RS50930B - Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače - Google Patents

Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače

Info

Publication number
RS50930B
RS50930B YUP-1062/04A YUP106204A RS50930B RS 50930 B RS50930 B RS 50930B YU P106204 A YUP106204 A YU P106204A RS 50930 B RS50930 B RS 50930B
Authority
RS
Serbia
Prior art keywords
weight
cleaning
cleaning composition
sulfolane
composition according
Prior art date
Application number
YUP-1062/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Chien-Pin Sherman Hsu
Original Assignee
Avantor Performance Materials Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Avantor Performance Materials Inc. filed Critical Avantor Performance Materials Inc.
Publication of RS106204A publication Critical patent/RS106204A/sr
Publication of RS50930B publication Critical patent/RS50930B/sr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • C23G1/061—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors nitrogen-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/24—Organic compounds containing halogen
    • C11D3/245—Organic compounds containing halogen containing fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33—Amino carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3454—Organic compounds containing sulfur containing sulfone groups, e.g. vinyl sulfones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3947—Liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/06—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/16—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions using inhibitors
    • C23G1/18—Organic inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
    • H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H10P70/23—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating materials
    • H10P70/234—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating materials the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H10P70/27—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H10P70/273—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation of conductive layers, e.g. by RIE
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/28—Organic compounds containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Kompozicija za čišćenje, koja je u stanju da čisti u jednom koraku sa mikro-elektronske podloge sa bakarnom metalizacijom i koja sadrži dielektrik niske k-vrednosti ili visoke k-vrednosti, ostatke fotolaka sa jakim unakrsnim vezama ili otvrdnutog fotolaka, ostatake posle nagrizanja/rezanja plazmom, jednokratno upotrebljene materijale za apsorbovanje svetlosti, obloge za suzbijanje odsjaja i strukture koje sadže titan ili tantal, naznačena time, što se pomenuta kompozicija za čišćenje suštinski sastoji od:oko 0.1 do oko 30 težinskih % vodonik peroksida kao oksidatora, oko 1 do oko 99 težinskih % sulfolana kao polarnog organskog rastvarača koji ima sposobnost vodničnog vezivanja i reaguje minimalno ili ne reaguje sa oksidatorom;od više od 0 do oko 30 težinskih % tetrametilamonijum hidroksida kao alkalne baze;0.1 do 5 težinskih % reagensa za helatizaciju ili kompleksiranje metala izabranog iz grupe koju čine trans-1,2-cikIoheksandiamin tetrasirćetna kiselina i etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina) iod oko 0.1 do oko 98 težinskih % vode.Prijava sadrži još 6 zavisnih patentnih zahteva.

Description

OBLAST U KOJU SPADA PRONALAZAK
Ovaj se pronalazak odnosi na postupke i na kompozicije za čišćenje mikroelektronskih podloga, a posebno na kompozicije za čišćenje pogodne za mikroelektronske podloge sa kojima su kompatibilne, a koji su karakteristični po silicijum dioksidu, osetljivim dielektricima niskeK-vrednosti ili visokeK-vrednosti i po bakarnoj metalizaciji, kao i po podlogama sa Al ili Al(Cu) metalizacijama. Pronalazak se takođe odnosi na primenu tih kompozicija za čišćenje za struganje fotografskog laka, za čišćenje ostataka organskih, organo-metalnih i neorganskih jedinjenja generisanih u plazmenim procesima, za čišćenje ostataka od procesa održavanja ravnih površina kao što je hemijsko mehaničko poliranje (CMP), a koriste se kao aditiv u ostacima mulja od održavanja ravnih površina.
STANJE TEHNIKE
Predlagana su mnoga sredstva za struganje fotografskog laka i sredstva za uklanjanje ostataka za primenu u oblasti mikroelektronike kao sredstva za čišćenje niz proizvodne linije ili na njihovom zadnjem kraju. U toku proizvodnog procesa na jednu se podlogu stavi tanak sloj fotografskog laka pa se snimi crtež kola na tanak sloj. Posle pečenja se nepolimerizovan fotografski lak (ili rezist) uklanja razvijačem za fotografski lak. Dobijena se slika potom prenosi na materijal podloge, koji je uglavnom neki dielektrik ili metal, pomoću reaktivnih plazmenih gasova za nagrizanje ili hemijskih rastvora za nagrizanje. Gasovi za nagrizanje ili hemijski rastvori za nagrizanje selektivno napadaju područja podloge koja nisu zaštićena fotografskim lakom.
Pored toga, po završetku faze nagrizanja, maska od fotografskog laka mora se ukloniti sa zaštićenog područja podloge tako da se može izvesti završna operacija. To se može izvršiti u jednom stepenu obrade primenom pogodnih plazmenih gasova za uklanjanje ili vlažnih hemijskih sredstava za struganje. Nalaženje pogodne kompozicije za čišćenje kojom će se ukloniti ovaj materijal maske od fotografskog laka a da to ne utiče negativno, npr. korodiranjem, rastvaranjem ili gubitkom sjaja, na metalno kolo, takođe se pokazalo problematičnim.
Kako su povećani nivoi integracije mikroelektronskih proizvoda a dimenzije standardnih mikroelektronskih naprava smanjene, sve je više uobičajeno da se koriste bakarne metalizacije dielektrika malek- vrednosti i velikeK-vrednosti. Ovi su materijali postali dodatni izazov da se nađu prihvatljive kompozicije sredstava za čišćenje. Mnoge standardne kompozicije koje su ranije razvijene za "tradicionalne" ili "konvencionalne" poluprovodničke uređaje koji sadrže Al/Si02ili Al (Cu)Si02strukture ne mogu se primeniti na bakrom metalizovane dielektrične strukture malek-vrednosti ili velikeK-vrednosti. Tako na primer, kompozicije za struganje ili za uklanjanje ostataka na bazi hidroksilamina uspešno su korišćene za čišćenje uređaja sa Al metalizacijom, ali su praktično nepogodne za one sa bakarnim metalizacijama. Slično tome, mnoga sredstva malek- vrednosti za struganje bakarne metalizacije nisu pogodna za uređaje Al metalizovane uređaje ukoliko se ne izvrše znatne izmene u kompozicijama.
Uklanjanje ovih ostataka nagrizanja i/ili pepela posle procesa nagrizanja ili sagorevanja plazmom pokazalo se problematičnim, posebno za podloge koje imaju dielektrične materijale malek- vrednosti i za one koje su metalizovane bakrom. Neuspeh da se potpuno uklone ili neutralizuju ti ostaci može dovesti do apsorbovanja vlage i do obrazovanja nepoželjnih materijala koji mogu izazvati koroziju na metalnim strukturama. Materijali kola korodiraju od nepoželjnih materijala i stvaraju prekide u provodnicima kola i nepoželjne poraste električnog otpora.
Do sada su u kompozicijama za čišćenje korišćeni oksidatori u prvenstveno vodenom obliku. Oksidatori, kao što su obično korišćeni vodonik peroksid i per-kiseline, poznati su po tome da lako reaguju ili da se Iako razlažu, naročito u matricama organskih rastvarača koji su obično korišćeni u kompozicijama za struganje. U takvim se slučajevima oksidator istroši i više ga nema za predviđenu primenu. Pored toga, kompozicije za čišćenje mikroelektronike koje sadrže oksidatore često su nedovoljno stabilne, naročito u prisustvu značajnih količina od 10 mas.% ili više organskih rastvarača, pri većim opsezima pH i visokim temperaturama procesa. Pored toga, u mnogim kompozicijama korišćenje stabilizatora i rastvarača često vezuje oksidator čime umanjuje njegove sposobnosti da izvrši efikasne oksidaciono/redukcione reakcije koje se koriste u procesu čišćenja.
KRATAK PREGLED PRONALASKA
Iz napred rečenog, postoji potreba za kompozicijama za čišćenje mikroelektronskih elemenata pogodnim za operacije završnog čišćenja, koje su kompozicije efikasna sredstva za čišćenje i primenljive su za struganje fotografskog laka i za uklanjanje ostataka organskih, organo-metalnih i neorganskih jedinjenja iz plazmenig procesa, za čišćenje ostataka iz procesa održavanja ravnih površina, kao što je CMP, i koje su corisne kao aditivi u mulju/tečnosti od održavanja ravnih površina i koje se mogu koristiti kod savremenih materijala za međusobno povezivanje koji koriste bakarne metalizacije, i porozne ili neporozne dielektrike niskeK-vrednosti (tj.,k-vrednosti 3 ili manje) ili visokeK-vrednosi (tj.,K-vrednosti 20 ili veče), kao i za čišćenje konvencionalnih naprava, kao što su one sa aluminijumskim ili aluminijum(bakar) metalizacijama koje sadrže silicijum dioksid i dielektrike niske ili visokeK-vrednosti. Ovaj se pronalazak odnosi na oksidator kojeg sadrže kompozicije za čišćenje koje su efikasna sredstva za čišćenje svih navedenih naprava.
Utvrđeno je da formulacije koje sadrže oksidatore i neke određene polarne organske rastvarače koji minimalno ili nikako ne reaguju sa oksidatorima mogu ostvariti ove tako široko prihvatljine kompozicije za čišćenje. Utvrđeno je da rastvarači sa dobrim svojstvima vodoničnog vezivanja obezbeđuju formulacije koje sadrže takav oksidator. Kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku obično sadrže od oko 0,1 do oko 30 mas.% oksidatora i oko 1 do oko 99,9 mas.% organskog polarnog rastvarača sa dobrim svojstvima vodoničnog vezivanja. Kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku mogu, po želji, da sadrže vodu i/ili kompatibilne kiseline ili alkalne baze, reagense za obrazovanje, helatnih jedinjenja, pomoćne rastvarače, agense za stabilisanje oksidatora, sredstva za suzbijanje korozije metala, površinski aktivna sredstva i fluoridna jedinjenja. Mada je neka alkalna baza jedan neobavezan sastojak kompozicija za čišćenje prema ovom pronalasku, poželjno je da bude jedna alkalna baza pošto je poželjno, mada nije bitno, da kompozicije imaju alkalno pH. Alkalna baza može biti u količini od 0 do oko 30 mas%, poželjno u količini od oko 0,1 do oko 10 mas%. Maseni procenti navedeni u ovoj specifikaciji dati su na bazi ukupne mase kompozicije za čišćenje.
DETALJAN OPIS PRONALASKA I PREPORUČLJIVIH IZVOĐENJA
Nova krajnja kompozicija za čišćenje prema ovom pronalasku sadržaće jedan ili više oksidatora i polarnih organskih rastvarača. Kompozije za čišćenje mogu biti izvedene u vidu veoma vodenih, poluvodenih formulacija ili formulacija na bazi organskih rastvarača. Kompozicije za čišćenje mogu se koristiti same samo sa drugim rastvaračima, ili se mogu kombinovati sa bazama i kiselinama. Kompozicije za čišćenje mogu se koristiti u širokom opsegu procesnih/radnih uslova pH i temperature, i mogu se koristiti za efikasno uklanjanje fotografskog laka, ostataka posle rtagrizanja/rezanja plazmom, jednokratno upotrebljivih materijala za apsorbovanje svetlosti i obloga za suzbijanje odsjaja (ARC). Pored toga, otkriveno je da se uzorci koji se veoma teško čiste, kao što su fotografski lakovi sa jakim unakrsnim vezama ili otvrdnuti fotografski lakovi i strukture koje sadrže titan (kao što je titan, titanoksid ili titannitrid) ili tantal (kao Što je tantal, tantaloksid i tantalnitrid), mogu lako čistiti sa kompozicijama za čišćenje prema ovom pronalasku.
Kompozicije prema pronalasku mogu sadržati bilo koji oksidator pogodan za upotrebu u kompozicijama za čišćenje mikroelektronskih naprava. Kao primeri takvih oksidatora mogu se pomenuti, na primer, peroksidi, naročito vodonik peroksid, molekulski proizvodi pripajanja peroksihidrata od vodonik peroksida i oksi-ktselina, cirkonil acetata i azo jedinjenja, npr., natrijum perkarbonata, natrijum perborata, kao i perjodati (KV), perborati, permanganati (MnO^), vodonik persulfati, persulfati i alkiloksihalidi, na primer t-BuOCl. Druga peroksidna jedinjenja iz supstitucionih reakcija H2O2i organskih molekula mogu se koristiti, ali su manje poželjna. Primeri obuhvataju alkilperokside, peroksidne kiseline, diacil perokside i keton perokside. Slični proizvodi supstitucije H2O2sa neorganskim molekulima, kao što je peroksisumporna kiselina, takođe se mogu koristiti. Oksidator se koristi u kompozicijama za čišćenje prema ovom pronalasku u količini od 0,1 od oko 30 mas.%, poželjno od oko 0,1 do oko 5 mas.%, a najbolje u količini od oko 1 do oko 5 mas.%. Preporučljivi je oksidator vodonik peroksid (H202) poželjno korišćen kao 3 do 30% vodeni rastvor.
Organski je rastvarač jedan polarni organski rastvarač sposoban za vodonično vezivanje, a koji minimalno ili nikako ne reaguje sa oksidatorom. Takvi organski rastvarači obuhvataju amide, sulfone, sulfolene, selenone i zasićene alkohole. Od preporučljivih rastvarača mogu de pomenuti sulfolan (tetra-hidrotiopen-1,1 -dioksid), 3-metilsulfolan, n-propil sulfon, n-butil sulfon, sulfolen (2,5-dihiđrotiopen-l,l-dioksid), 3-metilsulfolen, amidi kao što su l-(2-hidroksietil)-2-pirolidinon (HEP), dimetilpiperidon (DMPD), N-metil pirolidinon (NMP) i dimetilacetamid (DMAc), dimetilformamid (DMF) i zasićeni alkoholi kao što su etanol, propanol, butanol, heksanol, etilenglikol, propilenglikol, glicerol i heksafluoropropanol. Komponenta organskog rastvarača može obuhvatati jedan ili više rastvarača i obično se nalazi u kompoziciji u količini od oko 1 do oko 99,9 mas.%, poželjno u količini od oko 10 do oko 90 mas.%, a najbolje u količini od oko 30 do 80 mas.%. Ovi su rastvarači otporni na kisele i alkalne uslove i ne vezuju se suviše čvrsto za oksidator. Pored toga, u stanju su da stabilizuju oksidator, na primer vodonik peroksid, obrazujući stabilne komplekse međusobnim delovanjem kao što je vodonično vezivanje.
Voda može postojati u kompoziciji za čišćenje i kada je ima, može je biti u količini od oko 0,1 do oko 98 mas.%, poželjno u količini od oko 10 do oko 60 mas.%, najbolje u količini od oko 15 do oko 50 mas.%. Voda se može nalaziti kao vodeni deo drugih komponenata i/ili kao naknadno dodana voda.
Alkalna baza se nalazi kao neobavezna, ali obično preporučljiva komponenta kompozicija za čišćenje prema ovom pronalasku. Alkalna se baza može nalaziti u količini od 0 do oko 30 mas.%, poželjno u količini od oko 0,1 do oko 10 mas.%, najbolje u količini od oko 0,1 do oko 5 mas.%. U kompozicijama za čišćenje može se koristiti bilo koja pogodna alkalna baza. Baza je poželjno amonijum hidroksid ili neka baza izvedena od amonijaka ili ne od amonijaka. Kada kompozicija treba da se koristi za čišćenje struktura metalizovanih bakrom, baza je poželjno neamonijačna baza, a kada kompozicija treba da se koristi za čišćenje struktura koje sadrže aluminijum, alkalna je baza poželjno amonijum hidroksid, baza izvedena od amonijaka, ili baza koja nije izvedena od amonijaka u kombinaciji sa pomoćnim rastvaračem koji suzbija koroziju i/ili nekim sredstvom za suzbijanje korozije, Što će kasnije biti opisano. Kao primeri baza koje nisu izvedene od amonijaka mogu se pomenuti tetraalkilamonijum hidroksidi kao što su oni formule Rib<T>OH", kod kojih je svako R nezavisno jedna supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa, poželjno sa 1 do 22 atoma ugljenika, a najbolje sa 1 do 4 atoma ugljenika. Od baza koje nisu izvedene od amonijaka a koje se mogu koristiti u kompozicijama, mogu se pomenuti, na primer, tetrametilamonijum hidroksid, tetrabutilamonijum hidroksid, holin hidroksid, i slične. Neorganske baze, kao što je, na primer, kalijumhidroksid, natrijum-hidroksid i slično, takođe se mogu koristiti kao alkalne baze.
Kao što je napred rečeno, kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku mogu se takođe koristiti pod kiselim pH uslovima a može se koristiti svaka pogodna kisela komponenta u količini dovoljnoj da se kompoziciji obezbedi kiselo pH, kao, na primer, HC1 ili HF.
Kompozicija za čišćenje može isto tako da po želji obuhvata jedan ili više pomoćnih rastvarača za suzbijanje korozije. Poželjni pomoćni rastvarači za suzbijanje korozije koji se mogu koristiti u kompozicijama prema ovom pronalasku jesu oni koji imaju opštu formulu
gde su Rii R2svaki nezavisno birani od H, alkila, poželjno alkila sa 1 do 6 atoma ugljenika, arila, poželjno arila sa 3 so 14 atoma ugljenika, OR3 i SO2R4; nje jedan broj od 2 do 6, poželjno 2 ili 3; W i Y se biraju svaki nezavisno od OR3i SO2R4; a R3i R4su svaki nezavisno birani od H, alkila, poželjno alkila sa 1 do 6 atoma ugljenika, arila, poželjno arila sa 3 do 14 atoma ugljenika. Kao primeri ovih pomoćnih rastvarača za suzbijanje korozije, mogu se pomenuti, na primer, etilenglikol, propilen glikol i glicerol i slično. Ako zahtevana komponenta kompozicije za čišćenje koju čini polarni organski rastvarač nije neki zasićen alkohol u okviru napred pomenute formule, takav se zasićen alkohol može uneti kao pomoćni rastvarač. Pomoćni se rastvarači mogu nalaziti u kompoziciji u količini od 0 do oko 80 mas.%, poželjno od oko 1 do oko 50 mas.%, a najbolje od oko l do 30 mas.%.
Kompozicije prema ovom pronalasku mogu da sadrže i druge agense za suzbijanje korozije, poželjno jedinjenja arila koja sadrže dve ili više OH, ORsi/ili SO2R6R7grupa neposredno vezanih na aromatični prsten, gde su R«, R7i Rssvaki nezavisno alkil, poželjno alkil sa 1 do 6 atoma ugljenika, ili aril, poželjno aril sa 3 do 14 atoma ugljenika. Kao primeri takvih preporučljivih agensa za suzbijanje korozije mogu se navesti katehol, pirogalol, galna kiselina, rezorcinol i slično. Ovi drugi agensi za suzbijanje korozije mogu se nalaziti u količini od 0 do oko 15 mas.%, poželjno od oko 0,1 do oko 10 mas.%, najbolje od 0,5 do oko 5 mas.%.
Organski ili neorganski reagensi za helatizaciju ili za obrazovanje kompleksa metala ne zahtevaju se, ali pružaju značajne koristi, kao što je, na primer, poboljšana stabilnost proizvoda. Primeri pogodnih reagensa za helatizaciju ili za obrazovanje kompleksa obuhvataju, ali nisu na njih ograničeni, trans-1,2-cikloheksandiamin tetrasirćetnu kiselinu (CyDTA), etilendiamin tetrasirćetnu kiselinu (EDTA), stanate, pirofosfate, derivate derivate alkiliden-difosfonske kiseline (npr. etan-l-hidroksi-1,1-difosfonat), fosfonate koji sadrže etilendiaminske, dietilentriaminske ili trietilentetraminske funkcionalne grupe (npr. etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina) (EDTMP), dietilentriamin penta(metilen fosfonska kiselina), trietilentetramin heksa(metilen fosfonska kiselina). Reagens za helatizaciju biće sadržan u kompoziciji u količini od 0 do oko 5 mas.%, poželjno od oko 0,1 do oko 2 mas.%. Reagensi za helatizaciju ili za obrazovanje kompleksa od različitih fosfonata, kao što je etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina (EDTMP) pružaju veoma poboljšano stabilizovanje kompozicija za čišćenje prema pronalasku koje sadrže oksidatore u kiselinskim i alkalnim uslovima pa su zbog toga obično poželjni.
Drugi stabilizatori oksidatora takođe se mogu koristiti u kompozicijama za čišćenje prema pronalasku, ako se to želi. Ti se stabilizatori mogu koristiti u količini u opsegu od 0 do oko 10 mas.%, poželjno od oko 0,1 do 5 mas.%. Primeri takvih stabilizatora obuhvataju, ali nisu na njih ograničeni, acetanilide i silikate, poželjno silikate bez metalnih jona kao što su tetraalkilamonijum silikati (uključujući hidroksi alkilne i alkoksi alkilne grupe) gde alkilna grupa poželjno sadrži od 1 do 4 atoma ugljenika. Između takvih silikata su tetraetikortosilikat, tetrametilamonijum silikat, tetrakis (2-hidroksietil) ortosilikat i slično.
Eventualno: druga srestva za suzbijanje korozije metala, kao što je benzo-triazol, mogu se koristiti u količini od 0 do oko 5 mas.%, poželjno od oko 0,1 do 2 mas.%.
Kompozicije za čišćenje mogu, po želji, takođe da sadrže površinski aktivna sredstva, kao što su, na primer, dimetil heksinol (Surfynol-61), etoksilovan tetrametil decindiol (Surfynol-465), politetralfuoroetilen cetoksipropilbetain (ZonyI FSK), Zonyl FSH i slično. Površinski aktivna sredstva biće obično u količini od 0 do 5 mas.%, poželjno od 0,1 do oko 3 mas.%.
Kompozicije za čišćenje mogu eventualno da sadrže fluoridna jedinjenja u kompoziciji za čišćenje, kao što su, na primer, tetrametilamonijum fluorid, tetrabutilamonijum fluorid i amonijum fluorid. Drugi pogodni fluoridi obuhvataju, na primer, fluoroborate, tetrabutilamonijum fluoroborate, aluminijum heksafluoride, antimon fluoride i slično. Fluoridne komponente će se nalaziti u količini od 0 do 10 mas.%, poželjno od 0,1 do oko 3 mas.%.
Primeri kompozicije prema ovom pronalasku prikazani su u sledećim Tabelama 1 do 9.
U sledećim se tabelama koriste navedene skraćenice:
HEP= l-(2-hidroksietil>2-pirolidinon
TMAH = tetra-metilarnonijumhidrGksid
TMAF = tetrametilamonijum fluorid
ACA = acetanilid
CyDTA = trans-1,2-cikloheksan diamin tetrasirćetna kiselina
TEOS = tetraetilortosilikat
DMPD = dimetilpiperidon
SFL = sulfolan
TMAS = tetra-metilamonijumsilikat
EG = etilenglikol
CAT =katehol, pirokatehin
EHDP = etan-1 -hidroksi-1,1 -difosfonat
EDTMP = etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina)
1N-HCL = 1 normalna hlorovodonična kiselina NH4OH = amonijum hidroksid
CH = holin hidroksid
Voda = dodataa voda pored vode iz vodenog rastvora komponenata
Takođe se u sledećim tabelama kompozicije XM-188, XM-188A i XM-191 odnose na sledeće kompozicije u kojima sw navedene komponente nalaze u masenim delovima naznačenim u (zagradama).
XM-188 = SFL (300), Voda (75), 25% TMAH (25), CyDTA (2,3) XM-188A = SFL (300), Voda (75), 25% TMAH (25), EDTMP (1,8) XM-191 - SFL (300), Voda (75), 25% TMAH (25), EDTMP (1,8), EG
(30)
Brzina nagrizanja bakra i aluminijuma za kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku prikazane su podacima o brzini nagrizanja u sledećoj Tabeli 10. Brzina nagrizanja određena je korišćenjem sledeće procedure ispitivanja.
Korišćeni su komadi aluminijumske ili bakarne folije, veličine od oko 13 x 50 mm. Merena je debljina komada folija. Posle čišćenja komada folije sa 2-propanolom, destilisanom vodom i acetonom, komadi folije su sušeni u jednoj peći za sušenje. Očišćeni, sušeni komadi stavljeni su u labavo zatvorene boce napunjene predgrejanim kompozicijama za čišćenje prema pronalasku i stavljene u vakuumsku peć u trajanju od dva do četiri časa na naznačenoj temperaturi. Posle obrade i vađenja iz peći i iz boca, očišćene su folije isprane obilnim količinama destilisane vode i sušene oko 1 časa u peći za sušenje pa puštene da se ohlade do sobne temperature, pa je potom brzina nagrizanja određena na bazi gubitka mase ili promene mase.
Brzine nagrizanja međuslojnog dielektrika (ILD) za kompozicije JJ i NN (Tabela 6) prema ovom pronalasku za razne dielektrike procenjene su sledećom procedurom ispitivanja.
Debljina sloja komada podloge merena je pomoću jednog "Rudolph" Iinterferometra. Komadi podloge (sa ILD materijalom nanetim na silicijumsku podlogu) potopljeni su u određenu kompoziciju za čišćenje na naznačenoj temperaturi u trajanju od 30 min, posle čega su isprani dejonizovanom vodom i sušeni u struji azota. Debljina je merena posle obrade a brzine nagrizanja su preračunate na bazi promena debljine sloja koje su izazvane naznačenim obradama.
Brzine nagrizanja EDL su prikazane ovim redom: za kompoziciju JJ (Tabela 11), kompoziciju NN (Tabela 12), kompoziciju FF (Tabela 14) i kompoziciju GG (Tabela 15).
Sposobnost čišćenja kompozicija prema ovom pronalasku ilustrovana je sledećim ispitivanjima u kojima je jedna mikroelektronska struktura koja je sadržala podlogu sledeće strukture, i to fotografski lak/oksid sa dodatkom ugljenika/ silicijumnitrid/bakar sa probušenim silicijumnitridom da bi se izložio bakar, potopljena je u rastvore za čišćenje na ukazanoj temperaturi i vremenu, potom je isprana vodom, sušena pa je čišćenje utvrđeno SEM pregledom (elektronskim mikroskopom). Rezultati su prikazani u Tabeli 16.
Sposobnost čišćenja kompozicija prema ovom pronalasku takođe je ilustrovana sledećim ispitivanjima u kojima je jedna mikroelektronska struktura koja je sadržala alumijumsku podlogu sledeće strukture, i to TiN/Al/TiN/Ti/Si, potopljena u rastvore za čišćenje na ukazanoj temperaturi i vremenu, potom je isprana vodom, sušena pa je Čišćenje utvrđeno SEM pregledom (elektronskim mikroskopom). Rezultati su prikazani u Tabeli 17.
Brzine nagrizanja aluminijuma za kompozicije za čišćenje prema ovom pronalasku prikazane su podacima o brzini nagrizanja u sledećoj Tabeli 18. Svaka brzina nagrizanja određena je korišćenjem sledeće procedure ispitivanja.
Korišćeni su komadi aluminijumske folije, veličine od oko 13 x 50 mm. Merena je debljina komada folija. Posle čišćenja komada folije sa 2-propanolom, destilisanom vodom i acetonom, komadi folije su sušeni u jednoj peći za sušenje. Očišćeni, sušeni komadi stavljeni su u labavo zatvorene boce napunjene predgrejanim kompozicijama za čišćenje prema pronalasku i stavljene u vakuumsku peć u trajanju od dva do četiri časa na naznačenoj temperaturi. Posle obrade i vađenja iz peći i iz boca, očišćene su folije isprane obilnim količinama destilisane vode i sušene oko 1 časa u peći za sušenje pa puštene da se ohlade do sobne temperature, pa je potom brzina nagrizanja određena na bazi gubitka mase ili promene mase.
Mada je pronalazak opisan sa pozivom na neka njegova specifična izvođenja, podrazumeva se da se mogu vršiti izmene, modifikacije i varijacije bez odstupanja od duha i opsega ovde opisanog pronalazačkog koncepta. Prema tome, namera je da se obuhvate sve takve izmene, modifikacije i varijacije koje poklapaju sa duhom i opsegom priloženih patentnih zahteva.

Claims (7)

1. Kompozicija za čišćenje, koja je u stanju da čisti u jednom koraku sa mikroelektronske podloge sa bakarnom metalizacijom i koja sadrži dielektrik niskek-vrednosti ili visokeK-vrednosti, ostatke fotolaka sa jakim unakrsnim vezama ili otvrdnutog fotolaka, ostatake posle nagrizanja/rezanja plazmom, jednokratno upotrebljene materijale za apsorbovanje svetlosti, obloge za suzbijanje odsjaja i strukture koje sadže titan ili tantal, naznačena time, što se pomenuta kompozicija za čišćenje suštinski sastoji od: oko 0.1 do oko 30 težinskih % vodonik peroksida kao oksidatora, oko 1 do oko 99 težinskih % sulfolana kao polarnog organskog rastvarača koji ima sposobnost vodničnog vezivanja i reaguje minimalno ili ne reaguje sa oksidatorom; od više od 0 do oko 30 težinskih % tetrametilamonijum hidroksida kao alkalne baze; 0.1 do 5 težinskih % reagensa za helatizaciju ili kompleksiranje metala izabranog iz grupe koju čine trans-1,2-cikloheksandiamin tetrasirćetna kiselina i etilendiamin tetra(metilen fosfonska kiselina) i od oko 0.1 do oko 98 težinskih % vode;
2. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što je sulfolan polarni organski rastvarač prisutan u kompoziciji u količini od oko 10 do oko 90 težinskih %.
3. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 2, naznačena time, što se suštinski sastoji od sulfolana, tetrametilamonijum hidroksida, trans- 1,2-cikloheksadiamin tetrasirćetne kiseline, vodonik peroksida i vode.
4. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 2, naznačena time, što se sastoji u suštini od sulfolana, tetrametilamonijum hidroksida, etilendiamin tetra(metilen fosfonske kiseline), vodonik peroksida i vode.
5. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, što se pomenuta kompozicija za čišćenje sastoji samo od navedenih komponenti.
6. Kompozicija za čišćenje prema zahtevu 1, naznačena time, Što sadrži sulfolan, tetrametilamonijum hidroksid, trans-l,2-cikloheksandiamin tetrasirćetnu kiselinu, vodonik peroksid i vodu.
7. Postupak za čišćenje u jednom koraku mikroelektronske podloge sa bakarnom metalizacijom i koja sadrži dielektrik niskeK-vrednosti ili visokeK-vrednosti, ostatka fotolaka sa jakim unakrsnim vezama ili otvrdnutog fotolaka, ostataka posle nagrizanja/rezanja plazmom, jednokratno upotrebljene materijale za apsorbovanje svetlosti, obloge za suzbijanje odsjaja i strukture koje sadže titan ili tantal, naznačen time, što postupak obuhvata dovođenje u kontakt podloge sa kompozicijom za čišćenje u trajanju dovoljnom da očisti fotografski lak i ostatke iz podloge, pri čemu kompozicija za Čišćenje obuhvata bilo koju kompoziciju prema zahtevima 1 do 6.
YUP-1062/04A 2002-06-07 2003-05-27 Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače RS50930B (sr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38680002P 2002-06-07 2002-06-07
PCT/US2003/016828 WO2003104900A2 (en) 2002-06-07 2003-05-27 Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RS106204A RS106204A (sr) 2007-02-05
RS50930B true RS50930B (sr) 2010-08-31

Family

ID=29736216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
YUP-1062/04A RS50930B (sr) 2002-06-07 2003-05-27 Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače

Country Status (17)

Country Link
US (1) US7419945B2 (sr)
EP (2) EP2034365A3 (sr)
JP (1) JP4304154B2 (sr)
KR (1) KR100958069B1 (sr)
CN (2) CN102061228B (sr)
AU (1) AU2003238773A1 (sr)
BR (1) BR0311827A (sr)
CA (1) CA2488735A1 (sr)
IL (1) IL165580A (sr)
IN (1) IN2004CH02761A (sr)
MY (1) MY139208A (sr)
NO (1) NO20050076L (sr)
PL (1) PL208299B1 (sr)
RS (1) RS50930B (sr)
TW (1) TWI322827B (sr)
WO (1) WO2003104900A2 (sr)
ZA (1) ZA200409621B (sr)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
WO2004094581A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-04 Ekc Technology, Inc. Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
SG150508A1 (en) * 2004-02-11 2009-03-30 Mallinckrodt Baker Inc Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof
EP1847880A3 (en) 2004-02-11 2010-02-17 Mallinckrodt Baker, Inc. Composition for cleaning microelectronic substrates containing halogen oxygen acids and derivatives thereof
JP4633785B2 (ja) * 2004-03-01 2011-02-16 アバンター・パフォーマンス・マテリアルズ・インコーポレイテッド ナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物
JP4524744B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-18 日本電気株式会社 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
EP1875493A2 (en) * 2005-04-04 2008-01-09 MALLINCKRODT BAKER, Inc. Composition for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
JP2008541426A (ja) * 2005-05-06 2008-11-20 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド エッチングおよび灰化後のフォトレジスト残渣およびバルクのフォトレジストを除去するための組成物
CN1862392B (zh) * 2005-05-13 2011-08-03 安集微电子（上海）有限公司 一种去除光阻层的组合物及其使用方法
CN1862391B (zh) * 2005-05-13 2013-07-10 安集微电子（上海）有限公司 除光阻层的组合物及其使用方法
JP2008546214A (ja) * 2005-06-06 2008-12-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 集積された化学機械研磨組成物および単一プラテン処理のためのプロセス
SG10201504423QA (en) * 2005-06-07 2015-07-30 Entegris Inc Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
KR101221560B1 (ko) * 2005-09-02 2013-01-14 주식회사 동진쎄미켐 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물
KR101444468B1 (ko) 2005-10-05 2014-10-30 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제
EP1946358A4 (en) 2005-11-09 2009-03-04 Advanced Tech Materials COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS ON WHICH DIELECTRIC MATERIAL WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT
KR101319113B1 (ko) * 2006-04-13 2013-10-17 동우 화인켐 주식회사 금속용 세정제
KR20160085902A (ko) * 2006-12-21 2016-07-18 엔테그리스, 아이엔씨. 에칭 후 잔류물의 제거를 위한 액체 세정제
WO2008114616A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 洗浄用組成物、半導体素子の製造方法
JP4952375B2 (ja) * 2007-05-23 2012-06-13 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
US8110508B2 (en) * 2007-11-22 2012-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer
TW200938660A (en) * 2007-11-22 2009-09-16 Idemitsu Kosan Co Etching solution composition
JP5217951B2 (ja) 2007-12-04 2013-06-19 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
CN101359189B (zh) * 2008-09-17 2011-04-27 电子科技大学 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
US8366954B2 (en) 2009-01-13 2013-02-05 Avantor Performance Materials, Bv Solution for increasing wafer sheet resistance and/or photovoltaic cell power density level
WO2010098899A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
SG173833A1 (en) * 2009-02-25 2011-09-29 Avantor Performance Mat Inc Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
EP2446464A4 (en) * 2009-06-25 2012-08-15 Lam Res Ag METHOD FOR TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER
WO2010150135A2 (en) * 2009-06-25 2010-12-29 Lam Research Ag Method for treating a semiconductor wafer
ES2711924T3 (es) * 2010-01-25 2019-05-08 Westinghouse Electric Co Llc Procedimiento y composición para eliminar depósitos de cal formados en una superficie metálica dentro de un sistema generador de vapor
CA3075329C (en) 2010-01-26 2022-11-01 Dominion Engineering, Inc. Method and composition for removing deposits
CN101908503A (zh) * 2010-07-21 2010-12-08 河北工业大学 超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法
US8921295B2 (en) 2010-07-23 2014-12-30 American Sterilizer Company Biodegradable concentrated neutral detergent composition
CN101968610A (zh) * 2010-08-12 2011-02-09 武汉华灿光电有限公司 一种全湿刻蚀后去胶的方法
EP2768920A4 (en) * 2011-10-21 2015-06-03 Advanced Tech Materials AMIN FREE POST-KMP COMPOSITION AND METHOD OF USE THEREOF
JP6066552B2 (ja) 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
CN104508072A (zh) 2012-02-15 2015-04-08 安格斯公司 用于cmp后去除的组合物及使用方法
EP2927937B1 (en) * 2012-12-03 2018-01-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Cleaning liquid for semiconductor elements and cleaning method using same
CN105378901B (zh) * 2013-07-05 2020-09-15 富士胶片电子材料有限公司 蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液
JP2015108041A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 ダイキン工業株式会社 洗浄用組成物
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
CN103955123A (zh) * 2014-04-11 2014-07-30 武汉高芯科技有限公司 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
US9567493B2 (en) * 2014-04-25 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMP slurry solution for hardened fluid material
US9908821B2 (en) 2015-09-29 2018-03-06 Winfield Solutions, Llc Micronutrient compositions and systems and methods of using same
US9938201B1 (en) 2016-02-25 2018-04-10 Winfield Solutions, Llc Micronutrient compositions containing zinc and systems and methods of using same
KR102152665B1 (ko) 2016-03-31 2020-09-07 후지필름 가부시키가이샤 반도체 제조용 처리액, 및 패턴 형성 방법
TWI742246B (zh) * 2017-02-20 2021-10-11 日商富士軟片股份有限公司 藥液、藥液收容體及圖案形成方法
AT519943A1 (de) * 2017-04-29 2018-11-15 Thonhauser Gmbh Zusammensetzung
CN107338126A (zh) * 2017-06-23 2017-11-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 一种水基微电子剥离和清洗液组合物
CN107357143B (zh) 2017-07-25 2018-06-19 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗剂、其制备方法和应用
WO2020146748A1 (en) 2019-01-11 2020-07-16 Versum Materials Us, Llc Hafnium oxide corrosion inhibitor
JP7271993B2 (ja) * 2019-02-19 2023-05-12 三菱ケミカル株式会社 セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
TWI824299B (zh) * 2020-09-22 2023-12-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 蝕刻劑組合物
CN112430508B (zh) * 2020-12-09 2021-10-19 淄博鑫欧瑞环保科技有限公司 一种消毒粉雾化装置清洁剂、应用及其清洁方法
US20230033363A1 (en) * 2021-07-23 2023-02-02 Ascend Performance Materials Operations Llc Aqueous solutions containing amino carboxylic acid chelators
JP2024060243A (ja) * 2022-10-19 2024-05-02 Jsr株式会社 半導体処理用組成物及び処理方法
TW202538048A (zh) * 2024-03-20 2025-10-01 達興材料股份有限公司 半導體裝置的清洗方法、半導體裝置的清洗設備與半導體清洗用組成物

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3673099A (en) * 1970-10-19 1972-06-27 Bell Telephone Labor Inc Process and composition for stripping cured resins from substrates
BE789090A (fr) * 1971-09-22 1973-01-15 Western Electric Co Procede et solution d'attaque de semi-conducteurs
US4096243A (en) * 1976-02-09 1978-06-20 Clairol Incorporated Composition for lightening hair containing an oxidizing agent and certain quaternary amines
FR2372904A1 (fr) * 1976-11-19 1978-06-30 Ibm Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application
JPS60203944A (ja) * 1984-03-28 1985-10-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ポジ型フオトレジストの除去法
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
US5037724A (en) * 1988-02-25 1991-08-06 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin
US5002687A (en) * 1989-04-13 1991-03-26 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Fabric washing compositions
DE69027774T2 (de) * 1990-10-22 1997-02-20 Procter & Gamble Stabile, flüssige Reinigungsmittel enthaltend ein Bleichmittel
TW263531B (sr) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
JP3183310B2 (ja) * 1992-09-25 2001-07-09 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板の洗浄液
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5885362A (en) * 1995-07-27 1999-03-23 Mitsubishi Chemical Corporation Method for treating surface of substrate
US5911836A (en) * 1996-02-05 1999-06-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device
US6096138A (en) * 1997-04-30 2000-08-01 Bausch & Lomb Incorporated Method for inhibiting the deposition of protein on contact lens
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5993685A (en) * 1997-04-02 1999-11-30 Advanced Technology Materials Planarization composition for removing metal films
JPH11121418A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Kao Corp 洗浄剤組成物及び洗浄方法
AU4189599A (en) * 1998-05-18 1999-12-06 Mallinckrodt, Inc. Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP2000056478A (ja) * 1998-08-04 2000-02-25 Showa Denko Kk サイドウォール除去液
JP2000202617A (ja) * 1999-01-06 2000-07-25 Nippon Steel Corp 溶融金属容器の調心・傾転装置
EP1039518A1 (en) * 1999-03-24 2000-09-27 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
TW554258B (en) * 2000-11-30 2003-09-21 Tosoh Corp Resist stripper
JP2003005383A (ja) * 2000-11-30 2003-01-08 Tosoh Corp レジスト剥離剤
JP4267359B2 (ja) * 2002-04-26 2009-05-27 花王株式会社 レジスト用剥離剤組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP1520211A2 (en) 2005-04-06
CN1659481A (zh) 2005-08-24
ZA200409621B (en) 2006-07-26
US20050239673A1 (en) 2005-10-27
WO2003104900A3 (en) 2004-02-19
CN102061228A (zh) 2011-05-18
TWI322827B (en) 2010-04-01
AU2003238773A1 (en) 2003-12-22
JP2005529487A (ja) 2005-09-29
IL165580A (en) 2009-05-04
IN2004CH02761A (sr) 2006-02-10
PL208299B1 (pl) 2011-04-29
PL373809A1 (en) 2005-09-19
RS106204A (sr) 2007-02-05
MY139208A (en) 2009-08-28
TW200407419A (en) 2004-05-16
CN102061228B (zh) 2013-02-13
CA2488735A1 (en) 2003-12-18
KR20050019103A (ko) 2005-02-28
JP4304154B2 (ja) 2009-07-29
WO2003104900A2 (en) 2003-12-18
NO20050076L (no) 2005-01-06
EP2034365A3 (en) 2009-11-11
EP2034365A2 (en) 2009-03-11
BR0311827A (pt) 2005-03-29
KR100958069B1 (ko) 2010-05-17
IL165580A0 (en) 2006-01-15
US7419945B2 (en) 2008-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RS50930B (sr) Kompozicije za mikroelektronsko čišćenje koje sadrže oksidatore i organske rastvarače
RS106104A (sr) Mikroelektronske kompozicije za čišćenje i uklanjanje arc (protivrefleksne obloge)
JP4393553B2 (ja) ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
JP4177758B2 (ja) 基板適合性が改善されたアンモニア不含アルカリ性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
JP4272676B2 (ja) フルクトース含有非水性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
KR20170028525A (ko) 세정액 조성물