KR20050019103A - 산화제 및 유기 용매를 포함하는 마이크로일렉트로닉 세정조성물 - Google Patents

산화제 및 유기 용매를 포함하는 마이크로일렉트로닉 세정조성물

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KR20050019103A
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말린크로트 베이커, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 구리 또는 알루미늄 배선과 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체를 포함하는 마이크로일렉트로닉 구조의 세정에 적합한 세정 조성물에 관한 것으로, 산화제 및 아미드, 술폰, 술폴렌, 셀레논 및 포화 알코올로 구성된 그룹에서 선택된 극성 유기 용매, 그리고 임의의 다른 성분을 포함한다.

Description

산화제 및 유기 용매를 포함하는 마이크로일렉트로닉 세정 조성물{MICROELECTRONIC CLEANING COMPOSITIONS CONTAINING OXIDIZERS AND ORGANIC SOLVENTS}
본 발명은 마이크로일렉트로닉 기판의 세정을 위한 세정 조성물 및 세정 방법에 관한 것으로, 특히 이산화규소, 고감도의 저 유전율(low-k) 또는 고유전율 (high-k) 유전체, 및 구리 배선으로 특정되는 마이크로일렉트로닉 기판 및 Al 또는 Al(Cu) 배선 기판에 보다 적합하게 사용될 수 있는 세정 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 포토레지스트의 제거, 플라즈마 공정시 발생되는 유기물, 유기금속물질, 무기물로부터 발생되는 잔류물의 세정, 및 화학적 기계적 연마(CMP)와 같은 평탄화공정의 부산물의 세정을 위한, 그리고 평탄화 슬러리 잔류물의 첨가제로 사용되는, 세정 조성물의 용도에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉 분야에서 많은 포토레지스트 박리제 및 잔류물 제거제가 제조 공정라인 세정기의 하부 또는 후단에 사용되어 왔다. 제조공정에서 포토레지스트 박막이 웨이퍼 기판위에 증착되고 상기 박막상에 회로 배선이 투영된다. 배이킹 후에, 중합되지 않은 레지스트는 포토레지스트 현상액으로 제거된다. 생성된 이미지는 반응성 플라즈마 에칭 가스 또는 화학 에칭액에 의하여 레지스트 하부 물질, 일반적으로는 유전체나 금속 물질 상에 전사된다. 상기 에칭 가스나 화학 에칭액은 기판 위의 포토레지스트로 보호되지 않는 영역을 선택적으로 공격한다.
또한, 에칭 단계의 종료 후에는 레지스트 마스크가 웨이퍼의 보호 영역으로부터 제거되어야만 최종 마무리 공정을 수행할 수 있다. 이것은 플라즈마 회분화 (ashing) 단계에서 적절한 플라즈마 회분화 가스 또는 습윤성 화학 박리제를 사용하여 수행된다. 금속 회로의 부식, 분해 또는 흐림(dulling) 등의 나쁜 영향 없이 이와 같은 레지스트 마스크 물질을 제거할 수 있는 적절한 세정제 조성물을 개발하는 것은 문제로 대두되어 왔다.
마이크로일렉트로닉 제조 집적도가 증가하고 패턴화된 마이크로일렉트로닉 장치의 크기가 작아지는 것에 따라, 종래 기술에서 구리 배선, 저유전율 및 고유전율 유전체를 채용하는 것이 점차적으로 일반화되었다. 이러한 재료들로 인해 적합한 세정제 조성물의 개발이 필요하게 되었다. Al/SiO2 또는 Al(Cu)/SiO2 구조를 포함하는, 종래의 일반적인, 반도체 디바이스용으로 이미 개발되어 왔던 조성물들은 구리 배선된 저유전율 또는 고유전율 유전체 구조물에 사용될 수 없다. 예를 들어, 하이드록실아민계 박리제 또는 잔류물 제거제 조성물은 Al 배선 구조를 갖는 디바이스의 세정에는 성공적으로 사용되지만 구리 배선 구조물에는 실제 적합하지 못하다. 마찬가지로, 많은 구리 배선된/저유전율 박리제는 조성물이 상당히 조정되지 않는한 Al 배선된 디바이스용으로 적합하지 않다.
플라즈마 에칭 및/또는 회분화 공정 후에, 특히 구리 배선되고 저유전율 유전체를 갖는 기판을 위한, 이와 같은 에칭 및/또는 회분화 잔류물의 제거가 문제되어 왔다. 이러한 잔류물을 완전히 제거하거나 중화시키지 못하게 되면 수분의 흡입 및 바람직하지 못한 물질의 형성으로 금속 구조물에 부식을 야기하는 되는 결과를 가져온다. 회로 물질들이 상기 바람직하지 못한 물질에 의해 부식되고 회로 배선의 단락이 발생하며 전기저항의 불필요한 증가를 야기한다.
현재까지 세정 조성물에 사용된 산화제는, 일반적으로 사용되는 과산화수소 및 과산과 같이, 수성 형태의 산화제로, 박리 조성물에 일반적으로 사용되는 유기 용매에서 쉽게 반응하거나 쉽게 분해하는 것으로 알려져 있다.
따라서, 산화제가 소모되어 버리고 의도하는 목적에 사용할 수 없게 되어버린다. 또한, 산화제를 포함하는 마이크로일렉트로닉 세정 조성물은 10% 이상의 유기 용매를 포함하거나 높은 pH 범위나 높은 공정 온도에서는 낮은 제품 안정성을 나타낸다. 게다가, 안정화제와 용매를 사용하는 많은 조성물에서는 산화제가 묶이게 되어 세정 공정에 사용되는 효과적인 산화/환원 반응을 수행하는 능력이 감소되게 된다.
따라서, 효과적인 세정제이자 포토레지스트의 제거, 플라즈마 공정시 발생되는 유기물, 유기금속물질, 무기물로부터 발생되는 잔류물의 세정, 및 화학적 기계적 연마(CMP)와 같은 평탄화공정의 부산물의 세정에 사용가능하고, 평탄화 슬러리/액의 첨가제로 유용하고, 종래의, 이산화규소를 포함하는 알루미늄 또는 알루미늄(구리) 배선, 저유전율 또는 고 유전율 유전체의 세정에 유용할 뿐만 아니라 구리 배선, 다공성 및 비 다공성의 저유전율(3 이하의 κ값) 또는 고 유전율(즉, 20 이상의 κ값) 유전체를 사용하는 진보된 내부 연결 재료에도 사용할 수 있는 세정제 조성물이 필요하게 되었다. 본 발명은 그러한 모든 장치의 세정에 효과적인, 산화제를 포함하는, 세정조성물에 관한 것이다.
본 발명은 산화제 및 산화제와 최소한으로 반응하거나 반응하지 않으며, 특히 산화제를 안정화시키는 극성 유기 용매를 포함하여 범용으로 사용가능한 세정조성물을 제공한다. 본 발명의 목적은 수소 결합능이 우수한 용매를 산화제를 포함하는 조성물에 제공하는 것에 의해 해결된다. 본 발명의 세정 조성물은 일반적으로 약 0.1 내지 내지 약 30 중량%의 산화제 및 수소 결합능이 우수한 약 1 내지 약 99.9 중량%의 유기 극성 용매를 포함한다. 본 발명의 세정 조성물은 또한 임의로 물 및/또는 적합한 산 또는 알칼리성 염기, 킬레이트제, 보조용매, 산화제 안정화제, 금속 부식방지제, 계면활성제, 및 불소 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 세정 조성물에서, 알칼리성 염기가 임의 성분이긴 하지만, 포함되는 것이 바람직한데, 그 이유는, 세정 조성물이 알칼리성 pH를 갖는 것이, 필수적이진 않으나, 바람직하기 때문이다. 알칼리성 염기는 0 내지 약 30 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 10 중량%로 포함될 수 있다. 본 명세서에서 중량%는 세정 조성물의 전체 중량을 기준으로 한 것이다.
본 발명의 신규의 세정 조성물은 하나 이상의 산화제 및 극성 유기 용매를 포함한다. 세정 조성물은 수성, 반-수성 또는 유기 용매 베이스의 조성물로 제조될 수 있다. 세정 조성물은, 다른 용매와 함께, 단독으로 사용될 수도 있고 염기 및 산과 결합되어 사용될 수도 있다. 본 발명의 세정 조성물은 넓은 범위의 공정/조작 조건의 pH 및 온도에서 사용될 수 있으며, 포토레지스트, 플라즈마 에칭/회분화 후 잔류물, 손실성 광 흡수재 및 반사 방지 코팅(ARC)을 효과적으로 제거하는데 사용될 수 있다. 또한, 제거가 매우 어려운 시료, 예를 들어 많이 가교되거나 경화된 포토레지스트 및 티타늄(예를 들어 티타늄, 산화티타늄 및 질화티타늄) 또는 탄탈륨(예를 들어 탄탈륨, 산화탄탈륨 및 질화탄탈륨)도 본 발명의 세정 조성물에 의해 쉽게 제거될 수 있다.
본 발명의 조성물은 마이크로일렉트로닉 세정 조성물에 사용하기에 적합한 어떠한 산화제도 포함할 수 있다. 산화제의 예로는, 과산화물, 특히 과산화수소, 과산화수소로부너 퍼옥시하이드래이트의 분자 부가물 및 옥시산, 지르코닐 아세테이트 및 아조 화합물, 예를 들어, 소듐 퍼카보네이트, 소듐 퍼보래이트, 그리고 퍼이오데이트(I04 -), 퍼보래이트, 과망간산염 (MnO4 -), 과황산, 과황산염 및 알콕시할라이드, 예를 들어 t-BuOCl이 있다. H202 와 유기 분자의 치환반응으로부터 생성가능한 다른 과산화 화합물도 사용될 수 있으나, 덜 바람직하다. 예로는 알킬퍼옥사이드, 퍼옥시산, 디아실 퍼옥사이드 및 케톤 퍼옥사이드가 있다. H202와 무기 분자의 유사한 치환반응으로부터의 생성물인, 퍼옥시황산, 또한 사용가능하다. 산화제는 본 발명의 세정 조성물에서 약 0.1 내지 약 30 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 5 중량%, 가장 바람직하게는 약 1 내지 약 5 중량%의 양으로 사용된다. 바람직한 산화제는 과산화수소이며(H202), 바람직하게는 3 내지 30% 수용액으로 사용된다.
본 발명의 유기 용매는 수소 결합능을 갖는 극성 유기 용매로서 산화제와 최소한으로 반응하거나 반응하지 않는다. 그러한 유기 용매로는 아미드류, 술폰류, 술폴렌류, 셀레논류, 및 포화 알코올류가 있다. 이 가운데 바람직한 용매는 술폴란(테트라히드로티오펜-1,1-디옥사이드), 3-메틸술폴란, n-프로필 술폰, n-부틸 술폰, 술폴렌(2,5-디히드로티오펜-1,1-디옥사이드), 3-메틸술폴렌, 1-(2-하이드록시에틸) 피롤리디논(HEP), 디메틸피페리돈(DMPD), N-메틸 피롤리디논 (NMP), 및 디메틸아세트아미드 (DMAc), 디메틸포름아미드 (DMF)와 같은 아미드류, 및 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤 및 헥사플루오로이소프로판올과 같은 포화 알코올류이다. 유기 용매 성분은 하나 또는 그 이상의 용매를 포함할 수 있고 일반적으로 조성물 중에 약 1 내지 약 99.9 중량%, 바람직하게는 약 10 내지 약 90 중량%, 및 가장 바람직하게는 약 30 내지 80 중량%의 양으로 포함된다. 이들 용매는 산 및 알칼리성 조건에 내성이 있고 산화제와 강하게 결합하지 않는다.
또, 이들 용매는 과산화수소와 같은 산화제를 수소결합과 같은 상호작용을 통해 안정한 복합물을 형성하여 안정화시킨다.
세정 조성물은 물을 포함할 수 있으며, 물이 포함되는 경우 그 양은 약 0.1 내지 약 98 중량%, 바람직하게는 약 10 내지 약 60 중량%, 가장 바람직하게는 약 15 내지 약 50 중량%이다. 물은 다른 성분들의 수용액 부분으로 존재할 수도 있고, 별도로 첨가될 수 도 있다.
알칼리성 염기는 임의 성분으로 포함될 수 있으나, 일반적으로는 본 발명의 세정 조성물에 포함되는 것이 바람직하다. 알칼리성 염기는 0 내지 약 30 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 10 중량%, 가장 바람직하게는 약 0.1 내지 약 5 중량% 포함된다. 세정 조성물에 사용하기에 적합한 어떤 염기라도 사용할 수 있다. 염기는, 바람직하게는 수산화암모늄 또는, 암모니아로부터 유도된 염기 또는 암모니아로부터 유도되지 않은 염기이다. 조성물이 구리 배선된 구조물의 세정에 사용되는 경우 염기는 바람직하게는 암모니아로부터 유도되지 않은 염기가 사용되고 조성물이 알루미늄을 포함하는 구조물의 세정에 사용되는 경우 염기는 바람직하게는 수산화암모늄 또는 암모니아로부터 유도된 염기 또는 암모니아로부터 유도되지 않은 염기를 부식방지 보조용매 및/또는 부식방지제와 함께 사용된다. 암모니아로부터 유도되지 않은 염기의 예로는 식 R4N+OH-의 테트라알킬암모늄 하이드록사이드가 있다. 상기 식에서 R은 각각 치환 또는 비치환된 알킬 그룹으로, 바람직하게는 1 내지 22 탄소원자를 포함하고 더욱 바람직하게는 1 내지 4 탄소원자를 포함한다. 조성물에 유용한 암모니아로부터 유도되지 않은 염기 가운데는 예를 들어, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드, 수산화콜린 등이 있다. 무기 염기, 예를 들어 수산화칼륨, 수산화나트륨 등 또한 알칼리성 염기로 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 세정 조성물은 또한 산성 pH 조건에서도 사용될 수 있으며 본 발명의 조성물에 산성 pH를 제공하기에 충분한 양의 적당한 산성 성분, 예를 들어 HCl 또는 HF를 사용할 수 있다.
본 발명의 세정 조성물은 또한 임의로 하나 이상의 부식방지 보조용매를 포함할 수 있다. 본 발명의 조성물에 사용하기에 바람직한 부식방지 보조용매는 하기 일반식을 갖는 화합물이다:
W-[CR1R2]n-Y
상기 식에서 R1 및 R2 는 각각 H 또는 알킬, 바람직하게는 1 내지 6 탄소원자의 알킬, 아릴, 바람직하게는 3 내지 14 탄소원자, OR3 및 SO2R4; n 은 2 내지 6의 정수, 바람직하게는 2 또는 3; W 및 Y는 각각 OR3 또는 SO2R4; 이고 R 3 및 R4는 각각 H, 알킬, 바람직하게는 1 내지 6 탄소원자의 알킬, 아릴, 바람직하게는 3 내지 14 탄소원자의 아릴이다. 이러한 부식방지 보조용매로는, 예를 들어, 에틸렌 글리콜, 프로필렌글리콜 및 글리세롤 등이 있다. 세정 조성물의 필요한 극성 유기 용매 성분이 상기 식 범위 내의 포화 알코올이 아닐 경우, 포화 알코올이 보조 용매로 사용될수도 있다. 보조용매는 조성물에 0 내지 약 80 중량%, 바람직하게는 약 1 내지 약 50 중량%, 가장 바람직하게는 약 1 내지 30 중량%로 포함된다.
본 발명의 조성물은 또한 다른 부식 방지제, 바람직하게는 방향족 고리에 직접 결합된 둘 이상의 OH, OR6, 및/또는 S02R7R8 그룹을 포함하는 아릴 화합물, 을 포함할 수 있다. 상기식에서, R6, R7 및 R8은 각각 알킬, 바람직하게는 1 내지 6 탄소원자의 알킬, 또는 아릴, 바람직하게는 6 내지 14 탄소원자의 아릴이다. 바람직한 부식방지제의 예로는 카테콜, 피로갈롤, 갈산, 레조키놀 등이 있다. 그러한 다른 부식방지제는 0 내지 약 15 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 1 0 중량%, 가장 바람직하게는 약 0.5 내지 약 5 중량%로 포함된다.
유기 또는 무기 킬레이트제 또는 금속 착제는 필요하지는 않으나, 사용하는 경우 장점, 예를 들어 제품의 안정성을 향상 등을 제공한다. 적합한 킬레이트제 또는 착제의 예로는 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산(CyDTA), 에틸렌디아민 테트라아세트산(EDTA), 스탄네이트, 피로포스패이트, 알킬리덴-디포스폰산 유도체(예, 에탄-l-하이드록시-1,1-디포스포네이트), 포스포네이트 함유 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민 또는 트리에틸렌테트라민 작용기의 화합물[예, 에틸렌디아민 트테라(메틸렌 포스폰산) (EDTMP), 디에틸렌트리아민 펜다(메틸렌 포스폰산), 트리에틸렌테트라민 헥사(메틸렌 포스폰산) 등이 있다. 킬레이트제는 조성물 중에 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 2 중량%로 포함될 수 있다. 여러가지 포스포네이트의 금속 킬레이트제 또는 착제, 예를 들어 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산)(EDTMP)은 산성 및 알칼리성 조건에서 산화제를 포함하는 본 발명의 세정 조성물에서 세정 조성물의 안정성을 향상시키므로 일반적으로 바람직하다.
필요하다면, 산화제를 위한 다른 안정화제가 또한 본 발명의 세정 조성물에 사용될 수 있다. 이러한 안정화제는 0 내지 약 10 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 5 중량%의 양으로 사용된다. 그러한 안정화제의 예로는 아세트아닐리드와 실리케이트, 바람직하게는 금속이온이 없는 실리케이트, 예를 들어 테트라알킬암모늄 실리케이트(하이드록시- 및 알콕시알킬 그룹 포함)가 있고, 여기서 알킬 그룹은 바람직하게는 1 내지 4 탄소원자를 포함한다. 그러한 실리케이트로는 테트라에틸오르쏘실리케이트, 테트라메틸암모늄 실리케이트, 테트라키스(2-하이드록시에틸)오르쏘실리케이트 등이 있다.
임의로: 다른 금속 부식방지제, 예를 들어 벤조트리아졸이 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 2 중량%로 사용될 수 있다.
본 발명의 세정 조성물은 또한 임의로 계면활성제, 예를 들어 디메틸 헥시놀(Surfynol-61), 에톡시화 데트라메틸 데신디올 (Surfynol-465), 폴리테트라플루오로에틸렌 세톡시프로필베타인(Zonyl FSK), Zonyl FSH 등을 포함할 수 있다. 계면활성제는 일반적으로 0 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 약 3 중량% 포함된다.
본 발명의 세정 조성물은 또한 임의로 불소 화합물 예를 들어, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 테트라부틸암모늄 플루오라이드, 암모늄 플루오라이드 등을 포함할 수 있다. 다른 적합한 불소 화합물, 예를 들어 플루오로보래이트, 테트라부틸암모늄 플루오로보래이트, 알루미늄 헥사플루오라이드, 안티모니 플루오라이드 등을 포함할수도 있다. 불소 화합물은 0 내지 10 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 5 중량%로 포함된다.
본 발명의 세정 조성물의 예는 하기 표 1 내지 9에 게시되어 있다.
하기 표에 사용된 약어는 다음과 같다.
HEP= 1-(하이드록시에틸)-2-피롤디리디논
TMAH= 테트라메틸암모늄 하이드록사이드
TMAF= 테트라메틸암모늄 플루오라이드
ACA= 아세트아닐리드
CyDTA= 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산
TEOS= 테트라에틸오르쏘실리케이트
DMPD= 디메틸피페리돈
SFL= 술폴란
TMAS= 테트라메틸암모늄 실리케이트
EG= 에틸렌 글리콜
CAT=카테콜
EHDP= 에탄-l-하이드록시-1,1-디포스포네이트
EDTMP= 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산)
1N HCI= 1노르말 염산
NH40H= 수산화암모늄
CH= 수산화콜린
물= 수용액 성분으로의 물 이외에 부가된 물
또, 하기 표에서 조성물 XM-1 88, XM-1 88A 및 XM-1 91는 각각 구성 성분과 중량부로 나타내어진 하기의 조성물을 말한다.
XM-1 88= SFL (300), 물 (75), 25% TMAH (25), CyDTA (2.3)
XM-1 88A= SFL (150), 물 (60), 25% TMAH (17.5), EDTMP (1.8)
XM-1 91 = SFL (150), 물 (60), 25% TMAH (1 7.5), EDTMP (1.8), EG (30)
표 1
조성물/중량부
성분 A B C D E F G
HEP 30 30 30 30 60
25% TMAH 2 2.6 2 2 2 5 5
ACA 0.2 0.2
CyDTA 0.2 0.4 0.4
TEOS 1
DMPD 30 60
SFL
EG
CAT
60% EHDP
EDTMP
TMAF
10% TMAS
29% NH40H
30% H202 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 5 5
물 15 15 15 15 15 30 30
XM-188
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
표 2
조성물/중량부
성분 H I J K L M N
HEP 30
25% TMAH 1 10 8.8 4 3 4.9
ACA
CyDTA 0.92 0.35 0.24
TEOS
DMPD
SFL 120 50 30 37
EG 10
CAT
60% EHDP 0.24 0.29
EDTMP
TMAF
10% TMAS 1
29% NH40H
30% H202 2 10 8.8 2.5 4.2 2.5 4
물 15 60 9
XM-188 40 40
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
표 3
조성물/중량부
성분 O P Q R S T U
HEP
25% TMAH 5 20 4.4 7.8
ACA
CyDTA
TEOS
DMPD
SFL 200 37.5 42.5
EG 10.3 15
CAT
60% EHDP 1.5 2.6
EDTMP 0.68
TMAF 2
10% TMAS
29% NH40H
30% H202 19.2 18.7 4.8 5 4.3 5
물 20 70 22.5 10.6 3.5 30
XM-188 200 40
XM-188A 57.4 40
XM-191
1N HCl
20% CH
표 4
조성물/중량부
성분 V W X Y Z AA BB
HEP
25% TMAH
ACA
CyDTA 0.39 0.39
TEOS 1
DMPD
SFL 50 50 50 50 40
EG 15 15
CAT 3 3.5 3.5 1.5
60% EHDP
EDTMP 0.6 0.6 0.6
TMAF
10% TMAS
29% NH40H 1.4 1.9 1.4 1.9 2
30% H202 6.4 5.8 5.5 7.2 6.7 6.7 7.6
물 12.5 20 12.5 20 30
XM-188 40 40
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
표 5
조성물/중량부
성분 CC DD EE FF GG HH II
HEP
25% TMAH 2
ACA
CyDTA 0.39 0.39
TEOS
DMPD
SFL 50 50 60 60
EG 15 15
CAT
60% EHDP
EDTMP 0.6
TMAF
10% TMAS
29% NH40H 1.7 2.2
30% H202 7 7.3 5 5 5 6.2 2.5
물 12.5 20
XM-188
XM-188A 57
XM-191
1N HCl 1
20% CH
표 6
조성물/중량부
성분 JJ KK LL MM NN OO
HEP
25% TMAH 5 5 6 5 6
ACA
CyDTA
TEOS
DMPD
SFL
EG
CAT
60% EHDP
EDTMP
TMAF
10% TMAS
29% NH40H
30% H202 7 7.5 6 2.5 7 6
물 5
XM-188 80 40 80
XM-188A
XM-191 62.5 64.5 62.5
1N HCl 1
20% CH
표 7
조성물/중량부
성분 PP QQ RR SS TT UU VV
HEP
25% TMAH 25 25 20 25 17.5 17.5 2.5
ACA
CyDTA 3 3 2.5 2.5 0.23
TEOS
DMPD
SFL 300 300 300 300 150 150 30
EG 5 40 20 15
CAT 3
60% EHDP
EDTMP 1.8 1.8
TMAF
10% TMAS
29% NH40H
30% H202 36.8 37.3 36.7 37.2 26 24 5.8
물 35 45 45 45 50 50 7.5
XM-188
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
표 8
조성물/중량부
성분 WW XX YY ZZ AAA BBB CCC
HEP
25% TMAH 2 3.1 7.5
ACA
CyDTA 0.39 0.39 0.28 1.2 0.8
TEOS
DMPD
SFL 50 50 50 50 74 75
EG 15 15
CAT 3.5 3.5
60% EHDP
EDTMP 0.6 0.6
TMAF
10% TMAS
29% NH40H 1.4 1.9 1.4 1.9
30% H202 6.8 7.6 6.4 7.25 14.7 13.6 14
물 12.5 20 12.5 20 40 25 25
XM-188
XM-188A 57
XM-191
1N HCl 1
20% CH 12
표 9
조성물/중량부
성분 DDD EEE
HEP 7.5
25% TMAH 6.25 7.5
ACA
CyDTA 0.6 1.2
TEOS
DMPD
SFL
EG 75
CAT
60% EHPD
EDTMP
TMAF
10% TMAS
29% NH40H
30% H202 13.4 13.6
물 25 25
XM-188
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
본 발명의 세정 조성물에 대한 구리 및 알루미늄 에칭 속도를 측정하여 그 에칭 속도 데이타를 표 10에 게시하였다. 에칭 속도는 하기 시험 과정으로 측정하였다.
대략 13×50 크기의 알루미늄 또는 구리 박편을 사용하였다. 상기 박편의 무게를 측정하였다. 상기 박편을 2-프로판올, 증류수 및 아세톤으로 세정한 후 건조 오븐에서 건조하였다. 세정 및 건조된 박편을 예비가열된 본 발명의 세정 조성물이 담겨진 두껑이 느슨하게 닫혀 있는 병에 넣고 지정된 온도에서 두시간 내지 네 시간 동안 진공 오븐에 두었다. 상기 오븐 및 병에서 처리 및 세정된 박편들을 충분한 양의 증류수로 씻어내고 건조 오븐에서 약 한시간 정도 건조한 다음 상온으로 냉각시켜 무게 감소 또는 무게 변화에 따른 에칭 속도를 조사하였다.
표 10
표 1 내지 6의 조성물 45℃에서Al에칭속도(Å/분) 65℃에서Al에칭속도(Å/분) 45℃에서Cu 에칭속도(Å/분) 65℃에서Cu 에칭속도(Å/분)
V 6 39
W 3 12
Y 8 39
Z 21 70
AA 9 18
BB 20
CC 19
DD 29
II 3
EE 8
JJ <1
KK <1
LL 1.2
MM 2.6
하이드록실아민 기재의 박리제(EKC-265) 적합 적합 부적합 부적합
다양한 유전체에 대해 본 발명의 조성물 JJ 및 NN (표 6)의 층간 유전체(ILD) 에칭 속도를 다음 방법으로 평가하였다.
웨이퍼 시편의 필름 두께를 루돌프 후도 측정기(Rudolph Interferometer)를 사용하여 측정하였다. 웨이퍼 시편 (실리콘 웨이퍼 상에 증착된 ILD를 갖는)을 지정된 온도에서 30분간 지정된 세정 조성물에 침지시키고 탈이온수로 세척하고 질소 기류하에서 건조시켰다. 처리 후의 두께를 다시 측정하고 처리에 의해 생긴 막 두께의 변화를 기초하여 에칭 속도를 계산하였다.
조성물JJ (표 11), 조성물NN (표 12), 조성물HH (표 13), 조성물FF (표 14) 및 조성물GG (표 15)에 대한 IDL 에칭 속도는 다음과 같다.
표 11
유전체 70℃에서 에칭 속도(Å/분)
탄소 도핑된 산화물(CDO) <1
질화규소(SiN) <1
테트라에틸오르쏘실리케이트(pTEOS) <1
SiLKTM유기 중합체 <1
불소화된 실리케이트 유리 <1
FOx-16TM유동성 산화물 <1
CoralTM탄소 도핑된 산화물 3
Black DiamondTM탄소 도핑된 산화물 9.5
표 12
유전체 70℃에서 에칭 속도(Å/분)
탄소 도핑된 산화물(CDO) <1
질화규소(SiN) <1
테트라에틸오르쏘실리케이트(pTEOS) <1
SiLKTM유기 중합체 <1
표 13
유전체 70℃에서 에칭 속도(Å/분)
탄소 도핑된 산화물(CDO) n=1.40 <1
질화규소(SiN) n=2.0 3
테트라에틸오르쏘실리케이트(pTEOS) n=1.46 1
SiLKTM유기 중합체 n=1.63 <1
표 14
유전체 70℃에서 에칭 속도(Å/분)
탄소 도핑된 산화물(CDO) n=1.40 <1
질화규소(SiN) n=2.0 2
테트라에틸오르쏘실리케이트(pTEOS) n=1.46 1
SiLKTM유기 중합체 n=1.63 <1
표 15
유전체 70℃에서 에칭 속도(Å/분)
탄소 도핑된 산화물(CDO) n=1.40 <1
질화규소(SiN) n=2.0 3
테트라에틸오르쏘실리케이트(pTEOS) n=1.46 1
SiLKTM유기 중합체 n=1.63 <1
본 발명의 세정 조성물의 세정 능력을 다음의 테스트로 측정하였다. 즉 포토리지스트/탄소도핑된 산화물/실리콘질화물/구리의 구조를 가지며 상기 실리콘질화물에 구멍를 내어 구리를 노출시키고 있는 웨이퍼로 구성되는 마이크로일렉트로닉 구조물을 지정된 온도와 시간에 세정 용액에 침지시키고, 물로 세척한 후, 건조하여 SEM 조사로 세정 능력을 측정하였다. 그 결과는 다음의 표 16에 나타내었다.
표 16
조성물 G H OO
세정 조건 및 결과 35℃/30분100% 세정 55℃/20분100% 세정 70℃/20분100% 세정
본 발명의 세정 조성물의 세정 능력을 또한 다음의 테스트로 측정하였다. TiN/Al/TiN/Ti/Si 구조를 가지는 웨이퍼로 구성되는 마이크로일렉트로닉 구조물을 지정된 온도와 시간에 세정 용액에 침지시키고, 물로 세척한 후, 건조하여 SEM 조사로 세정 능력을 측정하였다. 그 결과는 다음의 표 17에 나타내었다.
표 17
조성물 VV
세정 조건 및 결과 55℃/20분100% 세정과 완벽한 기판 적합성
본 발명의 세정 조성물의 알루미늄 에칭 속도를 또한 하기 표 18의 에칭 속도 데이타로 게시하였다. 에칭 속도는 다음의 과정을 사용하여 측정하였다.
대략 13×50mm 크기의 알루미늄 박편을 사용하였다. 상기 박편의 무게를 측정하였다. 상기 박편을 2-프로판올, 증류수 및 아세톤으로 세정한 후 건조 오븐에서 건조하였다. 세정 및 건조된 박편을 예비가열된 본 발명의 세정 조성물이 담겨진 두껑이 느슨하게 닫혀 있는 병에 넣고 지정된 온도에서 두시간내지 네 시간 동안 진공 오븐에 두었다. 상기 오븐 및 병에서 처리 및 세정된 박편들을 충분한 양의 증류수로 씻어내고 건조 오븐에서 약 한시간 정도 건조한 다음 상온으로 냉각시켜 무게 감소 또는 무게 변화에 따른 에칭 속도를 조사하였다.
표 18
표 7 및 8의 조성물 45℃에서Al에칭속도(Å/분)
VV 3
WW 21
XX 9
YY 6
ZZ 8
이상과 같이 본 발명을 설명하였는 바, 본 발명의 본질과 범위를 벗어나지 않은 채 본 발명의 대한 개량이 가능함은 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 그러한 모든 변형과 변경 등은 본 발명의 특허청구범위와 사상에 속하는 것이다.

Claims (36)

  1. 하기의 성분들을 포함하는, 마이크로일렉트로닉 기판의 잔류물 및 포토레지스트를 세정하기 위한 세정 조성물:
    산화제;
    아미드, 술폰, 술폴렌, 셀레논 및 포화 알코올로 구성된 그룹에서 선택된 극성 유기 용매;
    및 하기 성분 들 중 하나 이상의 임의 성분:
    산;
    알칼리성 염기;
    부식방지 보조용매;
    킬레이트제 또는 금속 착제;
    산화제 안정화제;
    부식 방지제;
    금속부식 방지제;
    불소 화합물;
    계면활성제; 및
    물.
  2. 제 1 항에 있어서, 극성 유기 용매는 1-(2-하이드록시에틸) 피롤리디논(HEP), 디메틸피페리돈(DMPD), N-메틸 피롤리디논 (NMP), 디메틸아세트아미드 (DMAc), 디메틸포름아미드 (DMF), 술폴란, 3-메틸술폴란, n-프로필 술폰, n-부틸 술폰, 메틸 술폰, 술폴렌, 3-메틸술폴렌, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤 및 헥사플루오로이소프로판로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 산화제는 과산화수소인 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  4. 제 2 항에 있어서, 산화제는 과산화수소인 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서, 조성물이 수산화 암모늄, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 및 수산화콜린으로 구성된 그룹으로부터 선택된 알칼리성 염기를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 극성 유기 용매는 술폴란이고 산화제는 과산화수소인 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서, 조성물은 금속 킬레이트제로서 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서, 조성물은 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산)을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, 산화제는 과산화수소이고 극성 유기 용매는 1-(2-히아디록시에틸)피롤리디논인 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  10. 제 9 항에 있어서, 조성물은 금속 킬레이트제로서 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산을, 알칼리성 염기로서 테트라알킬암모늄 하이드록사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  11. 제 6 항에 있어서, 조성물은 금속 킬레이트제로서 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산을, 알칼리성 염기로서 테트라알킬암모늄 하이드록사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서, 술폴란, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산, 과산화수소 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성 .
  13. 제 1 항에 있어서, 술폴란, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산), 과산화수소 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  14. 제 1 항에 있어서, 술폴란, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산), 에틸렌 글리콜, 과산화수소 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  15. 제 1 항에 있어서, 디메틸피페리돈, 트랜스-1,2-시클로헥산디아민 테트라아세트산, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 과산화수소 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  16. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 1 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 2 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 3 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 4 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 5 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 6 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 7 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 8 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 9 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 10 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 11 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 12 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 13 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 14 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 세정 조성물로 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하기에 충분한 시가동안 기판을 접촉시키는 것으로 구성되는 마이크로일렉트로닉 기판으로부터 잔류물과 포토레지스트를 세정하는 방법에 있어서, 세정 조성물이 제 15 항의 조성물인 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 25 항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 구조물은 구리 배선 및 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 유전체로 특정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 26 항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 구조물은 구리 배선 및 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 유전체로 특정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 27 항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 구조물은 구리 배선 및 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 유전체로 특정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 28 항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 구조물은 구리 배선 및 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 유전체로 특정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 29 항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 구조물은 구리 배선 및 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 유전체로 특정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제 30 항에 있어서, 마이크로일렉트로닉 구조물은 구리 배선 및 이산화규소, 저 유전율(low-κ) 유전체 및 고 유전율(high-κ) 유전체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 유전체로 특정되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8110508B2 (en) 2007-11-22 2012-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer
KR101221560B1 (ko) * 2005-09-02 2013-01-14 주식회사 동진쎄미켐 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물
KR101319113B1 (ko) * 2006-04-13 2013-10-17 동우 화인켐 주식회사 금속용 세정제

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
TW200505975A (en) * 2003-04-18 2005-02-16 Ekc Technology Inc Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
CN101833251B (zh) * 2004-02-11 2013-11-13 安万托特性材料股份有限公司 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物及清洗方法
EP1847880A3 (en) 2004-02-11 2010-02-17 Mallinckrodt Baker, Inc. Composition for cleaning microelectronic substrates containing halogen oxygen acids and derivatives thereof
US7767636B2 (en) 2004-03-01 2010-08-03 Mallinckrodt Baker, Inc. Nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions
JP4524744B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-18 日本電気株式会社 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
US8044009B2 (en) * 2005-04-04 2011-10-25 Avantor Performance Materials, Inc. Compositions for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
JP2008541426A (ja) * 2005-05-06 2008-11-20 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド エッチングおよび灰化後のフォトレジスト残渣およびバルクのフォトレジストを除去するための組成物
CN1862392B (zh) * 2005-05-13 2011-08-03 安集微电子（上海）有限公司 一种去除光阻层的组合物及其使用方法
CN1862391B (zh) 2005-05-13 2013-07-10 安集微电子（上海）有限公司 除光阻层的组合物及其使用方法
JP2008546214A (ja) * 2005-06-06 2008-12-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 集積された化学機械研磨組成物および単一プラテン処理のためのプロセス
CN101233456B (zh) * 2005-06-07 2013-01-02 高级技术材料公司 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物
EP1932174A4 (en) * 2005-10-05 2009-09-23 Advanced Tech Materials AQUEOUS OXIDIZING CLEANER FOR REMOVING RESIDUES AFTER A PLASMA ATTACK
US7960328B2 (en) 2005-11-09 2011-06-14 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
JP5237300B2 (ja) * 2006-12-21 2013-07-17 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤
JP5146445B2 (ja) * 2007-03-16 2013-02-20 三菱瓦斯化学株式会社 洗浄用組成物、半導体素子の製造方法
JP4952375B2 (ja) * 2007-05-23 2012-06-13 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
JP5642967B2 (ja) * 2007-11-22 2014-12-17 関東化学株式会社 エッチング液組成物
CN101889330B (zh) 2007-12-04 2012-11-14 株式会社明电舍 除去抗蚀剂的方法和用于它的装置
CN101359189B (zh) * 2008-09-17 2011-04-27 电子科技大学 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
US20100178887A1 (en) 2009-01-13 2010-07-15 Millam Michael J Blast shield for use in wireless transmission system
US8497233B2 (en) * 2009-02-25 2013-07-30 Avantor Performance Materials, Inc. Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
MY152051A (en) * 2009-02-25 2014-08-15 Avantor Performance Mat Inc Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
SG176144A1 (en) * 2009-06-25 2011-12-29 Lam Res Ag Method for treating a semiconductor wafer
KR20120092501A (ko) * 2009-06-25 2012-08-21 램 리서치 아게 반도체 웨이퍼의 처리 방법
ES2711924T3 (es) * 2010-01-25 2019-05-08 Westinghouse Electric Co Llc Procedimiento y composición para eliminar depósitos de cal formados en una superficie metálica dentro de un sistema generador de vapor
WO2011093849A1 (en) 2010-01-26 2011-08-04 Dominion Engineering Inc. Method and composition for removing deposits
CN101908503A (zh) * 2010-07-21 2010-12-08 河北工业大学 超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法
US8921295B2 (en) 2010-07-23 2014-12-30 American Sterilizer Company Biodegradable concentrated neutral detergent composition
CN101968610A (zh) * 2010-08-12 2011-02-09 武汉华灿光电有限公司 一种全湿刻蚀后去胶的方法
CN103958640B (zh) * 2011-10-21 2016-05-18 安格斯公司 无胺cmp后组合物及其使用方法
JP6066552B2 (ja) * 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
CN104508072A (zh) * 2012-02-15 2015-04-08 安格斯公司 用于cmp后去除的组合物及使用方法
KR101827756B1 (ko) * 2012-12-03 2018-02-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 반도체소자용 세정액 및 이를 이용한 세정방법
CN105378901B (zh) * 2013-07-05 2020-09-15 富士胶片电子材料有限公司 蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液
JP2015108041A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 ダイキン工業株式会社 洗浄用組成物
WO2015119925A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-13 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-cmp compositions and method of use
CN103955123A (zh) * 2014-04-11 2014-07-30 武汉高芯科技有限公司 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
US9567493B2 (en) * 2014-04-25 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMP slurry solution for hardened fluid material
US9908821B2 (en) 2015-09-29 2018-03-06 Winfield Solutions, Llc Micronutrient compositions and systems and methods of using same
US9938201B1 (en) 2016-02-25 2018-04-10 Winfield Solutions, Llc Micronutrient compositions containing zinc and systems and methods of using same
JP6703098B2 (ja) 2016-03-31 2020-06-03 富士フイルム株式会社 半導体製造用処理液、及び、パターン形成方法
TWI742246B (zh) * 2017-02-20 2021-10-11 日商富士軟片股份有限公司 藥液、藥液收容體及圖案形成方法
AT519943A1 (de) * 2017-04-29 2018-11-15 Thonhauser Gmbh Zusammensetzung
CN107338126A (zh) * 2017-06-23 2017-11-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 一种水基微电子剥离和清洗液组合物
CN107357143B (zh) 2017-07-25 2018-06-19 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗剂、其制备方法和应用
KR20210111289A (ko) 2019-01-11 2021-09-10 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 산화하프늄 부식 억제제
JP7271993B2 (ja) * 2019-02-19 2023-05-12 三菱ケミカル株式会社 セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
TWI824299B (zh) * 2020-09-22 2023-12-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 蝕刻劑組合物
CN112430508B (zh) * 2020-12-09 2021-10-19 淄博鑫欧瑞环保科技有限公司 一种消毒粉雾化装置清洁剂、应用及其清洁方法
WO2023004106A1 (en) * 2021-07-23 2023-01-26 Ascend Performance Materials Operations Llc Aqueous solutions containing amino carboxylic acid chelators

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3673099A (en) * 1970-10-19 1972-06-27 Bell Telephone Labor Inc Process and composition for stripping cured resins from substrates
BE789090A (fr) * 1971-09-22 1973-01-15 Western Electric Co Procede et solution d'attaque de semi-conducteurs
US4096243A (en) * 1976-02-09 1978-06-20 Clairol Incorporated Composition for lightening hair containing an oxidizing agent and certain quaternary amines
FR2372904A1 (fr) * 1976-11-19 1978-06-30 Ibm Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application
JPS60203944A (ja) * 1984-03-28 1985-10-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ポジ型フオトレジストの除去法
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
US5037724A (en) 1988-02-25 1991-08-06 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin
US5002687A (en) * 1989-04-13 1991-03-26 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Fabric washing compositions
EP0482275B1 (en) * 1990-10-22 1996-07-10 The Procter & Gamble Company Stable liquid detergent compositions containing bleach
JP3183310B2 (ja) * 1992-09-25 2001-07-09 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板の洗浄液
TW263531B (ko) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
KR100429440B1 (ko) * 1995-07-27 2004-07-15 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 기체의표면처리방법및그에사용되는표면처리조성물
US5911836A (en) * 1996-02-05 1999-06-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device
US6096138A (en) * 1997-04-30 2000-08-01 Bausch & Lomb Incorporated Method for inhibiting the deposition of protein on contact lens
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5993685A (en) * 1997-04-02 1999-11-30 Advanced Technology Materials Planarization composition for removing metal films
JPH11121418A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Kao Corp 洗浄剤組成物及び洗浄方法
US6465403B1 (en) * 1998-05-18 2002-10-15 David C. Skee Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP2000056478A (ja) * 1998-08-04 2000-02-25 Showa Denko Kk サイドウォール除去液
JP2000202617A (ja) * 1999-01-06 2000-07-25 Nippon Steel Corp 溶融金属容器の調心・傾転装置
EP1039518A1 (en) * 1999-03-24 2000-09-27 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
EP1211563B1 (en) * 2000-11-30 2011-12-21 Tosoh Corporation Resist stripper composition
JP2003005383A (ja) * 2000-11-30 2003-01-08 Tosoh Corp レジスト剥離剤
JP4267359B2 (ja) * 2002-04-26 2009-05-27 花王株式会社 レジスト用剥離剤組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101221560B1 (ko) * 2005-09-02 2013-01-14 주식회사 동진쎄미켐 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물
KR101319113B1 (ko) * 2006-04-13 2013-10-17 동우 화인켐 주식회사 금속용 세정제
US8110508B2 (en) 2007-11-22 2012-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer
US8395270B2 (en) 2007-11-22 2013-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Etching composition for an under-bump metallurgy layer

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