TW202147397A

TW202147397A - 沖洗液、圖案形成方法

Info

Publication number: TW202147397A
Application number: TW110118141A
Authority: TW
Inventors: 高橋智美; 土橋徹
Original assignee: 日商富士軟片股份有限公司
Priority date: 2020-06-11
Filing date: 2021-05-19
Publication date: 2021-12-16
Also published as: JP7544818B2; US20230132693A1; WO2021251059A1; JPWO2021251059A1; KR20230006008A

Abstract

本發明的課題在於提供一種用於清洗（沖洗）光阻膜時，解析度優異、且膜損失抑制性亦優異之沖洗液及使用沖洗液之圖案形成方法。本發明的沖洗液係用於對由感光化射線或感放射線性組成物獲得之光阻膜形成光阻膜圖案的沖洗液，該沖洗液至少包含除乙酸酯以外的碳數7的第1酯系溶劑。

Description

沖洗液、圖案形成方法

本發明有關一種光阻膜圖案化用沖洗液及圖案形成方法。更詳細而言，本發明有關一種在IC（Integrated Circuit：積體電路）等半導體製造步驟、液晶及熱能頭等電路基板的製造、進而在其他感光蝕刻加工的微影步驟等中使用之沖洗液及圖案形成方法。

以往，在IC（Integrated Circuit：積體電路）及LSI（Large Scale Integrated Circuit：大型積體電路）等半導體裝置的製造製程中，進行基於利用光阻組成物之微影術的微細加工。近年來，隨著積體電路的高積體化，要求在次微米區域及四分之一微米區域形成超微細圖案。與此同時，可以發現曝光波長亦從g射線到i射線，進而到KrF準分子雷射光的短波長化的傾向。進而，現在，除準分子雷射光以外，亦正在開發使用電子束、X射線或EUV光（Extreme Ultra Violet：極紫外線）之微影。在此類微影中，由感光化射線或感放射線性組成物（亦稱為光阻組成物）形成膜（光阻膜）之後，進行藉由顯影液對所獲得之膜進行顯影或用沖洗液清洗顯影後的膜等處理。例如，在專利文獻1中公開了一種含有規定溶劑之沖洗液。

[專利文獻1]日本特開2010-152353號公報

近年來，隨著積體電路的高積體化，要求形成使用了光阻組成物之高解析度圖案。在此類微細圖案的形成中，由於隨著微細化而圖案彼此的距離變窄，因此存在產生較大的毛細管力而難以形成高品質圖案的問題。以下，將獲得高解析度圖案的情況稱為解析度優異。進而，隨著微細化，圖案的膜厚亦存在薄化傾向，因此比以往更顯著要求解除由沖洗處理時的“圖案的膜損失”導致之圖案性能的降低。以下，將能夠抑制產生圖案的膜損失之情況稱為膜損失抑制性優異。

本發明人等發現，在使用了專利文獻1中具體公開之沖洗液（4-甲基-2-戊醇）等時，解析度及膜損失抑制性中之至少一個差。

鑑於以上問題點，本發明的課題在於提供一種用於清洗（沖洗）光阻膜時，解析度優異、且膜損失抑制性亦優異之沖洗液。又，本發明的課題亦在於提供一種使用上述沖洗液之圖案形成方法。

本發明人等對上述課題進行深入研究之結果，發現藉由下述構成能夠解決上述課題，以至完成本發明。

〔1〕一種沖洗液，其用於對由感光化射線或感放射線性組成物獲得之光阻膜形成光阻膜圖案，該沖洗液至少包含除乙酸酯以外的碳數7的第1酯系溶劑。〔2〕如〔1〕所述之沖洗液，其中第1酯系溶劑的含量相對於沖洗液的總質量為10～100質量%。〔3〕如〔1〕或〔2〕所述之沖洗液，其中第1酯系溶劑包含選自包括丙酸丁酯、丁酸丙酯、戊酸乙酯、丙酸異丁酯、丁酸異丙酯、異丁酸丙酯、異丁酸異丙酯、異戊酸乙酯及己酸甲酯之群組中之至少1種。〔4〕如〔1〕至〔3〕之任一項所述之沖洗液，其中第1酯系溶劑具有直鏈狀烷基。〔5〕如〔1〕至〔4〕之任一項所述之沖洗液，其中第1酯系溶劑係丙酸丁酯。〔6〕如〔1〕至〔5〕之任一項所述之沖洗液，其中沖洗液進一步包含除第1酯系溶劑以外的有機溶劑。〔7〕如〔6〕所述之沖洗液，其中有機溶劑包含選自包括酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑及除第1酯系溶劑以外的第2酯系溶劑之群組中之至少1種。〔8〕如〔6〕或〔7〕所述之沖洗液，其中有機溶劑進一步包含酮系溶劑，酮系溶劑包含選自包括2-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、3-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-甲基-3-戊酮、3-甲基-2-戊酮、4-甲基-2-戊酮、二異丙酮、2-甲基-3-己酮及5-甲基-2-己酮之群組中之至少1種。〔9〕如〔6〕或〔7〕所述之沖洗液，其中有機溶劑進一步包含醚系溶劑，醚系溶劑包含選自包括二異丁醚及二異戊基醚之群組中之至少1種。〔10〕如〔6〕或〔7〕所述之沖洗液，其中有機溶劑進一步包含烴系溶劑，烴系溶劑包含選自包括癸烷、十一烷及均三甲苯之群組中之至少1種。〔11〕如〔6〕或〔7〕所述之沖洗液，其中有機溶劑進一步包含第2酯系溶劑，第2酯系溶劑包含選自包括乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第三丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、甲酸第三戊酯、丙酸異丙酯、丁酸乙酯及碳酸二乙酯之群組中之至少1種。〔12〕如〔1〕至〔11〕之任一項所述之沖洗液，其中感光化射線或感放射線性組成物包含具有羥基苯乙烯系重複單元之樹脂。〔13〕一種圖案形成方法，其具備：光阻膜形成步驟，使用感光化射線或感放射線性組成物來形成光阻膜；曝光步驟，對光阻膜進行曝光；及處理步驟，藉由〔1〕至〔12〕之任一項所述之沖洗液對被曝光之光阻膜進行處理。〔14〕一種圖案形成方法，其具備：光阻膜形成步驟，使用感光化射線或感放射線性組成物來形成光阻膜；曝光步驟，對光阻膜進行曝光；及處理步驟，對被曝光之光阻膜進行處理，處理步驟具備：顯影步驟，藉由顯影液進行顯影；及沖洗步驟，藉由沖洗液進行清洗，沖洗液係〔1〕至〔12〕之任一項所述之沖洗液。 [發明效果]

根據本發明，能夠提供一種用於清洗（沖洗）光阻膜時，解析度優異、且膜損失抑制性亦優異之沖洗液。又，根據本發明，能夠提供一種使用上述沖洗液之圖案形成方法。

以下，對本發明進行詳細說明。以下所記載之構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施態樣來進行，但本發明並不限定於該種實施態樣。

關於本說明書中的基團（原子團）的標記，只要不違背本發明的主旨，未標有經取代及未經取代的標記同時包括不具有取代基之基團和具有取代基之基團。例如，“烷基”不僅包括不具有取代基之烷基（未經取代之烷基），亦包括具有取代基之烷基（經取代之烷基）。又，本說明書中的“有機基團”係指包含至少一個碳原子之基團。

在本說明書中，“光化射線”或“放射線”例如表示水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線（EUV光：Extreme Ultraviolet）、X射線及電子束（EB：Electron Beam）等。本說明書中的“光”係指光化射線或放射線。

在本說明書中，若沒有特別說明，則“曝光”亦包括基於水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線、X射線及EUV光等之曝光，以及基於電子束及離子束等粒子束之描繪。

本說明書中，“～”以將記載於其前後之數值作為下限值及上限值而包括之含義而使用。

若沒有特別說明，則在本說明書中標記之2價基團的鍵結方向並不受限制。例如，由構成為“X-Y-Z”之通式表示之化合物中的Y係-COO-時，Y可以為-CO-O-，亦可以為-O-CO-。又，上述化合物可以為“X-CO-O-Z”，亦可以為“X-O-CO-Z”。

在本說明書中，（甲基）丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，（甲基）丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。

在本說明書中，作為鹵素原子，例如可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

在本說明書中，將樹脂的重量平均分子量（Mw）、數量平均分子量（Mn）及分散度（以下，亦稱為亦稱為分子量分佈。）（Mw/Mn）定義為藉由利用GPC（凝膠滲透層析術；Gel Permeation Chromatography）裝置（TOSOH CORPORATION製HLC-8120GPC）的GPC測定（溶劑：四氫呋喃，流量（樣品注入量）：10μL、管柱：TOSOH CORPORATION製TSK gel Multipore HXL-M、管柱溫度：40℃、流速：1.0mL/分鐘、檢測器：示差折射率檢測器（Refractive Index Detector））的聚苯乙烯換算值。

在本說明書中，沸點係指1個大氣壓下的沸點。

在本說明書中，溶劑係指25℃下為液體狀之有機化合物。關於沖洗液中包含之有機化合物的種類及含量等，例如，利用DI-MS（直接進樣質量色譜法，Direct injection mass Chromatography）測定。

[沖洗液] 本發明的沖洗液至少包含除後述乙酸酯以外的碳數7的第1酯系溶劑（以下，亦稱為“第1酯系溶劑”。）。又，沖洗液係為了對由感光化射線或感放射線性組成物（以下，亦稱為“光阻組成物”。）獲得之光阻膜進行清洗而使用之光阻膜圖案化用沖洗液。

作為本發明的沖洗液的特徵，可舉出包含第1酯系溶劑。對光阻膜進行曝光及顯影等而形成圖案時，通常使用高極性溶劑。然而，高極性溶劑有時會連光阻膜的圖案本身亦溶解而導致圖案的膜損失。又，大多數此類高極性溶劑的揮發性低，尤其，可能會成為使密集圖案中的解析度劣化（例如，導致發生密集圖案中的圖案崩塌）的因素。本發明人等基於上述見解進行研究之結果，明確了藉由包含第1酯溶劑之沖洗液，可抑制所形成之圖案的膜損失，同時亦能夠提高解析度。本發明人推測，藉由使用包含第1酯系溶劑之沖洗液，抑制使圖案溶解或膨潤的作用，其結果有助於基於圖案的溶解抑制之膜損失抑制性及解析度的改善。以下，將可獲得更優異之解析度及更優異之膜損失抑制性中的至少一個效果之情況稱為本發明的效果更優異。

以下，對本發明的沖洗液進行詳細說明。

〔除乙酸酯以外的碳數7的第1酯系溶劑〕本發明的沖洗液包含除乙酸酯以外的碳數7的第1酯系溶劑（第1酯系溶劑）。第1酯系溶劑係碳數7且除乙酸酯以外的酯系溶劑。又，乙酸酯係指由乙酸與醇生成之酯，例如，可舉出乙酸異戊酯等。

第1酯系溶劑的含量相對於沖洗液的總質量，1～100質量%的情況較多，10～100質量%為較佳，10～90質量%為更佳，20～80質量%為進一步較佳，20～50質量%為特佳，20～40質量%為最佳。

從本發明的效果更優異之方面考慮，第1酯系溶劑包含選自包括丙酸丁酯、丁酸丙酯、戊酸乙酯、丙酸異丁酯、丁酸異丙酯、異丁酸丙酯、異丁酸異丙酯、異戊酸乙酯及己酸甲酯之群組中之至少1種為較佳，包含選自包括丙酸丁酯、丁酸丙酯、戊酸乙酯及己酸甲酯之群組中之至少1種為更佳，包含丙酸丁酯為進一步較佳。

第1酯系溶劑可以具有直鏈狀或支鏈狀烷基或直鏈狀或支鏈狀烯基。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，第1酯系溶劑具有直鏈狀或支鏈狀烷基為較佳，具有直鏈狀烷基為更佳。又，第1酯系溶劑可以具有一個或複數個上述烷基或上述烯基。上述烷基或上述烯基的碳數係1～6為較佳，2～4為更佳。另一方面，從揮發性和/或溶解性方面考慮，第1酯系溶劑在分子內具有的氧原子數係2為較佳。又，第1酯系溶劑僅由直鏈狀或支鏈狀烷基（支鏈狀烷基為較佳）、酯鍵及酯鍵中的可以與羰基碳鍵結之氫原子構成為較佳。進而，第1酯系溶劑不具有芳香環基、氧代基、胺基和/或胺甲醯基亦較佳。第1酯系溶劑具有雜原子（例如，氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子等）時，作為雜原子，僅氧原子為較佳。

第1酯系溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

〔除第1酯系溶劑以外的有機溶劑〕本發明的沖洗液可以包含除第1酯系溶劑以外的有機溶劑（以下，亦稱為“第2有機溶劑”。）。作為第2有機溶劑，例如，可舉出酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑及除第1酯系溶劑以外的第2酯系溶劑。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，作為第2有機溶劑，除第1酯系溶劑以外的第2酯系溶劑為較佳。

＜酮系溶劑＞第2有機溶劑可以包含酮系溶劑。

作為酮系溶劑，例如，可舉出2-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、3-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-甲基-3-戊酮、3-甲基-2-戊酮、4-甲基-2-戊酮、二異丙酮、2-甲基-3-己酮及5-甲基-2-己酮。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，酮系溶劑包含選自包括2-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、3-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-甲基-3-戊酮、3-甲基-2-戊酮、4-甲基-2-戊酮、二異丙酮、2-甲基-3-己酮及5-甲基-2-己酮之群組中之至少1種為較佳，包含選自包括2-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、3-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-甲基-3-戊酮、3-甲基-2-戊酮及4-甲基-2-戊酮之群組中之至少1種為更佳，包含選自包括2-庚酮及2,6-二甲基-4-庚酮之群組中之至少1種為進一步較佳。

酮系溶劑的碳數係3～10為較佳，5～9為更佳，7～9為進一步較佳。酮系溶劑可以具有直鏈狀結構、支鏈狀結構或環狀結構。酮系溶劑可以具有直鏈狀或支鏈狀烷基。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，酮系溶劑具有支鏈狀烷基為較佳。又，酮系溶劑可以具有1個或複數個上述烷基。另一方面，從揮發性和/或溶解性方面考慮，酮系溶劑在分子內具有的氧原子數係1為較佳。又，酮系溶劑僅由直鏈狀或支鏈狀烷基（支鏈狀烷基為較佳）及羰基鍵構成為較佳。進而，酮系溶劑不具有芳香環基、烷氧基羰基、氧代基、胺基和/或胺甲醯基亦較佳。酮系溶劑具有雜原子（例如，氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子等）時，作為雜原子，僅氧原子為較佳。

酮系溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

＜醚系溶劑＞第2有機溶劑可以包含醚系溶劑。

作為醚系溶劑，例如，可舉出二異丙醚、二異丁醚及二異戊基醚等烷基醚；丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚及二乙二醇二乙醚等二醇醚；苯甲醚、苯乙醚、二㗁𠮿、四氫呋喃、四氫吡喃、全氟-2-丁基四氫呋喃、全氟四氫呋喃、1,4-二㗁𠮿及異丙醚。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，醚系溶劑包含選自包括烷基醚及二醇醚之群組中之至少1種為較佳，包含選自包括二異丁醚及二異戊基醚之群組中之至少1種為更佳。

醚系溶劑的碳數係3～15為較佳，5～12為更佳，6～10為進一步較佳。醚系溶劑可以具有直鏈狀結構、支鏈狀結構或環狀結構。醚系溶劑可以具有直鏈狀烷基或支鏈狀烷基。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，醚系溶劑具有支鏈狀烷基為較佳。又，醚系溶劑可以具有1個或複數個上述烷基。醚系溶劑具有複數個上述烷基時，複數個烷基係同一烷基為較佳。另一方面，從揮發性和/或溶解性方面考慮，醚系溶劑在分子內具有的氧原子數係1為較佳。又，醚系溶劑僅由直鏈狀或支鏈狀烷基（支鏈狀烷基為較佳）及醚鍵構成為較佳。進而，醚系溶劑不具有芳香環基、烷氧基羰基、氧代基、胺基和/或胺甲醯基亦較佳。醚系溶劑具有雜原子（例如，氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子等）時，作為雜原子，僅氧原子為較佳。

醚系溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

＜烴系溶劑＞第2有機溶劑可以包含烴系溶劑。作為烴系溶劑，例如，可舉出脂肪族烴系溶劑。又，作為烴系溶劑，可以為芳香族烴系溶劑及不飽和烴系溶劑中的任一個。芳香族烴系溶劑係指具有芳香環結構之烴系溶劑。芳香族烴系溶劑具有芳香環結構即可，可以進一步具有脂肪族烴基。

作為烴系溶劑，例如，可舉出戊烷、己烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、十一烷、十六烷、2,2,4-三甲基戊烷及2,2,3-三甲基己烷等脂肪族烴系溶劑；均三甲苯、異丙苯、偏三甲苯、1,2,4,5-四甲苯、對異丙基甲苯（p-cymene）、甲苯、二甲苯、乙基苯、丙基苯、1-甲基丙基苯、2-甲基丙基苯、二甲基苯、二乙基苯、乙基甲基苯、三甲基苯、乙基二甲基苯及二丙基苯等芳香族烴系溶劑；辛烯、壬烯、癸烯、十一碳烯、十二碳烯及十六碳烯等不飽和烴系溶劑。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，烴系溶劑包含選自包括脂肪族烴及芳香族烴系溶劑之群組中之至少1種為較佳，包含選自包括辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、十一烷、十六烷、均三甲苯、異丙苯、偏三甲苯、1,2,4,5-四甲苯及對異丙基甲苯之群組中之至少1種為更佳，包含選自包括癸烷、十一烷及均三甲苯之群組中之至少1種為進一步較佳。

烴系溶劑的碳數係3～15為較佳，5～12為更佳，7～12為進一步較佳。烴系溶劑可以具有直鏈狀結構、支鏈狀結構或環狀結構。其中，烴系溶劑具有直鏈狀結構為較佳。烴系溶劑可以具有直鏈狀或支鏈狀烷基。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，烴系溶劑具有直鏈狀烷基為較佳。又，烴系溶劑可以具有1個或複數個上述烷基。另一方面，從揮發性和/或溶解性方面考慮，烴系溶劑僅由芳香環及直鏈狀或支鏈狀烷基（直鏈狀烷基為較佳）構成或僅由直鏈狀或支鏈狀烷基（直鏈狀烷基為較佳）構成為較佳。

烴系溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

＜除第1酯系溶劑以外的第2酯系溶劑＞第2有機溶劑可以包含除第1酯系溶劑以外的第2酯系溶劑（以下，亦稱為“第2酯系溶劑”。）。第2酯系溶劑係上述除第1酯系溶劑以外的酯系溶劑。亦即，第2酯系溶劑可以為乙酸酯。又，第2酯系溶劑中亦包含碳酸酯。

作為第2酯系溶劑，例如，可舉出乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第三丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、甲酸第三戊酯、丙酸異丙酯、丙酸己酯、丁酸乙酯、異丁酸乙酯、丁酸丁酯、丁酸異丁酯、異丁酸丁酯、異丁酸異丁酯、碳酸二乙酯、碳酸二丁酯、己酸乙酯、己酸丙酯、己酸異丙酯、己酸丁酯及己酸異丁酯。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，第2酯系溶劑包含選自包括乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第三丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、甲酸第三戊酯、丙酸異丙酯、丁酸乙酯及碳酸二乙酯之群組中之至少1種為較佳，包含選自包括乙酸丁酯、乙酸異丁酯及丙酸異丙酯之群組中之至少1種為更佳。

第2酯系溶劑的碳數係3～10為較佳，5～10為更佳，5～7為進一步較佳。第2酯系溶劑可以具有直鏈狀或支鏈狀烷基、或者直鏈狀或支鏈狀烯基。其中，從本發明的效果更優異之方面考慮，第2酯系溶劑具有直鏈狀或支鏈狀烷基為較佳，具有支鏈狀烷基為更佳。又，第2酯系溶劑可以具有一個或複數個上述烷基或上述烯基。上述烷基或上述烯基的碳數係1～9為較佳，1～6為更佳，1～4為進一步較佳。另一方面，從揮發性和/或溶解性方面考慮，第2酯系溶劑在分子內具有的氧原子數係2～3為較佳，2為更佳。又，第2酯系溶劑僅由直鏈狀或支鏈狀烷基（支鏈狀烷基為較佳）、酯鍵及酯鍵中的可以與羰基碳鍵結之氫原子構成為較佳。進而，第2酯系溶劑不具有芳香環基、氧代基、胺基和/或胺甲醯基亦較佳。第2酯系溶劑具有雜原子（例如，氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子等）時，作為雜原子，僅氧原子為較佳。

第2有機溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。本發明的沖洗液包含第2有機溶劑時，第2有機溶劑的含量相對於沖洗液的總質量，1～99質量%的情況較多，1～90質量%為較佳，10～90質量%為更佳，20～80質量%為進一步較佳，50～80質量%為特佳，60～80質量%為最佳。

又，與沖洗液中包含之第1酯系溶劑或連同第2有機溶劑，沖洗液可以有意或不可避免地包含上述溶劑的位置異構物（例如，具有直鏈狀烷基或支鏈狀烷基之第1酯系溶劑或第2有機溶劑的位置異構物等）。

＜相對於第2有機溶劑的含量之第1酯系溶劑的含量＞本發明的沖洗液包含第2有機溶劑時，第1酯系溶劑的含量與第2有機溶劑的含量的質量比（第1酯系溶劑的含量/第2有機溶劑的含量）的值在0.01～100的情況較多，0.1～50為較佳，0.2～10為更佳，0.2～4.0為進一步較佳，0.2～1.0為特佳，0.2～0.8為最佳。第1酯系溶劑與第2有機溶劑的合計含量相對於沖洗液的總質量，95.0質量%以上為較佳，98.0質量%以上為更佳，99.0質量%以上為進一步較佳，99.5質量%以上為特佳，99.9質量%以上為最佳。上述合計含量的上限並沒有特別限制，100質量%以下為較佳。

〔其他成分〕本發明的沖洗液可以包含除上述以外的其他成分。

＜金屬成分＞本發明的沖洗液可以包含金屬成分。作為金屬成分，可舉出金屬粒子及金屬離子。另外，稱為金屬成分的含量時，表示金屬粒子與金屬離子的合計含量。沖洗液可以包含金屬粒子及金屬離子中的任一個，亦可以包含兩者。

作為金屬成分中包含之金屬原子，例如，可舉出選自包括Ag、Al、As、Au、Ba、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ga、Ge、K、Li、Mg、Mn、Mo、Na、Ni、Pb、Sn、Sr、Ti及Zn之群組中之金屬原子。金屬成分可以包含1種金屬原子，亦可以包含2種以上。金屬粒子可以為單體或合金，亦可以以金屬與有機物締合之形態存在。金屬成分可以為不可避免地包含在沖洗液中包含之各成分（原料）中之金屬成分，亦可以為製造、儲存和/或移送沖洗液時不可避免地包含之金屬成分，亦可以有意添加。

沖洗液包含金屬成分時，金屬成分的含量相對於沖洗液的總質量，大於0質量ppt且1質量ppm以下為較佳，大於0質量ppt且10質量ppb以下為更佳，大於0質量ppt且10質量ppt以下為進一步較佳。另外，沖洗液中的金屬成分的種類及含量能夠藉由ICP-MS法（感應耦合電漿質譜法）測定。

＜離子性液體＞本發明的沖洗液可以包含離子性液體。另外，沖洗液包含離子性液體時，離子性液體不包含在上述第1酯系溶劑及第2有機溶劑中。作為離子性液體，例如，具有吡啶鎓離子或咪唑鎓離子等芳香族系離子或三甲基己基銨離子等脂肪族胺系離子等陽離子之離子性液體；具有NO₃ ^- 、CH₃ CO₂ ^- 、BF₆ ^- 或PF₆ ^- 等無機系離子或（CF₃ SO₂ ）₂ N^- 、CF₃ CO₂ ^- 、或CF₃ SO₂ ^- 等含氟有機陰離子等之離子性液體；4級銨鹽系離子性液體為較佳。

作為離子性液體的市售品，例如，可舉出IL-P14及IL-A2（KOEI CHEMICAL CO.,LTD.製）；ELEGAN SS-100（NOF CORPORATION製）等4級銨鹽系離子性液體等。離子性液體可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

本發明的沖洗液包含離子性液體時，離子性液體的含量相對於沖洗液的總質量，0.5～15質量%為較佳，1～10質量%為更佳，1～5質量%為進一步較佳。

＜界面活性劑＞本發明的沖洗液可以包含界面活性劑。沖洗液包含界面活性劑時，沖洗液對光阻膜的潤濕性提高而更有效地進行顯影和/或沖洗。作為界面活性劑，能夠使用與後述光阻組成物中包含之界面活性劑相同者。界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。本發明的沖洗液包含界面活性劑時，界面活性劑的含量相對於沖洗液的總質量，0.001～5質量%為較佳，0.005～2質量%為更佳，0.01～0.5質量%為進一步較佳。

＜抗氧化劑＞本發明的沖洗液可以包含抗氧化劑。作為抗氧化劑，胺系抗氧化劑或酚系抗氧化劑為較佳。抗氧化劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。本發明的沖洗液包含抗氧化劑時，抗氧化劑的含量相對於沖洗液的總質量，0.0001～1質量%為較佳，0.0001～0.1質量%為更佳，0.0001～0.01質量%為進一步較佳。

＜鹼性化合物＞本發明的沖洗液可以包含鹼性化合物。作為鹼性化合物，例如，可舉出後述光阻組成物中包含之酸擴散控制劑。鹼性化合物可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。本發明的沖洗液包含鹼性化合物時，鹼性化合物的含量相對於沖洗液的總質量，10質量%以下為較佳，0.5～5質量%為更佳。另外，在本發明中，上述鹼性化合物可以僅使用1種，亦可以使用化學結構不同的2種以上。

＜其他溶劑＞本發明的沖洗液可以包含其他溶劑。作為其他溶劑，並沒有特別限制，例如，可舉出烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑等第2有機溶劑、以及不屬於上述第1酯系溶劑中的任一個之溶劑。

＜沸點300℃以上的有機物＞將包含沸點300℃以上的有機物之沖洗液適用於半導體裝置製造製程時，高沸點的上述有機物有時不揮發而殘留，由此成為基板的缺陷不良的原因。關於沸點300℃以上的有機物，例如，認為用於製造裝置的構件之塑膠材料（例如，O型環等）中包含之樹脂成分或可塑劑等，推測為在製造過程中的任意時點溶出於液體中者。

沖洗液中包含沸點300℃以上的有機物時，從用於半導體裝置製造製程時抑制基板的缺陷不良之方面考慮，上述沸點300℃以上的有機物的含量相對於沖洗液的總質量，0.001～50質量ppm為較佳，0.001～30質量ppm為更佳，0.001～15質量ppm為進一步較佳，0.001～10質量ppm為特佳，0.001～1質量ppm為最佳。

作為沸點300℃以上的有機物，例如，確認到從O型環溶出之酞酸二辛酯（DOP，沸點385℃）等成分、酞酸二異壬酯（DINP，沸點403℃）、己二酸二辛酯（DOA，沸點335℃）、酞酸二丁酯（DBP，沸點340℃）及乙烯-丙烯橡膠（EPDM，沸點300～450℃）等。

作為使沖洗液中的沸點為300℃以上的有機物的含量在上述範圍內之方法，可舉出在後述純化步驟中舉出之方法。

〔圖案形成方法〕本發明亦有關一種使用沖洗液之圖案形成方法。圖案形成方法例如具備：（i）光阻膜形成步驟，使用光阻組成物來形成光阻膜（ii）曝光步驟，對上述光阻膜進行曝光；（iii）處理步驟，藉由上述沖洗液對被曝光之上述光阻膜進行處理。

以下，對圖案形成方法所具有之各步驟進行說明。又，作為處理步驟的一例，對各顯影步驟及沖洗步驟進行說明。

＜（i）光阻膜形成步驟＞光阻膜形成步驟係使用光阻組成物來形成光阻膜之步驟。使用光阻組成物來形成光阻膜時，例如，將後述各成分溶解於溶劑中來製備光阻組成物，並根據需要進行過濾器過濾之後，在支撐體（基板）上塗佈光阻組成物而形成光阻膜。作為過濾器的孔徑，0.1μm以下為較佳，0.05μm以下為更佳，0.03μm以下為進一步較佳。下限在0.01μm以上的情況較多。作為過濾器的材質，聚四氟乙烯、聚乙烯或尼龍為較佳。

例如，在支撐體（基板）上，藉由旋塗器等適當的塗佈方法塗佈光阻組成物。之後，乾燥塗膜（經塗佈之光阻組成物的塗膜）來形成光阻膜。根據需要，可以在光阻膜的下層形成各種基底膜（無機膜、有機膜及防反射膜）。

形成光阻膜之支撐體並沒有特別限制，能夠使用通常可以在IC等半導體的製造步驟、液晶或熱能頭等電路基板的製造步驟或其他感光蝕刻加工的微影步驟等中使用之基板。作為支撐體的具體例，亦可舉出矽、SiO₂ 及SiN等無機基板等。上述基板中亦包括由單層構成之半導體基板及由多層構成之半導體基板。構成由單層構成之半導體基板之材料並沒有特別限制，通常，由矽、矽鍺、GaAs之類的第III-V族化合物或該等的任意組合構成為較佳。在由多層構成之半導體基板的情況下，其結構並沒有特別限制，例如，可以具有在上述矽等半導體基板上露出金屬線及介電材料之類的相互連接結構（interconnect features）等之積體電路結構。作為用於相互連接結構之金屬及合金，例如，可舉出鋁、與銅形成合金之鋁、銅、鈦、鉭、鈷、矽、氮化鈦、氮化鉭及鎢。又，在半導體基板上可以具有層間介電質層、氧化矽、氮化矽、碳化矽和/或碳摻雜氧化矽等層。

作為乾燥方法，通常可以使用加熱乾燥的方法。作為加熱溫度，80～180℃為較佳，80～150℃為更佳，80～140℃為進一步較佳，80～130℃為特佳。作為加熱時間，30～1000秒為較佳，60～800秒為更佳，60～600秒為進一步較佳。

光阻膜的膜厚通常為200nm以下，100nm以下為較佳。例如，為了解析30nm以下尺寸的1:1線與空間圖案，光阻膜的膜厚係50nm以下為較佳。若光阻膜的膜厚為50nm以下，則在適用後述顯影步驟時，更不易引起圖案崩塌，並可獲得更優異之解析性能。從耐蝕刻性及解析度更優異之方面考慮，光阻膜的膜厚係15～70nm為較佳，15～65nm為更佳。

又，根據需要，可以在光阻膜與支撐體之間形成光阻下層膜（例如，SOG（Spin On Glass：旋塗玻璃）、SOC（Spin On Carbon：旋塗碳）和/或防反射膜）。作為構成抗蝕劑下層膜之材料，例如，能夠適當地使用公知的有機系或無機系材料。可以在光阻膜的上層形成保護膜（頂塗層）。作為保護膜，能夠適當地使用公知的材料。例如能夠較佳地使用美國專利申請公開第2007/0178407號說明書、美國專利申請公開第2008/0085466號說明書、美國專利申請公開第2007/0275326號說明書、美國專利申請公開第2016/0299432號說明書、美國專利申請公開第2013/0244438號說明書及國際專利申請公開第2016/157988A號說明書中所揭示之保護膜形成用組成物。作為保護膜形成用組成物，包含上述酸擴散控制劑者為較佳。又，例如，可以基於日本特開2014-059543號公報的[0072]～[0082]段的記載，形成上層膜。保護膜的膜厚係10～200nm為較佳，20～100nm為更佳，40～80nm為進一步較佳。

＜（ii）曝光步驟＞在圖案形成方法中，（ii）曝光步驟中之曝光方法可以是液浸曝光。在圖案形成方法中，在（ii）曝光步驟之前包括（iv）預加熱（PB：PreBake，以下，亦稱為“塗佈後烘烤”。）步驟為較佳。在圖案形成方法中，在（ii）曝光步驟之後且在（iii）顯影步驟之前包括（v）曝光後加熱（PEB：Post Exposure Bake，亦稱為曝光後烘烤。）步驟為較佳。圖案形成方法可以包括複數次（ii）曝光步驟。圖案形成方法可以包括複數次（iv）預加熱步驟。圖案形成方法可以包括複數次（v）曝光後加熱步驟。

在圖案形成方法中，（ii）曝光步驟能夠藉由公知的方法進行。

在（iv）預加熱步驟及（v）曝光後加熱步驟中的任一個中，加熱溫度係80～150℃為較佳，80～140℃為更佳，80～130℃為進一步較佳。在（iv）預加熱步驟及（v）曝光後加熱步驟中的任一個中，加熱時間均為30～1000秒為較佳，60～800秒為更佳，60～600秒為進一步較佳。加熱能夠利用曝光裝置及顯影裝置所具備之機構來進行，亦可以使用加熱板等來進行。

在曝光步驟中使用之光源波長並沒有限制，例如可舉出紅外光、可見光、紫外光、遠紫外線、極紫外線（EUV光）、X射線及電子束等。其中，遠紫外線為較佳，其波長係250nm以下為較佳，220nm以下為更佳，1～200nm為進一步較佳。具體而言，可舉出KrF準分子雷射光（248nm）、ArF準分子雷射光（193nm）、F₂ 準分子雷射光（157nm）、X射線、EUV（13nm）及電子束等。其中，KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、EUV或電子束為較佳，EUV或電子束為更佳。

＜（iii）對被曝光之膜進行處理之步驟＞通常，（iii）對被曝光之膜進行處理之步驟包括（vi）藉由顯影液進行顯影之顯影步驟（顯影步驟）及（vii）藉由沖洗液進行清洗之沖洗步驟（沖洗步驟）。本發明的沖洗液用作沖洗步驟中的沖洗液為較佳。

（顯影步驟）顯影步驟係藉由顯影液對被曝光之上述光阻膜進行顯影之步驟。

作為顯影方法，例如，可舉出將基板在裝滿了顯影液之槽中浸漬一定時間之方法（浸漬法）、使顯影液藉由表面張力堆積至基板表面並靜止一定時間之方法（覆液法）、對基板表面噴射顯影液之方法（噴塗法）及在以一定速度旋轉之基板上一邊以一定速度掃描噴出顯影液噴嘴一邊持續噴出顯影液之方法（動態分配法）等。又，在顯影步驟之後，亦可以實施一邊替換其他溶劑，一邊停止顯影之步驟。作為顯影時間，10～300秒為較佳，20～120秒為更佳。作為顯影液的溫度，0～50℃為較佳，15～35℃為更佳。

＜＜顯影液＞＞以下，對顯影液進行說明。在顯影液中使用之溶劑的蒸氣壓（混合溶劑的情況下為整體的蒸氣壓）在20℃下，5kPa以下為較佳，3kPa以下為更佳，2kPa以下為進一步較佳。藉由將溶劑的蒸氣壓設為5kPa以下，顯影液在基板上或顯影杯內的蒸發得到抑制，基板面內的溫度均勻性得到提高，其結果，基板面內的尺寸均勻性得到改善。作為在顯影液中使用之溶劑，例如，可舉出後述酯系溶劑、酮系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑及烴系溶劑等。其中，作為顯影液，選自包括酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醚系溶劑之群組中之至少1種為較佳，酯系溶劑為更佳，乙酸丁酯為進一步較佳。

作為酯系溶劑，例如，可舉出乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸戊酯、乙酸丙酯、乙酸異丙酯、乙酸異戊酯及乙酸3-甲基丁酯、乙酸2-甲基丁酯、乙酸1-甲基丁酯、乙酸己酯、乙酸異己酯、乙酸庚酯、乙酸辛酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA；別稱1-甲氧基-2-乙醯氧基丙烷）、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、丙酸丁酯、丙酸戊酯、丙酸己酯、丙酸庚酯、丁酸丁酯、丁酸異丁酯、丁酸戊酯、丁酸己酯、異丁酸異丁酯、戊酸丙酯、戊酸異丙酯、戊酸丁酯、戊酸戊酯、己酸乙酯、己酸丙酯、己酸丁酯、己酸異丁酯、庚酸甲酯、庚酸乙酯、庚酸丙酯、乙酸環己酯、乙酸酸環庚酯、乙酸2-乙基己酯、丙酸環戊酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯及丙基-3-甲氧基丙酸酯等。其中，乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸2-甲基丁酯、乙酸1-甲基丁酯、乙酸己酯、丙酸戊酯、丙酸己酯、丙酸庚酯或丁酸丁酯為較佳，乙酸丁酯或乙酸異戊酯為更佳，乙酸丁酯為進一步較佳。

作為酮系溶劑，例如可舉出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、2-庚酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮（ionone）、二丙酮醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮、碳酸丙烯酯及γ-丁內酯等。其中，作為酮系溶劑，2-庚酮為較佳。

作為醇系溶劑，例如，可舉出甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、第三丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、1-癸醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、3-甲基-3-戊醇、環戊醇、2,3-二甲基-2-丁醇、3,3-二甲基-2-丁醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-3-戊醇、環己醇、5-甲基-2-己醇、4-甲基-2-己醇、4,5-二甲基-2-己醇、6-甲基-2-庚醇、7-甲基-2-辛醇、8-甲基-2-壬醇、9-甲基-2-癸醇及3-甲氧基-1-丁醇等1價醇；乙二醇、二乙二醇及三乙二醇等二醇系溶劑；乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚（PGME；別稱1-甲氧基-2-丙醇）、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、甲氧基甲基丁醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚及丙二醇單苯醚等包含羥基之二醇醚系溶劑；等。其中，作為醇系溶劑，二醇醚系溶劑為較佳。

作為醚系溶劑，例如，除了上述包含羥基之二醇醚系溶劑以外，亦可舉出丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚及二乙二醇二乙醚等不包含羥基之二醇醚系溶劑；苯甲醚及苯乙醚等芳香族醚溶劑；二㗁𠮿、四氫呋喃、四氫吡喃、全氟-2-丁基四氫呋喃、全氟四氫呋喃、1,4-二㗁𠮿及異丙醚等。其中，作為醚系溶劑，二醇醚系溶劑或苯甲醚等芳香族醚溶劑為較佳。

作為醯胺系溶劑，例如，可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、六甲基磷酸三醯胺及1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等。

作為烴系溶劑，例如，可舉出戊烷、己烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、十一烷、十六烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,2,3-三甲基己烷、全氟己烷及全氟庚烷等脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯、乙基苯、丙基苯、1-甲基丙基苯、2-甲基丙基苯、二甲基苯、二乙基苯、乙基甲基苯、三甲基苯、乙基二甲基苯及二丙基苯等芳香族烴系溶劑；等。又，作為烴系溶劑，可以為不飽和烴系溶劑。作為不飽和烴系溶劑，例如，可舉出辛烯、壬烯、癸烯、十一碳烯、十二碳烯及十六碳烯等不飽和烴系溶劑。不飽和烴系溶劑所具有之雙鍵或三鍵的數量並沒有特別限制，又，亦可以在烴鏈的任意位置具有。又，不飽和烴系溶劑具有雙鍵時，可以混合具有順式體及反式體。另外，在作為烴系溶劑的脂肪族烴系溶劑中，可以為碳數相同但結構不同的化合物的混合物。例如，作為脂肪族烴系溶劑，使用癸烷時，碳數相同但結構不同的化合物亦即2-甲基壬烷、2,2-二甲基辛烷、4-乙基辛烷及異辛烷等可以包含在脂肪族烴系溶劑中。又，上述碳數相同但結構不同的化合物可以僅包含1種，亦可以如上所述包含複數種。

作為顯影液，從在上述曝光步驟中使用EUV光及電子束時進一步抑制光阻膜的膨潤之方面考慮、碳數6以上（6～14為較佳，6～12為更佳，6～10為進一步較佳）且雜原子數2以下的酯系溶劑為較佳。作為上述雜原子，除碳原子及氫原子以外的原子即可，例如，可舉出氧原子、氮原子及硫原子等。雜原子數係2以下為較佳。作為碳數6以上且雜原子數2以下的酯系溶劑的具體例，選自包括乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸2-甲基丁酯、乙酸1-甲基丁酯、乙酸己酯、丙酸戊酯、丙酸己酯、丙酸庚酯、丁酸丁酯、異丁酸丁酯及異丁酸異丁酯之群組中之至少1種為較佳，乙酸異戊酯或異丁酸丁酯為更佳。

作為顯影液，從在上述曝光步驟中使用EUV光及電子束時進一步抑制光阻膜的膨潤之方面考慮，可以使用酯系溶劑及烴系溶劑的混合溶劑或酮系溶劑及烴系溶劑的混合溶劑來代替上述碳數6以上且雜原子數2以下的酯系溶劑。

在上述混合溶劑中，烴系溶劑的含量取決於光阻膜的溶劑溶解性，因此並沒有特別限制，適當製備並確定需要量即可。

在酯系溶劑及烴系溶劑的混合溶劑中，作為酯系溶劑，乙酸異戊酯為較佳。作為烴系溶劑，從容易調整光阻膜的溶解性之方面考慮，飽和烴系溶劑（例如，辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、十一烷及十六烷等）為較佳。

在酮系溶劑及烴系溶劑的混合溶劑中，作為酮系溶劑，例如可舉出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、2-庚酮（甲基戊基酮）、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、2,5-二甲基-4-己酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮（ionone）、二丙酮醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮及碳酸丙烯酯等。其中，作為上述酮系溶劑，二異丁基酮或2,5-二甲基-4-己酮為較佳。作為上述烴系溶劑，從容易調整光阻膜的溶解性之方面考慮，飽和烴系溶劑（例如，辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、十一烷及十六烷等）為較佳。

上述溶劑可以混合複數種，亦可以與除上述以外的溶劑或水進行混合。作為顯影液整體的含水率小於50質量%為較佳，小於20質量%為更佳，小於10質量%為進一步較佳，實質上不含水分為特佳。溶劑在有機系顯影液中的含量相對於顯影液的總質量，50～100質量%為較佳，80～100質量%為更佳，90～100質量%為進一步較佳，95～100質量%為特佳。

顯影液可以根據需要包含適當量的公知的界面活性劑。

界面活性劑的含量相對於顯影液總質量，0.001～5質量%為較佳，0.005～2質量%為更佳，0.01～0.5質量%為進一步較佳。

顯影液可以包含鹼性化合物。作為鹼性化合物的具體例，可舉出後述光阻組成物中包含之酸擴散控制劑。

作為用作顯影液之溶劑，除上述酯系溶劑以外，由下述通式（S1）或下述由通式（S2）表示之溶劑亦較佳。作為上述酯系溶劑，由通式（S1）表示之溶劑為更佳，乙酸烷基酯為進一步較佳，乙酸丁酯、乙酸戊酯或乙酸異戊酯為特佳。

R-C（＝O）-O-R’ 通式（S1）

在通式（S1）中，R及R’分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基羰基、烷氧基羰基、羧基、羥基、氰基或鹵素原子。R及R’可以相互鍵結而形成環。作為由R及R’表示之烷基、烷氧基羰基及烷氧基羰基的碳數，1～15為較佳，作為環烷基的碳數，3～15為較佳。由R及R’表示之烷基、環烷基、烷氧基羰基及烷氧基羰基、以及R與R’彼此鍵結而形成之環可以具有取代基。作為取代基，並沒有特別限制，例如，可舉出羥基、包含羰基之基團（例如，醯基、醛基及烷氧基羰基等）及氰基等。其中，作為R及R’，氫原子或烷基為較佳。

作為由通式（S1）表示之溶劑，例如，可舉出乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯及2-羥基丙酸乙酯等。其中，作為由通式（S1）表示之溶劑，乙酸烷基酯為較佳，乙酸丁酯、乙酸戊酯或乙酸異戊酯為更佳，乙酸異戊酯為進一步較佳。

顯影液包含由通式（S1）表示之溶劑時，顯影液可以進一步包含1種以上其他溶劑（以下，亦稱為“併用溶劑”。）。作為併用溶劑，只要能夠混合於由通式（S1）表示之溶劑中而不會產生分離，則並沒有特別限制，可舉出選自包括除了由通式（S1）表示之溶劑以外的酯系溶劑、酮系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑及烴系溶劑之群組中之至少1種。併用溶劑可以為1種，亦可以為2種以上，為了獲得穩定的性能，1種為較佳。顯影液係由通式（S1）表示之溶劑與1種併用溶劑的混合溶劑時，由通式（S1）表示之溶劑與併用溶劑的含量的質量比[由通式（S1）表示之溶劑的含有質量/併用溶劑的含有質量]通常為20/80～99/1，50/50～97/3為較佳，60/40～95/5為更佳，60/40～90/10為進一步較佳。

作為用作顯影液之溶劑，由下述由通式（S2）表示之溶劑亦較佳。

R’’-C（＝O）-O-R’’’-O-R’’’’ 通式（S2）

在通式（S2）中，R’’及R’’’’分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基羰基、烷氧基羰基、羧基、羥基、氰基或鹵素原子。R’’及R’’’’可以相互鍵結而形成環。作為R’’及R’’’’，氫原子或烷基為較佳。作為由R’’及R’’’’表示之烷基、烷氧基羰基及烷氧基羰基的碳數，1～15為較佳，作為環烷基的碳數，3～15為較佳。 R’’’表示伸烷基或伸環烷基，伸烷基為較佳。作為由R’’’表示之伸烷基的碳數，1～10為較佳，作為R’’’表示之伸環烷基的碳數，3～10為較佳。另外，作為由R’’’表示之伸烷基，可以在伸烷基鏈中具有醚鍵。由R’’及R’’’’表示之烷基、環烷基、烷氧基羰基及烷氧基羰基、由R’’’表示之伸烷基及伸環烷基、以及R’’與R’’’’彼此鍵結而形成之環可以具有取代基。作為取代基，並沒有特別限制，例如，可舉出羥基、包含羰基之基團（例如，醯基、醛基及烷氧基羰基等）及氰基等。

作為由通式（S2）表示之溶劑，例如，可舉出丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯及4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯等。其中，作為由通式（S2）表示之溶劑，丙二醇單甲醚乙酸酯為較佳。又，R’’及R’’’’係未經取代之烷基，R’’’係未經取代之伸烷基為較佳，R’’及R’’’’係甲基及乙基中的任一個為更佳，R’’及R’’’’係甲基為進一步較佳。

顯影液包含由通式（S2）表示之溶劑時，顯影液可以進一步包含1種以上併用溶劑。作為併用溶劑，只要能夠混合於由通式（S2）表示之溶劑中而不會產生分離，則並沒有特別限制，可舉出選自包括除了由通式（S2）表示之溶劑以外的酯系溶劑、酮系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑及烴系溶劑之群組中之溶劑。併用溶劑可以為1種，亦可以為2種以上，為了獲得穩定的性能，1種為較佳。顯影液係由通式（S2）表示之溶劑與1種併用溶劑的混合溶劑時，由通式（S2）表示之溶劑與併用溶劑的含量的質量比[由通式（S2）表示之溶劑的含有質量/併用溶劑的含有質量]通常為20/80～99/1，50/50～97/3為較佳，60/40～95/5為更佳，60/40～90/10為進一步較佳。

又，作為用作顯影液之溶劑，包含1個以上芳香環之醚系溶劑亦較佳，由下述通式（S3）表示之溶劑為更佳，苯甲醚為進一步較佳。

[化學式1]

在通式（S3）中，R_S 表示烷基。作為烷基，碳數1～4的烷基為較佳，甲基或乙基為更佳，甲基為進一步較佳。

作為顯影液，可以使用水系鹼顯影液。

（沖洗步驟）沖洗步驟係在上述顯影步驟之後藉由本發明的沖洗液清洗（沖洗）之步驟。

在沖洗步驟中，使用本發明的沖洗液對已進行顯影之基板進行清洗處理。又，從本發明的效果更優異之方面考慮，將乙酸丁酯用作顯影液來進行顯影之後，使用本發明的沖洗液來清洗為較佳。清洗處理的方法並沒有特別限制，例如，能夠適用向以一定速度旋轉的基板上持續噴出沖洗液之方法（旋轉噴出法）、將基板在裝滿沖洗液之槽中浸漬一定時間之方法（浸漬法）及對基板表面噴塗沖洗液之方法（噴塗法）等。其中，藉由旋轉噴出方法進行清洗處理，清洗後使基板以2000～4000rpm的轉速旋轉，由此將沖洗液從基板上去除為較佳。作為沖洗時間，10～300秒為較佳，10～180秒為更佳，20～120秒為進一步較佳。作為沖洗液的溫度，0～50℃為較佳，15～35℃為更佳。

又，顯影處理或沖洗處理之後，能夠進行藉由超臨界流體去除附著於圖案上之顯影液或沖洗液之處理。進而，可以在顯影處理、沖洗處理或基於超臨界流體之處理之後，實施乾燥處理，以去除殘留於圖案中的溶劑。乾燥溫度係40～160℃為較佳，50～150℃為更佳，50～110℃為進一步較佳。作為乾燥時間，15～300秒為較佳，15～180秒為更佳。

在與本發明有關之圖案形成方法中，作為沖洗液，使用本發明的沖洗液。

例如，作為顯影步驟中的顯影液，使用酯系溶劑，作為沖洗步驟中的沖洗液，使用本發明的沖洗液來實施圖案形成時，將向曝光後的光阻膜供給之顯影液與沖洗液的供給間隔隔開1秒以上為較佳。藉由將顯影液與沖洗液的供給間隔隔開規定時間以上，能夠抑制曝光後的光阻膜在未曝光區域的溶解性的惡化，且能夠抑制由溶劑振盪（solvent shock）引起之缺陷增加。

又，通常，顯影液及沖洗液在使用後通過配管而收容在共同的廢液罐中。此時，若作為顯影步驟中的顯影液，使用酯系溶劑且作為沖洗步驟中的沖洗液，使用本發明的沖洗液，則會導致在顯影液中溶解的光阻析出而導致附著在基板的背面及配管側面等，因此有可能污染裝置。為了解決上述問題，有再次使溶解光阻之溶劑通過配管之方法。作為通過配管之方法，例如，可舉出在藉由沖洗液清洗後，用溶解光阻之溶劑清洗基板的背面、側面等之方法及使溶解光阻之溶劑以不接觸光阻而通過配管之方式流通之方法。作為通過配管之溶劑，只要能夠溶解光阻，則並沒有特別限制，例如，可舉出用作上述顯影液之溶劑。具體而言，可舉出丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚丙酸酯、丙二醇單乙醚丙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚（PGME）、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、2-庚酮、乳酸乙酯、1-丙醇及丙酮等。其中，作為通過配管之溶劑，PGMEA、PGME或環己酮為較佳。

又，作為解決上述問題之其他方法，可舉出將使用後流入配管之顯影液與沖洗液的質量比調整為光阻不析出之質量比之方法及對使用後流入配管之顯影液及沖洗液進一步混合對光阻具有高溶解性的溶劑之方法，以預先防止在使用後通過配管並流入廢液罐之廢液中發生光阻的析出。

進而，顯影液及沖洗液在使用後分別收容於不同的廢液罐亦較佳。例如，作為顯影步驟中的顯影液，使用酯系溶劑且作為沖洗步驟中的沖洗液，使用本發明的沖洗液來實施圖案形成時，若使用後通過配管收容於共同的廢液罐，則會導致溶解於顯影液中之樹脂等光阻組成物中包含之成分析出（沉澱及固體化），因此有可能引起裝置的污染。具體而言，所析出之成分不僅會導致廢液配管的堵塞，亦會使處理腔室內產生污染。為了解決上述問題，顯影液及沖洗液在使用後藉由配管切換或藉由處理腔室的切換而分別收容於不同的廢液罐為較佳。

〔光阻組成物〕接著，作為與本發明的沖洗液組合使用之光阻組成物，例如，可以為包含樹脂、光酸產生劑和/或酸擴散控制劑等之所謂化學增幅型光阻組成物，可以為包含低分子酚化合物來代替樹脂之分子光阻組成物，可以為包含金屬氧化物系化合物之金屬光阻組成物，可以為因曝光聚合物主鏈斷裂而成為低分子量之主鏈斷裂型光阻組成物。光阻組成物可以為負型光阻組成物，亦可以為正型光阻組成物。以下，對能夠與本發明的沖洗液組合使用之光阻組成物的一形態亦即化學增幅型光阻組成物進行詳細說明。另外，以下，將化學增幅型光阻組成物簡稱為光阻組成物。

＜樹脂（A）＞光阻組成物包含藉由酸的作用分解而極性增大之樹脂（以下，亦稱為“酸分解性樹脂”或“樹脂（A）”。）。亦即，在圖案形成方法中，通常，在採用鹼性顯影液作為顯影液時，可較佳地形成正型圖案，採用有機系顯影液作為顯影液時，可較佳地形成負型圖案。通常，樹脂（A）包含藉由酸的作用分解而極性增大之基團（以下，亦稱為“酸分解性基”。），包含具有酸分解性基之重複單元為較佳。

＜＜具有酸分解性基之重複單元＞＞酸分解性基表示藉由酸的作用分解並生成極性基之基團。酸分解性基具有利用脫離基（藉由酸的作用脫離）保護極性基之結構為較佳。亦即，樹脂（A）包含具有藉由酸的作用分解並生成極性基之基團之重複單元。具有該重複單元之樹脂藉由酸的作用極性增大而在鹼顯影液中的溶解度增大，在溶劑中的溶解度減少。作為極性基，鹼可溶性基為較佳，例如，可舉出羧基、酚性羥基、氟化醇基、磺酸基、磷酸基、磺醯胺基、磺醯基醯亞胺基、（烷基磺醯基）（烷基羰基）亞甲基、（烷基磺醯基）（烷基羰基）醯亞胺基、雙（烷基羰基）亞甲基、雙（烷基羰基）醯亞胺基、雙（烷基磺醯基）亞甲基、雙（烷基磺醯基）醯亞胺基、三（烷基羰基）亞甲基及三（烷基磺醯基）亞甲基等酸性基以及醇性羥基等。其中，作為極性基，羧基、酚性羥基、氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）及磺酸基為較佳。

作為藉由酸的作用脫離之脫離基，例如，可舉出由式（Y1）～（Y4）表示之基團。式（Y1）：-C（Rx₁ ）（Rx₂ ）（Rx₃ ）式（Y2）：-C（=O）OC（Rx₁ ）（Rx₂ ）（Rx₃ ）式（Y3）：-C（R₃₆ ）（R₃₇ ）（OR₃₈ ）式（Y4）：-C（Rn）（H）（Ar）

在式（Y1）及式（Y2）中，Rx₁ ～Rx₃ 分別獨立地表示烷基（直鏈狀或支鏈狀）、環烷基（單環或多環）、烯基（直鏈狀或支鏈狀）或芳基（單環或多環）。另外，所有Rx₁ ～Rx₃ 為烷基（直鏈狀或支鏈狀）時，Rx₁ ～Rx₃ 中的至少2個係甲基為較佳。其中，Rx₁ ～Rx₃ 分別獨立地表示直鏈狀或支鏈狀烷基為較佳，Rx₁ ～Rx₃ 分別獨立地表示直鏈狀烷基為更佳。 Rx₁ ～Rx₃ 中的2個可以鍵結而形成單環或多環。作為Rx₁ ～Rx₃ 的烷基，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基及第三丁基等碳數1～5的烷基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 的環烷基，環戊基及環己基等單環的環烷基以及降莰基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 的芳基，碳數6～10的芳基為較佳，例如，可舉出苯基、萘基及蒽基等。作為Rx₁ ～Rx₃ 的烯基，乙烯基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 中的2個鍵結而形成之環，環烷基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 中的2個鍵結而形成之環烷基，環戊基或環己基等單環的環烷基、或者降莰基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等多環的環烷基為較佳，碳數5～6的單環的環烷基為更佳。關於Rx₁ ～Rx₃ 中的2個鍵結而形成之環烷基，例如，構成環之亞甲基中的1個可以被氧原子等雜原子、羰基等具有雜原子之基團或亞乙烯基取代。又，在該等環烷基中，構成環烷環之伸乙基中的1個以上可以被伸乙烯基取代。關於由式（Y1）或式（Y2）表示之基團，例如Rx₁ 為甲基或乙基且Rx₂ 與Rx₃ 鍵結而形成上述環烷基之態樣為較佳。

在式（Y3）中，R₃₆ ～R₃₈ 分別獨立地表示氫原子或1價有機基團。R₃₇ 與R₃₈ 可以相互鍵結而形成環。作為1價有機基團，可舉出烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基等。R₃₆ 係氫原子亦較佳。另外，上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基中可以包括氧原子等雜原子和/或羰基等具有雜原子之基團。例如，關於上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基，例如，亞甲基中的1個以上可以被氧原子等雜原子和/或羰基等具有雜原子之基團取代。又，R₃₈ 可以與重複單元的主鏈所具有之另一取代基相互鍵結而形成環。R₃₈ 與重複單元的主鏈所具有之另一取代基相互鍵結而形成之基團係亞甲基等伸烷基為較佳。

作為式（Y3），由下述式（Y3-1）表示之基團為較佳。

[化學式2]

其中，L₁ 及L₂ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或將該等組合之基團（例如，組合了烷基和芳基之基團）。 M表示單鍵或2價連結基。 Q表示可以包含雜原子之烷基、可以包含雜原子之環烷基、可以包含雜原子之芳基、胺基、銨基、巰基、氰基、醛基或將該等組合之基團（例如，組合了烷基和環烷基之基團）。在烷基及環烷基中，例如亞甲基中的1個可以被氧原子等雜原子或羰基等具有雜原子之基團取代。另外，L₁ 及L₂ 中的一個為氫原子，另一個為烷基、環烷基、芳基或組合了伸烷基和芳基之基團為較佳。 Q、M及L₁ 中的至少2個可以鍵結而形成環（較佳為5員環或6員環）。從圖案的微細化的觀點考慮，L₂ 為二級或三級烷基為較佳，三級烷基為更佳。作為二級烷基，可舉出異丙基、環己基或降莰基，作為三級烷基，可舉出第三丁基或金剛烷基。在該等態樣中，Tg（玻璃轉移溫度）或活化能變高，因此除確保膜強度以外，亦能夠抑制灰霧。

在式（Y4）中，Ar表示芳香環基。Rn表示烷基、環烷基或芳基。Rn及Ar可以相互鍵結而形成非芳香環。Ar更佳為芳基。

從重複單元的酸分解性優異之方面考慮，在保護極性基之脫離基中，非芳香環直接鍵結於極性基（或其殘基）的情況下，上述非芳香環中的、和與上述極性基（或其殘基）直接鍵結之環員原子相鄰之環員原子不具有作為取代基的氟原子等鹵素原子亦較佳。

除此以外，藉由酸的作用脫離之脫離基亦可以為具有3-甲基-2-環戊烯基之類的取代基（烷基等）之2-環戊烯基及具有1,1,4,4-四甲基環己基之類的取代基（烷基等）之環己基。

作為具有酸分解性基之重複單元，由通式（A）表示之重複單元亦較佳。

[化學式3]

L₁ 表示可以具有氟原子或碘原子之2價連結基，R₁ 表示氫原子、氟原子、碘原子、可以具有氟原子或碘原子之烷基或可以具有氟原子或碘原子之芳基，R₂ 表示藉由酸的作用脫離且可以具有氟原子或碘原子之脫離基。然而，L₁ 、R₁ 及R₂ 中的至少1個具有氟原子或碘原子。 L₁ 表示可以具有氟原子或碘原子之2價連結基。作為可以具有氟原子或碘原子之2價連結基，可舉出-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO₂ -、可以具有氟原子或碘原子之烴基（例如，伸烷基、伸環烷基、伸烯基及伸芳基等）及將複數個該等連結之連結基等。其中，作為L₁ ，具有-CO-或者-伸芳基-氟原子或碘原子之伸烷基為較佳。作為伸芳基，伸苯基為較佳。伸烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。伸烷基的碳數並沒有特別限制，1～10為較佳，1～3為更佳。具有氟原子或碘原子之伸烷基中包含之氟原子及碘原子的合計數並沒有特別限制，2以上為較佳，2～10為更佳，3～6為進一步較佳。

R₁ 表示氫原子、氟原子、碘原子、可以具有氟原子或碘原子之烷基或可以具有氟原子或碘原子之芳基。烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀。烷基的碳數並沒有特別限制，1～10為較佳，1～3為更佳。具有氟原子或碘原子之烷基中包含之氟原子及碘原子的合計數並沒有特別限制，1以上為較佳，1～5為更佳，1～3為進一步較佳。上述烷基可以包含除鹵素原子以外的氧原子等雜原子。

R₂ 表示藉由酸的作用脫離且可以具有氟原子或碘原子之脫離基。其中，作為脫離基，可舉出由式（Z1）～（Z4）表示之基團。式（Z1）：-C（Rx₁₁ ）（Rx₁₂ ）（Rx₁₃ ）式（Z2）：-C（=O）OC（Rx₁₁ ）（Rx₁₂ ）（Rx₁₃ ）式（Z3）：-C（R₁₃₆ ）（R₁₃₇ ）（OR₁₃₈ ）式（Z4）：-C（Rn₁ ）（H）（Ar₁ ）

在式（Z1）及（Z2）中，Rx₁₁ ～Rx₁₃ 分別獨立地表示可以具有氟原子或碘原子之烷基（直鏈狀或支鏈狀）、可以具有氟原子或碘原子之環烷基（單環或多環）、可以具有氟原子或碘原子之烯基（直鏈狀或支鏈狀）或可以具有氟原子或碘原子之芳基（單環或多環）。另外，所有Rx₁₁ ～Rx₁₃ 為烷基（直鏈狀或支鏈狀）時，Rx₁₁ ～Rx₁₃ 中的至少2個係甲基為較佳。在Rx₁₁ ～Rx₁₃ 中，除了可以具有氟原子或碘原子這一方面以外，與上述（Y1）、（Y2）中的Rx₁ ～Rx₃ 相同，並與烷基、環烷基、烯基及芳基的定義及較佳範圍相同。

在式（Z3）中，R₁₃₆ ～R₁₃₈ 分別獨立地表示氫原子或可以具有氟原子或碘原子之1價有機基團。R₁₃₇ 與R₁₃₈ 可以相互鍵結而形成環。作為可以具有氟原子或碘原子之1價有機基團，可舉出可以具有氟原子或碘原子之烷基、可以具有氟原子或碘原子之環烷基、可以具有氟原子或碘原子之芳基、可以具有氟原子或碘原子之芳烷基及將該等組合之基團（例如，組合了烷基和環烷基之基團）。另外，在上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基中，除了氟原子及碘原子以外，亦可以包含氧原子等雜原子。亦即，關於上述烷基、環烷基、芳基及芳烷基，例如，亞甲基中的1個可以被氧原子等雜原子或羰基等具有雜原子之基團取代。又，R₁₃₈ 可以與重複單元的主鏈所具有之另一取代基相互鍵結而形成環。此時、R₁₃₈ 與重複單元的主鏈所具有之另一取代基相互鍵結而形成之基團係亞甲基等伸烷基為較佳。

作為式（Z3），由下述式（Z3-1）表示之基團為較佳。

[化學式4]

其中，L₁₁ 及L₁₂ 分別獨立地表示氫原子；可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之烷基；可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之環烷基；可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之芳基；或將該等組合之基團（例如，將可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之、烷基和環烷基組合之基團）。 M₁ 表示單鍵或2價連結基。 Q₁ 表示可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之烷基；可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之環烷基；選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之芳基；胺基；銨基；巰基；氰基；醛基；或將該等組合之基團（例如，將可以具有選自包括氟原子、碘原子及氧原子之群組中之雜原子之、烷基和環烷基組合之基團）。

在式（Z4）中，Ar₁ 表示可以具有氟原子或碘原子之芳香環基。Rn₁ 表示可以具有氟原子或碘原子之烷基、可以具有氟原子或碘原子之環烷基或可以具有氟原子或碘原子之芳基。Rn₁ 及Ar₁ 可以相互鍵結而形成非芳香環。

作為具有酸分解性基之重複單元，由通式（AI）表示之重複單元亦較佳。

[化學式5]

在通式（AI）中， Xa₁ 表示氫原子或可以具有取代基之烷基。 T表示單鍵或2價連結基。 Rx₁ ～Rx₃ 分別獨立地表示烷基（直鏈狀或支鏈狀）、環烷基（單環或多環）、烯基（直鏈狀或支鏈狀）或芳基（單環或多環）。然而，所有Rx₁ ～Rx₃ 為烷基（直鏈狀或支鏈狀）時，Rx₁ ～Rx₃ 中的至少2個係甲基為較佳。 Rx₁ ～Rx₃ 中的2個可以鍵結而形成單環或多環（單環或多環的環烷基等）。

作為由Xa₁ 表示之可以具有取代基之烷基，例如，可舉出甲基或由-CH₂ -R₁₁ 表示之基團。R₁₁ 表示鹵素原子（氟原子等）、羥基或1價有機基團，例如，可舉出可以由鹵素原子取代之碳數5以下的烷基、可以由鹵素原子取代之碳數5以下的醯基及可以由鹵素原子取代之碳數5以下的烷氧基，碳數3以下的烷基為較佳，甲基為更佳。作為Xa₁ ，氫原子、甲基、三氟甲基或羥甲基為較佳。

作為T的2價連結基，可舉出伸烷基、芳香環基、-COO-Rt-基及-O-Rt-基等。式中，Rt表示伸烷基或伸環烷基。 T係單鍵或-COO-Rt-基為較佳。T表示-COO-Rt-基時，Rt係碳數1～5的伸烷基為較佳，-CH₂ -基、-（CH₂ ）₂ -基或-（CH₂ ）₃ -基為更佳。

作為Rx₁ ～Rx₃ 的烷基，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基及第三丁基等碳數1～4的烷基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 的環烷基，環戊基及環己基等單環的環烷基或降莰基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 的芳基，碳數6～10的芳基為較佳，例如，可舉出苯基、萘基及蒽基等。作為Rx₁ ～Rx₃ 的烯基，乙烯基為較佳。作為Rx₁ ～Rx₃ 中的2個鍵結而形成之環烷基，環戊基及環己基等單環的環烷基為較佳，除此以外，降莰基、四環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等多環的環烷基為較佳。其中，碳數5～6的單環的環烷基為較佳。關於Rx₁ ～Rx₃ 中的2個鍵結而形成之環烷基，例如，構成環之亞甲基中的1個可以被氧原子等雜原子、羰基等具有雜原子之基團或亞乙烯基取代。又，在該等環烷基中，構成環烷環之伸乙基中的1個以上可以被伸乙烯基取代。關於由通式（AI）表示之重複單元，例如，Rx₁ 係甲基或乙基且Rx₂ 與Rx₃ 鍵結而形成上述環烷基之態樣為較佳。

上述各基團具有取代基時，作為取代基，例如，可舉出烷基（碳數1～4）、鹵素原子、羥基、烷氧基（碳數1～4）、羧基及烷氧基羰基（碳數2～6）等。取代基中的碳數係8以下為較佳。

作為由通式（AI）表示之重複單元，較佳為酸分解性（甲基）丙烯酸三級烷酯系重複單元（Xa₁ 表示氫原子或甲基且T表示單鍵之重複單元）。

具有酸分解性基之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，15莫耳%以上為較佳，20莫耳%以上為更佳，25莫耳%以上為進一步較佳，30莫耳%以上為特佳。又，作為其上限值並沒有特別限制，90莫耳%以下為較佳，80莫耳%以下為更佳，70莫耳%為進一步較佳。

以下，示出具有酸分解性基之重複單元的具體例，但本發明並不限定於此。另外，式中，Xa₁ 表示H、CH₃ 、CF₃ 及CH₂ OH中的任一個，Rxa及Rxb分別表示碳數1～5的直鏈狀或支鏈狀烷基。

[化學式6]

[化學式7]

[化學式8]

[化學式9]

[化學式10]

樹脂（A）可以包含除上述重複單元以外的重複單元。例如，樹脂（A）可以包含選自包括以下A組之群組中之至少1種重複單元和/或選自包括以下B組之群組中之至少1種重複單元。 A組：包括以下（20）～（29）的重複單元之群組。（20）後述具有酸基之重複單元（21）後述具有氟原子或碘原子之重複單元（22）後述具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元（23）後述具有光酸產生基之重複單元（24）後述由通式（V-1）或下述通式（V-2）表示之重複單元（25）後述由式（A）表示之重複單元（26）後述由式（B）表示之重複單元（27）後述由式（C）表示之重複單元（28）後述由式（D）表示之重複單元（29）後述由式（E）表示之重複單元 B組：包括以下（30）～（32）的重複單元之群組。（30）後述具有選自內酯基、磺內酯基、碳酸酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基之至少1種基團之重複單元（31）後述具有脂環烴結構且不顯示酸分解性之重複單元（32）後述不具有羥基及氰基中的任一個之由通式（III）表示之重複單元

光阻組成物以EUV曝光用途或電子束曝光用途使用時，樹脂（A）具有選自包括上述A組之群組中之至少1種重複單元為較佳。又，光阻組成物以EUV曝光用途或電子束曝光用途使用時，樹脂（A）包含氟原子及碘原子中的至少1個亦較佳。樹脂（A）包含氟原子及碘原子兩者時，樹脂（A）可以包含具有氟原子及碘原子兩者之1個重複單元，樹脂（A）亦可以包含具有氟原子之重複單元及包含碘原子之重複單元這2種。又，光阻組成物以EUV曝光用途或電子束曝光用途使用時，樹脂（A）包含具有芳香族基之重複單元亦較佳。光阻組成物以ArF曝光用途使用時，樹脂（A）具有選自包括上述B組之群組中之至少1種重複單元為較佳。又，光阻組成物以ArF曝光用途使用時，樹脂（A）不包含氟原子及矽原子中的任一個為較佳。又，組成物以ArF用途使用時，樹脂（A）不具有芳香族基為較佳。

＜＜具有酸基之重複單元＞＞樹脂（A）可以包含具有酸基之重複單元。作為酸基，pKa係13以下的酸基為較佳。作為酸基，例如，羧基、酚性羥基、氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）、磺酸基、磺醯胺基或異丙醇基等為較佳。又，在上述六氟異丙醇基中，氟原子的1個以上（較佳為1～2個）可以被除氟原子以外的基團（烷氧基羰基等）取代。如此形成之-C（CF₃ ）（OH）-CF₂ -亦較佳地作為酸基。又，可以為氟原子的1個以上被除氟原子以外的基團取代而形成包含-C（CF₃ ）（OH）-CF₂ -之環。具有酸基之重複單元係具有利用上述藉由酸的作用脫離之脫離基保護極性基之結構之重複單元及與後述具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元不同的重複單元為較佳。

具有酸基之重複單元可以具有氟原子或碘原子。

作為具有酸基之重複單元，由式（B）表示之重複單元為較佳。

[化學式11]

R₃ 表示氫原子或可以具有氟原子或碘原子之1價有機基團。作為可以具有氟原子或碘原子之1價有機基團，由-L₄ -R₈ 表示之基團為較佳。L₄ 表示單結合或酯基。R₈ 可舉出可以具有氟原子或碘原子之烷基、可以具有氟原子或碘原子之環烷基、可以具有氟原子或碘原子之芳基或將該等組合之基團。

R₄ 及R₅ 分別獨立地表示氫原子、氟原子、碘原子或可以具有氟原子或碘原子之烷基。

L₂ 表示單結合或酯基。 L₃ 表示（n+m+1）價芳香族烴環基或（n+m+1）價脂環式烴環基。作為芳香族烴環基，可舉出苯環基及萘環基。作為脂環式烴環基，可以為單環，亦可以為多環，例如，可舉出環烷基環基。 R₆ 表示羥基或氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）。另外，R₆ 係羥基時，L₃ 係（n+m+1）價芳香族烴環基為較佳。 R₇ 表示鹵素原子。作為鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。 m表示1以上的整數。m係1～3的整數為較佳，1～2的整數為較佳。 n表示0或1以上的整數。n為1～4的整數為較佳。另外，（n+m+1）為1～5的整數為較佳。

作為具有酸基之重複單元，由下述通式（I）表示之重複單元亦較佳。

[化學式12]

在通式（I）中， R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。其中，R₄₂ 與Ar₄ 可以鍵結而形成環，此時的R₄₂ 表示單鍵或伸烷基。 X₄ 表示單鍵、-COO-或-CONR₆₄ -，R₆₄ 表示氫原子或烷基。 L₄ 表示單鍵或伸烷基。 Ar₄ 表示（n+1）價芳香環基，與R₄₂ 鍵結而形成環時表示（n+2）價芳香環基。 n表示1～5的整數。

作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的烷基，甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二基等碳數20以下的烷基為較佳，碳數8以下的烷基為更佳，碳數3以下的烷基為進一步較佳。

作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的環烷基，可以為單環型，亦可以為多環型。其中，環丙基、環戊基及環己基等碳數3～8個且單環型的環烷基為較佳。作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，氟原子為較佳。作為通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的烷氧基羰基中包含之烷基，與上述R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 中的烷基相同者為較佳。

作為上述各基團中的取代基，例如，可舉出烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧基羰基、氰基及硝基。取代基的碳數係8以下為較佳。

Ar₄ 表示（n+1）價芳香環基。關於n為1時的2價芳香環基，例如，伸苯基、甲伸苯基、伸萘基及伸蒽基等碳數6～18的伸芳基或噻吩環、呋喃環、吡咯環、苯并噻吩環、苯并呋喃環、苯并吡咯環、三𠯤環、咪唑環、苯并咪唑環、三唑環、噻二唑環及噻唑環等包含雜環之2價芳香環基為較佳。另外，上述芳香環基可以具有取代基。

作為n係2以上的整數時的（n+1）價芳香環基的具體例，可舉出從2價芳香環基的上述具體例去除（n-1）個任意氫原子而成之基團。（n+1）價芳香環基可進一步具有取代基。

作為上述烷基、環烷基、烷氧基羰基、伸烷基及（n+1）價芳香族環基能夠具有的取代基，例如，可舉出在通式（I）中的R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 中舉出之烷基、甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基及丁氧基等烷氧基；苯基等芳基；等。作為由X₄ 表示之-CONR₆₄ -（R₆₄ 表示氫原子或烷基）中的R₆₄ 的烷基，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳數20以下的烷基，碳數8以下的烷基為較佳。作為X₄ ，單鍵、-COO-或-CONH-為較佳，單鍵或-COO-為更佳。

作為L₄ 中的伸烷基，亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基及伸辛基等碳數1～8的伸烷基為較佳。作為Ar₄ ，碳數6～18的芳香環基為較佳，苯環基、萘環基及聯苯環基為更佳。由通式（I）表示之重複單元具備羥基苯乙烯結構為較佳。Ar₄ 係苯環基為較佳。

作為由通式（I）表示之重複單元，由下述通式（1）表示之重複單元為較佳。

[化學式13]

在通式（1）中， A表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子或氰基。 R表示鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、烯基、芳烷基、烷氧基、烷基羰氧基、烷基磺醯氧基、烷氧基羰基或芳氧羰基，存在複數個時，可以相同，亦可以不同。具有複數個R時，可以相互一同形成環。作為R，氫原子為較佳。 a表示1～3的整數。 b表示0～（5-a）的整數。

其中，光阻組成物所包含之樹脂具有羥基苯乙烯系重複單元為較佳。作為羥基苯乙烯系重複單元，例如，可舉出在上述通式（1）中，A表示氫原子之重複單元。

以下，例示具有酸基之重複單元。式中，a表示1或2。

[化學式14]

[化學式15]

[化學式16]

另外，在上述重複單元中，以下具體記載之重複單元為較佳。式中，R表示氫原子或甲基，a表示2或3。

[化學式17]

[化學式18]

具有酸基之重複單元（較佳為羥基苯乙烯系重複單元）的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，5莫耳%以上為較佳，10莫耳%以上為較佳。又，作為其上限值並沒有特別限制，50莫耳%以下為較佳，45莫耳%以下為更佳，40莫耳%以下為進一步較佳。

＜＜具有氟原子或碘原子之重複單元＞＞樹脂（A）可以具有與上述＜＜具有酸分解性基之重複單元＞＞及＜＜具有酸基之重複單元＞＞不同的具有氟原子或碘原子之重複單元。又，此處提及之＜＜具有氟原子或碘原子之重複單元＞＞與後述＜＜具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元＞＞及＜＜具有光酸產生基之重複單元＞＞等屬於A組之其他種類的重複單元不同為較佳。

作為具有氟原子或碘原子之重複單元，由式（C）表示之重複單元為較佳。

[化學式19]

L₅ 表示單鍵或酯基。 R₉ 表示氫原子或可以具有氟原子或碘原子之烷基。 R₁₀ 表示氫原子、可以具有氟原子或碘原子之烷基、可以具有氟原子或碘原子之環烷基、可以具有氟原子或碘原子之芳基或將該等組合之基團。

以下，例示具有氟原子或碘原子之重複單元。

[化學式20]

具有氟原子或碘原子之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，0莫耳%以上為較佳，5莫耳%以上為更佳，10莫耳%以上為進一步較佳。又，作為其上限值，50莫耳%以下為較佳，45莫耳%以下為更佳，40莫耳%以下為進一步較佳。另外，如上所述，在具有氟原子或碘原子之重複單元中不包括＜＜具有酸分解性基之重複單元＞＞及＜＜具有酸基之重複單元＞＞，因此上述具有氟原子或碘原子之重複單元的含量亦表示除了＜＜具有酸分解性基之重複單元＞＞及＜＜具有酸基之重複單元＞＞以外的具有氟原子或碘原子之重複單元的含量。

樹脂（A）的重複單元中，包含氟原子及碘原子中的至少1個之重複單元的合計含量相對於樹脂（A）的所有重複單元，20莫耳%以上為較佳，30莫耳%以上為更佳，40莫耳%以上為進一步較佳。上限值並沒有特別限制，例如為100莫耳%以下。另外，作為包含氟原子及碘原子中的至少1個之重複單元，例如，可舉出具有氟原子或碘原子且具有酸分解性基之重複單元、具有氟原子或碘原子且具有酸基之重複單元及具有氟原子或碘原子之重複單元。

＜＜具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元＞＞樹脂（A）可以具有包含選自包括內酯基、磺內酯基及碳酸酯基之群組中之至少1種之重複單元（以下，亦統稱為“具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元”。）。具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元不具有六氟丙醇基等酸基亦較佳。

作為內酯基或磺內酯基，只要具有內酯結構或磺內酯結構即可。內酯結構或磺內酯結構係5～7員環內酯結構或5～7員環磺內酯結構為較佳。其中，其他環結構以形成雙環結構或螺結構之形式與5～7員環內酯結構縮環者或者其他環結構以形成雙環結構或螺結構之形式與5～7員環磺內酯結構縮環者為更佳。樹脂（A）具有從由下述通式（LC1-1）～（LC1-21）中的任一個表示之內酯結構或由下述通式（SL1-1）～（SL1-3）中的任一個表示之磺內酯結構的環員原子減去1個以上氫原子而成之具有內酯基或磺內酯基之重複單元為較佳。又，內酯基或磺內基亦可以直接鍵結於主鏈。例如，內酯基或磺內酯基的環員原子可以構成樹脂（A）的主鏈。

[化學式21]

上述內酯結構或磺內酯結構部分可以具有取代基（Rb₂ ）。作為較佳取代基（Rb₂ ），可舉出碳數1～8的烷基、碳數4～7的環烷基、碳數1～8的烷氧基、碳數1～8的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、羥基、氰基及酸分解性基等。n2表示0～4的整數。n2為2以上時，存在複數個之Rb₂ 可以不同，又，存在複數個之Rb₂ 可以彼此鍵結而形成環。

作為包含具有由通式（LC1-1）～（LC1-21）中的任一個表示之內酯結構或由通式（SL1-1）～（SL1-3）中的任一個表示之磺內酯結構之基團之重複單元，例如，可舉出由下述通式（AI）表示之重複單元等。

[化學式22]

在通式（AI）中，Rb₀ 表示氫原子、鹵素原子或碳數1～4的烷基。作為Rb₀ 的烷基可以具有的較佳之取代基，可舉出羥基及鹵素原子。作為Rb₀ 的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。Rb₀ 係氫原子或甲基為較佳。 Ab表示單鍵、伸烷基、具有單環或多環的脂環烴結構之2價連結基、醚基、酯基、羰基、羧基或將該等組合之2價基團。其中，單鍵或由-Ab₁ -CO₂ -表示之連結基為較佳。Ab₁ 為直鏈狀或支鏈狀伸烷基或單環或多環的伸環烷基，亞甲基、伸乙基、伸環己基、金剛烷基或降莰基為較佳。 V表示從由通式（LC1-1）～（LC1-21）中的任一個表示之內酯結構的環員原子減去1個氫原子而成之基團或從由通式（SL1-1）～（SL1-3）中的任一個表示之磺內酯結構的環員原子減去1個氫原子而成之基團。

在具有內酯基或磺內酯基之重複單元中存在光學異構物時，可以使用任意光學異構物。又，可以單獨使用1種光學異構物，亦可以混合使用複數種光學異構物。主要使用1種光學異構物時，其光學純度（ee）係90以上為較佳，95以上為更佳。

作為碳酸酯基，環狀碳酸酯基為較佳。作為具有環狀碳酸酯基之重複單元，由下述通式（A-1）表示之重複單元為較佳。

[化學式23]

在通式（A-1）中，R_A ¹ 表示氫原子、鹵素原子或1價有機基團（較佳為甲基）。 n表示0以上的整數。 R_A ² 表示取代基。n為2以上時，存在複數個之R_A ² 分別可以相同，亦可以不同。 A表示單鍵或2價連結基。作為上述2價連結基，伸烷基、具有單環或多環的脂環烴結構之2價連結基、醚基、酯基、羰基、羧基或該等組合之2價基團為較佳。 Z表示與由式中的-O-CO-O-表示之基團一同形成單環或多環之原子團。

以下，例示具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元。

[化學式24]

[化學式25]

[化學式26]

具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，1莫耳%以上為較佳，5莫耳%以上為更佳。又，其上限值並沒有特別限制，65莫耳%以下為較佳，30莫耳%以下為更佳，25莫耳%以下為進一步較佳，20莫耳%以下為特佳。

＜＜具有光酸產生基之重複單元＞＞作為除上述以外的重複單元，樹脂（A）可以包含具有藉由光化射線或放射線的照射而產生酸之基團（以下，亦稱為“光酸產生基”）之重複單元。此時，能夠認為該具有光酸產生基之重複單元符合後述藉由光化射線或放射線的照射而產生酸之化合物（以下，亦稱為“光酸產生劑”。）。作為此類重複單元，例如，可舉出由下述通式（4）表示之重複單元。

[化學式27]

R⁴¹ 表示氫原子或甲基。L⁴¹ 表示單鍵或2價連結基。L⁴² 表示2價連結基。R⁴⁰ 表示藉由光化射線或放射線的照射分解而在側鏈產生酸之結構部位。

以下，例示具有光酸產生基之重複單元。

[化學式28]

[化學式29]

除此以外，作為由通式（4）表示之重複單元，例如，可舉出日本特開2014-041327號公報的[0094]～[0105]段中記載之重複單元。

具有光酸產生基之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，1莫耳%以上為較佳，5莫耳%以上為更佳。又，作為其上限值，40莫耳%以下為較佳，35莫耳%以下為更佳，30莫耳%以下為進一步較佳。

＜＜由通式（V-1）或下述通式（V-2）表示之重複單元＞＞樹脂（A）可以具有由下述通式（V-1）或下述通式（V-2）表示之重複單元。由下述通式（V-1）及下述通式（V-2）表示之重複單元係與上述重複單元不同的重複單元為較佳。

[化學式30]

式中，R₆ 及R₇ 分別獨立地表示氫原子、羥基、烷基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR或-COOR：R係碳數1～6的烷基或氟化烷基）或羧基。作為烷基，碳數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基為較佳。 n₃ 表示0～6的整數。 n₄ 表示0～4的整數。 X⁴ 係亞甲基、氧原子或硫原子。以下，例示由通式（V-1）或（V-2）表示之重複單元。

[化學式31]

＜＜用於降低主鏈的運動性之重複單元＞＞從能夠抑制產生酸的過度擴散或顯影時的圖案崩塌之觀點考慮，樹脂（A）的玻璃轉移溫度（Tg）高為較佳。Tg大於90℃為較佳，大於100℃為更佳，大於110℃為進一步較佳，大於125℃為特佳。另外，過高的Tg會導致在顯影液中的溶解速度降低，Tg係400℃以下為較佳，350℃以下為更佳。另外，在本說明書中，樹脂（A）等聚合物的玻璃轉移溫度（Tg）藉由以下方法算出。首先，藉由Bicerano法，分別算出僅由聚合物中包含之各重複單元構成之均聚物的Tg。以下，將所算出之Tg稱為“重複單元的Tg”。接著，算出各重複單元與聚合物中的所有重複單元的質量比例（%）。接著，使用Fox公式（Materials Letters 62（2008）3152等中記載），算出各質量比例中的Tg，將該等的總和作為聚合物的Tg（℃）。 Bicerano法記載於Prediction of polymer properties，Marcel Dekker Inc，New York（1993）等中。又，基於Bicerano法之Tg的計算，能夠利用聚合物的物性推算軟體MDL Polymer（MDL Information Systems，Inc.）進行。

為了提高樹脂（A）的Tg（較佳為將Tg設為大於90℃），降低樹脂（A）的主鏈的運動性為較佳。關於降低樹脂（A）的主鏈的運動性之方法，可舉出以下（a）～（e）的方法。（a）對主鏈導入大體積取代基（b）對主鏈導入複數個取代基（c）導入引發主鏈附近的樹脂（A）之間的相互作用之取代基（d）在環狀結構上形成主鏈（e）環狀結構對主鏈的連結另外，樹脂（A）具有均聚物的Tg顯示130℃以上的重複單元為較佳。另外，均聚物的Tg示出130℃以上的重複單元的種類並沒有特別限制，只要為藉由Bicerano法算出之均聚物的Tg為130℃以上的重複單元即可。另外，根據後述由式（A）～式（E）表示之重複單元中的官能基的種類，符合均聚物的Tg顯示130℃以上的重複單元。

（由式（A）表示之重複單元）作為上述（a）的具體實現機構的一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（A）表示之重複單元之方法。

[化學式32]

式（A）中，R_A 表示具有多環結構之基團。R_x 表示氫原子、甲基或乙基。具有多環結構之基團係具有複數個環結構之基團，複數個環結構可以縮合，亦可以不縮合。作為由式（A）表示之重複單元的具體例，可舉出下述重複單元。

[化學式33]

[化學式34]

[化學式35]

上述式中，R表示氫原子、甲基或乙基。 Ra表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’’或-COOR’’’：R’’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由Ra表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。又，R’及R’’分別獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’’或-COOR’’’：R’’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由R’及R’’表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。 L表示單鍵或2價連結基。作為2價連結基，例如，可舉出―COO-、-CO-、-O-、-S―、-SO-、-SO₂ -、伸烷基、伸環烷基、伸烯基及複數個該等連結而成之連結基等。 m及n分別獨立地表示0以上的整數。m及n的上限並沒有特別限制，2以下的整數的情況較多，1以下的整數的情況更多。

（由式（B）表示之重複單元）作為上述（b）的具體實現機構的一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（B）表示之重複單元之方法。

[化學式36]

在式（B）中，R_b1 ～R_b4 分別獨立地表示氫原子或有機基團，R_b1 ～R_b4 中的至少2個以上表示有機基團。又，有機基團的至少1個為環結構直接連結於重複單元中的主鏈之基團時，其他有機基團的種類並沒有特別限制。又，所有有機基團均非環結構直接連結於重複單元中的主鏈之基團時，有機基團中的至少2個以上為除了氫原子之構成原子數為3個以上的取代基。

作為由式（B）表示之重複單元的具體例，可舉出下述重複單元。

[化學式37]

上述式中，R分別獨立地表示氫原子或有機基團。作為有機基團，可舉出可以具有取代基之烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基等有機基團。 R’分別獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’或-COOR’’：R’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由R’表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。 m表示0以上的整數。m的上限並沒有特別限制，2以下的整數的情況較多，1以下的整數的情況更多。

（由式（C）表示之重複單元）作為上述（c）的具體實現機構的一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（C）表示之重複單元之方法。

[化學式38]

在式（C）中，R_c1 ～R_c4 分別獨立地表示氫原子或有機基團，R_c1 ～R_c4 中的至少1個為從主鏈碳至原子數3以內的位置具有氫鍵結性氫原子之基團。其中，在引發樹脂（A）的主鏈之間的相互作用的基礎上，在原子數2以內（更接近主鏈附近側）位置具有氫鍵結性氫原子為較佳。

作為由式（C）表示之重複單元的具體例，可舉出下述重複單元。

[化學式39]

上述式中，R表示有機基團。作為有機基團，可舉出可以具有取代基之烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基及酯基（-OCOR或-COOR：R係碳數1～20的烷基或氟化烷基）等。 R’表示氫原子或有機基團。作為有機基團，可舉出烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基等。另外，有機基團中的氫原子可以被氟原子或碘原子取代。

（由式（D）表示之重複單元）作為上述（d）的具體實現機構的一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（D）表示之重複單元之方法。

[化學式40]

式（D）中，“環狀（cylic）”表示在環狀結構上形成主鏈之基團。環的構成原子數並沒有特別限制。

作為由式（D）表示之重複單元的具體例，可舉出下述重複單元。

[化學式41]

上述式中，R分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’或-COOR’’：R’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由R表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。上述式中，R’分別獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’或-COOR’’：R’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由R’表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。 m表示0以上的整數。m的上限並沒有特別限制，2以下的整數的情況較多，1以下的整數的情況更多。

（由式（E）表示之重複單元）作為上述（e）的具體實現機構的一例，可舉出在樹脂（A）中導入由式（E）表示之重複單元之方法。

[化學式42]

在式（E）中，Re分別獨立地表示氫原子或有機基團。作為有機基團，可舉出可以具有取代基之烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基等。 “環狀（cylic）”係包含主鏈的碳原子之環狀基。環狀基中包含之原子數並沒有特別限制。

作為由式（E）表示之重複單元的具體例，可舉出下述重複單元。

[化學式43]

[化學式44]

上述式中，R分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’或-COOR’’：R’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由R表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。 R’分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基及烯基、羥基、烷氧基、醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基（-OCOR’’或-COOR’’：R’’係碳數1～20的烷基或氟化烷基）或羧基。另外，上述烷基、上述環烷基、上述芳基、上述芳烷基及上述烯基可以分別具有取代基。又，與由R’表示之基團中的碳原子鍵結之氫原子可以被氟原子或碘原子取代。 m表示0以上的整數。m的上限並沒有特別限制，2以下的整數的情況較多，1以下的整數的情況更多。又，式（E-2）、式（E-4）、式（E-6）及式（E-8）中，2個R可以相互鍵結而形成環。

由式（E）表示之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，5莫耳%以上為較佳，10莫耳%以上為更佳。又，作為其上限值，60莫耳%以下為較佳，55莫耳%以下為更佳。

＜＜具有選自內酯基、磺內酯基、碳酸酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基中的至少1種基團之重複單元＞＞樹脂（A）可以包含具有選自內酯基、磺內酯基、碳酸酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基中的至少1種基團之重複單元。作為樹脂（A）所具備之具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元，可舉出在上述＜＜具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元＞＞中說明之重複單元。較佳含量亦如在上述＜＜具有內酯基、磺內酯基或碳酸酯基之重複單元＞＞中說明。

樹脂（A）可以包含具有羥基或氰基之重複單元。藉此，基板密接性、顯影液親和性提高。具有羥基或氰基之重複單元係具有被羥基或氰基取代之脂環烴結構之重複單元為較佳。具有羥基或氰基之重複單元不具有酸分解性基為較佳。作為具有羥基或氰基之重複單元，可舉出由下述通式（AIIa）～（AIId）表示之重複單元。

[化學式45]

在通式（AIIa）～（AIId）中， R_1c 表示氫原子、甲基、三氟甲基或羥甲基。 R_2c ～R_4c 分別獨立地表示氫原子、羥基或氰基。然而，R_2c ～R_4c 中的至少1個表示羥基或氰基。較佳為R_2c ～R_4c 中的1個或2個為羥基，其餘為氫原子。更佳為、R_2c ～R_4c 中的2個為羥基，其餘為氫原子。

具有羥基或氰基之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，5莫耳%以上為較佳，10莫耳%以上為更佳。又，作為其上限值，40莫耳%以下為較佳，35莫耳%以下為更佳，30莫耳%以下為進一步較佳。

以下，舉出具有羥基或氰基之重複單元的具體例，但本發明並不限定於此。

[化學式46]

樹脂（A）可以包含具有鹼可溶性基之重複單元。作為鹼可溶性基，可舉出羧基、磺醯胺基、磺醯基醯亞胺基、雙磺醯基醯亞胺基及α位被拉電子基團取代之脂肪族醇（例如，六氟異丙醇基），羧基為較佳。藉由樹脂（A）包含具有鹼可溶性基之重複單元，在接觸孔用途中的解析度提高。作為具有鹼可溶性基之重複單元，可舉出基於丙烯酸及甲基丙烯酸之重複單元之類的在樹脂的主鏈直接鍵結有鹼可溶性基之重複單元或經由連結基在樹脂的主鏈鍵結有鹼可溶性基之重複單元。另外，連結基可以具有單環或多環的環狀烴結構。作為具有鹼可溶性基之重複單元，基於丙烯酸或甲基丙烯酸之重複單元為較佳。

具有鹼可溶性基之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，0莫耳%以上為較佳，3莫耳%以上為更佳，5莫耳%以上為進一步較佳。作為其上限值，20莫耳%以下為較佳，15莫耳%以下為更佳，10莫耳%以下為進一步較佳。

以下，示出具有鹼可溶性基之重複單元的具體例，但本發明並不限定於此。具體例中，Rx表示H、CH₃ 、CH₂ OH或CF₃ 。

[化學式47]

作為具有選自內酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基中的至少1種基團之重複單元，具有選自內酯基、羥基、氰基及鹼可溶性基中的至少2種之重複單元為較佳，具有氰基和內酯基之重複單元為更佳，具有在由通式（LC1-4）表示之內酯結構上取代氰基之結構之重複單元為進一步較佳。

＜＜具有脂環烴結構且不顯示酸分解性之重複單元＞＞樹脂（A）可以不包含具有脂環烴結構且不顯示酸分解性之重複單元。藉此，在液浸曝光時，能夠減少低分子成分從光阻膜向液浸液溶出。作為此類重複單元，例如，可舉出源自（甲基）丙烯酸1-金剛烷基酯、（甲基）丙烯酸二金剛烷基酯、（甲基）丙烯酸三環癸酯或（甲基）丙烯酸環己酯之重複單元等。

＜＜不具有羥基及氰基中的任一個之由通式（III）表示之重複單元＞＞樹脂（A）可以包含不具有羥基及氰基中的任一個之由通式（III）表示之重複單元。

[化學式48]

在通式（III）中，R₅ 表示具有至少一個環狀結構且不具有羥基及氰基中的任一個之烴基。 Ra表示氫原子、烷基或-CH₂ -O-Ra₂ 基。式中，Ra₂ 表示氫原子、烷基或醯基。

R₅ 所具有之環狀結構中包含單環式烴基及多環式烴基。作為單環式烴基，例如，可舉出碳數3～12（更佳為碳數3～7）的環烷基或碳數3～12的環烯基。

作為多環式烴基，可舉出環集合烴基及交聯環式烴基。作為交聯環式烴環，可舉出2環式烴環、3環式烴環及4環式烴環等。又，作為交聯環式烴環，亦包括5～8員環烷環的複數個縮合而成之縮合環。作為交聯環式烴基，降莰基、金剛烷基、雙環辛烷基或三環[5,2,1,0^2,6 ]癸基為較佳，降莰基或金剛烷基為更佳。

脂環式烴基可以具有取代基，作為取代基，可舉出鹵素原子、烷基、由保護基保護之羥基及由保護基保護之胺基。作為鹵素原子，溴原子、氯原子或氟原子為較佳。作為烷基，甲基、乙基、丁基或第三丁基為較佳。上述烷基可以進一步具有取代基，作為取代基，可舉出鹵素原子、烷基、由保護基保護之羥基或由保護基保護之胺基。

作為保護基，例如，可舉出烷基、環烷基、芳烷基、經取代之甲基、經取代之乙基、烷氧基羰基及芳烷氧基羰基。作為烷基，碳數1～4的烷基為較佳。作為經取代之甲基，甲氧基甲基、甲氧基硫甲基、苄氧基甲基、第三丁氧基甲基或2-甲氧基乙氧基甲基為較佳。作為經取代之乙基，1-乙氧基乙基或1-甲基-1-甲氧基乙基為較佳。作為醯基，甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基及三甲基乙醯基等碳數1～6的脂肪族醯基為較佳。作為烷氧基羰基，碳數1～4的烷氧基羰基為較佳。

不具有羥基及氰基中的任一個之由通式（III）表示之重複單元的含量相對於樹脂（A）中的所有重複單元，0～40莫耳%為較佳，0～20莫耳%為更佳。以下舉出由通式（III）表示之重複單元的具體例，本發明並不限定於此。式中，Ra表示H、CH₃ 、CH₂ OH或CF₃ 。

[化學式49]

＜＜其他重複單元＞＞進而，樹脂（A）可以包含除上述重複單元以外的重複單元。例如，樹脂（A）可以具有選自包括具有氧硫𠮿環基之重複單元、具有㗁唑啉酮環基之重複單元、具有二㗁𠮿環基之重複單元及具有乙內醯脲環基之重複單元之群組中之重複單元。以下，例示此類重複單元。

[化學式50]

除了上述重複結構單元以外，樹脂（A）亦可以以調節耐乾蝕刻性、標準顯影液適應性、基板密接性、光阻輪廓、解析力、耐熱性及靈敏度等為目的而具有各種重複結構單元。

作為樹脂（A），（尤其，組成物以ArF用途使用時）重複單元全部由（甲基）丙烯酸酯系重複單元構成亦較佳。此時，能夠使用重複單元全部為丙烯酸甲酯系重複單元者、重複單元全部為丙烯酸酯系重複單元者、重複單元全部為基於丙烯酸甲酯系重複單元和丙烯酸酯系重複單元者中的任一個，丙烯酸酯系重複單元係所有重複單元的50莫耳%以下為較佳。

樹脂（A）能夠按照常規方法（例如自由基聚合）進行合成。作為基於GPC法之聚苯乙烯換算值，樹脂（A）的重量平均分子量係1000～200000為較佳，3000～20000為更佳，5000～15000為進一步較佳。藉由將樹脂（A）的重量平均分子量設為1000～200000，能夠進一步抑制耐熱性及耐乾蝕刻性的劣化。又，亦能夠進一步抑制顯影性的劣化及黏度變高而製膜性劣化。通常，樹脂（A）的分散度（分子量分佈）為1～5，1～3為較佳，1.2～3.0為更佳，1.2～2.0為進一步較佳。分散度越小，解析度及光阻形狀越優異，進而，抗蝕劑圖案的側壁越順滑，粗糙度越優異。

在光阻組成物中，樹脂（A）的含量相對光阻組成物的總固體成分，50～99.9質量%為較佳，60～99.0質量%為更佳。另外，固體成分係指除了光阻組成物中的溶劑以外的成分，只要為除溶劑以外的成分，則即使為液體狀成分，亦視為固體成分。又，樹脂（A）可以使用1種，亦可以同時使用複數種。

＜藉由光化射線或放射線而產生酸之化合物（光酸產生劑）＞化學增幅型光阻組成物包含藉由光化射線或放射線而產生酸之化合物（以下，亦稱為“光酸產生劑（PAG：Photo Acid Generator）”。）為較佳。光酸產生劑可以為低分子化合物的形態，亦可以為組合到聚合物的一部分中之形態。又，可以同時使用低分子化合物的形態和組合到聚合物的一部分中之形態。又，光酸產生劑為低分子化合物的形態時，光酸產生劑的分子量係3000以下為較佳，2000以下為更佳，1000以下為進一步較佳。下限在50以上的情況較多。光酸產生劑為組合到聚合物的一部分中的形態時，可以組合到樹脂（A）的一部分中，亦可以組合到與樹脂（A）不同的樹脂中。在本發明中，光酸產生劑為低分子化合物的形態為較佳。作為光酸產生劑，只要為公知者，則並沒有特別限制，藉由光化射線或放射線（較佳為電子束或極紫外線）的照射，產生有機酸，例如磺酸、雙（烷基磺醯基）醯亞胺或三（烷基磺醯基）甲基化物中的至少一種之化合物為較佳。更佳為可舉出由下述通式（ZI）、（ZII）及（ZIII）表示之化合物。

[化學式51]

在上述通式（ZI）中，R₂₀₁ 、R₂₀₂ 及R₂₀₃ 分別獨立地表示有機基團。作為R₂₀₁ 、R₂₀₂ 及R₂₀₃ 的有機基團的碳數，1～30為較佳，1～20為更佳。又，可以由R₂₀₁ ～R₂₀₃ 中的2個鍵結而形成環結構，環內可以包含氧原子、硫原子、酯鍵、醯胺鍵或羰基。作為R₂₀₁ ～R₂₀₃ 中的2個鍵結而形成之基團，可舉出伸烷基（例如伸丁基及伸戊基）。 Z^- 表示非親核性陰離子（引起親核反應的能力明顯低的陰離子）。

作為非親核性陰離子，例如可舉出磺酸陰離子（脂肪族磺酸陰離子、芳香族磺酸陰離子及樟腦磺酸陰離子等）、羧酸陰離子（脂肪族羧酸陰離子、芳香族羧酸陰離子及芳烷基羧酸陰離子等）、磺醯基醯亞胺陰離子、雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子及三（烷基磺醯基）甲基化物陰離子等。

脂肪族磺酸陰離子及脂肪族羧酸陰離子中的脂肪族部位可以為烷基，亦可以為環烷基，較佳為可舉出碳數1～30的直鏈狀或支鏈狀烷基及碳數3～30的環烷基。

作為芳香族磺酸陰離子及芳香族羧酸陰離子中的芳香族基，碳數6～14的芳基為較佳。例如，可舉出苯基、甲苯基及萘基等。

上述烷基、上述環烷基及上述芳基可以具有取代基。作為具體例，可舉出硝基、氟原子等鹵素原子、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基（較佳為碳數1～15）、環烷基（較佳為碳數3～15）、芳基（較佳為碳數6～14）、烷氧基羰基（較佳為碳數2～7）、醯基（較佳為碳數2～12）、烷氧基羰基氧基（較佳為碳數2～7）、烷硫基（較佳為碳數1～15）、烷基磺醯基（較佳為碳數1～15）、烷基亞磺醯基（較佳為碳數1～15）、芳氧基磺醯基（較佳為碳數6～20）、烷基芳氧基磺醯基（較佳為碳數7～20）、環烷基芳氧基磺醯基（較佳為碳數10～20）、烷氧基烷氧基（較佳為碳數5～20）及環烷基烷氧基烷氧基（較佳為碳數8～20）等。關於各基團所具有之芳基及環結構，作為取代基，進一步可舉出烷基（較佳為碳數1～15）。

作為芳烷基羧酸陰離子中之芳烷基，碳數7～12的芳烷基為較佳。例如，可舉出苄基、苯乙基、萘基甲基、萘基乙基及萘基丁基等。

作為磺醯基醯亞胺陰離子，例如可舉出糖精（saccharin）陰離子。

作為雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子及三（烷基磺醯基）甲基化物陰離子中的烷基，碳數1～5的烷基為較佳。作為該等烷基的取代基，可舉出鹵素原子、被鹵素原子取代之烷基、烷氧基、烷硫基、烷氧基磺醯基、芳氧基磺醯基及環烷基芳氧基磺醯基等，氟原子或被氟原子取代之烷基為較佳。又，雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子中的烷基可以相互鍵結而形成環結構。藉此，增加酸強度。

作為其他非親核性陰離子，例如可舉出氟化燐（例如，PF₆ ^- ）、氟化硼（例如，BF₄ ^- ）及氟化銻（例如，SbF₆ ^- ）等。

作為非親核性陰離子，磺酸的至少α位被氟原子取代之脂肪族磺酸陰離子、被氟原子或具有氟原子之基團取代之芳香族磺酸陰離子、烷基被氟原子取代之雙（烷基磺醯基）醯亞胺陰離子及烷基被氟原子取代之三（烷基磺醯基）甲基化物陰離子為較佳。作為非親核性陰離子，全氟脂肪族磺酸陰離子（較佳為碳數4～8）或具有氟原子之苯磺酸陰離子為更佳，九氟丁烷磺酸陰離子、全氟辛烷磺酸陰離子、五氟苯磺酸陰離子或3,5-雙（三氟甲基）苯磺酸陰離子為進一步較佳。

從酸強度或靈敏度的觀點考慮，產生酸的pKa係-1以下為較佳。

又，作為非親核性陰離子，由以下通式（AN1）表示之陰離子亦可以作為較佳態樣來舉出。

[化學式52]

式中，Xf分別獨立地表示氟原子或被至少1個氟原子取代之烷基。 R¹ 及R² 分別獨立地表示氫原子、氟原子或烷基，存在複數個時的R¹ 及R² 分別可以相同或不同。 L表示二價連結基，存在複數個時的L可以相同，亦可以不同。 A表示環狀有機基團。 x表示1～20的整數，y表示0～10的整數，z表示0～10的整數。

對通式（AN1）進行更詳細的說明。作為Xf的被氟原子取代之烷基中烷基的碳數，1～10為較佳，1～4為更佳。又，關於Xf的被氟原子取代之烷基，全氟烷基為較佳。作為Xf，氟原子或碳數1～4的全氟烷基為較佳。作為Xf的具體例，可舉出氟原子、CF₃ 、C₂ F₅ 、C₃ F₇ 、C₄ F₉ 、CH₂ CF₃ 、CH₂ CH₂ CF₃ 、CH₂ C₂ F₅ 、CH₂ CH₂ C₂ F₅ 、CH₂ C₃ F₇ 、CH₂ CH₂ C₃ F₇ 、CH₂ C₄ F₉ 及CH₂ CH₂ C₄ F₉ 。其中，氟原子或CF₃ 為較佳。尤其，兩個Xf均為氟原子為較佳。

R¹ 及R² 的烷基可以具有取代基（較佳為氟原子），碳數係1～4為較佳。其中，R¹ 及R² 的烷基係碳數1～4的全氟烷基為較佳。作為R¹ 及R² 的具有取代基之烷基的具體例，可舉出CF₃ 、C₂ F₅ 、C₃ F₇ 、C₄ F₉ 、C₅ F₁₁ 、C₆ F₁₃ 、C₇ F₁₅ 、C₈ F₁₇ 、CH₂ CF₃ 、CH₂ CH₂ CF₃ 、CH₂ C₂ F₅ 、CH₂ CH₂ C₂ F₅ 、CH₂ C₃ F₇ 、CH₂ CH₂ C₃ F₇ 、CH₂ C₄ F₉ 及CH₂ CH₂ C₄ F₉ 。其中，CF₃ 為較佳。作為R¹ 及R² ，氟原子或CF₃ 為較佳。

x係1～10為較佳，1～5為更佳。 y係0～4為較佳，0為更佳。 z係0～5為較佳，0～3為更佳。作為L的2價連結基，並沒有特別限制，可舉出-COO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO₂ -、伸烷基、伸環烷基、伸烯基及複數個該等所連結之連結基等。其中，總碳數12以下的連結基為較佳。其中，-COO-、-OCO-、-CO-或-O-為較佳，-COO-或-OCO-為更佳。

在上述通式（AN1）中，作為A以外的部分結構的組合，SO₃ ^- -CF₂ -CH₂ -OCO-、SO₃ ^- -CF₂ -CHF-CH₂ -OCO-、SO₃ ^- -CF₂ -COO-、SO₃ ^- -CF₂ -CF₂ -CH₂ -及SO₃ ^- -CF₂ -CH（CF₃ ）-OCO-為較佳。

作為A的環狀有機基團，只要為具有環狀結構者，則並沒有特別限制，可舉出脂環基、芳基及雜環基（不僅包括具有芳香族性者，亦包括不具有芳香族性者）等。作為脂環基，可以為單環，亦可以為多環，環戊基、環己基、環辛基等單環的環烷基、降莰基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等多環的環烷基為較佳。其中，從能夠抑制曝光後加熱步驟中的膜中擴散性，增加MEEF（mask error enhancement factor：遮罩誤差增強因子）的觀點考慮，降莰基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等碳數7以上的具有大體積結構之脂環基為更佳。作為芳基，可舉出苯環、萘環、菲環及蒽環。作為雜環基，可舉出源自呋喃環、噻吩環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環及吡啶環的基團。其中，源自呋喃環、噻吩環或吡啶環者為較佳。

又，作為環狀有機基團，亦可舉出內酯結構，作為具體例，可舉出由下述通式（LC1-1）～（LC1-17）表示之內酯結構。

[化學式53]

上述環狀有機基團可以具有取代基，作為上述取代基，可舉出烷基（可以為直鏈狀、支鏈狀及環狀中的任一種，碳數1～12為較佳）、環烷基（可以為單環、多環及螺環中的任一種，碳數3～20為較佳）、芳基（碳數6～14為較佳）、羥基、烷氧基、酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺醯胺基及磺酸酯基等。另外，構成環狀有機基團之碳（有助於形成環之碳）可以為羰基碳。另外，上述取代基在上述（LC1-1）～（LC1-17）中相當於Rb₂ 。又，在上述（LC1-1）～（LC1-17）中，n2表示0～4的整數。n2為2以上的整數時，存在複數個之Rb₂ 可以相同，亦可以不同，又，存在複數個之Rb₂ 可以彼此鍵結而形成環。

在通式（ZI）中，作為R₂₀₁ 、R₂₀₂ 及R₂₀₃ 的有機基團，可舉出芳基、烷基及環烷基等。 R₂₀₁ 、R₂₀₂ 及R₂₀₃ 中至少1個為芳基為較佳，3個均為芳基為更佳。作為芳基，除苯基、萘基等以外，亦可以為吲哚殘基及吡咯殘基等雜芳基。作為R₂₀₁ ～R₂₀₃ 的烷基及環烷基，碳數1～10的直鏈狀或支鏈狀烷基或碳數3～10的環烷基為較佳。作為烷基，甲基、乙基、正丙基、異丙基或正丁基等為較佳。作為環烷基，環丙基、環丁基、環戊基、環己基或環庚基為較佳。該等基團可以進一步具有取代基。作為可以進一步具有的取代基，可舉出硝基、氟原子等鹵素原子、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基（較佳為碳數1～15）、環烷基（較佳為碳數3～15）、芳基（較佳為碳數6～14）、烷氧基羰基（較佳為碳數2～7）、醯基（較佳為碳數2～12）及烷氧基羰基氧基（較佳為碳數2～7）等，但並不限於此。

接著，對通式（ZII）及（ZIII）進行說明。在通式（ZII）及（ZIII）中，R₂₀₄ ～R₂₀₇ 分別獨立地表示芳基、烷基或環烷基。作為R₂₀₄ ～R₂₀₇ 的芳基，苯基或萘基為較佳，苯基為更佳。R₂₀₄ ～R₂₀₇ 的芳基亦可以為包含具有氧原子、氮原子及硫原子等之雜環結構之芳基。作為具有雜環結構之芳基的骨架，例如，可舉出吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯并呋喃及苯并噻吩等。作為R₂₀₄ ～R₂₀₇ 中的烷基及環烷基，碳數1～10的直鏈狀或支鏈狀烷基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基及戊基）或碳數3～10的環烷基（環戊基、環己基、降莰基）為較佳。

R₂₀₄ ～R₂₀₇ 的芳基、烷基及環烷基可以具有取代基。R₂₀₄ ～R₂₀₇ 的芳基、烷基及環烷基可以具有的取代基，例如可舉出烷基（例如碳數1～15）、環烷基（例如碳數3～15）、芳基（例如碳數6～15）、烷氧基（例如碳數1～15）、鹵素原子、羥基及苯硫基等。

又，在通式（ZII）中，Z^- 表示非親核性陰離子。具體而言，與在通式（ZI）中作為Z^- 說明者相同，較佳形態亦相同。

以下，示出通式（ZI）～（ZIII）的具體例，但並不限於此。

[化學式54]

在本發明中，從抑制曝光中產生之酸向非曝光部的擴散且改善解析度之觀點考慮，上述光酸產生劑係藉由電子束或極紫外線的照射而產生體積130Å³ 以上大小的酸（更佳為磺酸）之化合物，係產生體積190Å³ 以上大小的酸（更佳為磺酸）之化合物為更佳，體積270Å³ 以上大小的酸（更佳為磺酸）之化合物為進一步較佳，體積400Å³ 以上大小的酸（更佳為磺酸）之化合物為特佳。然而，從靈敏度、塗佈溶劑溶解性的觀點考慮，上述體積係2000Å³ 以下為較佳，1500Å³ 以下為更佳。上述體積的值利用Fujitsu Limited製“WinMOPAC”求出。首先，輸入各例之酸的化學結構，接著，將該結構作為初始結構，藉由利用MM3法之分子力場計算，確定各酸的最穩定立體構形，然後，藉由對該等最穩定立體構形進行利用PM3法之分子軌道計算，能夠計算各酸的“accessible volume：容通體積”。另外，1Å表示0.1nm。在本發明中，藉由光化射線或放射線的照射，產生以下例示之酸之光酸產生劑為較佳。另外，部分例子中，標註有體積的計算值（單位Å³ ）。另外，此處求出之計算值係質子鍵結於陰離子部之酸的體積值。

[化學式55]

[化學式56]

[化學式57]

作為光酸產生劑，能夠引用日本特開2014-41328號公報的[0368]～[0377]段、日本特開2013-228681號公報的[0240]～[0262]段（所對應之美國專利申請公開第2015/004533號說明書的[0339]段），該等內容編入本說明書中。又，作為較佳具體例，可舉出以下化合物，但並不限於此。

[化學式58]

[化學式59]

[化學式60]

[化學式61]

光酸產生劑能夠單獨使用1種，或組合使用2種以上。光酸產生劑在光阻組成物中的含量相對於光阻組成物的總固體成分，0.1～50質量%為較佳，5～50質量%為更佳，8～40質量%為進一步較佳。尤其，進行電子束或極紫外線曝光時，為了兼顧高靈敏度化及高解析度，光酸產生劑的含有率高為較佳。從上述觀點考慮，10～40質量%為較佳，10～35質量%為更佳。

＜溶劑＞在溶解上述各成分來製備光阻組成物時，能夠使用溶劑。作為能夠使用的溶劑，例如，可舉出伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、碳數4～10的環狀內酯、碳數4～10的可以包含環之單酮化合物、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等溶劑。

作為伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯，例如，可舉出丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚丙酸酯、丙二醇單乙醚丙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯及乙二醇單乙醚乙酸酯。作為伸烷基二醇單烷基醚，例如，可舉出丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚及乙二醇單乙醚。

作為乳酸烷基酯，例如，可舉出乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯及乳酸丁酯。作為烷氧基丙酸烷基酯，例如，可舉出3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲酯及3-甲氧基丙酸乙酯。

作為碳數4～10的環狀內酯，例如，可舉出β-丙內酯、β-丁內酯、γ-丁內酯、α-甲基-γ-丁內酯、β-甲基-γ-丁內酯、γ-戊內酯、γ-己內酯、γ-辛內酯及α-羥基-γ-丁內酯。

作為碳數4～10的、可以包含環之單酮化合物，例如，可舉出2-丁酮、3-甲基丁酮、第三丁基乙酮、2-戊酮、3-戊酮、3-甲基-2-戊酮、4-甲基-2-戊酮、2-甲基-3-戊酮、4,4-二甲基-2-戊酮、2,4-二甲基-3-戊酮、2,2,4,4-四甲基-3-戊酮、2-己酮、3-己酮、5-甲基-3-己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-甲基-3-庚酮、5-甲基-3-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、2-辛酮、3-辛酮、2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、3-癸酮、4-癸酮、5-己烯-2-酮、3-戊烯-2-酮、環戊酮、2-甲基環戊酮、3-甲基環戊酮、2,2-二甲基環戊酮、2,4,4-三甲基環戊酮、環己酮、3-甲基環己酮、4-甲基環己酮、4-乙基環己酮、2,2-二甲基環己酮、2,6-二甲基環己酮、2,2,6-三甲基環己酮、環庚酮、2-甲基環庚酮及3-甲基環庚酮。

作為伸烷基碳酸酯，例如，可舉出碳酸丙烯酯、碳酸亞乙烯酯、碳酸乙烯酯及碳酸丁烯酯。作為烷氧基乙酸烷基酯，例如，可舉出乙酸-2-甲氧基乙酯、乙酸-2-乙氧基乙酯、乙酸-2-（2-乙氧基乙氧基）乙酯、乙酸-3-甲氧基-3-甲基丁酯及乙酸-1-甲氧基-2-丙酯。作為丙酮酸烷基酯，例如，可舉出丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯及丙酮酸丙酯。其中，作為溶劑，常溫常壓下沸點130℃以上的溶劑為較佳。具體而言，可舉出環戊酮、γ-丁內酯、環己酮、乳酸乙酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸-2-乙氧基乙酯、乙酸-2-（2-乙氧基乙氧基）乙酯及碳酸丙烯酯。

上述溶劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

在本發明中，作為溶劑，可以使用將在結構中包含羥基之溶劑和不包含羥基之溶劑混合之混合溶劑。作為包含羥基之溶劑，例如，可舉出乙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚及乳酸乙酯等。其中，丙二醇單甲醚或乳酸乙酯為較佳。作為不包含羥基之溶劑，例如，可舉出丙二醇單甲醚乙酸酯、乙氧基丙酸乙酯、2-庚酮、γ-丁內酯、環己酮、乙酸丁酯、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺及二甲基亞碸等。其中，丙二醇單甲醚乙酸酯、乙氧基丙酸乙酯、2-庚酮、γ-丁內酯、環己酮或乙酸丁酯為較佳，丙二醇單甲醚乙酸酯、乙氧基丙酸乙酯或2-庚酮為更佳。包含羥基之溶劑的含量與不包含羥基之溶劑的含量的質量比[包含羥基之溶劑的含有質量/不包含羥基之溶劑的含有質量]係1/99～99/1為較佳，10/90～90/10為更佳，20/80～60/40為進一步較佳。又，從塗佈均勻性方面考慮，混合溶劑中的不包含羥基之溶劑的質量係50質量%以上為較佳。

上述溶劑係包含丙二醇單甲醚乙酸酯之2種以上的混合溶劑為較佳，γ―丁基內酯與乙酸丁酯的組合為更佳。

作為溶劑，例如，亦能夠使用日本特開2014-219664號公報的[0013]～[0029]段中記載之溶劑。

＜酸擴散控制劑＞為了降低曝光至加熱為止的經時性能變化，光阻組成物包含酸擴散控制劑為較佳。

作為酸擴散控制劑，例如，可舉出鹼性化合物。作為鹼性化合物，例如，可舉出具有由下述式（A1）～（E1）表示之結構之化合物。

[化學式62]

通式（A1）及（E1）中的R²⁰⁰ 、R²⁰¹ 及R²⁰² 可以相同，亦可以不同，表示氫原子、烷基（較佳為碳數1～20）、環烷基（較佳為碳數3～20）或芳基（較佳為碳數6～20）。另外，R²⁰¹ 及R²⁰² 可以相互鍵結而形成環。

作為具有上述取代基之烷基，碳數1～20的胺基烷基、碳數1～20的羥基烷基或碳數1～20的氰基烷基為較佳。 R²⁰³ 、R²⁰⁴ 、R²⁰⁵ 及R²⁰⁶ 可以相同，亦可以不同，表示碳數1～20的烷基。通式（A1）及（E1）中的烷基未經取代為較佳。

作為具有由通式（A1）～（E1）表示之結構之化合物，除了胍、胺基吡咯啶、吡唑、吡唑啉、哌𠯤、胺基口末啉、胺基烷基口末啉、哌啶以外，可舉出具有咪唑結構、二氮雜雙環結構、氫氧化鎓結構、羧酸鎓結構、三烷基胺結構、苯胺結構或吡啶結構之化合物、具有羥基和/或醚鍵之烷基胺衍生物及具有羥基和/或醚鍵之苯胺衍生物等。

作為具有咪唑結構之化合物，可舉出咪唑、2,4,5-三苯基咪唑及苯并咪唑等。作為具有二氮雜雙環結構之化合物，可舉出1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、1,5-二氮雜雙環[4,3,0]壬-5-烯及1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一碳-7-烯等。作為具有氫氧化鎓結構之化合物，可舉出氫氧化三芳基鋶、氫氧化苯甲醯基鋶及具有2-氧代烷基之氫氧化鋶。具體而言，可舉出氫氧化三苯基鋶、氫氧化三（第三丁基苯基）鋶、氫氧化雙（第三丁基苯基）錪、氫氧化苯甲醯甲基噻吩鎓及氫氧化2-氧代丙基噻吩鎓等。作為具有羧酸鎓結構之化合物，係具有氫氧化鎓結構之化合物的陰離子部成為羧酸酯者，例如可舉出乙酸酯、金剛烷-1-羧酸酯及全氟烷基羧酸酯等。作為具有三烷基胺結構之化合物，可舉出三（正丁基）胺及三（正辛基）胺等。作為苯胺化合物，可舉出2,6-二異丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、N,N-二丁基苯胺及N,N-二己基苯胺等。作為具有羥基和/或醚鍵之烷基胺衍生物，可舉出乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺及三（甲氧基乙氧基乙基）胺等。作為具有羥基和/或醚鍵之苯胺衍生物，可舉出N,N-雙（羥基乙基）苯胺等。

作為鹼性化合物，進一步可舉出具有苯氧基之胺化合物及具有苯氧基之銨鹽化合物。

胺化合物能夠使用一級、二級及三級的胺化合物，至少1個烷基鍵結於氮原子之胺化合物為較佳。胺化合物係三級胺化合物為更佳。關於胺化合物，只要至少1個烷基（較佳為碳數1～20）鍵結於氮原子，則除烷基以外，環烷基（較佳為碳數3～20）或芳基（較佳為碳數6～12）亦可以鍵結於氮原子。又，胺化合物較佳為在烷基鏈中具有氧原子且形成有氧伸烷基。氧伸烷基數在分子內為1個以上，3～9個為較佳，4～6個為更佳。其中，作為氧伸烷基，氧伸乙基（-CH₂ CH₂ O-）或氧伸丙基（-CH（CH₃ ）CH₂ O-或-CH₂ CH₂ CH₂ O-）為較佳，氧伸乙基為更佳。

關於銨鹽化合物，能夠使用一級、二級、三級或四級銨鹽化合物，至少1個烷基鍵結於氮原子之銨鹽化合物為較佳。關於銨鹽化合物，只要至少1個烷基（較佳為碳數1～20）鍵結於氮原子，則除烷基以外，環烷基（較佳為碳數3～20）或芳基（較佳為碳數6～12）亦可以鍵結於氮原子。銨鹽化合物較佳為在烷基鏈中具有氧原子且形成有氧伸烷基。氧伸烷基數在分子內為1個以上，3～9個為較佳，4～6個為更佳。其中，作為氧伸烷基，氧伸乙基（-CH₂ CH₂ O-）或氧伸丙基（-CH（CH₃ ）CH₂ O-或CH₂ CH₂ CH₂ O-）為較佳，氧伸乙基為更佳。作為銨鹽化合物的陰離子，可舉出鹵素原子、磺酸酯、硼酸酯及磷酸酯等。其中，鹵素原子或磺酸酯為較佳。作為鹵素原子，氯化物、溴化物及碘化物為較佳。作為磺酸酯，碳數1～20的有機磺酸酯為較佳。作為有機磺酸酯，碳數1～20的烷基磺酸酯及芳基磺酸酯為較佳。烷基磺酸酯的烷基可以具有取代基，作為取代基，例如，可舉出氟、氯、溴、烷氧基、醯基及芳基等。作為烷基磺酸酯，可舉出甲烷磺酸酯、乙烷磺酸酯、丁烷磺酸酯、己烷磺酸酯、辛烷磺酸酯、苄基磺酸酯、三氟甲烷磺酸酯、五氟乙烷磺酸酯及九氟丁烷磺酸酯等。作為芳基磺酸酯的芳基，可舉出苯環、萘環及蒽環。苯環、萘環及蒽環可以具有取代基，作為取代基，碳數1～6的直鏈狀或支鏈狀烷基或碳數3～6的環烷基為較佳。作為直鏈狀或支鏈狀烷基及環烷基，具體而言，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正己基及環己基等。作為其他取代基，可舉出碳數1～6的烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、醯基及醯基氧基等。

具有苯氧基之胺化合物或具有苯氧基之銨鹽化合物係指在胺化合物或銨鹽化合物的與烷基的氮原子相反一側的末端具有苯氧基者。苯氧基可以具有取代基。作為苯氧基的取代基，例如可舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、羧基、羧酸酯基、磺酸酯基、芳基、芳烷基、醯基氧基及芳基氧基等。取代基的取代位可以為2～6位中的任一個。取代基數可以為在1～5個範圍內的任一個。

在苯氧基與氮原子之間，具有至少1個氧伸烷基為較佳。氧伸烷基數在分子內為1個以上，3～9個為較佳，4～6個為更佳。其中，作為氧伸烷基，氧伸乙基（-CH₂ CH₂ O-）或氧伸丙基（-CH（CH₃ ）CH₂ O-或-CH₂ CH₂ CH₂ O-）為較佳，氧伸乙基為更佳。

藉由加熱使具有苯氧基之一級或二級胺與鹵代烷基醚進行反應之後、添加氫氧化鈉、氫氧化鉀及四烷基銨等強鹼水溶液，之後用乙酸乙酯及氯仿等溶劑進行萃取來獲得具有苯氧基之胺化合物。或者，藉由加熱使一級或二級胺與末端具有苯氧基之鹵代烷基醚進行反應之後、添加氫氧化鈉、氫氧化鉀及四烷基銨等強鹼水溶液，之後用乙酸乙酯及氯仿等溶劑進行萃取來獲得。

（具有質子受體性官能基，且產生藉由光化射線或放射線的照射而分解，藉此質子受體性降低，消失或從質子受體性變為酸性的化合物之化合物（PA））本發明之組成物可以進一步包含具有質子受體性官能基，且產生藉由光化射線或放射線的照射而分解，藉此質子受體性降低、消失或從質子受體性變為酸性的化合物之化合物〔以下，亦稱為化合物（PA）。〕作為酸擴散控制劑。

質子受體性官能基係能夠與光子發生靜電性相互作用之基團或具有電子之官能基，例如表示環狀聚醚等具有巨環結構之官能基或具有具備對π共軛不起作用之非共用電子對之氮原子之官能基。具有對π共軛不起作用之非共用電子對之氮原子例如為具有下述通式所示的部分結構之氮原子。

[化學式63]

作為質子受體性官能基的較佳部分結構，例如可舉出冠醚、氮雜冠醚、一級～三級胺、吡啶、咪唑及吡啶結構等。

化合物（PA）產生如下化合物：藉由光化射線或放射線的照射分解而質子受體性降低、消失或從質子受體性變為酸性。其中，質子受體性的降低、消失或從質子受體性向酸性的變化係指，由質子與質子受體性官能基的加成引起之質子受體性的變化，具體而言，表示由具有質子受體性官能基之化合物（PA）與質子產生質子加成物時，其化學平衡中的平衡常數減少。

作為化合物（PA）的具體例，例如，可舉出下述化合物。進而，作為化合物（PA）的具體例，例如，能夠引用日本特開2014-041328號公報的[0421]～[0428]段及日本特開2014-134686號公報的[0108]～[0116]段中記載者，該等內容編入本說明書中。

[化學式64]

[化學式65]

[化學式66]

酸擴散控制劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。酸擴散控制劑的含量相對於光阻組成物的總固體成分，0.001～10質量%為較佳，0.005～5質量%為更佳。

光酸產生劑與酸擴散控制劑在組成物中的使用比例係光酸產生劑/酸擴散控制劑（莫耳比）＝2.5～300為較佳。從本發明的效果更優異之方面考慮，莫耳比係2.5以上為較佳，從抑制由曝光後加熱處理為止的光阻圖案的經時變粗引起之解析度降低之方面考慮，300以下為較佳。光酸產生劑/酸擴散控制劑（莫耳比）係5.0～200為更佳，7.0～150為進一步較佳。

作為酸擴散控制劑，例如，能夠使用日本特開2013-11833號公報的[0140]～[0144]段中記載之化合物（胺化合物、含有醯胺基之化合物、脲化合物及含氮雜環化合物等）。

＜疏水性樹脂＞光阻組成物可以包含與上述樹脂（A）不同的其他疏水性樹脂。疏水性樹脂被設計成偏在於光阻膜的表面為較佳，但與界面活性劑不同，無需一定要在分子內具有親水基且可以無助於極性/非極性物質的均勻混合。作為添加疏水性樹脂之效果，可舉出光阻膜表面相對於水的靜態/動態接觸角的控制以及脫氣的抑制等。

從偏在於膜表層的觀點考慮，疏水性樹脂具有氟原子、矽原子及在樹脂的側鏈部分含有之CH₃ 部分結構中任1種以上為較佳，具有2種以上為進一步較佳。又，上述疏水性樹脂包含碳數5以上的烴基為較佳。可以在樹脂的主鏈中具有該等基團，亦可以在側鏈取代。

疏水性樹脂包含氟原子和/或矽原子時，疏水性樹脂中的上述氟原子和/或矽原子可以包含在樹脂的主鏈中，亦可以包含在側鏈中。

疏水性樹脂包含氟原子時，係將含有具有氟原子之烷基、具有氟原子之環烷基或具有氟原子之芳基作為具有氟原子之部分結構之樹脂為較佳。具有氟原子之烷基（較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～4）係至少1個氫原子被氟原子取代之直鏈狀或支鏈狀烷基，可以進一步具有除氟原子以外的取代基。具有氟原子之環烷基係至少1個氫原子被氟原子取代之單環或多環的環烷基，可以進一步具有除氟原子以外的取代基。作為具有氟原子之芳基，可舉出苯基及萘基等芳基的至少1個氫原子被氟原子取代者，可以進一步具有除氟原子以外的取代基。作為具有氟原子或矽原子之重複單元的例子，能夠舉出在US2012/0251948A1的[0519]段中例示者。

又，如上所述，疏水性樹脂在側鏈部分包含CH₃ 部分結構亦較佳。其中，疏水性樹脂中的側鏈部分所具有之CH₃ 部分結構中包含乙基及丙基等所具有之CH₃ 部分結構。另一方面，直接鍵結於疏水性樹脂的主鏈之甲基（例如，具有甲基丙烯酸結構之重複單元的α-甲基）受到主鏈的影響而對疏水性樹脂的表面偏在化的作用小，因此不包含在本發明中的CH₃ 部分結構。

關於疏水性樹脂，能夠參考日本特開2014-010245號公報的[0348]～[0415]段中的記載，該等內容編入本說明書中。

另外，作為疏水性樹脂，除此以外亦能夠使用日本特開2011-248019號公報、日本特開2010-175859號公報和/或日本特開2012-032544號公報中記載之樹脂。

＜界面活性劑＞光阻組成物可以包含界面活性劑。藉由包含界面活性劑，在使用波長為250nm以下，尤其220nm以下的曝光光源時，能夠以良好的靈敏度及解析度，形成密接性及顯影缺陷更少的圖案。作為界面活性劑，使用氟系和/或矽系界面活性劑為特佳。作為氟系和/或矽系界面活性劑，可舉出美國專利申請公開第2008/0248425號的[0276]段中記載之界面活性劑。又，可以使用FTOP EF301或EF303（Shin-Akita Kasei Co.,Ltd.製）；FLUORAD FC430、431或4430（Sumitomo 3M Limited製）；MEGAFACE F171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120或R08（DIC Corporation製）；Surflon S-382、SC101、102、103、104、105或106（ASAHI GLASS CO.,LTD.製）；Troysol S-366（Troy Chemical Industriesm,Inc.製）；GF-300或GF-150（TOAGOSEI CO.,LTD.製）、Surflon S-393（SEIMI CHEMICAL CO.,LTD.製）；FTOP EF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802或EF601（Gemco co.,ltd.製）；PF636、PF656、PF6320或PF6520（OMNOVA Solutions Inc.製）；或FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D或222D（Neos Corporation製）。另外，聚矽氧烷聚合物KP-341（Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製）亦能夠用作矽系界面活性劑。

又，除了以上所示之公知者以外，界面活性劑亦可以使用藉由短鏈聚合法（亦稱為短鏈聚合物法）或寡聚合法（亦稱為寡聚物法）製造之氟脂肪族化合物進行合成。具體而言，可以將具備源自該氟脂肪族化合物之氟脂肪族基之聚合物用作界面活性劑。例如，能夠藉由日本特開2002-90991號公報中記載之方法合成該氟脂肪族化合物。又，亦可以使用除了美國專利申請公開第2008/0248425號的[0280]段中記載之氟系和/或矽系以外的界面活性劑。

界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以使用2種以上。

光阻組成物包含界面活性劑時，其含量相對於組成物的總固體成分，0～2質量%為較佳，0.0001～2質量%為更佳，0.0005～1質量%為進一步較佳。

＜其他添加劑＞化學增幅型光阻組成物可以進一步包含溶解抑制化合物、染料、可塑劑、光敏劑、光吸收劑和/或促進顯影液中的溶解性之化合物（例如，分子量1000以下的酚化合物或包含羧基之脂環族或脂肪族化合物）。

光阻組成物亦可以進一步包含溶解抑制化合物。在此，“溶解抑制化合物”係指藉由酸的作用分解而在有機系顯影液中的溶解度降低之分子量3000以下的化合物。

〔沖洗液的製造方法〕在本發明的沖洗液中，為了使金屬成分及沸點300℃以上的有機物等的含量在所期望的範圍內，實施以下純化步驟為較佳。

＜純化步驟＞純化步驟可以在任意時點實施。作為純化步驟，例如，可舉出以下純化處理I～IV。亦即，純化處理I係在組成沖洗液之溶劑的製造前，對用於上述溶劑的製造之原材料進行純化之處理。又，純化處理II係在組成沖洗液之溶劑的製造時和/或製造後，進行該等純化之處理。又，純化處理III係在製造沖洗液時，混合2種以上的溶劑之前，按每一成分進行純化之處理。又，純化處理IV係在製造沖洗液時，混合2種以上的溶劑之後，進行混合物的純化之處理。如上所述，為了獲得目標沖洗液，進行純化為較佳。關於純化，可以在對各溶劑進行純化之後混合，亦可以將各溶劑混合之後進行純化。尤其，從能夠以一定的溶劑混合比製造之方面考慮，混合經純化之溶劑之方法為較佳。純化處理I～IV可以分別僅實施1次，亦可以實施2次以上。又，關於所使用之溶劑，能夠購入高純度等級品（尤其，上述有機雜質、金屬雜質及水等的含量少者），進而對該等進行後述純化處理來使用。

以下，示出純化步驟的一例。在以下說明中，將純化步驟中的純化對象簡單統稱為“被純化液”。作為純化步驟，例如，可舉出依次實施如下處理之態樣：進行被純化液的離子交換處理之第1離子交換處理、進行第1離子交換處理後的被純化液的脫水之脫水處理、進行脫水處理後的被純化液的蒸餾之蒸餾處理、進行蒸餾處理後的被純化液的離子交換處理之第2離子交換處理及進行第2離子交換處理後的被純化液的有機雜質去除之有機雜質去除處理。另外，以下，以上述純化步驟為例進行說明，但製備本發明的沖洗液時的純化方法並不限於此。例如，可以為如下態樣：首先實施進行被純化液的脫水之脫水處理，然後依次實施進行脫水處理後的被純化液的蒸餾之蒸餾處理、進行被純化液的離子交換處理之第1離子交換處理及進行第2離子交換處理後的被純化液的有機雜質的去除之有機雜質去除處理。

藉由第1離子交換處理，能夠去除被純化液中的離子成分（例如，金屬成分等）。在第1離子交換處理中，使用離子交換樹脂等第1離子交換機構。作為離子交換樹脂，可以為將陽離子交換樹脂或陰離子交換樹脂設置成單床式者、將陽離子交換樹脂與陰離子交換樹脂設置成複床式者及將陽離子交換樹脂與陰離子交換樹脂設置成混床式者中的任一種。又，作為離子交換樹脂，為了減少水分從離子交換樹脂溶出，使用盡量不含水分之乾燥樹脂為較佳。作為此類乾燥樹脂，能夠使用市售品，可舉出ORGANO CORPORATION製15JS-HG・DRY（商品名，乾燥陽離子交換樹脂，水分2%以下）及MSPS2-1・DRY（商品名，混床樹脂，水分10%以下）等。

藉由脫水處理，能夠去除被純化液中的水。又，在脫水處理中，使用後述沸石（尤其，UNION SHOWA K.K.製的分子篩（商品名）等）時，亦能夠去除烯烴類。作為在脫水處理中使用之脫水機構，可舉出使用了脫水膜、不溶於被純化液之水吸附劑、乾燥的惰性氣體之曝氣置換裝置及加熱或真空加熱裝置等。使用脫水膜時，進行基於滲透氣化（PV）或蒸氣透過（VP）之膜脫水。脫水膜例如為構成為透水性膜模組者。作為脫水膜，能夠使用由聚醯亞胺系、纖維素系、聚乙烯醇系等高分子系或沸石等無機系材料構成之膜。水吸附劑添加至被純化液中來使用。作為水吸附劑，可舉出沸石、五氧化二磷、二氧化矽凝膠、氯化鈣、硫酸鈉、硫酸鎂、無水氯化鋅、發煙硫酸及鹼石灰等。

藉由蒸餾處理，能夠去除從脫水膜溶出之雜質、在第1離子交換處理中不易去除的被純化液中的金屬成分、微粒子（金屬成分為微粒時，亦包括微粒）及被純化液中的水。關於蒸餾機構，例如，由單級蒸餾裝置構成。藉由蒸餾處理，雜質在蒸餾裝置內等濃縮，但為了防止該濃縮雜質的一部分流出，在蒸餾機構中設置定期或持續向外部排出雜質被濃縮之液體的一部分之機構為較佳。

藉由第2離子交換處理，在蒸餾裝置內蓄積之雜質流出時，能夠將其去除。又，能夠去除來自用作送液管道之不鏽鋼（SUS）等配管的溶出物。作為第2離子交換機構，可舉出在塔狀容器內填充離子交換樹脂者及離子吸附膜。其中，從能夠進行高流速處理之方面考慮，離子吸附膜為較佳。作為離子吸附膜，可舉出NEOSEPTA（商品名，ASTOM Corporation製）。

上述各處理在密封狀態下，且被純化液中混入水的可能性低的惰性氣體氣氛下進行為較佳。又，為了盡量抑制水分的混入，各處理在露點溫度為-70℃以下的惰性氣體氣氛下進行為較佳。這是因為在-70℃以下的惰性氣體氣氛下，氣相中的水分濃度為2質量ppm以下，因此被純化液中混入水分的可能性變低。

作為純化步驟，除了上述處理以外，可舉出國際公開第2012/043496號中記載之使用碳化矽之金屬成分的吸附純化處理等。

藉由有機雜質去除處理，能夠去除包含在蒸餾處理後的被純化液中、在蒸餾處理中不易去除之高沸點有機雜質等（亦包括沸點300℃以上的有機物）。作為有機雜質去除機構，例如，能夠藉由具備能夠吸附有機雜質之有機雜質吸附過濾器之有機雜質吸附構件實施。另外，通常，有機雜質吸附構件構成為具備上述有機雜質吸附過濾器及固定上述雜質吸附過濾器之基材。從有機雜質的吸附性能提高之觀點考慮，有機雜質吸附過濾器在表面具有能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架（換言之，藉由能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架，表面被修飾）為較佳。另外，關於在表面具有能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架，可舉出在構成後述有機雜質吸附過濾器之基材的表面賦予能夠與上述有機雜質進行相互作用之有機物骨架之形態作為一例。能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架，例如，可舉出能夠與有機雜質進行反應而將有機雜質捕獲至有機雜質吸附過濾器之類的化學結構。更具體而言，作為有機雜質，包含酞酸二辛酯、酞酸二異壬酯、己二酸二辛酯或酞酸二丁酯時，作為有機物骨架，可舉出苯環骨架。又，作為有機雜質，包含乙烯-丙烯橡膠時，作為有機物骨架，可舉出伸烷基骨架。又，作為有機雜質，包含n-長鏈烷基醇（作為溶劑，使用1-長鏈烷基醇時的結構異構物）時，作為有機物骨架，可舉出烷基。作為構成有機雜質吸附過濾器之基材（材質），可舉出載持活性碳之纖維素、矽藻土、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及氟樹脂等。又，在有機雜質去除過濾器中，亦能夠使用將日本特開2002-273123號公報及日本特開2013-150979號公報中記載之活性碳固定在不織布之過濾器。

又，上述有機雜質去除處理並不限於上述之類使用能夠吸附有機雜質之有機雜質吸附過濾器之態樣，例如，亦可以為物理方式捕獲有機雜質之態樣。具有250℃以上的相對高沸點之有機雜質在大多數情況下粗大（例如，碳數8以上的化合物）、因此，能夠藉由使用孔徑1nm左右的過濾器來進行物理方式捕獲。例如，作為有機雜質，包含酞酸二辛酯時，酞酸二辛酯的結構大於10Å（＝1nm）。因此，藉由使用孔徑1nm的有機雜質去除過濾器，酞酸二辛酯無法通過過濾器的孔。亦即，酞酸二辛酯藉由過濾器，以物理方式被捕獲，因此從被純化液中被去除。如此，有機雜質的去除不僅能夠適用化學性相互作用，亦能夠適用物理方式的去除方法。然而，此時，將3nm以上孔徑的過濾器用作後述“過濾構件”，將孔徑小於3nm的過濾器用作“有機雜質去除過濾器”。

又，例如，純化步驟可以進一步具有後述純化處理V及純化處理VI。純化處理V及純化處理VI可以在任意時點實施，例如，可舉出實施了純化步驟IV之後等。純化處理V係以去除金屬離子為目的，使用金屬離子吸附構件之過濾處理。又，純化處理VI係用於去除粗大粒子之過濾處理。以下，對純化處理V及純化處理VI進行說明。

在純化處理VI中，作為金屬離子的去除機構，可以將使用了具備金屬離子吸附過濾器之金屬離子吸附構件之過濾作為其中一例而舉出。金屬離子吸附構件係具備至少1個金屬離子吸附過濾器之結構，又，亦可以為根據目標純化級別而將金屬離子吸附過濾器重疊複數個之結構。通常，金屬離子吸附構件構成為具備上述金屬離子吸附過濾器及固定上述金屬離子吸附過濾器之基材。金屬離子吸附過濾器具備吸附被純化液中的金屬離子之功能。又，金屬離子吸附過濾器係能夠進行離子交換之過濾器為較佳。其中，作為成為吸附對象之金屬離子，並沒有特別限制，從容易成為半導體裝置的缺陷的原因之方面考慮，Fe、Cr、Ni及Pb為較佳。從金屬離子的吸附性能提高的觀點考慮，金屬離子吸附過濾器在表面具有酸基為較佳。作為酸基，可舉出磺基及羧基等。作為構成金屬離子吸附過濾器之基材（材質），可舉出纖維素、矽藻土、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及氟樹脂等。

在純化處理VI中，作為過濾機構，可以將使用具備去除粒徑為20nm以下的過濾器之過濾構件來實施之態樣作為一例而舉出。被純化液藉由追加上述過濾器，能夠從被純化液去除粒子狀雜質。其中，作為“粒子狀雜質”，可舉出在製造被純化液時使用之原料中作為雜質包含之灰塵、塵埃、有機固體物質及無機固體物質等粒子、以及在純化被純化液時作為污染物混入之灰塵、塵埃、有機固體物質及無機固體物質等粒子等，不溶解於被純化液中而最終作為粒子存在者屬於此類。又，“粒子狀雜質”中亦包括包含金屬原子之膠質化雜質。作為金屬原子，並沒有特別限制，選自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Zn及Pb（較佳為Fe、Cr、Ni及Pb）之群組中之至少1種金屬原子的含量尤其低時（例如，被純化液中的上述金屬原子的含量分別為1000質量ppt以下時）、包含該等金屬原子之雜質容易膠質化。在上述金屬離子吸附構件中，膠質化雜質的去除往往會變困難。因此，藉由使用去除粒徑為20nm以下的過濾器（例如，孔徑20nm以下的精密過濾膜），可以有效進行膠質化雜質的去除。粒子狀雜質具有可以藉由去除粒徑為20nm以下的過濾器被去除之尺寸，具體而言，其直徑為20nm以上的粒子。另外，在本說明書中，有時將粒子狀雜質稱為“粗大粒子”。其中，上述過濾器的去除粒徑係1～15nm為較佳，1～12nm為更佳。藉由去除粒徑為15nm以下，能夠去除更微細的粒子狀雜質，藉由去除粒徑為1nm以上，被純化液的過濾效率提高。其中，去除粒徑係指過濾器能夠去除之粒子的最小尺寸。例如，過濾器的去除粒徑為20nm時，能夠去除直徑20nm以上的粒子。作為上述過濾器的材質，例如，可舉出6-尼龍、6,6-尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及氟樹脂等。

過濾構件可以進一步具備去除粒徑為50nm以上的過濾器（例如，用於去除孔徑50nm以上的微粒之精密過濾膜）。在被純化液中，除了膠質化雜質、尤其包含鐵或鋁之類的金屬原子之膠質化雜質以外，亦存在微粒時，在使用去除粒徑為20nm以下的過濾器（例如，孔徑20nm以下的精密過濾膜）進行過濾之前，使用去除粒徑為50nm以上的過濾器（例如，用於去除孔徑50nm以上的微粒之精密過濾膜）實施被純化液的過濾，藉此去除粒徑為20nm以下的過濾器（例如，孔徑20nm以下的精密過濾膜）的過濾效率提高，粗大粒子的去除性能進一步提高。

經過此類各處理而獲得之被純化液能夠用於製備本發明的沖洗液，或能夠用作本發明的沖洗液本身。另外，作為上述純化步驟的一例，示出了各處理全部進行的情況，但並不限於此，上述各處理可以單獨進行，亦可以組合進行複數種上述處理。又，上述各處理可以進行1次，亦可以進行複數次。

除上述純化步驟以外，作為使沖洗液中包含之沸點300℃以上的有機物、金屬成分及水的含量在所期望的範圍內之方法，亦可舉出組成沖洗液之溶劑的原材料或沖洗液本身收容於雜質的溶出少的容器。又，亦可舉出在上述配管內壁實施氟系樹脂的內襯等方法，以防止從製造沖洗液時的“配管”等溶出金屬成分。

〔容器（收容容器）〕本發明的沖洗液只要腐蝕性等不成問題，則能夠在任意容器中填充並保管、搬運之後使用。作為容器，對於半導體用途而言，容器內的清潔度高且雜質的溶出少者為較佳。作為能夠使用的容器，具體而言，可舉出AICELLO CHEMICAL CO.,LTD.製“CLEAN BOTTEL”系列及KODAMA PLASTICS Co.,Ltd.製“PURE BOTTLE”等，但並不限於此。該容器的內壁（容器內的與溶液接觸之接液部）由非金屬材料形成為較佳。作為非金屬材料，例如，選自包括聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯-聚丙烯樹脂、四氟乙烯樹脂（PTFE）、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚合樹脂（PFA）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚合樹脂（FEP）、四氟乙烯-乙烯共聚合樹脂（ETFE）、三氟氯乙烯-乙烯共聚合樹脂（ECTFE）、偏二氟乙烯樹脂（PVDF）、三氟氯乙烯共聚合樹脂（PCTFE）及氟乙烯樹脂（PVF）之群組中之至少1種為更佳。尤其，上述中，使用內壁為氟系樹脂的容器時，與使用內壁為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂或聚乙烯-聚丙烯樹脂的容器之情況相比，能夠抑制發生乙烯或丙烯的寡聚物的溶出這一不良情況。作為此類內壁為氟系樹脂的容器的具體例，例如，可舉出Entegris,Inc.製FluoroPurePFA複合鼓等。又，亦能夠使用日本特表平3-502677號公報的第4頁等、國際公開第2004/016526號小冊子的第3頁等及國際公開第99/46309號小冊子的第9頁及16頁等中記載之容器。另外，作為非金屬材料的內壁時，非金屬材料中的有機成分向沖洗液的溶出得到抑制為較佳。

又，在容器的內壁上，除了上述非金屬材料以外，亦可以較佳地使用石英或金屬材料（更佳為電解研磨金屬材料。換言之，完成了電解研磨的金屬材料）。關於上述金屬材料（尤其，用於電解研磨金屬材料的製造之金屬材料），相對於金屬材料總質量，包含大於25質量%的鉻者為較佳，例如，可舉出不鏽鋼。金屬材料中的鉻含量相對於金屬材料的總質量，30質量%以上為較佳。上限並沒有特別限制，90質量%以下為較佳。

作為不鏽鋼，並沒有特別限定，能夠使用公知的不鏽鋼。其中，包含8質量%以上的鎳之合金為較佳，包含8質量%以上的鎳之奧氏體系不銹鋼為更佳。作為奧氏體系不鏽鋼，例如，可舉出SUS（Steel Use Stainless：鋼用不鏽鋼）304（Ni含量為8質量%，Cr含量為18質量%）、SUS304L（Ni含量為9質量%，Cr含量為18質量%）、SUS316（Ni含量為10質量%，Cr含量為16質量%）及SUS316L（Ni含量為12質量%，Cr含量為16質量%）等。

作為電解研磨金屬材料的方法，並沒有特別限定，能夠使用公知的方法。例如，能夠使用日本特開2015-227501號公報的[0011]～[0014]段及日本特開2008-264929號公報的[0036]～[0042]段等中記載之方法。

推測金屬材料藉由電解研磨成為表面的鈍化層中的鉻的含量變得比母相的鉻的含量更多者。因此，從由電解研磨金屬材料包覆之內壁，金屬成分不易流出至溶液中，因此推測能夠獲得金屬成分（金屬雜質）減少之溶液。另外，金屬材料進行拋光為較佳。拋光方法並沒有特別限制，能夠使用公知的方法。拋光中使用之研磨粒的尺寸並沒有特別限制，但從金屬材料的表面的凹凸容易變得更小之方面考慮，#400以下為較佳。另外，拋光在電解研磨之前進行為較佳。又，金屬材料可以為將改變研磨粒的大小等粗細而進行之複數階段的拋光、酸清洗及磁性流體研磨等組合1種或2種以上來處理者。

在本發明中，將具有上述容器及收容於該容器內之上述沖洗液者稱為溶液收容體。

該等容器在填充沖洗液之前，其內部被清洗為較佳。作為用於清洗之液體，係本發明的沖洗液本身或本發明的沖洗液中包含之溶劑時，可以顯著獲得本發明的效果。本發明的沖洗液可以在製造後裝入加侖瓶或塗層瓶等容器中，並進行輸送及保管。加侖瓶可以使用玻璃材料，亦可以使用除玻璃以外的材料。

以防止沖洗液中的成分在保管中發生變化為目的，可以將容器內置換成純度99.99995體積%以上的惰性氣體（氮氣或氬氣等）。尤其，含水率少的氣體為較佳。又，在輸送及保管時，可以為常溫，但為了防止變質，亦可以將溫度控制在-20℃～20℃的範圍內。

〔無塵室〕包括本發明的沖洗液的製造、收容容器的開封和/或清洗、沖洗液的填充等之操作、處理分析及測定均在無塵室進行為較佳。無塵室滿足ISO14644-1的無塵室基準為較佳。滿足ISO（國際標準化機構）等級1、ISO等級2、ISO等級3及ISO等級4中的任一個為較佳，滿足ISO等級1或ISO等級2為更佳，滿足ISO等級1為進一步較佳。在等級2的無塵室中進行了包括後述實施例中的沖洗液的製造、收容容器的開封和/或清洗、沖洗液的填充等之操作、處理分析及測定。

（除電步驟）在本發明的沖洗液或沖洗液中包含之溶劑的製備及純化中，可以進一步具有除電步驟。除電步驟係藉由對選自包括原料、反應物及純化物之群組中之至少1種（以下，稱為“純化物等”。）進行除電而降低純化物等的帶電電位之步驟。作為除電方法，並沒有特別限制，能夠使用公知的除電方法。作為除電方法，例如可舉出使上述純化液等與導電性材料接觸之方法。使上述純化液等與導電性材料接觸的接觸時間為0.001～60秒為較佳，0.001～1秒為更佳，0.01～0.1秒為進一步較佳。作為導電性材料，可舉出不鏽鋼、金、鉑、鑽石及玻璃碳等。作為使純化液等與導電性材料接觸的方法，例如可舉出將由導電性材料構成之接地網配置於管道內部，並使純化液等通過該處的方法等。

上述除電步驟可以在原料供給至純化物的填充為止的任意時點實施，例如，在選自包括原料供給步驟、反應步驟、調液步驟、純化步驟、過濾步驟及填充步驟之群組中之至少1種步驟之前包括為較佳，在用於上述各步驟之容器中注入純化物等之前進行除電步驟為更佳。藉此，能夠抑制源自容器等之雜質混入純化物等中。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於該等。

〔感光化射線或感放射線性組成物（光阻組成物）〕使用以下所示之材料來製備了感光化射線或感放射線性組成物（光阻組成物）。

＜樹脂（A）＞（合成例1）：樹脂（A-1）的合成在2L燒瓶中放入環己酮（600g），以100mL/分鐘的流量，對上述環己酮進行了1小時的氮氣置換。之後，將聚合起始劑V-601（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）（4.60g（0.02mol））放入上述燒瓶中，並進行升溫直至上述燒瓶的內容物的內溫成為80℃。接著，將4-乙醯氧基苯乙烯（48.66g（0.3mol））、甲基丙烯酸1-乙基環戊酯（109.4g（0.6mol））、單體1（22.2g（0.1mol））及聚合起始劑V-601（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）（4.60g（0.02mol））溶解於環己酮（200g）中，藉此製備了單體溶液。將上述單體溶液經6小時滴加至如上加熱至內溫80℃之上述燒瓶中。滴下結束後，使其在內溫80℃下進一步反應2小時。以下示出各單體。

[化學式67]

將反應溶液（上述燒瓶的內容物）冷卻至室溫之後，滴加至己烷（3L）中，藉此獲得了使聚合物沉澱之混合液。對上述混合液進行過濾來獲得了固體（濾物）。將所獲得之固體（濾物）溶解於丙酮（500ml），再次滴加至己烷（3L）中，以與上述相同的方法，再次獲得了固體（濾物）。對所獲得之固體進行減壓乾燥，獲得了4-乙醯氧基苯乙烯/甲基丙烯酸1-乙基環戊酯/單體1共聚物（A-1a）（160g）。

在反應容器中，將以上所獲得之共聚物（A-1a）（10g）、甲醇（40mL）、1-甲氧基-2-丙醇（200mL）及濃鹽酸（1.5mL）放入空燒瓶內，將反應溶液（上述燒瓶的內容物）加熱至80℃，並攪拌了5小時。將反應溶液自然冷卻至室溫之後，滴加至蒸餾水（3L）中，藉此獲得了混合液。對上述混合液進行過濾來獲得了固體（濾物）。將所獲得之固體（濾物）溶解於丙酮（200ml），再次滴加至蒸餾水（3L）中，以與上述相同的方法，再次獲得了固體（濾物）。對所獲得之固體進行減壓乾燥來獲得了樹脂（A-1）（8.5g）。樹脂（A-1）的重量平均分子量為10800，分子量分散度（Mw/Mn）為1.55。

（合成例2～5）：樹脂（A-2）～（A-5）的合成除了變更用於合成樹脂的單體以外，以與上述合成例1相同的方法合成了樹脂（A-2）～（A-5）。藉由1H-NMR（Nuclear Magnetic Resonance：核磁共振）測定，算出了樹脂中的各重複單元的組成比（莫耳比）。

在下述表中示出用於光阻組成物之樹脂。表中，“組成比（莫耳比）”一欄示出構成各樹脂之各重複單元的含量（組成比（莫耳比））。“結構”一欄中所示之各重複單元的含量與“組成比（莫耳比）”一欄中所示之值從左依次對應。 “Mw”一欄示出各樹脂的重量平均分子量。 “Mw/Mn”一欄示出各樹脂的分子量分散度。

[表1]

	結構	組成比（莫耳比）	Mw	Mw/Mn
A-1		30/60/10	10,800	1.55
A-2		30/55/15	9,500	1.56
A-3		30/60/20	10,100	1.55
A-4		60/40	11,000	1.60
A-5		20/50/20/10	8,500	1.65

＜光酸產生劑＞作為光酸產生劑，使用了下述成分。

[化學式68]

＜鹼性化合物（酸擴散控制劑）＞作為鹼性化合物，使用了下述成分。

[化學式69]

＜溶劑＞作為溶劑，使用了下述成分。 C-1：丙二醇單甲醚乙酸酯 C-2：丙二醇 C-3：乳酸乙酯 C-4：環己酮

＜其他添加劑＞作為其他添加劑，使用了下述成分。添加劑1：2-羥基-3-萘甲酸添加劑2：界面活性劑PF6320（OMNOVA Solutions Inc.製）

＜光阻組成物的製備＞將下述表2所示之各成分以下述表2所示之配比，溶解於下述表2所示之溶劑。使用具有0.03μm孔徑之聚乙烯過濾器，對所獲得之混合液進行過濾，藉此獲得了光阻組成物1～7。

[表2]

	樹脂（A）	光酸產生劑	鹼性化合物	溶劑	其他添加劑
光阻組成物1	A-1	B-3	E-3	C-1	C-3
0.78g	0.19g	0.02g	40g	10g
光阻組成物2	A-2	B-1	E-1	C-1	C-4
0.77g	0.20g	0.03g	30g	20g
光阻組成物3	A-3	B--2	E-1	C-1	C-3
0.79g	0.18g	0.03g	40g	10g
光阻組成物4	A-4	B-2	E-2	C-1	C-2
0.81g	0.18g	0.008g	40g	10g
光阻組成物5	A-5	B-3	E-1	C-1	C-4	添加劑2
0.78g	0.19g	0.02g	20g	30g	0.01g
光阻組成物6	A-1	B-1	E-1	C-1	C-4	添加劑1
0.77g	0.20g	0.02g	30g	20g	0.03g
光阻組成物7	A-1	B-2	E-1	C-1	C-3
0.77g	0.20g	0.03g	67.5g	7.5g

[試驗] 〔簡易解析性能評價：EB曝光評價：實施例1～29及比較例1～17〕使用表2中記載之光阻組成物1～6，藉由以下操作，形成了光阻圖案。將光阻圖案形成條件示於表3及4。在EB曝光和EUV曝光中，光阻膜均會藉由曝光離子化而產生二次電子，藉由所產生之二次電子，光酸產生劑分解而產生酸。因此，作為簡易曝光評價，即使利用EB曝光來代替EUV曝光進行評價，亦能夠重現與EUV曝光相同的結果。

＜圖案的製作＞（光阻組成物的塗佈及塗佈後烘烤）在6英吋矽晶圓上塗佈有機膜形成用組成物（製品名：AL412，Brewer Science,Inc.製），在205℃下烘烤60秒，藉此形成了膜厚20nm的有機膜。於其上塗佈表2中記載之光阻組成物，在下述表4中記載之條件下烘烤（塗佈後烘烤），藉此獲得了膜厚60nm的光阻膜。

（曝光）在如上形成了光阻膜之晶圓（附光阻膜晶圓）中的光阻膜上，使用電子束照射裝置（ELIONIX INC.製G100；加速電壓100keV，射束電流100pA），表3中記載之各曝光量，對半間距22nm的線與空間圖案（長度方向0.2mm，描繪條數45條）進行了曝光。具體而言，以下所示之表3中的以對應於各曝光編號之曝光量分別進行了曝光。以各曝光量，對光阻膜進行曝光（shot），將以各曝光量進行曝光之光阻膜分別用於以下步驟。另外，將表3中的各曝光量按照曝光編號順序，分別設定為對數等間隔。即使在用於評價之光阻膜的靈敏度不同的情況下，藉由比較最終能夠正常解析的曝光數（能夠正常解析的曝光量的數），能夠比較解析性能。

[表3]

曝光編號	曝光量（μC/m² ）
1	250
2	222
3	198
4	177
5	157
6	140
7	125
8	112
9	99
10	89
11	79
12	70
13	63
14	56
15	50

（曝光後烘烤）曝光後，從電子束照射裝置取出上述晶圓之後，立即在表4中記載之條件下，在加熱板上進行了加熱（曝光後烘烤）。

（顯影步驟）使用噴淋式顯影裝置（Actes Co.,Ltd.製ADE3000S），以50rpm旋轉上述晶圓的同時，將表4中記載之顯影液（23℃）以200mL/分鐘的流量，在上述晶圓上噴出10秒來進行了顯影。

（沖洗步驟）之後，以50rpm旋轉上述晶圓的同時，將表4中記載之沖洗液（23℃）以200mL/分鐘的流量，在上述晶圓上噴出5秒來進行了沖洗處理。然而，在比較例1～5中未實施沖洗處理。最後，以2000rpm，高速旋轉60秒來乾燥了上述晶圓。

以下，將各實施例或比較例中的圖案形成的條件示於表4。表4中，“光阻組成物”一欄示出用於形成光阻膜之光阻組成物的編號。又，將表4中記載之顯影液及沖洗液的配比示於表5～6。

[表4]

	光阻組成物	曝光	塗佈後烘烤	曝光後烘烤	顯影液	沖洗液
實施例1	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-1
實施例2	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-2
實施例3	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-3
實施例4	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-4
實施例5	2	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-1
實施例6	3	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-1
實施例7	4	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-1
實施例8	5	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-1
實施例9	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-5
實施例10	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-6
實施例11	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-7
實施例12	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-8
實施例13	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-9
實施例14	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-10
實施例15	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-11
實施例16	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-12
實施例17	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-13
實施例18	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-14
實施例19	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-15
實施例20	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-16
實施例21	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-17
實施例22	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-18
實施例23	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-19
實施例24	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-20
實施例25	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-21
實施例26	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-22
實施例27	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-23
實施例28	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-24
實施例29	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-25
比較例1	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30
比較例2	2	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30
比較例3	3	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30
比較例4	4	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30
比較例5	5	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30
比較例6	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-26
比較例7	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-27
比較例8	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-28
比較例9	3	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-29
比較例10	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-30
比較例11	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-31
比較例12	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-32
比較例13	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-33
比較例14	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-34
比較例15	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-35
比較例16	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-36
比較例17	1	EB	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-37

＜評價＞針對以下項目，進行了所獲得之圖案的評價。將結果示於表5。

（帶電性（ESD風險評價））以0.5L/分鐘的流速，在PFA配管（內徑4mm，外徑6mm，NICHIAS Corporation製NAFLON^（ ^R ^））的內部進行了通液。藉由數位靜電電位測定器（KSD-2000，KASUGA DENKI,INC.製）測定了此時的配管表面的電位。按照以下評價基準，進行了評價。（帶電性評價基準） A：500mV以下 B：大於500mV且1000mV以下 C：大於1000mV且5000mV以下 D：大於5000mV且7500mV以下 E：大於7500mV

（靈敏度）使用掃描式電子顯微鏡（Hitachi,Ltd.製S-9260），觀察了所獲得之圖案。在22nm的線寬中，以線與空間的比率為1:1進行分離解析之照射能量作為光阻膜的靈敏度（μC/cm² ）。

（解析度（解析幀數））使用掃描式電子顯微鏡（Hitachi,Ltd.製S-9260），觀察了22nm線與空間圖案在各曝光量下的解析情況。計數以各曝光量正常解析的曝光數，評價了解析度。圖1示出實施例19及比較例1中的以曝光編號3～10的曝光量進行曝光來形成之圖案的顯微鏡照片。在比較例1中，判定為僅在以曝光編號4的曝光量進行曝光之情況下能夠正常解析。亦即，在比較例1中，能夠正常解析的曝光數（解析幀數）為1。在實施例19中，判定為在以曝光編號4～8的曝光量進行曝光之情況下能夠正常解析。亦即，在實施例19中，能夠正常解析的曝光數（解析幀數）為5。基於相同的評價基準，針對其他實施例及其他比較例，亦求出了解析幀數。

（殘渣（殘渣抑制性））使用掃描式電子顯微鏡（Hitachi,Ltd.製S-9260）觀察上述晶圓的未曝光部分，確認了有無殘渣。

（膜損失抑制性（圖案形狀））使用掃描式電子顯微鏡（Hitachi,Ltd.製S-4800）觀察示出上述靈敏度之照射量下的線寬22nm的圖案的形狀，按照以下評價基準，評價了所獲得之圖案的形狀。能夠判定圖案的形狀越接近矩形，越能夠抑制膜損失，並能夠判定圖案的形狀劣化越顯著，膜損失越多。 A：矩形 B：形狀略微劣化 C：形狀顯著劣化或非解析

[表5]

光阻組成物

沖洗液

帶電性

結果

種類

第1酯系溶劑

第2有機溶劑

靈敏度（μC/cm² ）

解析度（解析幀數）

殘渣

膜損失抑制性（形狀）

種類

比率（%）

結構

種類

比率（%）

結構

種類

比率（%）

結構

實施例1

1

S-1

丙酸丁酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

152

7

無

A

實施例2

1

S-2

丙酸丁酯

50

直鏈

甲酸異戊酯

50

支鏈

B

147

7

無

A

實施例3

1

S-3

丙酸丁酯

80

直鏈

甲酸異戊酯

20

支鏈

C

147

7

無

A

實施例4

1

S-4

丙酸丁酯

10

直鏈

甲酸異戊酯

90

支鏈

A

162

6

無

A

實施例5

2

S-1

丙酸丁酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

157

7

無

A

實施例6

3

S-1

丙酸丁酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

157

7

無

A

實施例7

4

S-1

丙酸丁酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

167

3

無

A

實施例8

5

S-1

丙酸丁酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

167

6

無

A

實施例9

1

S-5

丙酸丁酯

20

直鏈

碳酸二乙酯

80

直鏈

A

157

6

無

A

實施例10

1

S-6

丙酸丁酯

80

直鏈

碳酸二乙酯

20

直鏈

B

157

6

無

A

實施例11

1

S-7

戊酸乙酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

157

6

無

A

實施例12

1

S-8

丁酸丙酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

157

6

無

A

實施例13

1

S-9

丙酸異丁酯

20

支鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

177

4

無

A

實施例14

1

S-10

丁酸異丙酯

20

支鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

177

3

無

A

實施例15

1

S-11

異戊酸乙酯

20

支鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

177

3

無

A

實施例16

1

S-12

丙酸丁酯

100

直鏈

B

147

7

無

A

實施例17

1

S-13

戊酸乙酯

100

直鏈

B

157

6

無

A

實施例18

1

S-14

丁酸丙酯

100

直鏈

B

157

6

無

A

實施例19

1

S-15

丙酸丁酯

20

直鏈

乙酸丁酯

80

直鏈

A

167

5

無

A

實施例20

1

S-16

丙酸丁酯

20

直鏈

乙酸異丁酯

80

支鏈

A

157

6

無

A

實施例21

1

S-17

丙酸丁酯

20

直鏈

丙酸異丙酯

80

支鏈

A

152

7

無

A

[表6]

光阻組成物

沖洗液

帶電性

結果

種類

第1酯系溶劑

第2有機溶劑

靈敏度（μC/cm² ）

解析度（解析幀數）

殘渣

膜損失抑制性（形狀）

種類

比率（%）

結構

種類

比率（%）

結構

種類

比率（%）

結構

實施例22

1

S-18

丙酸丁酯

80

直鏈

2,6-二甲基-4-庚酮

20

支鏈

C

157

6

無

A

實施例23

1

S-19

丙酸丁酯

80

直鏈

2-庚酮

20

直鏈

C

172

4

無

A

實施例24

1

S-20

丙酸丁酯

90

直鏈

十一烷

10

直鏈

C

137

8

無

A

實施例25

1

S-21

丙酸丁酯

5

直鏈

甲酸異戊酯

95

支鏈

A

172

4

無

A

實施例26

1

S-22

戊酸乙酯

5

直鏈

甲酸異戊酯

95

支鏈

A

177

3

無

A

實施例27

1

S-23

丁酸丙酯

5

直鏈

甲酸異戊酯

95

支鏈

A

177

3

無

A

實施例28

1

S-24

丙酸丁酯

80

直鏈

二丁醚

20

直鏈

A

157

6

無

A

實施例29

1

S-25

丙酸丁酯

80

直鏈

二異戊基乙酯

20

支鏈

C

147

7

無

A

比較例1

1

187

1

無

C

比較例2

2

187

1

無

C

比較例3

3

187

1

無

C

比較例4

4

187

2

無

C

比較例5

5

197

0

無

C

比較例6

1

S-26

乙酸異戊酯

100

支鏈

B

172

2

無

B

比較例7

1

S-27

乙酸異戊酯

20

支鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

177

2

無

B

比較例8

1

S-28

甲酸異戊酯

100

直鏈

A

177

2

無

B

比較例9

3

S-29

碳酸二乙酯

100

直鏈

A

177

2

無

B

比較例10

1

S-30

乙酸丁酯

100

直鏈

A

187

1

無

B

比較例11

1

S-31

2-庚酮

100

直鏈

A

192

0

無

C

比較例12

1

S-32

十一烷

100

直鏈

E

157

4

有

C

比較例13

1

S-33

二丁醚

100

直鏈

B

182

2

有

B

比較例14

1

S-34

4-甲基-2-戊醇

100

支鏈

A

192

0

無

C

比較例15

1

S-35

乙酸異戊酯

20

支鏈

4-甲基-2-戊醇

80

支鏈

A

177

1

無

C

比較例16

1

S-36

戊酸甲酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

182

1

無

B

比較例17

1

S-37

庚酸甲酯

20

直鏈

甲酸異戊酯

80

支鏈

A

177

2

無

B

表5～6中，“比率（%）”一欄示出第1酯系溶劑或第2有機溶劑的含量與沖洗液的總質量的質量比的百分率。 “結構”一欄示出第1酯系溶劑或第2有機溶劑是否具有直鏈狀烷基或支鏈狀烷基。“支鏈”的記載表示第1酯系溶劑或第2有機溶劑具有支鏈狀烷基。“直鏈”的記載表示第1酯系溶劑或第2有機溶劑具有直鏈狀烷基但不具有支鏈狀烷基。

＜結果＞根據表5～6所示之結果，確認到使用了本發明的沖洗液時，可獲得所期望的效果。根據實施例1～4與實施例25～27的比較，確認到第1酯系溶劑的含量相對於沖洗液的總質量為10～100質量%時，效果更優異。根據實施例1等與實施例13～15的比較，確認到第1酯系溶劑具有直鏈狀烷基時，效果更優異。根據實施例1與實施例11～15的比較，確認到第1酯系溶劑係丙酸丁酯時，效果更優異。根據實施例1等與實施例7的比較，確認到感光化射線或感放射線性組成物包含具有羥基苯乙烯系重複單元之樹脂時，效果更優異。

〔EUV曝光評價（製程窗口評價）：實施例30～31及比較例18〕使用表2中記載之組成物7，藉由以下操作，形成了光阻圖案。將光阻圖案形成條件的詳細內容示於表7。

＜圖案的形成＞（光阻組成物的塗佈及塗佈後烘烤）在12英吋矽晶圓上塗佈有機膜形成用組成物AL412（Brewer Science,Inc.製），在205℃下烘烤60秒，藉此形成了膜厚20nm的有機膜。於其上塗佈表2中記載之光阻組成物7，在下述表7中記載之條件下烘烤（塗佈後烘烤），藉此獲得了膜厚40nm的光阻膜。

（曝光）在如上形成光阻膜之晶圓（附光阻膜晶圓）上，使用EUV曝光裝置，改變焦點和曝光量，對HP（半間距）28nm的點圖案進行了曝光。具體而言，焦點條件在-0.06～0.10μm的範圍內每次變更0.02μm，將合計9種作為焦點條件。又，曝光量條件在41～69mJ/cm² 的範圍內每次變更1mJ/cm² ，將合計29種作為曝光量條件。然後，對9種焦點條件和29種曝光量條件分別進行組合而在合計261種曝光條件下進行了各曝光。

（曝光後烘烤）曝光後，從曝光裝置取出上述晶圓之後，立即使用配備了顯影裝置（Tokyo Electron Limited.製ACT12）之加熱板，在110℃的條件下烘烤了60秒（曝光後烘烤）。

（顯影步驟）使用顯影裝置（Tokyo Electron Limited.製ACT12），以50rpm旋轉上述晶圓的同時，將表7中記載之顯影液（23℃）以200mL/分鐘的流量，在上述晶圓上噴出10秒來進行了顯影。

（沖洗步驟）之後，以50rpm旋轉上述晶圓的同時，將表7中記載之沖洗液（23℃）以200mL/分鐘的流量，在上述晶圓上噴出5秒來進行了沖洗處理。然而，在比較例18中未實施沖洗處理。最後，以2000rpm，高速旋轉60秒來乾燥了上述晶圓。

[表7]

	光阻組成物	曝光	塗佈後烘烤	曝光後烘烤	顯影液	沖洗液
實施例30	7	EUV	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-1
實施例31	7	EUV	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	S-2
比較例18	7	EUV	120℃×60秒	110℃×60秒	S-30	-

＜評價＞針對以下項目，進行了所獲得之圖案的評價。將結果的詳細內容示於表8。表8中的“靈敏度”一欄示出解析HP（半間距）28nm的點圖案時的照射能量（曝光量，單位：mJ/cm² ）。

（製程餘裕（process margin）評價（解析度（解析幀數））使用掃描式電子顯微鏡（Hitachi, Ltd.製S-9380），觀察了所獲得之圖案。計數了上述點圖案能夠正常解析的幀數（解析幀數；能夠正常解析的曝光量的數量及焦點深度的數量）。藉由上述（曝光）進行曝光之結果，將解析幀數最大的焦點的解析幀數作為曝光量方向上的解析幀數來進行了評價。又，藉由上述（曝光）進行曝光之結果，將解析幀數最大的曝光量的解析幀數作為焦點深度方向上的解析幀數來進行了評價。

關於帶電性、殘渣及膜損失抑制性的評價，以與上述〔簡易解析性能評價：EB曝光評價：實施例1～29及比較例1～17〕中帶電性、殘渣及膜損失抑制性的評價相同的方法進行了評價。

[表8]

	帶電性	靈敏度	解析幀數	殘渣	膜損失抑制性（形狀）
mJ/cm²	曝光量方向/焦點深度方向
實施例30	A	55	5/5	無	A
實施例31	B	55	5/5	無	A
比較例18	-	55	1/1	無	A

根據上述評價結果，確認到使用了本發明的沖洗液之圖案形成方法可獲得所需效果。

無

圖1係表示在實施例及比較例中製作之圖案的一例之顯微鏡照片圖。

Claims

一種沖洗液，其用於對由感光化射線或感放射線性組成物獲得之光阻膜形成光阻膜圖案，前述沖洗液至少包含除乙酸酯以外的碳數7的第1酯系溶劑。
如請求項1所述之沖洗液，其中前述第1酯系溶劑的含量相對於前述沖洗液的總質量為10～100質量%。
如請求項1或請求項2所述之沖洗液，其中前述第1酯系溶劑包含選自包括丙酸丁酯、丁酸丙酯、戊酸乙酯、丙酸異丁酯、丁酸異丙酯、異丁酸丙酯、異丁酸異丙酯、異戊酸乙酯及己酸甲酯之群組中之至少1種。
如請求項1或請求項2所述之沖洗液，其中前述第1酯系溶劑具有直鏈狀烷基。
如請求項1或請求項2所述之沖洗液，其中前述第1酯系溶劑係丙酸丁酯。
如請求項1或請求項2所述之沖洗液，其中前述沖洗液進一步包含除前述第1酯系溶劑以外的有機溶劑。
如請求項6所述之沖洗液，其中前述有機溶劑包含選自包括酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑及除前述第1酯系溶劑以外的第2酯系溶劑之群組中之至少1種。
如請求項6所述之沖洗液，其中前述有機溶劑進一步包含酮系溶劑，前述酮系溶劑包含選自包括2-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、3-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-甲基-3-戊酮、3-甲基-2-戊酮、4-甲基-2-戊酮、二異丙酮、2-甲基-3-己酮及5-甲基-2-己酮之群組中之至少1種。
如請求項6所述之沖洗液，其中前述有機溶劑進一步包含醚系溶劑，前述醚系溶劑包含選自包括二異丁醚及二異戊基醚之群組中之至少1種。
如請求項6所述之沖洗液，其中前述有機溶劑進一步包含烴系溶劑，前述烴系溶劑包含選自包括癸烷、十一烷及均三甲苯之群組中之至少1種。
如請求項6所述之沖洗液，其中前述有機溶劑進一步包含第2酯系溶劑，前述第2酯系溶劑包含選自包括乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第三丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、甲酸第三戊酯、丙酸異丙酯、丁酸乙酯及碳酸二乙酯之群組中之至少1種。
如請求項1或請求項2所述之沖洗液，其中前述感光化射線或感放射線性組成物包含具有羥基苯乙烯系重複單元之樹脂。
一種圖案形成方法，其包括：光阻膜形成步驟，使用感光化射線或感放射線性組成物來形成光阻膜；曝光步驟，對前述光阻膜進行曝光；及處理步驟，藉由請求項1至請求項12之任一項所述之沖洗液對被曝光之前述光阻膜進行處理。
一種圖案形成方法，其包括：光阻膜形成步驟，使用感光化射線或感放射線性組成物來形成光阻膜；曝光步驟，對前述光阻膜進行曝光；及處理步驟，對被曝光之前述光阻膜進行處理，前述處理步驟具備：顯影步驟，藉由顯影液進行顯影；及沖洗步驟，藉由沖洗液進行清洗，前述沖洗液係請求項1至請求項12之任一項所述之沖洗液。