗组合物还包含水。优选地，该水为去离子的超纯水，不含有任何有机污染物，并且具有约4至约17兆欧的最小电阻。更优选地，所述水的电阻为至少17兆欧。

在一些实施方式中，本公开的组合物包含至少约78wt％(例如，至少约80wt％、至少约83wt％或至少约85wt％)和/或至多约98wt％(例如，至多约95wt％、至多约93wt％或至多约90wt％)的水。

在一些实施方式中，本公开的非腐蚀性清洗组合物含有以下物质、由以下物质构成、或基本上由以下物质构成：至少约0.01wt％(例如，至少约0.05wt％或至少约0.1wt％)至至多约0.5wt％(例如，至多约0.3wt％或至多约0.2wt％)的至少一种聚氨基聚羧酸螯合剂；至少约2wt％(例如，至少约3wt％、至少约5wt％，或至少约7wt％)至至多约20wt％(例如，至多约18wt％、至多约15wt％，或至多约12wt％)的至少一种有机溶剂，其选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚；至少约0.02wt％(例如，至少约0.05wt％、至少约0.1wt％、至少约0.2wt％或至少约0.5wt％)至至多约2wt％(例如，至多约1.8wt％、至多约1.5wt％、至多约1.2wt％或至多约1wt％)的至少一种含有伯氨基或仲氨基、以及至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物；至少约0.05wt％(例如，至少约0.1wt％、至少约0.2wt％或至少约0.5wt％)至至多约2wt％(例如，至多约1.5wt％、至多约1.2wt％或至多约1.0wt％)的至少一种金属腐蚀抑制剂，其选自被取代或未被取代的苯并三唑；至少约78wt％(例如，至少约80wt％、至少约83wt％或至少约85wt％)至至多约98wt％(例如，至多约95wt％、至多约93wt％或至多约90wt％)的水；以及，可选地，从至少约1ppm(例如，至少约10ppm、至少约15ppm、至少约30ppm或至少约50ppm)至至多约1000ppm(例如，至多约750ppm、至多约500ppm、至多约300ppm或至多约100ppm)的消泡剂；其中，该非腐蚀性清洗组合物的pH为从至少7(例如，至少约7.1、至少约7.2或至少约7.3)至至多约9(例如，至多约8.5、至多约8.2、至多约8)。

在一些实施方式中，本公开的组合物可以具有至少7(例如，至少约7.1、至少约7.2或至少约7.3)至至多约9(例如，至多约8.5、至多约8.2、至多约8)的pH。在不受理论约束的情况下，据信具有低于7的pH的清洗组合物会明显地增强对钴腐蚀性，而具有高于9的pH的清洗组合物会明显地增强对于钨的腐蚀作用。为了获得期望的pH，可以调整以下的相对浓度：聚氨基聚羧酸，苯并三唑(或其衍生物)，以及含有伯氨基或仲氨基、和至少一种额外的含氮碱基的单羧酸化合物。

此外，在一些实施方式中，本公开的清洗组合物可以含有添加剂来作为可选组分，诸如额外的pH调节剂、不含羧基的腐蚀抑制剂、表面活性剂、有机溶剂、杀菌剂和消泡剂。

适宜的消泡剂的实施例包括：聚硅氧烷消泡剂(例如聚二甲基硅氧烷)、聚乙二醇甲基醚聚合物、环氧乙烷/环氧丙烷共聚物、以及以缩水甘油醚封端的炔属二醇乙氧基化物(如美国专利号6717019中所述的，在此以引用的方式并入本文中)。

在一些实施方式中，本公开的清洗组合物可以特别地排除任意组合(若多于一种)的一种或多种添加剂组分。此类组分选自下述：pH调节剂，腐蚀抑制剂(例如，不含有羧基的腐蚀抑制剂或非唑类腐蚀抑制剂)、表面活性剂(例如，除了消泡剂以外的表面活性剂)，除了水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚以外的有机溶剂(例如，非水溶性的有机溶剂)，杀菌剂，消泡剂，吸氧剂，季铵碱，胺类，碱金属碱(alkaline bases)(诸如NaOH、KOH和LiOH)，含氟化合物，氧化剂(例如，过氧化物、氧代胺(oxoammonium)化合物、无机氧化剂、过酸)，研磨剂，羟基羧酸，以及不含氨基的羧酸和不含氨基的聚羧酸。

总地来说，本公开的清洗组合物没有被特别设计成从半导体基板去除大量光阻剂膜。而是，本公开的清洗组合物被大体设计成在通过干式或湿式剥离法去除大量抗蚀剂之后来去除所有的残余物。因此，本公开的清洗方法优选是在干式或湿式光阻剂剥离过程之后再使用。该光阻剂剥离过程一般在图案转印过程(诸如蚀刻或植入过程)之后，或者在图案转印过程之前完成该光阻剂剥离过程以校正掩膜误差。对于残余物的化学处理将取决于清洗步骤之前的过程。

任何适宜的干式剥离过程可以用于从半导体基板去除大量抗蚀剂。适宜的干式剥离过程的实例包含：氧基等离子体灰化，诸如氟/氧等离子体或N₂/H₂等离子体；臭氧气相处理；氟等离子体处理、热H₂气体处理(诸如美国专利号5,691,117中所述，其以引用的方式全文并入本文中)，等等。此外，任何本领域技术人员所知的常规有机湿式剥离溶液可以用来从半导体基板去除大量抗蚀剂(bulk resist)。

与本公开清洗方法结合使用的优选剥离过程是干式剥离方法。优选地，该干式剥离方法为氧基等离子体灰化方法。该方法通过在真空条件下(即1托)、在较高温度下(通常为250摄氏度)、应用反应性氧气氛围来从半导体基板去除大部分光阻剂。有机材料通过该方法被氧化，并通过处理气体被去除。但是，该方法不能从半导体基板上去除无机或有机金属污染物。然后通常需要使用本公开的清洗组合物对半导体基板进行清洗，来去除这些残余物。

本公开的一个实施方式是清洗半导体基板上的残余物的方法，其包括使含有蚀刻后残余物和/或灰化后残余物的半导体基板与本文所述清洗组合物接触。该方法可以进一步包括：在该接触步骤之后使用冲洗溶剂对半导体基板进行冲洗，和/或，在该冲洗步骤之后对半导体基板进行干燥。

在一些实施方式中，该清洗方法包括以下步骤：

(A)提供含有蚀刻后和/或灰化后残余物的半导体基板；

(B)使所述半导体基板与本文所述清洗组合物接触；

(C)使用适宜的冲洗溶剂对所述半导体基板进行冲洗；以及

(D)可选地，通过能够去除冲洗溶剂并且不会有损半导体基板完整性的任何方法来对该半导体基板进行干燥。

在一些实施方式中，该清洗方法进一步包含从通过上述方法获得的半导体基板形成半导体器件(例如，诸如半导体芯片的集成电路器件)。

在此方法中待清洗的半导体基板可能包含有机和有机金属残余物，以及额外的需要去除的多种金属氧化物。半导体基板通常由硅、硅锗、类似GaAs等的III-V族化合物、及其任何组合构成。所述半导体基板可以额外地含有暴露的集成电路结构，如互连结构，诸如类似金属线和介电材料。用于互连结构的金属和金属合金包括但不限于：铝、铝铜合金、铜、钛、钽、钴，以及硅、氮化钛、氮化钽和钨。该半导体基板还可以包含以下的层：氧化硅、氮化硅、碳化硅和碳掺杂的氧化硅。

半导体基板可以通过任何适宜方法来与清洗组合物接触，诸如将清洗组合物放入槽中、并将半导体基板沉浸到和/或浸没到清洗组合物中，将该清洗组合物喷洒到半导体基板上，将清洗组合物浇淋到半导体基板上，或其任何组合。优选地，将半导体基板沉浸到清洗组合物中。

本公开的清洗组合物可以有效地用于约90摄氏度的温度。优选地，该清洗组合物可以用于从约25摄氏度至约80摄氏度的温度范围。更优选地，该清洗组合度可以用在从约30摄氏度至约60摄氏度的温度范围，并且，最优选的为约40摄氏度至约60摄氏度的温度范围。

相似地，清洗时间可以根据特定的清洗方法和所用温度在较大范围内变化。当以沉浸批量式方法清洗时，例如，适宜的时间范围为例如高达约60分钟。对于批量式方法，优选的时间范围为从约1分钟到约60分钟。对于批量式方法的更优选时间范围为约3分钟到约20分钟。对于批量式清洗方法的最优选时间范围为从约4分钟到约15分钟。

对于单个晶圆工艺的清洗时间可以在从约10秒到约5分钟的范围内。对于单个晶圆工艺的优选清洗时间可以在约15秒到约4分钟的范围内。对于单个晶圆工艺的更优选的清洗时间可以在约15秒到约3分钟的范围内。对于单个晶圆工艺的最优选清洗时间可以在约20秒到约2分钟的范围内。

为了进一步促进本公开的清洗组合物的清洗能力，可以使用机械搅拌方式。适宜的搅拌方式的实例包含在基板上循环流动清洗组合物，在基板上浇淋或喷洒清洗组合物，以及在清洗过程中的超声波或兆声波搅拌。半导体基板相对于地面的取向可以是任何角度。优选水平或垂直的取向。

本公开的清洗组合物可以用在本领域技术人员熟知的常规清洗工具中。本公开组合物的显著优势是其在整体上或部分上包含相对非毒性、相对非腐蚀性和相对非反应性的组分，从而使得该组合物可以在宽的温度和处理时间范围内保持性质稳定。本公开的组合物与用于批量式和单个晶圆清洗的、现有和将来的半导体晶圆清洗过程工具的构建实际上所用的所有材料是化学相容的。

在清洗之后，将半导体基板用适宜的冲洗溶剂冲洗约5秒至约5分钟，可以搅拌，也可以不搅拌。适宜冲洗溶剂的实例包括但不限于：去离子(DI)水、甲醇、乙醇、异丙醇、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯、二甲基亚砜、乳酸乙酯以及丙二醇单甲醚乙酸酯。冲洗溶剂的优选实例包括但不限于：去离子水、甲醇、乙醇和异丙醇。更优选的冲洗溶剂为去离子水和异丙醇。最优选的冲洗溶剂为去离子水。该溶剂可以使用与施加本公开所述清洗组合物的方式相似的方式来施加。在开始冲洗步骤之前，该清洗组合物可以从半导体基板去除，或者，在冲洗步骤开始时清洗组合物仍可以与半导体基板接触。优选地，在冲洗步骤中所用的温度范围为在16摄氏度与27摄氏度之间。

可选地，在冲洗步骤之后对半导体基板进行干燥。本领域所知的任何适宜的干燥方式都可以应用。适宜干燥方式的实例包括离心干燥，令干燥气体流过半导体基板，或使用诸如热板或红外灯的加热装置对半导体基板进行加热，Maragoni干燥法，rotagoni干燥法，IPA干燥，或其任何组合。干燥时间取决于所用的特定方法，但是通常在约30秒至几分钟的范围内。

在一些实施方式中，使用本公开所述清洗组合物制造集成器件的方法可以包括以下步骤。第一，将光阻剂层施涂到半导体基板上。由此获得的半导体基板然后会经历图案转印过程，诸如蚀刻或植入过程，以形成集成电路。然后可以通过干式剥离或湿式剥离法(例如，氧基等离子体灰化工艺)来去除大量的光阻剂。然后可以使用本文所述清洗组合物，以上述方式，去除在半导体基板上的剩余残余物。随后该半导体基板可以经加工以在该基板上形成一个或多个额外电路，或者可以通过例如组装(例如，切割和粘合)和封装(例如，芯片密封)而加工形成半导体芯片。

实施例

将参考以下实施例更详细说明本公开，这些实施例仅是为了说明的目的且不应被理解为限制本公开的范围。除非另有说明，所列出的所有百分率均指重量分数(wt％)。在测试期间的受控搅拌均以1英寸搅拌棒以300rpm完成，除非另有说明。

一般程序1

调配物的混合

通过将清洗组合物的组分添加到计算量的超纯去离子水(DIW)，同时搅拌来制备清洗组合物的样品，但是以下组分除外：pH调节剂，含有伯氨基或仲氨基、和至少一个含氮碱基的单羧酸化合物，以及任何可选的添加剂。在获得均匀溶液之后，如果用的话，添加可选添加剂。通过添加该pH调节剂，和/或含有伯氨基或仲氨基、和至少一个额外含氮碱基的单羧酸化合物，完成组合物的配制。如果需要的话，令溶液平衡并测量该清洗组合物的pH。

如果需要的话，在所有组分完全溶解之后，在环境温度(17摄氏度至25摄氏度)下进行pH测量。可以使用Beckman CoulterΦ400系列手持式仪表来进行这些pH测量。所有使用的组分均可以从市面购得且纯度高。

一般程序2

用烧杯测试进行清洗评估

将含有图1所示材料和特征的图案化晶圆切割成含有用于清洗测试的关键特征的测试片。

使用所述清洗组合物，采用光阻剂/TiOx/SiN/Co/ILD或光阻剂/TiOx/SiN/W/ILD的多层基板，进行基板的PER清洗，所述多层基板使用已光刻图案化、在等离子体金属蚀刻机中蚀刻、且随后通过氧等离子体灰化以完全去除顶层光阻剂。

使用长4”的塑料锁定夹来固定测试片，使得该测试片可以被悬浮在含有大约200毫升本公开蚀刻组合物的500毫升容积玻璃烧杯中。在将测试片沉浸到蚀刻组合物之前，该组合物被预热到期望的测试条件温度(如上所述，通常为40摄氏度或60设施度)，并伴有受控搅拌。通过将被塑料夹夹持的测试片放置到经加热的组合物中、并使得测试片的含有PER层的那一侧朝向搅拌棒，来进行清洗测试。该测试片被静置在蚀刻组合物中持续一段时间(通常为2分钟至5分钟)，同时该组合物被保持在测试温度下并伴有受控搅拌。当达到期望的清洗时间时，该测试片被迅速地从该蚀刻组合物中移出，并被置入到装有大约400毫升去离子水的500毫升塑料烧杯中，并于环境温度(～17摄氏度)下温和搅拌。该测试片被置于去离子水烧杯中大约30秒，然后被快速移出，并在环境温度下用去离子水流冲洗大约30秒中。然后该测试片被立即暴露到来自手持式氮气喷射枪的氮气流中，以使得任何存在于测试片表面上的液滴被吹走，并且进一步完全干燥该测试片器件表面。在该最终的氮气干燥步骤之后，该测试片被从塑料夹移出，并被置于到带盖的塑料载具中，并使得器件侧朝上，保持这种状态不超过约2小时。最后，收集清洗后的测试片器件表面的关键特征的扫描电子显微镜(SEM)图像。

一般程序3

使用烧杯测试来对材料相容性进行评估

将硅基板上的覆层钴、硅基板上的钨、硅基板上SiO₂上的TiOx、硅基板上SiN、硅基板上ILD切割成大约1英寸×1英寸的方形测试片来进行材料相容性测试。首先，通过4点探针(4-point probe)、用于金属膜(钴、钨)的CDE Resmap 273、或是用于介电膜(TiOx、SiN和ILD)的Elipsometry，使用Woollam M-2000X，对测试片进行厚度或薄层电阻测试。测试片然后被安装在4”长塑料锁定夹上，并使用一般程序2中所描述的清洗过程来进行处理持续10分钟，其中，测试片的含有钴、钨、TiOx、SiN或ILD层的一侧被放置为面向搅拌棒。

在最终的氮气干燥步骤完成之后，该测试片从塑料夹移出，并被放置到带盖的塑料载具中。然后，使用Woollam M-2000X，通过4点探针(4-point probe)、用于金属膜(钴、钨)的CDE Resmap 273、或是用于介电膜(TiOx、SiN和ILD)的Elipsometry，来收集处理后测试片的厚度或薄层电阻。

一般程序4

化学起泡评估

接下来进行对于起泡的ASTM D892-13标准测试方法。将30毫升测试组合物置入100毫升缸体中。缸体顶部被诸如

的塑料膜覆盖以防止组合物泄露。将该缸体快速震荡30秒以产生泡沫。在震荡之后，将缸体静置并在5秒、10秒、15秒、30秒和60秒之后测量泡沫高度。

调配物实施例FE1-FE4

表1列出通过一般程序1制备的调配物FE1-FE14。

表1

EGBE＝乙二醇丁醚；DTPA＝二亚乙基三胺五乙酸；5MBTA＝5-甲基苯并三唑；Cy-Hex：环己酮；DAA＝二丙酮醇；EA＝乙酸乙酯；PGME＝丙二醇甲醚；EGDME＝乙二醇二甲醚。

调配物比较例

表2包含根据一般程序1制备的调配物比较例CFE-1至CFE-19。

表2

EGBE＝乙二醇丁醚；DTPA＝二亚乙基胺五乙酸；5MBTA＝5-甲基苯并三唑；MEA＝单乙醇胺；TMAH＝四甲基氢氧化铵；HF＝氢氟酸；HAS＝羟铵硫酸盐

实施例1-6和比较例CE1-CE15

清洗剂与暴露金属的相容性

根据一般程序3，对调配物实施例1-6和调配物比较例CE1-CE15进行材料相容性的测试，在60摄氏度下测试10分钟。在清洗组合物中的Co、W和TiOx的蚀刻速率被图示于表3中。

表3

表3的结果表示，本公开的调配物(即FE-1至FE-6)对于Co、W和TiOx均具有低的蚀刻速率。以下调配物并不能同时提供低的Co、W和TiOx蚀刻速率：a)pH相似，但需要以另一种方式获得碱性pH的调配物；b)具有与本公开的单羧酸相似但是不具有官能团中一者的化合物的调配物；c)现有技术的其他类型的清洗调配物。

实施例7-12和比较例CE16

在40摄氏度条件下，对本公开的各种调配物和比较例调配物进行清洗和材料相容性的测试。测试结果见于以下表4中。

表4

*1＝等离子体蚀刻残余物未去除10＝等离子体蚀刻残余物完全去除

表4中的结果表示所选的溶剂对于包括氮化硅和内层介电质在内都能提供优良的材料相容性，并且对于不含所选有机溶剂的比较例表现出改善的清洗和钴相容性。

实施例13-16和比较例CE17-CE19

在60摄氏度条件下，根据一般程序3，对本公开和比较例的各种组合物进行材料相容性方面的测试。测试结果图示于以下表5中。

表5

表5中的结果显示出聚氨基聚羧酸螯合剂的重要性。在没有聚氨基聚羧酸的条件下，对W的蚀刻速率显著增加。参见实施例CE19。将聚氨基聚羧酸螯合剂用柠檬酸(一种已知的不含任何氨基的螯合剂)替代，W蚀刻速率得到控制，但是Co蚀刻速率显著上升。参见实施例CE18。相似地，当苯并三唑衍生物不存在时，Co蚀刻速率的显著增加表明了苯并三唑衍生物的重要性。参见实施例CE17。

实施例17和18以及比较例CE20和CE21

在配制调配物后再过24小时，根据一般程序1对用以获得表5中数据的所选调配物的pH稳定性进行测试。这些结果提供在表6中。

表6

表6中的结果表示，螯合剂有助于控制组合物pH稳定性。

调配物实施例FE-15至FE-21、实施例19-31以及比较实验例CE22

使用一般程序4，对在表4实验中所用的本公开调配物和含有消泡剂的本公开调配物测试起泡性。含有消泡剂的本公开的调配物如表7所述来制备。表8列出这些起泡测试的结果。

表7

EGBE＝乙二酸丁醚；DTPA＝二亚乙基三胺五乙酸；5MBTA＝5-甲基苯并三唑；Arg＝L-精氨酸；PEGME＝聚乙二醇甲醚；EOPO＝环氧乙烷环氧丙烷共聚物；

消泡剂，[环氧乙烷,[[(2-乙基己基)氧]甲基]-,RX产品W/聚乙二醇醚W/2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4-,7-二醇(2:1]市面上可得的AirProducts的产品)。

表8

实施例编号#	调配物编号#	溶剂	消泡剂	消泡<sup>1</sup>
					19	FE-1	10％EGBE	无	1
20	FE-7	5％Cy-Hex	无	3
					21	FE-8	10％DAA	无	8
22	FE-9	5％EA	无	2
					23	FE-10	10％PGME	无	1
24	FE-11	10％EGDME	无	1
					CE22	CFE-16	无	无	7
25	FE-15	10％EGBE	300ppm PEGME Mw＝5000	3
					26	FE-16	10％EGBE	300ppm EOPO Mw＝1100	2
27	FE-17	10％EGBE	300ppm EOPO Mw＝2700	3
					28	FE-18	10％EGBE	300ppm EOPO Mw＝5800	4
29	FE-19	10％EGBE	300ppm MD-20	10
					30	FE-20	10％EGBE	30ppm MD-20	10
31	FE-21	10％EGBE	3ppm MD-20	7

起泡测试等级注释：1＝在60秒里泡沫没有消失，10＝在5秒内泡沫消失

如表8所示，清洗组合物的起泡性质随着所用溶剂而变化。实验结果还显示出，添加少量的消泡剂可以显著减少含有容易起泡的有机溶剂的组合物中的泡沫量。

调配物实施例FE-22至FE-29

为了进一步说明本公开调配物，调配物FE-22至FE-29描述于以下表9中。表9

Claims (23)

1.清洗组合物，包含：

1)至少一种螯合剂，所述螯合剂为聚氨基聚羧酸，所述螯合剂的含量为所述组合物的约0.01wt％至约0.5wt％；

2)至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚，所述至少一种有机溶剂的含量为所述组合物的约2wt％至约20wt％；其中，所述水溶性酯选自由二醇单酯和二醇单醚单酯所组成的组，所述水溶性酮选自由丙酮(acetone)、丙酮(propanone)、环丁酮、环戊酮、双丙酮醇、2-丁酮、5-己二酮、1，4-环己二酮、3-羟基苯乙酮、1，3-环己二酮以及环己酮所组成的组；

3)至少一种单羧酸，所述单羧酸含有伯氨基或仲氨基、和至少一个额外含氮碱基，所述至少一种单羧酸的含量为所述组合物的约0.02wt％至约2wt％且所述至少一种单羧酸不包括胍基乙酸和4-胍基丁酸；

4)至少一种金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂为被取代或未被取代的苯并三唑，所述金属腐蚀抑制剂的含量为所述组合物的约0.05wt％至约2wt％；以及

5)水；

其中，所述组合物的pH为7至约9。

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物的pH为7至约8.5。

3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述聚氨基聚羧酸选自：单或聚亚烷基聚胺聚羧酸、聚氨基烷烃聚羧酸、聚氨基烷醇聚羧酸、以及羟基烷基醚聚胺聚羧酸。

4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述聚氨基聚羧酸选自：丁二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸(DTPA)、乙二胺四丙酸、三乙烯四胺六乙酸、1，3-二氨基-2-羟基丙烷-N，N，N’，N’-四乙酸、丙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸、反-1，2-二氨基环己烷四乙酸、乙二胺二乙酸、乙二胺二丙酸、1，6-亚己基-二胺-N，N，N’，N’-四乙酸、N，N-二(2-羟基苄基)乙二胺-N，N-二乙酸、1，4，7，10-四氮杂环十二烷-四乙酸、二氨基丙醇四乙酸、以及羟乙基乙二胺三乙酸。

5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含约0.01wt％至约0.3wt％的聚氨基聚羧酸。

6.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述单羧酸为结构(I)的化合物：

(R³NH)C(R¹)(R²)CO₂H (I)，

其中，R¹和R²各自独立地为氢原子、C₁-C₄烷基、或具有至少一个含氮碱基的基团；并且，

R³为氢原子、C₁-C₁₀烷基、或具有至少一个含氮碱基的基团；

其中，R¹、R²和R³中的至少一个为具有至少一个含氮碱基的基团。

7.根据权利要求6所述的组合物，其特征在于，R¹为具有至少一个含氮碱基的基团，其中，该具有至少一个含氮碱基的基团为被氨基、胍基或咪唑基取代的C₁-C₁₀烷基，且任选地进一步被OH取代。

8.根据权利要求7所述的组合物，其特征在于，R²为H或C₁-C₄烷基，R³为H、C₁-C₁₀烷基、或具有至少一个含氮碱基的基团，其中，该具有至少一个含氮碱基的基团为C₁-C₁₀烷基，其任选地被氨基、胍基或咪唑基取代，且任选地进一步被OH取代。

9.根据权利要求6所述的组合物，其特征在于，R³为具有至少一个含氮碱基的基团，其中，该具有至少一个含氮碱基的基团为C₁-C₁₀烷基，其被氨基、胍基或咪唑基取代，且任选地进一步被OH取代。

10.根据权利要求9所述的组合物，其特征在于，R¹和R²各自独立地为H或C₁-C₄烷基。

11.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述单羧酸选自：赖氨酸、2，3-二氨基丁酸、2，4-二氨基丁酸、鸟氨酸、2，3-二氨基丙酸、2，6-二氨基庚酸、4-甲基赖氨酸、3-甲基赖氨酸、5-羟基赖氨酸、3-甲基-L-精氨酸、精氨酸、高精氨酸、N⁵-单甲基-L-精氨酸、N⁵-[亚氨基(甲基氨基)甲基]-D-鸟氨酸、刀豆氨酸、组氨酸、N-(2-氨基乙基)甘氨酸、N-(2-氨基丙基)甘氨酸、N²-甲基赖氨酸、N²-甲基-L-精氨酸、N²-(2-氨基乙基)-D-精氨酸、N²-(2-氨基乙基)-L-精氨酸、2-甲基赖氨酸、2-甲基-L-精氨酸、3，4-二氨基丁酸以及3-氨基-5-[(氨基亚氨基甲基)甲基氨基]戊酸。

12.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含约0.02wt％至约1.8wt％的所述单羧酸。

13.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述金属腐蚀抑制剂为苯并三唑，其任选地被至少一个取代基团取代，所述取代基团选自烷基、芳基、卤素基团、氨基、硝基、烷氧基和羟基。

14.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述金属腐蚀抑制剂选自：苯并三唑、5-氨基苯并三唑、1-羟基苯并三唑、5-苯基硫醇基-苯并三唑、5-氯苯并三唑、4-氯苯并三唑、5-溴苯并三唑、4-溴苯并三唑、5-氟苯并三唑、4-氟苯并三唑、萘并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、4-硝基-苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、苯并三唑-5-羧酸、4-甲基苯并三唑、4-乙基苯并三唑、5-乙基苯并三唑、4-丙基苯并三唑、5-丙基苯并三唑、4-异丙基苯并三唑、5-异丙基苯并三唑、4-正丁基苯并三唑、5-正丁基苯并三唑、4-异丁基苯并三唑、5-异丁基苯并三唑、4-戊基苯并三唑、5-戊基苯并三唑、4-己基苯并三唑、5-己基苯并三唑、5-甲氧基苯并三唑、5-羟基苯并三唑、二羟基丙基苯并三唑、1-[N，N-双(2-乙基己基)氨基甲基]-苯并三唑、5-叔丁基苯并三唑、5-(1’，1’-二甲基丙基)-苯并三唑、5-(1’，1’，3’-三甲基丁基)苯并三唑、5-正辛基苯并三唑以及5-(1’，1’，3’，3’-四甲基丁基)苯并三唑。

15.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含约0.05wt％至约1.5wt％的所述金属腐蚀抑制剂。

16.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含约2wt％至约18wt％的所述有机溶剂。

17.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含约78％至约98％的水。

18.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，进一步包含消泡剂。

19.根据权利要求18所述的组合物，其特征在于，所述组合物包含约1ppm至约1000ppm的所述消泡剂。

20.一种方法，其包括：

将含有蚀刻后残余物和/或灰化后残余物的半导体基板与权利要求1至19中任一项所述的清洗组合物接触。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，在上述接触步骤之后，进一步包括利用冲洗溶剂冲洗所述半导体基板。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，在上述冲洗步骤之后，进一步包括对所述半导体基板进行干燥。

23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述半导体基板上形成半导体器件。

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