JPH04273132A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPH04273132A JPH04273132A JP3301991A JP3301991A JPH04273132A JP H04273132 A JPH04273132 A JP H04273132A JP 3301991 A JP3301991 A JP 3301991A JP 3301991 A JP3301991 A JP 3301991A JP H04273132 A JPH04273132 A JP H04273132A
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/58—Details
- B29C45/585—Vibration means for the injection unit or parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモールド金型を使用して
半導体装置を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法に
関するものである。
半導体装置を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置の多くは、
図３に示すようなモールド金型を使用した樹脂封止装置
によって樹脂封止されていた。図３は従来の半導体装置
の樹脂封止方法を実施する際に使用する樹脂封止装置の
断面図で、同図に示す装置は、特開平２−１４８７４４
号に示されたものである。同図において、１は上金型、
２は下金型で、これら両金型によってモールド金型３が
構成されている。４はキャビティ、５はこのキャビティ
４内に加圧トランスファされる樹脂としてのタブレット
で、このタブレット５は予め所定形状に成形されて下金
型２のポット３ａ内に装填されている。なお、６は前記
ポット３ａ内の樹脂をキャビティ４へ導くためのランナ
で、このランナ６におけるキャビティ４への樹脂注入口
となる部位には、ゲート６ａが形成されている。７は前
記樹脂をランナ６へ押し出すためのプランジャで、下金
型２に対して上下に進退するように構成され、下端側に
は加圧装置（図示せず）が連結されている。８は半導体
装置形成用リードフレームで、このリードフレーム８は
半導体素子９が搭載され、前記キャビティ４内に装填さ
れている。このように構成されたモールド金型３は、上
下金型１，２のうち少なくとも一方が金型駆動装置（図
示せず）によって上下方向に移動される。すなわち、エ
アーベント１０を除いてキャビティ４等を気密（樹脂の
流出を防ぐ程度）に保持して型締めしたり、キャビティ
４内で樹脂が硬化することによって得られた成形品を取
り出すために離型させることができる構造とされている
。
図３に示すようなモールド金型を使用した樹脂封止装置
によって樹脂封止されていた。図３は従来の半導体装置
の樹脂封止方法を実施する際に使用する樹脂封止装置の
断面図で、同図に示す装置は、特開平２−１４８７４４
号に示されたものである。同図において、１は上金型、
２は下金型で、これら両金型によってモールド金型３が
構成されている。４はキャビティ、５はこのキャビティ
４内に加圧トランスファされる樹脂としてのタブレット
で、このタブレット５は予め所定形状に成形されて下金
型２のポット３ａ内に装填されている。なお、６は前記
ポット３ａ内の樹脂をキャビティ４へ導くためのランナ
で、このランナ６におけるキャビティ４への樹脂注入口
となる部位には、ゲート６ａが形成されている。７は前
記樹脂をランナ６へ押し出すためのプランジャで、下金
型２に対して上下に進退するように構成され、下端側に
は加圧装置（図示せず）が連結されている。８は半導体
装置形成用リードフレームで、このリードフレーム８は
半導体素子９が搭載され、前記キャビティ４内に装填さ
れている。このように構成されたモールド金型３は、上
下金型１，２のうち少なくとも一方が金型駆動装置（図
示せず）によって上下方向に移動される。すなわち、エ
アーベント１０を除いてキャビティ４等を気密（樹脂の
流出を防ぐ程度）に保持して型締めしたり、キャビティ
４内で樹脂が硬化することによって得られた成形品を取
り出すために離型させることができる構造とされている
。
【０００３】次に、上述したように構成された樹脂封止
装置を用いて従来の半導体装置の樹脂封止方法を説明す
る。先ず、上金型１を上方へ移動させてモールド金型３
を開いた状態で、プランジャ７と下金型２とによって形
成されたポット３ａへタブレット５を投入する。また、
下金型２のキャビティ４の所定位置に、半導体素子９が
搭載されたリードフレーム８を装填する。しかる後、上
金型１を下降させ、リードフレーム８を上下両金型で挟
圧保持させる。このように型締めすると、ランナ６，ゲ
ート６ａおよびキャビティ４等が樹脂の流出を防ぐ程度
に気密保持される。なお、上金型１，下金型２は、成形
時の樹脂の流動，樹脂の硬化のために所定の温度に加温
されている。そして、プランジャ７を加圧上昇させるこ
とによって樹脂をランナ６に押し出させてゲート６ａか
らキャビティ４内に充填し、キャビティ４内で硬化させ
る。樹脂を硬化させることにより半導体素子９が樹脂封
止されることになる。従来では、このようにして樹脂封
止型半導体装置の成形を行っていた。
装置を用いて従来の半導体装置の樹脂封止方法を説明す
る。先ず、上金型１を上方へ移動させてモールド金型３
を開いた状態で、プランジャ７と下金型２とによって形
成されたポット３ａへタブレット５を投入する。また、
下金型２のキャビティ４の所定位置に、半導体素子９が
搭載されたリードフレーム８を装填する。しかる後、上
金型１を下降させ、リードフレーム８を上下両金型で挟
圧保持させる。このように型締めすると、ランナ６，ゲ
ート６ａおよびキャビティ４等が樹脂の流出を防ぐ程度
に気密保持される。なお、上金型１，下金型２は、成形
時の樹脂の流動，樹脂の硬化のために所定の温度に加温
されている。そして、プランジャ７を加圧上昇させるこ
とによって樹脂をランナ６に押し出させてゲート６ａか
らキャビティ４内に充填し、キャビティ４内で硬化させ
る。樹脂を硬化させることにより半導体素子９が樹脂封
止されることになる。従来では、このようにして樹脂封
止型半導体装置の成形を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂封止方法は
、上下両金型１，２で加熱されて軟化した樹脂を加圧す
ることによって流体化させ、その樹脂をキャビティ４内
に加圧充填された状態で硬化させるため、樹脂材料特性
，成形条件に余裕がない。このため、成形品内に微小な
気泡が残留したり、気泡が巻き込まれたり、また、硬化
後の樹脂の密度が不均一になったりしやすく、これらが
要因となって半導体装置の耐湿性が低下しやすいという
問題があった。
、上下両金型１，２で加熱されて軟化した樹脂を加圧す
ることによって流体化させ、その樹脂をキャビティ４内
に加圧充填された状態で硬化させるため、樹脂材料特性
，成形条件に余裕がない。このため、成形品内に微小な
気泡が残留したり、気泡が巻き込まれたり、また、硬化
後の樹脂の密度が不均一になったりしやすく、これらが
要因となって半導体装置の耐湿性が低下しやすいという
問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の樹脂封止方法は、プランジャによる樹脂注入時に、プ
ランジャに超音波振動を加えるものである。
の樹脂封止方法は、プランジャによる樹脂注入時に、プ
ランジャに超音波振動を加えるものである。
【０００６】
【作用】樹脂に超音波振動が伝わることで、樹脂が金型
内で流動しやすくなると共に、超音波のキャビテーショ
ン効果によって脱気作用が促進される。
内で流動しやすくなると共に、超音波のキャビテーショ
ン効果によって脱気作用が促進される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
よって詳細に説明する。図１は本発明を実施する際に使
用する樹脂封止装置の断面図、図２は本発明を実施する
際に使用する樹脂封止装置の超音波加振装置を拡大して
示す断面図である。これらの図において前記図３で説明
したものと同一もしくは同等部材については、同一符号
を付し詳細な説明は省略する。これらの図において、１
１は樹脂をキャビティ４へ押し出すためのプランジャで
、このプランジャ１１は超音波振動体として構成されて
おり、後述する超音波加振装置１２を介して加圧装置た
る油圧プレス装置１３に連結されている。
よって詳細に説明する。図１は本発明を実施する際に使
用する樹脂封止装置の断面図、図２は本発明を実施する
際に使用する樹脂封止装置の超音波加振装置を拡大して
示す断面図である。これらの図において前記図３で説明
したものと同一もしくは同等部材については、同一符号
を付し詳細な説明は省略する。これらの図において、１
１は樹脂をキャビティ４へ押し出すためのプランジャで
、このプランジャ１１は超音波振動体として構成されて
おり、後述する超音波加振装置１２を介して加圧装置た
る油圧プレス装置１３に連結されている。
【０００８】前記超音波加振装置１２は、下向き有底筒
状のガイドリング１４に振動体としてのプランジャ１１
を貫通固定させて形成され、ガイドリング１４の下側開
口端には油圧プレス連結用のフランジ１５が密着固定さ
れている。前記プランジャ１１は上端に樹脂押圧用ピス
トンが設けられたホーン１６と、振動子１７等とからな
り、超音波振動の節となる部分がガイドリング１４に固
定されている。なお、１８は高周波電源である。このよ
うに構成された超音波加振装置１２では、高周波電源１
８を印加することによってプランジャ１１が超音波振動
し、その状態で油圧プレス装置１３を作動させることで
プランジャ１１は振動しながら昇降することになる。
状のガイドリング１４に振動体としてのプランジャ１１
を貫通固定させて形成され、ガイドリング１４の下側開
口端には油圧プレス連結用のフランジ１５が密着固定さ
れている。前記プランジャ１１は上端に樹脂押圧用ピス
トンが設けられたホーン１６と、振動子１７等とからな
り、超音波振動の節となる部分がガイドリング１４に固
定されている。なお、１８は高周波電源である。このよ
うに構成された超音波加振装置１２では、高周波電源１
８を印加することによってプランジャ１１が超音波振動
し、その状態で油圧プレス装置１３を作動させることで
プランジャ１１は振動しながら昇降することになる。
【０００９】次に、このように構成された樹脂封止装置
を用いて本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法を説明
する。先ず、従来と同様にしてモールド金型３内にタブ
レット５，リードフレーム８を装填し、型締めする。そ
して、油圧プレス装置１３を作動させると共に超音波加
振装置１２を作動させ、プランジャ１１を超音波振動さ
せながら上昇させる。このようにしてプランジャ１１を
押し上げることで、樹脂には超音波が印加される。プラ
ンジャ１１を上昇させる際には、樹脂の粘度，ポット径
等によって増減するが通常は３０ないし１００ｋｇの荷
重が加圧力として加えられる。樹脂をキャビティ４に充
填し終わった後、油圧プレス装置１３および超音波加振
装置１２を停止させて樹脂を硬化させる。なお、これら
両装置の停止時期は、上述したように樹脂の硬化前に限
定されるものではなく、適宜変更できる。樹脂が硬化し
た後、モールド成形された半導体装置をモールド金型３
から取り出して樹脂封止作業が終了する。
を用いて本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法を説明
する。先ず、従来と同様にしてモールド金型３内にタブ
レット５，リードフレーム８を装填し、型締めする。そ
して、油圧プレス装置１３を作動させると共に超音波加
振装置１２を作動させ、プランジャ１１を超音波振動さ
せながら上昇させる。このようにしてプランジャ１１を
押し上げることで、樹脂には超音波が印加される。プラ
ンジャ１１を上昇させる際には、樹脂の粘度，ポット径
等によって増減するが通常は３０ないし１００ｋｇの荷
重が加圧力として加えられる。樹脂をキャビティ４に充
填し終わった後、油圧プレス装置１３および超音波加振
装置１２を停止させて樹脂を硬化させる。なお、これら
両装置の停止時期は、上述したように樹脂の硬化前に限
定されるものではなく、適宜変更できる。樹脂が硬化し
た後、モールド成形された半導体装置をモールド金型３
から取り出して樹脂封止作業が終了する。
【００１０】したがって、プランジャ１１から超音波振
動が樹脂に伝わることで、樹脂の流動特性が従来に較べ
て改善されることになり、樹脂がモールド金型３内で流
動しやすくなる。このため、キャビティ４の隅々まで樹
脂が充填される。しかも、超音波のキャビテーション効
果によって脱気作用が促進されるから、流動中に樹脂内
部に巻き込んだ気泡を速やかにエアーベント１０へ導い
て排出させることができる。
動が樹脂に伝わることで、樹脂の流動特性が従来に較べ
て改善されることになり、樹脂がモールド金型３内で流
動しやすくなる。このため、キャビティ４の隅々まで樹
脂が充填される。しかも、超音波のキャビテーション効
果によって脱気作用が促進されるから、流動中に樹脂内
部に巻き込んだ気泡を速やかにエアーベント１０へ導い
て排出させることができる。
【００１１】なお、本実施例では油圧プレス１３によっ
てプランジャ１１を昇降させる例を示したが、加圧装置
としては電動式のものを使用することもできる。また、
本発明によれば成形時における樹脂の流動特性を改善で
きる関係から、カードＩＣ等薄型の樹脂成形体を製造す
る場合にも適用することができる。
てプランジャ１１を昇降させる例を示したが、加圧装置
としては電動式のものを使用することもできる。また、
本発明によれば成形時における樹脂の流動特性を改善で
きる関係から、カードＩＣ等薄型の樹脂成形体を製造す
る場合にも適用することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置の樹脂封止方法は、プランジャによる樹脂注入時に
、プランジャに超音波振動を加えるため、樹脂に超音波
振動が伝わることで、樹脂が金型内で流動しやすくなる
と共に、超音波のキャビテーション効果によって脱気作
用が促進される。このため、緻密な樹脂成形体が得られ
るから、半導体装置の耐湿性を向上させることができる
。したがって、本発明によれば半導体装置の耐湿性を改
善して信頼性を高めることができる。
装置の樹脂封止方法は、プランジャによる樹脂注入時に
、プランジャに超音波振動を加えるため、樹脂に超音波
振動が伝わることで、樹脂が金型内で流動しやすくなる
と共に、超音波のキャビテーション効果によって脱気作
用が促進される。このため、緻密な樹脂成形体が得られ
るから、半導体装置の耐湿性を向上させることができる
。したがって、本発明によれば半導体装置の耐湿性を改
善して信頼性を高めることができる。
【図１】本発明を実施する際に使用する樹脂封止装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明を実施する際に使用する樹脂封止装置の
超音波加振装置を拡大して示す断面図である。
超音波加振装置を拡大して示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の樹脂封止方法を実施する際
に使用する樹脂封止装置の断面図である。
に使用する樹脂封止装置の断面図である。
１ 上金型
２ 下金型
５ タブレット
８ リードフレーム
１１ プランジャ
１２ 超音波加振装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置形成用リードフレームが装
填されたモールド金型にプランジャによって封止用樹脂
を加圧注入する半導体装置の樹脂封止方法において、プ
ランジャによる樹脂注入時に、プランジャに超音波振動
を加えることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301991A JPH04273132A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301991A JPH04273132A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273132A true JPH04273132A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12375090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3301991A Pending JPH04273132A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273132A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0904923A1 (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for molding |
| KR20140027409A (ko) | 2011-05-20 | 2014-03-06 | 국립대학법인 야마가타대학 | 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| KR20140133578A (ko) | 2012-02-15 | 2014-11-19 | 국립대학법인 야마가타대학 | 유기 일렉트로 루미네센스 소자 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3301991A patent/JPH04273132A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0904923A1 (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for molding |
| KR20140027409A (ko) | 2011-05-20 | 2014-03-06 | 국립대학법인 야마가타대학 | 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| KR20140133578A (ko) | 2012-02-15 | 2014-11-19 | 국립대학법인 야마가타대학 | 유기 일렉트로 루미네센스 소자 |
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