KR20010067436A - 제거제 조성물 - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract
하기 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 을 첨가하여 수득된 제거제 조성물:
[식중, 각각의 R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 카르복시기 또는 치환될 수 있는 알킬기를 나타내며, Z 은 산소 원자 또는 황원자를 나타낸다.]
Description
본 발명은 제거제 조성물에 관한 것이다. 더 구체적으로 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서의 잔류물 및 포토레지스트를 제거하기 위해 사용되는 제거제 조성물에 관한 것이다.
최근, 높은 정확성을 갖는 미세 패턴의 형성은 고밀도의 집적 회로의 개발을 필요로하고, 이에 따라, 할로겐 기재 가스를 사용한 건식 에칭 방법이 통상의 화학적 에칭 방법 대신에 에칭 방법으로 자주 사용되며, 또한, 산소 플라스마, 이온 이식등에 의한 회화 (ashing) 와 같은 처리가 수행된다.
이러한 건식 에칭 방법, 회화 처리등에 의해, 포토레지스트 필름은 할로겐 기재 에칭 가스, 산소등에 의해 산화되고, 결과적으로 유기 필름 같은 성질을 갖는 포토레지스트 필름이 무기 필름 같은 성질을 갖는 것으로 전환되며, 또한, 이온 이식 처리에 의해 필름은 불량한 용해도를 갖게된다.
제거제 조성물은 배선층 및 절연 필름층의 표면부, 배선층의 측벽부 및 전도성 금속 및 바이어 호울의 배선층 형성시 생성된 바이어 호울의 바닥부에 남아있는 건식 에칭후 잔류물 및 포토레지스트를 제거하기 위해 사용된다.
통상의 제거제 조성물로서, 유기 알칼리, 무기 알칼리, 유기산, 무기산, 및 극성 유기 용매의 혼합 용액, 또는 이들의 수용액이 사용되며, 예를들어, JP-A 제 59-49539 호에는 2-피롤리디논 화합물 및 디알킬술폰 화합물로 이루어진 제거제가 개시되어 있으며, JP-A 제 4-350660 호에는 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 및 디메틸술폭시드로 이루어진 제거제가 개시되어 있고, JP-B 제 6-12455 호에는 알칸올아민과 술폰 화합물 및 글리콜 모노알킬 에테르로 이루어진 제거제 등이 개시되어 있다.
또한, 미세 구조를 갖는 반도체 소자의 개발과 함께, 배선층에서 사용된 금속 필름의 부식은 또한 레지스트 제거 공정 및 건식 에칭후 잔류물 제거 공정에서 문제가 되었다. 배선층에서 사용된 금속 필름이 부식되었을 때, 저항은 증가되고, 전력 소비 증가, 반도체 소자로 부터의 열발생 등과 같은 문제점이 발생한다.
그러나, 상술한 바와 같은 통상의 제거제 조성물은 건식 에칭후의 잔류물 및 레지스트에 대한 제거능이 여전히 불충분하고, 배선층에 사용된 금속 필름이 부식된다는 등의 문제점을 가지고 있다.
그러므로, 더 높은 제거능을 가지며 배선층에 사용된 금속 필름의 부식이 쉽게 일어나지 않는 제거제 조성물이 요구되었다.
본 발명의 목적은 반도체 소자의 제조 공정에서 반도체 소자를 구성하는 절연 필름, 금속 필름등과 같은 물질의 부식을 극단적으로 낮출 수 있으며, 반도체소자의 제조에서 형성된 잔류물 및 포토레지스트 제거능이 높은 제거제 조성물을 제공하여 상술한 문제점을 해결하는 것이다.
본 발명자들은 상술한 바와 같은 문제점을 갖지 않는 제거용 조성물에 대하여 예의 연구를 하였으며, 그 결과, 특정 구조를 갖는 시클릭 우레아 화합물을 첨가하여 수득된 제거용 조성물은 절연 필름, 금속 필름등과 같은 물질에 대하여 매우 낮은 부식 효과를 가지며, 반도체 소자의 제조에서 형성된 잔류물 및 포토레지스트 제거능이 높다는 것을 알아 내었으며, 이로부터 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 하기 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 을 첨가하여 수득된 제거제 조성물 [1]에 관한 것이다:
[식중, 각각의 R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 카르복시기 또는 치환될 수 있는 알킬기를 나타내며, Z 은 산소 원자 또는 황원자를 나타낸다.]
또한, 본 발명은 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 함유하는 제거제 조성물 [2]에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 제거제 조성물[1] 을 사용하여 포토레지스트를 제거하는 방법 [3], 및 상술한 제거제 조성물 [1] 을 사용하여 반도체 제조에서 형성된 잔류물을 제거하는 방법 [4] 에 관한 것이다.
본 발명은 하기에서 상세히 설명한다.
본 발명의 제거제 조성물은 일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 첨가하여 수득되거나, 또는 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 함유한다. 시클릭 우레아 화합물의 첨가량 또는 함량은 바람직하게는 10 내지 60 중량 %, 특히 바람직하게는 10 내지 40 중량 % 이다.
구체적으로, 본 발명의 제거제 조성물은 상술한 시클릭 우레아 화합물을 물 및/또는 유기 용매에 첨가하여 수득되거나, 또는 물 및/또는 유기 용매내에 상술한 시클릭 우레아 화합물을 함유한다.
즉, 본 발명의 제거제 조성물은 일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물을 물 및/또는 수용성 유기 용매에 1 내지 90 중량 % 의 양으로 첨가하여 수득되거나, 또는 물 및/또는 수용성 유기 용매내에 일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물을 1 내지 90 중량 % 의 양으로 함유한다. 시클릭 우레아 화합물의 첨가량 또는 함량은 바람직하게는 10 내지 60 중량 %, 특히 바람직하게는 10 내지 40 중량 % 이다.
농도가 1 중량 % 미만일 때, 포토레지스트 및 에칭 잔류물에 대한 제거 성질이 불충분하다. 반면, 90 중량 % 를 초과하면, 에칭 잔류물에 대한 제거 성질이 불충분하다.
본 발명의 일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물에서, 각각의 R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 카르복시기 또는 치환될 수 있는 알킬기를 나타낸다. Z 은 산소 원자 (O) 또는 황원자 (S) 를 나타낸다.
R1및 R2가 치환될 수 있는 알킬기일때, 이들 기는 R1및 R2에 대하여 독립적으로 하기 일반식 (II) 로 표시되는 기를 나열할 수 있다:
[식중, n 은 1 이상의 정수를 나타낸다. X 는 수소, 히드록시기, 메톡시기 또는 에톡시기를 나타낸다.]
포토레지스트 및 에칭 잔류물의 충분한 제거능 성질에 대한 관점에서 바람직한 R1 및 R2는 수소 원자 또는 일반식 (II) 의 치환될 수 있는 알킬기를 나타내며, n 은 바람직하게는 1 내지 4, 특히 바람직하게는 1 내지 2 이다. 또한, R1=R2가 바람직하다
일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물의 예로는 4,5-디히드록시-2-이미다졸리디논, 4,5-디히드록시-1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 4,5-디히드록시-1,3-비스(히드록시메틸)-2-이미다졸리디논, 4,5-디히드록시-1,3-비스(메톡시메틸)-2-이미다졸리디논 등이다.
본 발명의 유기 용매의 예로는 알콜 예컨대, 메탄올, 에탄올, n-프로필 알콜, 이소프로필 알콜, n-부탄올, n-부틸 알콜, 펜탄올, 에틸렌 글리콜, 글리세린등; 아미드 예컨대, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈등; 락톤 예컨대, γ-부티로락톡등; 에스테르 예컨대 프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 부틸 프로피오네이트, 에틸 부티레이트, 부틸 부티레이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트등; 케톤 예컨대, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 아세틸 아세톤, 메틸 부틸 케톤, 3-펜타논, 2-헵타논등; 에스테르 예컨대 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 디부틸 에테르, 옥시란, 디옥산등; 글리콜 모노에테르 예컨대, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르등; 술포란, 예컨대 술포란등; 술폭시드 예컨대 디메틸 술폭시드등; 우레아 화합물 예컨대, 디메틸이미다졸리디논등; 탄화수소류 예컨대, 펜탄, 헥산, 헵탄, 시클로헥산등; 및 기타 용매를 포함한다. 이중에서, 물에 8 % 이상의 용해도를 갖는 수용성 유기 용매가 바람직하다.
본 발명에서 수용성 유기 용매의 예로는 알콜 예컨대, 메탄올, 에탄올, n-프로필 알콜, 이소프로필 알콜, 에틸렌 글리콜, 글리세린등; 아미드 예컨대, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈등; 락톤, 예컨대 γ- 부티로락톤등; 에스테르 예컨대, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트등; 케톤 예컨대, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 아세틸 아세톤등; 에테르 예컨대, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르등; 술포란, 예컨대 술포란등; 술폭시드, 예컨대 디메틸 술폭시드등; 우레아 화합물, 예컨대 디메틸이미다졸리디논등; 및 기타 용매를 포함한다. 더 바람직하게는, N-메틸-2-피롤리돈, 메탄올, 디메틸술폭시드등을 나열할 수 있다. 이들 수용성 유기 용매는 단독으로 또는 이들을 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명의 제거제 조성물은 유기 아민을 더 함유하는 것이 바람직하다. 이들의 비에 대하여는, 제거제 조성물은 상술한 일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물을 물 및/또는 수용성 유기 용매에 1 내지 90 중량 % 의 양으로 첨가하여 수득되거나, 또는 물 및/또는 수용성 유기 용매내에 100 중량부의 비로 시클릭 우레아 화합물과 바람직하게는 0.1 내지 150 중량부, 더 바람직하게는 1.0 내지 100 중량부, 특히 바람직하게는 5.0 내지 50 중량부의 비로 유기 아민을 함유하는 제거제 조성물을 포함한다.
유기 아민의 비가 150 중량부를 초과할 때, 지지체상의 전도성 금속 및 절연 필름상에서 부식이 일어날 수 있고, 0.1 중량부 미만일 때 레지스트 및 에칭 잔류물에 대한 제거 성질은 불충분할 수 있다.
유기 아민은 알칸올 아민 및 알킬암모늄 히드록시드로 이루어진 군에서 선택된다. 이들 유기 아민은 단독으로 또는 둘이상을 병용하여 사용된다. 상술한 바와 같은 알칸올 아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올등을 나열할 수 있다. 상술한 바와 같은 알킬암모늄 히드록시드, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드등을 나열할 수 있다. 이들 유기 아민은 단독으로 또는 둘이상을 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명의 제저게 조성물은 첨가제를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 제거제 조성물은상술한 유기 아민에 더하여 첨가제를 함유하는 것이 바람직하다.
이들의 특정 비에 대하여는, 본 발명의 제거제 조성물은 100 중량부의 비로 상술한 제거제 조성물과 0.001 내지 100 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 50 중량부, 특히 바람직하게는 1.0 내지 25 중량부의 비로 첨가제를 함유한다. 상술한 첨가제의 첨가량은 유기 아민을 첨가하여 수득된 제거제 조성물에 대하여도 동일하게 적용된다.
첨가제로서, 환원제 및 킬레이트화제, 특히 금속의 부식 억제제로서 효과를 갖는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 방향족 히드록시 화합물, 트리아졸 화합물등을 나열할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘이상을 병용하여 사용할 수 있다. 첨가제의 농도가 100 중량부를 초과할 때, 첨가제는 제거제 처리후에 지지체에 남아 있을 수 있으며, 반면, 0.001 중량부 미만일 때, 지지체상에서 금속 필름의 부식이 일어날 수 있다.
상술한 바와 같은 방향족 히드록시 화합물로서, 히드로퀴논, 카테콜, 레소르시놀, 피로갈롤등을 나열할 수 있으며, 이들 중, 카테콜이 바람직하다. 상술한 트리아졸 화합물로서 벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 3-아미노트리아졸등을 나열할 수 있으며, 이들 중, 벤조트리아졸이 바람직하다. 첨가제로서, 폴리에틸렌이민, 티오글리세롤등을 나열할 수 있다.
이들 화합물은 단독으로 또는 이들을 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명의 제거제 조성물은 LSI 소자, 액정 판넬등과 같은 반도체 제조 공정에서 반도체를 구성하는 절연 필름 및 금속 필름 (알루미늄, 텅스텐, 구리, 백금등으로 만들어짐) 과 같은 물질에 대하여 매우 낮은 부식 효과를 가지며, 특히 구리 또는 알루미늄에 적당하다.
일반식 (I) 의 시클릭 우레아 화합물은 통상의 방법에 따라 대응하는 우레아 화합물 또는 티오우레아 화합물과 글리옥살을 반응시키거나, 또는 통상의 방법에 따라 우레아 화합물 또는 티오우레아 화합물과 글리옥살의 반응 생성물 (R1=R2=H 인 일반식 (I))에 N-치환기를 도입하여 수득될 수 있다.
본 발명의 제거제 조성물을 수득하기 위하여, 상술한 화합물은 소정량으로 유리하게 혼합될 수 있다. 혼합 방법은 특별히 제한되는 것은 아니며 여러가지 공지 방법을 적용할 수 있다.
본 발명의 제거제 조성물은 건식 에칭 처리의 수행시 형성된 잔류물 및 포토레지스트의 제거능이 우수하며 반도체 소자를 구성하는 절연 필름, 금속 필름과 같은 물질상에서의 부식 성질을 억제할 수 있으므로, 결과적으로 LSI 소자, 액정 판넬등과 같은 반도체 소자를 세정하기 위한 공정에 적당하게 사용될 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 제거 방법에서, 포토레지스트는 반도체 소자의 제조 공정에서 본 발명의 제거제 조성물을 사용함으로서 제거된다.
본 발명의 반도체 소자의 잔류물을 제거하기 위한 방법에서, 반도체의 제조, 특히 건식 에칭 처리에서 형성된 잔류물은 반도체 소자의 제조 공정에서 본 발명의 제거제 조성물을 사용함으로서 제거된다.
본 발명에서 언급되는 잔류물은 회화 잔류물, 에칭 잔류물, 측벽 중합체 등을 의미한다.
특히, 본 발명의 제거제 조성물을 사용한 레지스트 및 에칭 잔류물의 제거에서, 예를들어, LSI 소자 및 액정 판넬 소자는 10 내지 100 ℃ 범위의 온도에서 함침 방법 또는 스프레이 세척 방법을 사용하여 본 발명의 제거제 조성물에 의해 세척되는 것이 유리할 수 있다.
본 발명의 제거제 조성물은 건식 에칭 처리의 수행시 형성된 잔류물 및 포토레지스트의 제거능이 우수하고,반도체 소자를 구성하는 절연 필름, 금속 필름과 같은 물질상에서의 부식 효과가 매우 낮으며, 결과적으로 LSI 소자, 액정 판넬 등과 같은 반도체 소자를 세정하는 공정에서 적당하게 사용될 수 있다.
실시예
하기 실시예는 본 발명을 더 상세히 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범주를 제한하려는 것은 아니다.
실시예 1 내지 4
제 1 층 (규소 질소화물 (Si3N4) 층), 제 2 층 (제 1 층상에 적층된 구리층), 및 제 3 층 (제 2 층상에 적층된 절연 필름 (산화 규소 (SiO2) 층) 이 적재된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 지지체상에, 마스크로서 레지스트 필름을 사용하여 건식 에칭에 따라 바이어 호울을 형성하고, 후속하여, 레지스트 필름은 산소 플라스마를 사용하여 회화로 제거한다. 산소 플라스마로 제거할 수 없는 잔류물은 절연 필름의 위쪽 측부, 바이어 호울의 측벽부 및 바이어 호울의 바닥부상에 존재한다.
표 2 에 명시된 바와 같은 처리 조건하에서 웨이퍼를 표 1 에 명시된 제거제 조성물에 함침시키고, 초순수 물로 헹군후 건조하고, 주사 전자 현미경 (SEM) 으로 관측한다. 잔류물의 제거 성질 및 구리층에 대한 부식 효과를 평가하고 결과를 표 2 에 명시한다. SEM 관측의 평가 기준은 하기와 같다.
(제거 성질)
◎ : 완전히 제거됨
△ : 일부 잔존하는 것이 인지됨
× : 대부분이 잔존함
(부식 억제 효과)
◎ : 부식이 전혀 인지되지 않음
△ : 일부 부식이 인지됨
× : 심한 부식이 인지됨
| 번호 | 식(I)의 화합물 | 물 | 수용성 유기용매 | 유기 아민 | 첨가제 | ||||||
| 종류 | 중량부 | 종류 | 중량부 | 종류 | 중량부 | 종류 | 중량부 | 종류 | 중량부 | ||
| 실시예 | 1 | A | 53.8 | 물 | 38.5 | 메탄올 | 7.7 | MEA | 30.8 | 카테콜 | 23.1 |
| 2 | B | 34.6 | 물 | 57.7 | 메탄올 | 7.7 | MEA | 30.8 | 카테콜 | 23.1 | |
| 3 | B | 29.0 | 물 | 34.8 | NMP | 36.2 | MEA | 29.0 | 카테롤 BTA | 14.5 1.4 | |
| 4 | C | 53.8 | 물 | 38.5 | 메탄올 | 7.7 | MEA | 30.8 | 카테콜 | 23.1 |
A: 4,5-디히드록시-1,3-디메틸-2-이미다졸리디논
B: 4,5-디히드록시-1,3-비스(히드록시메틸)-2-이미다졸리디논
C: 4,5-디히드록시-1,3-비스(메톡시메틸)-2-이미다졸리디논
MEA: 모노에탄올아민
NMP: N-메틸-2-피롤리돈
BTA: 1,2,3-벤조트리아졸
| 번호 | 처리 조건 | 제거 성질 | 부식억제 효과 | ||
| 온도 | 시간 (분) | ||||
| 실시예 | 1 | 70 | 20 | ◎ | ◎ |
| 2 | 70 | 20 | ◎ | ◎ | |
| 3 | 70 | 20 | ◎ | ◎ | |
| 4 | 70 | 20 | ◎ | ◎ |
본 발명의 제거제 조성물은 건식 에칭 처리의 수행시 형성된 잔류물 및 포토레지스트의 제거능이 우수하며,반도체 소자를 구성하는 절연 필름, 금속 필름과 같은 물질상에서의 부식 효과가 매우 낮다.
Claims (22)
- 하기 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 첨가하여 수득된 제거제 조성물:[식중, 각각의 R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 카르복시기 또는 치환될 수 있는 알킬기를 나타내며, Z 은 산소 원자 또는 황원자를 나타낸다.]
- 제 1 항에 따른 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 물, 수용성 유기 용매, 또는 물 및 수용성 유기 용매에 첨가하여 수득된 제거제 조성물.
- 제 2 항에 따른 제거제 조성물 100 중량부 및 유기 아민 0.1 내지 150 중량부를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 3 항에 있어서, 유기 아민이 알칸올아민 및 알킬암모늄 히드록시드로 이루어진 군에서 선택된 제거제 조성물.
- 제 2 항에 따른 제거제 조성물 100 중량부 및 첨가제 0.001 내지 100 중량부를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 3 항에 따른 제거제 조성물 100 중량부 및 첨가제 0.001 내지 100 중량부를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 첨가제가 방향족 히드록시 화합물 및 트리아졸 화합물로 이루어진 군에서 선택된 제거제 조성물.
- 제 6 항에 있어서, 첨가제가 방향족 히드록시 화합물 및 트리아졸 화합물로 이루어진 군에서 선택된 제거제 조성물.
- 제 1 항에 따른 제거제 조성물을 사용한 포토레지스트 제거 방법.
- 반도체 제조에서 형성된 잔류물을 제 1 항에 따른 제거제 조성물을 사용하여 제거하는 반도체 소자의 잔류물 제거 방법.
- 제 10 항에 있어서, 반도체 제조에서 형성된 잔류물이 건식 에칭 처리에 의해 형성된 잔류물인 반도체 소자의 잔류물 제거 방법.
- 하기 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 함유하는 제거제 조성물:[식중, 각각의 R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 카르복시기 또는 치환될 수 있는 알킬기를 나타내며, Z 은 산소 원자 또는 황원자를 나타낸다.]
- 물, 수용성 유기 용매, 또는 물 및 수용성 유기 용매중에 제 12 항에 따른 일반식 (I) 로 표시되는 시클릭 우레아 화합물 1 내지 90 중량 % 를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 13 항에 따른 제거제 조성물 100 중량부 및 유기 아민 0.1 내지 150 중량부를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 14 항에 있어서, 유기 아민이 알칸올아민 및 알킬암모늄 히드록시드로 이루어진 군에서 선택된 제거제 조성물.
- 제 13 항에 따른 제거제 조성물 100 중량부 및 첨가제 0.001 내지 100 중량부를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 14 항에 따른 제거제 조성물 100 중량부 및 첨가제 0.001 내지 100 중량부를 함유하는 제거제 조성물.
- 제 16 항에 있어서, 첨가제가 방향족 히드록시 화합물 및 트리아졸 화합물로 구성된 군에서 선택된 제거제 조성물.
- 제 17 항에 있어서, 첨가제가 방향족 히드록시 화합물 및 트리아졸 화합물로 구성된 군에서 선택된 제거제 조성물.
- 제 12 항에 따른 제거제 조성물을 사용한 포토레지스트 제거 방법.
- 반도체 제조에서 형성된 잔류물을 제 12 항에 따른 제거제 조성물을 사용하여 제거하는 반도체 소자의 잔류물 제거 방법.
- 제 21 항에 있어서, 반도체 제조에서 형성된 잔류물이 건식 에칭 처리에 의해 형성된 잔류물인 반도체 소자의 잔류물 제거 방법.
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