JP4393553B2 - ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、マイクロエレクトロニクス基板の洗浄方法及び洗浄用組成物に関し、特に基板の二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆、並びに、AlまたはAl(Cu)金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物に関する。本発明はまた、フォトレジストのストリッピング、および、有機、有機金属および無機化合物生成プラズマ工程由来の残渣の洗浄、および化学的機械的研磨(CMP)などの平坦化工程由来の残渣の洗浄等への、かかる洗浄組成物の使用に関する。
TMAOCl−溶液A=下記製剤Aで調製した次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム(ベンゾトリアゾール安定化剤不含)、そして
TMAOCl−溶液B=下記製剤Bで調製した次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム(ベンゾトリアゾール安定化剤約0.1%含有)
溶液81=利用可能塩素7.8%の次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム溶液(ベンゾトリアゾール安定化剤約0.1%含有)
TMAF=20%フッ化テトラメチルアンモニウム(水性)
TMACl=テトラメチルアンモニウムクロリド
スルホラン=テトラヒドロチオペン−1,1−ジオキシド
250ml容エルレンマイヤーフラスコに、25%TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)152.8gを加えた。塩素ガスをゆっくりしたバブリング率で約6分間導入して、黄色溶液(重量増加18.25g)を得た。この取得した黄色溶液に、25%TMAHを別に33.8g追加し、中間体溶液を得た。pH測定のために3.5gを除去した後、残りの溶液に25%TMAHを別に3.1g追加して、TMAOCl(次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム)混合物の黄色溶液を得た。この混合物を計量すると下記各成分:15.2%(wt)TMAOCl、13.2%TMACl、0.9%TMAH、および70.8%水、を含有していた。利用可能な塩素は約8.6%であると計算された。上記混合物160g、水160g、およびゾニールFSH界面活性剤0.155gを混合し、本発明の洗浄組成物を調製した。従って、この製剤は、下記:TMAOCl7.6%(wt)、TMACl6.6%、TMAH0.43%、水85.3%、およびゾニールFSH0.05%を含有すると計算された。利用可能な塩素は約4.3%であると計算された。この製剤をTMAOCl−溶液Aと名付けた。
250ml容エルレンマイヤーフラスコに、25%TMAH113.4gおよびベンゾトリアゾールg0.13gを入れた。塩素ガス(10.2g)をゆっくりしたバブリング率で11分間導入して、透明な黄色溶液を得た(TMAHの92.2%が反応したと計算された)。この取得したTMAOCl溶液は、下記利用可能な塩素分析値を与えた:8.1%(当初<合成2時間後);8.1%(室温放置1日経過後);8.1%(6日経過後);8.0%(14日経過後);7.5%(70日経過後)。本発明の洗浄組成物は、この反応生成物から、十分量の水、25%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)およびゾニールFSH界面活性剤を加えて、最終的に利用可能な塩素3.5%、TMAH0.5%、ゾニールFSH0.025%およびベンゾトリアゾール0.1%を有する製剤溶液として調製した。10%水溶液のpHは、25℃において約pH13であった。この製剤をTMAOCl−溶液Bと名付けた。この製剤Bにより、利用可能な塩素レベルを維持するベンゾトリアゾールの安定化効果が例証された。
TMAH=テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
EDTMP=エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)
EG=エチレングリコール
Claims (14)
- マイクロエレクトロニクス基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄するのに十分な時間、該基板を洗浄組成物と接触させることを含む、該基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法であって、当該洗浄組成物が:
(a)組成物の全重量に対して0.001ないし30重量%の、亜塩素酸アルキル、次亜塩素酸アルキル、亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム、次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム、窒素原子において置換されている亜塩素酸トリアルキルアンモニウムおよび窒素原子において置換されている次亜塩素酸トリアルキルアンモニウムから成る群から選択される酸化剤(但し、該酸化剤は、0.001ないし30%の利用可能なハロゲンを供給するものである)、および、
(b)成分(a)に対する溶媒、
さらに、所望により、下記成分の1種またはそれ以上:
(c)アンモニウムを生成しないアルカリ塩基、
(d)組成物の全重量に対して30重量%以下の酸、
(e)金属キレート化または錯体化剤、
(f)洗浄効果増強添加物、
(g)金属腐食阻害剤、
(h)アンモニウムを生成しないフッ化物、および、
(i)界面活性剤;
を含み、但し、酸化剤成分(a)が次亜塩素酸アルキルである場合、成分(b)溶媒は、アミド、スルホン、スルホレン、セレノンまたは飽和アルコール溶媒ではない、方法。 - 酸化剤成分(a)が、次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウムを含む、請求項1に記載の方法。
- 溶媒が水である、請求項2に記載の方法。
- さらに成分(i)界面活性剤を含む、請求項3に記載の方法。
- 次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウムが次亜塩素酸テトラメチルアンモニウムである、請求項4に記載の方法。
- 酸化剤が、次亜塩素酸t−ブチルおよび次亜塩素酸テトラメチルアンモニウムからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 成分(b)溶媒がスルホランを含み、酸化剤成分が次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウムである、請求項1に記載の方法。
- マイクロエレクトロニクス基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄するための組成物であって、
(a)組成物の全重量に対して0.001ないし30重量%の、亜塩素酸アルキル、次亜塩素酸アルキル、亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム、次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム、窒素原子において置換されている亜塩素酸トリアルキルアンモニウムおよび窒素原子において置換されている次亜塩素酸トリアルキルアンモニウムから成る群から選択される酸化剤(但し、該酸化剤は、0.001ないし30%の利用可能なハロゲンを供給するものである)、および、
(b)成分(a)に対する溶媒、
さらに、所望により、下記成分の1種またはそれ以上:
(c)アンモニウムを生成しないアルカリ塩基、
(d)組成物の全重量に対して30重量%以下の酸、
(e)金属キレート化または錯体化剤、
(f)洗浄効果増強添加物、
(g)金属腐食阻害剤、
(h)アンモニウムを生成しないフッ化物、および、
(i)界面活性剤;
を含み、但し、酸化剤成分(a)が次亜塩素酸アルキルである場合、成分(b)溶媒は、アミド、スルホン、スルホレン、セレノンまたは飽和アルコール溶媒ではない、組成物。 - 酸化剤成分(a)が、次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウムを含む、請求項8に記載の組成物。
- 溶媒が水である、請求項9に記載の組成物。
- さらに成分(i)界面活性剤を含む、請求項10に記載の組成物。
- 次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウムが次亜塩素酸テトラメチルアンモニウムである、請求項11に記載の組成物。
- 酸化剤が、次亜塩素酸t−ブチルおよび次亜塩素酸テトラメチルアンモニウムからなる群から選択される、請求項8に記載の組成物。
- 成分(b)溶媒がスルホランを含み、酸化剤成分が次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウムである、請求項8に記載の組成物。
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