JP6703098B2 - 半導体製造用処理液、及び、パターン形成方法 - Google Patents
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Description
より詳細には、本発明は、IC(Integrated Circuit)等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィ工程などに使用される処理液、及び、パターン形成方法に関する。
[1] 下記一般式(N)で表される第4級アンモニウム化合物と、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び、キレート剤からなる群より選択される少なくとも1種の添加剤と、水とを含む半導体製造用処理液であって、半導体製造用処理液は、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znからなる群より選択される1種又は2種以上の金属原子を含み、金属原子の全質量は、添加剤の全質量と金属原子の全質量との合計に対して、1質量ppt〜1質量ppmである半導体製造用処理液。
上記金属原子のSP−ICP−MS法により測定される粒子性金属の全質量は、上記添加剤の全質量と上記粒子性金属の全質量との合計に対して、0.1質量ppt〜1質量ppbである[1]〜[3]のいずれかに記載の半導体製造用処理液。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
RK1及びRK2は、それぞれ独立に、単結合又はアルキレン基を表す。
RK3は、2価の有機基を表す。
X1は、CH基又は窒素原子を表す。
YK1及びYK2は、それぞれ独立に、金属吸着性基を表す。
A1は、水素原子又は親水性基を表す。
RK4、RK5、RK6及びRK7は、それぞれ独立に、単結合又はアルキレン基を表す。
RK8は、3価の有機基を表す。
X2及びX3は、それぞれ独立に、CH基又は窒素原子を表す。
YK3、YK4、YK5及びYK6は、それぞれ独立に、金属吸着性基を表す。
A2は、水素原子又は親水性基を表す。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
m及びnは、それぞれ独立に0.5〜80の正数を表し、m+n≧1を満たす。
本明細書における基及び原子団の表記において、置換又は無置換を明示していない場合は、置換基を有さないものと置換基を有するものの双方が含まれるものとする。例えば、置換又は無置換を明示していない「アルキル基」は、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含することとする。
まず、本発明に係る半導体製造用処理液について説明する。この半導体製造用処理液は、現像工程において、現像液として用いられてもよく、また、リンス工程において、リンス液として用いられてもよい。現像工程及びリンス工程の両工程において、本発明に係る半導体製造用洗処理液を用いて、現像処理及びリンス処理することが好ましい。
以下、各構成成分について詳細に説明する。
本発明に係る半導体製造用処理液は、下記一般式(N)で表される第4級アンモニウム化合物を含んでいる。
RN1〜RN4のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシクロヘキシル基が有していてもよい置換基は、例えば、ヒドロキシ基が挙げられる。
本発明に係る半導体製造用処理液は、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び、キレート剤からなる群より選択される少なくとも1種の添加剤を含んでいる。ただし、この添加剤には、上述した第4級アンモニウム化合物は含まれない。
以下に、各添加剤について詳細に説明する。
アニオン界面活性剤は、例えば、アルキル硫酸エステル、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルプロピオン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンアリールエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアリールエーテルプロピオン酸、ポリオキシエチレンアリールエーテル硫酸、及び、それらの塩等が挙げられる。
ノニオン性界面活性剤は、例えば、ポリアルキレンオキサイドアルキルフェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドからなるブロックポリマー系界面活性剤、ポリオキシアルキレンジスチレン化フェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレントリベンジルフェニルエーテル系界面活性剤、及び、アセチレンポリアルキレンオキサイド系界面活性剤等が挙げられる。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4のアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基を有していてもよい。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4のアルキル基は、炭素数1〜5であることが好ましい。炭素数1〜5のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基及びブチル基等が挙げられる。
La1及びLa2の2価の連結基は、アルキレン基、−ORa5−基及びこれらの組み合わせが好ましい。Ra5は、アルキレン基を表す。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
m及びnは、それぞれ独立に0.5〜80の正数を表し、m+n≧1を満たす。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4のアルキル基は、一般式(A1)中のRa1、Ra2、Ra3及びRa4のアルキル基と同様である。
カチオン性界面活性剤は、例えば、第4級アンモニウム塩系界面活性剤、及び、アルキルピリジウム系界面活性剤等が挙げられる。
本発明の処理液に含有されてもよいキレート剤は、特に限定されないが、1分子中の2つ以上の官能基により金属原子と配位結合する化合物であることが好ましい。この官能基は、金属吸着性基であることが好ましい。本発明の処理液に含有されてもよいキレート剤は、1分子中に2つ以上の金属吸着性基を含有することがより好ましい。
酸基は、酸解離定数(pKa)が7以下であることが好ましい。酸基は、例えば、フェノール性ヒドロキシル基、−COOH、−SO3H、−OSO3H、−PO3H2、−OPO3H2、およびCOCH2COCH3が挙げられる。酸基は、−COOHが特に好ましい。
第4級アンモニウムカチオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオン、メチルトリブチルアンモニウムカチオン、テトラブチルアンモニウムカチオン、コリン型カチオン(ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムカチオン)、等が好ましく、なかでも、テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラブチルアンモニウムカチオンおよびコリン型カチオンがより好ましく、その中でも、テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオンおよびコリン型カチオンが特に好ましい。
RK1及びRK2は、それぞれ独立に、単結合又はアルキレン基を表す。
RK3は、2価の有機基を表す。
X1は、CH基又は窒素原子を表す。
YK1及びYK2は、それぞれ独立に、金属吸着性基を表す。
A1は、水素原子又は親水性基を表す。
RK4、RK5、RK6及びRK7は、それぞれ独立に、単結合又はアルキレン基を表す。
RK8は、3価の有機基を表す。
X2及びX3は、CH基又は窒素原子を表す。
YK3、YK4、YK5及びYK6は、それぞれ独立に、金属吸着性基を表す。
A2は、水素原子又は親水性基を表す。
RK1及びRK2は、それぞれ独立に、単結合又はアルキレン基を表す。
RK1及びRK2のアルキレン基は、例えば、炭素数1〜6が好ましく、炭素数1〜3がより好ましい。
RK1及びRK2のアルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。
RK1及びRK2のアルキレン基は、具体的には、メチレン基がより好ましい。
RK3の2価の有機基は、例えば、アルキレン基及びアリーレン基等が挙げられる。
RK3のアルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。
RK3のアルキレン基及びアリーレン基は、炭素数1〜10が好ましく、炭素数1〜8
がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
RK3の2価の有機基は、メチレン基、エチレン基及びフェニル基が好ましい。
金属吸着性基としては、酸基またはカチオン性基が好ましい。具体例としては、カルボン酸化合物の金属吸着基について前述した酸基またはカチオン性基の具体例と同じものが挙げられる。またカチオン性ポリマーが対イオンであるものであっても良い。
A1の親水性基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボキシレート基、ヒドロキシエチル基、ポリオキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ポリオキシプロピル基、アミノ基、アミノエチル基、アミノプロピル基、アンモニウム基、アミド基、カルボキシメチル基、スルホ基、リン酸基等が好適に挙げられる。
A1の親水性基は、ヒドロキシル基が最も好ましい。
RK4、RK5、RK6及びRK7は、それぞれ独立に、単結合又はアルキレン基を表す。
RK4、RK5、RK6及びRK7のアルキレン基は、一般式(K1)中のRK1及びRK2と同義である。RK4、RK5、RK6及びRK7の好ましい態様は、一般式(K1)中のRK1及びRK2の好ましい態様と同じである。
RK8の3価の有機基は、炭素数としては1〜10が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜6が最も好ましい。また、3価の有機基は置換基を有してもよく、置換基同士が結合して環状構造を形成していてもよく、有機鎖中にヘテロ原子を有してもよい。置換基同士が結合して形成する環状構造としては、シクロアルキル基が好ましい。また、有機基の主鎖中に有してもよいヘテロ原子としては、酸素原子又は窒素原子が好ましい。
YK3、YK4、YK5及びYK6は、それぞれ独立に、金属吸着性基を表す。
YK3、YK4、YK5及びYK6の金属吸着性基は、一般式(K1)中のYK1及びYK2の金属吸着性基と同義である。YK3、YK4、YK5及びYK6の金属吸着性基の好ましい態様は、一般式(K1)中のYK1及びYK2の金属吸着性基の好ましい態様と同じである。
A2の親水性基は、一般式(K1)中のA1と同義である。A2の好ましい態様は、一般式(K1)中のA1の好ましい態様と同じである。
以下に、一般式(K1)及び(K2)で表されるキレート剤の具体例を示す。
本発明に係る半導体製造用処理液は、水を含んでいる。
水は、特に限定されないが、半導体製造に使用される超純水を用いることが好ましく、その超純水をさらに精製し、無機陰イオン及び金属イオンなどを低減させた水を用いることがより好ましい。精製方法は特に限定されないが、ろ過膜又はイオン交換膜を用いた精製、並びに、蒸留による精製が好ましい。また、例えば、特開2007―254168号公報に記載されている方法により精製を行なうことが好ましい。
水は、金属含有量が0.001質量ppt(parts per trillion)未満であることが好ましい。
本発明に係る半導体製造用処理液は、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znからなる群より選択される1種又は2種以上の金属原子を含んでいる。1種又は2種以上の金属原子の全質量の、添加剤の全質量と金属原子の全質量との合計に対する比率T1は、1質量ppt(parts per trillion)〜1質量ppm(parts per million)である。この金属原子の比率T1は、1質量ppb(parts per brillion)〜1質量ppmであることが好ましく、2質量ppb〜1質量ppmあることがより好ましく、10質量ppb〜1質量ppmであることがさらに好ましい。
本発明に係る半導体製造用処理液は、不純物として、無機塩、過酸化物、エステル化合物、アミン化合物、及び、キレート錯体からなる群より選択されるいずれか1種を含んでもよい。
以下に、各不純物について説明する。
本発明に係る半導体製造用処理液は、添加剤として上述のアニオン界面活性剤又は上述のカチオン界面活性剤を含有する場合、不純物として、例えば、無機塩を含有してもよい。
無機塩は、例えば、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、及び、リン酸塩等が挙げられる。
本発明に係る半導体製造用処理液は、添加剤として上述のノニオン界面活性剤を含有する場合、不純物として、例えば、過酸化物を含有してもよい。
過酸化物は、例えば、過酸化カルシウム又は過酸化マグネシウム、過酸化カリウム、過酸化ナトリウム等が挙げられる。
本発明に係る半導体製造用処理液は、添加剤として上述のノニオン界面活性剤を含有する場合、不純物として、例えば、エステル化合物を含有してもよい。
エステル化合物は、例えば、ステアリン酸メチルエステル、ステアリン酸オクチルエステル、オレイン酸ブチルエステル、ラウリン酸オレイルエステル、パルミチン酸ステアリルエステル、ベヘニン酸ステアリルエステル、ミリスチン酸ミリスチルエステル、アクリル酸ヘキシルエステル、メタアクリル酸オクチルエステル、カプロン酸ビニルエステル、及び、オレイル酢酸エステル等が挙げられる。
本発明に係る半導体製造用処理液は、添加剤として上述のノニオン界面活性剤を含有する場合、不純物として、例えば、アミン化合物を含有してもよい。
アミン化合物は、例えば、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、及び、トリエチルアミン等が挙げられる。
本発明に係る半導体製造用処理液は、添加剤として上述のキレート剤を含有する場合、不純物として、キレート錯体を含有してもよい。キレート錯体は、上述のキレート剤の全てではなく、その一部と、半導体製造用処理液が含有しているNa、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znからなる群より選択される1種又は2種以上の金属原子とにより形成される。
上述した無機塩、過酸化物、エステル化合物、アミン化合物、及び、キレート錯体は、公知の方法を用いて測定することができる。これらの測定方法としては、例えば、公開特許公報の特開2010−1000048号公報、及び、特開2014−209578号公報に記載の方法が挙げられ、後述する実施例に記載の方法で上述した無機塩、過酸化物、エステル化合物、アミン化合物、及び、キレート錯体の含有量を測定することができる。
本発明の実施形態に係る半導体製造用処理液において、粗大粒子は実質的に含まないことが好ましい。ここで、処理液に含まれる粗大粒子とは、原材料中に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物、無機固形物などの粒子、処理液の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物、無機固形物などの粒子などであり、最終的に処理液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。処理液中に存在する粗大粒子の量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定することができる。
本発明の実施形態に係る半導体製造用処理液は、各構成成分に分割したキット、としてもよい。特に、半導体製造用処理液を濃縮液として準備してもよい。この場合、半導体製造用処理液を使用する時に、水で希釈して使用することができる。希釈に用いられる水は、本発明の実施形態に係る半導体製造用処理液の効果が顕著に得られる観点から、上述した精製した水であることが好ましい。
本発明に係る半導体製造用処理液は、公知の方法を用いて調整することができる。
本発明に係る半導体製造用処理液が含有する、特定の金属原子、並びに、無機塩、過酸化物、エステル化合物、アミン化合物、及び、キレート錯体を所望の含有率に調整する方法は、例えば、処理液を製造する際に使用する各原材料の段階、及び、処理液を調製した後の段階、の少なくとも一方の段階において、処理液を精製することが挙げられる。処理液の精製は、本発明に係る半導体製造用処理液に所望の効果を得る観点から、処理液を製造する際に使用する原材料の段階で行われることが好ましい。原材料は、本願特定の金属原子、若しくは硫酸イオン、塩化物イオン、又は硝酸イオンなどの無機イオン、及び上述した金属原子に由来する金属イオンが低減されたグレードのものを用いることが好ましい。
また、使用されるフィルターは、処理液を濾過する前に処理することが好ましい。この処理に使用される液体は、特に限定されないが、金属含有量が1質量ppt(parts per trillion)未満であることが好ましく、金属含有量が0.001質量ppt(parts per trillion)未満であることがより好ましく、上述した水の他、他の有機溶剤を精製して、金属含有量が上記の範囲にしたもの、もしくは本発明の処理液そのもの、処理液を希釈したもの、若しくは処理液に添加している化合物を含む液体であると、本発明に係る半導体製造用処理液に所望の効果が顕著に得られる。
本発明の実施形態に係る半導体製造用処理液は、上述したキットであるか否かに関わらず、腐食性等が問題とならない限り、任意の容器に充填して保管、運搬、そして使用することができる。容器としては、半導体製造用途向けに、上述した金属原子及び不純物の持ち込みが少なく、不純物等の溶出が少ないものが好ましい。使用可能な容器としては、アイセロ化学(株)製の「クリーンボトル」シリーズ、コダマ樹脂工業(株)製の「ピュアボトル」などが挙げられるが、これらに限定されない。この容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン−ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される1種以上の樹脂とは異なる樹脂、又は、ステンレス、ハステロイ、インコネル及びモネルなど、防錆・金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、又は、着色硬化性樹脂組成物(以下、「レジスト組成物」ともいう。)を用いて膜を形成することと、形成された膜を露光することと、露光された膜を、上述した半導体製造用処理液を用いて処理することとを含む。
膜形成工程は、後述する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、又は、後述する着色硬化性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程であり、例えば次の方法により行うことができる。
後述する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にレジスト膜(感活性光線性又は感放射線性膜)を形成するために、後述する各成分を溶剤に溶解して感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製し、必要に応じてフィルター濾過した後、基板上に塗布する。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
加熱温度は80〜180℃で行うことが好ましく、80〜150℃で行うことがより好ましく、80〜140℃で行うことが更に好ましく、80〜130℃で行うことが特に好ましい。加熱時間は30〜1000秒が好ましく、60〜800秒がより好ましく、60〜600秒が更に好ましい。
例えば30nm以下のサイズの1:1ラインアンドスペースパターンを解像させるためには、形成されるレジスト膜の膜厚が50nm以下であることが好ましい。膜厚が50nm以下であれば、後述する現像工程を適用した際に、パターン倒れがより起こりにくくなり、より優れた解像性能が得られる。
後述する着色硬化性樹脂組成物を用いてカラーフィルタ(着色硬化性膜)を形成する場合の支持体としては、例えば、基板(例えば、シリコン基板)上にCCD(Charge
Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal−Oxide Semiconductor)等の撮像素子(受光素子)が設けられた固体撮像素子用基板などの基板を用いることができる。
ここで、下塗り層には、後述するオーバーコート層を用いることができる。
露光工程は、上記で得られた膜を露光する工程であり、例えば次の方法により行うことができる。
(1)レジスト膜
上記で形成したレジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光(Extreme Ultra Violet)、電子線(EB、Electron Beam)等である。露光は液浸露光であってもよい。
上記で形成された着色硬化性膜を、例えば、ステッパー等の露光装置を用い、所定のマスクパターンを有するマスクを介してパターン露光する。露光に用いることができる放射線(光)としては、特に、g線、i線等の紫外線が好ましく(特に好ましくはi線)用いられる。照射量(露光量)は30〜1500mJ/cm2が好ましく、50〜1000mJ/cm2がより好ましく、80〜500mJ/cm2が最も好ましい。
(1)レジスト膜
本発明のパターン形成方法においては、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成した場合、露光後、現像を行う前にベーク(加熱)を行うことが好ましい。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターン形状がより良好となる。
加熱時間は30〜1000秒が好ましく、60〜800秒がより好ましく、60〜600秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、また、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
着色硬化性樹脂組成物を用いて着色硬化性膜を形成した場合は、後述の現像後、着色硬化性膜を乾燥させた後に加熱処理(ポストベーク)を行うことが好ましい。このとき、多色の着色パターンを形成することが好ましく、各色に各工程を順次繰り返して着色硬化性膜を製造することができる。これによりカラーフィルタが得られる。ポストベークは、硬化を完全なものとするための現像後の加熱処理である。その加熱温度は、250℃以下が好ましく、240℃以下がより好ましく、230℃以下がさらに好ましく、220℃以下が特に好ましい。下限は特にないが、効率的かつ効果的な処理を考慮すると、50℃以上の熱硬化処理を行うことが好ましく、100℃以上がより好ましい。上記の加熱によるポストベークに変え、UV(紫外線)照射によってカラーフィルタの画素を硬化させてもよい。
現像工程は、露光された上記レジスト膜又は着色硬化性膜を現像液によって現像する工程である。
現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、通常は10〜300秒であり、好ましくは20〜120秒である。
現像液の温度は0〜50℃が好ましく、15〜35℃がより好ましい。
リンス工程は、上記現像工程の後にリンス液によって洗浄(リンス)する工程である。
洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法(回転吐出法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)、などを適用することができ、この中でも回転吐出方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm〜4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。
リンス液の温度は0〜50℃が好ましく、15〜35℃が更に好ましい。
水は、超純水を用いることが好ましい。
さらに、現像処理又はリンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する溶剤を除去するために加熱処理を行うことができる。加熱温度は、良好なレジストパターン又が得られる限り特に限定されるものではなく、通常40〜160℃である。加熱温度は50〜150℃が好ましく、50〜110℃が最も好ましい。加熱時間に関しては良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されないが、通常15〜300秒であり、好ましくは、15〜180秒である。
次に、本発明のパターン形成方法で用いる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以下、「レジスト組成物」ともいう。)について、詳細に説明する。この組成物は、ポジ型の現像に用いてもよく、ネガ型の現像に用いてもよい。また、この組成物は、アルカリ現像液を用いた現像に用いてもよく、有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像に用いてもよい。
本発明の処理液と組み合わせて用いることが好ましい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物としては、樹脂(A)を含有することが好ましい。樹脂(A)は、少なくとも(i)酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位(更に、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有してもよい)、又は、少なくとも(ii)フェノール系水酸基を有する繰り返し単位を有する。
樹脂(A)が有する酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位は、カルボキシル基の水素原子が酸の作用により分解して脱離する基で置換された基を有する繰り返し単位である。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1〜Rx3は、各々独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。ただし、Rx1〜Rx3の全てがアルキル基(直鎖若しくは分岐)である場合、Rx1〜Rx3のうち少なくとも2つはメチル基であることが好ましい。
Rx1〜Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rx1〜Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
樹脂(A)が有するフェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式(I)で表される繰り返し単位が挙げられる。
R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R42はAr4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は単結合又はアルキレン基を表す。
X4は、単結合、−COO−、又は−CONR64−を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。
L4は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar4は、(n+1)価の芳香環基を表し、R42と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
nは、1〜5の整数を表す。
一般式(I)におけるR41、R42、R43のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。
一般式(I)におけるR41、R42、R43のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R41、R42、R43におけるアルキル基と同様のものが好ましい。
(n+1)価の芳香環基は、更に置換基を有していてもよい。
X4としては、単結合、−COO−、−CONH−が好ましく、単結合、−COO−がより好ましい。
一般式(I)で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ar4は、ベンゼン環基であることが好ましい。
アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環などの炭素数6〜18の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環ヘテロ環を挙げることができる。中でも、ベンゼン環が最も好ましい。
樹脂(A)は、ラクトン基又はスルトン(環状スルホン酸エステル)基を有する繰り返し単位を含有することも好ましい。ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を含有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5〜7員環ラクトン構造又はスルトン構造を含有する基であり、5〜7員環ラクトン構造又はスルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。
4〜7のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0〜4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在するRb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。
樹脂(A)は、極性基を有する有機基を含有する繰り返し単位、特に、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を更に有することができる。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。
極性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
更に、上記以外の繰り返し単位として、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基(光酸発生基)を有する繰り返し単位を含むこともできる。この場合、この光酸発生基を有する繰り返し単位が、後述する活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)にあたると考えることができる。
このような繰り返し単位としては、例えば、下記一般式(4)で表される繰り返し単位が挙げられる。
また、樹脂(A)は、下記一般式(VI)で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。
R61、R62及びR63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R62はAr6と結合して環を形成していてもよく、その場合のR62は単結合又はアルキレン基を表す。
X6は、単結合、−COO−、又は−CONR64−を表す。R64は、水素原子又はアルキル基を表す。
L6は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ar6は、(n+1)価の芳香環基を表し、R62と結合して環を形成する場合には(n+2)価の芳香環基を表す。
Y2は、n≧2の場合には各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環(好ましくは、5員若しくは6員環)を形成してもよい。
Ar3は、芳香環基を表す。
R3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又はヘテロ環基を表す。
M3は、単結合又は2価の連結基を表す。
Q3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。
Q3、M3及びR3の少なくとも二つが結合して環を形成してもよい。
R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はL4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42はアルキレン基を表す。
L4は、単結合又は2価の連結基を表し、R42と環を形成する場合には3価の連結基を表す。
R44及びR45は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又はヘテロ環基を表す。
M4は、単結合又は2価の連結基を表す。
Q4は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。
Q4、M4及びR44の少なくとも二つが結合して環を形成してもよい。
L4は、前述の一般式(V)中のL5と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
M4は、前述の一般式(3)中のM3と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルコキシ基又はアシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基(−OCOR又は−COOR:Rは炭素数1〜6のアルキル基又はフッ素化アルキル基)、又はカルボキシル基を表す。
n3は0〜6の整数を表す。
n4は0〜4の整数を表す。
X4はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。
また、はしご型シルセスキオキサン構造とは、はしご状骨格を有するシルセスキオキサン構造である。
また、ランダム型シルセスキオキサン構造とは、骨格がランダムのシルセスキオキサン構造である。
上記ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基のヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子などが挙げられる。
上記ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基の炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
上記脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。上記脂肪族炭化水素基の具体例としては、直鎖状または分岐状のアルキル基(特に、炭素数1〜30)、直鎖状または分岐状のアルケニル基(特に、炭素数2〜30)、直鎖状または分岐状のアルキニル基(特に、炭素数2〜30)などが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などの炭素数6〜18の芳香族炭化水素基などが挙げられる。
樹脂(A)は、常法に従って(例えばラジカル重合)合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1〜10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。
また、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、樹脂(A)は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線により酸を発生する化合物(以下、「光酸発生剤(PAG:Photo Acid Generator)」ともいう)を含有することが好ましい。
光酸発生剤が、低分子化合物の形態である場合、分子量が3000以下であることが好ましく、2000以下であることがより好ましく、1000以下であることが更に好ましい。
光酸発生剤が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、樹脂(A)の一部に組み込まれても良く、樹脂(A)とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
本発明において、光酸発生剤が、低分子化合物の形態であることが好ましい。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z−は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。
また、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状の有機基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体的としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。
特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。
R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。
yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。
zは0〜5が好ましく、0〜3がより好ましい。
Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO2−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基などを挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O−が好ましく、―COO−、−OCO−がより好ましい。
F2−COO−、SO3−−CF2−CF2−CH2−、SO3−−CF2−CH(CF3)−OCO−が好ましいものとして挙げられる。
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF(mask error enhancement factor)向上の観点から好ましい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。
複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環由来のものが好ましい。
一般式(ZII)、(ZIII)中、R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
光酸発生剤の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1〜50質量%が好ましく、より好ましくは5〜50質量%、更に好ましくは8〜40質量%である。特に、電子線や極紫外線露光の際に高感度化、高解像性を両立するには光酸発生剤の含有率は高いほうが好ましく、更に好ましくは10〜40質量%、最も好ましくは10〜35質量%である。
上述した各成分を溶解させて感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際には、溶剤を使用できる。使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、炭素数4〜10の環状ラクトン、炭素数4〜10の、環を含有してもよいモノケトン化合物、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−2−メトキシエチル、酢酸−2−エトキシエチル、酢酸−2−(2−エトキシエトキシ)エチル、酢酸−3−メトキシ−3−メチルブチル、酢酸−1−メトキシ−2−プロピルが好ましく挙げられる。
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物(D)を含有することが好ましい。
R202は、互いに結合して環を形成してもよい。
R203、R204、R205及びR206 は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。
有機スルホネートとしては、炭素数1〜20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。
アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。
直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的には、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。
他の置換基としては炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。
本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物〔以下、化合物(PA)ともいう〕を更に含んでいてもよい。
塩基性化合物の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記樹脂(A)とは別に疎水性樹脂(A’)を有していてもよい。
疎水性樹脂はレジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
疎水性樹脂を添加することの効果として、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角の制御、アウトガスの抑制などを挙げることができる。
“樹脂の側鎖部分に含有されたCH3部分構造”のいずれか1種以上を有することが好ましく、2種以上を有することが更に好ましい。また、上記疎水性樹脂は、炭素数5以上の炭化水素基を含有することが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位の例としては、US2012/0251948A1の段落0519に例示されたものを挙げることが出来る。
ここで、疎水性樹脂中の側鎖部分が有するCH3部分構造には、エチル基、プロピル基等が有するCH3部分構造を包含するものである。
一方、疎水性樹脂の主鎖に直接結合しているメチル基(例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα−メチル基)は、主鎖の影響により疎水性樹脂の表面偏在化への寄与が小さいため、本発明におけるCH3部分構造に包含されないものとする。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、界面活性剤(F)を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が250nm以下、特には220nm以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び/又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、又はカルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物)を更に含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法では、レジスト膜の上層に上層膜(トップコート膜)を形成してもよい。
上層膜は、レジスト膜と混合せず、更にレジスト膜上層に均一に塗布できることが好ましい。
上層膜を形成後、必要に応じて基板を加熱(PB)する。
上層膜の屈折率は、解像性の観点から、感活性光線性又は感放射線性膜の屈折率に近いことが好ましい。
上層膜の後退接触角は、液浸液追随性の観点から、上層膜に対する液浸液の後退接触角
(23℃)が50〜100度であることが好ましく、80〜100度であることがより好ましい。
次に、本発明のパターン形成方法で用いる着色硬化性樹脂組成物について、詳細に説明する。着色硬化性樹脂組成物は、カラーフィルタ用のレジスト(以下、「カラーレジスト」ともいう。)に用いられる。
アルカリ可溶性樹脂としては、分子中に少なくとも1つのアルカリ可溶性を促進する基を有するものが好ましい。耐熱性の観点からは、ポリヒドロキシスチレン系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルアミド系樹脂、アクリル/アクリルアミド共重合体樹脂が好ましい。現像性制御の観点からは、アクリル系樹脂、アクリルアミド系樹脂、アクリル/アクリルアミド共重合体樹脂が好ましい。アルカリ可溶性を促進する基(以下、酸性基ともいう)としては、例えば、カルボキシ基、リン酸基、スルホン酸基、フェノール性水酸基などが挙げられる。溶媒に可溶で弱アルカリ水溶液により現像可能なものが好ましく、(メタ)アクリル酸が特に好ましいものとして挙げられる。これら酸性基は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
RX1、RY1は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、又はシアノ基であり、水素原子又はメチル基が好ましい。
RAは、酸性基である。その好ましいものは、上記と同義である。
重合性化合物は、分子内に重合性基を有する化合物であればよいが、なかでもエチレン性不飽和二重結合を有するモノマー(以下、「特定モノマー」ということがある)が好ましい。特定モノマーは、多官能のモノマーであることが好ましい。
本実施形態においても好適に用いることができる。
光重合開始剤としては、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外領域から可視領域の光線に対して感光性を有する化合物が好ましい。光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤が好ましい。また、光重合開始剤は、約300nm〜800nm(330nm〜500nmがより好ましい。)の範囲内に少なくとも約50のモル吸光係数を有する化合物を少なくとも1種含有していることが好ましい。
着色剤は、特に限定されるものではなく、種々の染料や顔料を用いることができる。例えば、カラーフィルタの色画素を形成する赤色、マゼンタ色、黄色、青色、シアン色及び緑色等の有彩色系の着色剤(有彩色着色剤)、及びブラックマトリクス形成用に一般に用いられている黒色系の着色剤(黒色着色剤)のいずれをも用いることができる。本実施形態では、着色剤が、赤色、マゼンタ色、黄色、青色、シアン色及び緑色から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
着色硬化性樹脂組成物には分散剤を含有させてもよい。分散剤としては、高分子分散剤(例えば、ポリアミドアミンとその塩、ポリカルボン酸とその塩、高分子量不飽和酸エステル、変性ポリウレタン、変性ポリエステル、変性ポリ(メタ)アクリレート、(メタ)
アクリル系共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物)、及び、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルカノールアミン、顔料分散剤等を挙げることができる。
着色硬化性樹脂組成物には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
〔第4級アンモニウム化合物〕
以下を第4級アンモニウム化合物として用いた。これらの第4級アンモニウム化合物を国際公開第WO12/043496号公報に記載されている、炭化ケイ素を用いた吸着精製に加え、フィルター濾過を繰り返すことで精製を行った。
S−1:TMAH(Tetramethylammonium hydroxide)
S−2:AH−212(ジメチルビス(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド)
〔添加剤〕
以下を添加剤として用いた。
AA−1:ニューコールB4−SN(日本乳化剤(株))(アニオン界面活性剤)
AN−1:Surfynol 465(Air Products社製)(ノニオン界面活性剤)
AN−2:DKS NL−15(第一工業製薬(株))(ノニオン界面活性剤)
AN−3:ニューコール610(日本乳化剤(株))(ノニオン界面活性剤)
AC−1:テクスノールR2(日本乳化剤(株))(カチオン界面活性剤)
AH−1:エチレンジアミン4酢酸(キレート剤)
AH−2:ジエチレントリアミンペンタ酢酸(キレート剤)
〔水〕
水は、特開2007―254168号公報に記載されている方法により精製を行い、液中のメタル含有量が0.001質量ppt未満であることを確認した後、半導体製造用処理液の調整に用いた。
表1−1〜表1−3は、半導体製造用処理液に対する第4級アンモニウム化合物及び添加剤の仕込み量の比率を示す。残部は水として、表1−1〜表1−3に示す比率で混合液を各々1,000g調製した。得られた混合液を、フィルター濾過を繰り返すことにより精製し、金属原子の調整を行った。このようにして得られた半導体製造用処理液を現像液とした。
現像液中のNa、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znからなる群より選択される1種又は2種以上の金属原子を以下のとおり測定した。
清浄なガラス容器内に、超純水を計量して投入し、メディアン径60nmの測定対象の金属原子を10000個/mlの濃度となるように添加した。その後、超音波洗浄機で30分間処理して分散液を得た。得られた分散液を輸送効率測定用の標準物質として用いた。ICP(Inductively Coupled Plasma)標準液を用いて、各金属原子の検量線を作成した。
ICP−MS装置(Inductively Coupled Plasma − Mass Spectrometry:誘導結合プラズマ質量分析装置)は、PFA製同軸型ネブライザ、石英製サイクロン型スプレーチャンバ、及び、石英製内径1mmトーチインジェクタを用いて、測定対象液を約0.2mL/minで吸引した。酸素添加量を0.1L/minとし、プラズマ出力を1600Wとして、アンモニアガスによりセル内をパージした。時間分解能は50μsにて解析を行った。
メーカー:PerkinElmer
型式:NexION350S。
時間分解能は50μsにて解析を行った。上記した輸送効率測定用の標準物質液の測定結果及びその解析により定められた輸送効率、並びに、上記ICP標準液の測定結果及びその解析により定められた各金属原子における検量線に基づき、測定対象液の、対象原子を含む粒子性金属の濃度(Mp)を、上記分析ソフトウエアを用いて測定した。
添加剤の全質量と金属原子の全質量との合計に対する、上記で得られた金属原子の全質量の比率T1を算出した。
T1=[金属原子の全質量]/[添加剤の全質量+金属原子の全質量]
また、添加剤の全質量と粒子性金属の全質量との合計に対する、上記で得られた粒子性金属の全質量の比率T2を算出した。
T2=[粒子性金属の全質量]/[添加剤の全質量+粒子性金属の全質量]
算出結果を表1−1〜表1−3及び表2−1〜表2−6に示す。
現像液中の過酸化物、エステル化合物、アミン化合物、及び、キレート錯体の各質量の現像液に対する比率は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC:(検出器RI))(日本分光株式会社社製、LC−2000)を用いて分析した。
現像液中の無機塩の全質量の現像液に対する比率は、イオンクロマトグラフ法(日本ダイオネクス株式会社製、DX―500)を用いて分析した。
上記の分析及び測定は、全てISOクラス2以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。結果を表2−1〜表2−3に示す。
〔欠陥の評価〕
ウェハ上表面検査装置(SP−5、KLA−Tencor社製)により、直径300mmのシリコン基板表面に存在する直径32nm以上の異物数及び各異物のアドレスを計測した。スピン回転ウェハ処理装置(イーケーシーテクノロジーズ社製)に、シリコン基板表面に存在する異物数を計測したウェハをセットした。セットされたウェハの表面、上述の半導体製造用処理液を1.5L/minの流量で1分間吐出した。その後、スピン乾燥を行った。ウェハ上表面検査装置を用いて、ウェハ上の異物数及びアドレスを計測した。上述の半導体製造用処理液をスピン乾燥した後に、新たに増加した異物に対して、欠陥解析装置 (SEM VISION G6、APPLIED MATERIALS社製)を用いてEDX(Energy dispersive X−ray spectrometry:エネルギー分散型X線分析)
による元素解析を行った。Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znを対象金属元素として、対象金属元素を含む異物をパーティクルとしてカウントした。得られたパーティクルの数を以下の評価基準に従って評価した。結果を表2−4〜表2−6に示す。
0個未満である。
B:対象金属原子を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が100個以上〜300個未満である。
C:対象金属原子を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が300個以上〜500個未満である。
D:対象金属原子を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が500個以上〜700個未満である。
E:対象金属原子を含有した直径32nm以上のパーティクルの数が700個以上である。
[合成例1:樹脂(1)の合成]
窒素気流下でシクロヘキサノン8.6gを3つ口フラスコに入れ、これを80℃に加熱した。その後、2−アダマンチルイソプロピルメタクリレート9.8gと、ジヒドロキシアダマンチルメタクリレート4.4gと、ノルボルナンラクトンメタクリレート8.9gと、重合開始剤V−601(和光純薬工業(株)製)をモノマーに対し8mol%とを、シクロヘキサノン79gに溶解し、モノマー溶液を調製した。得られたモノマー溶液を上記の80℃に加熱したフラスコ中に6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃で2時間反応させた。得られた反応溶液を室温まで冷却した後、ヘキサン800ml/酢酸エチル200mlの混合溶液に20分かけて滴下した。析出した粉体を濾取した後、乾燥して、樹脂(1)を19g得た。得られた樹脂(1)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(溶媒:THF(tetrahydrofuran))による標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が9800であり、分子量分散度(Mw/Mn)は1.9であった。得られた樹脂(1)の組成比(モル比)は、1H−NMR(核磁気共鳴)測定により算出した。下記繰り返し単位の左から順に、39/20/41であった。
2−トリフルオロメチルメタクリル酸(3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−2−イル)シクロヘキシル)を0.06モル、(5−ノルボルネン−2−メチル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−オールを0.04モル調製した。この混合物を窒素雰囲気下、80℃にて攪拌しているところに、重合開始剤V−59(和光純薬工業(株)製)を1.5mol%加えて、3時間攪拌した。その後、3時間ごとに重合開始剤V−59を1.5mol%加えながら12時間攪拌し、反応させた。反応溶液をTHF(テトラヒドロフラン)20mLに溶解した後、室温まで冷却した。ヘキサン800mLを添加し、に晶析、析出した白色粉体を濾取し、疎水性樹脂(C−1)を得た。
以下を感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の成分として用意した。
樹脂(1) 2g
光酸発生剤(z2) 80mg
疎水性樹脂(C−1) 2mg
溶剤(シクロヘキサノン/プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)
60/40(質量比)
界面活性剤(メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系))
3mg
<A−5.レジスト溶液の調製>
上記に示す成分を上記溶剤に溶解して、固形分濃度7質量%の溶液を調製した。この混合溶液を0.1μmのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調整した。
〔Green顔料分散液(顔料分散液1)〕
顔料としてC.I.ピグメント・グリーン36とC.I.ピグメント・イエロー139との100/55(質量比)混合物12.6部と、分散剤としてBYK2001(Disperbyk:ビックケミー(BYK)社製、固形分濃度45.1質量%)5.2部と、分散樹脂としてベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体(酸価134mgKOH/g、Mw=30,000)2.7部と、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート78.3部とからなる混合液を、ビーズミルにより15時間混合して、Green顔料分散液を調製した。
顔料としてC.I.ピグメントレッド254 12.1部と、分散剤としてBYK2001(Disperbyk:ビックケミー(BYK)社製、固形分濃度45.1質量%)10.4部と、分散樹脂としてベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体(酸価1
34mgKOH/g、Mw=30,000)3.8部と、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート73.7部とからなる混合液を、ビーズミルにより15時間混合して、Red顔料分散液を調製した。
顔料としてC.I.ピグメント・ブルー15:6とC.I.ピグメント・バイオレット23との100/25(質量比)混合物14部と、分散剤としてBYK2001(Disperbyk:ビックケミー(BYK)社製、固形分濃度45.1質量%)4.7部と、分散樹脂としてベンジルメタクリレート/メタクリル酸共重合体(酸価134mgKOH/g、Mw=30,000)3.5部と、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート77.8部とからなる混合液を、ビーズミルにより15時間混合して、Blue顔料分散液を調製した。
上記の顔料分散液1〜3のいずれかを用い、下記組成Aとなるように混合及び撹拌して着色硬化性樹脂組成物を調製した。
顔料分散液(上記顔料分散液1〜3のいずれか) 82.35部
アルカリ可溶性樹脂 2.05部
重合開始剤 1.2部
DPHA (重合性化合物) 1.4部
M−305 (重合性化合物) 1.4部
p−メトキシフェノール 0.001部
PEGMEA 7.4部
F781 4.2部
上記組成Aに含まれる各成分は下記の通りである。
重合開始剤:BASF社製 IRGACURE OXE01[商品名]
DPHA:日本化薬社製 KARAYAD DPHA[商品名]
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
M−305:東亞合成社製 トリアクリレート及び
ペンタエリスリトールテトラアクリレートの混合物[商品名]
PEGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
F781:DIC(株)製 メガファックF−781[商品名]
アルカリ可溶性樹脂:(メタクリル酸ベンジル/メタクリル酸/メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル共重合体(=60/22/18[モル比])、重量平均分子量:15,000、数平均分子量:8,000)
なお、重量平均分子量は、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)法によるポリスチレン換算値として、測定した。
GPC法は、HLC−8020GPC(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSKgel SuperHZM−H、TSKgel SuperHZ4000、TSKgel
SuperHZ2000(東ソー(株)製、4.6mmID×15cm)を、溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いる方法に基づく。
シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、130℃で、60秒間ベークを行い、250nmのレジスト膜
を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザースキャナー(ASML社製 PAS5500/1100、NA0.75、σo/σi=0.85/0.55)を用いてパターン露光した。その後120℃で、90秒間加熱した後、上記表1−1〜表1−3に示す現像液で30秒間現像し、超純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンが形成されたシリコンウェハを得た。
得られたパターンの形状を、走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S−4800)にて観察して評価した。また、パターンの(a)パターントップ部、(b)パターン中腹部、(c)パターン−基板界面の3点におけるパターン断面の線幅を測定し、(a)〜(c)の線幅差が5%未満のものを「矩形」、(a)の線幅が(b)よりも5%以上小さく、かつ(b)の線幅が(c)よりも5%以上小さいものを「順テーパー」、(a)の線幅が(b)よりも5%以上大きく、かつ(b)の線幅が(c)よりも5%以上大きいものを「逆テーパー」、(a)と(b)の線幅差が5%未満であり、かつ(b)の線が(c)よりも5%以上大きいものを「フッティング」、(b)と(c)の線幅差が5%未満であり、かつ(a)の線幅が(b)よりも5%以上大きいものを「T−Top」とそれぞれ定義した。評価結果を表2−4〜表2−6に示す。
上記で作成したパターンを、ウェハ上表面検査装置(PUMA9850;KLA Tencor製)により、基板表面に存在する直径20nm以上の欠陥数を計測した。得られた欠陥数を下記基準に基づき評価した結果を表に示す。下記基準において、評価Cは、半導体製造用処理液として要求される欠陥の抑制能を達成している。
B:欠陥数が500超〜1000以下
C:欠陥数が1000超〜3000個以下
D:欠陥数が3000超〜5000以下
E:欠陥数が5000超
<A−9.実施例1〜39、比較例1〜15:カラーフィルタ>
上記において調製された各色の着色硬化性樹脂組成物を、あらかじめヘキサメチルジシラザンを噴霧した8インチのシリコンウェハの上に塗布し、光硬化性の塗布膜を形成した。この塗布膜の乾燥膜厚が1.0μmになるように、100℃のホットプレートを用いて180秒間加熱処理(プリベーク)を行った。次いで、ステッパー露光装置FPA−3000i5+(Canon(株)製)を使用して、i線を、365nmの波長で1.0μm四方のベイヤーパターンマスクを通して50〜1000mJ/cm2にて塗布膜に照射した(50mJ/cm2ずつ露光量を変化)。その後、照射された塗布膜が配置されているシリコンウェハをスピン・シャワー現像機(DW−30型;(株)ケミトロニクス製)の水平回転テーブル上に載置した。上記表1−1〜表1−3に示す現像液を用いて23℃で180秒間パドル現像を行い、シリコンウェハ上に着色パターンを形成した。
作製したカラーフィルタをガラス切りにて切り出し、その断面を、走査式電子顕微鏡(S−4800、日立株式会社製)を用いて、倍率15,000倍にて観察し、下記評価基準に従って評価した。評価結果を添加剤に対する金属原子の含有率とともに表2−4〜表2−6に示す。
B:パターンの線幅1.2μmに対して、線幅が1.02μm以上1.08μm未満の範囲、又は、1.32μmより大きく1.38μm以下の範囲である。
C:パターンの線幅1.2μmに対して、0.96μm以上1.02μm未満の範囲、又は、1.38μmより大きく1.44μm以下の範囲であり、実用上問題が生じない程度である。
D:パターンの線幅1.2μmに対して、0.9μm以上0.96μm未満の範囲、又は、1.44μmより大きく1.5μm以下の範囲であり、直線性が悪いが、実用上問題が生じない程度である。
E:パターンの線幅1.2μmに対して、0.9μm未満、又は、1.5μmより大きく、直線性が著しく悪い。
〔第4級アンモニウム化合物〕
上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様にして、以下の第4級アンモニウム化合物を用いた。
S−1:TMAH(Tetramethylammonium hydroxide)
〔添加剤〕
以下を添加剤として用いた。
AA−2:ニューカルゲン FS−3(竹本油脂(株))(アニオン界面活性剤:アミン塩)
AA−3:ニューカルゲン FS−7(竹本油脂(株))(アニオン界面活性剤:アミン塩)
AA−4:エマール 20C(竹本油脂(株))(アニオン界面活性剤:エーテル系)
AN−4:Surfynol S420(Air Products社製)(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−5:Surfynol S440(Air Products社製)(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−1:Surfynol S465(Air Products社製)(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−6:Surfynol S485(Air Products社製)(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−7:オルフィン E1004(日信化学工業(株))(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−8:オルフィン E1010(日信化学工業(株))(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−9:オルフィン E1020(日信化学工業(株))(ノニオン界面活性剤:アセチレン系)
AN−10:ブラウノン EL−1502.2(青木油脂(株))(ノニオン界面活性剤:エーテル系)
AN−11:ブラウノン EL−1505(青木油脂(株))(ノニオン界面活性剤:エーテル系)
AN−12:ブラウノン EL−1507.5(青木油脂(株))(ノニオン界面活性剤:エーテル系)
AN−13:ブラウノン EL−1509.5(青木油脂(株))(ノニオン界面活性剤:エーテル系)
AN−14:ブラウノン L−207(青木油脂(株))(ノニオン界面活性剤:アミン系)
AN−15:ブラウノン L−220(青木油脂(株))(ノニオン界面活性剤:アミン系)
AN−16:レオドール TW−L120(花王(株))(ノニオン界面活性剤:脂肪酸エステル系)
AN−17:レオドール SP−L10(花王(株))(ノニオン界面活性剤:脂肪酸エステル系)
AN−18:レオドール 430V(花王(株))(ノニオン界面活性剤:脂肪酸エステル系)
AC−2:パイオニン B−251(竹本油脂(株))(カチオン界面活性剤:ピリジニウム塩系)
AC−3:パイオニン B−111(竹本油脂(株))(カチオン界面活性剤:ピリジニウム塩系)
AC−4:アンヒトール 24B(花王(株))(カチオン界面活性剤:ベタイン系)
AH−2:ジエチレントリアミンペンタ酢酸(キレート剤)
〔水〕
水は、上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様である。
表3−1〜表3−4は、半導体製造用処理液に対する第4級アンモニウム化合物及び添加剤の仕込み量の比率を示す。残部は水として、表3−1〜表3−4に示す比率で混合液を各々1,000g調製した。得られた混合液を、上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様にして得られた半導体製造用処理液を現像液とした。
現像液中のNa、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znからなる群より選択される1種又は2種以上の金属原子の測定は、上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様である。
金属原子の比率T1及び粒子性金属の比率T2は、上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様にして算出した。算出結果を表3−1〜表3−4及び表4−1〜表4−8に示す。
〔欠陥の評価〕
上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様にして評価した。結果を表4−5〜表4−8に示す。
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の成分は、上述の実施例1〜39及び比較例1〜15と同様である。
レジスト溶液の調製は、上述の実施例1〜39及び比較例1〜16と同様である。
実施例1〜39及び比較例1〜16のレジストパターンと同様の方法で、レジストパターンが形成されたシリコンウェハを得た。
上述した実施例101〜152及び比較例101〜102で得られたパターンについて、ウェハ上表面検査装置(PUMA9850;KLA Tencor製)により、基板表面に存在する直径20nm以上の欠陥数を計測した。得られた欠陥数を下記基準に基づき評価した結果を表4−5〜表4−8に示す。下記基準において、評価Cは、半導体製造用処理液として要求される欠陥の抑制能を達成している。
B:欠陥数が500超〜1000以下
C:欠陥数が1000超〜3000個以下
D:欠陥数が3000超〜5000以下
E:欠陥数が5000超
<B−8.パターン倒れの評価:実施例101〜152、比較例101>
上述のパターン欠陥性能の評価で計測した欠陥に対し、パターン倒れが占める割合を下記基準に基づき評価した。その結果を表4−5〜表4−8に示す。
B:0.5〜0.8%以下
C:0.8〜0.1%以下
D:1.0〜2.0%以下
E:2.0%以上
<C.実施例153>
実施例148の処理液を、さらに高密度ポリエチレン製ろ過機にセットされたナイロンフィルター5A(ポール社製ウルチプリーツ−Pナイロン、20インチ、孔径20nm)を用いてフィルタリングした。欠陥性能の評価を実施例101〜152及び比較例101〜102と同様に行った。さらに、実施例101〜152及び比較例101〜102と同様にレジスト溶液を調製し、実施例101〜152及び比較例101〜102と同様に、欠陥性能、パターン欠陥性能及びパターン倒れの評価を行なった。欠陥性能、パターン欠陥性能及びパターン倒れの評価結果を表4−8に表す。
実施例153で使用したフィルターを、孔径が10nmであり、母体がナイロン製である精密濾過膜(日本インテグリス株式会社製)に変更し、さらに、ろ過温度を15℃とした他は実施例153と同様にして、欠陥性能、パターン欠陥性能及びパターン倒れの評価を行った。実施例153と同様の結果が得られた。
実施例1で、着色硬化性樹脂組成物中のF781を下記F−1に変更した他は実施例1と同様にして、着色硬化性樹脂組成物を準備し、カラーレジスト溶液を調製した。調製したカラーレジスト溶液を使用して、実施例1と同様の方法で、パターン直線性の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。
Claims (24)
- 下記一般式(N)で表される第4級アンモニウム化合物と、
アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び、キレート剤からなる群より選択される少なくとも1種の添加剤と、
水と
を含む半導体製造用処理液であって、
前記半導体製造用処理液は現像液であり、
Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znからなる群に属する1種又は2種以上の金属原子を含み、当該金属原子はすべて、前記半導体製造用処理液に対する含有率が各々1質量ppq〜1000質量pptであり、
前記金属原子の全質量は、前記添加剤の全質量と前記金属原子の全質量との合計に対して、1質量ppt〜1質量ppmである半導体製造用処理液。
- 前記金属原子の全質量は、前記添加剤の全質量と前記金属原子の全質量との合計に対して、1質量ppb〜1質量ppmである請求項1に記載の半導体製造用処理液。
- 前記金属原子のSP−ICP−MS法により測定される粒子性金属の全質量は、前記添加剤の全質量と前記粒子性金属の全質量との合計に対して、0.1質量ppt〜0.1質量ppmである請求項1又は2に記載の半導体製造用処理液。
- 前記金属原子のSP−ICP−MS法により測定される粒子性金属の全質量は、前記添加剤の全質量と前記粒子性金属の全質量との合計に対して、0.1質量ppt〜1質量ppbである請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- 前記半導体製造用処理液に対して、前記第4級アンモニウム化合物を25質量%以下含み、前記添加剤を1質量%以下含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- Na、K、及び、Caからなる群に属する1種又は2種以上の金属原子を含み、当該金属原子はすべて、前記半導体製造用処理液に対する含有率が各々1質量ppq〜1000質量pptである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- Naを含み、前記半導体製造用処理液に対するNaの含有率が1質量ppq〜123質量pptである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- Kを含み、前記半導体製造用処理液に対するKの含有率が1質量ppq〜4.5質量pptである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- Caを含み、前記半導体製造用処理液に対するCaの含有率が1質量ppq〜215質量pptである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- 前記添加剤として、前記ノニオン界面活性剤を少なくとも含み、
前記ノニオン界面活性剤のグリフィン式により算出されたHLBは、8以上である請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。 - 前記添加剤として、前記ノニオン界面活性剤を少なくとも含み、
前記ノニオン界面活性剤として、下記一般式(A1)で表される化合物を少なくとも含む請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基を表す。 - 前記添加剤を2種以上含む請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- 前記添加剤として、2種以上の前記ノニオン界面活性剤を含む請求項1〜9及び12のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
- 前記2種以上のノニオン界面活性剤として、グリフィン式により算出されたHLBが12以上のノニオン界面活性剤を少なくとも1種と、グリフィン式により算出されたHLBが10以下であるノニオン界面活性剤を少なくとも1種とを含む請求項13に記載の半導体製造用処理液。
- グリフィン式により算出されたHLBが12以上の前記ノニオン界面活性剤の全質量は、グリフィン式により算出されたHLBが10以下の前記ノニオン界面活性剤の全質量に対し、0.5〜4である請求項14に記載の半導体製造用処理液。
- 前記添加剤として、前記ノニオン界面活性剤を少なくとも含み、
前記ノニオン界面活性剤として、下記一般式(A1)で表される化合物を少なくとも含む請求項1〜10及び12〜15のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基を表す。 - 前記添加剤として、少なくとも2種の前記ノニオン界面活性剤を含み、
少なくとも2種の前記ノニオン界面活性剤は、前記一般式(A1)で表される化合物である請求項16に記載の半導体製造用処理液。 - 前記一般式(A1)で表される化合物は、下記一般式(A2)で表される化合物である請求項16又は17に記載の半導体製造用処理液。
Ra1、Ra2、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
m及びnは、それぞれ独立に0.5〜80の正数を表し、m+n≧1を満たす。 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、又は、着色硬化性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、
前記膜を露光することと、
露光された前記膜を請求項1〜18のいずれか1項に記載の半導体製造用処理液を用いて現像することと
を含むパターン形成方法。 - 更に、有機溶剤を含むリンス液、又は、水を用いて洗浄することを含む請求項19に記載のパターン形成方法。
- 有機溶剤を含む前記リンス液は、前記有機溶剤として、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及び、エーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶剤である請求項20に記載のパターン形成方法。
- 有機溶剤を含む前記リンス液は、前記有機溶剤として、少なくともアルコール系溶剤を含有するリンス液である請求項20又は21に記載のパターン形成方法。
- 有機溶剤を含む前記リンス液は、前記有機溶剤として、炭素数6〜8の直鎖状、分岐状又は環状の1価のアルコールを含有するリンス液である請求項20〜22のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 有機溶剤を含む前記リンス液の含水率は、30質量%以下である請求項20〜23のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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