JP7156357B2 - 電子デバイス用組成物、電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイス用組成物、電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法に関し、より詳しくは、成膜した場合の膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が低減され、残存溶媒のデバイスへの影響を抑制して高い素子性能を発揮できる電子デバイス用組成物、当該電子デバイス用組成物を含有することで、湿式プロセス適性を有し、かつ、高い液安定性及び素子性能を発揮できる電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）や有機薄膜太陽電池、有機トランジスタ等の電子デバイスを作製する際、その作製方法は乾式プロセスと湿式プロセスの二つが用いられている。乾式プロセスは真空蒸着等によりデバイスの作製が行われるため、複数の層を積層することが容易であるというメリットがある一方、材料使用効率が悪く大量生産には適さない。対照的に湿式プロセスは材料使用効率がよく大量生産に適した生産プロセスである一方、機能層を積層するためには「下層を溶かさずに上層の材料を溶解させる溶媒」を各層ごとに選択する必要があり、その特性上必然的に上層になるほど溶媒の選択幅が狭くなる。

この問題に対応するために、特許文献１にあるように含フッ素溶媒を利用する方法が知られている。しかしながら、含フッ素溶媒はフッ素の高い電気陰性度に由来する非常に強い双極子相互作用を持つことから、溶質と相互作用することで、溶媒が揮発せずに膜中に残存しやすいという欠点があった。そのため、残存溶媒が素子性能を低下させてしまうという問題があった。中でも材料中にヘテロ原子のようなルイス塩基性を持つものがある場合には、特に含フッ素溶媒残存量が多くなることが知られており、膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量を低減する技術が求められていた。

国際公開第２００９／０６３８５０号

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、成膜したときの膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が低減され、残存溶媒のデバイスへの影響を抑制して高い素子性能を発揮できる電子デバイス用組成物、当該電子デバイス用組成物を含有することで、湿式プロセス適性を有し、かつ、高い液安定性及び素子性能を発揮できる電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、電気陰性度が比較的低く、かつ、ルイス塩基をトラップするルイス酸性を有する特定のπ共役系ホウ素化合物と含フッ素溶媒とを含有する電子デバイス用組成物によって、成膜した場合の膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が低減され、残存溶媒のデバイスへの影響を抑制して高い素子性能を発揮できる電子デバイス用組成物が得られることを見出した。また、当該電子デバイス用組成物を含有することで、湿式プロセス適性を有し、かつ、高い液安定性及び素子性能を発揮できる電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法が得られることを見出した。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．成分Ａ及び成分Ｂを含有する電子デバイス用組成物であって、
前記成分Ａが含フッ素溶媒であり、かつ、前記成分Ｂが下記一般式（１）で表される構造を有する化合物であり、
前記電子デバイス用組成物中にさらに成分Ｃを含有し、前記成分Ｃは溶媒でも溶質でもよく、
前記電子デバイス用組成物中の全ての溶媒と、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶質のハンセン溶解度パラメーター距離（Ｒａ _１ ）に対して、前記成分Ａと前記成分Ｂのハンセン溶解度パラメーター距離（Ｒａ _２ ）が、長く、
前記成分Ｃが、アルコール、又は芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物である
ことを特徴とする電子デバイス用組成物。

（式中、Ｘ_１～Ｘ_９は、それぞれ独立に－ＣＷ_ｍ（ｍは１～９を表し、それぞれＸ_１～Ｘ_９のいずれかに対応した置換基－ＣＷ_１～－ＣＷ_９）又は窒素原子を表す。Ｗ_１～Ｗ_９はそれぞれ独立に水素又は置換基を表す。Ｌ_１とＬ_２が互いに連結していない場合は、Ｌ_１及びＬ_２はそれぞれ独立に水素又は置換基Ｗ_ｍ１（ｍは１又は２を表し、それぞれＬ_１及びＬ_２のいずれかに対応した置換基Ｗ_１１又はＷ_２１）を表す。Ｌ_１とＬ_２は互いに連結していてもよく、その場合は、酸素、硫黄、炭素、及び窒素のいずれか一つの原子を介して互いに連結し６員環を形成する。炭素の場合はＣＳ_１Ｓ_２を表す。窒素の場合はＮＲ_１を表す。Ｌ_３及びＬ_４はそれぞれ独立に酸素、硫黄、－ＣＳ_ｎ１Ｓ_ｎ２、又は－ＮＲ_ｎ３（ｎは３又は４を表し、それぞれＬ_３及びＬ_４のいずれかに対応した置換基－ＣＳ_３１Ｓ_３２、－ＮＲ_３３、－ＣＳ_４１Ｓ_４２、又は－ＮＲ_４３）を表す。Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３１、Ｓ_３２、Ｓ_４１、Ｓ_４２、Ｒ_１、Ｒ_３３、Ｒ_４３、Ｗ_１１及びＷ_１２はそれぞれ独立に置換基を表す。）

２．前記Ｒａ_１が、１０以下であることを特徴とする第１項に記載の電子デバイス用組成物。

３．前記一般式（１）で表される構造を有する化合物の、Ｘ_１～Ｘ_９、Ｗ_ｍ、Ｒ_１、Ｒ _３３ 及びＲ _４３ のいずれかが、一つ又は複数の含フッ素溶媒溶解性基を有し、かつ、前記含フッ素溶媒溶解性基が、フッ素原子を有する基又は窒素原子を有する置換基であること特徴とする第１項又は第２項に記載の電子デバイス用組成物。

４．有機エレクトロルミネセンス素子の電子輸送層又は電子注入層形成用組成物として用いられることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の電子デバイス用組成物。

５．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の電子デバイス用組成物を含有することを特徴とする電子デバイス用インク。

６．前記電子デバイス用インクが、インクジェット印刷用インクであることを特徴とする第５項に記載の電子デバイス用インク。

７．第６項に記載の電子デバイス用インクを、インクジェットヘッドより吐出して、電子デバイス用薄膜を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

本発明の上記手段により、成膜した場合の膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が低減され、残存溶媒のデバイスへの影響を抑制して高い素子性能を発揮できる電子デバイス用組成物、当該電子デバイス用組成物を含有することで、湿式プロセス適性を有し、かつ、高い液安定性及び素子性能を発揮できる電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。

本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

前述のとおり、電子デバイス（素子）を構成する薄膜に含フッ素溶媒を用いた湿式プロセスによって成膜すると、特に材料中に溶解する溶質にヘテロ原子のようなルイス塩基性を持つものがあると、相互作用により含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が多くなることが知られており、素子性能が低下する場合があった。

本発明は、電気陰性度が比較的低く、かつ、ルイス塩基をトラップするルイス酸性を有するπ共役系ホウ素化合物と含フッ素溶媒とを含有する電子デバイス用組成物とすることで、成膜した場合の膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が低減され、残存溶媒のデバイスへの影響を抑制して高い素子性能を発揮できる電子デバイス用組成物が得られ、当該電子デバイス用組成物を含有することで、湿式プロセス適性を有し、かつ、高い液安定性及び素子性能を発揮できる電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法を提供できたものと考えられる。

なお、π共役系ホウ素化合物は、特に有機ＥＬ素子の電荷輸送材料に応用した際に優れた素子性能を発揮することが知られている。例えば国際公開第２０１７／１８３２６号及び国際公開第２０１５／１０２１１８号では乾式プロセスによる電子デバイスを作製すると、π共役系ホウ素化合物由来の高い電子輸送性を持つことが示されてきた。しかしながら、これらに示されるπ共役系ホウ素化合物は乾式プロセスによる成膜を行うと、部分的又は膜全体で結晶を形成してしまい、素子性能が低下してしまうという問題があった。

その対応策として国際公開第２０１６／１４３６２４号、及び国際公開第２０１６／１５２４１８号に示されるような湿式プロセスによるπ共役系ホウ素化合物の成膜が知られていたが、本発明の特徴である、含フッ素溶媒に対してπ共役系ホウ素化合物が有するルイス酸性を積極的に活かして、膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量を低減した例はない。

電子デバイスをインクジェットヘッドより吐出して形成するときの模式図 インクジェット印刷法を用いて、電子デバイスを塗布する方法の一例を示す模式図 インクジェット印刷方式に適用可能なインクジェットヘッドの構造の一例を示す概略斜視図 インクジェット印刷方式に適用可能なインクジェットヘッドの構造の一例を示す底面図

本発明の電子デバイス用組成物は、成分Ａ及び成分Ｂを含有する電子デバイス用組成物であって、前記成分Ａが含フッ素溶媒であり、かつ、前記成分Ｂが前記一般式（１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする。この特徴は、下記実施態様に共通する又は対応する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記電子デバイス用組成物中にさらに成分Ｃを含有し、前記成分Ｃは溶媒でも溶質でもよく、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶媒と、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶質のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離（Ｒａ_１）に対して、前記成分Ａと前記成分Ｂのハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離（Ｒａ_２）が、長いことが、電子デバイス用組成物の液安定性が向上する観点から、好ましい。

さらに、前記Ｒａ_１が、１０以下であることが、電子デバイス用組成物の液安定性がより向上する観点から、好ましい。

また、前記成分Ｃが、非共有電子対を有する原子を含むことが好ましく、前記成分Ｃが、アルコールであるか、前記成分Ｃの前記非共有電子対を有する原子が、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子であることが、電子デバイス用組成物の液安定性がより向上する観点から、好ましい。

また、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物の、Ｘ_１～Ｘ_９、Ｗ_ｍ、Ｒ_１、Ｒ _３３ 及びＲ _４３ のいずれかが、一つ又は複数の含フッ素溶媒溶解性基を有し、かつ、前記含フッ素溶媒溶解性基が、フッ素原子を有する基又は窒素原子を有する置換基であることが、電子デバイス用組成物の液安定性がより向上する観点から、好ましい。

本発明の電子デバイス用組成物は、電子輸送層又は電子注入層用組成物として用いることが、素子性能を向上させる観点から、好ましい。

本発明の電子デバイス用インクは、前記電子デバイス用組成物を含有することを特徴とする。

また、前記電子デバイス用インクが、インクジェット印刷用インクであることが、インクジェット印刷の高い生産性を利用できる観点から、好ましい。

また、本発明の電子デバイスの製造方法は、前記電子デバイス用インクを、インクジェットヘッドより吐出して、電子デバイス用薄膜を形成することを特徴とする。本発明の電子デバイス用インクを用いることで、湿式プロセス適性を有し、かつ、含フッ素溶の膜中残存量が低下することにより、残存する含フッ素溶媒の電子デバイスへの影響を抑制し、高い素子性能を発揮できる。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

≪本発明の電子デバイス用組成物の概要≫
本発明の電子デバイス用組成物は、成分Ａ及び成分Ｂを含有する電子デバイス用組成物であって、前記成分Ａが含フッ素溶媒であり、かつ、前記成分Ｂが下記一般式（１）で表される構造を有する化合物であることを特徴とし、詳しくは、成分Ａとして含フッ素溶媒と、成分Ｂとして電気陰性度が比較的低く、かつ、ルイス塩基をトラップするルイス酸性を有する特定のπ共役系ホウ素化合物とを含有することで、成膜した場合の膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量を低減できることから、高い素子性能を発揮する電子デバイス用組成物である。

本発明は当該電子デバイス用組成物をインクジェット印刷用インクに適用することによって、湿式プロセス適性を有し、かつ、高い液安定性及び素子性能を発揮できる電子デバイス用インク及び電子デバイスの製造方法が得られることを見出したものである。

したがって、本発明の電子デバイス用組成物は、溶質である成分Ｂが含フッ素溶媒である成分Ａに溶解して、溶液を形成している態様であることから、液安定性は重要な特性であって、液安定性を表す一つの指標であるハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離について最初に説明する。

＜ハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離＞
本発明に係るハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離（以下「ＨＳＰ距離」ともいう。）とは、ハンセン溶解度パラメーター（Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ：ＨＳＰ；「ＨＳＰ値」ともいう。）を用いた物質間の溶解性の類似性を表す指標をいう。

ハンセン溶解度パラメーターは、溶解性を多次元（典型的には三次元）のベクトルで表すものであり、当該ベクトルは、分散項、極性項、水素結合項で表すことができる。そして、当該ベクトルの類似度を、ハンセン溶解度パラメーターの距離として表すものであり、ベクトルが似ているもの同士は、溶解性が高いと判断できる。

以下において、ＨＳＰ値とＨＳＰ距離について更に詳しく説明する。

（ＨＳＰ値）
ハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ値）とは、ある物質（例えば、溶質などの分散質）がある物質（例えば、溶媒などの分散媒）にどのくらい溶けるのかを示す溶解性の指標であり、ヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）によって導入された溶解度パラメーター（ＳＰ値）を分散項（ｄＤ）、極性項（ｄＰ）、水素結合項（ｄＨ）の三つに分割し三次元のベクトルとして捉えたものである。

なお、物質固有のＨＳＰ値は次式（ａ）に定義され、ハンセンが提唱したこの考え方は、「化学工業社、化学工業２０１０年３月号 山本博志、Ｓｔｅｖｅｎ Ａｂｂｏｔｔ、Ｃｈａｒｌｅｓ Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ」に記載されている。

式（ａ）
ＨＳＰ値＝（ｄＤ^２＋ｄＰ^２＋ｄＨ^２）^１／２
ｄＤ：分散項
ｄＰ：極性項
ｄＨ：水素結合項
（ＨＳＰ距離）
次に、ハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離（以降、ＨＳＰ距離という。）とは、溶媒やポリマー等の任意の異なる物質同士のＨＳＰベクトルの距離であり、ＨＳＰ距離が小さいほど溶解しやすいといった指標である。なお、ＨＳＰ距離は次式（ｂ）に定義され、この考え方は「化学工業社、化学工業２０１０年４月号 山本博志、Ｓｔｅｖｅｎ Ａｂｂｏｔｔ、Ｃｈａｒｌｅｓ Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ」に記載されている。

式（ｂ）
ＨＳＰ距離＝（４×（ｄＤ_１－ｄＤ_２）^２＋（ｄＰ_１－ｄＰ_２）^２＋（ｄＨ_１－ｄＨ_２）^２）^１／２
ｄＤ_１：任意の物質１の分散項
ｄＤ_２：任意の物質２の分散項
ｄＰ_１：任意の物質１の極性項
ｄＰ_２：任意の物質２の極性項
ｄＨ_１：任意の物質１の水素結合項
ｄＨ_２：任意の物質２の水素結合項
しかしながら、新規の材料のＨＳＰを取り扱う際に、例えば凝集エネルギー密度計算のような汎用的計算手法では水素結合項の値を計算することができず、ＨＳＰの値を求めることができない。その場合、分散項と極性項のみでＨＳＰパラメーターを取り扱うこともできる。その際は式（ｂ）を式（ｃ）として用いることでＨＳＰ距離（Ｒａ）を算出する。

式（ｃ）
ＨＳＰ距離＝（４×（ｄＤ_１－ｄＤ_２）^２＋（ｄＰ_１－ｄＰ_２）^２）^１／２
本発明において、ＨＳＰ値及びＨＳＰ距離は、具体的には、次のようにして求めた値を用いた。

各溶媒、溶質材料のＨＳＰ計算にはｍａｔｅｒｉａｌ ｓｔｕｄｉｏ ｖｅｒ８のｆｏｒｃｉｔｅモジュールを用いて分散項と極性項の計算を行った。また、溶媒が複数ある場合にはそれらの体積比に応じてそれぞれの材料に対応する割合を乗じてＨＳＰ距離を求めた。具体的には、溶媒１と溶媒２があり、その体積比が百分率でＶ_１、Ｖ_２であったとき、溶媒の分散項、極性項は式（ｄ）のように算出する。そのため、成分Ｃが溶媒である場合には式（ｅ）のようにＨＳＰ距離が計算される。ここで、溶質成分は溶質３として表記している。また、成分Ｃが溶質である場合にはπ共役系ホウ素材料と成分Ｃをそれぞれ独立に溶媒と溶質とのＨＳＰ距離を計算し、値の大きい方、すなわち溶解性が低い方をＲａ１として値を用いる。ただし、成分Ｃが非共有電子対を持つ原子を有する材料である場合には、π共役系ホウ素材料のホウ素原子と非共有電子対を持つ原子とが配位結合した混合体を一つの溶質と見なして分散項と極性項の計算を行う。例えば、下記例示反応式Ｘ１に示されるようなπ共役系ホウ素材料とトリエチルアミン(ＴＥＡ)を想定したとき、これらを独立、分散項と極性項を算出するのではなく、混合体Ｘ１を溶質とみなして分散項、極性項をそれぞれ計算しＨＳＰ及びＨＳＰ距離の算出を行う。このときのＨＳＰ距離は任意の含フッ素溶媒１を用いたときに式(ｆ)のように表される。

式（ｄ）
ｄＤ_{ｓｏｌｖｅｎｔ}＝ｄＤ_１×Ｖ_１＋ｄＤ_２×Ｖ_２
ｄＰ_{ｓｏｌｖｅｎｔ}＝ｄＰ_１×Ｖ_１＋ｄＰ_２×Ｖ_２
ｄＤ_１：任意の溶媒１の分散項
ｄＤ_２：任意の溶媒２の分散項
ｄＰ_１：任意の溶媒１の極性項
ｄＰ_２：任意の溶媒２の極性項
式（ｅ）
ＨＳＰ距離＝（４×（（ｄＤ_１×Ｖ_１＋ｄＤ_２×Ｖ_２）－ｄＤ_３）^２＋（（ｄＰ_１×Ｖ_１＋ｄＰ_２×Ｖ_２）－ｄＰ_３）^２）^１／２
ｄＤ_１：任意の溶媒１の分散項
ｄＤ_２：任意の溶媒２の分散項
ｄＤ_３：任意の溶質３の分散項
ｄＰ_１：任意の溶媒１の極性項
ｄＰ_２：任意の溶媒２の極性項
ｄＰ_３：任意の溶質３の極性項

式（ｆ）
ＨＳＰ距離＝（４×（ｄＤ_１－ｄＤ_Ｘ１）^２＋（ｄＰ_１－ｄＰ_Ｘ１）^２）^１／２
ｄＤ_１ ：任意の含フッ素溶媒１の分散項
ｄＤ_Ｘ１：混合体Ｘ１の分散項
ｄＰ_１ ：任意の含フッ素溶媒１の極性項
ｄＰ_Ｘ１：混合体Ｘ１の極性項

本発明において、前記電子デバイス用組成物中にさらに成分Ｃを含み、前記成分Ｃは溶媒でも溶質でもよく、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶媒と、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶質のＨＳＰ距離（Ｒａ_１）に対して、前記成分Ａと前記成分ＢのＨＳＰ距離（Ｒａ_２）が、長いこと（Ｒａ_２＞Ｒａ_１）が、液安定性の観点から好ましい。さらに、前記Ｒａ_１が、１０以下であることが、好ましい。

これは、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物と含フッ素溶媒とを含有する電子デバイス用組成物は、電子デバイス用インクとして湿式プロセスに用いる場合に、前述のとおり液安定性が高いことが好ましい。

液安定性を向上させる手段として、上述の含フッ素溶媒の膜中残存量に影響のない範囲で成分Ａ及び成分Ｂ以外の第三成分（本発明に係る「成分Ｃ」。）を混合する手段が考えられる。ここで混合する第三成分は溶媒、溶質のいずれでもよく、溶媒と溶質のＨＳＰ距離（Ｒａ）から評価することができる。ＨＳＰ距離はその距離が短くなるものほど電子デバイス用組成物の液安定性は向上するため、電子デバイス用組成物中の全ての溶媒と全ての溶質のＨＳＰ距離が、含フッ素溶媒のみとπ共役系ホウ素化合物のみでのＨＳＰ距離より短くなるようにすることで、液安定性に富む電子デバイス用組成物を提供することができる。特に、実質的に電子デバイス用組成物をインクとして生産し、インクとして射出するまでの期間を考慮すると、ＨＳＰ距離は１０以下であることが望ましく、その中でもアルコール溶媒を含むものは液安定性に非常に富んでいる。

液安定性を向上させる他の手段は、非共有電子対を持つ第三成分を混合する方法である。この手法ではホウ素部位の空軌道に第三成分が配位結合し、π共役系ホウ素化合物の極性を変化させ含フッ素溶媒への液安定性をさらに向上させることができる。この第三成分は湿式プロセスにより成膜後に加熱することで脱離するものでもよく、その場合は膜中から第三成分を排除できるため含フッ素溶媒の膜中残存に対して悪影響を与えない。また、第三成分が膜中に残存する材料である場合、含フッ素溶媒との相互作用を引き起こすことが懸念されるが、π共役系ホウ素化合物のルイス酸性が第三成分をトラップするため、含フッ素溶媒を含む膜中の溶媒残存量は減少する。また、非共有電子対を持つ原子は、窒素原子であることがより好ましい。

さらに別の手段としてπ共役系ホウ素化合物そのものの構造に液安定性基を持たせる手段もある。上記の手段を鑑みて、溶解性基は溶媒との親和性を高めるためにフッ素基を持つ置換基かπ共役系ホウ素化合物のホウ素へ配位結合できる官能基が好ましい。この場合、π共役系ホウ素化合物同士で配位結合したり、分子内で配位結合が起こる。ただし、上述のとおりルイス塩基性を持つ求核性を持つ官能基であっても、π共役系ホウ素化合物のルイス酸性により含フッ素溶媒を含む膜中の溶媒残存量は減少するものと推察される。

いずれも、液安定性の指標はＨＳＰ距離で判断することができ、適切な材料の構成に資するものである。

＜本発明の構成＞
〔１〕成分Ａ
本発明に係る成分Ａは、フッ素化合物を含有する溶媒（本発明では含フッ素溶媒という。）である。

前記含フッ素溶媒は常温・常圧下では液体、すなわち溶媒として機能する態様である。液体であれば、膜形成した場合に溶質（例えば、本発明に係る成分Ｂ）を均一に分布することができる。

含フッ素溶媒は、例えば、フッ素含有炭化水素、フッ素含有アルコール、フッ素含有芳香族化合物、フッ素含有エーテル、フッ素含有ケトン、フッ素含有エステル、フッ素含有アミド、フッ素含有カルボン酸などが挙げられる。

本発明においては、これらの中でも、発光効率や低電圧で駆動できる素子が得られるなどの観点で、フッ素含有アルコールを用いることが好ましい。

好ましいフッ素含有アルコールの一つとして、下記一般式（ａ）また、一般式（ｂ）、（ｃ）で表される化合物を挙げることができる。

一般式（ａ） Ａ－ＣＨ_２ＯＨ
一般式（ａ）において、ＡはＣＦ_３又はＣＨＦ_２（ＣＦ_２）ｎを表し、ｎは１～５の整数を表す。より好ましくは１～３であり、さらに好ましくは１である。フッ素含有アルコールの具体例としては、例えば下記化合物が挙げられる。

一般式（ｂ）及び（ｃ）において、Ａ、Ｂ、及びＤは、それぞれ独立にＣＨ_３－ｘＦ_ｘ又はＣＨ_３－ｘＦ_ｘ（ＣＨ_２－ｙＦ_ｙ）_ｎを表し、ｘは１～３、ｙは１～２、ｎは０～１の整数を表す。

これらフッ素含有アルコールの具体例としては、例えば下記化合物が挙げられる。
２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、
２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロパノール、
２－トリフオロメチル－２－プロパノール、
２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロブタノール、
２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロペンタノール、
１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２－プロパノール、
２，２，２－トリフルオロ－１－エタノール、
２，３－ジフルオロベンジルアルコール、
２，２，２－トリフルオロエタノール、
１，３－ジフルオロ－２－プロパノール、
１，１，１－トリフルオロ－２－プロパノール、
３，３，３－トリフルオロ－１－プロパノール、
２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロ－１－ブタノール、
２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール、
３，３，４，４，５，５，５－ヘプタフルオロ－２－ペンタノール、
２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－ペンタデカフルオロ－１－オクタノール、
３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－オクタノール、
１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロ－１－ヘプタノール
１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ－パーフルオロ－１－ノナノール、
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ－パーフルオロノナン－１，２－ジオール、
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロ－１－デカノール、
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ－パーフルオロウンデカン－１，２－ジオール
さらに、フッ素含有プロパノールが好ましく、さらに、２，２，３，３－テトラフルオロ－２－プロパノール、若しくは、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２－プロパノール、若しくは、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロパノールが好ましい。

本発明で用いられるこれらの含フッ素溶媒は蒸留したものを用いることが好ましい。

〔２〕成分Ｂ
〔２．１〕
本発明に係る成分Ｂは、下記一般式（１）で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物である。

（式中、Ｘ_１～Ｘ_９は、それぞれ独立に－ＣＷ_ｍ（ｍは１～９を表し、それぞれＸ_１～Ｘ_９のいずれかに対応した置換基－ＣＷ_１～－ＣＷ_９）又は窒素原子を表す。Ｗ_１～Ｗ_９はそれぞれ独立に水素又は置換基を表す。Ｌ_１とＬ_２が互いに連結していない場合は、Ｌ_１及びＬ_２はそれぞれ独立に水素又は置換基Ｗ_ｍ１（ｍは１又は２を表し、それぞれＬ_１及びＬ_２のいずれかに対応した置換基Ｗ_１１又はＷ_２１）を表す。Ｌ_１とＬ_２は互いに連結していてもよく、その場合は、酸素、硫黄、炭素、及び窒素のいずれか一つの原子を介して互いに連結し６員環を形成する。炭素の場合はＣＳ_１Ｓ_２を表す。窒素の場合はＮＲ_１を表す。Ｌ_３及びＬ_４はそれぞれ独立に酸素、硫黄、－ＣＳ_ｎ１Ｓ_ｎ２、又は－ＮＲ_ｎ３（ｎは３又は４を表し、それぞれＬ_３及びＬ_４のいずれかに対応した置換基－ＣＳ_３１Ｓ_３２、－ＮＲ_３３、－ＣＳ_４１Ｓ_４２、又は－ＮＲ_４３）を表す。Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３１、Ｓ_３２、Ｓ_４１、Ｓ_４２、Ｒ_１、Ｒ_３３、Ｒ_４３、Ｗ_１１及びＷ_１２はそれぞれ独立に置換基を表す。）

一般式（１）において、Ｘ_１～Ｘ_９は、それぞれ独立に－ＣＷ_ｍ（ｍは１～９を表し、Ｘ_１～Ｘ_９のいずれかに対応した置換基－ＣＷ_１～－ＣＷ_９を表す。）又は窒素原子であり、Ｗ_１～Ｗ_９はそれぞれ独立に水素又は置換基であるが、Ｘ_１～Ｘ_９の内の少なくとも一つが－ＣＷ_ｍであることが好ましく、より好ましくはＸ_１～Ｘ_９の内の３～６、さらに好ましくはＸ_１～Ｘ_９の全てが－ＣＷ_ｍである。－ＣＷ_ｍの数が多いと熱力学的安定性が向上するため好ましい。

また、Ｌ_１及びＬ_２はそれぞれ独立に水素又は置換基Ｗ_ｍ１（ｍは１又は２を表し、それぞれＬ_１及びＬ_２のいずれかに対応した置換基Ｗ_１１又はＷ_２１）を表す。

Ｗ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表される置換基としては、特に限定はないが、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族環基、及び芳香族複素環基などが挙げられる。なお、これらの置換基には、構造の一部に他の置換基を有する場合も含まれる。

Ｗ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状、及び、環状のいずれの構造であってもよい。アルキル基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基が含まれる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、２－ヘキシルオクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、２－ヘキシルオクチル基が挙げられる。これらのアルキル基が有する置換基としては、ハロゲン原子、後述の芳香族炭化水素環基、後述の芳香族複素環基、後述のアミノ基等が挙げられる。

Ｗ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表されるアルコキシ基は、直鎖状、分岐状、又は、環状のいずれの構造であってもよい。アルコキシ基の例には、炭素数１～２０の直鎖状、分岐状、又は環状のアルコキシ基が含まれる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、ｎ－ウンデシルオキシ基、ｎ－ドデシルオキシ基、ｎ－トリデシルオキシ基、ｎ－テトラデシルオキシ基、２－ｎ－ヘキシル－ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ペンタデシルオキシ基、ｎ－ヘキサデシルオキシ基、ｎ－ヘプタデシルオキシ基、ｎ－オクタデシルオキシ基、ｎ－ノナデシルオキシ基、ｎ－イコシルオキシ基が挙げられる。これらの中でも、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ－ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、２－ヘキシルオクチルオキシ基が好ましい。これらのアルコキシ基が有する置換基としては、ハロゲン原子、後述する芳香族炭化水素環基、後述する芳香族複素環基、後述のアミノ基等が挙げられる。

Ｗ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表される芳香族炭化水素環基としては、例えば、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピレン環、ペンタレン環、アセアントリレン環、ヘプタレン環、トリフェニレン環、ａｓ－インダセン環、クリセン環、ｓ－インダセン環、プレイアデン環、フェナレン環、フルオランテン環、ペリレン環、アセフェナントリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、テトラフェニル環等が挙げられる。これらの芳香族炭化水素環基が有する置換基としては、ハロゲン原子、上述のアルキル基、上述のアルコキシ基、後述する芳香族複素環基、後述するアミノ基等が挙げられる。

Ｗ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表される芳香族複素環基としては、例えば、カルバゾール環、インドロインドール環、９，１０－ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ベンゾフリルベンゾフラン環、ジベンゾシロール環等が挙げられる。これらの芳香族複素環基が有する置換基としては、ハロゲン原子、上述のアルキル基、上述のアルコキシ基、上述の芳香族炭化水素環基、後述するアミノ基等が挙げられる。

Ｗ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表されるアミノ基が有する置換基としては、例えば、ハロゲン原子、上述のアルキル基、上述の芳香族炭化水素環基、及び、上述の芳香族複素環基等が挙げられる。

一般式（１）中、Ｌ_１とＬ_２は互いに結合していてもよく、その場合は酸素、硫黄、炭素、窒素のいずれか一つの原子を介して連結して６員環を形成している。炭素の場合はＣＳ_１Ｓ_２、窒素の場合はＮＲ_１となる。Ｌ_３、Ｌ_４はそれぞれ独立に酸素、硫黄、－ＣＳ_ｎ１Ｓ_ｎ２又は、－ＮＲ_ｎ（ｎは３又は４を表し、それぞれＬ_３及びＬ_４のいずれかに対応した置換基－ＣＳ_３１Ｓ_３２、－ＮＲ_３３、－ＣＳ_４１Ｓ_４２、又は－ＮＲ_４３）である。

ＮＲ_１、ＮＲ_３３、ＮＲ_４３で表される上記構造において、Ｒ_１、Ｒ_３３、Ｒ_４３は独立に水素原子、鎖状アルキル基、環状アルキル基、芳香族炭化水素環基、又は、芳香族複素環基を表す。Ｒ_１、Ｒ_３３、Ｒ_４３で表される鎖状アルキル基、及び、環状アルキル基としては、上述のＷ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１、Ｗ_２１で表されるアルキル基から、鎖状又は環状のものが挙げられる。芳香族炭化水素環基、及び、芳香族複素環基としては、上述のＷ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１、Ｗ_２１で表される芳香族炭化水素環基、及び、芳香族複素環基と同じものが挙げられる。

Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３１、Ｓ_３２、Ｓ_４１、Ｓ_４２で表される置換基としては鎖状アルキル基、環状アルキル基、芳香族炭化水素環基、又は、芳香族複素環基を表す。Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３１、Ｓ_３２、Ｓ_４１、Ｓ_４２で表される鎖状アルキル基、及び、環状アルキル基としては、上述のＷ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表されるアルキル基から、鎖状又は環状のものが挙げられる。芳香族炭化水素環基、及び、芳香族複素環基としては、上述のＷ_１～Ｗ_９、Ｗ_１１及びＷ_２１で表される芳香族炭化水素環基、及び、芳香族複素環基と同じものが挙げられる。

一般式（１）で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物は、下記一般式（２）で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物であることが好ましい。

一般式（２）中、Ｘ_１～Ｘ_９は独立に－ＣＷ_ｍ（ｍは１～９を表し、Ｘ_１～Ｘ_９のいずれかに対応した置換基－ＣＷ_１～－ＣＷ_９を表す。）か窒素であり、Ｗ_１～Ｗ_９は独立に水素又は置換基である。Ｌ_１、Ｌ_３、Ｌ_４はそれぞれ独立に酸素、硫黄、又は－ＮＲ_ｎである（ｎは１、３又は４を表し、それぞれＬ_１、Ｌ_３、Ｌ_４のいずれかに対応した置換基－ＮＲ_１、－ＮＲ_３、－ＮＲ_４）。Ｒ_１、Ｒ_３、及びＲ_４は独立に置換基である。当該置換基としては、上記一般式（１）の説明で挙げたアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族環基、及び芳香族複素環基等の置換基であることが好ましい。

さらに、前記一般式（２）で表される構造を有する化合物は、下記一般式（３）で表される構造を有する化合物であることが好ましい

一般式（３）中、Ｘ_１～Ｘ_９は独立に－ＣＷ_ｍ（ｍは１～９を表し、Ｘ_１～Ｘ_９のいずれかに対応した置換基－ＣＷ_１～－ＣＷ_９を表す。）であり、Ｗ_１～Ｗ_９は独立に水素又は置換基である。当該置換基としては、上記一般式（１）の説明で挙げたアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族環基、及び芳香族複素環基等の置換基であることが好ましい。

本発明に用いるπ共役系ホウ素化合物は、１分子中に、一般式（１）で表される構造を一つだけ有してもよいし、二つ以上有してもよい。一般式（１）で表される構造が二つ以上含まれる場合、それらは互いに同一であってもよいし、異なってもよい。

以下に、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物の好ましい具体例を挙げるが、これらの化合物はさらに置換基を有していてもよく、これらの構造異性体などであってもよく、本記述に限定されない。

〔２．２〕一般式（１）～（３）で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物の合成 一般式（１）～（３）で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物は、公知の合成法により合成される。

例えば、例示化合物であるトリアリールボランの製造方法は、下記一般式（４）で表される構造を有するトリアリールボラン中間体を用いて下記一般式（５）で表される構造を有するトリアリールボランを製造することが好ましい。

（一般式（４）及び一般式（５）中、Ｙ及びＺは、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基の保護基を表す。Ｒ_１１～Ｒ_１９は、それぞれ独立に、水素原子、鎖状アルキル基、環状アルキル基、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。）
Ｒ_１１～Ｒ_１９は、一般式（１）で記載したＸ_１～Ｘ_９と同義である。

Ｙ及びＺで表されるヒドロキシ基の保護基としてはスルホニル基を好ましく用いることができる。中でもトリフルオロメタンスルホナート基が好ましく、Ｙが水素原子を表し、Ｚがトリフルオロメタンスルホナート基を表すことが好ましい。

この合成方法は、まずフェノキサボリン骨格が二重になったような構造の化合物（一般式（４））を用意し、該化合物の開環している部分を、分子内環化反応を利用することで、酸素原子でブリッジされた一般式（５）で表される本発明の化合物を得るというものである。

分子内環化反応は、求核置換反応を利用することが、高収率、合成の容易性の観点から好ましく、この場合、二つの酸素原子を含む置換基の内、一方をヒドロキシ基、他方をヒドロキシ基の保護基とする必要がある。

また、下記一般式（６）で表される構造を有する化合物を用いて下記一般式（７）で表される前記トリアリールボラン中間体を製造することが好ましい。

（一般式（６）及び一般式（７）中、Ｔ及びＵは、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基の保護基を表す。Ｒ_２０～Ｒ_２８は、水素原子、鎖状アルキル基、環状アルキル基、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。）
Ｒ_２０～Ｒ_２８は、一般式（１）で記載したＸ_１～Ｘ_９と同義である。

Ｔ及びＵで表される、ヒドロキシ基の保護基としては、メチル基かスルホニル基を好ましく用いることができる。なかでもＴ及びＵが、ともにメチル基を表すことが好ましい。

この製造方法は、三つのアリール基が酸素原子でブリッジされているエーテル化合物（一般式（６））を用意し、該化合物をホウ素を有する試薬と反応させて三つの炭素－ホウ素結合を形成され、フェノキサボリン骨格が二重になったような構造の化合物（一般式（７））を得るというものである。

一般式（６）中の末端の酸素原子の置換基は、ともに該反応に悪影響を与えることなく、高収率を実現できる置換基であることが好ましい。

また、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物の合成は、国際公開第２０１７／０１８３２６号、国際公開第２０１５／１０２１１８号、特開２０１７－１２６６０６号公報、中国特許第１０６１６７５５３号、及び中国特許１０６４６７５５４号等を参照して行うことができる。

〔２．３〕一般式（１）～（３）で表される構造を有するπ共役系ホウ素化合物の用途 本発明においては、π共役系ホウ素化合物として前記一般式（１）～（３）で表される構造を有するホウ素化合物を使用する。ホウ素化合物は元々ホウ素由来の特性である電子輸送性と高発光率に優れている。しかし、第１３属元素であるホウ素は、空のｐ軌道を有する電子欠損性の元素であることから、求核種による攻撃を受けやすく、不安定である。ホウ素を炭素骨格に組み込み、好ましくは、その周りの三方を完全に環化することによって、ホウ素が分子から外れにくくなる。その結果、ホウ素の有する電子受容性を損なうことなく、高温下における熱安定性を高めることができる。このようなホウ素化合物は、電子輸送性と高発光率に優れている。

さらに、π共役系ホウ素化合物が電子供与性基を含むと、広いπ共役面で電荷分離状態を安定化することが可能となり、遅延蛍光材料（ＴＡＤＦ発光材料ともいう。）のアクセプターユニットとして利用することができる。

本発明に係るπ共役系ホウ素化合物は、有機ＥＬ素子等の電子デバイスにおいて、蛍光発光性化合物とすることができる。また、本発明のπ共役系ホウ素化合物は、有機ＥＬ素子のホスト化合物とすることもできる。この場合、発光層には、本発明のπ共役系ホウ素化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも１種を含有することが、高発光性の観点から好ましい。さらに、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物は、有機ＥＬ素子において、アシストドーパントとすることもでき、この場合、発光層には、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも１種と、ホスト化合物とを含有することが、高発光性の観点から、好ましい。

また、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物は、バイポーラー性を有し、様々なエネルギー準位に対応できることから、蛍光性化合物、発光ホスト、アシストドーパントとして使用できるのみならず、正孔輸送、電子輸送にも適した化合物として使用することができる。したがって、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物は、有機ＥＬ素子の発光層における使用に限定されず、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層などに用いることができる。

本発明に係るπ共役系ホウ素化合物は、上記一般式（１）から明らかなように、ホウ素を炭素骨格に組み込み、ホウ素周りの三方を好ましくは環化した構造であり、このホウ素周りの環には単結合の酸素原子又は硫黄原子が含まれている、トリアリールボランであることが好ましい。従来のトリアリールボランは、ホウ素を取り囲むように大きな立体障害基がないと安定に存在できなかったが、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物においては、円盤状の形状と、三つの酸素原子又は硫黄原子、好ましくは酸素原子、からの電子注入とにより、全くの平面でありながら、非常に安定であり、空気中で加熱しても分解しない化合物となった。本発明においては、当該π共役系ホウ素化合物の全くの平面であり、かつ、電子欠乏性の空軌道を持つという特徴に基づく、トリアリールアミンに代表される３級アミンや、ピリジンに代表される含窒素芳香族複素環との相互作用に着目した。この相互作用を利用し、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物を正孔輸送材料と併用することによって、正孔移動を向上させることができる。また、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物を電子輸送材料と併用することによって、電子移動が向上することも見出した。

本発明に係るπ共役系ホウ素化合物を正孔輸送材料と併用することで正孔移動が向上する機構は、次のように考えられる。通常、正孔輸送は、ＨＯＭＯが存在するアミン部分を分子間ホッピングして移動することで正孔が輸送される。これに本発明に係るπ共役系ホウ素化合物（以下、しばしば、「プラナーボラン」とも称する）を加えた系について考えてみると、正孔輸送材料のアミン部分とプラナーボランとが相互作用する。具体的には、（電界を与えない状態でも）アミン部分からプラナーボランへの電子移動が生じることによって、アミン部分を分子間ホッピングする単純な系に比べると、圧倒的な斥力が働き、正孔輸送性が向上する。

次に、電子輸送向上機構について説明する。通常、電子輸送は、ＬＵＭＯ（最低空分子軌道）が存在する芳香族複素環（例えば、オキサゾール部分）を分子間ホッピングして移動することで電子が輸送される。これにプラナーボランを加えた系について考えてみると、オキサゾール部分とプラナーボランが相互作用する。具体的には、（電界を与えない状態でも）オキサゾール部分からプラナーボランへの電子移動が生じることによって、オキサゾール部分を分子間ホッピングする単純な系に比べると、圧倒的な斥力が働き、電子輸送性が向上する。

また、プラナーボランは、アミン化合物や含窒素芳香族複素環と相互作用するのみならず、陰極に用いられる金属とも相互作用する。陰極に用いられるのは、仕事関数の小さい金属であるが、特に、有機ＥＬ素子用陰極としては、アルミ、銀、マグネシウム銀合金がよく用いられている。これら金属とも、プラナーボランは相互作用するため、π共役系ホウ素化合物を含有する有機層が、陰極に隣接すると、陰極と隣接層との界面で、相互作用に起因する界面分極が生じる。これにより、金属の仕事関数の低下を引き起こして、電子注入を加速することができる。

特に、下層を溶かさずに、上層の材料を溶解することができ、かつ膜中の含フッ素溶媒を含む溶媒残存量が低減され、デバイスへの影響を抑制して高い素子性能を発揮できる本発明の効果を、より有効に発現する観点から、本発明の電子デバイス用組成物又はインクは電子輸送層若しくは電子注入層に用いることが、好ましい。

〔３〕成分Ｃ
本発明に係る含フッ素溶媒とπ共役系ホウ素化合物とを含有する電子デバイス用組成物は、電子デバイス用インクとして湿式プロセスに用いる場合に、液安定性が高い方が好ましく、液安定性を向上させる手段として、上述の含フッ素溶媒の膜中残存量に影響のない範囲で成分Ａ及び成分Ｂ以外の第三成分（本発明に係る「成分Ｃ」ともいう。）を混合することが好ましい。

本発明に係る成分Ｃは、溶質でも溶媒でもよいが、非共有電子対を有する原子を含むことが好ましく、前記成分Ｃが、アルコール（アルコール系溶媒）であることが好ましい。また、前記成分Ｃの前記非共有電子対を有する原子が、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子であることが、好ましい。

〔３．１〕アルコール
本発明に好適に用いられるアルコール系溶媒は、一般のアルコール類や多価アルコール類であって、特に限定されるものではないが、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、エチレングリコール、シクロペンタン、ｏ－キシレン、トルエン、ヘキサン、テトラリン、メシチレン、ベンゼン、メチルシクロヘキサン、エチルベンゼン、１，３－ジエチルベンゼン、イソホロン、２－ヘキサノール、トリエチルアミン、シクロヘキサノン、ジイソプロピルアミン、イソプロピルアルコール、ピリジン、アセトフェノン、２－ブトキシエタノール、１－ブタノール、トリエタノールアミン、アニリン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＤＥＧＭＢＥ）、トリブチルアミン、ジエチルアミノエチルアミン、１－ペンタノール、及びジオキサン等を例示することができる。

〔３．２〕芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物
本発明の成分Ｃとして、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物を用いることが、液安定性をより高める観点から好ましい。

本発明において、「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」とは、非共有電子対を持つ窒素原子であって、当該非共有電子対が不飽和環状化合物の芳香族性に必須要素として直接的に関与していない窒素原子のことをいう。すなわち、共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、非共有電子対が、化学構造式上、芳香性発現のために必須のものとして関与していない窒素原子をいう。

以下、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」について説明する。

窒素原子は第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となるため、通常窒素原子の結合本数は３本である。

例えば、アミノ基（－ＮＲ^１Ｒ^２）、アミド基（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１Ｒ^２）、ニトロ基（－ＮＯ_２）、シアノ基（－ＣＮ）、ジアゾ基（－Ｎ_２）、アジド基（－Ｎ_３）、ウレア結合（－ＮＲ^１Ｃ＝ＯＮＲ^２－）、イソチオシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（－Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ^１Ｒ^２）などが挙げられ、これらは本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。なお、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ置換基を表す。

このうち、例えば、ニトロ基（－ＮＯ_２）の共鳴式は、下記のように表すことができる。ニトロ基における窒素原子の非共有電子対は、厳密には、酸素原子との共鳴構造に利用されているが、本発明においては、ニトロ基の窒素原子も非共有電子対を持つこと定義する。

一方、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。例えば、下記に示すように、テトラブチルアンモニウムクロライド（略称：ＴＢＡＣ）は、四つ目のブチル基が窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。

また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）は、イリジウム原子と窒素原子が配位結合している中性の金属錯体である。これらの化合物は窒素原子を有するものの、その非共有電子対がそれぞれイオン結合、配位結合に利用されてしまっているため、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」には該当しない。

すなわち、本発明は、結合に利用されていない窒素原子の非共有電子対を有効利用するというものである。

下記に示す構造式において、左側はテトラブチルアンモニウムクロライド（略称：ＴＢＡＣ）、右側はトリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）の構造を示す。

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、などが挙げられる。

ピリジン環の場合、下記に示すように、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、－ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。

したがって、ピリジン環の窒素原子は、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。以下に、ピリジン環の分子軌道を示す。

ピロール環の場合は、下記に示すように、５員環内を構成する炭素原子の一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員されている。

したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、芳香族性発現のために必須のものとして利用されてしまっているため、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」には該当しない。

以下に、ピロール環の分子軌道を示す。

一方、イミダゾール環は、下記に示すように、５員環内に二つの窒素原子が１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。窒素原子Ｎ^１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子である。一方、窒素原子Ｎ^２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子である。

したがって、イミダゾール環の窒素原子Ｎ^１は、本発明の「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当する。以下に、イミダゾール環の分子軌道を示す。

また、含窒素芳香環骨格を有する縮環化合物の場合も同様である。例えば、δ－カルボリンは、下記に示すように、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格及びピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は、１個の不対電子のみを、ピロール環の窒素原子Ｎ^４は、非共有電子対を、それぞれπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。

したがって、δ－カルボリンの二つの窒素原子のうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ^３は本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当するが、ピロール環の窒素原子Ｎ^４はこれに該当しない。

このように、ピリジン環やピロール環は、その骨格が縮環化合物中に組み込まれている場合でも、その効果が阻害されたり抑制されたりすることはなく、単環として利用したときとなんら相違はない。以下に、δ－カルボリンの分子軌道を示す。

以上のように、本発明で規定する「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」は、その非共有電子対を導電性層の主成分である銅、金、又は白金と強い相互作用を発現するために重要である。そのような窒素原子としては、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物としては、芳香族複素環を有することが好ましく、該芳香族複素環としては、ピリジン環が好ましい。

また、本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物は、臭素原子、ヨウ素原子又は硫黄原子を有する有機化合物であることが好ましい。中間層に含有される有機化合物は、これらの原子を用いることで、主骨格によることなく、本発明の目的とする効果を発現できる。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物の具体的化合物として、特に制限はないが、下記一般式（１）～一般式（IV）で表される化合物を一例として挙げることができる。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を挙げることができる。

上記一般式（Ｉ）において、ＸはＮＲ_１、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｅ_１～Ｅ_８は、それぞれ独立にＣＲ_２又は窒素原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

一般式（Ｉ）において、Ｒ_１で表される置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基、リン酸エステル基、ホスホノ基等が挙げられる。

一般式（１）において、Ｒ_２で表される置換基としては、Ｒ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（II）で表される化合物であることが好ましい。

上記一般式（II）において、Ｅ_９～Ｅ_１５はそれぞれ独立にＣＲ_４を表す。Ｒ_３及びＲ_４はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

上記一般式（II）において、Ｒ_３及びＲ_４で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

また、上記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（III）で表される化合物であることが好ましい。

上記一般式（III）において、Ｅ_１６～Ｅ_２２はそれぞれ独立にＣＲ_５を表す。Ｒ_５は
水素原子又は置換基を表す。

上記一般式（III）において、Ｒ_５で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、下記一般式（IV）で表される化合物であることが好ましい。

上記一般式（IV）において、Ｅ_２３～Ｅ_２８はそれぞれ独立にＣＲ_７を表す。Ｒ_６及びＲ_７はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

上記一般式（IV）において、Ｒ_６及びＲ_７で表される置換基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＲ_１で表される置換基と同様のものを挙げることができる。

以下に、本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物の具体例として、上記一般式（Ｉ）～一般式（IV）で表される化合物例と、その他の構造を有する当該有機化合物例を示すが、本発明においてはこれら例示する有機化合物にのみ限定されるものではない。

本発明に係る芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成して得ることができる。

〔４〕電子デバイスとしての有機ＥＬ素子
本発明の電子デバイス用組成物は、前述のとおり、有機ＥＬ素子の形成に用いることができる。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を有する有機ＥＬ素子であって、該発光層の少なくとも１層が、前述のπ共役系ホウ素化合物を含有することが好ましい。有機ＥＬ素子は、照明装置及び表示装置に好適に具備され得る。

有機ＥＬ素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

（１）陽極／発光層／／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。

本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層ともいう）や電子注入層（陰極バッファー層ともいう）を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層ともいう）や正孔注入層（陽極バッファー層ともいう）を設けてもよい。

本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。

本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。

上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。

（タンデム構造）
また、当該有機ＥＬ素子は、少なくとも１層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。

タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。

陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／中間層／第３発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット、第２発光ユニット及び第３発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。

複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。

中間層に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２、Ａｌ等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ_６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた（１）～（７）の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

タンデム型有機ＥＬ素子の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号、米国特許第７４２０２０３号、米国特許第７４７３９２３号、米国特許第６８７２４７２号、米国特許第６１０７７３４号、米国特許第６３３７４９２号、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６－２２８７１２号公報、特開２００６－２４７９１号公報、特開２００６－４９３９３号公報、特開２００６－４９３９４号公報、特開２００６－４９３９６号公報、特開２０１１－９６６７９号公報、特開２００５－３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号、特許第３４９６６８１号、特許第３８８４５６４号、特許第４２１３１６９号、特開２０１０－１９２７１９号公報、特開２００９－０７６９２９号公報、特開２００８－０７８４１４号公報、特開２００７－０５９８４８号公報、特開２００３－２７２８６０号公報、特開２００３－０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

更に、有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

〔基板〕
有機ＥＬ素子に適用可能な基板としては、特に制限はなく、例えば、ガラス、プラスチック等の種類を挙げることができる。

本発明に用いられる基板は、光透過性であっても、光不透過性であってもよい。本発明に適用可能な基板としては、特に制限されず、例えば、樹脂基板、薄膜金属箔、薄板フレキシブルガラス等が挙げられる。

本発明に適用可能な樹脂基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（略称：ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（略称：ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（略称：ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）及びアペル（商品名、三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂等を挙げることができる。

これら樹脂基板のうち、コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）等のフィルムが可撓性の樹脂基板として好ましく用いられる。

樹脂基板の厚さとしては、３～２００μｍの範囲内にある薄膜の樹脂基板であることが好ましいが、より好ましくは１０～１５０μｍの範囲内であり、特に好ましくは、２０～１２０μｍの範囲内である。

また、本発明用いられる基板として適用可能な薄板ガラスは、湾曲できるほど薄くしたガラス板である。薄板ガラスの厚さは、薄板ガラスが可撓性を示す範囲で適宜設定できる。

薄板ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。薄板ガラスの厚さとしては、例えば、５～３００μｍの範囲であり、好ましくは２０～１５０μｍの範囲である。

また、薄膜金属箔の形成材料としては、例えば、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。薄膜金属箔の厚さは、薄膜金属箔がフレキシビリティーを示す範囲で適宜設定することができ、例えば、１０～１００μｍの範囲内であり、好ましくは２０～６０μｍの範囲内である。

（第１電極：陽極）
有機ＥＬ素子を構成する陽極としては、Ａｇ、Ａｕ等の金属又は金属を主成分とする合金、ＣｕＩ、又はインジウム－スズの複合酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２及びＺｎＯ等の金属酸化物を挙げることができるが、金属又は金属を主成分とする合金であることが好ましく、更に好ましくは、銀又は銀を主成分とする合金である。

透明陽極を、銀を主成分として構成する場合、銀の純度としては、９９％以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）等が添加されていてもよい。

透明陽極は銀を主成分として構成されている層であるが、具体的には、銀単独で形成しても、又は銀（Ａｇ）を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム（Ａｇ・Ｍｇ）、銀・銅（Ａｇ・Ｃｕ）、銀・パラジウム（Ａｇ・Ｐｄ）、銀・パラジウム・銅（Ａｇ・Ｐｄ・Ｃｕ）、銀・インジウム（Ａｇ・Ｉｎ）などが挙げられる。

上記陽極を構成する各構成材料の中でも、本発明用いられる有機ＥＬ素子を構成する陽極としては、銀を主成分として構成し、厚さが２～２０ｎｍの範囲内にある透明陽極であることが好ましいが、更に好ましくは厚さが４～１２ｎｍの範囲内である。厚さが２０ｎｍ以下であれば、透明陽極の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、高い光透過率が維持されるため好ましい。

本発明でいう銀を主成分として構成されている層とは、透明陽極中の銀の含有量が６０質量％以上であることをいい、好ましくは銀の含有量が８０質量％以上であり、より好ましくは銀の含有量が９０質量％以上であり、特に好ましくは銀の含有量が９８質量％以上である。また、本発明に係る透明陽極でいう「透明」とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

透明陽極においては、銀を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。

また、本発明においては、陽極が、銀を主成分として構成する透明陽極である場合には、形成する透明陽極の銀膜の均一性を高める観点から、その下部に、下地層を設けることが好ましい。下地層としては、特に制限はないが、窒素原子又は硫黄原子を有する有機化合物を含有する層であることが好ましく、当該下地層上に、透明陽極を形成する方法が好ましい態様である。

〔発光層〕
有機ＥＬ素子を構成する発光層は、発光材料としてリン光発光化合物、又は蛍光性化合物を用いることができるが、本発明においては、特に、発光材料としてリン光発光化合物が含有されている構成が好ましい。

この発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。

このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。

発光層の厚さの総和は、１～１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１～３０ｎｍの範囲内がさらに好ましい。なお、発光層の厚さの総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。

以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）及びインクジェット法等の公知の方法により形成することができる。

また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、リン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成としては、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）及び発光材料（発光ドーパント化合物ともいう。）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

（ホスト化合物）
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が０．０１未満であることが好ましい。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

発光層に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

本発明に適用可能なホスト化合物としては、例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－３０５０８３号公報、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００７－２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等に記載されている化合物を挙げることができる。

（発光材料）
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物、リン光発光材料又はリン光発光ドーパントともいう。）及び蛍光発光性化合物（蛍光性化合物又は蛍光発光材料ともいう。）が挙げられるが、特に、リン光発光性化合物を用いることが、高い発光効率を得ることができる観点から好ましい。

〈リン光発光性化合物〉
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として０．０１以上が達成されればよい。

リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、少なくとも一つの発光層が、二種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化している態様であってもよい。

本発明に使用できる公知のリン光発光性化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。

Ｎａｔｕｒｅ ３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８， １６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。

また、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。

また、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書等に記載の化合物も挙げることができる。

さらには、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、特開２００９－１１４０８６号公報、特開２００３－８１９８８号公報、特開２００２－３６３５５２号公報等に記載の化合物も挙げることができる。

本発明においては、好ましいリン光発光性化合物としてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。

上記説明したリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９～２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５～１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４～１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５～３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５～７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載されている参考文献等に開示されている方法を適用することにより合成することができる。

〈蛍光発光性化合物〉
蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

〔有機機能層群〕
次いで、有機機能層ユニットを構成する各層について、電荷注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び阻止層の順に説明する。

（電荷注入層）
電荷注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）にその詳細が記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。

電荷注入層としては、一般には、正孔注入層であれば、陽極と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であれば陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させることができるが、本発明においては、透明電極に隣接して電荷注入層を配置させることを特徴とする。また、中間電極で用いられる場合は、隣接する電子注入層及び正孔注入層の少なくとも一方が、本発明の要件を満たしていれば良い。

正孔注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、透明電極である陽極に隣接して配置される層であり、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。

正孔注入層は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）：ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。

トリアリールアミン誘導体としては、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡ（４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン）に代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。

また、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。

電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、陰極と発光層との間に設けられる層のことであり、陰極が本発明に係る透明電極で構成されている場合には、当該透明電極に隣接して設けられ、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。

電子注入層は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等に代表される金属酸化物、リチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、本発明における透明電極が陰極の場合は、金属錯体等の有機材料が特に好適に用いられる。電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は１ｎｍ～１０μｍの範囲が好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層及び電子阻止層も正孔輸送層の機能を有する。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及びチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができ、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン、ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル、４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン、３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン及びＮ－フェニルカルバゾール等が挙げられる。

正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層の材料に不純物をドープすることにより、ｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報及びＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。

電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる単一構造であってもよい。

（阻止層）
阻止層としては、正孔阻止層及び電子阻止層が挙げられ、上記説明した有機機能層ユニット３の各構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層等を挙げることができる。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５～３０ｎｍの範囲である。

〔第２電極：陰極〕
陰極は、有機機能層群や発光層に正孔を供給するために機能する電極膜であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物若しくはこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２及びＳｎＯ_２等の酸化物半導体などが挙げられる。

陰極は、これらの導電性材料やその分散液をスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等の方法により薄膜を形成させて作製することができる。また、第２電極としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、有機ＥＬ素子が、陰極側からも発光光Ｌを取り出す、両面発光型の場合には、光透過性の良好な陰極を選択して構成すればよい。

〔封止部材〕
有機ＥＬ素子を封止するのに用いられる封止手段としては、例えば、フレキシブル封止部材と、陰極及び透明基板とを封止用接着剤で接着する方法を挙げることができる。

封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また透明性及び電気絶縁性は特に限定されない。

具体的には、フレキシブル性を備えた薄膜ガラス板、ポリマー板、フィルム、金属フィルム（金属箔）等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属フィルムとしては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金が挙げられる。

本発明においては、封止部材としては、有機ＥＬ素子を薄膜化することできる観点から、ポリマーフィルム及び金属フィルムを好ましく使用することができる。さらに、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０^－３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下であることが好ましく、さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０^－３ｍＬ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｏｍ（１ａｔｏｍは、１．０１３２５×１０^５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０^－３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下であることが好ましい。

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域（発光領域）との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコーンオイルのような不活性液体を注入することもできる。また、封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙を真空とすることや、間隙に吸湿性化合物を封入することもできる。

また、有機ＥＬ素子における発光機能層ユニットを完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子における第１電極である陽極（３）と、第２電極である陰極（６）の端子部分を露出させる状態で、透明基板上に封止膜を設けることもできる。

このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成され、特に、水分や酸素等の浸入を抑制する機能を有する材料、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜とともに、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。

これらの封止膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

以上のような封止材は、有機ＥＬ素子における第１電極である陽極（３）と、第２電極である陰極（６）の端子部分を露出させるとともに、少なくとも発光機能層を覆う状態で設けられている。

〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
有機ＥＬ素子の製造方法としては、透明基材上に、陽極、有機機能層群１、発光層、有機機能層群２及び陰極を積層して積層体を形成する。

まず、透明基材を準備し、該透明基材上に、所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲内の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を形成する。同時に、陽極端部に、外部電源と接続する接続電極部を形成する。

次に、この上に、有機機能層群１を構成する正孔注入層及び正孔輸送層、発光層、有機機能層群２を構成する電子輸送層等を順に積層する。

これらの各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な層が得られやすく、かつ、ピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。更に、層ごとに異なる形成法を適用しても良い。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０～４５０℃、真空度１×１０^－６～１×１０^－２Ｐａ、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒、基板温度－５０～３００℃、層厚０．１～５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。

以上のようにして有機機能層群２を形成した後、この上部に陰極をスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法などの適宜の形成法によって形成する。この際、陰極は、有機機能層群によって陽極に対して絶縁状態を保ちつつ、有機機能層群の上方から透明基板の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。

陰極の形成後、これら透明基材、陽極、有機機能層群、発光層及び陰極を封止材で封止する。すなわち、陽極及び陰極の端子部分を露出させた状態で、透明基材上に、少なくとも有機機能層群を覆う封止材を設ける。

有機ＥＬ素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。発光装置として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

〔５〕電子デバイスの形成手段
一般に、電子デバイスを含む各構成部材は、前述の有機ＥＬ素子について説明したように、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）及びインクジェット印刷法等の公知の方法により形成することができるが、本発明においては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット印刷法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア－ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法、スプレーコート法などのロール・ｔｏ・ロール方式適性の高い方法が好ましい。

中でも、インクジェット印刷法等の湿式塗布方式により形成することが生産性や加工適性の観点から好ましい実施形態である。

〔５．１〕インクジェット印刷法
以下、インクジェット印刷法による形成方法について、その一例を、図を交えて説明する。

図１は、湿式塗布方式の一例であるインクジェット印刷方式を用いた電子デバイスの形成方法の一例を示す概略図である。

図２は、インクジェットヘッド３０を用いた湿式塗布装置を用いて、基材１上に本発明の電子デバイス用組成物を含むインクを吐出する方法の一例を示してある。

図１に示すように、一例として、基材１を連続的に搬送しながら、インクジェットヘッド３０により電子デバイス形成材料を含むインクを、インク液滴として順次射出して、例えば、電子デバイスである電子輸送層（図中、エレクトロンオンリーデバイス：ＥＯＤと表記。）等を形成する。

本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法に適用可能なインクジェットヘッド３０としては、特に限定はなく、例えばインク圧力室に圧電素子を備えた振動板を有しており、この振動板によるインク圧力室の圧力変化でインク液を吐出させる剪断モード型（ピエゾ型）のヘッドでもよいし、発熱素子を有しており、この発熱素子からの熱エネルギーによりインク液の膜沸騰による急激な体積変化によりノズルからインク液を吐出させるサーマルタイプのヘッドであってもよい。

インクジェットヘッド３０には、射出用のインク液の供給機構などが接続されている。インク液の供給はタンク３８Ａにより行われる。インクジェットヘッド３０内のインク液圧力を常に一定に保つようにこの例ではタンク液面を一定にする。その方法としては、インク液をタンク３８Ａからオーバーフローさせてタンク３８Ｂに自然流下で戻している。タンク３８Ｂからタンク３８Ａへのインク液の供給は、ポンプ３１により行われており、射出条件に合わせて安定的にタンク３８Ａの液面が一定となるように制御されている。

なお、ポンプ３１からタンク３８Ａへインク液を戻す際には、フィルター３２を通してから行われている。このように、インク液はインクジェットヘッド３０へ供給される前に絶対濾過精度又は準絶対濾過精度が０．０５～５０μｍの濾材を少なくとも１回は通過させることが好ましい。

また、インクジェットヘッド３０の洗浄作業や液体充填作業などを実施するためにタンク３６よりインク液が、タンク３７より洗浄溶媒がポンプ３９によりインクジェットヘッド３０へ強制的に供給可能となっている。インクジェットヘッド３０に対してこうしたタンクポンプ類は複数に分けても良いし、配管の分岐を使用しても良い、またそれらの組み合わせでもかまわない。図２では配管分岐３３を使用している。さらにインクジェットヘッド３０内のエアーを十分に除去するためにタンク３６よりポンプ３９にてインクジェット３０へインク液を強制的に送液しながら下記に記すエアー抜き配管からインク液を抜き出して廃液タンク３４に送ることもある。

図３は、インクジェット印刷方式に適用可能なインクジェットヘッドの構造の一例を示す概略外観図である。

図３Ａは、本発明に適用可能なインクジェットヘッド１００を示す概略斜視図であり、図３Ｂは、インクジェットヘッド１００の底面図である。

本発明に適用可能なインクジェットヘッド１００は、インクジェットプリンタ（図示略）に搭載されるものであり、インクをノズルから吐出させるヘッドチップと、このヘッドチップが配設された配線基板と、この配線基板とフレキシブル基板を介して接続された駆動回路基板と、ヘッドチップのチャネルにフィルターを介してインクを導入するマニホールドと、内側にマニホールドが収納された筐体５６と、この筐体５６の底面開口を塞ぐように取り付けられたキャップ受板５７と、マニホールドの第１インクポート及び第２インクポートに取り付けられた第１及び第２ジョイント８１ａ、８１ｂと、マニホールドの第３インクポートに取り付けられた第３ジョイント８２と、筐体５６に取り付けられたカバー部材５９とを備えている。また、筐体５６をプリンタ本体側に取り付けるための取り付け用孔６８がそれぞれ形成されている。

また、図３Ｂで示すキャップ受板５７は、キャップ受板取り付け部６２の形状に対応して、外形が左右方向に長尺な略矩形板状として形成され、その略中央部に複数のノズルが配置されているノズルプレート６１を露出させるため、左右方向に長尺なノズル用開口部７１が設けられている。また、図３Ａで示すインクジェットヘッド内部の具体的な構造に関しては、例えば、特開２０１２－１４００１７号公報に記載されている図２等を参照することができる。

図３にはインクジェットヘッドの代表例を示したが、そのほかにも、例えば、特開２０１２－１４００１７号公報、特開２０１３－０１０２２７号公報、特開２０１４－０５８１７１号公報、特開２０１４－０９７６４４号公報、特開２０１５－１４２９７９号公報、特開２０１５－１４２９８０号公報、特開２０１６－００２６７５号公報、特開２０１６－００２６８２号公報、特開２０１６－１０７４０１号公報、特開２０１７－１０９４７６号公報、特開２０１７－１７７６２６号公報等に記載されている構成からなるインクジェットヘッドを適宜選択して適用することができる。

（インクの調製）
本発明の電子デバイスの製造方法においては、上記の各構成材料をそのまま電子デバイス用インクとして使用する方法の他、インクジェット印刷方式に適性を有するインクとするため、構成材料をインク溶媒等に溶解して電子デバイス用インクを調製する、及び各種機能性添加剤を含有させることができる。

〔５．２〕インク溶媒
本発明係る電子デバイス用インク（以下、単にインクともいう。）を調製する場合、本発明に係る成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの他に公知の各種有機溶媒を用いることができる。

本発明に係るインクに適用可能な有機溶媒としては、例えば、多価アルコールエーテル類（例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等）、アミン類（例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ－エチルモルホリン、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ポリエチレンイミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、テトラメチルプロピレンジアミン等）、アミド類（例えば、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等）、複素環類（例えば、２－ピロリドン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、シクロヘキシルピロリドン、２－オキサゾリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等）、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシド等）、スルホン類（例えば、スルホラン等）、尿素、アセトニトリル、アセトン等が挙げられる。

〔５．３〕その他の添加剤
本発明の電子デバイス用インクには、本発明の目的効果を損なわない範囲で、吐出安定性、プリントヘッド適合性、保存安定性、画像保存性、その他の諸性能向上の目的に応じて、公知の各種添加剤、例えば、溶媒、粘度調整剤、表面張力調整剤、比抵抗調整剤、皮膜形成剤、分散剤、界面活性剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、退色防止剤、防バイ剤、防錆剤等を適宜選択して用いることができる。

〔５．４〕電子デバイス用組成物の各成分の組成
本発明の電子デバイス用組成物は、一例として電子輸送層形成用組成物に用いることが好ましい態様である。当該組成物における各成分の良好な溶解性、成膜性、ならびに、該電子輸送層形成用組成物から得られる塗膜の良質な膜質、またインクジェット印刷法を用いた場合の良好な吐出性、該組成物を用いて作製された電子輸送層を有する有機ＥＬ素子の良好な電気特性の観点から、成分Ａが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して９０．０～９９．９質量％であり、成分Ｂが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して０．１～１０．０質量％であり、成分Ｃが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して０．００１～１０．０質量％であり、成分Ｂと成分Ｃの総質量が電子輸送層形成用組成物の全質量に対して１０．０質量％以下となることが好ましい。

より好ましくは、成分Ａが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して９５．０～９９．９質量％であり、成分Ｂが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して０．１～５．０質量％であり、成分Ｃが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して０．１～５．０質量％であり、成分Ｂと成分Ｃの総質量が電子輸送層形成用組成物の全質量に対して５．０質量％以下である。

さらに好ましくは、成分Ａが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して９８．０～９９．９質量％であり、成分Ｂが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して０．１～２．０質量％であり、成分Ｃが電子輸送層形成用組成物の全質量に対して０．１～２．０質量％である。成分Ｂと成分Ｃの総質量が電子輸送層形成用組成物の全質量に対して２．０質量％以下である。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量％」を表す。

実施例及び表Ｉ～表IV中の略号は以下の化合物（溶媒）を表す。

ＴＦＰＯ ：１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロパノール、
ＨＦＩＰ ：ヘキサフルオロ－２－プロパノール、
ＨＦＢＯ ：１Ｈ，１Ｈ－ヘプタフルオロ－１－ブタノール、
ＴＦＡＭＨ：トリフルオロアセトアルデヒドメチルヘミアセタール、
ＴＦＢ ：１，２，４，５－テトラフルオロベンゼン、
ＯＦＰＯ ：１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロ－１－ペンタノール、
ＤＦＨＯ ：１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロ－１－ヘプタノール、
ＰＦＢＦＯ：２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゾフェノン、
ＥＧＭＢＥ：エチレングリコールモノブチルエーテル
また、化合物Ｂ１～Ｂ２０、及び化合物Ｃ１～Ｃ４は以下に示す化合物である。

[実施例１]
実施例１では、本発明の電子デバイス用組成物から薄膜を形成し、含フッ素溶媒の残存量について評価した。

＜評価用単膜１－１の形成＞
縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの石英基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

窒素雰囲気下において、本発明に係る成分Ａとして溶媒ＴＦＰＯに、化合物Ｂ１を１質量％の濃度で溶解させた。得られたＴＦＰＯ溶液をインクとして、図１及び図２に示すインクジェット印刷法により、石英基板上に５０ｎｍの厚さとなるように成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１２０℃、３０分乾燥して評価用単膜１－１を形成した。

＜評価用単膜１－２～１－３１の形成＞
評価用単膜１－１の形成において、化合物Ｂ１を化合物Ｂ２に、ＴＦＰＯをＨＦＩＰ：アセトニトリル混合溶液（ＨＦＩＰ／アセトニトリル＝９３体積％／７体積％）に置き換えた以外は同様にして評価用単膜１－２を形成した。

さらに評価用単膜１－２の形成において、化合物Ｂ２及び溶媒を表Ｉに記載の化合物又は溶媒に置き換えた以外は同様にして評価用単膜１－３～１－３１の形成を行った。

なお、表中実施例１－６～１－３１に用いた化合物１は、本発明に係る成分Ｂであり、溶媒１は本発明に係る成分Ａである。

＜評価用単膜の含フッ素溶媒残存量の評価＞
塗膜中に存在する溶媒の量は昇温脱離ガス分析法によって求めることができる。昇温脱離ガス分析法は一定速度で固体表面の温度を上昇させながら、脱離していく化学種による圧力変化や、脱離化学種の量の変化を測定することにより、固体表面の吸着化学種を同定したり、吸着量や吸着状態、表面からの脱離過程などについての情報を得る方法である。具体的には電子科学株式会社製昇温脱離分析装置ＴＤＳ－１２００を用い、１ｃｍ^２角の試料を分析チャンバーに導入、赤外線加熱ヒータにより６０℃／ｍｉｎで昇温しつつ四重極型質量分析計にて溶媒に応じたｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｕｍをモニターし、検出された信号強度から溶媒量を計算した。

ここで、評価用単膜１－１の含フッ素溶媒残存量を相対値基準値１．００としたときの各評価用単膜の含フッ素溶媒残存量の比率を相対値として算出した。１．００よりも小さいほど、含フッ素溶媒残存量が少ないことを意味する。

表Ｉに示すように、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物を含有している評価用単膜１－６～１－３１は、含フッ素溶媒の残存率が比較例に比べて明らかに小さいことが分かった。また、その残存率はπ共役系ホウ素材料の連結部位や置換基に依存せず低いこともわかった。

［実施例２］
実施例２では、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物と含フッ素溶媒を含む組成物を用いて形成した塗布膜が組み込まれている、単電荷デバイス（エレクトロンオンリーデバイス：ＥＯＤと略記する。）の駆動電圧について評価した。

＜評価用ＥＯＤ２－１の作製＞
（陽極の形成）
縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１２０ｎｍの厚さで成膜してパターニングを行い、ＩＴＯ透明電極からなる陽極を形成した。その後、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

（ホールブロック層の形成）
次に、陽極を形成した基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートに、カルシウムを最適の量を充填した。蒸着用抵抗加熱ボートはタングステン製を用いた。

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、カルシウムを５ｎｍの厚さで蒸着してホールブロック層を形成した。

（電子輸送層の形成）
次に、ホールブロック層を形成した基板に対し、窒素環境下で、実施例１に記載のインクジェット印刷法で評価用単膜１－１を形成し、電子輸送層を得た。

（陰極、及び封止）
次に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した後、上記ＥＯＤの非発光面をガラスケースで覆い、ＥＯＤが作製されたガラス基板と接触する、ＥＯＤを覆うガラスケースの周辺部に、エポキシ系光硬化型接着剤（東亜合成社製ラクストラックＬＣ０６２９Ｂ）によるシール剤を設けた。そして、このシール材を上記ＥＯＤの陰極側に重ねてガラス基板と密着させた。その後、ガラスケース側からＵＶ光を照射して上記シール材を硬化することでＥＯＤを封止し、評価用ＥＯＤ２－１を作製した。なお、ガラスケースでの封止作業は、ＥＯＤを大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。

＜評価用ＥＯＤ２－２～２－３１の作製＞
評価用ＥＯＤ２－１において、化合物Ｂ１を化合物Ｂ２に、ＴＦＰＯをＨＦＩＰ：アセトニトリル混合溶液（ＨＦＩＰ／アセトニトリル＝９３体積％／７体積％）に置き換えた以外は同様にして評価用ＥＯＤ２－２を作製した。

さらに、評価用ＥＯＤ２－２の作製において、化合物Ｂ２及び溶媒を表Ｉに記載の化合物又は溶媒に置き換えた以外は同様にして評価用ＥＯＤ２－３～２－３１の作製を行った。

＜評価用ＥＯＤの駆動電圧評価＞
ここで、各評価用ＥＯＤの１×１０^－４ｍＡ時の電圧を駆動電圧として評価用ＥＯＤ２－１を相対値１．００としたときの各評価用ＥＯＤの駆動電圧の比率を相対値として算出した。１．００よりも小さいほど、駆動電圧が優れていることを意味する。

表Ｉに示すように、本発明に関わるπ共役系ホウ素化合物を含有している評価用ＥＯＤ２－６～２－３１は含フッ素溶媒残存量の低下に伴う、明白な駆動電圧の低下が見られることが分かった。

また、陰極についてはアルミニウムを銀に変えて同様の実験を行ったが、駆動電圧は同様の傾向となり、駆動電圧の低下を確認している。

［実施例３］
実施例３では、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物と含フッ素溶媒と本発明に係る成分Ｃとを含む電子デバイス用組成物の安定性を評価した。

＜評価用組成物３－１の作製＞
窒素雰囲気下、８５℃で１５分間加熱した後、室温に戻すことで下記評価用組成物３－１を作製した。

（評価用組成物３－１）
化合物Ｂ６ １０質量部
ＨＦＢＯ ２０００質量部

＜評価用組成物３－２～３－２５の作製＞
評価用組成物３－１において、化合物Ｂ６を化合物Ｂ７に、ＨＦＢＯをＴＦＰＯに置き換えた以外は同様にして評価用組成物３－２を作製した。

さらに評価用組成物３－２の作製において、化合物Ｂ７及びＴＦＰＯを表IIに記載の化合物又は溶媒に置き換えた以外は同様にして評価用組成物３－３～３－２５の作製を行った。なお、化合物が複数ある場合は化合物の総量が１０質量部となるようにして、その質量比が表IIに記載のものとなるようにした。また、溶媒が複数ある場合は溶媒の総量が２０００質量部となるようにして、体積比が表IIに記載のものとなるようにした。

表II中、化合物２及び溶媒２は、本発明に係る成分Ｃである。

＜液安定性の評価＞
上記評価用組成物を作製直後に粘度計（ＶＭ－１０Ａ（ＳＥＫＯＮＩＣ製））を用いて測定した後、密閉して６０℃の環境下で保存し２日後、５日後、１０日後、１５日後のそれぞれにおいて、液を室温（２５℃）に戻した後に沈殿物がないことを確認した上で液粘度を測定した。沈殿が生じておらず、かつ保存前に測定した粘度から±１．５ｍＰａ・ｓ以上粘度が変化したのが２日後である場合はＩ、５日後である場合はII、１０日後である場合はIII、１５日後である場合はIV、１５日後も粘度変化が±１．５ｍＰａ・ｓ％以内であった場合はＶとして評価を行った。なお、液安定性がＩからＶとなるほど、液の保存安定性が優れていることを示す。

＜ハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離の測定＞
前記電子デバイス用組成物中の全ての溶媒と、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶質のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離（Ｒａ_１）、及び前記成分Ａと前記成分Ｂのハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）距離（Ｒａ_２）を以下の手法にて測定した。

各溶媒、溶質材料のＨＳＰ計算にはｍａｔｅｒｉａｌ ｓｔｕｄｉｏ ｖｅｒ８のｆｏｒｃｉｔｅモジュールを用いて分散項と極性項の計算を行った。また、溶媒が複数ある場合にはそれらの体積比に応じてそれぞれの材料に対応する割合を乗じてＨＳＰ距離を求めた。また、π共役ホウ素材料とルイス塩基性材料が用いられる場合にはそれらの配位錯体を溶質として計算した。

表IIに示すように、本発明に係る成分ＣとしてＨＳＰ距離が短くなるように溶質又は溶媒を選択することで液安定性が向上している。加えて、Ｒａ_１が１０を下回る材料についてはさらに液安定性が向上していることが分かる。また、溶質として窒素原子を含有する材料を用いた場合には、Ｒａ_１が１０を下回っていなくとも液安定性が飛躍的に向上していることが分かる。

［実施例４］
実施例４では、本発明に係るπ共役系ホウ素化合物と含フッ素溶媒と本発明に係る成分Ｃを含む組成物を用いて形成した塗布膜が組み込まれているエレクトロンオンリーデバイス（ＥＯＤ）の駆動電圧について評価した。なお、実施例１に示すような含フッ素溶媒残存量の評価も同時に行い、π共役系ホウ素化合物を含む組成物では実施例１と同程度の含フッ素溶媒残存量となっていることを確認している。

＜評価用ＥＯＤ４－１～４－２５の作製＞
ＥＯＤの作製は電子輸送層を表IIに示す化合物及び溶媒に変更し、塗布方法をインクジェット印刷法で行い、実施例２の評価用ＥＯＤ２－１と同様の方法を用いて作製した。

＜評価用ＥＯＤの駆動電圧評価＞
ここで、各評価用ＥＯＤの１×１０^－４ｍＡ時の電圧を駆動電圧として評価用ＥＯＤ２－１の駆動電圧を相対値１．００としたときの各評価用ＥＯＤの駆動電圧の比率を相対値として算出した。１．００よりも小さいほど、駆動電圧が優れていることを意味する。

表IIに示すとおり、π共役系ホウ素化合物を含有するＥＯＤでは実施例２と同様に相対駆動電圧の低下が見られる。また、評価用組成物３－５～３－８では液安定性がいずれもＩとなっているが、液の作製から成膜までのプロセスを工夫することで実用には耐え得るレベルである。そのため、評価用組成物３－９～３－２５は比較例の評価用組成物３－１～３－４に対して駆動電圧と液安定性の両者を両立したものとなっている。そのため、上記にも示したとおり、評価用組成物３－５～３－８に対して、本発明に係る成分Ｃを含有することにより液安定性の向上が見られ、駆動電圧も良化している。

［実施例５］
実施例５では、本発明に係る成分Ｂとしてπ共役系ホウ素化合物と、本発明に係る成分Ａとして含フッ素溶媒と、本発明に係る成分Ｃとを含む組成物の液安定性を評価した。本発明に係る成分Ｃとしては非共有電子対を持つ原子があるもの、その原子が窒素であるもの、又は、アルコール溶媒のいずれかを用いている。なお、実施例１に示すような含フッ素溶媒残存量の評価及び実施例２に示すような駆動電圧の評価も行っており、π共役系ホウ素化合物を含む組成物では実施例１及び実施例２と同程度の含フッ素溶媒残存量及び駆動電圧となっていることを確認している。

＜評価用組成物５－１～５－２３の作製＞
評価用組成物５－１～５－２３の作製は実施例３の手法において、化合物及び溶媒を表IIIに記載のものに置き換えた以外は同様にして評価用組成物５－１～５－２３の作製を行った。なお、化合物が複数ある場合は化合物の総量が１０質量部となるようにして、その質量比が表IIIに記載のものとなるようにした。また、溶媒が複数ある場合は溶媒の総量が２０００質量部となるようにして、その体積比が表IIIに記載のものとなるようにした。

表III中、実施例５－１～５－２３の化合物２及び溶媒２は、本発明に係る成分Ｃである。

＜液安定性の評価＞
上記組成物を粘度計(ＶＭ－１０Ａ(ＳＥＫＯＮＩＣ製))を用いて測定した後、密閉して６０℃の環境下で保存し２日後、５日後、１０日後、１５日後のそれぞれにおいて、液を室温(２５℃)に戻した後に沈殿物がないことを確認した上で液粘度を測定した。沈殿が生じておらず、かつ保存前に測定した粘度から±１．５ｍＰａ・ｓ以上粘度が変化したのが２日後である場合はＩ、５日後である場合はII、１０日後である場合はIII、１５日後である場合はIV、１５日後も粘度変化が±１．５ｍＰａ・ｓ以内であった場合はＶとして評価を行った。なお、液安定性がＩからＶとなるほど、液の保存安定性が優れていることを示している。

表IIIに示すように、本発明に係る成分Ｃとしてアルコール溶媒、又は非共有電子対を有する原子を持つ有機化合物を混合した場合、液安定性が飛躍的に向上する。特に、非共有電子対を有する原子が、芳香族性に関与しない窒素原子である場合は最も液安定性が良い。

［実施例６］
実施例６では、本発明に係る成分Ｂが含フッ素溶媒溶解性基を有するπ共役系ホウ素化合物である場合の液安定性を評価した。

＜評価用組成物６－１～６－１０の作製＞
評価用組成物６－１～６－１０の作製は実施例３の手法において、化合物及び溶媒を表IVに記載のものに置き換えた以外は同様にして評価用組成物６－１～６－１０の作製を行った。なお、化合物が複数ある場合は化合物の総量が１０質量部となるようにして、比率が表IVに記載のものとなるようにした。また、溶媒が複数ある場合は溶媒の総量が２０００質量部となるようにして、比率が表IVに記載のものとなるようにした。

表IV中、実施例６－１～６－１０の化合物２及び溶媒２は、本発明に係る成分Ｃである。

＜液安定性の評価＞
上記組成物を粘度計(ＶＭ－１０Ａ(ＳＥＫＯＮＩＣ製))を用いて測定した後、密閉して６０℃の環境下で保存し２日後、５日後、１０日後、１５日後のそれぞれにおいて、液を室温(２５℃)に戻した後に沈殿物がないことを確認した上で液粘度を測定した。沈殿が生じておらず、かつ保存前に測定した粘度から±１．５ｍＰａ・ｓ以上粘度が変化したのが２日後である場合はＩ、５日後である場合はII、１０日後である場合はIII、１５日後である場合はIV、１５日後も粘度変化が±１．５ｍＰａ・ｓ以内であった場合はＶとして評価を行った。なお、液安定性がＩからＶとなるほど、液の保存安定性が優れていることを示している。

表IVに示すように、π共役系ホウ素材料に溶解性基を有するものは成分Ｃを含んでいなくとも液安定性に富み、さらに成分Ｃを含有することで非常に高い液安定性を持つことが分かる。

[実施例７]
実施例７では本発明に係る組成物を用いて作製した電子デバイスの性能評価を行った。

＜有機ＥＬ素子７－１の作製＞
以下のように、基材上に、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極を積層して封止し、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子７－１を作製した。

（基材の準備）
まず、ポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン社製、以下、ＰＥＮと略記する。）の陽極を形成する側の全面に、特開２００４－６８１４３号公報に記載の構成の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、ＳｉＯ_ｘからなる無機物のガスバリアー層を層厚５００ｎｍとなるように形成した。これにより、酸素透過度０．００１ｍＬ／（ｍ^２・２４ｈ）以下、水蒸気透過度０．００１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のガスバリアー性を有する可撓性の基材を作製した。

（陽極の形成）
上記基材上に厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）をスパッタ法により製膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、陽極を形成した。なお、パターンは発光領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍになるようなパターンとした。

（正孔注入層の形成）
陽極を形成した基材をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン処理を５分間行った。そして、陽極を形成した基材上に、特許第４５０９７８７号公報の実施例１６と同様に調製したポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液をイソプロピルアルコールで希釈した２質量％溶液をインクジェット印刷法にて塗布、８０℃で５分乾燥し、層厚４０ｎｍの正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
次に、正孔注入層を形成した基材を、窒素ガス（グレードＧ１）を用いた窒素雰囲気下に移し、下記組成の正孔輸送層形成用塗布液を用いて、インクジェット印刷法にて塗布、１３０℃で３０分乾燥し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
（正孔輸送層形成用塗布液）
正孔輸送材料 化合物Ｃ１（重量平均分子量Ｍｗ＝８００００）
１０質量部
クロロベンゼン ３０００質量部

（発光層の形成）
次に、正孔輸送層を形成した基材を、下記組成の発光層形成用塗布液を用い、インクジェット印刷法にて塗布し、１２０℃で３０分間乾燥し、層厚５０ｎｍの発光層を形成した。

（発光層形成用塗布液）
ホスト化合物 化合物Ｃ２ １０質量部
リン光発光材料 化合物Ｃ３ １質量部
蛍光発光材料 化合物Ｃ４ ０．１質量部
酢酸ノルマルブチル ２２００質量部

（電子輸送層の形成）
次に、下記組成の電子輸送層形成用塗布液を用い、インクジェット印刷法にて塗布し、８０℃で３０分間乾燥し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

（電子輸送層形成用塗布液）
化合物Ｂ３ ６質量部
ＯＦＰＯ ２０００質量部

（電子注入層、陰極の形成）
続いて、基材を大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化カリウムを入れたものとタングステンボートにＡｌ（アルミニウム）を入れたもの、Ａｇ（銀）を入れたものをそれぞれ用意し真空蒸着装置に取り付け、真空槽を５．０×１０^－５Ｐａまで減圧した。その後、ボートに通電して加熱し、フッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒で前記電子輸送層上に蒸着し、膜厚１ｎｍの薄膜を形成した。引き続き、アルミニウムを蒸着して厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。

（封止）
以上の工程により形成した積層体に対し、市販のロールラミネート装置を用いて封止基材を接着した。

封止基材として、可撓性を有する厚さ３０μｍのアルミニウム箔（東洋アルミニウム（株）製）に、ドライラミネーション用の２液反応型のウレタン系接着剤を用いて層厚１．５μｍの接着剤層を設け、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムをラミネートしたものを作製した。

封止用接着剤として熱硬化性接着剤を、ディスペンサーを使用して封止基材のアルミニウム箔の接着面（つや面）に沿って厚さ２０μｍで均一に塗布した。これを１００Ｐａ以下の真空下で１２時間乾燥させた。更に、その封止基材を露点温度－８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍの窒素雰囲気下へ移動して、１２時間以上乾燥させ、封止用接着剤の含水率が１００ｐｐｍ以下となるように調整した。

熱硬化性接着剤としては下記の（Ａ）～（Ｃ）を混合したエポキシ系接着剤を用いた。

（Ａ）ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）
（Ｂ）ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）
（Ｃ）エポキシアダクト系硬化促進剤
上記封止基材を上記積層体に対して密着・配置して、圧着ロールを用いて、圧着ロール温度１００℃、圧力０．５ＭＰａ、装置速度０．３ｍ／ｍｉｎの圧着条件で密着封止した。

以上のようにして、上述に示す構成の有機ＥＬ素子と同様の形態の有機ＥＬ素子７－１を作製した。

＜有機ＥＬ素子７－２～７－１０の作製＞
上記有機ＥＬ素子７－１の作製において、電子輸送層形成用塗布液を表Ｖにあるものに変えて、そのほかの手順は同様にして、有機ＥＬ素子７－２～７－１０の作製を行った。

＜有機ＥＬ素子７－１～７－１０の評価＞
上記のように作製した有機ＥＬ素子７－１～７－１０について、以下の評価を行った。その評価結果を表５に示す。

（１）駆動電圧１の測定
駆動電圧１の測定は、室温（２５℃）下で、作製した核有機ＥＬ素子の正面輝度を測定し、１０００ｃｄ／ｍ^２となるときの駆動電圧（Ｖ）を各素子で測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。上記で得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子７－１の駆動電圧１に対する、各有機ＥＬ素子の相対駆動電圧を求めた。

相対駆動電圧（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子７－１の駆動電圧１）×１００
得られた数値が小さいほど、駆動電圧が低く好ましい結果であることを表す。

（２）駆動電圧２の測定
有機ＥＬ素子７－１～７－１０の電子注入層、陰極の形成において、電子注入層を蒸着せず、陰極としてＡｇを厚さ１００ｎｍとなるように蒸着した素子で駆動電圧１と同様の手法で駆動電圧２の測定を行った。なお、得られた駆動電圧を下記式に当てはめて、有機ＥＬ素子７－１の駆動電圧２に対する、各有機ＥＬ素子の相対駆動電圧を求めた。

相対駆動電圧（％）＝（各有機ＥＬ素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子７－１の駆動電圧２）×１００

表Ｖに示すように、本発明に係る有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べて、明らかに駆動電圧に優れていることが分かる。

本発明の電子デバイス用組成物は、電子輸送層形成用組成物に用いることが好ましい態様であり、有機ＥＬ素子の作製に用いられる。特にインクジェットインクとして有機ＥＬ素子の作製に好適に用いられる。

１ 基材
２ 評価用単膜
３０、１００ インクジェットヘッド
３１ ポンプ
３２ フィルター
３３ 配管分岐
３４ 廃液タンク
３５ 制御部
３６ タンク
３７ タンク
３８Ａ タンク
３８Ｂ タンク
３９ ポンプ
３０ｂ 圧電性基板
３０ｃ 天板
３０ｄ ノズル板
３０ｅ インク液供給管
３０ｆ 配管
５６ 筐体
５７ キャップ受板
５９ カバー部材
６１ ノズルプレート
６２ キャップ受板取付部
６８ 取付用孔
７１ ノズル用開口部
８１ａ 第１ジョイト
８１ｂ 第２ジョイント
８２ 第３ジョイント
６４１、６５１、６６１、６７１ 凹部
ＥＯＤ：単電荷デバイス（エレクトロンオンリーデバイス）

Claims (7)

1. 成分Ａ及び成分Ｂを含有する電子デバイス用組成物であって、
   前記成分Ａが含フッ素溶媒であり、かつ、前記成分Ｂが下記一般式（１）で表される構造を有する化合物であり、
   前記電子デバイス用組成物中にさらに成分Ｃを含有し、前記成分Ｃは溶媒でも溶質でもよく、
   前記電子デバイス用組成物中の全ての溶媒と、前記電子デバイス用組成物中の全ての溶質のハンセン溶解度パラメーター距離（Ｒａ _１ ）に対して、前記成分Ａと前記成分Ｂのハンセン溶解度パラメーター距離（Ｒａ _２ ）が、長く、
   前記成分Ｃが、アルコール、又は芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する有機化合物である
   ことを特徴とする電子デバイス用組成物。
   

   

   （式中、Ｘ_１～Ｘ_９は、それぞれ独立に－ＣＷ_ｍ（ｍは１～９を表し、それぞれＸ_１～Ｘ_９のいずれかに対応した置換基－ＣＷ_１～－ＣＷ_９）又は窒素原子を表す。Ｗ_１～Ｗ_９はそれぞれ独立に水素又は置換基を表す。Ｌ_１とＬ_２が互いに連結していない場合は、Ｌ_１及びＬ_２はそれぞれ独立に水素又は置換基Ｗ_ｍ１（ｍは１又は２を表し、それぞれＬ_１及びＬ_２のいずれかに対応した置換基Ｗ_１１又はＷ_２１）を表す。Ｌ_１とＬ_２は互いに連結していてもよく、その場合は、酸素、硫黄、炭素、及び窒素のいずれか一つの原子を介して互いに連結し６員環を形成する。炭素の場合はＣＳ_１Ｓ_２を表す。窒素の場合はＮＲ_１を表す。Ｌ_３及びＬ_４はそれぞれ独立に酸素、硫黄、－ＣＳ_ｎ１Ｓ_ｎ２、又は－ＮＲ_ｎ３（ｎは３又は４を表し、それぞれＬ_３及びＬ_４のいずれかに対応した置換基－ＣＳ_３１Ｓ_３２、－ＮＲ_３３、－ＣＳ_４１Ｓ_４２、又は－ＮＲ_４３）を表す。Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３１、Ｓ_３２、Ｓ_４１、Ｓ_４２、Ｒ_１、Ｒ_３３、Ｒ_４３、Ｗ_１１及びＷ_１２はそれぞれ独立に置換基を表す。）
2. 前記Ｒａ_１が、１０以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス用組成物。
3. 前記一般式（１）で表される構造を有する化合物の、Ｘ_１～Ｘ_９、Ｗ_ｍ、Ｒ_１、Ｒ _３３ 及びＲ _４３ のいずれかが、一つ又は複数の含フッ素溶媒溶解性基を有し、かつ、前記含フッ素溶媒溶解性基が、フッ素原子を有する基又は窒素原子を有する置換基であること特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス用組成物。
4. 有機エレクトロルミネセンス素子の電子輸送層又は電子注入層形成用組成物として用いられることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の電子デバイス用組成物。
5. 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の電子デバイス用組成物を含有することを特徴とする電子デバイス用インク。
6. 前記電子デバイス用インクが、インクジェット印刷用インクであることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス用インク。
7. 請求項６に記載の電子デバイス用インクを、インクジェットヘッドより吐出して、電子デバイス用薄膜を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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