JPH0582572A - 半導体装置樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置樹脂封止用金型及び樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH0582572A JPH0582572A JP23852591A JP23852591A JPH0582572A JP H0582572 A JPH0582572 A JP H0582572A JP 23852591 A JP23852591 A JP 23852591A JP 23852591 A JP23852591 A JP 23852591A JP H0582572 A JPH0582572 A JP H0582572A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- heater
- semiconductor device
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】超薄型パッケージの半導体装置の樹脂外郭体が
破損することなく金型より離型出来る。 【構成】常時加熱するヒータ５とは別に、局部的に加熱
するサブヒータ７を金型のキャビティ面の近部に埋設
し、金型の型締め、型開きの動作と同期させ、サブヒー
タ７のオン・オフ動作させ、キャビティ面の温度を均一
に加熱する。このことによりキャビティ面に接する樹脂
外郭体３の硬化及び離型剤の浸出の一様化を図ってい
る。
破損することなく金型より離型出来る。 【構成】常時加熱するヒータ５とは別に、局部的に加熱
するサブヒータ７を金型のキャビティ面の近部に埋設
し、金型の型締め、型開きの動作と同期させ、サブヒー
タ７のオン・オフ動作させ、キャビティ面の温度を均一
に加熱する。このことによりキャビティ面に接する樹脂
外郭体３の硬化及び離型剤の浸出の一様化を図ってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を樹脂封止
する半導体装置樹脂封止金型及び樹脂封止方法に関す
る。
する半導体装置樹脂封止金型及び樹脂封止方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体装
置樹脂封止金型の一例を動作順に示す断面図である。従
来、この種の半導体装置樹脂封止金型は、例えば、図４
（ａ）に示すように、樹脂外郭体３の外形を形成する窪
みを有し、加熱用のヒータ５が埋設される上型１及び下
型２と、樹脂外郭体３を成形後にその樹脂外郭体３を型
離しするエジェクタピン５を有していた。
置樹脂封止金型の一例を動作順に示す断面図である。従
来、この種の半導体装置樹脂封止金型は、例えば、図４
（ａ）に示すように、樹脂外郭体３の外形を形成する窪
みを有し、加熱用のヒータ５が埋設される上型１及び下
型２と、樹脂外郭体３を成形後にその樹脂外郭体３を型
離しするエジェクタピン５を有していた。
【０００３】この金型を使用して、半導体素子を樹脂封
止する場合は、まず、半導体素子が搭載されるリードフ
レームを上型１と下型とで挾み、溶融樹脂を上型１及び
下型２の窪みで形成する空間に流す。このことにより、
空間に樹脂が充愼され、樹脂外郭体３に成形される。次
に、所定時間経過後、上型１と下型２とを引離すると同
時にエジェクターピン５が型面より突出して樹脂外郭体
３は型より引き離される。
止する場合は、まず、半導体素子が搭載されるリードフ
レームを上型１と下型とで挾み、溶融樹脂を上型１及び
下型２の窪みで形成する空間に流す。このことにより、
空間に樹脂が充愼され、樹脂外郭体３に成形される。次
に、所定時間経過後、上型１と下型２とを引離すると同
時にエジェクターピン５が型面より突出して樹脂外郭体
３は型より引き離される。
【０００４】このときの金型の加熱温度は、キャビティ
を形成する窪み面より離れた部分に埋設される温度セン
サＡ６で検知し、温度が例えば１７５℃に一定になるよ
うにヒータ６の電流をオンオフして制御していた。
を形成する窪み面より離れた部分に埋設される温度セン
サＡ６で検知し、温度が例えば１７５℃に一定になるよ
うにヒータ６の電流をオンオフして制御していた。
【０００５】また、この樹脂外郭体３であるパッケージ
がますます薄刑傾向にあり、最近では、厚さ１ｍｍのも
のも実現している。このような超薄型パッケージの半導
体装置の樹脂成形に隙しては、種々の工夫が行なわれて
きた。特に、樹脂封止後の金型より樹脂外郭体３を離型
させるのに、上述した例に示すように複数のエジェクタ
ーピンを設けるのも一つの具体例である。
がますます薄刑傾向にあり、最近では、厚さ１ｍｍのも
のも実現している。このような超薄型パッケージの半導
体装置の樹脂成形に隙しては、種々の工夫が行なわれて
きた。特に、樹脂封止後の金型より樹脂外郭体３を離型
させるのに、上述した例に示すように複数のエジェクタ
ーピンを設けるのも一つの具体例である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように半導体装置樹脂封止金型では、樹脂外郭体の型
離るが円滑に行なわれることなく、しばしば、図４
（ｂ）に示すように、樹脂外郭体３の一部が金型の窪み
に被着したままになり、エジェクターピン４で無理に押
されることによって樹脂外郭体３が破損したり、リード
が折れ曲ったりする問題点があった。
たように半導体装置樹脂封止金型では、樹脂外郭体の型
離るが円滑に行なわれることなく、しばしば、図４
（ｂ）に示すように、樹脂外郭体３の一部が金型の窪み
に被着したままになり、エジェクターピン４で無理に押
されることによって樹脂外郭体３が破損したり、リード
が折れ曲ったりする問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、離型性を良くし、樹脂外
郭体に損傷を与えることなく樹脂封止出来る半導体装置
樹脂封止金型及び樹脂封止方法を提供することにある。
郭体に損傷を与えることなく樹脂封止出来る半導体装置
樹脂封止金型及び樹脂封止方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置樹脂
封止金型は、上型及び下型に埋設される第１のヒータ
と、上型の窪み及び下型の窪みとで形成する空間部であ
るキャビティの近旁に埋設される第２のヒータとを備
え、前記第１のヒータは常時電流を流し一定の温度を加
熱し、前記第２のヒータは型締め・型開きの動作によっ
て電流を断通させることを特徴としている。
封止金型は、上型及び下型に埋設される第１のヒータ
と、上型の窪み及び下型の窪みとで形成する空間部であ
るキャビティの近旁に埋設される第２のヒータとを備
え、前記第１のヒータは常時電流を流し一定の温度を加
熱し、前記第２のヒータは型締め・型開きの動作によっ
て電流を断通させることを特徴としている。
【０００９】本発明の半導体装置の樹脂封止方法は、あ
らかじめ一定温度に加熱される金型の窪みでなす空間部
に半導体素子を搭載するリードフレームを配置し、この
空間部に溶融樹脂を充愼するときに空間部近旁を局部的
に加熱し、前記溶融樹脂を硬化させ前記半導体素子及び
前記リードフレームを樹脂封止することを特徴としてい
る。
らかじめ一定温度に加熱される金型の窪みでなす空間部
に半導体素子を搭載するリードフレームを配置し、この
空間部に溶融樹脂を充愼するときに空間部近旁を局部的
に加熱し、前記溶融樹脂を硬化させ前記半導体素子及び
前記リードフレームを樹脂封止することを特徴としてい
る。
【００１０】
【作用】前述の問題を引き起す原因が金型のキャビティ
を形成する窪み面の温度分布が一様でないことによるも
のという知見を得た。すなわち、温度の低い部分は、樹
脂硬化が不十分であることと、樹脂中に含まれる離型剤
の抽出が不十分であることが重なり、離型が部分的に行
なわれず、エジェクターピンの押し出しによる樹脂外郭
体の破損あるいはリードの折れ曲りを引き起すことであ
る。
を形成する窪み面の温度分布が一様でないことによるも
のという知見を得た。すなわち、温度の低い部分は、樹
脂硬化が不十分であることと、樹脂中に含まれる離型剤
の抽出が不十分であることが重なり、離型が部分的に行
なわれず、エジェクターピンの押し出しによる樹脂外郭
体の破損あるいはリードの折れ曲りを引き起すことであ
る。
【００１１】本発明はかかる現象を考慮し、キャビティ
を窪み面を局部的に加熱し、樹脂硬化の促進及び離型剤
の浸出を促し、かつ樹脂の成形収縮を大きくし、結果的
に離型性を向上させたことである。これらのことは、単
に成形金型全体の金型温度を上げることで実現できそう
であるが、実際に温度を上げるだけでは、キャビティ面
を均一に加熱することが出来ず、樹脂の流動性のバラン
スが崩れる。すなわち、部分的に硬化が進み流動性を失
うことである。そこで、本発明は、キャビティ面の近い
金型部分に新にヒータを埋設し、型締め型開き動作と同
期させてヒータをオンオフし、キャビティ面を均一な温
度にし、樹脂硬化の促進及び離型材の浸出も一様にする
ことを図り、型離れ易くしたことである。
を窪み面を局部的に加熱し、樹脂硬化の促進及び離型剤
の浸出を促し、かつ樹脂の成形収縮を大きくし、結果的
に離型性を向上させたことである。これらのことは、単
に成形金型全体の金型温度を上げることで実現できそう
であるが、実際に温度を上げるだけでは、キャビティ面
を均一に加熱することが出来ず、樹脂の流動性のバラン
スが崩れる。すなわち、部分的に硬化が進み流動性を失
うことである。そこで、本発明は、キャビティ面の近い
金型部分に新にヒータを埋設し、型締め型開き動作と同
期させてヒータをオンオフし、キャビティ面を均一な温
度にし、樹脂硬化の促進及び離型材の浸出も一様にする
ことを図り、型離れ易くしたことである。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明の一実施例を示す半導体装置
樹脂封止金型の断面図である。この半導体装置樹脂封止
金型は、図１に示すように、キャビティ面に近い部分に
ヒータ５と別にサブヒータ７を埋設し、この部分の温度
を検出する温度センサＢ８を設けたことである。それ以
外は従来例と同じである。
樹脂封止金型の断面図である。この半導体装置樹脂封止
金型は、図１に示すように、キャビティ面に近い部分に
ヒータ５と別にサブヒータ７を埋設し、この部分の温度
を検出する温度センサＢ８を設けたことである。それ以
外は従来例と同じである。
【００１４】図２は図１の半導体装置樹脂封止金型の加
熱回路を示すブロック図、図３は図２の加熱回路の動作
を説明するためのタイムチャートである。次に、この半
導体装置樹脂封止金型による樹脂封止方法を説明する。
まず、図２に示す温度コントローラ９によりヒータ５及
びサブヒータ７に電流を流す。次に、温度センサＡ６及
び温度センサＢ８が所定の温度１７５℃に達したら、半
導体素子が搭載されたリードフレームを金型で挾む。次
に、溶融樹脂をキャビティに注入し、樹脂外郭体３を形
成する。このたき、温度センサＡ６が所定温度値を越え
たら、自動的にヒータ５に流す電流はオフする。従っ
て、図３に示すように、ヒータの電流は断続的にオンオ
フを行う。一方、サブヒータ７による局所加熱の上限は
１７５℃より高い温度に設定してあるので、その所定の
温度までなだらかに上昇する。次に、注入後、所定時間
経過後、下型２を下降させ、型開きを行うと同時にサブ
ヒータ７の電流をオフする。このとき、温度の慣性によ
り温度センサＢ８の付近の温度は１７５℃より高い値を
示している。次に従来と同様にエジェクタ４を作動さ
せ、樹脂外郭体３を離脱させる。
熱回路を示すブロック図、図３は図２の加熱回路の動作
を説明するためのタイムチャートである。次に、この半
導体装置樹脂封止金型による樹脂封止方法を説明する。
まず、図２に示す温度コントローラ９によりヒータ５及
びサブヒータ７に電流を流す。次に、温度センサＡ６及
び温度センサＢ８が所定の温度１７５℃に達したら、半
導体素子が搭載されたリードフレームを金型で挾む。次
に、溶融樹脂をキャビティに注入し、樹脂外郭体３を形
成する。このたき、温度センサＡ６が所定温度値を越え
たら、自動的にヒータ５に流す電流はオフする。従っ
て、図３に示すように、ヒータの電流は断続的にオンオ
フを行う。一方、サブヒータ７による局所加熱の上限は
１７５℃より高い温度に設定してあるので、その所定の
温度までなだらかに上昇する。次に、注入後、所定時間
経過後、下型２を下降させ、型開きを行うと同時にサブ
ヒータ７の電流をオフする。このとき、温度の慣性によ
り温度センサＢ８の付近の温度は１７５℃より高い値を
示している。次に従来と同様にエジェクタ４を作動さ
せ、樹脂外郭体３を離脱させる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、金型を常
時加熱するヒータとは別に、キャビティ面に近接して金
型に埋設されるとともに局部的に加熱するサビヒータを
設け、このサブヒータのオンオフ動作を金型の型締め型
開きの動作と同期させることによって、金型の樹脂成形
面である。キャビティ面の温度を均一化を図り、樹脂流
動性を一様にして樹脂外郭体を破損することなく容易に
離型できる半導体装置樹脂封止金型及び樹脂封止方法が
得られるという効果がある。
時加熱するヒータとは別に、キャビティ面に近接して金
型に埋設されるとともに局部的に加熱するサビヒータを
設け、このサブヒータのオンオフ動作を金型の型締め型
開きの動作と同期させることによって、金型の樹脂成形
面である。キャビティ面の温度を均一化を図り、樹脂流
動性を一様にして樹脂外郭体を破損することなく容易に
離型できる半導体装置樹脂封止金型及び樹脂封止方法が
得られるという効果がある。
【図１】本発明の半導体装置樹脂封止金型の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１の半導体装置樹脂封止金型の加熱回路を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図３】図２の加熱回路の動作を説明するためのタイム
チャートである。
チャートである。
【図４】従来の半導体装置樹脂封止金型の一例を動作順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１ 上型 ２ 下型 ３ 樹脂外郭体 ４ エジェクターピン ５ ヒータ ６ 温度センサＡ ７ サブヒータ ８ 温度センサＢ ９ 温度コントローラ １０ 成形コントローラ １１ クロックジェネレータ
Claims (2)
- 【請求項１】 上型及び下型に埋設される第１のヒータ
と、上型の窪み及び下型の窪みとで形成する空間部であ
るキャビティの近旁に埋設される第２のヒータとを備
え、前記第１のヒータは常時電流を流し一定の温度を加
熱し、前記第２のヒータは型締め・型開きの動作によっ
て電流を断通させることを特徴とする半導体装置樹脂封
止金型。 - 【請求項２】 あらかじめ一定温度に加熱される金型の
窪みでなす空間部に半導体素子を搭載するリードフレー
ムを配置し、この空間部に溶融樹脂を充愼するときに空
間部近旁を局部的に加熱し、前記溶融樹脂を硬化させ前
記半導体素子及び前記リードフレームを樹脂封止するこ
とを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852591A JPH0582572A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体装置樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852591A JPH0582572A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体装置樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582572A true JPH0582572A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17031555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23852591A Pending JPH0582572A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体装置樹脂封止用金型及び樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258495A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法および装置ならびに半導体パッケージ |
| CN102049840A (zh) * | 2009-11-04 | 2011-05-11 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 一种电子器件的塑封模具及塑封方法 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP23852591A patent/JPH0582572A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258495A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法および装置ならびに半導体パッケージ |
| CN102049840A (zh) * | 2009-11-04 | 2011-05-11 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 一种电子器件的塑封模具及塑封方法 |
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