JPWO2016152418A1 - 多環芳香族化合物および発光層形成用組成物 - Google Patents

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Abstract

溶媒への溶解性、成膜性、湿式塗布性、熱安定性および面内配向性が改善された多環芳香族化合物を提供することを課題とする。第１成分として、下記一般式（Ａ）で表される多環芳香族化合物、および下記一般式（Ａ）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種のドーパント材料と、第２成分として特定の低分子ホスト材料と、第３成分として少なくとも１種の有機溶媒とを含む発光層形成用組成物により上記課題を解決する。【化２１８】式（Ａ）中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、Ｙ１はＢであり、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒである。

Description

本発明は、多環芳香族化合物およびこれを用いた発光層形成用組成物であり、前記組成物を用いて作製される有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）に関する。より詳しくは、ドーパントとしてホウ素と窒素や酸素とを含む多環芳香族化合物を含み、湿式成膜が可能であり、有機ＥＬ素子の構成成分として用いた場合に優れた特性を与える発光層形成用組成物である。加えて、機能性官能基およびホウ素と窒素や酸素とを含む多環芳香族化合物である。
有機ＥＬ素子は低電力駆動で薄く軽い可撓性に富む表示素子および照明を作製可能であるために次世代の発光表示素子として活発に研究が行われている。
有機ＥＬ素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、当該一対の電極間に配置され、有機化合物を含む一層または複数の層とからなる構造を有する。有機化合物を含む層には、発光層や、正孔、電子などの電荷を輸送または注入する電荷輸送／注入層がある。これらの有機層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法が用いられる。
真空蒸着法は、良質な膜を基板に対して均一に成膜できること、積層化が容易で優れた特性の発光素子が得やすいこと、作製プロセス由来の不純物の混入が極めて少ないこと、等の利点があり、現在実用化されている有機ＥＬ素子の多くは低分子材料を用いた真空蒸着法によるものである。一方で、真空蒸着法で用いる真空蒸着装置は一般的に高価であり、連続生産が難しく、全ての工程を真空中で行うと、製造コストが高いという問題がある。
これに対して、湿式成膜法は、真空プロセスを必要とせず高価な真空蒸着装置が不要なため、比較的安価に層形成が可能である。また、大面積化や連続生産が可能であり、１つの層（塗布液）に様々な機能を持った複数の材料を入れることが可能である等の利点がある。一方で、湿式成膜法は、積層化が難しく、作製プロセス由来（例えば、溶媒など）の不純物を含まない良質で均一な塗膜を得ることは難しい。
湿式成膜法用の材料開発に対しては、特に、正孔注入層、正孔輸送層および発光層を形成するためのインクの開発が積極的に行われている。この中で、正孔注入層と正孔輸送層用のインクに関しては、これらのインクを用いて湿式成膜法で形成された各層の特性は実用レベルに達している。また、発光層を形成するためのインクに関しては、赤発光層と緑発光層用のインクの開発は特性改善に向けて進んでいるが、青発光層用のインクは、一般的にアントラセンなどの芳香環を有する多環芳香族化合物等やスチリル誘導体等を用いた組成物の開発は行われているものの、実用的な特性には至っていない。特に、色純度の高い青発光層用インクに関しては開発ができていないのが現状である。
国際公開第２００１／０７２６７３号 国際公開第２０１２／１０２３３３号 特開２００６−０４５５０３公報 特開２０１３−１６８４１１公報 特開２０１３−２４７１７９公報 米国出願公開第２０１３／２１４２５９公報
本発明は、低分子材料でありながら、溶媒への溶解性が優れ、かつ、色純度の高い青発光材料用の多環芳香族化合物を提供することを課題とする。また、前記の多環芳香族化合物に機能性官能基を付与することで、化合物の溶解性、成膜性、湿式塗布性、熱的安定性、および面内配向性のうちの少なくとも１つが改善された多環芳香族化合物、望ましくは、溶解性、成膜性、湿式塗布性および面内配向性（さらに望ましくは熱的安定性）が改善された多環芳香族化合物を提供することを課題とする。さらには、機能性官能基を発光層形成用組成物中のホストおよびドーパントの分子に付与することで、塗布膜の面内配向性が改善された発光層形成用組成物を提供することを課題とする。また、該化合物を有機ＥＬ素子の構成成分とした組成物を最適化し、湿式成膜法を用いることによって、色純度の高い青色発光を示し、低電圧、高効率かつ長寿命の有機ＥＬ素子を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、ホウ素原子、窒素原子および酸素原子などで複数の芳香族環を連結した新規な多環芳香族化合物が、それらが低分子材料でありながら、溶媒への溶解性が優れ、かつ有機ＥＬ素子に適用した場合に色味が優れていることを見出した。加えて、前記の多環芳香族化合物に機能性官能基を付与することで、化合物の溶解性、成膜性、湿式塗布性、熱的安定性、および面内配向性のうちの少なくとも１つが改善できることを見出した。さらには機能性官能基を発光層形成用組成物中のホストおよびドーパントの分子に付与することで、塗膜の面内配向性が改善された発光層形成用組成物を提供できることを見出した。また、上記の多環芳香族化合物をドーパントとして用いた発光層形成用組成物を用いて作製した有機ＥＬ素子は、効率、寿命および駆動電圧が優れることを見出した。さらに、機能性官能基が付与された化合物をホストとして、上記の多環芳香族化合物をドーパントとして用いた発光層形成用組成物を用いて作製した有機ＥＬ素子は、効率、寿命および駆動電圧がより優れることを見出した。さらには、機能性官能基を付与した多環芳香族化合物をドーパントとして用いた発光層形成用組成物を用いて作製した有機ＥＬ素子は、効率、寿命および駆動電圧がより優れることを見出した。
［１］
有機電界発光素子の発光層を塗布形成するための発光層形成用組成物であって、
第１成分として、下記一般式（Ａ）で表される多環芳香族化合物、および下記一般式（Ａ）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、
第２成分として、下記一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、
第３成分として、少なくとも１種の有機溶媒と、
を含む発光層形成用組成物。
（上記式（Ａ）において、
Ａ環、Ｂ環およびＣ環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換されていてもよく、
Ｙ１は、Ｂであり、
Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリールまたはアルキルであり、また、前記Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合により前記Ａ環、Ｂ環および／またはＣ環と結合していてもよく、そして、
上記式（Ａ）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、当該アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、当該アルキルにおける上記式（Ａ）で表される化合物または構造に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、当該アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。）
（上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）において、
Ａｒは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ａｒのうちの隣接する基同士が結合して、それぞれアントラセン環、ピレン環、フルオレン環またはカルバゾール環の母骨格と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、
ｎは１〜最大置換可能な整数である。）
（上記式（Ｂ−５）において、
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよい。）
（上記式（Ｂ−６）において、
ＭＵは、それぞれ独立して、上記一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基からなる群から選択される少なくとも１つであり、ＭＵ中の２つの水素がＥＣまたはＭＵと置換され、
ＥＣは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
ｋは２〜５００００の整数である。）
（また、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物、上記式（Ｂ−６）中の上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基または上記式（Ｂ−６）中のＥＣにおける少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、
さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）で表される化合物、上記式（Ｂ−６）中の上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基または上記式（Ｂ−６）中のＥＣに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。）
（上記式（ＦＧ−１）において、
Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、
隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、
ｎは０〜５の整数であり、
ｐは１〜５の整数である。）
（上記式（ＦＧ−２）において、
Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、前記アリールにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、
隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
ｍは０〜４の整数であり、
ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数である。）
［２］
第１成分として、下記一般式（Ａ’）で表される多環芳香族化合物、および下記一般式（Ａ’）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、上記［１］に記載の発光層形成用組成物。
（上記式（Ａ’）において、
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ｙ１は、Ｂであり、
Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲはアリールまたはアルキルであり、また、前記Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−または単結合によりｂ環および／またはｃ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−のＲは炭素数１〜２４のアルキルであり、そして、
上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、当該アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、当該アルキルにおける上記式（Ａ’）で表される化合物または構造に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、当該アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。）
［３］
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
Ｙ１は、Ｂであり、
Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１８のアリールまたは炭素数１〜１２のアルキルであり、そして、
上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい、
上記［２］に記載の発光層形成用組成物。
［４］
前記多環芳香族多量体化合物は、上記式（Ａ）で表される構造または上記式（Ａ’）で表される構造を２個または３個有する２量体化合物または３量体化合物である、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［５］
前記多環芳香族多量体化合物は、上記式（Ａ）で表される構造または上記式（Ａ’）で表される構造を２個有する２量体化合物である、上記［４］に記載の発光層形成用組成物。
［６］
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）において、
Ａｒは、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
Ａｒのうちの隣接する基同士が結合して、それぞれアントラセン環、ピレン環、フルオレン環またはカルバゾール環の母骨格と共に、炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
ｎは１〜８の整数であり、
上記式（Ｂ−５）において、
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
上記式（Ｂ−６）において、
ＭＵは、それぞれ独立して、上記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基からなる群から選択される少なくとも１つであり、ＭＵ中の２つの水素がＥＣまたはＭＵと置換され、
ＥＣは、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
ｋは１００〜４００００の整数であり、
また、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物、上記式（Ｂ−６）中の上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基または上記式（Ｂ−６）中のＥＣにおける少なくとも１つの水素は、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい、
上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［７］
第１成分または第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されている、上記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［８］
第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されている、上記［１］〜［７］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［９］
第２成分が、上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する、上記［１］〜［８］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［１０］
第２成分が、上記式（Ｂ−１）で表される化合物および上記式（Ｂ−５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する、上記［１］〜［９］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［１１］
第２成分が、上記式（Ｂ−５）で表される化合物を含有する、上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［１２］
上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）におけるＡｒ、上記式（Ｂ−５）におけるＲ１〜Ｒ１１、および上記式（Ｂ−６）におけるＥＣは、それぞれ独立して、水素、および下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基からなる群から選ばれるものであり、
下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基は＊において上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）と結合する、
上記［１］〜［１１］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［１３］
上記式（Ｂ−５）で表される化合物が、下記式（Ｂ−５−１−ｚ）、式（Ｂ−５−４９−ｚ）、式（Ｂ−５−９１−ｚ）、式（Ｂ−５−１００−ｚ）、式（Ｂ−５−１５２−ｚ）、式（Ｂ−５−１７６−ｚ）、式（Ｂ−５−１０４８−ｚ）、式（Ｂ−５−１０４９−ｚ）、式（Ｂ−５−１０５０−ｚ）、式（Ｂ−５−１０６９−ｚ）、式（Ｂ−５−１１０１−ｚ）、式（Ｂ−５−１１０２−ｚ）または式（Ｂ−５−１１０３−ｚ）で表される化合物である、
上記［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
（上記式中のｚは、水素、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルであり、すべてのｚが水素になることはない。）
［１４］
第２成分が、上記式（Ｂ−１）で表される化合物を含有する、上記［１０］〜［１３］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［１５］
上記式（Ｂ−１）で表される化合物が、下記一般式（Ｂ−１１）で表される化合物である、上記［１］〜［１４］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
（上記式（Ｂ−１１）中、
Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）および式（Ｂ−１１−Ｘ２）におけるナフチレン部位は１つのベンゼン環で縮合されていてもよく、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはなく、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、ベンゾカルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、Ａｒ３は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルで置換されていてもよく、
Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ターフェニリル、ナフチル、または炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリルであり、そして、
上記式（Ｂ−１１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい。）
［１６］
Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはなく、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、Ａｒ３は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルで置換されていてもよく、
Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
上記式（Ｂ−１１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい、
上記［１５］に記載の発光層形成用組成物。
［１７］
Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはなく、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、Ａｒ３は、さらにフェニル、ナフチル、フェナントリル、または、フルオレニルで置換されていてもよく、
Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
上記式（Ｂ−１１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい、
上記［１５］に記載の発光層形成用組成物。
［１８］
上記式（Ｂ−１）で表される化合物が、下記式（Ｂ−１−１）、式（Ｂ−１−２）、式（Ｂ−１−３）、式（Ｂ−１−４）、式（Ｂ−１−５）、式（Ｂ−１−６）、式（Ｂ−１−７）、または式（Ｂ−１−８）で表される化合物であり、
これらの化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい、
上記［１］〜［１７］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［１９］
第１成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されている、上記［１］〜［１８］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２０］
Ｘ１およびＸ２がＮ−Ｒである、上記［１］〜［１９］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２１］
Ｘ１がＯであり、Ｘ２がＮ−Ｒである、上記［１］〜［１９］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２２］
上記式（Ａ’）におけるＲ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、および下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基からなる群から選ばれるものであり、
下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基は＊において上記式（Ａ’）と結合する、
上記［２］〜［２１］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２３］
上記式（Ａ）で表される化合物が、下記式（１−４０１−ｚ）、式（１−４１１−ｚ）、式（１−４２２−ｚ）、式（１−４４７−ｚ）、式（１−１１５２−ｚ）、式（１−１１５９−ｚ）、式（１−１２０１−ｚ）、式（１−１２１０−ｚ）、式（１−２６２３−ｚ）または式（１−２６７９−ｚ）で表される化合物である、上記［１］〜［２２］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
（上記式中のｚは、水素、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルであり、すべてのｚが水素になることはない。）
［２４］
上記式（Ａ）で表される化合物が、上記式（１−４２２−ｚ）、式（１−１１５２−ｚ）または式（１−２６７９−ｚ）で表される化合物である、上記［２３］に記載の発光層形成用組成物。
［２５］
上記式（ＦＧ−１）において、ｍおよびｎは０であり、ｐは１〜３の整数であり、
上記式（ＦＧ−２）において、ｍおよびｎは０である、
上記［１］〜［２４］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２６］
第１成分または第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基で置換されている、上記［１］〜［２５］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２７］
第３成分における少なくとも１種の有機溶媒の沸点が１３０℃〜３００℃である、上記［１］〜［２６］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２８］
第３成分が上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物の少なくとも１種に対する良溶媒（ＧＳ）と貧溶媒（ＰＳ）とを含み、良溶媒（ＧＳ）の沸点（ＢＰＧＳ）が貧溶媒（ＰＳ）の沸点（ＢＰＰＳ）よりも低い、上記［１］〜［２７］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［２９］
第１成分が発光層形成用組成物の全重量に対して０．０００１重量％〜２．０重量％であり、
第２成分が発光層形成用組成物の全重量に対して０．０９９９重量％〜８．０重量％であり、
第３成分が発光層形成用組成物の全重量に対して９０．０重量％〜９９．９重量％である、
上記［１］〜［２８］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
［３０］
上記［１］〜［２９］のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物を用いて形成される発光層を有する有機電界発光素子。
［３１］
上記［３０］に記載の有機電界発光素子を備えた表示装置。
［３２］
下記一般式（Ａ’）で表される多環芳香族化合物、または下記一般式（Ａ’）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物。
（一般式（Ａ）において、
Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ｙ１は、Ｂであり、
Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲはアリールまたはアルキルであり、また、前記Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−または単結合によりｂ環および／またはｃ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−のＲは炭素数１〜２４のアルキルであり、そして、
上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されており、さらに、当該アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、当該アルキルにおける上記式（Ａ’）で表される化合物または構造に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、当該アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよく、上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素はさらにハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。）
（一般式（ＦＧ−１）において、
Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、
隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、
ｎは０〜５の整数であり、
ｐは１〜５の整数である。）
（一般式（ＦＧ−２）において、
Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、前記アリールにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、
隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
ｍは０〜４の整数であり、
ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数である。）
本発明の好ましい態様によれば、例えば、有機ＥＬ素子用材料として用いることができる多環芳香族化合物を提供することができ、また、この多環芳香族化合物の優れた溶解性、成膜性、湿式塗布性、および熱的安定性を活かして、湿式成膜法で良好な成膜性を有する発光層形成用組成物を提供することができる。さらに、機能性官能基を分子中に有するホストおよびドーパントを用いると、溶解性、成膜性、湿式塗布性、および面内配向性のより優れた発光層形成用組成物を提供することができる。また、この発光層形成用組成物を用いることで優れた有機ＥＬ素子を提供することができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。 バンクを有する基板にインクジェット法を用いて有機ＥＬ素子を作製する方法を説明する図である。
１．発光層形成用組成物
本発明の青色の発光層形成用組成物は、有機ＥＬ素子の発光層を塗布形成するため組成物である。該組成物は、第１成分として、一般式（Ａ）で表される多環芳香族化合物、および一般式（Ａ）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、第２成分として、一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、第３成分として、少なくとも１種の有機溶媒とを含有する。第１成分は、該組成物から得られる発光層のドーパント成分として機能し、第２成分は発光層のホスト成分として機能する。第３成分は、組成物中の第１成分と第２成分を溶解する溶媒として機能し、塗布時には第３成分自身の制御された蒸発速度により平滑で均一な表面形状を与える。
１−１．第１成分：一般式（Ａ）または一般式（Ａ’）で表される化合物
第１成分は、一般式（Ａ）で表される多環芳香族化合物、および一般式（Ａ）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種であり、発光層形成用組成物から得られる発光層のドーパント成分として機能する。一般式（Ａ）で表される化合物は、高い蛍光量子収率および高い色純度を有しているために、発光層のドーパントとして好ましい。また、これらの化合物は、好ましくは、一般式（Ａ’）で表される多環芳香族化合物、または下記一般式（Ａ’）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物である。
式（Ａ）におけるＡ環、Ｂ環およびＣ環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換基で置換されていてもよい。この置換基は、置換または無置換のアリール、置換または無置換のヘテロアリール、置換または無置換のジアリールアミノ、置換または無置換のジヘテロアリールアミノ、置換または無置換のアリールヘテロアリールアミノ（アリールとヘテロアリールを有するアミノ基）、置換または無置換のアルキル、置換または無置換のアルコキシまたは置換または無置換のアリールオキシが好ましい。これらの基が置換基を有する場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルがあげられる。また、上記アリール環またはヘテロアリール環は、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２から構成される式（Ａ）中央の縮合２環構造（以下、この構造を「Ｄ構造」とも言う）と結合を共有する５員環または６員環を有することが好ましい。
ここで、「縮合２環構造（Ｄ構造）」とは、式（Ａ）の中央に示した、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２を含んで構成される２つの飽和炭化水素環が縮合した構造を意味する。また、「縮合２環構造と結合を共有する６員環」とは、例えば上記式（Ａ’）で示すように前記Ｄ構造に縮合したａ環（ベンゼン環（６員環））を意味する。また、「（Ａ環である）アリール環またはヘテロアリール環がこの６員環を有する」とは、この６員環だけでＡ環が形成されるか、または、この６員環を含むようにこの６員環にさらに他の環などが縮合してＡ環が形成されることを意味する。言い換えれば、ここで言う「６員環を有する（Ａ環である）アリール環またはヘテロアリール環」とは、Ａ環の全部または一部を構成する６員環が、前記Ｄ構造に縮合していることを意味する。「Ｂ環（ｂ環）」、「Ｃ環（ｃ環）」、また「５員環」についても同様の説明が当てはまる。
式（Ａ）におけるＡ環（またはＢ環、Ｃ環）は、式（Ａ’）におけるａ環とその置換基Ｒ１〜Ｒ３（またはｂ環とその置換基Ｒ４〜Ｒ７、ｃ環とその置換基Ｒ８〜Ｒ１１）に対応する。すなわち、式（Ａ’）は、式（Ａ）のＡ〜Ｃ環として「６員環を有するＡ〜Ｃ環」が選択されたものに対応する。その意味で、式（Ａ’）の各環を小文字のａ〜ｃで表した。
式（Ａ’）では、ａ環、ｂ環およびｃ環の置換基Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリールまたはアルキルで置換されていてもよい。したがって、式（Ａ’）で表される多環芳香族化合物は、ａ環、ｂ環およｃ環における置換基の相互の結合形態によって、下記式（Ａ’−１）および式（Ａ’−２）に示すように、化合物を構成する環構造が変化する。各式中のＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環は、式（Ａ）におけるそれぞれＡ環、Ｂ環およびＣ環に対応する。なお、式（Ａ’−１）におけるＲ１〜Ｒ３、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じであり、式（Ａ’−２）におけるＲ４〜Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じである。
上記式（Ａ’−１）および式（Ａ’−２）中のＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環は、式（Ａ’）で説明すれば、置換基Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合して、それぞれａ環、ｂ環およびｃ環と共に形成したアリール環またはヘテロアリール環を示す（ａ環、ｂ環またはｃ環に他の環構造が縮合してできた縮合環ともいえる）。なお、式では示してはいないが、ａ環、ｂ環およびｃ環の全てがＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環に変化した化合物もある。また、上記式（Ａ’−１）および式（Ａ’−２）から分かるように、例えば、ｂ環のＲ８とｃ環のＲ７、ｂ環のＲ１１とａ環のＲ１、ｃ環のＲ４とａ環のＲ３などは「隣接する基同士」には該当せず、これらが結合することはない。すなわち、「隣接する基」とは同一環上で隣接する基を意味する。
上記式（Ａ’−１）や式（Ａ’−２）で表される化合物は、例えば後述する具体的化合物として列挙した式（１−４０２）〜（１−４０９）で表されるような化合物に対応する。すなわち、例えばａ環（またはｂ環またはｃ環）であるベンゼン環に対してベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環またはベンゾチオフェン環が縮合して形成されるＡ’環（またはＢ’環またはＣ’環）を有する化合物であり、形成されてできた縮合環Ａ’（または縮合環Ｂ’または縮合環Ｃ’）はそれぞれナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環である。
式（Ａ’）における「Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたアリール環」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリール環があげられ、炭素数６〜１６のアリール環が好ましく、炭素数６〜１２のアリール環がより好ましく、炭素数６〜１０のアリール環が特に好ましい。ただし、「Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたアリール環」の炭素数はａ環、ｂ環、またはｃ環の炭素数６を含める。
形成されたアリール環の具体例としては、例えば、縮合二環系であるナフタレン環、縮合三環系である、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環、縮合四環系であるトリフェニレン環、ピレン環、ナフタセン環、縮合五環系であるペリレン環、ペンタセン環などがあげられる。
式（Ａ’）における「Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたヘテロアリール環」としては、例えば、炭素数６〜３０のヘテロアリール環があげられ、炭素数６〜２５のヘテロアリール環が好ましく、炭素数６〜２０のヘテロアリール環がより好ましく、炭素数６〜１５のヘテロアリール環がさらに好ましく、炭素数６〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、「ヘテロアリール環」としては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などがあげられる。ただし、「Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたアリール環」の炭素数はａ環、ｂ環、またはｃ環の炭素数６を含める。
形成されたヘテロアリール環の具体例としては、例えば、インドール環、イソインドール環、１Ｈ−インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ−ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チアントレン環などがあげられる。
形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよい。この説明については、後述する式（Ａ’）のＲ１〜Ｒ１１における説明を引用することができる。
式（Ａ）および式（Ａ’）におけるＹ１はＢである。
式（Ａ）におけるＸ１およびＸ２は、それぞれ独立して、Ｏ、またはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリールまたはアルキルであり、前記Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合により前記Ｂ環および／またはＣ環と結合していてもよく、連結基としては、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｃ（−Ｒ）２−が好ましい。なお、前記「−Ｃ（−Ｒ）２−」のＲは水素またはアルキルである。この説明は式（Ａ’）におけるＸ１およびＸ２でも同じである。
ここで、式（Ａ）における「Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合により前記Ａ環、Ｂ環および／またはＣ環と結合している」との規定は、式（Ａ’）では「Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−または単結合により前記ａ環、ｂ環および／またはｃ環と結合している」との規定に対応する。
この規定は、下記式（Ａ’−３−１）で表される、Ｘ１やＸ２が縮合環Ｂ’および縮合環Ｃ’に取り込まれた環構造を有する化合物で表現できる。すなわち、例えば式（Ａ’）におけるｂ環（またはｃ環）であるベンゼン環に対してＸ１（またはＸ２）を取り込むようにして他の環が縮合して形成されるＢ’環（またはＣ’環）を有する化合物である。この化合物は、例えば後述する具体的化合物として列挙した、式（１−４５１）〜（１−４６２）で表されるような化合物および式（１−１４０１）〜（１−１４６０）で表されるような化合物に対応し、形成されてできた縮合環Ｂ’（または縮合環Ｃ’）は例えばフェノキサジン環、フェノチアジン環またはアクリジン環である。
また、上記規定は、下記式（Ａ’−３−２）や式（Ａ’−３−３）で表される、Ｘ１および／またはＸ２が縮合環Ａ’に取り込まれた環構造を有する化合物でも表現できる。すなわち、例えば式（Ａ’）におけるａ環であるベンゼン環に対してＸ１（および／またはＸ２）を取り込むようにして他の環が縮合して形成されるＡ’環を有する化合物である。この化合物は、例えば後述する具体的化合物として列挙した式（１−４７１）〜（１−４７９）で表されるような化合物に対応し、形成されてできた縮合環Ａ’は例えばフェノキサジン環、フェノチアジン環またはアクリジン環である。なお、式（Ａ’−３−１）におけるＲ１〜Ｒ３、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じであり、式（Ａ’−３−２）および式（Ａ’−３−３）におけるＲ４〜Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じである。
式（Ａ）のＡ環、Ｂ環およびＣ環である「アリール環」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリール環があげられ、炭素数６〜１６のアリール環が好ましく、炭素数６〜１２のアリール環がより好ましく、炭素数６〜１０のアリール環が特に好ましい。なお、この「アリール環」は、式（Ａ’）で規定された「Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたアリール環」に対応し、また、ａ環（またはｂ環、ｃ環）がすでに炭素数６のベンゼン環で構成されているため、これに５員環が縮合した縮合環の合計炭素数９が下限の炭素数となる。
具体的な「アリール環」としては、単環系であるベンゼン環、二環系であるビフェニル環、縮合二環系であるナフタレン環、三環系であるテルフェニル環（ｍ−テルフェニル、ｏ−テルフェニル、ｐ−テルフェニル）、縮合三環系である、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、フェナントレン環、縮合四環系であるトリフェニレン環、ピレン環、ナフタセン環、縮合五環系であるペリレン環、ペンタセン環などがあげられる。さらに、後述するように、これらのアリールに以下で定義するヘテロアリールが置換したものも、本願明細書ではアリールとして定義する。
式（Ａ）のＡ環、Ｂ環およびＣ環である「ヘテロアリール環」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリール環があげられ、炭素数２〜２５のヘテロアリール環が好ましく、炭素数２〜２０のヘテロアリール環がより好ましく、炭素数２〜１５のヘテロアリール環がさらに好ましく、炭素数２〜１０のヘテロアリールが特に好ましい。また、「ヘテロアリール環」としては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環などがあげられる。なお、この「ヘテロアリール環」は、式（Ａ’）で規定された「Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に形成されたヘテロアリール環」に対応し、また、ａ環（またはｂ環、ｃ環）がすでに炭素数６のベンゼン環で構成されているため、これに５員環が縮合した縮合環の合計炭素数６が下限の炭素数となる。
具体的な「ヘテロアリール環」としては、例えば、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環、インドール環、イソインドール環、１Ｈ−インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、１Ｈ−ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環、インドリジン環、フラン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラザン環、オキサジアゾール環、チアントレン環およびＮ−アリール置換された前記ヘテロアリールなどがあげられる。さらに、後述するように、これらのヘテロアリールに以上で定義したアリールが置換したものも、本願明細書ではヘテロアリールとして定義する。
上記「アリール環」または「ヘテロアリール環」における少なくとも１つの水素は、第１の置換基である、置換または無置換の「アリール」、置換または無置換の「ヘテロアリール」、置換または無置換の「ジアリールアミノ」、置換または無置換の「ジヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アリールヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アルキル」、置換または無置換の「アルコキシ」、または、置換または無置換の「アリールオキシ」で置換されていてもよいが、この第１の置換基としての「アリール」や「へテルアリール」、「ジアリールアミノ」のアリール、「ジヘテロアリールアミノ」のヘテロアリール、「アリールヘテロアリールアミノ」のアリールとヘテロアリール、また「アリールオキシ」のアリールとしては上述した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の一価の基があげられる。
また第１の置換基としての「アルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）が特に好ましい。
具体的なアルキルとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。
また第１の置換基としての「アルコキシ」としては、例えば、炭素数１〜２４の直鎖または炭素数３〜２４の分枝鎖のアルコキシがあげられる。炭素数１〜１８のアルコキシ（炭素数３〜１８の分枝鎖のアルコキシ）が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ（炭素数３〜１２の分枝鎖のアルコキシ）がより好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ（炭素数３〜６の分枝鎖のアルコキシ）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ（炭素数３〜４の分枝鎖のアルコキシ）が特に好ましい。
具体的なアルコキシとしては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシなどがあげられる。
第１の置換基である、置換または無置換の「アリール」、置換または無置換の「ヘテロアリール」、置換または無置換の「ジアリールアミノ」、置換または無置換の「ジヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アリールヘテロアリールアミノ」、置換または無置換の「アルキル」、置換または無置換の「アルコキシ」、または、置換または無置換の「アリールオキシ」は、置換または無置換と説明されているとおり、それらにおける少なくとも１つの水素が第２の置換基で置換されていてもよい。この第２の置換基としては、例えば、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルがあげられ、それらの具体的なものは、上述した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の一価の基、また第１の置換基としての「アルキル」の説明を参照することができる。また、第２の置換基としてのアリールやヘテロアリールには、それらにおける少なくとも１つの水素がフェニルなどのアリール（具体例は上述したもの）やメチルなどのアルキル（具体例は上述したもの）で置換されたものも第２の置換基としてのアリールやヘテロアリールに含まれる。その一例としては、第２の置換基がカルバゾリル基の場合には、９位における少なくとも１つの水素がフェニルなどのアリールやメチルなどのアルキルで置換されたカルバゾリル基も第２の置換基としてのヘテロアリールに含まれる。
式（Ａ’）のＲ１〜Ｒ１１におけるアリール、へテルアリール、ジアリールアミノのアリール、ジヘテロアリールアミノのヘテロアリール、アリールヘテロアリールアミノのアリールとヘテロアリール、またはアリールオキシのアリールとしては、式（Ａ）で説明した「アリール環」または「ヘテロアリール環」の一価の基があげられる。また、Ｒ１〜Ｒ１１におけるアルキルまたはアルコキシとしては、上述した式（Ａ）の説明における第１の置換基としての「アルキル」や「アルコキシ」の説明を参照することができる。さらに、これらの基への置換基としてのアリール、ヘテロアリールまたはアルキルも同様である。また、また、Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成した場合の、これらの環への置換基であるヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノ、アルキル、アルコキシまたはアリールオキシ、および、さらなる置換基であるアリール、ヘテロアリールまたはアルキルについても同様である。さらに、上述したとおり、アリールにヘテロアリールが置換したものも本願明細書ではアリールとして定義し、ヘテロアリールにアリールが置換したものも本願明細書ではヘテロアリールとして定義することについても同様である。
式（Ａ’）におけるＲ１〜Ｒ１１の具体的なものとしては、例えば、下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基があげられる。なお、下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基は＊において上記式（Ａ’）と結合する。
上述した具体的な基を参考にして、本願明細書で定義する「アリール」および「ヘテロアリール」について説明すると、式（ＲＧ−１）、式（ＲＧ−４）および式（ＲＧ−７）はアリールであり、式（ＲＧ−２）、式（ＲＧ−３）および式（ＲＧ−６）はヘテロアリールであり、式（ＲＧ−９）はヘテロアリールが置換したヘテロアリールであり、式（ＲＧ−１０）はヘテロアリールが置換したアリールである。なお、式（ＲＧ−５）はジアリールアミノ（ジフェニルアミノ基）が置換したアリール（フェニル基）であり、式（ＲＧ−８）はジアリールアミノ（ジフェニルアミノ基）である。
式（Ａ）のＸ１およびＸ２におけるＮ−ＲのＲは上述した第２の置換基で置換されていてもよいアリール、ヘテロアリールまたはアルキルであり、アリールやヘテロアリールにおける少なくとも１つの水素は例えばアルキルで置換されていてもよい。このアリール、ヘテロアリールやアルキルとしては上述するものがあげられる。特に炭素数６〜１０のアリール（例えばフェニル、ナフチルなど）、炭素数２〜１５のヘテロアリール（例えばカルバゾリルなど）、炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）が好ましい。この説明は式（Ａ’）におけるＸ１およびＸ２でも同じである。
式（Ａ）における連結基である「−Ｃ（−Ｒ）２−」のＲは水素またはアルキルであるが、このアルキルとしては上述するものがあげられる。特に炭素数１〜４のアルキル（例えばメチル、エチルなど）が好ましい。この説明は式（Ａ’）における連結基である「−Ｃ（−Ｒ）２−」でも同じである。
１−１−１．多環芳香族多量体化合物
また、本願発明は、式（Ａ）で表される単位構造を複数有する多環芳香族多量体化合物、好ましくは、式（Ａ’）で表される単位構造を複数有する多環芳香族多量体化合物である。多量体化合物は、２〜６量体が好ましく、２〜３量体がより好ましく、２量体が特に好ましい。多量体化合物は、一つの化合物の中に上記単位構造を複数有する形態であればよく、例えば、上記単位構造が単結合、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基などの連結基で複数結合した形態に加えて、上記単位構造に含まれる任意の環（Ａ環、Ｂ環またはＣ環、ａ環、ｂ環またはｃ環）を複数の単位構造で共有するようにして結合した形態であってもよく、また、上記単位構造に含まれる任意の環（Ａ環、Ｂ環またはＣ環、ａ環、ｂ環またはｃ環）同士が縮合するようにして結合した形態であってもよい。
このような多量体化合物としては、例えば、下記式（Ａ’−４）、式（Ａ’−４−１）、式（Ａ’−４−２）、式（Ａ’−５−１）〜式（Ａ’−５−４）または式（Ａ’−６）で表される多量体化合物が挙げられる。下記式（Ａ’−４）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（１−４２３）で表されるような化合物に対応する。すなわち、式（Ａ’）で説明すれば、ａ環であるベンゼン環を共有するようにして、複数の式（Ａ’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（Ａ’−４−１）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（１−２６６５）で表されるような化合物に対応する。すなわち、式（Ａ’）で説明すれば、ａ環であるベンゼン環を共有するようにして、二つの式（Ａ’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（Ａ’−４−２）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（１−２６６６）で表されるような化合物に対応する。すなわち、式（Ａ’）で説明すれば、ａ環であるベンゼン環を共有するようにして、二つの式（Ａ’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（Ａ’−５−１）〜式（Ａ’−５−４）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（１−４２１）、式（１−４２２）、式（１−４２４）または式（１−４２５）で表されるような化合物に対応する。すなわち、式（Ａ’）で説明すれば、ｂ環（またはｃ環）であるベンゼン環を共有するようにして、複数の式（Ａ’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。また、下記式（Ａ’−６）で表される多量体化合物は、例えば後述する式（１−４３１）〜式（１−４３５）で表されるような化合物に対応する。すなわち、式（Ａ’）で説明すれば、例えばある単位構造のｂ環（またはａ環、ｃ環）であるベンゼン環とある単位構造のｂ環（またはａ環、ｃ環）であるベンゼン環とが縮合するようにして、複数の式（Ａ’）で表される単位構造を一つの化合物中に有する多量体化合物である。なお、式（Ａ’−４）、式（Ａ’−４−１）および式（Ａ’−４−２）におけるＲ４〜Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じであり、式（Ａ’−５−１）、式（Ａ’−５−３）および式（Ａ’−６）におけるＲ１〜Ｒ８、Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じであり、式（Ａ’−５−２）におけるＲ１〜Ｒ７、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じであり、式（Ａ’−５−４）におけるＲ１〜Ｒ７、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じである。
多量体化合物は、式（Ａ’−４）、式（Ａ’−４−１）または式（Ａ’−４−２）で表現される多量化形態と、式（Ａ’−５−１）〜式（Ａ’−５−４）のいずれかまたは式（Ａ’−６）で表現される多量化形態とが組み合わさった多量体であってもよく、式（Ａ’−５−１）〜式（Ａ’−５−４）のいずれかで表現される多量化形態と、式（Ａ’−６）で表現される多量化形態とが組み合わさった多量体であってもよく、式（Ａ’−４）、式（Ａ’−４−１）または式（Ａ’−４−２）で表現される多量化形態と式（Ａ’−５−１）〜式（Ａ’−５−４）のいずれかで表現される多量化形態と式（Ａ’−６）で表現される多量化形態とが組み合わさった多量体であってもよい。
１−１−４．化合物への置換
式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物における少なくとも１つの水素（化合物中のアリール環またはヘテロアリール環の少なくとも１つの水素）は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける上記化合物に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。
式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルは、分子の適当な位置に、適当な長さおよび構造で置換されることで、化合物の溶媒への溶解性、成膜性、湿式塗布性、熱的安定性、および面内配向性をさらに改善することが可能である。
溶解性制御の分子設計指針の一つとして、分子への柔軟性付与がある。これは、固体分子間の凝集力を低減させ、溶解時に速やかな溶媒の浸潤を促すことによって、溶解性を改善または制御することができると考えている。一般的には、アルキル鎖が分子中へ導入されるが、有機ＥＬ素子として用いる場合は、アルキル鎖が分子同士の集積を阻害しキャリアパスを破壊することがあるため、有機ＥＬ素子の駆動電圧の上昇や移動度の低下などを招く場合もある。
このような状況において、ｍ位でフェニレンが連結した構造の式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基を導入することにより、有機ＥＬ素子の特性を悪化させずに高い溶解性を付与できることを見出した。式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基中のフェニル−フェニル間の複数の回転が組み合わさった時に、式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基は大きな回転体積を描くことができ非常に柔軟性に富むため、式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基を付与した誘導体は高い溶解性を有することができると考えられる。溶解性の観点から言えば、特に、式（ＦＧ−１）で表される基が長い方が高い柔軟性を有し分子に溶解性を付与できるために好ましい。また、分子全体で式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基の柔軟性を邪魔しない構造を取る方が、式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基の柔軟性は最大限に生かされ十分な溶解性が付与されるために、好ましい。
加えて、ビフェニル構造は結晶中ではフェニル環同士の成す角が０°で平面構造を取ることが知られており、式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基についても同様に固体中で平面構造をとりうる。式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基は溶液中では柔軟性を有するが、成膜後には式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基の柔軟性は抑えられ、膜中では分子どうしが十分に密に充填されると考えられる。これは、キャリア輸送のパスを膜中に生じさせるためにキャリア移動度の向上および駆動電圧の低下につながる。キャリア輸送のパスの観点から言えば、特に、式（ＦＧ−１）で表される基が短い方が、パスを担う式（ＦＧ−１）で表される基以外の構造の密度を増加させることができるために好ましい。
本明細書において「湿式塗布性」とは、湿式塗布性で成膜した膜の平滑性および均一性の尺度を示す。湿式成膜時に、溶解性が低いと膜にならず結晶が析出し、一方で、溶解性が高いとピンホールや弾きなどの膜欠陥が発生する場合もある。また、厳密に言えば、他成分の溶解性と差がありすぎると成分の分離が発生したり、さらには、溶媒との相性や組成、成膜・乾燥・焼成の工程が膜質に影響し、良質な膜を得るためには各要素の緻密な調整が必要となる場合もある。したがって、分子のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯを変えることなく溶解性を制御することが、湿式塗布性の制御につながると考えられる。
式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基は、ＨＯＭＯやＬＵＭＯを担う式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基以外の構造に大きな影響を与えずに、溶解性の制御が可能である。また、この式（ＦＧ−１）または式（ＦＧ−２）で表される基によれば、溶解性に幅を与えることができ、発光層形成用組成物の柔軟な調整が可能となる。
有機ＥＬ素子の駆動時の安定性は熱的安定性（ガラス転移点）によって見積もられ、ガラス転移点を高くするためには、一つには、分子の凝集力を大きくするとよいと考えられる。つまり、溶解性を改善すればするほど、分子は柔軟になり、ガラス転移点が低くなり、熱的安定性も低くなる場合がある。
また、式（ＦＧ−１）で表される基の付与により、分子に柔軟性を付与することができる一方で、膜中で密な充填が期待できる結果、分子運動を制約できるため、内的および外的な熱に対しての安定性の改善につながる。熱的安定性の観点から言えば、式（ＦＧ−１）で表される基が長い方が、分子を大きくすることができ、Ｔｇを上昇させることができる。また、式（ＦＧ−２）で表される基は式（ＦＧ−１）で表される基と比べ平面性が高くなるためにＴｇの上昇効果が大きい。
有機ＥＬ素子に用いられる化合物の特性向上を目指して、剛直な構造を分子中に持たせることで面内配向性を付与する検討がなされている。一般的に面内配向性を有する化合物は、ｐ−ターフェニルなど剛直で直線性の高い構造を有するために、溶解性は乏しい。
しかし、本発明者らは、従来の技術常識に反して、式（ＦＧ−１）で表される基を長く、分子が棒状になるように置換することで、剛直な分子でなくとも高い面内配向性を与えられることを発見した。この場合、剛直で直線性の高い構造ではないため、溶解性が低下することもない。面内配向性の観点から言えば、式（ＦＧ−１）で表される基が長く、および、分子を棒状にすることが好ましい。また、式（ＦＧ−１）で表される基が十分に長い場合は分子が屈曲を持っていても高い面内配向性を発現させることが可能である。
また、アルキル鎖を導入された分子であっても、アルキル鎖が分子同士の集積を阻害しないよう鎖長や構造を制御することで、有機ＥＬ素子の特性の悪化を防ぐことができる。
式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物は、塗布製膜性および面内配向性の改善の観点から分子中の少なくとも１つの水素が、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていることが好ましい。さらに好ましくは、分子中の少なくとも１つの水素が、式（ＦＧ−１）または（ＦＧ−２）で表される基で置換される場合である。特に好ましくは、分子中の少なくとも１つの水素が、式（ＦＧ−１）で表される基で置換される場合である。
１−１−４−１．一般式（ＦＧ−１）で表される基
式（ＦＧ−１）において、Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、ｎは０〜５の整数であり、ｐは１〜５の整数である。なお、「隣接する２つのＲ」とは同一環上で隣り合う基を表す。
フェニレンの連結数ｐは、化合物の溶解性、成膜性、湿式塗布性、熱的安定性、面内配向性の観点から、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２がさらに好ましい。
置換基Ｒの置換数ｍおよびｎについては、ｍについては、０〜４が好ましく、０〜２がより好ましく、０〜１がさらに好ましく、０が特に好ましく、ｎについては、０〜５が好ましく、０〜３がより好ましく、０〜１がさらに好ましく、０が特に好ましい。
「式（ＦＧ−１）で表される基への置換基Ｒ」ついては、機能性官能基の柔軟性と成膜時の充填性の観点から、フェニル−フェニル結合に対して（隣接するフェニル基同士の結合位置を基準として）ｏ位以外に置換基Ｒを有することが好ましく、フェニル−フェニル結合に対してより離れた位置に置換基Ｒを有することがより好ましい。
「式（ＦＧ−１）で表される基への置換基Ｒ」の具体例としては、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキル、任意の−ＣＨ２−が−Ｏ−で置換された炭素数１〜２４のアルキル、フェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−が炭素数６〜２４のアリーレンで置換された炭素数１〜２４のアルキル、少なくとも１つの水素が炭素数１〜２４のアルキルで置換された炭素数３〜２４のシクロアルキル、または少なくとも１つの水素が炭素数６〜１２のアリールで置換された炭素数３〜２４のシクロアルキルがあげられる。
「炭素数１〜２４のアルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）が特に好ましい。
「炭素数１〜２４のアルキル」としては、具体的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、およびｎ−エイコシルなどがあげられるが、それだけに限定されない。
「任意の−ＣＨ２−が−Ｏ−で置換された炭素数１〜２４のアルキル」としては、具体的には、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ、２−エトキシエトキシ、２−プロポキシエトキシ、２−ブトキシエトキシ、２−エトキシ−（２−エトキシエトキシ）、および２−エトキシ−（２−エトキシ−（２−エトキシエトキシ））などがあげられるが、それだけに限定されない。
「フェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−が炭素数６〜２４のアリーレンで置換された炭素数１〜２４のアルキル」としては、具体的には、メチルベンジル、エチルベンジル、およびプロピルベンジルなどがあげられるが、それだけに限定されない。
「炭素数３〜２４のシクロアルキル」としては、炭素数３〜１２のシクロアルキルが好ましく、炭素数３〜１０のシクロアルキルがより好ましく、炭素数３〜８のシクロアルキルがさらに好ましく、炭素数３〜６のシクロアルキルが特に好ましい。
炭素数３〜２４のシクロアルキルとしては、具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、およびシクロオクチルなどがあげられるが、それだけに限定されない。
「少なくとも１つの水素が炭素数１〜２４のアルキルで置換された炭素数３〜２４のシクロアルキル」または「少なくとも１つの水素が炭素数６〜１２のアリールで置換された炭素数３〜２４のシクロアルキル」としては、具体的には、メチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、フェニルシクロヘキシル、およびナフチルシクロヘキシルなどがあげられるが、それだけに限定されない。
１−１−４−２．一般式（ＦＧ−２）で表される基
式（ＦＧ−２）において、Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、前記アリールにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、ｍは０〜４の整数であり、ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数である。なお、「隣接する２つのＲ」とは同一環上で隣り合う基を表す。
置換基Ｒの置換数ｍおよびｎについては、ｍについては、０〜４が好ましく、０〜２がより好ましく、０〜１がさらに好ましく、０が特に好ましく、ｎについては、０〜５が好ましく、０〜３がより好ましく、０〜１がさらに好ましく、０が特に好ましい。
なお、式（ＦＧ−２）における置換基Ｒについては、式（ＦＧ−１）における置換基Ｒの説明を引用することができる。また、「炭素数６〜１２のアリール」については、式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物の欄における説明を引用することができる。
１−１−４−３．炭素数１〜２４のアルキル
一般的には、アルキル鎖が導入された分子を有機ＥＬ素子として用いる場合は、アルキル鎖が分子同士の集積を阻害しキャリアパスを破壊することがある。一方で、アルキル鎖を導入された分子であっても、アルキル鎖が分子同士の集積を阻害しないよう鎖長や構造を制御することで、有機ＥＬ素子の特性の悪化を防ぐことができる。
また、化合物中の末端のフェニル基やｐ−フェ二レン基のオルト位における少なくとも１つの水素をメチル基などで置換することにより、隣り合う芳香環同士が直交しやすくなって共役が弱まる結果、三重項励起エネルギー（ＥＴ）を高めることが可能となる。
式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物における少なくとも１つの水素（化合物中のアリール環またはヘテロアリール環の少なくとも１つの水素）は、炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける上記化合物に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。ただし、ここでの「前記アルキル」とは、アリール環またはヘテロアリール環の少なくとも１つの水素と「置換されていてもよい」全てのアルキルを指す。
「炭素数１〜２４のアルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）がさらに好ましく、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）が特に好ましい。
また、他の例では、炭素数７〜２４の直鎖または分枝鎖アルキルがあげられる。この場合、炭素数７〜１８の直鎖または分枝鎖アルキルが好ましく、炭素数７〜１２の直鎖または分枝鎖アルキルがより好ましい。
炭素数１〜２４のアルキルとしては、具体的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。
また、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、例えば、アルコキシ、アルキルエーテルおよびアルキルシリルがあげられる。具体的には、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、メトキシメチル、２−メトキシエトキシ、２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ、および、トリメチルシリルなどがあげられる。
また、前記アルキルにおける上記化合物に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、例えば、２−メチルベンジル、３−メチルベンジル、および、４−メチルベンジルなどがあげられる。
１−１−４−４．化合物への置換位置
式（Ａ’）で表される化合物に、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数１〜２４のアルキル（または炭素数７〜２４のアルキル）が置換する場合、下記式（Ａ’−ＮＮ−Ｚ１）または式（Ａ’−ＮＯ−Ｚ１）中のＺのうちの少なくとも１つが置換されていることが好ましい。
より具体的には、下記式（１−４０１−ｚ）、式（１−４１１−ｚ）、式（１−４２２−ｚ）、式（１−４４７−ｚ）、式（１−１１５２−ｚ）、式（１−１１５９−ｚ）、式（１−１２０１−ｚ）、式（１−１２１０−ｚ）、式（１−２６２３−ｚ）、または式（１−２６７９−ｚ）中のｚのうちの少なくとも１つが置換されていることが好ましい。
１−１−５．化合物への重水素やハロゲンの置換
また、式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物中の水素は、その全てまたは一部が重水素であってもよい。さらに、式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物中の水素は、その全てまたは一部がハロゲンであってもよい。例えば、式（Ａ）または式（Ａ’）においては、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、ａ環、ｂ環、ｃ環、および、これらの環への置換基における水素が重水素またはハロゲンで置換されうるが、これらの中でも特にアリール部位やヘテロアリール部位における全てまたは一部の水素が重水素またはハロゲンで置換された態様があげられる。ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であり、好ましくはフッ素、塩素または臭素、より好ましくは塩素である。
１−１−６．多環芳香族化合物または多環芳香族多量体化合物の具体例
以下に、式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物、およびその多量体化合物のさらに具体的な構造を示すが、下記式（１−４０１）〜式（１−４６２）、下記式（１−１４０１）〜式（１−１４６０）、下記式（１−４７１）〜式（１−４７９）、下記式（１−１１５１）〜式（１−１１６０）、下記式（１−１２０１）〜式（１−１２８１）、下記式（１−２６２３）〜式（１−２６９９）、下記式（１−３８３１）〜式（１−３９９１）、および下記式（１−４０１１）〜式（１−４０３３）で表される化合物はいずれも、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルが置換していない構造である。
また、これらの式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物、およびその多量体化合物の具体的な構造は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、これらの置換基については、別途、具体的な構造を、下記式（ＦＧ−１−１）〜式（ＦＧ−１−５）、下記式（ＦＧ−１−１００１）〜式（ＦＧ−１−１１０３）、下記式（ＦＧ−１−２００１）〜式（ＦＧ−１−２０８９）、下記式（ＦＧ−２−１）、下記式（ＦＧ−２−１００１）〜式（ＦＧ−２−１００６）、下記式（ＦＧ−２−１０４１）〜式（ＦＧ−２−１１０３）、および、下記式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−３７）に示す。
なお、下記式（ＦＧ−１−１）〜式（ＦＧ−１−５）、下記式（ＦＧ−１−１００１）〜式（ＦＧ−１−１１０３）、下記式（ＦＧ−１−２００１）〜式（ＦＧ−１−２０８９）、下記式（ＦＧ−２−１）、下記式（ＦＧ−２−１００１）〜式（ＦＧ−２−１００６）、下記式（ＦＧ−２−１０４１）〜式（ＦＧ−２−１１０３）、または、下記式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−３７）で表される基は、各式中の＊において式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物中の少なくとも１つの水素と置換される。
式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物と、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルとは、任意の位置で結合している。
すなわち、下記式（１−４０１）〜式（１−４６２）、下記式（１−１４０１）〜式（１−１４６０）、下記式（１−４７１）〜式（１−４７９）、下記式（１−１１５１）〜式（１−１１６０）、下記式（１−１２０１）〜式（１−１２８１）、下記式（１−２６２３）〜式（１−２６９９）、下記式（１−３８３１）〜式（１−３９９１）、下記式（１−４０１１）〜式（１−４０３３）で表される化合物は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルが置換していない化合物と、これらが任意の位置で置換した化合物との両方を開示していると理解すべきである。
１−２．第２成分
本発明の発光層形成用組成物において、第２成分は発光層のホスト成分として機能する。第２成分は、一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であって、第３成分に均一に溶解し、第１成分と分離することなく均一に混合した塗膜が形成され、素子駆動時に第１成分へ効率的にかつ速やかにエネルギーを受け渡す。高効率および高寿命の観点から、一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−５）で表される化合物が好ましい。さらに好ましくは一般式（Ｂ−１）または一般式（Ｂ−５）で表される化合物であり、特に好ましくは一般式（Ｂ−１）で表される化合物である。
１−２−１．低分子ホスト材料：一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）で表される化合物
式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−４）において、Ａｒは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、Ａｒのうちの隣接する基同士が結合して、それぞれアントラセン環、ピレン環、フルオレン環またはカルバゾール環の母骨格と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、ｎは１〜最大置換可能な整数である。
式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−４）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−４）で表される化合物に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。
式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−４）において、「Ａｒ」の具体的なものとしては、上述した式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物における説明を引用することができ、例えば、以下に挙げる構造式の一価以上のもの、または、これらの組み合わせが例示できる。
また、ｎは１〜８の整数が好ましく、１〜６の整数がより好ましく、１〜４の整数がさらに好ましく、１または２が特に好ましく、１が最も好ましい。
１−２−１−１．一般式（Ｂ−１１）で表される化合物
一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、好ましくは一般式（Ｂ−１１）で表される化合物である。一般式（Ｂ−１１）で表される化合物をホスト材料とし、一般式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物をドーパントとして用いると、優れた素子特性が得られる。
式（Ｂ−１１）では、Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはない。
式（Ｂ−１１−Ｘ１）および式（Ｂ−１１−Ｘ２）におけるナフチレン部位は１つのベンゼン環で縮合されていてもよい。このようにして縮合した構造は以下のとおりである。
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、ベンゾカルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルである。
Ａｒ３は、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、ベンゾカルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、これらはさらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルで置換されていてもよい。
Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ターフェニリル、ナフチル、または炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリルである。
シリルに置換する炭素数１〜４のアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチルなどがあげられ、シリルにおける３つの水素が、それぞれ独立して、これらのアルキルで置換されている。
具体的な「炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリル」としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリｉ−プロピルシリル、トリブチルシリル、トリｓｅｃ−ブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、エチルジメチルシリル、プロピルジメチルシリル、ｉ−プロピルジメチルシリル、ブチルジメチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、プロピルジエチルシリル、ｉ−プロピルジエチルシリル、ブチルジエチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、メチルジプロピルシリル、エチルジプロピルシリル、ブチルジプロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−ブチルジプロピルシリル、メチルジｉ−プロピルシリル、エチルジｉ−プロピルシリル、ブチルジｉ−プロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−ブチルジｉ−プロピルシリルなどがあげられる。
一般式（Ｂ−１１）で表される化合物の具体的な例としては、例えば、下記式（Ｂ−１１−１）〜式（Ｂ−１−１０８）で表される化合物があげられる。
また、これらの具体的な構造は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよい。
式（Ｂ−１）で表される化合物は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、置換される場合、これらの基は式（Ｂ−１）で表される化合物の任意の位置で結合している。
すなわち、下記式（Ｂ−１−１）〜式（Ｂ−１−１０８）は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルが置換していない化合物と、任意の位置で置換した化合物との両方を開示していると理解すべきである。
１−２−１−２．一般式（Ｂ−２）〜式（Ｂ−４）で表される化合物
以下に、一般式（Ｂ−２）〜式（Ｂ−４）で表される化合物の具体例を示す。
上述した式（Ｂ−１）で表される化合物の具体例と同様に、上述した式（Ｂ−２）〜式（Ｂ−４）で表される化合物の具体例は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数７〜２４のアルキルが置換していない化合物と、任意の位置で置換した化合物との両方を開示していると理解すべきである。塗布製膜性および面内配向性の改善の観点からはこれらの基で置換されていることが好ましい。さらに好ましくは式（ＦＧ−１）で表される基または式（ＦＧ−２）で表される基で置換されている場合であり、特に好ましくは式（ＦＧ−１）で表される基で置換されている場合である。
１−２−２．多環芳香族化合物のホスト材料：一般式（Ｂ−５）で表される化合物
式（Ｂ−５）において、Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよい。
式（Ｂ−５）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける上記式（Ｂ−５）で表される化合物に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。
また、式（Ｂ−５）で表される化合物における少なくとも１つの水素は、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。
１−２−２−１．一般式（Ｂ−５）におけるＲ １ 〜Ｒ １１
式（Ｂ−５）におけるＲ１〜Ｒ１１に関する説明は、式（Ａ’）におけるＲ１〜Ｒ１１の説明を引用することができる。
１−２−２−２．「一般式（Ｂ−５）において、ａ環、ｂ環またはｃ環の隣接する基同士が結合して形成する環」
式（Ｂ−５）では、ａ環、ｂ環およびｃ環の置換基Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよい。ただし、ここで「隣接する基」とは同一環上で隣り合う基を表し、「隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成」した化合物は、例えば、後述する具体的な化合物として列挙した式（Ｂ−５−２）〜（Ｂ−５−１７）で表されるような化合物に対応する。すなわち、例えばａ環（またはｂ環またはｃ環）に対してベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環またはベンゾチオフェン環が縮合して形成される化合物であり、形成されてできた縮合環はそれぞれナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環である。
１−２−２−３．化合物への置換
式（Ｂ−５）における「化合物への置換」に関する説明は、式（Ａ）や式（Ａ’）における「化合物への置換」の説明を引用することができる。
１−２−２−４．化合物への置換位置
式（Ｂ−５）で表される化合物に、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数１〜２４のアルキル（または炭素数７〜２４のアルキル）が置換する場合、下記式（Ｂ−５−Ｚ１）または式（Ｂ−５−Ｚ２）中のＺのうちの少なくとも１つが置換されていることが好ましい。
より具体的には、下記式（Ｂ−５−１−ｚ）、式（Ｂ−５−４９−ｚ）、式（Ｂ−５−９１−ｚ）、式（Ｂ−５−１００−ｚ）、式（Ｂ−５−１５２−ｚ）、式（Ｂ−５−１７６−ｚ）、式（Ｂ−５−１０４８−ｚ）、式（Ｂ−５−１０４９−ｚ）、式（Ｂ−５−１０５０−ｚ）、式（Ｂ−５−１０６９−ｚ）、式（Ｂ−５−１１０１−ｚ）、式（Ｂ−５−１１０２−ｚ）または式（Ｂ−５−１１０３−ｚ）中のｚのうちの少なくとも１つが置換されていることが好ましい。
１−２−２−５．化合物への重水素やハロゲンの置換
式（Ｂ−５）における「化合物への重水素やハロゲンの置換」に関する説明は、式（Ａ）や式（Ａ’）における「化合物への重水素やハロゲンの置換」の説明を引用することができる。
１−２−２−６．化合物の具体例
以下に、式（Ｂ−５）で表される化合物のさらに具体的な構造を示すが、下記式（Ｂ−５−１）〜式（Ｂ−５−１７９）、下記式（Ｂ−５−１００１）〜式（Ｂ−５−１１４８）、および式（Ｂ−５−１２７１）はいずれも、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルが置換していない構造である。
また、これらの式（Ｂ−５）で表される化合物の具体的な構造は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、これらの置換基の具体的な構造は、上述した式（Ａ）または式（Ａ’）の説明における上記式（ＦＧ−１−１）〜式（ＦＧ−１−５）、上記式（ＦＧ−１−１００１）〜式（ＦＧ−１−１１０３）、上記式（ＦＧ−１−２００１）〜式（ＦＧ−１−２０８９）、上記式（ＦＧ−２−１）、上記式（ＦＧ−２−１００１）〜式（ＦＧ−２−１００６）、上記式（ＦＧ−２−１０４１）〜式（ＦＧ−２−１１０３）、および、上記式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−３７）を引用することができる。
上述した式（Ｂ−１）で表される化合物の具体例と同様に、下記式（Ｂ−５−１）〜式（Ｂ−５−１７９）、下記式（Ｂ−５−１００１）〜式（Ｂ−５−１１４８）、および下記式（Ｂ−５−１２７１）で表される化合物の具体例は、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルが置換していない化合物と、任意の位置で置換した化合物との両方を開示していると理解すべきである。
上記式（Ｂ−５−１）〜式（Ｂ−５−１７９）、上記式（Ｂ−５−１００１）〜式（Ｂ−５−１１４８）、および上記式（Ｂ−５−１２７１）で表される化合物の中でも、式（Ｂ−５−１）、式（Ｂ−５−２）、式（Ｂ−５−４）、式（Ｂ−５−１０）、式（Ｂ−５−４９）、式（Ｂ−５−８１）、式（Ｂ−５−９１）、式（Ｂ−５−１００）、式（Ｂ−５−１４１）、式（Ｂ−５−１５１）、式（Ｂ−５−１７６）、式（Ｂ−５−５０）、式（Ｂ−５−１５２）、式（Ｂ−５−１０４８）、式（Ｂ−５−１０４９）、式（Ｂ−５−１０５０）、式（Ｂ−５−１０６９）、式（Ｂ−５−１０８４）、式（Ｂ−５−１０９０）、式（Ｂ−５−１０９２）、式（Ｂ−５−１１０１）、式（Ｂ−５−１１０２）、式（Ｂ−５−１１０３）、式（Ｂ−５−１１４５）、式（Ｂ−５−１２７１）、式（Ｂ−５−７９）、式（Ｂ−５−１４２）、式（Ｂ−５−１５８）、式（Ｂ−５−１５９）、式（Ｂ−５−１００６）、または式（Ｂ−５−１１０４）で表される化合物がさらに好ましく、式（Ｂ−５−１）、式（Ｂ−５−２）、式（Ｂ−５−４）、式（Ｂ−５−１０）、式（Ｂ−５−４９）、式（Ｂ−５−８１）、式（Ｂ−５−９１）、式（Ｂ−５−１００）、式（Ｂ−５−１４１）、式（Ｂ−５−１５１）、または式（Ｂ−５−１７６）で表される化合物が特に好ましい。さらに、高い溶解性、良好な成膜性および高い面内配向性の観点から、これらの化合物における少なくとも１つの水素が、＊において、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換されている化合物が好ましい。
１−２−３．高分子ホスト材料：一般式（Ｂ−６）で表される化合物
式（Ｂ−６）において、ＭＵは、それぞれ独立して、一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基からなる群から選択される少なくとも１つであり、ＭＵ中の２つの水素がＥＣまたはＭＵと置換され、ＥＣは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、ｋは２〜５００００の整数である。ｋは１００〜４００００の整数であることが好ましく、５００〜２５０００の整数であることがより好ましい。
式（Ｂ−６）中のＥＣにおける少なくとも１つの水素は、一般式（ＦＧ−１）で表される基、一般式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける式（Ｂ−６）中のＥＣに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。
ＭＵとしては、例えば、下記一般式（ＭＵ−１−１）〜式（ＭＵ−１−１２）、下記一般式（ＭＵ−２−１）〜式（ＭＵ−２−２０２）、下記一般式（ＭＵ−３−１）〜式（ＭＵ−３−２０１）、下記一般式（ＭＵ−４−１）〜式（ＭＵ−４−１２２）および下記一般式（ＭＵ−５−１）〜一般式（ＭＵ−５−１２）で表される２価の基が挙げられる。また、ＥＣとしては、例えば、下記一般式（ＥＣ−１）〜式（ＥＣ−２９）で表される基が挙げられる。これらにおいて、ＭＵは＊においてＭＵまたはＥＣと結合し、ＥＣは＊においてＭＵと結合する。
さらに、式（Ｂ−６）で表される化合物は、電荷輸送の観点から、分子内に式（Ｂ−６−Ｘ１）で表される２価の基を少なくとも１つを有することが好ましく、式（Ｂ−６−Ｘ１）で表される２価の基を式（Ｂ−６）で表される化合物の分子量に対して１０％以上有することがより好ましい。
式（Ｂ−６）で表される化合物は、溶解性および塗布製膜性の観点から、分子中のＭＵ総数（ｎ）の１０〜１００％のＭＵが炭素数１〜２４のアルキルを有することが好ましく、分子中のＭＵ総数（ｎ）の３０〜１００％のＭＵが炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）を有することがより好ましく、分子内のＭＵ総数（ｎ）の５０〜１００％のＭＵが炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）を有することがさらに好ましい。一方、面内配向性および電荷輸送の観点からは、分子中のＭＵ総数（ｎ）の１０〜１００％のＭＵが炭素数７〜２４のアルキルを有することが好ましく、分子中のＭＵ総数（ｎ）の３０〜１００％のＭＵが炭素数７〜２４のアルキル（炭素数７〜２４の分枝鎖アルキル）を有することがより好ましい。
１−３．有機溶媒
本発明の発光層形成用組成物は、第３成分として、少なくとも一種の有機溶媒を含む。成膜時に有機溶媒の蒸発速度を制御することで、成膜性および塗膜の欠陥の有無、表面粗さ、平滑性を制御および改善することができる。また、インクジェット法を用いた成膜時は、インクジェットヘッドのピンホールでのメニスカス安定性を制御し、吐出性を制御・改善することができる。加えて、膜の乾燥速度および誘導体分子の配向を制御することで、該発光層形成用組成物より得られる発光層を有する有機ＥＬ素子の電気特性、発光特性、効率、および寿命を改善することができる。
１−３−１．有機溶媒の物性
第３成分において、少なくとも１種の有機溶媒の沸点は、１３０℃〜３００℃であり、１４０℃〜２７０℃がより好ましく、１５０℃〜２５０℃がさらに好ましい。沸点が１３０℃より高い場合、インクジェットの吐出性の観点から好ましい。また、沸点が３００℃より低い場合、塗膜の欠陥、表面粗さ、残留溶媒および平滑性の観点から好ましい。第３成分は、良好なインクジェットの吐出性、製膜性、平滑性および低い残留溶媒の観点から、２種以上の有機溶媒を含む構成がより好ましい。一方で、場合によっては、運搬性などを考慮し、発光層形成用組成物中から溶媒を除去することで固形状態とした組成物であってもよい。
さらに、第３成分が式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物の少なくとも１種に対する良溶媒（ＧＳ）と貧溶媒（ＰＳ）とを含み、良溶媒（ＧＳ）の沸点（ＢＰＧＳ）が貧溶媒（ＰＳ）の沸点（ＢＰＰＳ）よりも低い、構成が特に好ましい。
高沸点の貧溶媒を加えることで成膜時に低沸点の良溶媒が先に揮発し、組成物中の含有物の濃度と貧溶媒の濃度が増加し速やかな成膜が促される。これにより、欠陥が少なく、表面粗さが小さい、平滑性の高い塗膜が得られる。
溶解度の差（ＳＧＳ−ＳＰＳ）は、１％以上であることが好ましく、３％以上であることがより好ましく、５％以上であることがさらに好ましい。沸点の差（ＢＰＰＳ−ＢＰＧＳ）は、１０℃以上であることが好ましく、３０℃以上であることがより好ましく、５０℃以上であることがさらに好ましい。
有機溶媒は、成膜後に、真空、減圧、加熱などの乾燥工程により塗膜より取り除かれる。加熱を行う場合、塗布製膜性改善の観点からは、第１成分のガラス転移温度（Ｔｇ）＋３０℃以下で行うことが好ましい。また、残留溶媒の削減の観点からは、第１成分のガラス転移点（Ｔｇ）−３０℃以上で加熱することが好ましい。加熱温度が有機溶媒の沸点より低くても膜が薄いために、有機溶媒は十分に取り除かれる。また、異なる温度で複数回乾燥を行ってもよく、複数の乾燥方法を併用してもよい。
１−３−２．有機溶媒の具体例
発光層形成用組成物に用いられる有機溶媒としては、アルキルベンゼン系溶媒、フェニルエーテル系溶媒、アルキルエーテル系溶媒、環状ケトン系溶媒、脂肪族ケトン系溶媒、単環性ケトン系溶媒、ジエステル骨格を有する溶媒および含フッ素系溶媒などがあげられ、具体例として、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、テトラデカノール、ヘキサン−２−オール、ヘプタン−２−オール、オクタン−２−オール、デカン−２−オール、ドデカン−２−オール、シクロヘキサノール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、δ−テルピネオール、テルピネオール（混合物）、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、ｏ−キシレン、２，６−ルチジン、２−フルオロ−ｍ−キシレン、３−フルオロ−ｏ−キシレン、２−クロロベンゾ三フッ化物、クメン、トルエン、２−クロロ−６−フルオロトルエン、２−フルオロアニソール、アニソール、２，３−ジメチルピラジン、ブロモベンゼン、４−フルオロアニソール、３−フルオロアニソール、３−トリフルオロメチルアニソール、メシチレン、１，２，４−トリメチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、２−メチルアニソール、フェネトール、ベンゾジオキソール、４−メチルアニソール、ｓ−ブチルベンゼン、３−メチルアニソール、４−フルオロ−３−メチルアニソール、シメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、２−フルオロベンゾニトリル、４−フルオロベラトロール、２，６−ジメチルアニソール、ｎ−ブチルベンゼン、３−フルオロベンゾニトリル、デカリン（デカヒドロナフタレン）、ネオペンチルベンゼン、２，５−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、３，５−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル、１−フルオロ−３，５−ジメトキシベンゼン、安息香酸メチル、イソペンチルベンゼン、３，４−ジメチルアニソール、ｏ−トルニトリル、ｎ−アミルベンゼン、ベラトロール、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、安息香酸エチル、ｎ−ヘキシルベンゼン、安息香酸プロピル、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、安息香酸ブチル、２−メチルビフェニル、３−フェノキシトルエン、２，２’−ビトリル、ドデシルベンゼン、ジペンチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、トリメトキシトルエン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、１-メチル-４-（プロポキシメチル）ベンゼン、１-メチル-４-（ブチルオキシメチル）ベンゼン、１-メチル-４-（ペンチルオキシメチル）ベンゼン、１-メチル-４-（ヘキシルオキシメチル）ベンゼン、１-メチル-４-（ヘプチルオキシメチル）ベンゼンベンジルブチルエーテル、ベンジルペンチルエーテル、ベンジルヘキシルエーテル、ベンジルヘプチルエーテル、ベンジルオクチルエーテルなどが挙げられるが、それだけに限定されない。また、溶媒は単一で用いてもよく、混合してもよい。
１−４．任意成分
発光層形成用組成物は、その性質を損なわない範囲で、任意成分を含んでいてもよい。任意成分としては、バインダーおよび界面活性剤等が挙げられる。
１−４−１．バインダー
発光層形成用組成物は、バインダーを含有していてもよい。バインダーは、成膜時には膜を形成するとともに、得られた膜を基板と接合する。また、該発光層形成用組成物中で他の成分を溶解および分散および結着させる役割を果たす。
発光層形成用組成物に用いられるバインダーとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合体（ＡＥＳ）樹脂、アイオノマー、塩素化ポリエーテル、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、テフロン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ）樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、および、上記樹脂およびポリマーの共重合体、が挙げられるが、それだけに限定されない。
発光層形成用組成物に用いられるバインダーは、１種のみであってもよく複数種を混合して用いてもよい。
１−４−２．界面活性剤
発光層形成用組成物は、例えば、発光層形成用組成物の膜面均一性、膜表面の親溶媒性および撥液性の制御のために界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤は、親水性基の構造からイオン性および非イオン性に分類され、さらに、疎水性基の構造からアルキル系およびシリコン系およびフッ素系に分類される。また、分子の構造から、分子量が比較的小さく単純な構造を有する単分子系および分子量が大きく側鎖や枝分かれを有する高分子系に分類される。また、組成から、単一系、二種以上の界面活性剤および基材を混合した混合系に分類される。該発光層形成用組成物に用いることのできる界面活性剤としては、全ての種類の界面活性剤を用いることができる。
界面活性剤としては、例えば、ポリフローＮｏ．４５、ポリフローＫＬ−２４５、ポリフローＮｏ．７５、ポリフローＮｏ．９０、ポリフローＮｏ．９５（商品名、共栄社化学工業（株）製）、ディスパーベイク（Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ）１６１、ディスパーベイク１６２、ディスパーベイク１６３、ディスパーベイク１６４、ディスパーベイク１６６、ディスパーベイク１７０、ディスパーベイク１８０、ディスパーベイク１８１、ディスパーベイク１８２、ＢＹＫ３００、ＢＹＫ３０６、ＢＹＫ３１０、ＢＹＫ３２０、ＢＹＫ３３０、ＢＹＫ３４２、ＢＹＫ３４４、ＢＹＫ３４６（商品名、ビックケミー・ジャパン（株）製）、ＫＰ−３４１、ＫＰ−３５８、ＫＰ−３６８、ＫＦ−９６−５０ＣＳ、ＫＦ−５０−１００ＣＳ（商品名、信越化学工業（株）製）、サーフロンＳＣ−１０１、サーフロンＫＨ−４０（商品名、セイミケミカル（株）製）、フタージェント２２２Ｆ、フタージェント２５１、ＦＴＸ−２１８（商品名、（株）ネオス製）、ＥＦＴＯＰ ＥＦ−３５１、ＥＦＴＯＰ ＥＦ−３５２、ＥＦＴＯＰ ＥＦ−６０１、ＥＦＴＯＰ ＥＦ−８０１、ＥＦＴＯＰ ＥＦ−８０２（商品名、三菱マテリアル（株）製）、メガファックＦ−４７０、メガファックＦ−４７１、メガファックＦ−４７５、メガファックＲ−０８、メガファックＦ−４７７、メガファックＦ−４７９、メガファックＦ−５５３、メガファックＦ−５５４（商品名、ＤＩＣ（株）製）、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸塩、フルオルアルキルカルボン酸塩、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルスルホン酸塩、ジグリセリンテトラキス（フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル）、フルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩、フルオロアルキルアミノスルホン酸塩、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンラウレート、ポリオキシエチレンオレエート、ポリオキシエチレンステアレート、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ソルビタンラウレート、ソルビタンパルミテート、ソルビタンステアレート、ソルビタンオレエート、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタンラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンオレエート、ポリオキシエチレンナフチルエーテル、アルキルベンゼンスルホン酸塩およびアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩を挙げることができる。
また、界面活性剤は１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
１−５．発光層形成用組成物の組成および物性
本発明の発光層形成用組成物は、第１成分または第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数１〜２４のアルキル（好ましくは炭素数７〜２４のアルキル）で置換されていてもよい。優れた溶解性、製膜性、湿式塗布性、および面内配向性の観点から、第２成分の少なくとも１種の化合物が置換されていることが好ましく、第１成分の少なくとも１種の化合物および第２成分の少なくとも１種の化合物が置換されていることがより好ましい。また、第１成分の少なくとも１種の化合物および第２成分の少なくとも１種の化合物が置換される場合は、面内配向性の観点から、共に同種の基で置換されることが好ましく、共に上記式（ＦＧ−１）で表される基または上記式（ＦＧ−２）で表される基で置換されることがより好ましく、共に上記式（ＦＧ−１）で表される基で置換されることがさらに好ましい。
本発明の発光層形成用組成物は、発光層形成用組成物における各成分の含有量は、発光層形成用組成物中の各成分の良好な溶解性、保存安定性および成膜性、ならびに、該発光層形成用組成物から得られる塗膜の良質な膜質、また、インクジェット法を用いた場合の良好な吐出性、該組成物を用いて作製された発光層を有する有機ＥＬ素子の、良好な電気特性、発光特性、効率、寿命の観点から、第１成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．０００１重量％〜２．０重量％、第２成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．０９９９重量％〜８．０重量％、第３成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、９０．０重量％〜９９．９重量％が好ましい。
より好ましくは、第１成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．０３重量％〜１．０重量％、第２成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．１７重量％〜４．０重量％、第３成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、９５．０重量％〜９９．８重量％である。さらに好ましくは、第１成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．０５重量％〜０．５重量％、第２成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．２５重量％〜２．５重量％、第３成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、９７．０重量％〜９９．７重量％である。他に好ましい態様としては、第１成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．００５重量％〜１．０重量％、第２成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、０．０９５重量％〜４．０重量％、第３成分が発光層形成用組成物の全重量に対して、９５．０重量％〜９９．９重量％である。
発光層形成用組成物は、上述した成分を、公知の方法で攪拌、混合、加熱、冷却、溶解、分散等を適宜選択して行うことによって製造できる。また、調製後に、ろ過、脱ガス（デガスとも言う）、イオン交換処理および不活性ガス置換・封入処理等を適宜選択して行ってもよい。
発光層形成用組成物の粘度としては、高粘度である方が、良好な成膜性とインクジェット法を用いた場合の良好な吐出性が得られる。一方、低粘度である方が薄い膜を作りやすい。このことから、該発光層形成用組成物の粘度は、２５℃における粘度が０．３ｍＰａ・ｓ〜３ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜３ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。本発明において、粘度は円錐平板型回転粘度計（コーンプレートタイプ）を用いて測定した値である。
発光層形成用組成物の表面張力としては、低い方が良好な成膜性および欠陥のない塗膜が得られる。一方、高い方が良好なインクジェット吐出性を得られる。このことから、該発光層形成用組成物の粘度は、２５℃における表面張力が２０ｍＮ／ｍ〜４０ｍＮ／ｍであることが好ましく、２０ｍＮ／ｍ〜３０ｍＮ／ｍであることがより好ましい。本発明において、表面張力は懸滴法を用いて測定した値である。
２．製造方法
以下に、一般式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物および一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物の製造方法を説明する。
２−１．一般式（Ａ）、式（Ａ’）または式（Ｂ−５）で表される化合物の製造方法
一般式（Ａ）、式（Ａ’）または式（Ｂ−５）で表される化合物、およびそれらの多量体化合物は、本発明の発光層形成用組成物中でそれぞれ第１成分および第２成分に含まれ、異なる構成成分であるが、製造方法は似ているため、まとめて説明する。
一般式（Ａ）、式（Ａ’）または式（Ｂ−５）で表される化合物、およびそれらの多量体化合物は、基本的には、まずＡ環（ａ環）とＢ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）とを結合基（Ｘ１やＸ２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、その後に、Ａ環（ａ環）、Ｂ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）を結合基（Ｙ１を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応では、例えばエーテル化反応であれば、求核置換反応、ウルマン反応といった一般的反応が利用でき、アミノ化反応で有ればブッフバルト−ハートウィッグ反応といった一般的反応が利用できる。また、第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応（連続的な芳香族求電子置換反応、以下同様）が利用できる。
第２反応は、下記スキーム（１）や（２）に示すように、Ａ環（ａ環）、Ｂ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）を結合するＹ１を導入する反応であり、例としてＹ１がホウ素原子、Ｘ１およびＸ２が窒素原子の場合を以下に示す。まず、Ｘ１とＸ２の間の水素原子をｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムまたはｔ−ブチルリチウム等でオルトメタル化する。次いで、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加え、リチウム−ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン等のブレンステッド塩基を加えることで、タンデムボラフリーデルクラフツ反応させ、目的物を得ることができる。第２反応においては反応を促進させるために三塩化アルミニウム等のルイス酸を加えてもよい。なお、スキーム（１）および（２）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１およびＮ−ＲのＲは式（Ａ’）における定義と同じである。
なお、上記スキーム（１）や（２）は、一般式（Ａ）や（Ａ’）で表される多環芳香族化合物の製造方法を主に示しているが、その多量体化合物については、複数のＡ環（ａ環）、Ｂ環（ｂ環）およびＣ環（ｃ環）を有する中間体を用いることで製造することができる。詳細には下記スキーム（３）〜（５）で説明する。この場合、使用するブチルリチウム等の試薬の量を２倍量、３倍量とすることで目的物を得ることができる。なお、スキーム（３）〜（５）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１およびＮ−ＲのＲは式（Ａ’）における定義と同じである。
上記スキームにおいては、オルトメタル化により所望の位置へリチウムを導入したが、下記スキーム（６）および（７）のようにリチウムを導入したい位置に臭素原子等を導入し、ハロゲン−メタル交換によっても所望の位置へリチウムを導入することができる。なお、スキーム（６）および（７）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１およびＮ−ＲのＲは式（Ａ’）における定義と同じである。
また、スキーム（３）で説明した多量体の製造方法についても、上記スキーム（６）および（７）のようにリチウムを導入したい位置に臭素原子や塩素原子等のハロゲンを導入し、ハロゲン−メタル交換によっても所望の位置へリチウムを導入することができる（下記スキーム（８）、（９）および（１０））。なお、スキーム（８）〜（１０）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１およびＮ−ＲのＲは式（Ａ’）における定義と同じである。
この方法によれば、置換基の影響でオルトメタル化ができないようなケースでも目的物を合成することができ有用である。
上述の合成法を適宜選択し、使用する原料も適宜選択することで、所望の位置に置換基を有し、Ｙ１がホウ素原子、Ｘ１およびＸ２が窒素原子である多環芳香族化合物およびその多量体を合成することができる。
次に、例としてＹ１がホウ素原子、Ｘ１が酸素原子でＸ２が窒素原子の場合を下記スキーム（１１）および（１２）に、Ｘ１およびＸ２が酸素原子の場合を下記スキーム（１３）に示す。Ｘ１およびＸ２が窒素原子である場合と同様に、まずＸ１とＸ２の間の水素原子をｎ−ブチルリチウム等でオルトメタル化する。次いで、三臭化ホウ素等を加え、リチウム−ホウ素の金属交換を行った後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン等のブレンステッド塩基を加えることで、タンデムボラフリーデルクラフツ反応させ、目的物を得ることができる。ここでは反応を促進させるために三塩化アルミニウム等のルイス酸を加えてもよい。なお、スキーム（１１）〜（１３）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１およびＮ−ＲのＲは式（Ａ’）における定義と同じである。
以上の反応で用いられる溶媒の具体例は、ｔ−ブチルベンゼンやキシレンなどである。
また、一般式（Ａ’）または一般式（Ｂ−５）では、ａ環、ｂ環およびｃ環の置換基Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素はアリールまたはヘテロアリールで置換されていてもよい。したがって、一般式（Ａ’）または一般式（Ｂ−５）で表される多環芳香族化合物は、ａ環、ｂ環およびｃ環における置換基の相互の結合形態によって、下記スキーム（１４）および（１５）の式（Ａ’−１）および式（Ａ’−２）に示すように、化合物を構成する環構造が変化する。これらの化合物は下記スキーム（１４）および（１５）に示す中間体に上記スキーム（１）〜（１３）で示した合成法を適用することで合成することができる。なお、スキーム（１４）および（１５）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じである。
上記式（Ａ’−１）および式（Ａ’−２）中のＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環は、置換基Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合して、それぞれａ環、ｂ環およびｃ環と共に形成したアリール環またはヘテロアリール環を示す（ａ環、ｂ環またはｃ環に他の環構造が縮合してできた縮合環ともいえる）。なお、式では示してはいないが、ａ環、ｂ環およびｃ環の全てがＡ’環、Ｂ’環およびＣ’環に変化した化合物もある。
また、一般式（Ａ’）および一般式（Ｂ−５）における「Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−または単結合により前記ａ環、ｂ環および／またはｃ環と結合している」との規定は、下記スキーム（１６）の式（Ａ’−３−１）で表される、Ｘ１やＸ２が縮合環Ｂ’および縮合環Ｃ’に取り込まれた環構造を有する化合物や、式（Ａ’−３−２）や式（Ａ’−３−３）で表される、Ｘ１やＸ２が縮合環Ａ’に取り込まれた環構造を有する化合物で表現することができる。これらの化合物は下記スキーム（１６）に示す中間体に上記スキーム（１）〜（１３）で示した合成法を適用することで合成することができる。なお、スキーム（１６）における構造式中のＲ１〜Ｒ１１、Ｙ１、Ｘ１およびＸ２は式（Ａ’）における定義と同じである。
また、上記スキームでは、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等を加える前に、Ｘ１とＸ２の間の水素原子（またはハロゲン原子）をブチルリチウム等でオルトメタル化することで、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応させた例を示したが、ブチルリチウム等を用いたオルトメタル化を行わずに、三塩化ホウ素や三臭化ホウ素等の添加により反応を進行させることもできる。
なお、上記スキームで使用するオルトメタル化試薬としては、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、リチウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジドなどの有機アルカリ化合物が挙げられる。
なお、上記スキームで使用するメタル−Ｙ１（ホウ素）の金属交換試薬としては、Ｙ１の三フッ化物、Ｙ１の三塩化物、Ｙ１の三臭化物、Ｙ１の三ヨウ化物などのＹ１のハロゲン化物、ＣＩＰＮ（ＮＥｔ２）２などのＹ１のアミノ化ハロゲン化物、Ｙ１のアルコキシ化物、Ｙ１のアリールオキシ化物などが挙げられる。
なお、上記スキームで使用するブレンステッド塩基としては、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、トリエチルアミン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン、２，６−ルチジン、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テトラフェニルホウ酸カリウム、トリフェニルボラン、テトラフェニルシラン、Ａｒ４ＢＮａ、Ａｒ４ＢＫ、Ａｒ３Ｂ、Ａｒ４Ｓｉ（なお、Ａｒはフェニルなどのアリール）などが挙げられる。
上記スキームで使用するルイス酸としては、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＦ３、ＢＦ３・ＯＥｔ２、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、ＧａＣｌ３、ＧａＢｒ３、ＩｎＣｌ３、ＩｎＢｒ３、Ｉｎ（ＯＴｆ）３、ＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４、ＡｇＯＴｆ、ＳｃＣｌ３、Ｓｃ（ＯＴｆ）３、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、Ｚｎ（ＯＴｆ）２、ＭｇＣｌ２、ＭｇＢｒ２、Ｍｇ（ＯＴｆ）２、ＬｉＯＴｆ、ＮａＯＴｆ、ＫＯＴｆ、Ｍｅ３ＳｉＯＴｆ、Ｃｕ（ＯＴｆ）２、ＣｕＣｌ２、ＹＣｌ３、Ｙ（ＯＴｆ）３、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、ＺｒＣｌ４、ＺｒＢｒ４、ＦｅＣｌ３、ＦｅＢｒ３、ＣｏＣｌ３、ＣｏＢｒ３などが挙げられる。
上記スキームでは、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応の促進のためにブレンステッド塩基またはルイス酸を使用してもよい。ただし、Ｙ１の三フッ化物、Ｙ１の三塩化物、Ｙ１の三臭化物、Ｙ１の三ヨウ化物などのＹ１のハロゲン化物を用いた場合は、芳香族求電子置換反応の進行とともに、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素といった酸が生成するため、酸を捕捉するブレンステッド塩基の使用が効果的である。一方、Ｙ１のアミノ化ハロゲン化物、Ｙ１のアルコキシ化物を用いた場合は、芳香族求電子置換反応の進行とともに、アミン、アルコールが生成するために、多くの場合、ブレンステッド塩基を使用する必要はないが、アミノ基やアルコキシ基の脱離能が低いために、その脱離を促進するルイス酸の使用が効果的である。
さらに、式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基、または炭素数１〜２４のアルキルで置換された化合物を得るためには、これらの基をあらかじめ中間体に導入しておいてもよいし、第２反応の後にこれらの基を導入してもよい。重水素やハロゲンの導入についても同様である。
２−２．一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）で表される化合物の製造方法
式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）で表される化合物は、公知の方法によりハロゲン化アリール誘導体とアリールボロン酸誘導体を出発原料として、またはハロゲン化アリールボロン酸誘導体とハロゲン化アリール誘導体とアリールボロン酸誘導体を出発物質として、鈴木・宮浦カップリング、熊田・玉尾・コリューカップリング、根岸カップリング、ハロゲン化反応、またはホウ酸化反応を適宜組み合わせて合成することができる。
鈴木−宮浦カップリングにおけるハロゲン化物とボロン酸誘導体は、その反応性官能基は適宜入れ替わってもよく、熊田・玉尾・コリューカップリングや根岸カップリングにおいても同様にそれらの反応に関わる官能基は入れ替わっていてもよい。またＧｒｉｇｎａｒｄ試薬に変換する場合には金属マグネシウムとイソプロピルグリニア試薬は適宜入れ替えてもよい。ボロン酸エステルはそのまま使用してもよく、または酸で加水分解してボロン酸として使用してもよい。ボロン酸エステルとして用いる場合には、そのエステル部分のアルキル基は例示した以外のアルキル基も用いることができる。
反応で用いられるパラジウム触媒の具体例としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド：ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２、酢酸パラジウム（ＩＩ）：Ｐｄ（ＯＡｃ）２、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）：Ｐｄ２（ｄｂａ）３、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）クロロホルム錯体：Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）：Ｐｄ（ｄｂａ）２、ビス（トリｔ−ブチルホスフィノ）パラジウム（０）：Ｐｄ（ｔ−Ｂｕ３Ｐ）２、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）：Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（１：１）：Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２・ＣＨ２Ｃｌ２、ＰｄＣｌ２｛Ｐ（ｔ−Ｂｕ）２−（ｐ−ＮＭｅ２−Ｐｈ）｝２：（Ａ−ｔａＰｈｏｓ）２ＰｄＣｌ２、パラジウム ビス（ジベンジリデン）、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ＰｄＣｌ２［Ｐ（ｔ−Ｂｕ）２−（ｐ−ＮＭｅ２−Ｐｈ）］２：（Ａ−ｔａＰｈｏｓ）２ＰｄＣｌ２（Ｐｄ−１３２：商標；ジョンソン・マッセイ社製）があげられる。
また、反応を促進させるため、場合によりこれらのパラジウム化合物にホスフィン化合物を加えてもよい。そのホスフィン化合物の具体例としては、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、１−（Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチル）−２−（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、１−（メトキシメチル）−２−（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、２，２’−ビス（ジｔ−ブチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−メトキシ−２’−（ジｔ−ブチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、または２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニルがあげられる。
反応で用いられる塩基の具体例としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、リン酸三カリウム、またはフッ化カリウムがあげられる。
また、反応で用いられる溶媒の具体例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、１，２，４−トリメチルベンゼン、アニソール、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、１，４−ジオキサン、メタノール、エタノール、ｔ−ブチルアルコール、シクロペンチルメチルエーテルまたはイソプロピルアルコールがあげられる。これらの溶媒は適宜選択でき、単独で用いてもよく、混合溶媒として用いてもよい。
２−３．一般式（Ｂ−６）で表される化合物の製造方法
式（Ｂ−６）で表される化合物は、「一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）で表される化合物の製造方法」に記載の方法を適宜組み合わせて合成することができる。
反応で用いられる溶媒の溶媒の溶媒としては、「一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）で表される化合物の製造方法」に記載の溶媒に加えて、エーテル系溶媒などがあげられ、例えば、ジメトキシエタン、２−（２−メトキシエトキシ）エタン、２−（２−エトキシエトキシ）エタン等があげられる。
また、塩基は水溶液として加え２相系で反応させてもよい。２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩等の相間移動触媒を加えてもよい。
式（Ｂ−６）を製造する際、一段階で製造してもよいし、多段階を経て製造してもよい。また、原料を反応容器に全て入れてから反応を開始する一括重合法により行ってもよいし、原料を反応容器に滴下し加える滴下重合法により行ってもよいし、生成物が反応の進行に伴い沈殿する沈殿重合法により行ってもよく、これらを適宜組み合わせて合成することができる。例えば、式（Ｂ−６）で表される化合物を一段階で合成する際、モノマーユニット（ＭＵ）およびエンドキャップユニット（ＥＣ）を反応容器に加えた状態で反応を行うことで目的物を得る。また、一般式（Ｂ−６）で表される化合物を多段階で合成する際、モノマーユニット（ＭＵ）を目的の分子量まで重合した後、エンドキャップユニット（ＥＣ）を加えて反応させることで目的物を得る。
また、モノマーユニット（ＭＵ）の重合性基を選べばポリマーの一次構造を制御することができる。例えば、合成スキーム（２０）の１〜３に示すように、ランダムな一次構造を有するポリマー（合成スキーム（２０）の１）、規則的な一次構造を有するポリマー（合成スキーム（２０）の２および３）などを合成することが可能であり、目的物に応じて適宜組み合わせて用いることができる。
３．有機電界発光素子
本発明に係る発光層形成用組成物は、湿式成膜法によって作製される有機ＥＬ素子の材料に用いられる。以下に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子について図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。
３−１．有機電界発光素子の構造
図１に示された有機ＥＬ素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陽極１０２と、陽極１０２の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた陰極１０８とを有する。
なお、有機ＥＬ素子１００は、作製順序を逆にして、例えば、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陰極１０８と、陰極１０８の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた陽極１０２とを有する構成としてもよい。
一般に、通常の作製順序の有機ＥＬ素子は順構造の有機ＥＬ素子と呼ばれ、作製順序が逆の有機ＥＬ素子は逆構造の有機ＥＬ素子と呼ばれる。順構造の有機ＥＬ素子についても、逆構造の有機ＥＬ素子についても、材料としては同じものを用いてよい。しかし陽極および陰極については、逆構造の有機ＥＬ素子の陰極１０８の材料としては、順構造の有機ＥＬ素子の陽極１０２の材料が用いられ、逆構造の有機ＥＬ素子の陽極１０２の材料としては、順構造の有機ＥＬ素子の陰極１０８の材料が用いられる。また、特に断りのない限り、以降の説明は順構造の有機ＥＬ素子について行う。
上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極１０２と発光層１０５と陰極１０８とからなる構成として、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、電子輸送層１０６、電子注入層１０７は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。
有機ＥＬ素子を構成する層の態様としては、上述する「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」の構成態様の他に、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子注入層／陰極」の構成態様であってもよい。
３−２．有機電界発光素子における基板
基板１０１は、有機ＥＬ素子１００の支持体となるものであり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板１０１は、目的に応じて板状、フィルム状、またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、および、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、例えば、０．２ｍｍ以上あればよい。厚さの上限値としては、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することができる。また、基板１０１には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板１０１として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。
３−３．有機電界発光素子における陽極
陽極１０２は、発光層１０５へ正孔を注入する役割を果たすものである。なお、陽極１０２と発光層１０５との間に正孔注入層１０３および／または正孔輸送層１０４が設けられている場合には、これらを介して発光層１０５へ正孔を注入することになる。
陽極１０２を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物があげられる。無機化合物としては、例えば、金属（アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど）、金属酸化物（インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）など）、ハロゲン化金属（ヨウ化銅など）、硫化銅、カーボンブラック、ＩＴＯガラスやネサガラスなどがあげられる。有機化合物としては、例えば、ポリ（３−メチルチオフェン）などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどがあげられる。その他、有機ＥＬ素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。
透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、例えば１００〜５Ω／□、好ましくは５０〜５Ω／□の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常５０〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。
３−４．有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層
正孔注入層１０３は、陽極１０２から移動してくる正孔を、効率よく発光層１０５内または正孔輸送層１０４内に注入する役割を果たすものである。正孔輸送層１０４は、陽極１０２から注入された正孔または陽極１０２から正孔注入層１０３を介して注入された正孔を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔注入・輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄（III）のような無機塩を添加して層を形成してもよい。
正孔注入・輸送性物質としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。
正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料としては、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、ｐ型半導体、有機ＥＬ素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど）、ビス（Ｎ−アリールカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体（芳香族第３級アミノを主鎖または側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ４，Ｎ４，Ｎ４’，Ｎ４’−テトラ［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など）、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニンなど）、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体（例えば、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリルなど）、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。
また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または、電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）または２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの強い電子受容体が知られている（例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73（6）,729-731（1998）」を参照）。これらは、電子供与型ベース物質（正孔輸送物質）における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体（ＴＰＤなど）またはスターバーストアミン誘導体（ＴＤＡＴＡなど）、または、特定の金属フタロシアニン（特に、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）など）が知られている（特開2005-167175号公報）。
また、湿式成膜法を用いて正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料としては、上記に記載の蒸着に用いられる正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料に加えて、正孔注入性および正孔輸送性の高分子、正孔注入性および正孔輸送性の架橋性高分子、正孔注入性および正孔輸送性の高分子前駆体、および、重合開始剤などを用いることができる。例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリアニリン化合物（特開2005-108828号公報、国際公開第2010/058776号公報、国際公開第2013/042623号公報等に記載）、フルオレンポリマー（特開2011-251984号公報、特開2011-501449号公報、特開2012-533661号公報等に記載）、「Xiaohui Yang, David C. Muller, Dieter Neher, Klaus Meerholz,Organic Electronics,12,2253-2257 (2011)」、「Philipp Zacharias, Malte C. Gather, Markus Rojahn, Oskar Nuyken, Klaus Meerholz, Angew. Chem. Int. Ed.,46,4388-4392 (2007)」、「Chei-Yen, Yu-Cheng Lin, Wen-Yi Hung, Ken-Tsung Wong, Raymond C. Kwong, Sean C. Xia, Yu-Hung Chen, Chih-I Wu, J.Mater.Chem., 19,3618-3626(2009)」、「Fei Huang, Yen-Ju Cheng, Yong Zhang, Michelle S. Liu, Alex K.-Y. Jen, J.Mater.Chem., 18,4495-4509(2008)」「Carlos A. Zuniga, Jassem Abdallah, Wojciech Haske, Yadong Zhang, Igor Coropceanu, Stephen Barlow, Bernard Kippelen, Seth R. Marder, Adv.Mater., 25,1739-1744(2013)」、「Wen-Yi Hung, Chi-Yen Lin, Tsang-Lung Cheng, Shih-Wei Yang, Atul Chaskar, Gang-Lun Fan, Ken-Tsung Wong, Teng-Chih Chao, Mei-Rurng Tseng, Organic Electronics,13,2508-2515 (2012)」等に記載の化合物があげられる。
３−５．有機電界発光素子における発光層
発光層１０５は、電界を与えられた電極間において、陽極１０２から注入された正孔と、陰極１０８から注入された電子とを再結合させることにより発光するものである。発光層１０５を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物（発光性化合物）であり、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光（蛍光）効率を示す化合物である。
発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光層用材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成される。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。本発明の組成物は発光層を形成するために使用することができ、これを構成する式（Ａ）または式（Ａ’）で表される化合物はドーパント材料として機能し、また、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物はホスト材料として機能する。
発光層のホスト材料の含有量は、好ましくは発光層用材料全体の８３．３重量％〜９９．９重量％であり、より好ましくは８０重量％〜９９．５重量％であり、さらに好ましくは９０〜１．０重量％である。
ドーパントの含有量は、好ましくは発光層用材料全体の０．１重量％〜２５重量％であり、より好ましくは０．５〜２０重量％であり、さらに好ましくは１．０〜１０重量％である。上記の範囲であれば、例えば、濃度消光現象を防止できるという点で好ましい。
３−６．有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層
電子注入層１０７は、陰極１０８から移動してくる電子を、効率よく発光層１０５内または電子輸送層１０６内に注入する役割を果たすものである。電子輸送層１０６は、陰極１０８から注入された電子または陰極１０８から電子注入層１０７を介して注入された電子を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。電子輸送層１０６および電子注入層１０７は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合するか、電子輸送・注入材料と高分子結着剤の混合物により形成される。
電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することをつかさどる層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。
電子輸送層１０６または電子注入層１０７を形成する材料（電子輸送材料）としては、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機ＥＬ素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。
電子輸送層または電子注入層に用いられる材料としては、炭素、水素、酸素、硫黄、ケイ素およびリンの中から選ばれる一種以上の原子で構成される芳香族環または複素芳香族環からなる化合物、ピロール誘導体およびその縮合環誘導体および電子受容性窒素を有する金属錯体の中から選ばれる少なくとも一種を含有することが好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセンなどの縮合環系芳香族環誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香族環誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体などがあげられる。電子受容性窒素を有する金属錯体としては、例えば、ヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。
また、他の電子伝達化合物の具体例として、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体（１，３−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなど）、チオフェン誘導体、トリアゾール誘導体（Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなど）、チアジアゾール誘導体、オキシン誘導体の金属錯体、キノリノール系金属錯体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ガリウム錯体、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、ベンゾキノリン誘導体（２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなど）、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体（トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼンなど）、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、テルピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体（１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−テルピリジニル））ベンゼンなど）、ナフチリジン誘導体（ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなど）、アルダジン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、リンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体などがあげられる。
また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。
上述した材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。
上述した材料の中でも、キノリノール系金属錯体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体またはボラン誘導体が好ましい。
キノリノール系金属錯体は、下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である。
式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、フッ素、アルキル、アラルキル、アルケニル、シアノ、アルコキシまたはアリールであり、ＭはＬｉ、Ａｌ、Ｇａ、ＢｅまたはＺｎであり、ｎは１〜３の整数である。
キノリノール系金属錯体の具体例としては、８−キノリノールリチウム、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウムなどがあげられる。
ビピリジン誘導体は、下記一般式（Ｅ−２）で表される化合物である。
式中、Ｇは単なる結合手またはｎ価の連結基を表し、ｎは２〜８の整数である。また、ピリジン−ピリジンまたはピリジン−Ｇの結合に用いられない炭素は、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシアノで置換されていてもよい。
一般式（Ｅ−２）のＧとしては、例えば、以下の構造式のものがあげられる。なお、下記構造式中のＲは、それぞれ独立して、水素、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリルまたはテルフェニリルである。
ピリジン誘導体の具体例としては、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−６−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−６−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジメシチルシロール、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−５−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール、２，５−ビス（２，２’−ピリジン−５−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジメシチルシロール、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−６−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−５−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−６−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−５−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，４’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，４’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（３，４’−ピリジン−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（３，４’−ピリジン−５−イル）−２−フェニルアントラセン、３，４−ジフェニル−２，５−ジ（２，２’−ピリジン−６−イル）チオフェン、３，４−ジフェニル−２，５−ジ（２，３’−ピリジン−５−イル）チオフェン、６’６”−ジ（２−ピリジル）２，２’：４’，４”：２”，２”’−クアテルピリジンなどがあげられる。
フェナントロリン誘導体は、下記一般式（Ｅ−３−１）または（Ｅ−３−２）で表される化合物である。
式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立して、水素、アルキル（メチル、エチル、イソプロピル、ヒドロキシエチル、メトキシメチル、トリフルオロメチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ベンジルなど）、アルキルオキシ（メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシなど）、アリールオキシ（フェノキシ、１−ナフチルオキシ、４−トリルオキシなど）、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素など）、アリール（フェニル、ナフチル、ｐ−トリル、ｐ−クロロフェニルなど）、アルキルチオ（メチルチオ、エチルチオ、イソプロピルチオなど）、アリールチオ（フェニルチオなど）、シアノ、ニトロ、複素環（ピロール、ピロリジル、ピラゾリル、イミダゾリル、ピリジル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、ベンゾオキサゾリルなど）などが挙げられ、好ましくはアルキルまたはハロゲンであり、より好ましくは、メチル、エチル、イソプロピルまたはフッ素であり、隣接する基は互いに結合して縮合環を形成してもよく、Ｇは単なる結合手またはｎ価の連結基を表し、ｎは２〜８の整数である。また、一般式（Ｅ−３−２）のＧとしては、例えば、ビピリジン誘導体の欄で説明したものと同じものがあげられる。また、上記式（Ｅ−３−２）においてはＲ１〜Ｒ８のいずれかがＧと結合する。
フェナントロリン誘導体の具体例としては、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９，１０−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）アントラセン、２，６−ジ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ピリジン、１，３，５−トリ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ベンゼン、９，９’−ジフルオロ−ビ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）、バソクプロインや１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどがあげられる。
特に、フェナントロリン誘導体を電子輸送層、電子注入層に用いた場合について説明する。長時間にわたって安定な発光を得るには、熱的安定性や薄膜形成性に優れた材料が望まれ、フェナントロリン誘導体の中でも、置換基自身が三次元的立体構造を有するか、フェナントロリン骨格とのまたは隣接置換基との立体反発により三次元的立体構造を有するもの、または複数のフェナントロリン骨格を連結したものが好ましい。さらに、複数のフェナントロリン骨格を連結する場合、連結ユニット中に共役結合、置換または無置換の芳香族炭化水素、置換または無置換の芳香複素環を含んでいる化合物がより好ましい。
ボラン誘導体は、下記一般式（Ｅ−４）で表される化合物であり、詳細には特開2007-27587号公報に開示されている。
式中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘは、置換されていてもよいアリーレンであり、Ｙは、置換されていてもよい炭素数１６以下のアリール、置換されているボリル、または置換されていてもよいカルバゾリルであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。
上記一般式（Ｅ−４）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｅ−４−１）で表される化合物、さらに下記一般式（Ｅ−４−１−１）〜（Ｅ−４−１−４）で表される化合物が好ましい。具体例としては、９−［４−（４−ジメシチルボリルナフタレン−１−イル）フェニル］カルバゾール、９−［４−（４−ジメシチルボリルナフタレン−１−イル）ナフタレン−１−イル］カルバゾールなどがあげられる。
式中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数であり、そして、ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。
各式中、Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ３５およびＲ３６は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。
上記一般式（Ｅ−４）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｅ−４−２）で表される化合物、さらに下記一般式（Ｅ−４−２−１）で表される化合物が好ましい。
式中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。
式中、Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ３５およびＲ３６は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。
上記一般式（Ｅ−４）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｅ−４−３）で表される化合物、さらに下記一般式（Ｅ−４−３−１）または（Ｅ−４−３−２）で表される化合物が好ましい。
式中、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されているシリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数１０以下のアリーレンであり、Ｙ１は、置換されていてもよい炭素数１４以下のアリールであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。また、「置換されていてもよい」または「置換されている」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリールまたはアルキルなどが挙げられる。
各式中、Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ３５およびＲ３６は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。
ベンゾイミダゾール誘導体は、下記一般式（Ｅ−５）で表される化合物である。
式中、Ａｒ１〜Ａｒ３はそれぞれ独立に水素または置換されてもよい炭素数６〜３０のアリールである。「置換されていてもよい」場合の置換基としては、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシアノなどが挙げられる。特に、Ａｒ１が、アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはシアノで置換されてもよいアントリルであるベンゾイミダゾール誘導体が好ましい。
炭素数６〜３０のアリールの具体例は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アセナフチレン−１−イル、アセナフチレン−３−イル、アセナフチレン−４−イル、アセナフチレン−５−イル、フルオレン−１−イル、フルオレン−２−イル、フルオレン−３−イル、フルオレン−４−イル、フルオレン−９−イル、フェナレン−１−イル、フェナレン−２−イル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル、９−フェナントリル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、フルオランテン−１−イル、フルオランテン−２−イル、フルオランテン−３−イル、フルオランテン−７−イル、フルオランテン−８−イル、トリフェニレン−１−イル、トリフェニレン−２−イル、ピレン−１−イル、ピレン−２−イル、ピレン−４−イル、クリセン−１−イル、クリセン−２−イル、クリセン−３−イル、クリセン−４−イル、クリセン−５−イル、クリセン−６−イル、ナフタセン−１−イル、ナフタセン−２−イル、ナフタセン−５−イル、ペリレン−１−イル、ペリレン−２−イル、ペリレン−３−イル、ペンタセン−１−イル、ペンタセン−２−イル、ペンタセン−５−イル、ペンタセン−６−イルである。
ベンゾイミダゾール誘導体の具体例は、１−フェニル−２−（４−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル）−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（３−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾールである。
電子輸送層または電子注入層には、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを好適に使用することができる。
好ましい還元性物質としては、Ｎａ（仕事関数２．３６ｅＶ）、Ｋ（同２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（同２．１６ｅＶ）またはＣｓ（同１．９５ｅＶ）などのアルカリ金属や、Ｃａ（同２．９ｅＶ）、Ｓｒ（同２．０〜２．５ｅＶ）またはＢａ（同２．５２ｅＶ）などのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、Ｋ、ＲｂまたはＣｓのアルカリ金属であり、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましいのはＣｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性物質として、これら二種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ、またはＣｓとＮａとＫとの組み合わせが好ましい。Ｃｓを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
３−７．有機電界発光素子における陰極
陰極１０８は、電子注入層１０７および電子輸送層１０６を介して、発光層１０５に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極１０８を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極１０２を形成する材料と同様のものを用いることができる。なかでも、スズ、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金（マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、フッ化リチウム／アルミニウムなどのアルミニウム−リチウム合金など）などが好ましい。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されるものではない。
さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例としてあげられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子線ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。
３−８．各層で用いてもよい結着剤
以上の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層に用いられる材料は単独で各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶媒可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。
３−９．有機電界発光素子の作製方法
有機ＥＬ素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法、レーザー加熱描画法（ＬＩＴＩ）などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲である。
３−９−１．湿式成膜法
本発明の発光層形成用組成物は、湿式成膜法を用いることによって成膜される。
湿式成膜法は、一般的には、基板に発光層形成用組成物を塗布する塗布工程および塗布された発光層形成用組成物から溶媒を取り除く乾燥工程を経ることで塗膜を形成する。塗布工程の違いにより、スピンコーターを用いるものをスピンコート法、スリットコーターを用いるスリットコート法、版を用いるグラビア、オフセット、リバースオフセット、フレキソ印刷法、インクジェットプリンタを用いるものをインクジェット法、霧状に吹付けるものをスプレー法と呼ぶ。乾燥工程には、風乾、加熱、減圧乾燥などの方法がある。乾燥工程は１回のみ行なってもよく、異なる方法や条件を用いて複数回行なってもよい。また、例えば、減圧下での焼成のように、異なる方法を併用してもよい。
湿式成膜法とは溶液を用いた成膜法であり、例えば、一部の印刷法（インクジェット法）、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などである。湿式成膜法は真空蒸着法と異なり高価な真空蒸着装置を用いる必要が無く、大気圧下で成膜することができる。加えて、湿式成膜法は大面積化や連続生産が可能であり、製造コストの低減につながる。
一方で、真空蒸着法と比較した場合には、湿式成膜法は積層化が難しい。湿式成膜法を用いて積層膜を作製する場合、上層の組成物による下層の溶解を防ぐ必要があり、溶解性を制御した組成物、下層の架橋および直交溶媒（Orthogonal solvent、互いに溶解し合わない溶媒）などが駆使される。しかしながら、それらの技術を用いても、全ての膜の塗布に湿式成膜法を用いるのは難しい場合がある。
そこで、一般的には、幾つかの層だけを湿式成膜法を用い、残りを真空蒸着法で有機ＥＬ素子を作製するという方法が採用される。
例えば、湿式成膜法を一部適用し有機ＥＬ素子を作製する手順を以下に示す。
（手順１）陽極の真空蒸着法による成膜
（手順２）正孔注入層の湿式成膜法による成膜
（手順３）正孔輸送層の湿式成膜法による成膜
（手順４）ホスト材料とドーパント材料を含む発光層形成用組成物の湿式成膜法による成膜
（手順５）電子輸送層の真空蒸着法による成膜
（手順６）電子注入層の真空蒸着法による成膜
（手順７）陰極の真空蒸着法による成膜
この手順を経ることで、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料とドーパント材料からなる発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子が得られる。
３−９−２．その他成膜法
発光層形成用組成物の成膜化には、レーザー加熱描画法（ＬＩＴＩ）を用いることができる。ＬＩＴＩとは基材に付着させた化合物をレーザーで加熱蒸着する方法で、基材へ塗布される材料に発光層形成用組成物を用いることができる。
３−９−３．任意の工程
成膜の各工程の前後に、適切な処理工程、洗浄工程および乾燥工程を適宜入れてもよい。処理工程としては、例えば、露光処理、プラズマ表面処理、超音波処理、オゾン処理、適切な溶媒を用いた洗浄処理および加熱処理等が挙げられる。さらには、バンクを作製する一連の工程も挙げられる。
３−９−３−１．バンク（隔壁材料）
バンクの作製にはフォトリソグラフィ技術を用いることができる。フォトリソグラフィの利用可能なバンク材としては、ポジ型レジスト材料およびネガ型レジスト材料を用いることができる。また、インクジェット法、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷、スクリーン印刷などのパターン可能な印刷法も用いることができる。その際には永久レジスト材料を用いることもできる。
バンクに用いられる材料としては、多糖類およびその誘導体、ヒドロキシルを有するエチレン性モノマーの単独重合体および共重合体、生体高分子化合物、ポリアクリロイル化合物、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、ポリフェニルエーテル、ポリウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、ポリオレフィン、環状ポリオレフィン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合ポリマー（ＡＢＳ）、シリコーン樹脂、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム、ポリフルオロビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等のフッ化ポリマー、フルオロオレフィン−ヒドロカーボンオレフィンの共重合ポリマー、フルオロカーボンポリマー、が挙げられるが、それだけに限定されない。
３−１０．有機電界発光素子の作製例
次に、真空蒸着法およびインクジェットを用いた湿式成膜法による有機ＥＬ素子を作製する方法の例を示す。
３−１０−１．真空蒸着法による有機電界発光素子の作製例
真空蒸着法による有機ＥＬ素子を作製する方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料とドーパント材料からなる発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上にホスト材料とドーパント材料を共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機ＥＬ素子が得られる。なお、上述の有機ＥＬ素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
３−１０−２．インクジェットによる有機電界発光素子の作製例
図２を参考にして、バンクを有する基板にインクジェット法を用いて有機ＥＬ素子を作製する方法を説明する。まず、バンク（２００）は基板（１１０）上の電極（１２０）の上に設けられている。この場合、インクジェットヘッド（３００）より、バンク（２００）間にインクの液滴（３１０）を滴下し、乾燥させることで塗膜（１３０）を作製することができる。これを繰り返し、次の塗膜（１４０）、さらに発光層（１５０）まで作製し、真空蒸着法を用い電子輸送層、電子注入層および電極を成膜すれば、バンク材で発光部位が区切られた有機ＥＬ素子を作製することができる。
３−１１．有機電界発光素子の電気特性および発光特性の確認
このようにして得られた有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、透明または半透明の電極側（陽極または陰極、および両方）より発光が観測できる。また、この有機ＥＬ素子は、パルス電流や交流電流を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
３−１２．有機電界発光素子の応用例
また、本発明は、有機ＥＬ素子を備えた表示装置または有機ＥＬ素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機ＥＬ素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。
表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光（ＥＬ）ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどがあげられる（例えば、特開平13035066号公報、特開2003-321546号公報、特開2004-281806号公報など参照）。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式などがあげられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。
マトリクスとは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。
セグメント方式（タイプ）では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などがあげられる。
照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどがあげられる（例えば、特開2003-257621号公報、特開2003-277741号公報、特開2004-119211号公報など参照）。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜実施例で用いた一般式（Ａ）で表される化合物の合成＞
以下、実施例で用いた一般式（Ａ）で表される化合物の合成について説明する。
合成例１：化合物（１−１１５２）の合成
窒素雰囲気下、ジフェニルアミン（３７．５ｇ）、１−ブロモ−２，３−ジクロロベンゼン（５０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．８ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（３２．０ｇ）およびキシレン（５００ｍｌ）の入ったフラスコを８０℃で４時間加熱撹拌した後、１２０℃まで昇温してさらに３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝１／２０（容量比））で精製し、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（６３．０ｇ）を得た。
窒素雰囲気下、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（１６．２ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミン（１５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．３ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（６．７ｇ）およびキシレン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（展開液：加熱したトルエン）で精製し、さらにヘプタン／酢酸エチル混合溶媒（１／１（容量比））で洗浄することで、Ｎ１，Ｎ１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−クロロ−Ｎ３，Ｎ３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２２．０ｇ）を得た。
Ｎ１，Ｎ１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−クロロ−Ｎ３，Ｎ３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２２．０ｇ）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１３０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３７．５ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して１時間撹拌した後、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（６．２ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１２．８ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（展開液：加熱したクロロベンゼン）で精製した。還流したヘプタンおよび還流した酢酸エチルで洗浄後、さらにクロロベンゼンから再沈殿させることで、式（１−１１５２）で表される化合物（５．１ｇ）を得た。
合成例２：化合物（１−１１６０−１）の合成
１−ブロモ−３−ヨードベンゼン（４２．４４ｇ、１５０ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、ビフェニル−３−イルボロン酸（２９．７０ｇ、１．０ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（３１．８０ｇ、２．０ｅｑ．）、および、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３．４７ｇ、０．０２ｅｑ．）を１Ｌ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（３６０ｍＬ）、エタノール（９０ｍＬ）および水（９０ｍＬ）を加え、７４℃で還流・撹拌した。３時間の後に、加熱をやめ、反応液を室温に戻した。トルエンで３回抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置した。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にトルエンを用いてシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にヘプタンを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。透明オイルとして目的物「Ｐ３Ｂｒ」を得た（収量：２６．６０ｇ、収率：５７．３％）。
Ｐ３Ｂｒ（２６．６０ｇ、８６．０３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、ビスピナコレートジボロン（１０３．２３ｇ、１．２ｅｑ．）、酢酸カリウム（２５．３３ｇ、３ｅｑ．）およびビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン錯体（２．１１ｇ、０．０３ｅｑ．）を１Ｌ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でシクロペンチルメチルエーテル（３００ｍＬ）を加え、１００℃で還流・撹拌した。３時間の後に、加熱をやめ、反応液を室温に戻した。トルエンで３回抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置した。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にトルエンを用いて活性炭カラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られた黄色オイルを熱メタノールに溶解させ、室温放置後に氷冷した。析出した針状結晶の目的物「Ｐ３Ｂｐｉｎ」を回収した（収量：２８．４８ｇ、収率：９２．９％）。
窒素雰囲気下、Ｎ−（４−ブロモフェニル）−４−ビフェニルアミン（９．７ｇ、３０ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、Ｐ３Ｂｐｉｎ（１０．７ｇ、１ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（９．５ｇ、３．０ｅｑ．）、よび、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．０４ｇ、０．０３ｅｑ．）を１Ｌ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（８０ｍＬ）、エタノール（２０ｍＬ）および水（２０ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。さらに、目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮することで、目的物「Ｐ２ＮＰ４」が得られる。
窒素雰囲気下、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（６．３ｇ、２０ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、Ｐ２ＮＰ４（９．５ｇ、１ｅｑ．）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．１４ｇ、０．０１ｅｑ．）、ＮａＯｔＢｕ（２．５ｇ、１．３ｅｑ．）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で加熱撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液する。次いで、シリカゲルショートパスカラムで精製し、さらに再結晶を行うことで、「１ＣＬ２ＮＰ２４６ＮＰ１１」が得られる。
１ＣＬ２ＮＰ２４６ＮＰ１１（５．６ｇ、７．５ｍｍｏｌ）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（２５ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（７．０ｍｌ、１．５ｅｑ．）を加える。滴下終了後、６０℃まで昇温して撹拌した後、反応終了後、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去する。−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１．５ｍｌ、，２ｅｑ．）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌する。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（０．８ｍｌ、３ｅｑ．）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いでトルエンを加えて分液する。次いで、シリカゲルショートパスカラムで精製し、さらに再結晶を行うことで、式（１−１１６０−１）で表される化合物が得られる。
合成例３：化合物（１−２６７９）の合成
窒素雰囲気下、Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（５１．７ｇ）、１−ブロモ−２，３−ジクロロベンゼン（３５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．６ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（２２．４ｇ）およびキシレン（３５０ｍｌ）の入ったフラスコを９０℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝５／５（容量比））で精製することで、Ｎ１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（６１．８ｇ）を得た。
窒素雰囲気下、Ｎ１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１５．０ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）アミン（１０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（４．５ｇ）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加えて分液した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（展開液：トルエン）で精製した。得られた油状物を酢酸エチル／ヘプタン混合溶媒で再沈殿させることで、Ｎ１，Ｎ１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２クロロ−Ｎ３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１８．５ｇ）を得た。
Ｎ１，Ｎ１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２クロロ−Ｎ３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１８．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（１３０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．７Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（２７．６ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して３時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（４．５ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（８．２ｍｌ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、加熱したクロロベンゼンに溶解させ、シリカゲルショートパスカラム（展開液：加熱したトルエン）で精製した。さらにクロロベンゼンから再結晶させることで、式（１−２６７９）で表される化合物（３．０ｇ）を得た。
合成例４：化合物（１−４２２）の合成
窒素雰囲気下、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（３６．０ｇ）、Ｎ１，Ｎ３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１２．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．３ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（１１．０ｇ）およびキシエン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン混合溶媒）で精製した。この際、展開液中のトルエンの比率を徐々に増加させて目的物を溶出させた。さらに活性炭カラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）で精製することで、Ｎ１，Ｎ１’−（１，３−フェニレン）ビス（２−クロロ−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン）（２２．０ｇ）を得た。
Ｎ１，Ｎ１’−（１，３−フェニレン）ビス（２−クロロ−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン）（２２．０ｇ）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（４２．０ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して５時間撹拌した後、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（７．６ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１８．９ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液を加え、析出した固体を濾別した。ろ液を分液し、有機層をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝１（容量比））で精製した。溶媒を減圧留去して得られた固体をクロロベンゼンに溶かし、酢酸エチルを加えることで再沈殿させ、式（１−４２２）で表される化合物（０．６ｇ）を得た。
合成例５：化合物（１−１２１０）の合成
窒素雰囲気下、１−ブロモ−２−クロロ−３−フルオロベンゼン（２０．０ｇ）、３−（ジフェニルアミノ）フェノール（２７．４ｇ）、炭酸カリウム（２６．４ｇ）およびＮＭＰ（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを１８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、ＮＭＰを減圧留去した後、水およびトルエンを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝２／１（容量比））で精製し、３−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアニリン（３１．６ｇ）を得た。
窒素雰囲気下、ジフェニルアミン（１３．０ｇ）、３−（３−ブロモ−２−クロロフェノキシ）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアニリン（３１．６ｇ）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．５ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（１０．１ｇ）および１，２，４−トリメチルベンゼン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、吸引ろ過にて不溶性の塩を除去した。次いで、活性炭ショートパスカラム（展開液：トルエン）で精製し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝１／６（容量比））で精製し、２−クロロ−３−（３−ジフェニルアミノ）フェノキシ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（２６．３ｇ）を得た。
２−クロロ−３−（３−ジフェニルアミノ）フェノキシ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（２６．３ｇ）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３１．４ｍｌ）を加えた。滴下終了後、室温まで昇温して終夜で撹拌し、再び−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（５．４ｍｌ）を加えた。次いで、減圧しながら６０℃まで昇温してｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。その後、０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１７．０ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して５．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）で精製し、さらにトルエンから再結晶させることで、式（１−１２１０）で表される化合物（０．６ｇ）を得た。
合成例６：化合物（１−１２１０−１）の合成
１−ブロモ−３−ヨードベンゼン（３．５７ｇ、１２．６ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、Ｐ３Ｂｐｉｎ（４．５５ｇ、１．０ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（４．０１ｇ、３．０ｅｑ．）、および、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．４４ｇ、０．０３ｅｑ．）を３００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（４０ｍＬ）、エタノール（１０ｍＬ）および水（１０ｍＬ）を加え、７４℃で還流・撹拌した。３時間の後に、加熱をやめ、反応液を室温に戻した。トルエンで３回抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置した。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にトルエンを用いてシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にヘプタン／トルエン（９：１（容量比））を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。透明オイルとして目的物「Ｐ４Ｂｒ」を得た（収量：３．９７ｇ、収率：８０．８％）。
窒素雰囲気下、３−ヒドロキシジフェニルアミン（１０．０ｇ、５４ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、Ｐ４Ｂｒ（２０．８ｇ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（７．５ｇ、１ｅｑ．）およびトルエン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを１１０℃で加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水およびトルエンを加えて分液する。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、「１ＯＨ３ＮＰ１４（ｍ）」が得られる。
窒素雰囲気下、１−ブロモ−２−クロロ−３−フルオロベンゼン（１０．２ｇ、４９ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、１ＯＨ３ＮＰ１４（ｍ）（２３．８ｇ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（１３．４ｇ、２ｅｑ．）およびＮＭＰ（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１８０℃で加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、ＮＭＰを減圧留去した後、水およびトルエンを加えて分液する。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、「１Ｂｒ２ＣＬ３Ｐｘ（３ＮＰ１４（ｍ））」が得られる。
窒素雰囲気下、ジフェニルアミン（６．０ｇ、１ｅｑ．）、１Ｂｒ２ＣＬ３Ｐｘ（３ＮＰ１４（ｍ））（２４．０ｇ、３５．３ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．２５ｇ、０．０１ｅｑ．）、ＮａＯｔＢｕ（４．４ｇ、１．３ｅｑ．）および１，２，４−トリメチルベンゼン（１２０ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、吸引ろ過にて不溶性の塩を除去する。次いで、活性炭ショートパスカラムで精製し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、「１ＣＬ２Ｐｘ（３ＰＮ１４（ｍ））５ＮＰ１１」が得られる。
１ＣＬ２Ｐｘ（３ＰＮ１４（ｍ））５ＮＰ１１（２４．５ｇ、３２ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１２０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３０ｍｌ、１．５ｅｑ．）を加える。滴下終了後、室温まで昇温して撹拌し、再び−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（６．１ｍｌ、２ｅｑ．）を加える。次いで、減圧しながら６０℃まで昇温してｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。その後、０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１７．０ｍｌ、３ｅｑ．）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いでトルエンを加えて分液する。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）で精製し、さらにトルエンから再結晶させることで、式（１−１２１０−１）で表される化合物が得られる。
合成例７：化合物（１−１２１０−２）の合成
窒素雰囲気下、３−ヒドロキシジフェニルアミン（１０．０ｇ、１ｅｑ．）、１−ブロモ−４−ドデシルベンゼン（１７．６ｇ、５４ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（７．５ｇ、１ｅｑ．）およびトルエン（１２０ｍｌ）の入ったフラスコを１８０℃で加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水およびトルエンを加えて分液する。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、「１ＯＨ３ＮＰ１１Ｄ」が得られる。
窒素雰囲気下、１−ブロモ−２−クロロ−３−フルオロベンゼン（１０．４ｇ、１ｅｑ．）、１ＯＨ３ＮＰ１１Ｄ（２１．３ｇ、５０ｅｑ．、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（１３．７ｇ、２ｅｑ．）およびＮＭＰ（１００ｍｌ）の入ったフラスコを１８０℃で加熱撹拌する。反応液を室温まで冷却し、ＮＭＰを減圧留去した後、水およびトルエンを加えて分液する。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝１／１（容量比））で精製することで、「１Ｂｒ２ＣＬ３Ｐｘ（３ＮＰ１１Ｄ）」が得られる。
窒素雰囲気下、ジフェニルアミン（６．１ｇ、１ｅｑ．）、１Ｂｒ２ＣＬ３Ｐｘ（３ＮＰ１１Ｄ）（２２．２ｇ、３６ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、Ｐｄ−１３２（ジョンソンマッセイ）（０．２５ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（４．５ｇ、１．３ｅｑ．）および１，２，４−トリメチルベンゼン（１２０ｍｌ）の入ったフラスコを還流温度で加熱撹拌する。反応液を室温まで冷却した後、吸引ろ過にて不溶性の塩を除去する。次いで、活性炭ショートパスカラムで精製し、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、「１ＣＬ２Ｐｘ（３ＰＮ１１Ｄ）５ＮＰ１１」が得られる（２０．６ｇ、収率：８１．２％）。
１ＣＬ２Ｐｘ（３ＰＮ１１Ｄ）５ＮＰ１１（２０．６ｇ、２９ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１２０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、−３０℃で、１．６Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（２７ｍｌ、１．５ｅｑ．）を加える。滴下終了後、室温まで昇温して撹拌し、再び−３０℃まで冷却して三臭化ホウ素（５．５ｍｌ、２ｅｑ．）を加える。反応終了後、減圧しながら６０℃まで昇温してｔｅｒｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去する。その後、０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１５ｍｌ、３ｅｑ．）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液する。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、式（１−１２１０−２）で表される化合物が得られる。
＜実施例で用いた一般式（Ｂ−１）や（Ｂ−５）で表される化合物の合成＞
以下、実施例で用いた一般式（Ｂ−１）や（Ｂ−５）で表される化合物の合成について説明する。
合成例８：化合物（Ｂ−５−９１）の合成
１，５−ジブロモ−２，４−ジフルオロベンゼン（３０．０ｇ）、フェノール（３１．２ｇ）、炭酸カリウム（４５．７ｇ）およびＮＭＰ（１５０ｍｌ）の入ったフラスコを１６０℃で加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却して、ＮＭＰを減圧留去した後、水およびトルエンを加え分液した。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルショートパスカラム（展開液：ヘプタン／トルエン＝１（容量比））で精製することで、（（４，６−ジブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ジベンゼン（４４．０ｇ）を得た。
窒素雰囲気下、（（４，６−ジブロモ−１，３−フェニレン）ビス（オキシ））ジベンゼン（４０．０ｇ）、フェニルボロン酸（３４．８ｇ）、炭酸ナトリウム（６０．６ｇ）、トルエン（５００ｍｌ）、イソプロパノール（１００ｍｌ）および水（１００ｍｌ）の懸濁溶液に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５．５ｇ）を加え、還流温度で８時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水およびトルエンを加え分液し、有機層の溶媒を減圧留去した。得られた固体を加熱したクロロベンゼンに溶解させ、シリカゲルショートパスカラム（展開液：トルエン）に通した。溶媒を適当量留去した後、ヘプタンを加えることで再沈殿させ、４’，６’−ジフェノキシ−１，１’：３’，１”−テルフェニル（４１．０ｇ）を得た。
４’，６’−ジフェノキシ−１，１’：３’，１”−テルフェニル（３０．０ｇ）およびオルトキシレン（３００ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、０℃で、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（２９．０ｍｌ）を加えた。滴下終了後、７０℃まで昇温して４時間撹拌し、さらに１００℃まで昇温してヘキサンを留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（８．４ｍｌ）を加え、室温で昇温して１時間撹拌した。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（２５．０ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃で４時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却して、有機物をトルエンで抽出した。得られたトルエン溶液に水を加え、分液し、溶媒を減圧留去した。得られた固体をクロロベンゼンに溶解させた後、適当量を減圧留去し、ヘプタンを加えることで再沈殿させた。さらにヘプタンを酢酸エチルに代えて同様に再沈殿させることで、式（Ｂ−５−９１）で表される化合物（４．２ｇ）を得た。
合成例９：化合物（Ｂ−５−１−１）の合成
Ｐ４Ｂｒ（３．９７ｇ、１０．２０ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、ビスピナコレートジボロン（３．１１ｇ、１．２ｅｑ．）、酢酸カリウム（３．００ｇ、３ｅｑ．）およびビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン錯体（０．２５ｇ、０．０３ｅｑ．）を２００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でシクロペンチルメチルエーテル（４０ｍＬ）を加え、１００℃で還流・撹拌した。３時間の後に、加熱をやめ、反応液を室温に戻した。トルエンで３回抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置した。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にトルエンを用いて活性炭カラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。透明オイルとして目的物「Ｐ４Ｂｐｉｎ」を得た（収量：４．３０ｇ、収率：９５．１％）。
窒素雰囲気下、１−ブロモ−２，４−ジフルオロベンゼン（２３．０ｇ）、フェノール（３３．６ｇ）、炭酸カリウム（４９．４ｇ）およびＮＭＰ（１５０ｍｌ）の溶液を、１７０℃に加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、トルエンおよび飽和塩化ナトリウム水溶液を加え分液し、溶媒を減圧留去する。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、４−ブロモ−１，３−フェノキシベンゼン「１３Ｐｘ４Ｂ」が得られる。
窒素雰囲気下、１３Ｐｘ４Ｂ（４．０ｇ）、Ｐ４Ｂｐｉｎ（５．１ｇ）、炭酸ナトリウム（３．７ｇ）、トルエン（３６ｍｌ）、イソプロパノール（９ｍｌ）および水（９ｍｌ）の懸濁溶液に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．４１ｇ）を加え、還流温度で撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水およびトルエンを加え分液し、有機層の溶媒を減圧留去する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じる。目的物を含むフラクションを減圧濃縮し、再沈殿させることで「１３Ｐｘ４Ｐ４」が得られる。
１３Ｐｘ４Ｐ４（５．０ｇ、８．８ｍｍｏｌ）およびオルトキシレン（５０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、０℃で、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（５．１ｍｌ、１．５ｅｑ．）を加える。滴下終了後、７０℃まで昇温して撹拌し、さらに１００℃まで昇温してヘキサンを留去する。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１．４ｍｌ、１．７ｅｑ．）を加え、室温で昇温して撹拌する。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１．０ｍｌ、３．０ｅｑ．）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃で加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却して、有機物をトルエンで抽出する。得られたトルエン溶液に水を加え、分液し、溶媒を減圧留去した。得られた目的物を含む混合物を減圧濃縮する。再沈殿を行い精製することで、式（Ｂ−５−１−１）で表される化合物が得られる。
合成例１０：化合物（Ｂ−５−１−２）の合成
３−ブロモフェノール（８．０ｇ、４６．２ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、Ｐ４Ｂｐｉｎ（２０．０ｇ、１．０ｅｑ．）、炭酸ナトリウム（１４．７ｇ、３．０ｅｑ．）、および、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．６ｇ、０．０３ｅｑ．）を５００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１２０ｍＬ）、エタノール（３０ｍＬ）および水（３０ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮することで、目的物「Ｐ５ｍＯＨ」が得られる。
窒素雰囲気下、１−ブロモ−３−フルオロベンゼン（５０．０ｇ、０．２９ｍｏｌ）、フェノール（３０．０ｇ、１．１ｅｑ．）および炭酸カリウム（７９．０ｇ、２．０ｅｑ．）のＮＭＰ（３００ｍｌ）溶液に、窒素雰囲気下でヨウ化銅（Ｉ）（１．６ｇ、０．０３ｅｑ．）および鉄（III）アセチルアセトナート（６．１ｇ、０．０６ｅｑ．）を加え、１５０℃まで昇温して４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、酢酸エチルおよびアンモニア水を加えることで析出した塩を、セライトを敷いた桐山ロートを用いた吸引ろ過にて除去した。ろ液を分液し、有機層の溶媒を減圧留去した後、シリカゲルショートパスカラム（展開液：トルエン／ヘプタン＝２／８（容量比））で精製して、１−フルオロ−３−フェノキシベンゼン「１Ｆ３Ｐｘ」を得た（４１．０ｇ、３６．０％）。
１Ｆ３Ｐｘ（２．６ｇ、１５ｍｍｏｌ）、Ｐ５ｍＯＨ（１２．０ｇ、２ｅｑ．）、炭酸セシウム（１０．０ｇ、２ｅｑ．）およびＮＭＰ（３０ｍｌ）の入ったフラスコを、窒素雰囲気下２００℃で加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、ＮＭＰを減圧留去した後、水および酢酸エチルを加えて分液する。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、目的物「１Ｐｘ３Ｐ５」が得られる。
１Ｐｘ３Ｐ５（１．８ｇ、３．２ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）およびキシレン（１０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、０℃で、１．０Ｍのｓｅｃ−ブチルリチウムシクロヘキサン溶液（５．０ｍｌ、１．５ｅｑ．）を加える。滴下終了後、７０℃まで昇温して撹拌する。反応終了後、キシレンより低沸点の成分を減圧留去する。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（０．５ｍｌ）を加え、室温で昇温して０．５時間撹拌する。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（２ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して加熱撹拌する。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液次いで酢酸エチルを加え、目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する。さらに再結晶を行い精製することで、式（Ｂ−５−１−２）で表される化合物が得られる。
合成例１１：化合物（Ｂ−５−１−３）の合成
１Ｆ３Ｐｘ（１０ｇ、５３ｍｍｏｌ）、３−ブロモフェノール（９．２ｇ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（１５ｇ、２ｅｑ．）およびＮＭＰ（５０ｍｌ）の入ったフラスコを、窒素雰囲気下２００℃で２時間加熱撹拌した。反応停止後、反応液を室温まで冷却し、ＮＭＰを減圧留去した後、水およびトルエンを加えて分液した。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘプタン／トルエン＝７／３（容量比））で精製した。さらに酢酸エチルに溶解させた後、ヘプタンを加えることで再沈殿させ、４’，６’−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イルオキシ）−５’−ブロモ−１，１’：３’，１”−テルフェニル「１Ｐｘ３ＰＢｒ」を得た（１３．１ｇ、７２％）。
１Ｐｘ３ＰＢｒ（１０ｇ、３０ｍｍｏｌ）、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド（０．１６ｇ）、およびシクロペンチルメチルエーテル（４０ｍＬ）をフラスコに入れて、窒素雰囲気下、氷水で冷却し、内温が２５℃を超えないように１ｍｏｌ／Ｌのドデシルマグネシウムブロミド ジエチルエーテル溶液（４０ｍＬ、１．４ｅｑ．）をゆっくりと滴下する。次いで室温まで昇温後、室温で撹拌する。反応終了後、再び氷水で冷却し、水をゆっくり滴下して反応を停止させる。次いで１Ｎ塩酸で中和後、分液する。目的物を含む混合物を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い精製することで、「１Ｐｘ３ＰＣ１２」が得られる。
１Ｐｘ３ＰＣ１２（１０ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）およびキシレン（５０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、０℃で、１．０Ｍのｓｅｃ−ブチルリチウムシクロヘキサン溶液（３５ｍｌ、１．５ｅｑ．）を加える。滴下終了後、７０℃まで昇温して撹拌する。反応終了後、キシレンより低沸点の成分を減圧留去する。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（４．０ｍｌ、１．７ｅｑ．）を加え、室温で昇温して０．５時間撹拌する。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（１２ｍｌ、３ｅｑ．）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して加熱撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液次いで酢酸エチルを加え、分液する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する。さらに再結晶を行い精製することで、式（Ｂ−５−１−３）で表される化合物が得られる。
合成例１２：化合物（Ｂ−１−５）の合成
１，４−ジヒドロキシナフタレン（５．００ｇ、３１．２ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）をピリジン（８０ｍＬ）に溶解させ、氷冷下でトリフルオロメチルスルホン酸無水物（１２．６ｍＬ、７４．９ｍｍｏｌ、２．４ｅｑ．）をゆっくりと滴下する。氷冷下での１時間の撹拌の後、室温で撹拌した。反応終了後、水を加え、トルエンで抽出し、まとめたトルエン層は無水硫酸ナトリウムで脱水する。硫酸ナトリウムを瀘去した後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを通じる。目的物を含むフラクションを回収し、濃縮することで、目的物「１４ＮｐＯＴｆ２」が得られる。
９ＰＡ１０ＢＡ（３．００ｇ、１０．１ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、１４ＮｐＯＴｆ２（４．２６ｇ、１０．１ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（４．１７ｇ、３０．２ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．３５ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（２４ｍＬ）、エタノール（６ｍＬ）および水（６ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。目的物「ＰＡ４ＯＴｆ」が得られる。
ＰＡ４ＯＴｆ（２．００ｇ、３．８ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、フェニルボロン酸（０．４６ｇ、１．０ｅｑ．）、リン酸カリウム（２．４１ｇ、３．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１２ｍＬ）、エタノール（３ｍＬ）および水（３ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を再結晶する。得られた目的物を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下、昇華精製することで、式（Ｂ−１−５）で表される化合物が得られる。
合成例１３：化合物（Ｂ−１−５−１）の合成
１−ブロモ−４−ドデシルベンゼン（５．０ｇ、１５．４ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、ビスピナコレートジボロン（４．７ｇ、１．２ｅｑ．）、酢酸カリウム（４．５ｇ、３ｅｑ．）およびビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン錯体（０．３８ｇ、０．０３ｅｑ．）を２００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でシクロペンチルメチルエーテル ５０ｍＬを加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物を活性炭カラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮することで、目的物「ＰＣ１２Ｂｐｉｎ」が得られる。
ＰＡ４ＯＴｆ（２．００ｇ、３．７９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、４−ドデシルフェニルボロン酸「ＰＣ１２Ｂｐｉｎ」（１．４１ｇ、１．０ｅｑ．）、リン酸カリウム（２．４１ｇ、３．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１２ｍＬ）、エタノール（３ｍＬ）および水（３ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を再結晶で精製する。得られた目的物を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下で昇華精製し、式（Ｂ−１−５−１）で表される化合物が得られる。
合成例１４：化合物（Ｂ−１−５−２）の合成
ＰＡ４ＯＴｆ（２．００ｇ、３．７９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、Ｐ４Ｂｐｉｎ（１．６４ｇ、３．７９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、リン酸カリウム（２．４１ｇ、３．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１２ｍＬ）、エタノール（３ｍＬ）および水（３ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻する。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を再結晶で精製する。得られた目的物を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下、昇華精製することで、式（Ｂ−１−５−２）で表される化合物が得られる。
合成例１５：化合物（Ｂ−１−１０１−１）の合成
９ＡＡ１０ＢＡ（２５ｇ、７２ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、２，６−ジブロモナフタレン（２０．５ｇ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（３０ｇ、３．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．５ｇ、０．０３ｅｑ．）を１０００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（２４ｍＬ）、エタノール（６ｍＬ）および水（６ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮することで、目的物「ＡＢ６Ｂｒ」が得られる。
Ｐ４Ｂｐｉｎ（２．５ｇ、１．０ｅｑ．）、ＡＢ６Ｂｒ（３．０ｇ、５．９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、リン酸カリウム（３．８ｇ、３．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２０ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１６ｍＬ）、エタノール（４ｍＬ）および水（４ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を再結晶で精製する。得られた目的物を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下で昇華精製を行い、式（Ｂ−１−１０１−１）で表される化合物が得られる。
合成例１６：化合物（Ｂ−１−１０１−２）の合成
９ＡＡ１０ＢＡ（２５ｇ、７２ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、２，７−ジブロモナフタレン（２０．５ｇ、１ｅｑ．）、炭酸カリウム（３０ｇ、３ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．５ｇ、０．０３ｅｑ．）を１０００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１６０ｍＬ）、エタノール（４０ｍＬ）および水（４０ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮することで、目的物「ＡＢ７Ｂｒ」が得られる。
Ｐ４Ｂｐｉｎ（３．０ｇ、５．９ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）、ＡＢ７Ｂｒ（２．５１ｇ、１ｅｑ）、リン酸カリウム（２．０１ｇ、３ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２０ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を行う。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１６ｍＬ）、エタノール（４ｍＬ）および水（４ｍＬ）を加え、還流・撹拌する。反応終了後、加熱をやめ、反応液を室温に戻す。トルエンで抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置する。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を含む混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮する。得られた目的物を再結晶で精製する。得られた目的物を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下で昇華精製を行い、式（Ｂ−１−１０１−２）で表される化合物が得られる。
合成例１７：化合物（Ｂ−５−４９）の合成
窒素雰囲気下、１，３−ジブロモ−５−フルオロベンゼン（５０．０ｇ）、カルバゾール（３９．５ｇ）、炭酸セシウム（９６．２ｇ）およびＤＭＳＯ（５００ｍｌ）の入ったフラスコを１５０℃に加熱して１０時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水を加えて析出した沈殿を吸引ろ過にて採取した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝１／１０（容量比））で精製した後、トルエン／ヘプタン混合溶媒から再結晶させることで、９−（３，５−ジブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（４９．０ｇ）を得た。
フェノール（２１．１ｇ）、９−（３，５−ジブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（３０．０ｇ）および炭酸カリウム（４１．３ｇ）のＮＭＰ（２４０ｍｌ）溶液に、窒素雰囲気下でヨウ化銅（Ｉ）（０．７１ｇ）および鉄（III）アセチルアセトナート（２．６ｇ）を加え、１５０℃まで昇温して６時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、トルエンを加え、セライトを敷いた桐山ロートを用いて吸引ろ過した。ろ液に飽和塩化ナトリウムして分液した後、有機層を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝２／１（容量比））で精製することで、９−（３，５−ジフェノキシフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（２７．３ｇ）を得た。
９−（３，５−ジフェノキシフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（１０．０ｇ）およびキシレン（１００ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、０℃で、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１６．１ｍｌ）を加えた。滴下終了後、７０℃まで昇温して４時間撹拌し、さらに１００℃まで昇温してヘキサンを留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（２．７ｍｌ）を加え、室温で昇温して１時間撹拌した。その後、再び０℃まで冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（８．１ｍｌ）を加え、発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃で８時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、酢酸ナトリウム水溶液およびトルエンを加えて分液した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンから再結晶させることで、式（Ｂ−５−４９）で表される化合物（１．７ｇ）を得た。
ＮＭＲ測定により得られた化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝８．７５（ｄ，２Ｈ）、８．１８（ｄ，２Ｈ）、７．７５（ｔ，２Ｈ）、７．７１（ｄ，２Ｈ）、７．５８（ｄ，２Ｈ）、７．５０（ｓ，２Ｈ）、７．４２−７．４９（ｍ，４Ｈ）、７．３５（ｔ，２Ｈ）．
合成例１８：化合物（１−２６７６）の合成
窒素雰囲気下、［１，１’−ビフェニル］−３−アミン（１９．０ｇ）、３−ブロモ−１，１’−ビフェニル（２５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．８ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（１５．５ｇ）およびキシレン（２００ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝５／５（容量比））で精製した。溶媒を減圧留去して得られた固体をヘプタンで洗浄し、ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）アミン（３０．０ｇ）を得た。
窒素雰囲気下、Ｎ１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１５．０ｇ）、ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）アミン（１０．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（４．５ｇ）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝５／５（容量比））で精製した。目的物を含むフラクションを減圧留去することで再沈殿させ、Ｎ１，Ｎ１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−２−クロロ−Ｎ３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２０．３ｇ）を得た。
Ｎ１，Ｎ１−ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−２−クロロ−Ｎ３−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ３−フェニルベンゼン−１，３−ジアミン（２０．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（１５０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．６Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３２．６ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して２時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（５．０ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（９．０ｍｌ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して１．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝５／５（容量比））で精製した。更に、トルエン／ヘプタン混合溶媒、クロロベンゼン／酢酸エチル混合溶媒で再沈殿させることで、式（１−２６７６）で表される化合物（５．０ｇ）を得た。
合成例１９：化合物（１−２６２６）の合成
窒素雰囲気下、Ｎ１−（２，３−ジクロロフェニル）−Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１５．０ｇ）、ジ−ｐ−トリルアミン（６．１ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（４．５ｇ）およびキシレン（７０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝４／６（容量比））で精製した。目的物を含むフラクションを減圧留去することで再沈殿させ、２−クロロ−Ｎ１−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ１−フェニル−Ｎ３，Ｎ３−ジ−ｐ−トリルベンゼン−１，３−ジアミン（１５.０ｇ）を得た。
２−クロロ−Ｎ１−（３−（ジフェニルアミノ）フェニル）−Ｎ１−フェニル−Ｎ３，Ｎ３−ジ−ｐ−トリルベンゼン−１，３−ジアミン（１５．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（１００ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．６Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（２９．２ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して２時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（４．４ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（８．１ｍｌ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝４／６（容量比））で精製した。更に加熱したヘプタンで洗浄後、トルエン／酢酸エチル混合溶媒で再沈殿させることで、式（１−２６２６）で表される化合物（２．０ｇ）を得た。
合成例２０：化合物（１−２６２２）の合成
窒素雰囲気下、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（１２．０ｇ）、ビス（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）アミン（１０．２ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．３ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（５．５ｇ）およびキシレン（９０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。次いで、シリカゲルカラム（展開液：トルエン／ヘプタン＝３／７（容量比））で精製し、Ｎ１，Ｎ１−ビス（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−２−クロロ−Ｎ３，Ｎ３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１６．７ｇ）を得た。
Ｎ１，Ｎ１−ビス（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−２−クロロ−Ｎ３，Ｎ３−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１３．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（８０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．６Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（２９．１ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して２時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１１．６ｍｌ）を加え、室温まで昇温して０．５時間撹拌した。その後、再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（６．０ｇ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１００℃まで昇温して２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。減圧濃縮し、得られた固体をヘプタンで洗浄した。クロロベンゼン／ヘプタン混合溶媒で再沈殿し、次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン＝５／５（容量比））で精製した。更にクロロベンゼン／ヘプタン混合溶媒で再沈殿させることで、式（１−２６２２）で表される化合物（５．０ｇ）を得た。
合成例２０：化合物（１−２６９０）の合成
窒素雰囲気下、５’−ブロモ−１，１’，３’，１”−ターフェニル（１５．０ｇ）、アニリン（５．４ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．３ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（７．０ｇ）およびキシレン（８０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。有機層を減圧濃縮した。次いで、シリカゲルショートパスカラム（展開液：トルエン／ヘプタン＝５／５（容量比））で精製し、Ｎ−フェニル−［１，１’，３’，１”−ターフェニル］−５’−アミン（１５．０ｇ）を得た。
窒素雰囲気下、２，３−ジクロロ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（１２．０ｇ）、Ｎ−フェニル−［１，１’，３’，１”−ターフェニル］−５’−アミン（１５．０ｇ）、Ｐｄ−１３２（０．２５ｇ）、ＮａＯｔＢｕ（５．１ｇ）およびキシレン（８０ｍｌ）の入ったフラスコを１２０℃で１時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水および酢酸エチルを加えて分液した。有機層を減圧濃縮した。次いで、シリカゲルカラム（展開液：トルエン／ヘプタン（容量比）＝３／７から５／５へ徐々に変化）で精製し、Ｎ１−（［１，１’，３’，１”−ターフェニル］−５’−イル）−２−クロロ−Ｎ１、Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１８．０ｇ）を得た。
Ｎ１−（［１，１’，３’，１”−ターフェニル］−５’−イル）−２−クロロ−Ｎ１、Ｎ３，Ｎ３−トリフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（１８．０ｇ）およびｔ−ブチルベンゼン（８０ｍｌ）の入ったフラスコに、窒素雰囲気下、氷浴で冷却しながら、１．７Ｍのｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（３５．５ｍｌ）を加えた。滴下終了後、６０℃まで昇温して０．５時間撹拌した後、ｔ−ブチルベンゼンより低沸点の成分を減圧留去した。−５０℃まで冷却して三臭化ホウ素（１５．０ｇ）を加え、室温まで昇温した。再び氷浴で冷却してＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（７．８ｇ）を加えた。発熱が収まるまで室温で撹拌した後、１２０℃まで昇温して１．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却し、氷浴で冷やした酢酸ナトリウム水溶液、次いで酢酸エチルを加えて分液した。減圧濃縮し、得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン／ヘプタン（容量比）＝４／６から５／５へ徐々に変化）で精製した。これを濃縮し、酢酸エチルを加え沈殿を析出させ、ヘプタンを加えろ過した。これを濃縮し、トルエンに溶解させ、トルエン／酢酸エチル／ヘプタン混合溶媒で２回再沈殿させ、析出した固体をヘプタンで洗浄し、１６０℃で加熱真空乾燥した。更に昇華精製を行うことで、式（１−２６９０）で表される化合物（８．７ｇ）を得た。
合成例２１：化合物（Ｂ−１−１０２−７２）の合成
７−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ナフタレン−２−イルトリフルオロメタンスルホネート（２．５１ｇ、１．０ｅｑ）、Ｐ４Ｂｐｉｎ（２．１１ｇ、４．７４ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、リン酸カリウム（２．０１ｇ、２．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を５回行った。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１６ｍＬ）、エタノール（４ｍＬ）および水（４ｍＬ）を加え、７４℃で還流・撹拌した。３時間の後に、加熱をやめ、反応液を室温に戻した。トルエンで３回抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置した。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にトルエンを用いてシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にヘプタン−トルエン（３：１（容量比））を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られた透明オイルを良溶媒にトルエン、貧溶媒にメタノール、または、ヘプタンを用いて再結晶を行い、白色粉末を回収した。得られた粉末を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下、３４０℃で昇華精製することで、黄緑色ガラス状固体としての式（Ｂ−１−１０２−７２）で表される化合物を得た（収量：１．２０ｇ、収率：３７．０％、純度：９９．９％以上（ＨＰＬＣ））。
合成例２２：化合物（Ｂ−１−１０２−６２）の合成
６−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ナフタレン−２−イルトリフルオロメタンスルホネート（２．６４ｇ、１．０ｅｑ）、Ｐ４Ｂｐｉｎ（２．２０ｇ、４．９６ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ．）、リン酸カリウム（２．１１ｇ、２．０ｅｑ．）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１７ｇ、０．０３ｅｑ．）を１００ｍＬ三口丸底フラスコに量り取り、減圧脱気／Ａｒ置換を５回行った。十分に減圧脱気および窒素置換を行った後、窒素雰囲気下でトルエン（１６ｍＬ）、エタノール（４ｍＬ）および水（４ｍＬ）を加え、７２℃で還流・撹拌した。３時間の後に、加熱をやめ、反応液を室温に戻した。トルエンで３回抽出を行った後、有機溶媒層をまとめ、無水硫酸ナトリウムを加え、しばらく放置した。硫酸ナトリウムを濾去し、溶液を減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にトルエンを用いてシリカゲルショートカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られたオイルを溶離液にヘプタン−トルエン（３：１（容量比））を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通じ、目的物を含むフラクションを回収・減圧濃縮した。得られた粉末を２×１０−４Ｐａ以下の減圧下、３４０℃で昇華精製することで、黄緑色ガラス状固体としての式（Ｂ−１−１０２−６２）で表される化合物を得た（収量：１．２６ｇ、収率：３７．０％、純度：９９．９％以上（ＨＰＬＣ））。
＜発光層形成用組成物の調製（１）＞
実施例１〜１５に係る発光層形成用組成物を調製した。組成物の調製に用いた化合物を以下に示す。
＜実施例１＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−１１５２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
調製した発光層形成用組成物をガラス基板にスピンコートすることによって得られた塗布膜は、膜欠陥がなく塗布製膜性が優れていた。また、塗布膜の蛍光スペクトル（日立蛍光分光光度計Ｆ−７０００、励起波長３６０ｎｍ）を測定したところ、ピーク波長４６７ｎｍおよび半値全幅（ＦＷＨＭ）２８ｎｍの深い青色発光が見られた。また、石英基板上に作製した塗布膜を用いて蛍光量子収率の測定を行ったところ、高い蛍光量子収率が得られた。
＜実施例２＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１５２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−２） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例３＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１６０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−２） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例４＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１６０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０１−１） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例５＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１６０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０１−２） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例６＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１５２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−５−９１） ０．９５ 重量％
アニソール ５０．００ 重量％
デカリン ４９．００ 重量％
＜実施例７＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１６０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−５−１−１） ０．９５ 重量％
アニソール ５０．００ 重量％
デカリン ４９．００ 重量％
＜実施例８＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１６０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−５−１−２） ０．９５ 重量％
アニソール ５０．００ 重量％
デカリン ４９．００ 重量％
＜実施例９＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１１６０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−５−１−３） ０．９５ 重量％
アニソール ５０．００ 重量％
デカリン ４９．００ 重量％
＜実施例１０＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−４２２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９５ 重量％
オルトジクロロベンゼン ９９．００ 重量％
＜実施例１１＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−４２２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−２） ０．９５ 重量％
オルトジクロロベンゼン ９９．００ 重量％
＜実施例１２＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−２６７９） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−２） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例１３＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１２１０−１） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−２） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例１４＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１２１０−２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−２） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜実施例１５＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製できる。
化合物（１−１２１０−２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５−１） ０．９５ 重量％
トルエン ７０．００ 重量％
デカリン ２９．００ 重量％
＜塗布製膜性の評価＞
発光層形成用組成物を４×４ｃｍのガラス基板にスピンコート法により塗布製膜し、膜欠陥の程度を評価する。製膜後に基板上に膜が形成されないもの、および、塗膜にピンホールがあるものを「不良」、ピンホールが無いものを「良」とする。
本発明の発光層形成用組成物は塗布製膜性が優れている。また、一般式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数１〜２４のアルキルで置換された、一般式（Ａ）で表される化合物および一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物を含む発光層形成用組成物は、これらで置換されていない化合物と比較して優れた塗布製膜性を与える。さらに、ホスト化合物およびドーパント化合物が、共に、一般式（ＦＧ−１）で表される基、式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数１〜２４のアルキルで置換されている場合、ホスト化合物およびドーパント化合物のどちらかのみがこれらで置換されている場合と比較してより高い蛍光量子収率が得られる。
＜面内配向性の評価＞
蒸着膜または塗布膜におけるホスト化合物の面内配向性は、エリプソメーターによって屈折率および消衰係数の異方性を評価することによって算出できる（Daisuke Yokoyama, Akio Sakaguchi, Michio Suzuki, Chihaya Adachi, Applied Physics Letters, 96, 073302 (2010)、Daisuke Yokoyama, Journal of Materials Chemistry, 21, 19187-19202 (2011)）。さらに、蒸着膜または塗布膜における発光性化合物の面内配向性は、発光性化合物のＰ偏光の発光強度の角度依存性を測定し、その測定結果とシミュレーション結果を比較することによって算出できる（Jorg Frischeisen, Daisuke Yokoyama, Chihaya Adachi, Wolfgang Brutting, Applied Physics Letters, 96, 073302 (2010)）。
＜有機ＥＬ素子の作製と評価＞
実施例１６に架橋性正孔輸送材料を用いた有機ＥＬ素子の作製方法を、実施例１７に直交溶媒系を用いた有機ＥＬ素子の作製方法を示した。作製する有機ＥＬ素子における、各層の材料構成を表１に示す。
表１における、「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」、「ＯＴＰＤ」、「ＰＣｚ」、「ＥＴ１」の構造を以下に示す。
＜ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液＞
市販のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液（Ｃｌｅｖｉｏｓ（ＴＭ） Ｐ ＶＰ ＡＩ４０８３、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの水分散液、Ｈｅｒａｅｕｓ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ社製）を用いる。
＜ＯＴＰＤ溶液の調製＞
ＯＴＰＤ（ＬＴ−Ｎ１５９、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ社製）およびＩＫ−２（光カチオン重合開始剤、サンアプロ社製）をトルエンに溶解させ、ＯＴＰＤ濃度０．７ｗｔ％、ＩＫ−２濃度０．００７ｗｔ％のＯＴＰＤ溶液を調製する。
＜ＰＣｚ溶液の調製＞
ＰＣｚ（ポリビニルカルバゾール）をジクロロベンゼンに溶解させ、０．７ｗｔ％ＰＣｚ溶液を調製した。
＜実施例１６＞
ＩＴＯが１５０ｎｍの厚さに蒸着されたガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液をスピンコートし、２００℃のホットプレート上で１時間焼成し、膜厚４０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜を成膜する（正孔注入層）。次いで、ＯＴＰＤ溶液をスピンコートし、８０℃のホットプレート上で１０分間乾燥する。露光機で露光強度１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、１００℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚３０ｎｍの溶液に不溶なＯＴＰＤ膜を成膜する（正孔輸送層）。次いで、実施例３で調製した発光層形成用組成物をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚２０ｎｍの発光層を成膜する。
作製した多層膜を市販の蒸着装置（昭和真空（株）製）の基板ホルダーに固定し、ＥＴ１を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＬｉＦを入れたモリブデン製蒸着用ボート、アルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着する。真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＥＴ１が入った蒸着用ボートを加熱して膜厚３０ｎｍになるように蒸着して電子輸送層を形成する。電子輸送層を形成する際の蒸着速度は１ｎｍ／秒とする。その後、ＬｉＦが入った蒸着用ボートを加熱して膜厚１ｎｍになるように０．０１〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着する。次いで、アルミニウムの入ったボートを加熱して膜厚１００ｎｍになるように蒸着して陰極を形成する。このようにして有機ＥＬ素子を得る。
＜実施例１７＞
ＩＴＯが１５０ｎｍの厚さに蒸着されたガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液をスピンコートし、２００℃のホットプレート上で１時間焼成し、膜厚４０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ膜を成膜する（正孔注入層）。次いで、ＰＣｚ溶液をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚３０ｎｍのＰＣｚ膜を成膜する（正孔輸送層）。次いで、実施例３で調製した発光層形成用組成物をスピンコートし、１２０℃のホットプレート上で１時間焼成することで、膜厚２０ｎｍの発光層を成膜する。次に、電子輸送層および陰極を実施例１６と同様の方法で蒸着し、有機ＥＬ素子を得る。
＜発光層形成用組成物の調製（２）＞
実施例１８〜３８および比較例１に係る発光層形成用組成物を調製した。組成物の調製に用いた化合物を以下に示す。
＜実施例１８＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−１１５２） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９５ 重量％
トルエン ６９．７０ 重量％
テトラヒドロナフタレン ２９．３０ 重量％
＜実施例１９＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−１１５２） ０．０３ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９７ 重量％
トルエン ６９．７０ 重量％
テトラヒドロナフタレン ２９．３０ 重量％
＜実施例２０＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−１１５２） ０．０１ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９９ 重量％
トルエン ６９．７０ 重量％
テトラヒドロナフタレン ２９．３０ 重量％
＜実施例２１＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６７９） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９５ 重量％
トルエン ６９．７０ 重量％
テトラヒドロナフタレン ２９．３０ 重量％
＜実施例２２＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６７９） ０．０５ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） ０．９５ 重量％
ｏ−キシレン ４９．５０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ４９．５０ 重量％
＜実施例２３＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６８０） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例２４＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６８０） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−７２） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例２５＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６７６） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例２６＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６７６） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
ｏ−キシレン ４９．００ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ４９．００ 重量％
＜実施例２７＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２６） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例２８＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２６） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
ｏ−キシレン ４９．００ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ４９．００ 重量％
＜実施例２９＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３０＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
ｏ−キシレン ４９．００ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ４９．００ 重量％
＜実施例３１＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−７２） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３２＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．０６ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−７２） １．９４ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３３＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．０２ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−７２） １．９８ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３４＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−７２） １．９０ 重量％
ｏ−キシレン ４９．００ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ４９．００ 重量％
＜実施例３５＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．１０ 重量％
ポリビニルカルバゾール ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．８０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３６＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６２２） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−６２） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３７＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６９０） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−７２） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜実施例３８＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（１−２６９０） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−１０２−６２） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜比較例１＞
下記成分を均一な溶液になるまで撹拌することで発光層形成用組成物を調製した。
化合物（ＢＤ−Ｒ１） ０．１０ 重量％
化合物（Ｂ−１−５） １．９０ 重量％
シクロヘキシルベンゼン ２９．４０ 重量％
３−フェノキシトルエン ６８．６０ 重量％
＜塗布製膜性の評価＞
実施例１８〜３８および比較例１に係る発光層形成用組成物をそれぞれ４×４ｃｍのガラス基板にスピンコート法により塗布製膜し、膜欠陥の程度を評価した。製膜後に基板上に膜が形成されないもの、および、目視検査において塗膜にピンホールが確認できるものを「×」、目視検査においてピンホールが確認できないものを「○」とした。さらに、「○」だった塗布膜について、ＵＶランプを用いて塗布膜を発光させたうえで目視検査を行い、基板端部以外に発光のムラが観察されないものを「◎」とした。結果を表３に示す。
＜発光特性の評価＞
実施例１８〜３８および比較例１に係る発光層形成用組成物をスピンコート法によりそれぞれガラス（ＥａｇｌｅＸＧ）基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ）上に薄膜を形成し、基板中央部の塗布膜の蛍光スペクトル（日立蛍光分光光度計Ｆ−７０００、励起波長３６０ｎｍ）を測定して、極大発光波長（ｎｍ）と半値幅（ｎｍ）を求めた。なお、スペクトルの半値幅は、極大発光波長に対して、強度が５０％になる上下の波長間の幅として求められる。また、中央部を切り出した塗布膜付きのガラス基板（１０ｘ１０ｍｍ）を用い、ガラス（ＥａｇｌｅＸＧ）基板（１０ｘ１０ｍｍ）を参照として、蛍光量子収率測定装置（浜松ホトニクス）により発光量子収率を測定した。
なお、表２中の「ＰＢＣ」はポリビニルカルバゾール、「ＴＬ」はトルエン、「ＴＨＮ」はテトラヒドロナフタレン、「ＣＨＢ」はシクロヘキシルベンゼン、「ＰＴ」は３−フェノキシトルエン、「ＸＹ」はｏ−キシレンである。また、固形分濃度の単位は重量％であり、ドーパントの濃度（重量％）は固形分中の濃度であり、発光量子収率は比較例１を基準としたときの数値である。
本発明の多環芳香族化合物は、優れた溶解性、成膜性、湿式塗布性、熱安定性および面内配向性を有するため、湿式成膜法で良好な成膜性を有する発光層形成用組成物を提供することができる。さらに、この多環芳香族化合物を含む組成物を用いることで優れた有機ＥＬ素子を提供することができる。
１００ 有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）
１０１ 基板
１０２ 陽極
１０３ 正孔注入層
１０４ 正孔輸送層
１０５ 発光層
１０６ 電子輸送層
１０７ 電子注入層
１０８ 陰極
１１０ 基板
１２０ 電極
１３０ 塗膜
１４０ 塗膜
１５０ 発光層
２００ バンク
３００ インクジェットヘッド
３１０ インクの液滴

Claims (32)

  1. 有機電界発光素子の発光層を塗布形成するための発光層形成用組成物であって、
    第１成分として、下記一般式（Ａ）で表される多環芳香族化合物、および下記一般式（Ａ）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、
    第２成分として、下記一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種と、
    第３成分として、少なくとも１種の有機溶媒と、
    を含む発光層形成用組成物。
    （上記式（Ａ）において、
    Ａ環、Ｂ環およびＣ環は、それぞれ独立して、アリール環またはヘテロアリール環であり、これらの環における少なくとも１つの水素は置換されていてもよく、
    Ｙ１は、Ｂであり、
    Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリールまたはアルキルであり、また、前記Ｎ−ＲのＲは連結基または単結合により前記Ａ環、Ｂ環および／またはＣ環と結合していてもよく、そして、
    上記式（Ａ）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、当該アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、当該アルキルにおける上記式（Ａ）で表される化合物または構造に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、当該アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。）
    （上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）において、
    Ａｒは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    Ａｒのうちの隣接する基同士が結合して、それぞれアントラセン環、ピレン環、フルオレン環またはカルバゾール環の母骨格と共に、アリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、
    ｎは１〜最大置換可能な整数である。）
    （上記式（Ｂ−５）において、
    Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよい。）
    （上記式（Ｂ−６）において、
    ＭＵは、それぞれ独立して、上記一般式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基からなる群から選択される少なくとも１つであり、ＭＵ中の２つの水素がＥＣまたはＭＵと置換され、
    ＥＣは、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    ｋは２〜５００００の整数である。）
    （また、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物、上記式（Ｂ−６）中の上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基または上記式（Ｂ−６）中のＥＣにおける少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、
    さらに、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、前記アルキルにおける上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）で表される化合物、上記式（Ｂ−６）中の上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基または上記式（Ｂ−６）中のＥＣに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。）
    （上記式（ＦＧ−１）において、
    Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、
    隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
    ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、
    ｎは０〜５の整数であり、
    ｐは１〜５の整数である。）
    （上記式（ＦＧ−２）において、
    Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、前記アリールにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、
    隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
    ｍは０〜４の整数であり、
    ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数である。）
  2. 第１成分として、下記一般式（Ａ’）で表される多環芳香族化合物、および下記一般式（Ａ’）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の発光層形成用組成物。
    （上記式（Ａ’）において、
    Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    Ｙ１は、Ｂであり、
    Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲはアリールまたはアルキルであり、また、前記Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−または単結合によりｂ環および／またはｃ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−のＲは炭素数１〜２４のアルキルであり、そして、
    上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよく、さらに、当該アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、当該アルキルにおける上記式（Ａ’）で表される化合物または構造に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、当該アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよい。）
  3. Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    Ｙ１は、Ｂであり、
    Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲは炭素数６〜１８のアリールまたは炭素数１〜１２のアルキルであり、そして、
    上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい、
    請求項２に記載の発光層形成用組成物。
  4. 前記多環芳香族多量体化合物は、上記式（Ａ）で表される構造または上記式（Ａ’）で表される構造を２個または３個有する２量体化合物または３量体化合物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  5. 前記多環芳香族多量体化合物は、上記式（Ａ）で表される構造または上記式（Ａ’）で表される構造を２個有する２量体化合物である、請求項４に記載の発光層形成用組成物。
  6. 上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）において、
    Ａｒは、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    Ａｒのうちの隣接する基同士が結合して、それぞれアントラセン環、ピレン環、フルオレン環またはカルバゾール環の母骨格と共に、炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    ｎは１〜８の整数であり、
    上記式（Ｂ−５）において、
    Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共に炭素数９〜１６のアリール環または炭素数６〜１５のヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    上記式（Ｂ−６）において、
    ＭＵは、それぞれ独立して、上記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基からなる群から選択される少なくとも１つであり、ＭＵ中の２つの水素がＥＣまたはＭＵと置換され、
    ＥＣは、それぞれ独立して、水素、炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）であり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらに炭素数６〜３０のアリール、炭素数２〜３０のヘテロアリールまたはジアリールアミノ（ただしアリールは炭素数６〜１２のアリール）で置換されていてもよく、
    ｋは１００〜４００００の整数であり、
    また、上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物、上記式（Ｂ−６）中の上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）で表される化合物の２価の基または上記式（Ｂ−６）中のＥＣにおける少なくとも１つの水素は、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基、炭素数１〜２４のアルキル、ハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい、
    請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  7. 第１成分または第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  8. 第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  9. 第２成分が、上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  10. 第２成分が、上記式（Ｂ−１）で表される化合物および上記式（Ｂ−５）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  11. 第２成分が、上記式（Ｂ−５）で表される化合物を含有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  12. 上記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）におけるＡｒ、上記式（Ｂ−５）におけるＲ１〜Ｒ１１、および上記式（Ｂ−６）におけるＥＣは、それぞれ独立して、水素、および下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基からなる群から選ばれるものであり、
    下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基は＊において上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）と結合する、
    請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  13. 上記式（Ｂ−５）で表される化合物が、下記式（Ｂ−５−１−ｚ）、式（Ｂ−５−４９−ｚ）、式（Ｂ−５−９１−ｚ）、式（Ｂ−５−１００−ｚ）、式（Ｂ−５−１５２−ｚ）、式（Ｂ−５−１７６−ｚ）、式（Ｂ−５−１０４８−ｚ）、式（Ｂ−５−１０４９−ｚ）、式（Ｂ−５−１０５０−ｚ）、式（Ｂ−５−１０６９−ｚ）、式（Ｂ−５−１１０１−ｚ）、式（Ｂ−５−１１０２−ｚ）または式（Ｂ−５−１１０３−ｚ）で表される化合物である、
    請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
    （上記式中のｚは、水素、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルであり、すべてのｚが水素になることはない。）
  14. 第２成分が、上記式（Ｂ−１）で表される化合物を含有する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  15. 上記式（Ｂ−１）で表される化合物が、下記一般式（Ｂ−１１）で表される化合物である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
    （上記式（Ｂ−１１）中、
    Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）および式（Ｂ−１１−Ｘ２）におけるナフチレン部位は１つのベンゼン環で縮合されていてもよく、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはなく、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、ベンゾカルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、Ａｒ３は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルで置換されていてもよく、
    Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、ビフェニリル、ターフェニリル、ナフチル、または炭素数１〜４のアルキルで置換されているシリルであり、そして、
    上記式（Ｂ−１１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい。）
  16. Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはなく、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、Ａｒ３は、さらにフェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピレニリル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルで置換されていてもよく、
    Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
    上記式（Ｂ−１１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい、
    請求項１５に記載の発光層形成用組成物。
  17. Ｘはそれぞれ独立して上記式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基であり、式（Ｂ−１１−Ｘ１）、式（Ｂ−１１−Ｘ２）または式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基は＊において式（Ｂ−１１）と結合し、２つのＸが同時に式（Ｂ−１１−Ｘ３）で表される基になることはなく、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、水素（Ａｒ３を除く）、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、ナフチル、フェナントリル、フルオレニル、カルバゾリル、または、フェニル置換カルバゾリルであり、Ａｒ３は、さらにフェニル、ナフチル、フェナントリル、または、フルオレニルで置換されていてもよく、
    Ａｒ４は、それぞれ独立して、水素、フェニル、または、ナフチルであり、そして、
    上記式（Ｂ−１１）で表される化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい、
    請求項１５に記載の発光層形成用組成物。
  18. 上記式（Ｂ−１）で表される化合物が、下記式（Ｂ−１−１）、式（Ｂ−１−２）、式（Ｂ−１−３）、式（Ｂ−１−４）、式（Ｂ−１−５）、式（Ｂ−１−６）、式（Ｂ−１−７）、または式（Ｂ−１−８）で表される化合物であり、
    これらの化合物における少なくとも１つの水素が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されていてもよい、
    請求項１〜１７のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  19. 第１成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されている、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  20. Ｘ１およびＸ２がＮ−Ｒである、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  21. Ｘ１がＯであり、Ｘ２がＮ−Ｒである、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  22. 上記式（Ａ’）におけるＲ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、および下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基からなる群から選ばれるものであり、
    下記式（ＲＧ−１）〜式（ＲＧ−１０）で表される基は＊において上記式（Ａ’）と結合する、
    請求項２〜２１のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  23. 上記式（Ａ）で表される化合物が、下記式（１−４０１−ｚ）、式（１−４１１−ｚ）、式（１−４２２−ｚ）、式（１−４４７−ｚ）、式（１−１１５２−ｚ）、式（１−１１５９−ｚ）、式（１−１２０１−ｚ）、式（１−１２１０−ｚ）、式（１−２６２３−ｚ）または式（１−２６７９−ｚ）で表される化合物である、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
    （上記式中のｚは、水素、上記式（ＦＧ−１）で表される基、上記式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルであり、すべてのｚが水素になることはない。）
  24. 上記式（Ａ）で表される化合物が、上記式（１−４２２−ｚ）、式（１−１１５２−ｚ）または式（１−２６７９−ｚ）で表される化合物である、請求項２３に記載の発光層形成用組成物。
  25. 上記式（ＦＧ−１）において、ｍおよびｎは０であり、ｐは１〜３の整数であり、
    上記式（ＦＧ−２）において、ｍおよびｎは０である、
    請求項１〜２４のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  26. 第１成分または第２成分における少なくとも１種の化合物が、上記式（ＦＧ−１）で表される基で置換されている、請求項１〜２５のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  27. 第３成分における少なくとも１種の有機溶媒の沸点が１３０℃〜３００℃である、請求項１〜２６のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  28. 第３成分が上記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物の少なくとも１種に対する良溶媒（ＧＳ）と貧溶媒（ＰＳ）とを含み、良溶媒（ＧＳ）の沸点（ＢＰＧＳ）が貧溶媒（ＰＳ）の沸点（ＢＰＰＳ）よりも低い、請求項１〜２７のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  29. 第１成分が発光層形成用組成物の全重量に対して０．０００１重量％〜２．０重量％であり、
    第２成分が発光層形成用組成物の全重量に対して０．０９９９重量％〜８．０重量％であり、
    第３成分が発光層形成用組成物の全重量に対して９０．０重量％〜９９．９重量％である、
    請求項１〜２８のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物。
  30. 請求項１〜２９のいずれか一項に記載の発光層形成用組成物を用いて形成される発光層を有する有機電界発光素子。
  31. 請求項３０に記載の有機電界発光素子を備えた表示装置。
  32. 下記一般式（Ａ’）で表される多環芳香族化合物、または下記一般式（Ａ’）で表される構造を複数有する多環芳香族多量体化合物。
    （一般式（Ａ）において、
    Ｒ１〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシであり、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    Ｒ１〜Ｒ１１のうちの隣接する基同士が結合してａ環、ｂ環またはｃ環と共にアリール環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、形成された環における少なくとも１つの水素は、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミノ、ジヘテロアリールアミノ、アリールヘテロアリールアミノまたはアリールオキシで置換されていてもよく、これらにおける少なくとも１つの水素はさらにアリール、ヘテロアリールまたはジアリールアミノで置換されていてもよく、
    Ｙ１は、Ｂであり、
    Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立してＯまたはＮ−Ｒであり、だだしＸ１およびＸ２の少なくとも１つはＮ−Ｒであり、前記Ｎ−ＲのＲはアリールまたはアルキルであり、また、前記Ｎ−ＲのＲは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（−Ｒ）２−または単結合によりｂ環および／またはｃ環と結合していてもよく、前記−Ｃ（−Ｒ）２−のＲは炭素数１〜２４のアルキルであり、そして、
    上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素は、下記一般式（ＦＧ−１）で表される基、下記一般式（ＦＧ−２）で表される基または炭素数７〜２４のアルキルで置換されており、さらに、当該アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−または−Ｓｉ（ＣＨ３）２−で置換されていてもよく、当該アルキルにおける上記式（Ａ’）で表される化合物または構造に直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、当該アルキルにおける任意の水素はフッ素で置換されていてもよく、上記式（Ａ’）で表される化合物または構造における少なくとも１つの水素はさらにハロゲンまたは重水素で置換されていてもよい。）
    （一般式（ＦＧ−１）において、
    Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数３〜２４のシクロアルキルであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、
    隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
    ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数であり、
    ｎは０〜５の整数であり、
    ｐは１〜５の整数である。）
    （一般式（ＦＧ−２）において、
    Ｒは、それぞれ独立して、フッ素、トリメチルシリル、トリフルオロメチル、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜２４のシクロアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールであり、前記アルキルにおける任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置換されていてもよく、前記アルキルにおけるフェニルまたはフェニレンに直結している−ＣＨ２−を除く任意の−ＣＨ２−は炭素数６〜２４のアリーレンで置換されていてもよく、前記シクロアルキルにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルまたは炭素数６〜１２のアリールで置換されていてもよく、前記アリールにおける少なくとも１つの水素は炭素数１〜２４のアルキルで置換されていてもよく、
    隣接する２つのＲがアルキルまたはシクロアルキルであるとき、これらは結合して環を形成していてもよく、
    ｍは０〜４の整数であり、
    ｎはそれぞれ独立して０〜５の整数である。）
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Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6485249B2 (ja) * 2014-10-31 2019-03-20 Jnc株式会社 アントラセン誘導体およびこれを用いた有機電界発光素子
CN107406759B (zh) * 2015-03-09 2020-10-30 学校法人关西学院 多环芳香族化合物及发光层形成用组合物与其用途
TWI688137B (zh) * 2015-03-24 2020-03-11 學校法人關西學院 有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置
US10689402B2 (en) * 2015-03-25 2020-06-23 Jnc Corporation Polycyclic aromatic compound and light emission layer-forming composition
WO2017126443A1 (ja) * 2016-01-21 2017-07-27 学校法人関西学院 多環芳香族化合物
CN108431984A (zh) * 2016-02-10 2018-08-21 学校法人关西学院 延迟荧光有机电场发光元件
US9954187B2 (en) 2016-04-08 2018-04-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, organic electroluminescence device and electronic device
KR20220084200A (ko) * 2016-04-26 2022-06-21 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 유기 전계 발광 소자
JP7012308B2 (ja) * 2016-09-07 2022-01-28 学校法人関西学院 多環芳香族化合物
WO2018074167A1 (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 コニカミノルタ株式会社 有機ボラン錯体、有機ボラン含有組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2018146894A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 学校法人関西学院 有機電界発光素子
KR102547448B1 (ko) * 2017-02-14 2023-06-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
US20190312207A1 (en) * 2017-02-16 2019-10-10 Kwansei Gakuin Educational Foundation Organic electroluminescent element
US20200035922A1 (en) 2017-03-31 2020-01-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element and electronic device
CN110495007B (zh) * 2017-04-03 2022-06-28 出光兴产株式会社 有机电致发光元件和电子设备
CN110521013A (zh) * 2017-04-03 2019-11-29 出光兴产株式会社 有机电致发光元件和电子设备
WO2018186404A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
US11502261B2 (en) 2017-05-02 2022-11-15 Lg Chem Ltd. Compound and organic light emitting device using the same
TW201900656A (zh) * 2017-05-16 2019-01-01 學校法人關西學院 多環芳香族化合物、有機元件用材料、發光層形成用組成物、有機電場發光元件、顯示裝置及照明裝置
JP7117699B2 (ja) * 2017-06-30 2022-08-15 学校法人関西学院 有機電界発光素子
CN110799571B (zh) 2017-06-30 2022-09-20 住友化学株式会社 高分子化合物及使用其的发光元件
KR20240052073A (ko) 2017-08-17 2024-04-22 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 유기 전계 발광 소자
JP7276750B2 (ja) * 2017-10-13 2023-05-18 学校法人関西学院 多環芳香族系二量体化合物
CN111357128B (zh) * 2017-11-24 2023-07-11 学校法人关西学院 有机元件用材料、有机电场发光元件、显示装置及照明装置
JP7264392B2 (ja) * 2017-12-11 2023-04-25 学校法人関西学院 重水素置換多環芳香族化合物
KR102618236B1 (ko) * 2017-12-11 2023-12-26 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 중수소 치환 다환 방향족 화합물
WO2019132040A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 出光興産株式会社 新規化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2019132028A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 出光興産株式会社 新規化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US11329237B2 (en) 2018-01-05 2022-05-10 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Boron and nitrogen containing heterocyclic compounds
JP7156357B2 (ja) * 2018-02-23 2022-10-19 コニカミノルタ株式会社 電子デバイス用組成物、電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法
WO2019164331A1 (ko) * 2018-02-23 2019-08-29 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200141983A (ko) * 2018-04-12 2020-12-21 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 불소 치환 다환 방향족 화합물
JP6738063B2 (ja) * 2018-04-12 2020-08-12 学校法人関西学院 シクロアルキル置換多環芳香族化合物
WO2019198699A1 (ja) * 2018-04-12 2019-10-17 学校法人関西学院 シクロアルキル置換多環芳香族化合物
KR101990818B1 (ko) * 2018-05-04 2019-06-19 머티어리얼사이언스 주식회사 유기전계발광소자
KR102371108B1 (ko) * 2018-05-17 2022-03-07 주식회사 엘지화학 유기발광소자
WO2019235402A1 (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 学校法人関西学院 多環芳香族化合物およびその多量体
CN111936505A (zh) * 2018-06-06 2020-11-13 学校法人关西学院 三级烷基取代多环芳香族化合物
KR102209929B1 (ko) * 2018-06-11 2021-02-01 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN111684615B (zh) * 2018-06-11 2023-10-17 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR102209924B1 (ko) * 2018-06-14 2021-02-01 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102209925B1 (ko) * 2018-06-19 2021-02-01 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20190143558A (ko) * 2018-06-20 2019-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 함규소 화합물
KR102659436B1 (ko) 2018-06-27 2024-04-23 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102053569B1 (ko) * 2018-07-03 2019-12-11 주식회사 엘지화학 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US20210257550A1 (en) * 2018-07-03 2021-08-19 Lg Chem, Ltd. Polycyclic compound and organic light emitting diode comprising same
KR102250392B1 (ko) * 2018-07-24 2021-05-11 주식회사 엘지화학 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102091507B1 (ko) * 2018-07-24 2020-03-20 머티어리얼사이언스 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2020036197A1 (ja) * 2018-08-15 2020-02-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた電子機器
KR102221979B1 (ko) * 2018-08-20 2021-03-04 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN112997334A (zh) * 2018-08-31 2021-06-18 学校法人关西学院 使用了多环芳香族化合物的发光材料的有机电致发光元件
US10777752B2 (en) * 2018-10-09 2020-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and electronic apparatus provided with the same
WO2020075760A1 (ja) * 2018-10-09 2020-04-16 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた電子機器
US11991922B2 (en) 2018-10-12 2024-05-21 Lg Chem, Ltd. Organic light-emitting device
KR102640489B1 (ko) * 2018-11-16 2024-02-26 에스에프씨 주식회사 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102213030B1 (ko) * 2018-11-19 2021-02-08 에스에프씨주식회사 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
EP3887479B1 (de) * 2018-11-29 2022-08-03 Merck Patent GmbH Elektronische vorrichtung
US11985891B2 (en) 2018-11-30 2024-05-14 Sfc Co., Ltd. Polycyclic aromatic compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR102094830B1 (ko) 2018-11-30 2020-03-30 에스에프씨 주식회사 다환 방향족 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
WO2020116561A1 (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR20200071193A (ko) * 2018-12-10 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20200075986A (ko) * 2018-12-18 2020-06-29 삼성디스플레이 주식회사 붕소 및 질소를 포함하는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자
KR102316064B1 (ko) * 2018-12-26 2021-10-22 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2020138963A1 (ko) * 2018-12-27 2020-07-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
US11925106B2 (en) 2018-12-28 2024-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Condensed cyclic compound, composition including the same, and organic light-emitting device including the condensed cyclic compound
KR20200087906A (ko) * 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
WO2020145725A1 (ko) * 2019-01-11 2020-07-16 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2020149666A1 (ko) * 2019-01-18 2020-07-23 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20200094262A (ko) 2019-01-29 2020-08-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
CN112823162B (zh) * 2019-02-13 2023-12-22 株式会社Lg化学 含硼化合物和包含其的有机发光元件
KR20200107028A (ko) 2019-03-05 2020-09-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20200109424A (ko) 2019-03-12 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
JP6923692B2 (ja) * 2019-03-29 2021-08-25 住友化学株式会社 発光素子の製造方法
US20220199904A1 (en) * 2019-03-29 2022-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Light emitting device and production method thereof, and composition for light emitting device and production method thereof
JP6923691B2 (ja) * 2019-03-29 2021-08-25 住友化学株式会社 発光素子
US20230096132A1 (en) * 2019-04-22 2023-03-30 Kwansei Gakuin Educational Foundation Cycloalkane-fused polycyclic aromatic compound
US11472820B2 (en) 2019-05-08 2022-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic molecules for optoelectronic devices
CN111925384A (zh) * 2019-05-13 2020-11-13 西诺拉股份有限公司 用于光电器件的有机分子
CN113795498A (zh) * 2019-05-24 2021-12-14 材料科学有限公司 有机化合物及包含其的有机电致发光元件
KR20200145945A (ko) 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 화합물
JP2021068885A (ja) * 2019-07-12 2021-04-30 学校法人関西学院 発光層形成用組成物
US20230002419A1 (en) * 2019-07-17 2023-01-05 Sfc Co., Ltd. Novel boron compound and organic light emitting diode including same
CN110669059A (zh) * 2019-09-04 2020-01-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 空穴传输材料及其制备方法、有机发光器件
CN112707923A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 环球展览公司 有机电致发光材料和装置
US11919914B2 (en) 2019-10-25 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20210055841A (ko) 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환화합물
KR20210064496A (ko) 2019-11-25 2021-06-03 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20210067946A (ko) * 2019-11-29 2021-06-08 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US20230114182A1 (en) * 2019-11-29 2023-04-13 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device
US11856853B2 (en) * 2019-12-03 2023-12-26 Lg Display Co., Ltd. Organic compound, organic light emitting diode and organic light emitting device including the compound
KR20210073694A (ko) 2019-12-10 2021-06-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20210076297A (ko) 2019-12-13 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 축합 다환 화합물
JP7245770B2 (ja) * 2019-12-26 2023-03-24 住友化学株式会社 発光素子及びその製造方法並びに発光素子用組成物及びその製造方法
WO2021150080A1 (ko) * 2020-01-23 2021-07-29 에스에프씨 주식회사 다환 방향족 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR102239994B1 (ko) * 2020-02-13 2021-04-14 에스에프씨주식회사 신규한 보론 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20210105468A (ko) * 2020-02-18 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20210106047A (ko) 2020-02-19 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20210111091A (ko) * 2020-03-02 2021-09-10 에스에프씨 주식회사 다환 방향족 유도체 화합물을 이용한 유기발광소자
WO2021194216A1 (ko) * 2020-03-23 2021-09-30 에스에프씨 주식회사 다환 방향족 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR102302965B1 (ko) * 2020-04-14 2021-09-27 머티어리얼사이언스 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102550644B1 (ko) * 2020-05-14 2023-07-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US20240018164A1 (en) * 2020-09-04 2024-01-18 Sfc Co., Ltd. Polycyclic aromatic derivative compound and organoelectroluminescent device using same
CN114163462A (zh) * 2020-09-11 2022-03-11 北京夏禾科技有限公司 多环化合物及其器件
WO2022092046A1 (ja) 2020-10-26 2022-05-05 三菱ケミカル株式会社 有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
US20230413669A1 (en) * 2020-11-10 2023-12-21 Sfc Co., Ltd. Polycyclic compound and organic light-emitting device using same
TW202242069A (zh) 2020-12-23 2022-11-01 日商三菱化學股份有限公司 有機電場發光元件、有機el顯示裝置、有機el照明及有機電場發光元件的製造方法
TW202233805A (zh) 2020-12-24 2022-09-01 日商三菱化學股份有限公司 組成物、有機電場發光元件及其製造方法、有機電致發光顯示裝置及其製造方法、有機電致發光照明及其製造方法
KR20220117840A (ko) * 2021-02-15 2022-08-24 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20220142863A (ko) * 2021-04-15 2022-10-24 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2023052275A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
CN118056486A (zh) 2021-09-28 2024-05-17 默克专利有限公司 用于电子器件的材料
WO2023052313A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2023052272A1 (de) 2021-09-28 2023-04-06 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2024013004A1 (de) 2022-07-11 2024-01-18 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012118164A1 (ja) * 2011-03-03 2012-09-07 国立大学法人九州大学 新規化合物、電荷輸送材料および有機デバイス
WO2015102118A1 (ja) * 2014-02-18 2015-07-09 学校法人関西学院 多環芳香族化合物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001072673A1 (fr) 2000-03-29 2001-10-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Derive d'anthracene et dispositifs electroluminescents organiques fabriques avec ceux-ci
JP4788202B2 (ja) 2004-07-09 2011-10-05 Ｊｎｃ株式会社 発光材料およびこれを用いた有機電界発光素子
DE102005043163A1 (de) 2005-09-12 2007-03-15 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
JP5796582B2 (ja) 2011-01-27 2015-10-21 Jnc株式会社 新規アントラセン化合物およびこれを用いた有機電界発光素子
JP6118026B2 (ja) 2012-02-14 2017-04-19 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子とそれに用いることができる化合物および有機電界発光素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
JP6001329B2 (ja) 2012-05-24 2016-10-05 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
CN107406759B (zh) * 2015-03-09 2020-10-30 学校法人关西学院 多环芳香族化合物及发光层形成用组合物与其用途
TWI688137B (zh) * 2015-03-24 2020-03-11 學校法人關西學院 有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置
US10689402B2 (en) * 2015-03-25 2020-06-23 Jnc Corporation Polycyclic aromatic compound and light emission layer-forming composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012118164A1 (ja) * 2011-03-03 2012-09-07 国立大学法人九州大学 新規化合物、電荷輸送材料および有機デバイス
WO2015102118A1 (ja) * 2014-02-18 2015-07-09 学校法人関西学院 多環芳香族化合物

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIROKI HIRAI ET AL.: "One-Step Borylation of 1,3-Diaryloxybenzens Towards Efficient Materials for Organic Light-Emitting D", ANGEWANDTE CHEMIE INTERNATIONAL EDITION, vol. 54, JPN7016001367, 18 September 2015 (2015-09-18), DE, pages 13581 - 13585, ISSN: 0004131833 *
TAKUJI HATAKEYAMA ET AL.: "Ultrapure Blue Thermally Activated Delayed Fluorescence Molecules: Efficient HOMO-LUMO Separation by", ADVANCED MATERIALS, vol. 28, JPN7016001366, 11 February 2016 (2016-02-11), DE, pages 2777 - 2781, XP071816169, ISSN: 0004131832, DOI: 10.1002/adma.201505491 *
TRUONG BA TAI ET AL.: "Theoretical Design of π-Conjugated Heteropolycyclic Compounds Containing a Tricoordinated Boron Cen", THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, vol. 117, JPN7016001368, 3 July 2013 (2013-07-03), US, pages 14999 - 15008, XP055310725, ISSN: 0004131834, DOI: 10.1021/jp4049154 *
中塚宗一郎 他: "ヘテロ元素を縮環部に有するジナフトペンタセン類縁体の合成と物性", 日本化学会第95春季年会(2015)講演予稿集IV, JPN7016001369, 11 March 2015 (2015-03-11), JP, pages 3 - 05, ISSN: 0004131835 *
中嶋貴一 他: "求電子的C-Hホウ素化反応を活用した含BN多環芳香族化合物の合成と物性", 日本化学会第95春季年会(2015)講演予稿集IV, JPN7016001371, 11 March 2015 (2015-03-11), JP, pages 3 - 06, ISSN: 0004131836 *
平井大貴 他: "有機EL材料を指向したフェノキサボリン類縁体の合成", 日本化学会第95春季年会(2015)講演予稿集IV, JPN7016001372, 11 March 2015 (2015-03-11), JP, pages 3 - 04, ISSN: 0004131837 *

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