JPH0431285B2 - - Google Patents
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- JPH0431285B2 JPH0431285B2 JP60177725A JP17772585A JPH0431285B2 JP H0431285 B2 JPH0431285 B2 JP H0431285B2 JP 60177725 A JP60177725 A JP 60177725A JP 17772585 A JP17772585 A JP 17772585A JP H0431285 B2 JPH0431285 B2 JP H0431285B2
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- resin
- cavity
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
- B29C2045/7343—Heating or cooling of the mould heating or cooling different mould parts at different temperatures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂成形法における成形性の向上
に関するものである。
に関するものである。
第3図は従来の金型の温度制御用ヒータの配置
を示す平面図であり、図において1はポツト、2
はメインランナー、3はサブランナ、4はゲー
ト、5はキヤビテイ、6a,6bはヒータであ
る。
を示す平面図であり、図において1はポツト、2
はメインランナー、3はサブランナ、4はゲー
ト、5はキヤビテイ、6a,6bはヒータであ
る。
従来の金型では、金型の温度制御ヒータ6a,
6bはキヤビテイ5の近傍におき、キヤビテイ5
と同一のヒータ6aの延長部でポツト1、メイン
ランナ部2を温度制御していた。
6bはキヤビテイ5の近傍におき、キヤビテイ5
と同一のヒータ6aの延長部でポツト1、メイン
ランナ部2を温度制御していた。
このように、従来の金型では、ポツト1、 メ
インランナ2、サブランナ3、キヤビテイ5は各
部ともほぼ同一温度(たとえば175℃)に制御さ
れている。固体の樹脂タブレツトはポツト1に投
入されて、ポツト壁面から加熱され、軟化溶融し
始め、粘度が低下する。溶融樹脂はプランジヤに
押されて、ポツト1から出、メインランナ2を通
つてサブランナ3に入り、ゲート4からキヤビテ
イ5に入る。そして、メインランナ2を通る間
に、メインランナ2の壁面から熱を受け、さらに
粘度が低下する。そして、サブランナ3に入り、
ゲート4を通過して、キヤビテイ5に入る。樹脂
はポツトに近いキヤビテイに早く入り、充満す
る。その後ポツトに遠いキヤビテイに樹脂が入
り、全キヤビテイが充満した後、最高圧力がかか
る。樹脂はキヤビテイ5の壁面から熱を受けて硬
化する。
インランナ2、サブランナ3、キヤビテイ5は各
部ともほぼ同一温度(たとえば175℃)に制御さ
れている。固体の樹脂タブレツトはポツト1に投
入されて、ポツト壁面から加熱され、軟化溶融し
始め、粘度が低下する。溶融樹脂はプランジヤに
押されて、ポツト1から出、メインランナ2を通
つてサブランナ3に入り、ゲート4からキヤビテ
イ5に入る。そして、メインランナ2を通る間
に、メインランナ2の壁面から熱を受け、さらに
粘度が低下する。そして、サブランナ3に入り、
ゲート4を通過して、キヤビテイ5に入る。樹脂
はポツトに近いキヤビテイに早く入り、充満す
る。その後ポツトに遠いキヤビテイに樹脂が入
り、全キヤビテイが充満した後、最高圧力がかか
る。樹脂はキヤビテイ5の壁面から熱を受けて硬
化する。
従来の樹脂成形法では以上のように構成されて
いるので、樹脂が最低粘度である時間間隔は比較
的短かく、すべてのキヤビテイに充満して最高圧
力がかかる前に、一部樹脂の硬化現象が始まる。
このため、圧力が不足したまま硬化した部分に
は、樹脂中の気泡が消滅せず、ボイドとして残
る。
いるので、樹脂が最低粘度である時間間隔は比較
的短かく、すべてのキヤビテイに充満して最高圧
力がかかる前に、一部樹脂の硬化現象が始まる。
このため、圧力が不足したまま硬化した部分に
は、樹脂中の気泡が消滅せず、ボイドとして残
る。
このように、従来の均一な温度制御による樹脂
成形法では、成形品のボイドが発生するという問
題点があつた。
成形法では、成形品のボイドが発生するという問
題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、樹脂成形品のボイド発生が少
なくできる樹脂成形法を得ることを目的とする。
になされたもので、樹脂成形品のボイド発生が少
なくできる樹脂成形法を得ることを目的とする。
この発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方
法および樹脂成形用金型は、金型をブロツクに分
割し、ポツトおよびメインランナを高温に、キヤ
ビテイを低温に設定し、かつポツトおよびメイン
ランナをキヤビテイより15℃以上高温に温度制御
したものである。
法および樹脂成形用金型は、金型をブロツクに分
割し、ポツトおよびメインランナを高温に、キヤ
ビテイを低温に設定し、かつポツトおよびメイン
ランナをキヤビテイより15℃以上高温に温度制御
したものである。
この発明における樹脂封止型半導体装置の製造
方法および樹脂成形用金型は、ポツトおよびメイ
ンランナをキヤビテイ温度より15℃以上高温に設
定しているので、キヤビテイ内に流入する際の熱
硬化性樹脂の流動性を確保しつつも、キヤビテイ
内では熱硬化性樹脂の硬化速度を落として低粘性
状態を長く保つことができる。低粘性状態に保た
れた熱硬化性樹脂によつて、キヤビテイ内の隅ず
みにまで加圧が及んで圧力が高まり、この状態が
維持されることによつてキヤビテイ内の気泡が熱
硬化性樹脂中に吸収される。
方法および樹脂成形用金型は、ポツトおよびメイ
ンランナをキヤビテイ温度より15℃以上高温に設
定しているので、キヤビテイ内に流入する際の熱
硬化性樹脂の流動性を確保しつつも、キヤビテイ
内では熱硬化性樹脂の硬化速度を落として低粘性
状態を長く保つことができる。低粘性状態に保た
れた熱硬化性樹脂によつて、キヤビテイ内の隅ず
みにまで加圧が及んで圧力が高まり、この状態が
維持されることによつてキヤビテイ内の気泡が熱
硬化性樹脂中に吸収される。
樹脂封止型半導体装置の封止に用いられる熱硬
化性樹脂は、非架橋の液体状態では温度上昇に伴
つて粘性が低下して流動性が高まるが、温度が高
いと架橋熱硬化反応が促進されて流動性が急激に
低下するという性質を有する。従つて、ポツトお
よびメインランナをキヤビテイよりも15℃以上高
温にして流動性を高めて、末端のキヤビテイへも
速やかに熱硬化性樹脂を充填させる一方で、キヤ
ビテイ内では温度を低くして架橋熱硬化反応を抑
制し、これにより、末端のキヤビテイにおいても
液体状態の加圧保持時間が確保される。
化性樹脂は、非架橋の液体状態では温度上昇に伴
つて粘性が低下して流動性が高まるが、温度が高
いと架橋熱硬化反応が促進されて流動性が急激に
低下するという性質を有する。従つて、ポツトお
よびメインランナをキヤビテイよりも15℃以上高
温にして流動性を高めて、末端のキヤビテイへも
速やかに熱硬化性樹脂を充填させる一方で、キヤ
ビテイ内では温度を低くして架橋熱硬化反応を抑
制し、これにより、末端のキヤビテイにおいても
液体状態の加圧保持時間が確保される。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第1図において、1は樹脂タブレツトをプラ
ンジヤで押し出すためのポツト、2はポツトから
押し出された樹脂が流れるメインランナ、3はキ
ヤビテイ近傍のサブランナ、4はキヤビテイへの
入口のゲート、5は製品を成形するキヤビテイ、
6aはポツトおよびメインランナの温度をコント
ロールするヒータ、6bはキヤビテイの温度をコ
ントロールするヒータである。このように、キヤ
ビテイの温度をコントロールするヒータ6bと、
ポツト、メインランナの温度をコントロールする
ヒータ6aとを分離して、異なる温度にコントロ
ールできるようにしている。ポツト、メインラン
ナの温度を高温に、キヤビテイの温度を低温にな
るようコントロールしている。
る。第1図において、1は樹脂タブレツトをプラ
ンジヤで押し出すためのポツト、2はポツトから
押し出された樹脂が流れるメインランナ、3はキ
ヤビテイ近傍のサブランナ、4はキヤビテイへの
入口のゲート、5は製品を成形するキヤビテイ、
6aはポツトおよびメインランナの温度をコント
ロールするヒータ、6bはキヤビテイの温度をコ
ントロールするヒータである。このように、キヤ
ビテイの温度をコントロールするヒータ6bと、
ポツト、メインランナの温度をコントロールする
ヒータ6aとを分離して、異なる温度にコントロ
ールできるようにしている。ポツト、メインラン
ナの温度を高温に、キヤビテイの温度を低温にな
るようコントロールしている。
高温に設定されたポツトに入つた樹脂タブレツ
トは、従来の場合より軟化が早い。ポツトを押し
出された樹脂は軟化しながらメインランナ2を通
る。メインランナ2も従来のものより高温になつ
ており、樹脂の軟化速度が早く、ほぼ最低粘度に
なる。メインランナ2に温度はサブランナ3に近
づくにつれて、高温から低温に移行するが、サブ
ランナ3は従来のものより低温になつており、ポ
ツト1、メインランナ2ポツト寄り部分と比較し
て、約20℃程度低くなつている。サブランナ3で
は従来のものより樹脂は徐々に熱を受け、最低粘
度のままゲート4を通り、キヤビテイ5に入る。
ゲート4、キヤビテイ5の温度もサブランナ3と
同様低温になつているので、樹脂が受ける熱量は
従来装置より少なくなる。そこで樹脂の硬化速度
はおそくなる。第2図は本発明の効果の説明図
で、破線は従来装置での樹脂粘度と時間の関係、
実線は本発明のものである。ポツトに投入された
時点で樹脂は固体であり、従来装置と本発明では
変わりない。ポツト、メインランナの温度は本発
明の方が高くコントロールしているので、粘度の
低下速度が早く、また、サブランナ、キヤビテイ
は本発明の方が低くコントロールしているので、
本発明の方が最低粘度にある時間が長く、硬化速
度がおそい。
トは、従来の場合より軟化が早い。ポツトを押し
出された樹脂は軟化しながらメインランナ2を通
る。メインランナ2も従来のものより高温になつ
ており、樹脂の軟化速度が早く、ほぼ最低粘度に
なる。メインランナ2に温度はサブランナ3に近
づくにつれて、高温から低温に移行するが、サブ
ランナ3は従来のものより低温になつており、ポ
ツト1、メインランナ2ポツト寄り部分と比較し
て、約20℃程度低くなつている。サブランナ3で
は従来のものより樹脂は徐々に熱を受け、最低粘
度のままゲート4を通り、キヤビテイ5に入る。
ゲート4、キヤビテイ5の温度もサブランナ3と
同様低温になつているので、樹脂が受ける熱量は
従来装置より少なくなる。そこで樹脂の硬化速度
はおそくなる。第2図は本発明の効果の説明図
で、破線は従来装置での樹脂粘度と時間の関係、
実線は本発明のものである。ポツトに投入された
時点で樹脂は固体であり、従来装置と本発明では
変わりない。ポツト、メインランナの温度は本発
明の方が高くコントロールしているので、粘度の
低下速度が早く、また、サブランナ、キヤビテイ
は本発明の方が低くコントロールしているので、
本発明の方が最低粘度にある時間が長く、硬化速
度がおそい。
このように、本発明では樹脂の最低粘度状態が
長くとれ、硬化速度がおそいので、ポツトに近い
キヤビテイに充満した樹脂は、ポツトから最も遠
いキヤビテイに樹脂が充満するまで最低粘度状態
を保つことができる。この結果、プレスのシリン
ダの圧力はすべてのキヤビテイ内の樹脂の隅々ま
で伝達し、最高圧力がかかつたまま硬化を開始す
る。このため樹脂内の気泡は高圧力によつて消滅
するので、気泡の少ない成形品が得られる。第4
図は本発明の実験結果を示すグラフである。従来
の場合、金型の全部分を一様に175℃に設定し、
△Tは0になつており、その場合にはボイドの発
生数は0.0072個/パツケージであつた。175℃を
基準にしてポツト・メインランナ温度Tpとキヤ
ビテイ温度Tcを上下に振り分け、温度差をパラ
メータに実験すると、温度差が10℃までは効果が
明確でなかつたが、温度差15℃以上では、本発明
の効果が得られ、ボイド(0.15mm以上)の発生は
なくなる。
長くとれ、硬化速度がおそいので、ポツトに近い
キヤビテイに充満した樹脂は、ポツトから最も遠
いキヤビテイに樹脂が充満するまで最低粘度状態
を保つことができる。この結果、プレスのシリン
ダの圧力はすべてのキヤビテイ内の樹脂の隅々ま
で伝達し、最高圧力がかかつたまま硬化を開始す
る。このため樹脂内の気泡は高圧力によつて消滅
するので、気泡の少ない成形品が得られる。第4
図は本発明の実験結果を示すグラフである。従来
の場合、金型の全部分を一様に175℃に設定し、
△Tは0になつており、その場合にはボイドの発
生数は0.0072個/パツケージであつた。175℃を
基準にしてポツト・メインランナ温度Tpとキヤ
ビテイ温度Tcを上下に振り分け、温度差をパラ
メータに実験すると、温度差が10℃までは効果が
明確でなかつたが、温度差15℃以上では、本発明
の効果が得られ、ボイド(0.15mm以上)の発生は
なくなる。
以上のように、この発明によれば、ICの成形
用金型のポツト、メインランナ部の温度を高く、
キヤビテイ部の温度を低くコントロール可能にし
たので、ICプラスチツクパツケージの気泡(ボ
イド)を少なくできる効果がある。
用金型のポツト、メインランナ部の温度を高く、
キヤビテイ部の温度を低くコントロール可能にし
たので、ICプラスチツクパツケージの気泡(ボ
イド)を少なくできる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による成形装置を
示す平面図、第2図はこの発明の効果を示す説明
図、第3図は従来の成形装置を示す平面図、第4
図は本発明の実験結果を示すグラフである。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示
す。
示す平面図、第2図はこの発明の効果を示す説明
図、第3図は従来の成形装置を示す平面図、第4
図は本発明の実験結果を示すグラフである。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体素子が搭載されたリードフレームを熱
硬化性樹脂で封止成形する際に、共通のポツトお
よびランナーを通じて多数のキヤビテイに熱硬化
性樹脂を供給し、これをキヤビテイ内で硬化させ
るようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、前記ポツトおよびメインランナーに対し
て前記キヤビテイの温度を15℃以上も低く設定し
た状態で、熱硬化性樹脂を加圧注入し、加圧保持
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 2 共通のポツトおよびランナーを通じて多数の
キヤビテイに熱硬化性樹脂を供給し、これをキヤ
ビテイ内で硬化させて、半導体素子を搭載したリ
ードフレームを封止成形する樹脂成形用金型にお
いて、前記ポツトおよびランナー用のブロツクと
キヤビテイ用のブロツクとに分割され、それぞれ
のブロツクに独立した加熱体を設備し、ポツトお
よびメインランナーに対してキヤビテイの温度を
15℃以上低く設定してなることを特徴とする樹脂
成形用金型。 3 それぞれの前記加熱体に対して独立した温度
コントローラを設備したことを特徴とする特許請
求の範囲第2項に記載の樹脂成形用金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17772585A JPS6239215A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17772585A JPS6239215A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂成形用金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6239215A JPS6239215A (ja) | 1987-02-20 |
JPH0431285B2 true JPH0431285B2 (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=16036018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17772585A Granted JPS6239215A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂成形用金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6239215A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0167012U (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-28 | ||
US5368805A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
NL1026407C2 (nl) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het beheersbaar omhullen van elektronische componenten. |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140040A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | Polyplastics Co | ビデオテ−プリ−ルの成形法 |
JPS59232809A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Shigeru Ikemoto | 合成樹脂製品成形用金型装置 |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17772585A patent/JPS6239215A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140040A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | Polyplastics Co | ビデオテ−プリ−ルの成形法 |
JPS59232809A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Shigeru Ikemoto | 合成樹脂製品成形用金型装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6239215A (ja) | 1987-02-20 |
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