JPWO2012160714A1 - 有機電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ドライプロセスにおいては、通常10-4〜10-6Paの高真空下で有機層及び金属を成膜するため、水分や酸素、不純物の混入等がほとんどなく、所望の膜厚での均一な成膜が可能であるという利点を有している。また、有機層、金属酸化物及び金属を連続して成膜することができるため、各層に分離した機能を持たせることによって、素子の高効率化や素子構造の最適化を図ることが容易である。その一方で、大面積での均一な成膜が困難であること、材料の利用効率が低いこと、高コストであること等の課題を有している。
具体的な手法としては、スピンコート法、キャスト法、スプレー法等による塗布法の他、ディップ法、自己組織化法、LB法等の浸漬法、また、インクジェット、スクリーンプリント、ロールトゥロール法等による印刷法が挙げられる。
スピンコート法による塗布法では、有機材料を各種溶媒に溶解させ、大気下又はグローブボックス等内の不活性ガス雰囲気下で、溶液の滴下量や濃度、スピンコートの回転数等を制御することにより、所望の膜厚での成膜を行う。
そのため、有機EL素子においては、例えば、ITO基板上に、有機溶媒に不溶、かつ、水溶性であるポリチオフェン−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)を成膜し、その上の発光層は、芳香族系高分子等の有機溶媒溶液を塗布することにより成膜する等、異なる溶媒を用いて積層する方法が採用されている。
そこで、本発明者らは、アルコール可溶性の電子注入材料又は電子輸送材料として、炭酸セシウム(Cs2CO3)、また、下記(化1)に示す8−キノリノラトナトリウム(以下、Naqと略称する)、又は、8−キノリノラトリチウム(以下、Liqと略称する)、リチウム2−(2−ピリジル)フェノラート(以下、Lippと略称する)及びリチウム2−(2’,2’’−ビピリジン−6’−イル)フェノラート(以下、Libppと略称する)等のリチウムフェノラート塩等のアルカリ金属塩並びに酸化亜鉛(ZnO)に着目した。
そして、特許文献1には、PO基を有する所定のアリール化合物とアルコールに溶解して得られたCsイオン又はCaイオンとを所定の割合で含むことにより、電子注入性及び電子輸送性を高めることができることが記載されている。
これに対して、高温焼成工程を要しない塗布法による成膜について、特許文献2には、ZnO粒子とPO基を有する所定のアリール化合物とを複合化させた有機・無機複合材料を用いることにより、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びその化合物を用いずに、電子注入性及び電子輸送性を高めることができることが記載されている。
また、有機EL素子において複数の発光層が直列式に積層されたマルチフォトン構造を構成する場合等は、前記材料による電子注入層又は電子輸送層の上に、有機層を形成する必要があるが、使用される溶媒によって電子注入層又は電子輸送層の表面が溶解して荒れたり、その上に形成される有機層が剥離しやすくなったりすることがあり、膜の密着性や安定性が十分であるとは言えなかった。
電子注入層又は電子輸送層を上記のような塗布膜で形成することにより、塗布型有機電子デバイスにおける成膜性の改善を図ることができ、これにより、デバイス効率の向上を図ることができる。
有機ポリマーバインダーが添加されることにより、均質で安定的な膜を適度な膜厚で形成することが可能となる。
上記のような電子注入層又は電子輸送層により、これらの膜の均質性を保持しつつ、隣接する層との密着性が向上し、安定した成膜が可能となるため、スタック型有機電子デバイスにおいても、効果的に効率の向上を図ることができる。
このような塗布法によれば、上記のような有機電子デバイスを好適に得ることができる。
また、本発明に係る製造方法によれば、上記のような本発明に係る有機電子デバイスを好適に得ることができる。
本発明に係る有機電子デバイスは、基板上に1対の電極を備え、前記電極間に少なくとも1層の有機層を備えており、アルカリ金属塩及び酸化亜鉛ナノ粒子の塗布膜からなる電子注入層又は電子輸送層を備えていることを特徴とするものである。
本発明でいう有機電子デバイスとは、有機層を含む積層構造を備えた電子デバイスであり、有機EL素子、有機トランジスタ、有機薄膜太陽電池等の総称として用いる。
塗布型有機電子デバイスにおいて、電子注入層又は電子輸送層を上記のような塗布膜で形成することにより、成膜性の改善を図ることができる。具体的には、塗布膜又は蒸着膜を積層した場合においても、該電子注入層又は電子輸送層の組成分布の均一性、すなわち、均質性を保持することができ、また、これらの層及び隣接する層の安定性及び密着性の向上を図ることができる。これにより、結果的に、デバイス効率の向上を図ることができる。
前記各層の膜厚は、各層同士の適応性や求められる全体の層厚さ等を考慮して、適宜状況に応じて定められるが、通常、5nm〜5μmの範囲内であることが好ましい。
Cs2CO3は、アルコール系溶媒の効果によってCs金属が遊離し、nドープとして機能するため、電子注入障壁が低減し、良好な電子注入特性を示すことから、好適な塗布型電子注入材料又は電子輸送材料である。
また、前記アルカリ金属塩としては、アルカリ金属錯体のうちアルカリ金属フェノラート塩、特に、ナトリウムフェノラート塩であるNaq、あるいはまた、リチウムフェノラート塩であるLiq、Lipp、Libppも好適に用いることができる。Cs2CO3が、潮解性を有し、大気下で不安定であるのに対して、前記アルカリ金属フェノラート塩は、塗布成膜性に優れるのみならず、大気下でも安定であり、素子作製が容易となるという利点を有している。
前記粒径が1nm未満では、化学的に不安定であり、デバイスの安定した駆動の点から好ましくない。一方、粒径が30nmを超える場合は、形成される薄膜の平滑性に劣り、良好な成膜が困難となる。
前記前記ZnOナノ粒子の粒径は、より好ましくは1〜10nmである。
前記塗布膜形成のためのアルコール溶液の液体材料中に、バインダーとして有機ポリマーを添加しておくことにより、アルカリ金属塩及びZnOナノ粒子が均質に分散した安定な膜を適度な膜厚で形成することが可能となり、これにより、有機電子デバイスの高効率化を図ることができる。
ポリ(4−ビニルピリジン)を用いる場合は、アルコールに対する溶解性、アルカリ金属塩及びZnOナノ粒子の分散性や成膜性等の観点から、分子量が10,000〜100,000程度のものであることが好ましい。
また、ポリ(2−ビニルピリジン)、ポリエチレンオキシドも電子注入特性の向上効果の点から、好適に用いることができる。
上記のような積層構造を有する有機電子デバイスは、多くの場合、金属又は金属酸化物材料等を蒸着法で成膜し、有機層を塗布法により成膜する必要があり、このような蒸着/塗布及び無機/有機が組み合わされたハイブリッド有機電子デバイスにおいては、下層と上層の密着性が重要となる。このような場合にも、上記のような電子注入層又は電子輸送層を形成すれば、これらの膜の均質性を保持しつつ、隣接する層との密着性を向上させることができ、安定した成膜が可能となり、これにより、デバイス効率の向上を図ることができる。
電子注入層として蒸着法で成膜したCaを用いた、図1に示すような層構造を有する有機EL素子を作製した。
まず、パターニング済みのITO基板1(ITO膜厚110nm、素子面積10×10mm2、発光面積2×4mm2)をアセトン超音波洗浄20分間、アルカリ洗剤によるスクラブ、アルカリ洗剤超音波洗浄20分間、アセトン超音波洗浄20分間、イソプロピルアルコール(IPA)超音波洗浄20分間、UVオゾン洗浄20分間の順で洗浄した。
洗浄後のITO基板上に、プラスチックシリンジでPVDF0.45μmフィルターを通してPEDOT:PSSを5滴滴下し、500rpmで1秒間、さらに、4000rpmで40秒間スピンコートし、120℃で20分間乾燥し、膜厚40nmのホール注入層2を形成した。
次に、緑色蛍光高分子材料として下記(化2)で表されるフルオレン系ポリマー(F8BT)30mgを無水パラキシレン2.5mlに添加して70℃で1時間撹拌し、1.2wt%(12mg/ml)の溶液を調製した。これを、前記ホール注入層(PEDOT:PSS)上にプラスチックシリンジでPVDF0.45μmフィルターを通して5滴滴下し、500rpmで1秒間、さらに、1400rpmで40秒間スピンコートし、70℃で30分間乾燥し、膜厚80nmの発光層3を形成した。
そして、前記電子注入層(Ca)の上に、真空度5×10-6Torr以下で抵抗加熱方式により蒸着速度5Å/sでAlを蒸着し、膜厚100nmの陰極5を形成した。
上記のようにして作製した有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT(80nm)/Ca(10nm)/Al(100nm)である。
試料1において、電子注入層として、Caに代えて、塗布法によりCs2CO3を用いた膜を下記に示す方法により形成し、それ以外については、試料1と同様の工程により有機EL素子を作製した。
Cs2CO310mgを2−エトキシエタノール1mlに溶解した後、5倍に希釈し、70℃で1時間撹拌して、0.2wt%(2mg/ml)の溶液を調製した。この溶液を発光層(F8BT)上にマイクロピペッターで50μl滴下し、500rpmで1秒間、さらに、4000rpmで40秒間スピンコートし、膜厚1nm以下の極薄膜の電子注入層を形成した。
この有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT(80nm)/Cs2CO3(〜1nm)/Al(100nm)である。
参考文献(Nano Lett. Vol.5, No.12, 2005, pp.2408-2413)に基づいて、下記の合成スキームに示す方法により、ZnOナノ粒子を作製した。
まず、酢酸亜鉛(Zn(Ac)2)1.67g(9.10mmol)と水300μLをメタノール84mlに加えて撹拌し、60℃に加熱した。これに、水酸化カリウム(KOH)0.978g(17.43mmol)をメタノール46mlに溶解した溶液を10〜15分間かけて滴下させた。60℃で2時間15分撹拌した後、粒径5〜6nmのZnOの白色ナノ粒子を得た。
この有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT(80nm)/ZnO(10nm)/Al(100nm)である。
試料2において、電子注入層として、Cs2CO3に代えて、塗布法によりZnO:Cs2CO3を用いた膜を下記に示す方法により形成し、それ以外については、試料2と同様の工程により有機EL素子を作製した。
ZnO及びCs2CO3各10mgをそれぞれ、2−エトキシエタノール1mlに溶解した後、5倍に希釈し、70℃で1時間撹拌して、0.2wt%(2mg/ml)の各溶液を調製した。その後、2種の溶液を当量で混合し、発光層(F8BT)上にマイクロピペッターで50μl滴下し、500rpmで1秒間、さらに、4000rpmで40秒間スピンコートし、膜厚10nmの電子注入層を形成した。
この有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT(80nm)/ZnO:Cs2CO3(0.2wt%:0.2wt%,10nm)/Al(100nm)である。
試料4において、電子注入層として、塗布法で用いたZnO:Cs2CO3の濃度を0.2wt%から1wt%に変更して成膜し、それ以外については、試料4と同様の工程により有機EL素子を作製した。
この有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT(80nm)/ZnO:Cs2CO3(1wt%:1wt%,10nm)/Al(100nm)である。
試料5において、電子注入層として、ZnO:Cs2CO3にポリ(4−ビニルピリジン)(PV−4Py)(分子量40000)を添加して、塗布法によりPV−4Py:ZnO:Cs2CO3を用いた膜を下記に示す方法により形成し、それ以外については、試料5と同様の工程により有機EL素子を作製した。
ZnO及びCs2CO3各10mgをそれぞれ、2−エトキシエタノール1mlに溶解し、70℃で1時間撹拌して調製した1wt%(1mg/ml)の各溶液と、PV−4Py10mgを5倍に希釈し、70℃で1時間撹拌して調製した0.2wt%(2mg/ml)の溶液とを当量で混合した。この溶液を前記発光層(F8BT)上にマイクロピペッターで50μl滴下し、500rpmで1秒間、さらに、4000rpmで40秒間スピンコートし、膜厚10nmの電子注入層を形成した。
この有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT(80nm)/PV−4Py:ZnO:Cs2CO3(0.2wt%:1wt%:1wt%,10nm)/Al(100nm)である。
図2に示すような2組の発光層を含むユニット(第1ユニット10、第2ユニット20)を備えたマルチフォトン構造の有機EL素子を下記に示す方法により作製した。
試料1と同様にして、ITO基板1上にホール注入層2としてPEDOT:PSSを成膜した。
次に、ホスト材料F8BT30mgを無水パラキシレン2.5mlに添加して1.2wt%(12mg/ml)の溶液を調製し、ドーパントとして黄色蛍光材料ルブレン(Rub)0.3mgを添加し、70℃で1時間撹拌し、ドーパント濃度1wt%の溶液を調製した。これを、前記ホール注入層(PEDOT:PSS)上にプラスチックシリンジでPVDF0.45μmフィルターを通して5滴滴下し、500rpmで1秒間、さらに、1400rpmで40秒間スピンコートし、70℃で30分間乾燥し、膜厚80nmの発光層3を形成した。
前記電子注入層(PV−4Py:ZnO:Cs2CO3)の上に、真空度5×10-6Torr以下で抵抗加熱方式により、蒸着速度5Å/sでAl 6を蒸着し、膜厚1nmの電子注入層を形成し、さらに、蒸着速度0.5Å/sで電子受容性材料であるMoO3を蒸着し、膜厚10nmの電荷発生層7を形成した。
この有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO(110nm)/PEDOT(40nm)/F8BT:Rub1wt%(80nm)/PV−4Py:ZnO:Cs2CO3(10nm)/Al(1nm)/MoO3(10nm)/Poly−TPD(20nm)/F8BT:Rub1wt%(80nm)/Cs2CO3(〜1nm)/Al(80nm)である。
上記各試料の素子はいずれも、良好な発光が得られた。また、各素子について、特性評価を行った。
図3〜6に、試料1〜6の有機EL素子の電流効率−電流密度曲線を示す。また、図6に、試料7のマルチフォトン有機EL素子の電流効率−電流密度曲線を示す。
また、試料1〜6の発光層及び電子注入層の構成の概要をまとめて表1に示す。
また、図4のグラフに示したように、電子注入層をZnO:Cs2CO3(0.2wt%:0.2wt%)塗布膜(試料4)とした場合の方が、Cs2CO3塗布膜(試料2)よりも電流効率が向上することが認められた。
さらに、図5のグラフに示したように、電子注入層のZnO:Cs2CO3塗布膜のZnO及びCs2COを高濃度(各1wt%)としても(試料5)、電流効率の向上は認められなかったが、有機ポリマーバインダーを添加した場合(試料6)は、電流効率が向上した。
また、図6のグラフに示したように、第1ユニットの電子注入層をPV−4Py:ZnO:Cs2CO3塗布膜とした蒸着−塗布ハイブリットマルチフォトン有機EL素子(MPE)(試料7)においては、効率ロスが低減され、単ユニットのほぼ2倍の電流効率が得られた。
Green Polymer30mgを無水パラキシレン2.5mlに添加して70℃で1時間撹拌し、1.2wt%(12mg/ml)の溶液を調製した。これを、前記ホール注入層(PEDOT:PSS)上にプラスチックシリンジでPVDF0.45μmフィルターを通して5滴滴下し、3900rpmで30秒間スピンコートし、130℃で10分間乾燥し、膜厚80nmの発光層3を形成した。
それ以外については、試料2と同様の工程により有機EL素子を作製した。
試料3と同様にして合成したZnOナノ粒子を用いて、0.2,0.5,1wt%(2,5,10mg/ml)の2−エトキシエタノール溶液を調製した。
それ以外については、試料2と同様の工程により有機EL素子をそれぞれ作製した。
試料4と同様の工程により、電子注入層としてZnO:Cs2CO3(0.2wt%:0.2wt%,0.5wt%:0.5wt%,1wt%:1wt%)を形成し、有機EL素子をそれぞれ作製した。
電子注入層をポリマーバインダーとCs2CO3及び/又はZnOとの混合層とし、それ以外については、試料2と同様の工程により有機EL素子をそれぞれ作製した。
なお、ポリマーバインダーとZnOとの混合層の場合には、スピンコートは2000rpmで40秒間とした。
電子注入層の電子注入材料としてLiqを用い、0.2wt%(2mg/ml)の2−エトキシエタノール溶液を調製した。この溶液を発光層上にマイクロピペッターで50μl滴下し、2000rpmで40秒間スピンコートし、膜厚1〜5nmの電子注入層4を形成し、大気曝露後、陰極を成膜した。
それ以外については、試料2と同様の工程により有機EL素子をそれぞれ作製した。
試料8において、電子注入層のCs2CO3をスピンコートした後、大気曝露し、その後、陰極を成膜した。
それ以外については、試料2と同様の工程により有機EL素子をそれぞれ作製した。
電子注入層をポリマーバインダーとLiq(試料24〜26)、ZnOのみ(試料27)、ZnOとLiq(試料28)、ポリマーバインダーとLiqとCs2CO3(試料29〜31)の混合層とした。
ポリマーバインダー及びLiqはそれぞれ、0.2wt%(2mg/ml)の2−エトキシエタノール溶液、ZnOは0.5,1wt%(5,10mg/ml)の2−エトキシエタノール溶液を調製し、各溶液を等量で混合した。この溶液を発光層上にマイクロピペッターで50μl滴下し、2000rpmで40秒間スピンコートし、膜厚5nmの電子注入層4を形成し、大気曝露後、陰極を成膜した。
上記試料8〜31の各素子についても、上記試料1〜7と同様に、特性評価を行った。
いずれも、Green Polymer由来の良好な発光が得られた。
図7〜14に、試料8〜31の有機EL素子の電流効率−電流密度曲線を示す。
また、試料8〜31の発光層及び電子注入層の構成の概要をまとめて表2に示す。
また、ポリマーバインダーは、絶縁性であるにもかかわらず、電子注入層に混合することにより、ZnO単膜よりも高効率化及び低電圧化が図られたことから、膜質が改善されると考えられる(図10参照)。特に、PEOは、4Vの駆動電圧で1000cd/m2程度の輝度が得られ、高い電子注入効果が認められた。
また、Liqは、大気下で安定であり、大気曝露を行わないCs2CO3よりも低電圧化及び高効率化が図られることから、大気曝露下での素子作製が可能となるため、塗布型電子注入材料として有用であると言える(図11参照)。
また、ZnO:Liq層は、Liq単層よりも、低電圧化及び高効率化が図られることが認められた(図13参照)。このことから、ZnO:Liqは、nドープ性を有することが示唆され、また、大気下安定であり、酸素に対して不安定であるというZnOの欠点がLiqによって改善されていると考えられる。
さらに、ZnO:Liq層は、従来用いられている電子注入層の10倍程度の膜厚である10nmでも良好な電子注入特性を有しており、また、膜厚10nmでポリマーバインダーとしてPEOを用いた場合においても、同様に優れた電子注入特性を維持していることが認められた(図14参照)。なお、Naq、Lipp又はLibppでも同様の効果を奏することが認められた。
2 ホール注入層
3,13 発光層
4,14 電子注入層
5 陰極
6 Al層
7 電荷発生層
8 ホール輸送層
10 第1ユニット
20 第2ユニット
Claims (8)
- 基板上に1対の電極を備え、前記電極間に少なくとも1層の有機層を備えた有機電子デバイスであって、アルカリ金属塩及び酸化亜鉛ナノ粒子の塗布膜からなる電子注入層又は電子輸送層を備えていることを特徴とする有機電子デバイス。
- 前記塗布膜が有機ポリマーバインダーを含んでいることを特徴とする請求項1記載の有機電子デバイス。
- 前記アルカリ金属塩が、炭酸セシウム、8−キノリノラトナトリウム、又は、8−キノリノラトリチウム、リチウム2−(2−ピリジル)フェノラート及びリチウム2−(2’,2’’−ビピリジン−6’−イル)フェノラートのうちのいずれかのリチウムフェノラート塩であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機電子デバイス。
- 前記塗布膜が厚さ1〜30nmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
- 前記有機ポリマーバインダーが、ポリ(4−ビニルピリジン)、ポリ(2−ビニルピリジン)及びポリエチレンオキシドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
- 前記有機層は、複数の活性層が直列式に積層されたスタック型構造を含むものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
- 前記有機電子デバイスが有機エレクトロルミネッセンス素子であり、前記有機層は、複数の発光層が直列式に積層されたマルチフォトン構造を含むものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機電子デバイスの製造方法において、電子注入層又は電子輸送層の形成が、アルコールに溶解させた液体材料を塗布することにより行われることを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
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