CN111925384A - 用于光电器件的有机分子 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种特别用于光电器件中的有机分子。根据本发明，有机分子具有式I的结构：
其中RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：氢、氘、N(R5)2、OR5、SR5、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、卤素、C1‑C40‑烷基、C1‑C40‑烷氧基、C1‑C40‑硫代烷氧基、C2‑C40‑烯基、C2‑C40‑炔基、C6‑C60‑芳基和C3‑C57‑杂芳基，并且RV选自氢和C1‑C5烷基。
Description
本发明涉及有机发光分子及其在有机发光二极管(OLED)和其他光电器件中的用途。
描述
本发明的目的在于提供适用于光电器件的分子。
该目的通过本发明实现，本发明提供了一类新的有机分子。
根据本发明，所述有机分子为纯有机分子，即与已知用于光电器件的金属配合物相比，它们不含任何金属离子。然而，本发明的有机分子包括类金属，特别是B、Si、Sn、Se和/或Ge。
根据本发明，所述有机分子在蓝色、天蓝色或绿色光谱范围内表现出最大发射。特别地，所述有机分子在420nm至520nm之间、优选440nm至495nm之间、更优选450nm至470nm之间表现出最大发射。特别地，根据本发明的有机分子的光致发光量子产率为50％或更高。在光电器件例如有机发光二极管(OLED)中使用根据本发明的分子会导致器件更高的效率或更高的色纯度——以发射的半峰全宽(FWHM)表示。相应的OLED具有比具有已知发射体材料和相当颜色的OLED更高的稳定性。
根据本发明的有机发光分子包含式I的结构或由式I的结构组成，
其中
RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：
氢；
氘；
N(R5)2；
OR5；
SR5；
Si(R5)3；
B(OR5)2；
OSO2R5；
CF3；
CN；
卤素；
C1-C40-烷基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C2-C40-烯基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C2-C40-炔基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C6-C60-芳基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代；
R5在每次出现时独立于彼此地选自：氢、氘、OPh(Ph＝苯基)、SPh、CF3、CN、F、Si(C1-C5-烷基)3、Si(Ph)3；
C1-C5-烷基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C1-C5-烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C1-C5-硫代烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C2-C5-烯基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C2-C5-炔基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C6-C18-芳基，
其任选被一个或多个C1-C5-烷基取代基所取代；
C3-C17-杂芳基，
其任选被一个或多个C1-C5-烷基取代基所取代；
N(C6-C18-芳基)2；
N(C3-C17-杂芳基)2；和
N(C3-C17-杂芳基)(C6-C18-芳基)。
RV选自氢和C1-C5烷基。
在有机分子的一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：
氢；氘；卤素；Me；iPr；tBu；CN；CF3；SiMe3；SiPh3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
吡啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：
氢；氘；卤素；Me；iPr；tBu；CN；CF3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
吡啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；卤素；Me；iPr；tBu；CN；CF3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
吡啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；和
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：氢、tBu和Ph。
在一个实施例中，RI为氢。
在一个实施例中，RI为tBu。
在一个实施例中，RI为Ph。
在一个实施例中，RII为氢。
在一个实施例中，RII为tBu。
在一个实施例中，RII为Ph。
在一个实施例中，RIII为氢。
在一个实施例中，RIII为tBu。
在一个实施例中，RIII为Ph。
在一个实施例中，RIV为氢。
在一个实施例中，RIV为tBu。
在一个实施例中，RIV为Ph。
在一个实施例中，RI和RIV为氢，RII等同于RIII，特别地，RII和RIII相同。
在一个实施例中，RI和RIV为氢，RII和RIII为tBu。
在一个实施例中，RI和RIV为氢，RII和RIII为Ph。
在一个实施例中，RII和RIII为氢，RI等同于RIV，特别地，RI和RIV相同。
在一个实施例中，RII和RIII为氢，RI和RIV为tBu。
在一个实施例中，RII和RIII为氢，RI和RIV为Ph。
在一个实施例中，RI、RII、RIII和RIV为氢。
在一个实施例中，RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，RV为氢。
在一个实施例中，RV为Me。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成：
其中RII和RIII独立于彼此地选自：氢；氘；卤素；Me；iPr；tBu；CN；CF3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
吡啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；和
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII各自独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII独立于彼此地选自：氢、tBu和Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII为tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII为Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RIII为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RIII为tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RIII为Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII等同于RIII，特别地，RII和RIII相同。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII为tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII为Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RII和RIII为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ia的结构或由式Ia的结构组成，其中RV为Me。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成：
其中RI和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；卤素；Me；iPr；tBu；CN；CF3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
吡啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；和
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV独立于彼此地选自：氢；氘；Me；iPr；tBu；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV独立于彼此地选自：氢、tBu和Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI为tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI为Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RIV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RIV为tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RIV为Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI等同于RIV，特别地，RI和RIV相同。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV为tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV为Ph。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RI和RIV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ib的结构或由式Ib的结构组成，其中RV为Me。
在一个实施例中，有机分子包含式Ic的结构或由式Ic的结构组成：
其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ic的结构或由式Ic的结构组成，其中RV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ic的结构或由式Ic的结构组成，其中RV为Me。
在一个实施例中，有机分子包含式Id的结构或由式Id的结构组成：
其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Id的结构或由式Id的结构组成，其中RV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Id的结构或由式Id的结构组成，其中RV为Me。
在一个实施例中，有机分子包含式Ie的结构或由式Ie的结构组成：
其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式Ie的结构或由式Ie的结构组成，其中RV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式Ie的结构或由式Ie的结构组成，其中RV为Me。
在一个实施例中，有机分子包含式If的结构或由式If的结构组成：
其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
在一个实施例中，有机分子包含式If的结构或由式If的结构组成，其中RV为氢。
在一个实施例中，有机分子包含式If的结构或由式If的结构组成，其中RV为Me。
在一些实施例中，RI、RII、RIII、RIV和RV中的至少一个(即，1、2、3、4或5个)不为氢(H)。在一些实施例中，RI、RII、RIII和RIV中的至少一个(即，1、2、3或4个)不为氢。在一些实施例中，RI、RII、RIII、RIV和RV中的至少RV不为氢。在一些实施例中，RI、RII、RIII、RIV和RV中的至少RV及RI、RII、RIII和RIV中的至少一个不为氢。
如整个本申请中所用，术语“芳基”和“芳族”可在最广义上理解为任何单环、双环或多环芳族部分。相应地，芳基基团含有6至60个芳族环原子，杂芳基基团含有5至60个芳族环原子，其中至少一个为杂原子。尽管如此，在整个本申请中，在某些取代基的定义中，芳族环原子的数目可以下标数给出。特别地，杂芳族环包含一至三个杂原子。同样，术语“杂芳基”和“杂芳族”可在最广义上理解为包含至少一个杂原子的任何单环、双环或多环杂芳族部分。杂原子可在每次出现时相同或不同并且一个一个单独地选自N、O和S。相应地，术语“亚芳基”是指具有两个与其他分子结构的结合位点并因此充当连接基结构的二价取代基。在一些情况下，示例性实施例中的基团与这里给出的定义不同地定义，例如，芳族环原子的数目或杂原子的数目不同于给定的定义，将应用示例性实施例中的定义。根据本发明，稠合(有环)芳族或杂芳族多环由两个或更多个单芳族或杂芳族环构成，其经由缩合反应形成多环。
特别地，如贯穿本文所用，术语“芳基基团或杂芳基基团”包括可经由芳族或杂芳族基团的任何位置结合的衍生自以下的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、
苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩；吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、异噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、1,3,5-三嗪、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、咔啉、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑或前述基团的组合。
如贯穿本文所用，术语“环状基团”可在最广义上理解为任何单环、双环或多环部分。
如贯穿本文所用，术语“联苯基”作为取代基可在最广义上理解为邻联苯基、间联苯基或对联苯基，其中邻位、间位和对位关于与另一种化学部分的结合位点进行定义。
如贯穿本文所用，术语“烷基基团”可在最广义上理解为任何直链、支链或环状烷基取代基。特别地，术语烷基包含取代基甲基(Me)、乙基(Et)、正丙基(nPr)、异丙基(iPr)、环丙基、正丁基(nBu)、异丁基(iBu)、仲丁基(sBu)、叔丁基(tBu)、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2,2,2]辛基、2-双环[2,2,2]-辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)-环己-1-基、1-(正丁基)-环己-1-基、1-(正己基)-环己-1-基、1-(正辛基)-环己-1-基和1-(正癸基)-环己-1-基。
如贯穿本文所用，术语“烯基”包括直链、支链和环状烯基取代基。例如，术语“烯基基团”包括取代基：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。
如贯穿本文所用，术语“炔基”包括直链、支链和环状炔基取代基。例如，术语“炔基基团”包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。
如贯穿本文所用，术语“烷氧基”包括直链、支链和环状烷氧基取代基。例如，术语“烷氧基基团”包括甲氧基、乙氧基、正-丙氧基、异-丙氧基、正-丁氧基、异-丁氧基、仲-丁氧基、叔-丁氧基和2-甲基丁氧基。
如贯穿本文所用，术语“硫代烷氧基”包括直链、支链和环状硫代烷氧基取代基，其中示例性的烷氧基基团的O被替换为S。
如贯穿本文所用，术语“卤素”和“卤代”可在最广义上理解为优选氟、氯、溴或碘。
每当在本文中提及氢(H)时，它也可在每次出现时被替换为氘。
应理解，当分子片段被描述为取代基或以其他方式与另一部分连接时，其名称可写成好像它是片段(例如，萘基、二苯并呋喃基)或好像它是整个分子(例如，萘、二苯并呋喃)。如本文所用，这些指定取代基或连接片段的不同方式被认为是等同的。
在一个实施例中，室温下在具有5重量％有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中，根据本发明的有机分子具有不超过150μs、不超过100μs、特别是不超过50μs、更优选不超过10μs或不超过7μs的激发态寿命。
在本发明的又一个实施例中，根据本发明的有机分子在可见或近紫外范围内、即在380nm至800nm的波长范围内具有发射峰，室温下在具有5重量％有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中半峰全宽小于0.23eV、优选小于0.20eV、更优选小于0.19eV、甚至更优选小于0.18eV或甚至小于0.17eV。
轨道和激发态能量可借助于实验方法确定。最高被占分子轨道的能量EHOMO通过本领域技术人员已知的方法从循环伏安法测量确定，精度为0.1eV。最低未被占分子轨道的能量ELUMO计算为EHOMO+Egap，其中Egap如下测定：对于主体化合物，将在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中具有10重量％主体的膜的发射光谱的开始用作Egap，另有指出除外。对于发射体分子，Egap确定为在PMMA中具有10重量％发射体的膜的激发和发射光谱在其处交叉的能量。对于根据本发明的有机分子，Egap确定为在PMMA中具有5重量％发射体的膜的激发和发射光谱在其处交叉的能量。
第一激发三重态T1的能量由通常77K的低温下发射光谱的起始值确定。对于其中第一激发单重态和最低三重态在能量上分开>0.4eV的主体化合物，磷光通常在2-Me-THF中的稳态光谱中可见。三重态能量可因此以磷光光谱的起始值确定。对于TADF发射体分子，第一激发三重态T1的能量由77K下的延迟发射光谱的起始值确定，如果没有另外说明，则在具有10重量％发射体的PMMA膜中测量，而在根据本发明的有机分子的情况下，在具有1重量％根据本发明的有机分子的PMMA膜中测量。对于主体和发射体化合物二者，第一激发单重态S1的能量由发射光谱的起始值确定，如果没有另外说明，则在具有10重量％主体或发射体化合物的PMMA膜中测量，而在根据本发明的有机分子的情况下，在具有1重量％根据本发明的有机分子的PMMA膜中测量。
通过计算发射光谱的切线与x轴的交点来确定发射光谱的起始值。发射光谱的切线设置在发射带的高能量侧和在发射光谱的最大强度的一半的点处。
在一个实施例中，根据本发明的有机分子具有发射光谱起始值，其在能量上接近最大发射，即，发射光谱起始值与最大发射的能量之间的能量差低于0.14eV，优选低于0.13eV，或甚至低于0.12eV，而室温下在具有5重量％有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中有机分子的半峰全宽(FWHM)小于0.23eV，优选小于0.20eV，更优选小于0.19eV，甚至更优选小于0.18eV或甚至小于0.17eV，导致CIEy坐标低于0.20，优选低于0.18，更优选低于0.16或甚至更优选低于0.14。
本发明的又一个方面涉及本发明的有机分子在光电器件中用作发光发射体或用作吸收剂、和/或用作主体材料和/或用作电子传输材料、和/或用作空穴注入材料、和/或用作空穴阻挡材料的用途。
一个优选的实施例涉及根据本发明的有机分子在光电器件中用作发光发射体的用途。
光电器件可在最广义上理解为基于有机材料的任何器件，其适于发射在可见或近紫外(UV)范围内、即在380至800nm的波长范围内的光。更优选地，光电器件可能够发射在可见范围、即400nm至800nm内的光。
在这种使用背景下，光电器件更特别地选自：
·有机发光二极管(OLED)，
·发光电化学电池，
·OLED传感器，尤其是气体和蒸汽传感器，其并未对周围环境气密屏蔽，
·有机二极管，
·有机太阳能电池，
·有机晶体管，
·有机场效应晶体管，
·有机激光器，和
·下变频元件。
在这种使用背景下的一个优选的实施例中，光电器件为选自有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管的器件。
就所述用途而言，根据本发明的有机分子在光电器件中、更特别是在OLED中的发射层中的分数为0.1重量％至99重量％，更特别是1重量％至80重量％。在一个替代的实施例中，发射层中有机分子的比例为100重量％。
在一个实施例中，发光层不仅包含根据本发明的有机分子，而且包含其三重态(T1)和单重态(S1)能级在能量上高于所述有机分子的三重态(T1)和单重态(S1)能级的主体材料。
本发明的又一个方面涉及包含以下或由以下组成的组合物：
(a)至少一种根据本发明的有机分子，特别是以发射体和/或主体的形式，和
(b)一种或多种发射体和/或主体材料，其不同于根据本发明的有机分子，和
(c)任选地一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
在一个实施例中，发光层包含一种组合物(或基本上由一种组合物组成)，所述组合物包含以下或由以下组成：
(a)至少一种根据本发明的有机分子，特别是以发射体和/或主体的形式，和
(b)一种或多种发射体和/或主体材料，其不同于根据本发明的有机分子，和
(c)任选地一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
在一个特别的实施例中，发光层EML包含一种组合物(或基本上由一种组合物组成)，所述组合物包含以下或由以下组成：
(i)0.1-10重量％、优选0.5-5重量％、特别是1-3重量％的一种或多种根据本发明的有机分子；
(ii)5-99重量％、优选15-85重量％、特别是20-75重量％的至少一种主体化合物H；和
(iii)0.9-94.9重量％、优选14.5-80重量％、特别是24-77重量％的至少一种其他的主体化合物D，其结构不同于根据本发明的分子的结构；和
(iv)任选地0-94重量％、优选0-65重量％、特别是0-50重量％的溶剂；和
(v)任选地0-30重量％、特别是0-20重量％、优选0-5重量％的至少一种其他的发射体分子F，其结构不同于根据本发明的分子的结构。
优选地，能量可从主体化合物H向根据本发明的一种或多种有机分子转移，特别是从主体化合物H的第一激发三重态T1(H)向根据本发明的一种或多种有机分子E的第一激发三重态T1(E)转移和/或从主体化合物H的第一激发单重态S1(H)向根据本发明的一种或多种有机分子E的第一激发单重态S1(E)转移。
在一个实施例中，主体化合物H具有能量EHOMO(H)在-5至-6.5eV的范围内的最高被占分子轨道HOMO(H)，所述至少一种其他的主体化合物D具有有着能量EHOMO(D)的最高被占分子轨道HOMO(D)，其中EHOMO(H)>EHOMO(D)。
在又一个实施例中，主体化合物H具有有着能量ELUMO(H)的最低未被占分子轨道LUMO(H)，所述至少一种其他的主体化合物D具有有着能量ELUMO(D)的最低未被占分子轨道LUMO(D)，其中ELUMO(H)>ELUMO(D)。
在一个实施例中，主体化合物H具有有着能量EHOMO(H)的最高被占分子轨道HOMO(H)和有着能量ELUMO(H)的最低未被占分子轨道LUMO(H)，和
所述至少一种其他的主体化合物D具有有着能量EHOMO(D)的最高被占分子轨道HOMO(D)和有着能量ELUMO(D)的最低未被占分子轨道LUMO(D)，
根据本发明的有机分子E具有有着能量EHOMO(E)的最高被占分子轨道HOMO(E)和有着能量ELUMO(E)的最低未被占分子轨道LUMO(E)，
其中
EHOMO(H)>EHOMO(D)并且根据本发明的有机分子E的最高被占分子轨道HOMO(E)的能级(EHOMO(E))与主体化合物H的最高被占分子轨道HOMO(H)的能级(EHOMO(H))之间的差异介于-0.5eV至0.5eV之间，更优选介于-0.3eV至0.3eV之间，甚至更优选介于-0.2eV至0.2eV之间，或甚至介于-0.1eV至0.1eV之间；和
ELUMO(H)>ELUMO(D)并且根据本发明的有机分子E的最低未被占分子轨道LUMO(E)的能级(ELUMO(E))与至少一种其他的主体化合物D的最低未被占分子轨道LUMO(D)的能级(ELUMO(D))之间的差异介于-0.5eV至0.5eV之间，更优选介于-0.3eV至0.3eV之间，甚至更优选介于-0.2eV至0.2eV之间，或甚至介于-0.1eV至0.1eV之间。
在本发明的一个实施例中，主机化合物D和/或主体化合物H是热活化延迟荧光(TADF)材料。TADF材料表现出小于2500cm-1的ΔEST值，其对应于第一激发单重态(S1)与第一激发三重态(T1)之间的能量差。优选地，TADF材料表现出小于3000cm-1、更优选地小于1500cm-1、甚至更优选地小于1000cm-1或甚至小于500cm-1的ΔEST值。
在一个实施例中，主体化合物D为TADF材料并且主体化合物H表现出超过2500cm-1的ΔEST值。在一个特别的实施例中，主体化合物D为TADF材料并且主体化合物H选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑。
在一个实施例中，主体化合物H为TADF材料并且主体化合物D表现出超过2500cm-1的ΔEST值。在一个特别的实施例中，主体化合物H为TADF材料并且主体化合物D选自T2T(2,4,6-三(联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)和/或TST(2,4,6-三(9,9’-螺双芴-2-基)-1,3,5-三嗪)。
在又一个方面，本发明涉及一种光电器件，其包含这里描述的类型的有机分子或组合物，更特别是以选自以下的器件的形式：有机发光二极管(OLED)；发光电化学电池；OLED传感器，特别是未对外部气密屏蔽的气体和蒸汽传感器；有机二极管；有机太阳能电池；有机晶体管；有机场效应晶体管；有机激光器和下变频元件。
在一个优选的实施例中，光电器件为选自有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管的器件。
在本发明的光电器件的一个实施例中，根据本发明的有机分子E用作发光层EML中的发光材料。
在本发明的光电器件的一个实施例中，发光层EML由根据这里描述的发明的组合物组成。
当光电器件为OLED时，其可例如具有以下层结构：
1. 基材
2. 阳极层A
3. 空穴注入层HIL
4. 空穴传输层HTL
5. 电子阻挡层EBL
6. 发射层EML
7. 空穴阻挡层HBL
8. 电子传输层ETL
9. 电子注入层EIL
10. 阴极层，
其中OLED包含选自HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL的每一个层，仅任选地，可合并不同的层并且OLED可包含不止一层上面定义的每种层类型。
此外，在一个实施例中，光电器件可包含一个或多个保护层，其保护器件使之免于暴露于环境中的有害物质，这些有害物质包括例如湿气、蒸汽和/或气体。
在本发明的一个实施例中，光电器件为OLED，其具有以下倒置层结构：
1. 基材
2. 阴极层
3. 电子注入层EIL
4. 电子传输层ETL
5. 空穴阻挡层HBL
6. 发射层B
7. 电子阻挡层EBL
8. 空穴传输层HTL
9. 空穴注入层HIL
10. 阳极层A
其中OLED包含选自HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL的每一个层，仅任选地，可合并不同的层并且OLED可包含不止一层上面定义的每种层类型。
在本发明的一个实施例中，光电器件为OLED，其可具有堆叠结构。在此结构中，与其中OLED并排放置的典型布置相反，各个单元堆叠在彼此之上。可利用具有堆叠结构的OLED产生混合光，特别是可通过堆叠蓝色、绿色和红色OLED来产生白光。此外，具有堆叠结构的OLED可包含电荷产生层(CGL)，其通常位于两个OLED子单元之间并通常由n-掺杂和p-掺杂层组成，其中一个CGL的n-掺杂层通常位于更靠近阳极层的位置。
在本发明的一个实施例中，光电器件为OLED，其在阳极和阴极之间包含两个或更多个发射层。特别地，这种所谓的串联OLED包含三个发射层，其中一个发射层发射红光，一个发射层发射绿光，一个发射层发射蓝光，并任选地可在各个发射层之间包含其他层如电荷产生层、阻挡或传输层。在又一个实施例中，发射层相邻堆叠。在又一个实施例中，串联OLED在每两个发射层之间包含电荷产生层。另外，可合并相邻的发射层或由电荷产生层分开的发射层。
基材可由任何材料或材料的组合物形成。最常见的是，使用载玻片作为基材。或者，可使用薄金属层(例如，铜、金、银或铝膜)或塑料膜或滑片。这可允许更高程度的灵活性。阳极层A主要由允许获得(基本上)透明膜的材料组成。由于两个电极中的至少一个应(基本上)透明以允许来自OLED的光发射，故阳极层A或阴极层C是透明的。优选地，阳极层A包含大含量的透明导电氧化物(TCO)或甚至由透明导电氧化物(TCO)组成。这样的阳极层A可例如包含氧化铟锡、氧化铝锌、氟掺杂氧化锡、氧化铟锌、PbO、SnO、氧化锆、氧化钼、氧化钒、氧化钨、石墨、掺杂Si、掺杂Ge、掺杂GaAs、掺杂聚苯胺、掺杂聚吡咯和/或掺杂聚噻吩。
阳极层A(基本上)可由氧化铟锡(ITO)(例如，(InO3)0.9(SnO2)0.1)组成。由透明导电氧化物(TCO)引起的阳极层A的粗糙度可通过使用空穴注入层(HIL)来补偿。此外，HIL可促进准电荷载流子(即，空穴)的注入，因为将促进准电荷载流子从TCO向空穴传输层(HTL)的传输。空穴注入层(HIL)可包含聚-3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、MoO2、V2O5、CuPC或CuI，特别是PEDOT和PSS的混合物。空穴注入层(HIL)还可防止金属从阳极层A向空穴传输层(HTL)中的扩散。HIL可例如包含PEDOT:PSS(聚-3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐)、PEDOT(聚-3,4-乙烯二氧噻吩)、m-MTDATA(4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD(2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9'-螺二芴)、DNTPD(N1,N1'-(联苯-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二-间甲苯基苯-1,4-二胺)、NPB(N,N'-双-(1-萘基)-N,N'-双-苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺)、NPNPB(N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基-氨基)苯基]对二氨基联苯)、MeO-TPD(N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)对二氨基联苯)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六腈)和/或螺-NPD(N,N'-二苯基-N,N'-双-(1-萘基)-9,9'-螺二芴-2,7-二胺)。
邻近阳极层A或空穴注入层(HIL)，通常设置空穴传输层(HTL)。在此可使用任何空穴传输化合物。例如，可使用富含电子的杂芳族化合物如三芳基胺和/或咔唑作为空穴传输化合物。HTL可降低阳极层A和发光层EML之间的能垒。空穴传输层(HTL)也可为电子阻挡层(EBL)。优选地，空穴传输化合物具有相对高的其三重态T1能级。例如，空穴传输层(HTL)可包含星形杂环如三(4-咔唑基-9-基苯基)胺(TCTA)、聚-TPD(聚(4-丁基苯基-二苯基-胺))、[α]-NPD(聚(4-丁基苯基-二苯基-胺))、TAPC(4,4'-亚环己基-双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、2-TNATA(4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN和/或TrisPcz(9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-联咔唑)。另外，HTL可包含p-掺杂层，其可由无机或有机掺杂剂在有机空穴传输基质中组成。过渡金属氧化物如氧化钒、氧化钼或氧化钨可例如用作无机掺杂剂。四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属络合物可例如用作有机掺杂剂。
EBL可例如包含mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯)、tris-Pcz、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)和/或DCB(N,N′-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。
邻近空穴传输层(HTL)，通常设置发光层EML。发光层EML包含至少一种发光分子。特别地，EML包含至少一种根据本发明的发光分子E。在一个实施方案中，发光层仅包含根据本发明的有机分子。通常，EML还包含一种或多种主体材料H。例如，主体材料H选自CBP(4,4'-双-(N-咔唑基)-联苯)、mCP、mCBP Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、CzSi、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)二苯基硅烷)、DPEPO(双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑、T2T(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯-3-基)-1,3,5-三嗪)和/或TST(2,4,6-三(9,9′-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)。主体材料H通常应选择为表现出在能量上高于所述有机分子的第一三重态(T1)和第一单重态(S1)能级的第一三重态(T1)和第一单重态(S1)能级。
在本发明的一个实施例中，EML包含所谓的混合主体系统，其具有至少一种空穴主导主体和一种电子主导主体。在一个特别的实施例中，EML包含确切地一种根据本发明的发光有机分子和混合主体系统，所述混合主体系统包含T2T作为电子主导主体和选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑的主体作为空穴主导主体。在又一个实施例中，EML包含50-80重量％、优选60-75重量％选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑的主体；10-45重量％、优选15-30重量％的T2T和5-40重量％、优选10-30重量％根据本发明的发光分子。
邻近发光层EML，可设置电子传输层(ETL)。本文中可使用任何电子传输剂。示例性地，可使用贫电子的化合物如苯并咪唑、吡啶、三唑、噁二唑(例如，1,3,4-噁二唑)、膦氧化物和砜。电子传输剂也可为星形杂环如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)。ETL可包含NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦)、BPyTP2(2,7-二(2,2’-联吡啶-5-基)三苯)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)二苯基硅烷)、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)和/或BTB(4,4’-双-[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1’-联苯)。任选地，ETL可掺杂有材料如Liq。电子传输层(ETL)也可阻挡空穴或引入空穴阻挡层(HBL)。
HBL可例如包含BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉＝浴铜灵)、BAlq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦)、T2T(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9′-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)和/或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑)-9-基)苯)。
邻近电子传输层(ETL)，可设置阴极层C。阴极层C可例如包含金属(例如，Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、LiF、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金或者可由它们组成。出于实际原因，阴极层也可由(基本上)由不透明金属如Mg、Ca或Al组成。或者或另外，阴极层C还可包含石墨和/或碳纳米管(CNT)。或者，阴极层C也可由纳米级银丝组成。
OLED还可任选地在电子传输层(ETL)与阴极层C之间包含保护层(其可被命名为电子注入层(EIL))。该层可包含氟化锂、氟化铯、银、Liq(8-羟基喹啉锂)、Li2O、BaF2、MgO和/或NaF。
任选地，电子传输层(ETL)和/或空穴阻挡层(HBL)也可包含一种或多种主体化合物H。
为了进一步修改发光层EML的发射光谱和/或吸收光谱，发光层EML还可包含一种或多种其他的发射体分子F。这样的发射体分子F可以是本领域已知的任何发射体分子。优选这样的发射体分子F为结构不同于根据本发明的分子E的结构的分子。发射体分子F可任选地为TADF发射体。或者，发射体分子F可任选地为荧光和/或磷光发射体分子，其能够改变发光层EML的发射光谱和/或吸收光谱。示例性地，三重态和/或单重态激子可从根据本发明的有机发射体分子向发射体分子F转移，然后通过发射与有机分子发射的光相比通常红移的光而弛豫到基态S0。任选地，发射体分子F还可引起双光子效应(即，吸收最大吸收能量的一半的两个光子)。
任选地，光电器件(例如，OLED)可例如为基本上白色的光电器件。例如，这样的白色光电器件可包含至少一种(深)蓝色发射体分子和一种或多种发射绿光和/或红光的发射体分子。然后，还可任选地如上所述在两个或更多个分子之间存在能量传输。
如本文所用，如果未在特定的上下文中更具体地定义，则发射和/或吸收的光的颜色指定如下：
紫色： 波长范围>380-420nm；
深蓝色： 波长范围>420-480nm；
天蓝色： 波长范围>480-500nm；
绿色： 波长范围>500-560nm；
黄色： 波长范围>560-580nm；
橙色： 波长范围>580-620nm；
红色： 波长范围>620-800nm。
关于发射体分子，这样的颜色指的是最大发射。因此，例如，深蓝色发射体在>420至480nm范围内具有最大发射，天蓝色发射体在>480至500nm范围内具有最大发射，绿色发射体在>500至560nm范围内具有最大发射，红色发射体在>620至800nm范围内具有最大发射。
深蓝色发射体的最大发射可优选低于480nm、更优选低于470nm、甚至更优选低于465nm或甚至低于460nm。其通常高于420nm，优选高于430nm，更优选高于440nm，或甚至高于450nm。
相应地，本发明的又一个方面涉及一种OLED，其在1000cd/m2下的外量子效率大于8％、更优选大于10％、更优选大于13％、甚至更优选大于15％或甚至大于20％和/或最大发射在420nm至500nm之间、优选在430nm至490nm之间、更优选在440nm至480nm之间、甚至更优选在450nm至470nm之间和/或在500cd/m2下的LT80值大于100小时、优选大于200小时、更优选大于400小时、甚至更优选大于750小时或甚至大于1000小时。相应地，本发明的又一个方面涉及一种OLED，其发射的CIEy色坐标小于0.45、优选小于0.30、更优选小于0.20或甚至更优选小于0.15或甚至小于0.10。
本发明的又一个方面涉及一种OLED，其以不同的色点发射光。根据本发明，OLED发射的光具有窄的发射带(小的半峰全宽(FWHM))。在一个方面，根据本发明的OLED发射的光的主发射峰的FWHM小于0.30eV、优选小于0.25eV、更优选小于0.20eV、甚至更优选小于0.19eV或甚至小于0.17eV。
本发明的又一个方面涉及一种OLED，其发射的光的CIEx和CIEy色坐标接近于如ITU-R建议书BT.2020(Rec.2020)所定义的原色蓝色(CIEx＝0.131和CIEy＝0.046)的色坐标CIEx(＝0.131)和CIEy(＝0.046)并因此适于用在超高清(UHD)显示器例如UHD-TV中。相应地，本发明的又一个方面涉及一种OLED，其发射的CIEx色坐标在0.02和0.30之间、优选在0.03和0.25之间、更优选在0.05和0.20之间或甚至更优选在0.08和0.18之间或甚至在0.10和0.15和/或CIEy色坐标在0.00和0.45之间、优选在0.01和0.30之间、更优选在0.02和0.20之间或甚至更优选在0.03和0.15之间或甚至在0.04和0.10之间。
在又一个方面，本发明涉及一种制造光电部件的方法。在此情况下，使用本发明的有机分子。
光电器件，特别是根据本发明的OLED，可通过任何气相沉积和/或液体加工措施制造。相应地，至少一个层
-通过升华工艺制备，
-通过有机气相沉积工艺制备，
-通过载气升华工艺制备，
-是溶液加工或印刷的。
用来制造光电器件、特别是根据本发明的OLED的方法是本领域已知的。不同的层通过随后的沉积工艺一个一个单独且连续地沉积在合适的基材上。一个一个单独的层可使用相同或不同的沉积方法沉积。
气相沉积工艺包括例如热(共)蒸发、化学气相沉积和物理气相沉积。对于有源矩阵OLED显示器，使用AMOLED背板作为基材。一个一个单独的层可使用适当的溶剂从溶液或分散体加工。溶液沉积工艺例如包括旋涂、浸涂和喷射印刷。液体加工可任选地在惰性气氛中(例如，在氮气氛中)进行并且可通过现有技术中已知的措施完全或部分地除去溶剂。
实例
一般合成方案I
一般合成方案I提供了根据本发明的有机分子(其中RI＝RIV并且RII＝RIII)的合成方案：
合成AAV1的一般程序：
将E1(1.00当量)、E2(2.20当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯Pd2(dba)3(0.02当量；CAS：51364-51-3)、三-叔丁基-膦(P(tBu)3，CAS：13716-12-6，0.08当量)和叔丁醇钠(NaOtBu；6.00当量)于氮气氛下在甲苯中于80℃搅拌2小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I1。
合成AAV2的一般程序：
将I1(1.00当量)、1-溴-3,5-二苯基苯(2.20当量，CAS：103068-20-8)、三(二亚苄基丙酮)二钯Pd2(dba)3(0.02当量；CAS：51364-51-3)、三-叔丁基-膦(0.08当量，P(tBu)3，CAS：13716-12-6)和叔丁醇钠(NaOtBu；5.00当量)于氮气氛下在甲苯中于100℃搅拌5小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I2。
合成AAV3的一般程序：
在氮气氛下溶解I2(1当量)于THF中并冷却至-20℃后，加入N,N,N',N'-四甲基乙二胺(4当量，CAS：110-18-9)。随后，加入仲-BuLi(2当量，CAS：598-30-1)并于0℃下搅拌反应混合物。在完全锂化后，淬灭反应物并加入1,3,2-二氧杂硼烷(2当量，CAS：61676-62-8)，并将反应混合物在70℃下回流搅拌2小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I3。
合成AAV4的一般程序：
将I3(1当量)、N,N-二异丙基乙胺(10当量，CAS：7087-68-5)和AlCl3(10当量，CAS：7446-70-0)于氮气氛下在氯苯中于120℃搅拌16小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的P1。
一般合成方案II
一般合成方案II提供了根据本发明的有机分子(其中RI＝RIV并且RII＝RIII)的合成方案：
一般合成方案II的前两个步骤分别按AAV1和AAV2进行。第三步如AAV5中所述进行：
合成AAV5的一般程序：
在氮气氛下将I2(1.00当量)溶解在叔丁基苯中并将溶液冷却至-30℃。逐滴加入叔丁基锂(tBuLi)的溶液(2.20当量，CAS：594-19-4)并让反应混合物温热至0℃。在60℃下搅拌120分钟后，减压去除tBuLi–溶液的溶剂和副产物并将反应混合物再次冷却至-30℃。逐滴加入三溴化硼(BBr3，CAS：10294-33-4，2.00当量)的溶液，移除冷却浴并让反应混合物温热至室温(rt)。在室温下搅拌30分钟后，将反应混合物冷却至0℃并加入N,N-二异丙基乙胺(CAS：7087-68-5，3.00当量)。让反应混合物温热至室温并然后在120℃下回流3小时。随后，将反应混合物倒入水中，过滤所得沉淀并用最少量的乙酸乙酯洗涤，得到呈固体产品的P1。P1可通过重结晶或通过快速色谱法进一步纯化。
一般合成方案III
一般合成方案I提供了根据本发明的有机分子的合成方案，其中不存在方案I和II的限制(即，RI＝RIV并且RII＝RIII)。
合成AAV6的一般程序：
将1-溴-3,5-二苯基苯(1当量，CAS：103068-20-8)、E2(2.20当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯Pd2(dba)3(0.01当量；CAS：51364-51-3)、三-叔丁基-膦(P(tBu)3，CAS：13716-12-6，0.02当量)和叔丁醇钠(NaOtBu；3.00当量)于氮气氛下在甲苯中于80℃搅拌5小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I4.1。
合成AAV7的一般程序：
将1-溴-3,5-二苯基苯(1当量，CAS：103068-20-8)、E2.1(2.20当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯Pd2(dba)3(0.02当量；CAS：51364-51-3)、三-叔丁基-膦(P(tBu)3，CAS：13716-12-6，0.02当量)和叔丁醇钠(NaOtBu；3.00当量)于氮气氛下在甲苯中于80℃搅拌5小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I4.2。
合成AAV8的一般程序：
将E3(1.00当量)、I4.1(1.10当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯Pd2(dba)3(0.01当量；CAS：51364-51-3)、三-叔丁基-膦(P(tBu)3，CAS：13716-12-6，0.02当量)和叔丁醇钠(NaOtBu；3.00当量)于氮气氛下在甲苯中于80℃搅拌5小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I5。
合成AAV9的一般程序：
将I4.2(1.00当量)、I5(1.10当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯Pd2(dba)3(0.01当量；CAS：51364-51-3)、三-叔丁基-膦(P(tBu)3，CAS：13716-12-6，0.02当量)和叔丁醇钠(NaOtBu；3.00当量)于氮气氛下在甲苯中于110℃搅拌5小时。在冷却至室温(rt)后，用甲苯和盐水萃取反应混合物并分离相。合并有机层并用MgSO4干燥，然后减压去除溶剂。所得粗产物通过重结晶或柱色谱纯化，获得呈固体的I6。
一般方案III的最后一个合成步骤即从I6合成P2在如AAV5中所述类似的条件下进行。
循环伏安法
从浓度为10-3mol/L的有机分子在二氯甲烷或合适溶剂和合适的支持电解质(例如，0.1mol/L的四丁基六氟磷酸铵)中的溶液测量循环伏安图。测量在室温下于氮气氛下使用三电极组件(工作电极和对电极：Pt丝，参比电极：Pt丝)进行，并使用FeCp2/FeCp2 +作为内标校准。使用二茂铁作为内标相对饱和甘汞电极(SCE)校正HOMO数据。
密度泛函理论计算
采用BP86泛函和单位分解方法(RI)优化分子结构。使用采用时间依赖性DFT(TD-DFT)方法的(BP86)优化结构计算激发能。用B3LYP泛函计算轨道和激发态能量。使用Def2-SVP基组(和用于数值积分的m4-网格)。所有计算使用Turbomole程序包。
光物理测量
样品预处理：旋涂
装置：Spin150，SPS euro。
样品浓度为10mg/ml，溶解在合适的溶剂中。
程序：1)400U/min下3s；1000U/min、1000Upm/s下20s。3)4000U/min、1000Upm/s下10s。涂布后，将膜于70℃下干燥1分钟。
光致发光光谱和时间相关单光子计数(TCSPC)
稳态发射光谱通过Horiba Scientific的Modell FluoroMax-4测量，其配备有150W氙弧灯、激发和发射单色器以及Hamamatsu R928光电倍增管和时间相关单光子计数选件。使用标准校正拟合校正发射和激发光谱。
采用使用TCSPC方法的相同系统用FM-2013设备和Horiba Yvon TCSPC hub测定激发态寿命。
激发源：
NanoLED 370(波长：371nm，脉冲持续时间：1.1ns)
NanoLED 290(波长：294nm，脉冲持续时间：<1ns)
SpectraLED 310(波长：314nm)
SpectraLED 355(波长：355nm)。
使用软件套件DataStation和DAS6分析软件进行数据分析(指数拟合)。使用卡方检验拟定该拟合。
光致发光量子产率测量
对于光致发光量子产率(PLQY)测量，使用绝对PL量子产率测量C9920-03G系统(Hamamatsu Photonics)。量子产率和CIE坐标使用软件U6039-05版本3.6.0确定。
最大发射以nm给出，量子产率Φ以％给出，CIE坐标以x、y值给出。
PLQY使用以下方案确定：
1)质量保证：使用在乙醇中的蒽(已知浓度)作为参比
2)激发波长：确定有机分子的吸收最大值并使用该波长激发分子
3)测量
在氮气氛下测量溶液或膜的样品的量子产率。使用以下公式计算产率：
其中n光子表示光子计数且Int.表示强度。
光电器件的制造和表征
包含根据本发明的有机分子的光电器件，特别是OLED器件，可通过真空沉积方法制造。如果一个层含不止一种化合物，则以％给出一种或多种化合物的重量百分数。总重量百分数值总共达到100％，因此如果未给出值，则该化合物的分数等于给定值与100％之间的差值。
未完全优化的OLED使用标准方法和测量电致发光光谱来表征，外量子效率(以％表示)取决于强度和电流，所述强度使用光电二极管检测的光计算。从在恒定电流密度下运行期间亮度的变化来获取OLED器件寿命。LT50值对应于其中测得的亮度降至初始亮度的50％的时间，类似地，LT80对应于测得的亮度降至初始亮度的80％的时间点，LT95对应于测得的亮度降至初始亮度的95％的时间点，如此等等。
进行加速寿命测量(例如，施加增大的电流密度)。例如，使用以下公式计算500cd/m2下的LT80值：
其中L0表示在所施加电流密度下的初始亮度。
这些值对应于若干(通常两至八个)像素的平均值，给出了这些像素之间的标准偏差。
HPLC-MS
通过Agilent(1100系列)和MS-检测器(Thermo LTQ XL)在HPLC上进行HPLC-MS分析。
示例性地，典型的HPLC方法如下：在HPLC中使用反相柱4,6mm x 150mm，粒径为3.5μm，来自Agilent(ZORBAX Eclipse Plus
C18，4.6x 150mm，3.5μm HPLC柱)。在室温(rt)下按梯度进行HPLC-MS测量
使用以下溶剂混合物：
| 溶剂A： | H2O(90％) | MeCN(10％) |
| 溶剂B： | H2O(10％) | MeCN(90％) |
| 溶剂C： | THF(50％) | MeCN(50％) |
从分析物浓度为0.5mg/mL的溶液取5μL的进样量进行测量。
使用大气压化学电离(APCI)源以正(APCI+)或负(APCI-)电离模式进行探针的电离。
实例1
按
AAV1(收率75％)，其中使用1,3-二溴-2-氯苯(CAS 19230-27-4)作为反应物E1并使用苯胺(CAS 62-53-3)作为E2；
AAV2(收率69％)；
AAV3(收率41％)；
和AAV4(收率34％)合成实例1。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：725.50(9.62分钟)。
实例1(在PMMA中，5重量％)的最大发射在457nm处，半峰全宽(FWHM)为0.21eV，CIEy坐标为0.11，PLQY为74％。测得发射光谱的起始值在2.84eV下。
实例2
按
AAV1(收率95％)，其中使用1,3-二溴-2-氯苯(CAS 19230-27-4)作为反应物E1并使用4-氨基联苯(CAS 92-67-1)作为E2；
AAV2(收率89％)；
和AAV5(收率6％)合成实例2。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：877.4(12.6分钟)。
实例2(在PMMA中，5重量％)的最大发射在475nm处，半峰全宽(FWHM)为0.20eV，CIEy坐标为0.24，PLQY为70％。测得发射光谱的起始值在2.73eV下。
实例3
按
AAV1(收率94％)，其中使用1,3-二溴-2-氯苯(CAS 19230-27-4)作为反应物E1并使用3-氨基联苯(CAS 2243-47-2)作为E2；
AAV2(收率70％)；
和AAV5(收率24％)合成实例3。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：877.5(7.44分钟)。
实例3(在PMMA中，5重量％)的最大发射在478nm处，半峰全宽(FWHM)为0.19eV，CIEy坐标为0.28，PLQY为84％。测得发射光谱的起始值在2.72eV下。
实例4
按
AAV1(收率62％)，其中使用4-氯-3,5-二溴甲苯(CAS 202925-05-1)作为反应物E1并使用苯胺(CAS 62-53-3)作为E2；
AAV2(收率81％)；
和AAV5(收率20％)合成实例4。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：739.5(11.04分钟)。
实例4(在PMMA中，5重量％)的最大发射在454nm处，半峰全宽(FWHM)为0.20eV，CIEy坐标为0.10，PLQY为61％。测得发射光谱的起始值在2.85eV下。
实例5
按
AAV1(收率87％)，其中使用4-氯-3,5-二溴甲苯(CAS 202925-05-1)作为反应物E1并使用4-叔丁基苯胺(CAS 769-92-6)作为E2；
AAV2(收率81％)；
和AAV5(收率16％)合成实例5。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：851.8(10.2分钟)。
实例5(在PMMA中，5重量％)的最大发射在457nm处，半峰全宽(FWHM)为0.17eV，CIEy坐标为0.11，PLQY为59％。测得发射光谱的起始值在2.83eV下。
实例6
按
AAV1(收率91％)，其中使用1,3-二溴-2-氯苯(CAS 19230-27-4)作为反应物E1并使用4-叔丁基苯胺(CAS 769-92-6)作为E2；
AAV2(收率99％)；
和AAV5(收率20％)合成实例6。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留时间)：837.8(10.2分钟)。
实例6(在PMMA中，5重量％)的最大发射在461nm处，半峰全宽(FWHM)为0.17eV，CIEy坐标为0.10，PLQY为73％。测得发射光谱的起始值在2.81eV下。
实例D1
在OLED D1中测试实例1，OLED D1由以下层结构制造：
器件D1在1000cd/m2下产生7.9％的外量子效率(EQE)。最大发射在458nm处，在3.54V下FWHM为28nm。相应的CIEy值为0.07。
实例D2
在OLED D2中测试实例4，OLED D2由以下层结构制造：
器件D2在1000cd/m2下产生9.8％的外量子效率(EQE)。最大发射在456nm处，在3.55V下FWHM为26nm。相应的CIEy值为0.06。
实例D3
在OLED D3中测试实例5，OLED D3由以下层结构制造：
器件D3在1000cd/m2下产生7.8％的外量子效率(EQE)。最大发射在458nm处，在3.55V下FWHM为28nm。相应的CIEy值为0.07。
实例D4
在OLED D4中测试实例6，OLED D4由以下层结构制造：
器件D4在1000cd/m2下产生10.2％的外量子效率(EQE)。最大发射在462nm处，在3.43V下FWHM为26nm。相应的CIEy值为0.08。
本发明的有机分子的其他实例
Claims (15)
1.一种有机分子，所述有机分子包含式I的结构：
其中
RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：
氢；
氘；
N(R5)2；
OR5；
SR5；
Si(R5)3；
B(OR5)2；
OSO2R5；
CF3；
CN；
卤素；
C1-C40-烷基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C1-C40-烷氧基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C1-C40-硫代烷氧基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C2-C40-烯基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C2-C40-炔基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代并且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C＝CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5所取代；
C6-C60-芳基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代；和
C3-C57-杂芳基，
其任选被一个或多个取代基R5所取代；
R5在每次出现时独立于彼此地选自：氢、氘、OPh、SPh、CF3、CN、F、Si(C1-C5-烷基)3、Si(Ph)3；
C1-C5-烷基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C1-C5-烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C1-C5-硫代烷氧基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C2-C5-烯基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C2-C5-炔基，
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F所取代；
C6-C18-芳基，
其任选被一个或多个C1-C5-烷基取代基所取代；
C3-C17-杂芳基，
其任选被一个或多个C1-C5-烷基取代基所取代；
N(C6-C18-芳基)2；
N(C3-C17-杂芳基)2；和
N(C3-C17-杂芳基)(C6-C18-芳基)；并且
RV选自氢和C1-C5烷基。
2.根据权利要求1所述的有机分子，其中RI、RII、RIII和RIV彼此独立地选自：
氢；氘；卤素；Me；iPr；tBu；CN；CF3；SiMe3；SiPh3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
吡啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
3.根据权利要求1或2所述的有机分子，其中RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：
氢；氘；Me；iPr；tBu；SiMe3；SiPh3；
Ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自Me、iPr、tBu和Ph的取代基所取代；
和N(Ph)2。
4.根据权利要求1或2所述的有机分子，其中RI、RII、RIII和RIV独立于彼此地选自：
氢、Me、tBu和Ph。
5.根据权利要求1或2所述的有机分子，其中RII等同于RIII。
6.根据权利要求1或2所述的有机分子，所述有机分子包含式Ib的结构：
7.根据权利要求1或2所述的有机分子，其中RI等同于RIV。
8.根据权利要求1或2所述的有机分子，所述有机分子包含式Ia的结构：
9.根据权利要求1或2所述的有机分子，其中RV选自氢、Me、iPr和tBu。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的有机分子在光电器件中作为发光发射体的用途。
11.根据权利要求10所述的用途，其中所述光电器件选自：
·有机发光二极管OLED，
·发光电化学电池，
·OLED-传感器，
·有机二极管，
·有机太阳能电池，
·有机晶体管，
·有机场效应晶体管，
·有机激光器，和
·下变频元件。
12.一种组合物，所述组合物包含：
(a)根据权利要求1至9中任一项所述的有机分子，特别是以发射体和/或主体的形式，和
(b)不同于所述有机分子的发射体和/或主体材料，和
(c)任选地染料和/或溶剂。
13.一种光电器件，所述光电器件包含根据权利要求1至9中任一项所述的有机分子或根据权利要求12所述的组合物，特别是以选自以下的器件的形式：有机发光二极管OLED；发光电化学电池；OLED传感器；有机二极管；有机太阳能电池；有机晶体管；有机场效应晶体管；有机激光器和下变频元件。
14.根据权利要求13所述的光电器件，所述光电器件包含：
-基材，
-阳极，和
-阴极，其中所述阳极或所述阴极设置在所述基材上，和
-发光层，所述发光层布置在所述阳极和所述阴极之间并且所述发光层包含所述有机分子或所述组合物。
15.用于产生光电器件的方法，其中使用根据权利要求1至9中任一项所述的有机分子或根据权利要求12所述的组合物，所述方法特别包括通过真空蒸发方法或从溶液加工所述有机分子。
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