RU2017131626A - Оптоэлектронные устройства, включающие буферные слои оксида металла, обрабатываемые в растворе - Google Patents

Оптоэлектронные устройства, включающие буферные слои оксида металла, обрабатываемые в растворе Download PDF

Info

Publication number
RU2017131626A
RU2017131626A RU2017131626A RU2017131626A RU2017131626A RU 2017131626 A RU2017131626 A RU 2017131626A RU 2017131626 A RU2017131626 A RU 2017131626A RU 2017131626 A RU2017131626 A RU 2017131626A RU 2017131626 A RU2017131626 A RU 2017131626A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
group
electrode
layers
oxide nanoparticles
htl
Prior art date
Application number
RU2017131626A
Other languages
English (en)
Inventor
Норман Альберт ЛЮХИНГЕР
Бенджамин ХАРТМАЙЕР
И Хоу
Тобиас ШТУБХАН
Кристоф БРАБЕК
Original Assignee
Авантама Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Авантама Аг filed Critical Авантама Аг
Publication of RU2017131626A publication Critical patent/RU2017131626A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344—Organic materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Claims (78)

1. Оптоэлектронное устройство,
при этом указанное устройство содержит субстрат и множество слоев,
причем по меньшей мере один из указанных слоев является буферным слоем,
при этом указанный буферный слой включает 70-99,9% вес. наночастиц оксида металла,
причем наночастицы оксида металла включают физически адсорбированные соли металлов формулы (I) в количестве 1-10% вес.,
Mz a+Ry b- (I),
где
M означает катион металла, выбранный из группы, состоящей из Zn, Al, Y, Pb, Bi Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, V, Ti, La, Mg, Ca, Sr или Ba,
R означает соответствующий анион соли,
a равно 2, 3, 4 или 5,
b равно 1, 2 или 3,
z равно 1, или это действительное число меньше 1, но кроме 0,
y равно z*a/b; и
при этом молярная фракция катиона соли металла относительно количества атомов/ионов металла в наночастице составляет 0,02-6% мол.
2. Устройство по п. 1, выбранное из группы, состоящей из солнечных элементов типа перовскита, элементов OPV, OLED, QLED и органических фотодетекторов.
3. Устройство по п. 2, выбранное из группы, состоящей из OPV и солнечных элементов типа перовскита, при этом, указанное множество слоев расположено в порядке, соответствующем нормальной архитектуре или обратной архитектуре; или
выбранное из группы LED, где активный слой включает органические материалы (OLED), или где активный слой включает квантовые точки (QLED).
4. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный буферный слой выбран из группы, состоящей из слоев дырочного транспорта (HTL), инжекции дырок (HIL), экстракции дырок (HEL), электронного транспорта (ETL), инжекции электронов (EIL) и экстракции электронов (EEL).
5. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором указанные наночастицы оксида металла выбраны из группы, состоящей из
чистых оксидов металлов, предпочтительно, NiO, ZnO, WzOy, MozOy, TizOy, YzOy, TazOy, NbzOy, CuO, СrzOy, и VzOy;
смешанных оксидов металлов, предпочтительно, IGZO, IZO, ZnSnO3 и BaSnO3;
легированных оксидов металлов, предпочтительно, AZO, ITO и ATO.
6. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором указанные наночастицы оксида металла выбраны из группы, состоящей из NiO, ZnO, легированного алюминием ZnO (AZO), TiO2 и легированного TiO2.
7. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором R означает органический анион, предпочтительно, выбранный из группы, состоящей из ацетата, формиата, цитрата, оксалата; или неорганический анион, предпочтительно, выбранный из группы, состоящей из нитрата и галогенида.
8. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором
Mz a+ означает Zn2+, Al3+, или Y3+
Mz a+Ry b- означает ацетат цинка, ацетат алюминия, ацетат иттрия, нитрат цинка, нитрат алюминия или нитрат иттрия.
9. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный субстрат выбран из
(а) органического материала; или
(b) неорганического материала; или
(с) сочетания (а) и (b).
10. Промежуточный продукт, включающий листообразный субстрат, снабженный покрытием из множества слоев,
при этом по меньшей мере один слой является буферным слоем (HEL, EEL, HIL);
при этом указанные слои
(а) имеют последовательность субстрат/электрод/HTL/активный слой/ETL/электрод («нормальная архитектура»); или
(b) имеют последовательность субстрат/электрод/ЕTL/активный слой/НTL/электрод («обратная архитектура»); или
(с) включают последовательность электрод/ЕTL/активный слой/НTL; или
(d) включают последовательность электрод/НTL/активный слой/ЕTL; или
(e) включают последовательность электрод/НTL/ЕTL/электрод; или
(f) включают последовательность электрод/ЕTL/НTL/электрод,
отличающийся тем, что указанный(е) буферный(е) слой(и) включает наночастицы оксида металла, по любому из пп. 1, 5-8.
11. Промежуточный продукт по п. 10, в котором
-буферный слой не содержит рассеивающий частицы и характеризуется толщиной 3-1000 нм, или буферный слой содержит рассеивающие частицы и характеризуется толщиной 100-20000 нм; и/или
-буферный слой характеризуется средней неровностью поверхности менее 30 нм; и/или
-электрод выбран из группы, состоящей из ITO, серебра, меди, никеля или PEDOT:PSS; и/или
-по меньшей мере, один из электродов основан на серебряной нанопроволоке;
-дополнительного слоя нет.
12. Композиция в форме суспензии, содержащая
(а) 0,2-50% вес. наночастиц оксида металла, выбранных из группы, состоящей из
-чистых оксидов металлов, предпочтительно, NiO, ZnO, WzOy, MozOy, TizOy, YzOy, TazOy, NbzOy, CuO, СrzOy, и VzOy;
-смешанных оксидов металлов, предпочтительно, IGZO, IZO, ZnSnO3 и BaSnO3;
-легированных оксидов металлов, предпочтительно, AZO, ITO и ATO;
(b) 0,005-10% вес. солей металлов по п. 1;
(с) 20-99,795% вес. полярных растворителей, предпочтительно, выбранных из группы, состоящей из воды, DMSO, DMF, диметилацетамида, метанола, ацетонитрила, этиленгликоля, пропиленгликоля, ацетона, тетрафторпропанола.
13. Применение композиции в форме суспензии, содержащей
(а) наночастицы оксида металла по п. 5 или 6;
(b) соли металлов Mz a+Ry b- по любому из пп. 1, 7 или 8;
(с) полярный растворитель по п. 12;
для производства промежуточного продукта по п. 10 или 11; или
для производства электронного устройства по любому из пп. 1-9.
14. Способ производства промежуточного продукта по п. 10 или 11, в котором буферный слой изготовлен посредством следующих стадий:
(а) нанесение суспензии на субстрат или субстрат с покрытием, при этом, указанная суспензия содержит наночастицы оксида металла, в частности, по п. 1 и (ii) полярный растворитель, в частности, по п. 12,
(b) удаление растворителя из указанной композиции и
(с) по выбору, обработка сухого слоя при повышенной температуре.
15. Способ по п. 14, в котором
(а) суспензию стадии (а) наносят путем нанесения покрытия или печати; и/или
(b) растворитель стадии (b) удаляют на воздухе или в атмосфере защитного газа с низким влагосодержанием; и/или
(с) высушенную пленку наночастиц на стадии (с) подвергают отжигу при 50°С - 150°С на воздухе или в атмосфере защитного газа.
16. Способ по п. 14 или 15, в котором все слои произведены путем нанесения покрытия или печати.
17. Способ производства электронного устройства по любому из пп. 1-9, содержащий следующие стадии:
(а) обеспечение промежуточного продукта по п. 10 или 11,
(b) приведение слоев указанного продукта в контакт с электрической цепью,
(с) заключительная обработка полученного продукта.
18. Электронное устройство, полученное способом, содержащим следующие стадии:
(а) обеспечение промежуточного продукта по п. 10 или 11,
(b) приведение его слоев в контакт с электрической цепью,
(с) заключительная обработка полученного продукта.
19. Промежуточный продукт, полученный способом по любому из пп. 14-16.
RU2017131626A 2015-02-12 2016-02-09 Оптоэлектронные устройства, включающие буферные слои оксида металла, обрабатываемые в растворе RU2017131626A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15000421.6 2015-02-12
EP15000421 2015-02-12
PCT/EP2016/000220 WO2016128133A1 (en) 2015-02-12 2016-02-09 Optoelectronic devices comprising solution-processable metal oxide buffer layers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2017131626A true RU2017131626A (ru) 2019-03-12

Family

ID=52469583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131626A RU2017131626A (ru) 2015-02-12 2016-02-09 Оптоэлектронные устройства, включающие буферные слои оксида металла, обрабатываемые в растворе

Country Status (12)

Country Link
US (1) US10003037B2 (ru)
EP (1) EP3257091B1 (ru)
JP (1) JP6503080B2 (ru)
KR (1) KR102120534B1 (ru)
CN (1) CN107251256B (ru)
AU (1) AU2016218562A1 (ru)
BR (1) BR112017016097B1 (ru)
CA (1) CA2974044A1 (ru)
RU (1) RU2017131626A (ru)
SG (1) SG11201706566XA (ru)
WO (1) WO2016128133A1 (ru)
ZA (1) ZA201705904B (ru)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180222768A1 (en) * 2017-02-09 2018-08-09 Universidad De Antioquia Functionalized metal oxide nanoparticles, methods of preparation and uses thereof
WO2019030273A1 (en) 2017-08-09 2019-02-14 Basf Se COMPOSITIONS COMPRISING DISPERSED NANOPARTICLES
WO2019030269A1 (en) 2017-08-09 2019-02-14 Basf Se COMPOSITIONS COMPRISING DISPERSED NANOPARTICLES OF ELECTROCHROMIC OXIDE
WO2019030270A1 (en) 2017-08-09 2019-02-14 Basf Se ARTICLE FOR THE PRODUCTION OF AN ELECTROCHROMIC DEVICE, OR FOR USE THEREIN
JP6626482B2 (ja) 2017-08-10 2019-12-25 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
CN107507917B (zh) * 2017-08-15 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示装置
EP3676885A1 (en) * 2017-09-01 2020-07-08 King Abdullah University Of Science And Technology Methods and apparatuses for fabricating perovskite-based devices on cost-effective flexible conductive substrates
CN109994607B (zh) * 2017-12-29 2021-12-07 Tcl科技集团股份有限公司 空穴传输材料及其制备方法和应用
KR102649296B1 (ko) * 2018-07-24 2024-03-18 삼성전자주식회사 양자점 소자와 표시 장치
JP7080133B2 (ja) * 2018-08-01 2022-06-03 住友化学株式会社 光検出素子及び指紋認証装置
KR102649297B1 (ko) 2018-08-21 2024-03-18 삼성전자주식회사 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US10923668B2 (en) 2018-08-21 2021-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, and display device comprising thereof
CN109216558B (zh) * 2018-09-10 2021-11-02 陕西师范大学 含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法
CN110970579B (zh) * 2018-09-30 2022-12-02 纳晶科技股份有限公司 一种氧化锌纳米晶电子传输层及其制备方法、电子器件
KR20200099930A (ko) 2019-02-15 2020-08-25 삼성전자주식회사 전계 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치
KR102339559B1 (ko) * 2019-05-27 2021-12-15 이화여자대학교 산학협력단 금속 산화물-리간드 복합 나노입자, 상기 복합 나노입자의 제조방법, 및 상기 복합 나노입자 층을 포함하는 유기 태양전지
KR20210034953A (ko) * 2019-09-23 2021-03-31 삼성전자주식회사 발광소자, 발광소자의 제조 방법과 표시 장치
EP4066292A4 (en) * 2019-11-27 2024-01-10 Cubicpv Inc METAL OXIDE NANOPARTICLE ELECTRON TRANSPORT LAYERS IN PEROWSKITE SEMICONDUCTOR DEVICES
TWI706915B (zh) * 2019-12-10 2020-10-11 國立臺灣大學 鈣鈦礦太陽能電池及其製備方法
JP2021150588A (ja) * 2020-03-23 2021-09-27 株式会社リコー 光電変換素子、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール
KR20210152067A (ko) * 2020-06-05 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 색 제어 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
US20230332007A1 (en) * 2020-09-30 2023-10-19 Sharp Kabushiki Kaisha Ink composition for inkjet printing, method for producing display device, and display device
CN112467042B (zh) * 2020-11-25 2022-12-20 西南石油大学 一种钙钛矿太阳能电池组件智能自动化生产系统
CN113745410B (zh) * 2021-08-24 2023-09-29 上海工程技术大学 一种基于P型CuNiO2薄膜的钙钛矿太阳能电池的制备方法
WO2023062672A1 (ja) * 2021-10-11 2023-04-20 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4799881B2 (ja) * 2004-12-27 2011-10-26 三井金属鉱業株式会社 導電性インク
CN1841786B (zh) * 2005-03-30 2012-07-18 大日本印刷株式会社 氧化物半导体电极、色素增感型太阳能电池及它们的制造方法
US9295133B2 (en) * 2008-07-17 2016-03-22 The Regents Of The University Of California Solution processable material for electronic and electro-optic applications
JP2010277854A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Tdk Corp 色素増感型太陽電池、及び、色素増感型太陽電池用の有機溶媒非含有電解質
TWI515917B (zh) * 2009-07-07 2016-01-01 佛羅里達大學研究基金公司 穩定且全溶液製程之量子點發光二極體
US20120205615A1 (en) * 2009-10-29 2012-08-16 Takahiro Seike Organic photovoltaic cell
KR20130044340A (ko) * 2010-07-23 2013-05-02 바스프 에스이 개선된 안정성을 갖는 염료 태양 전지
WO2012160714A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 国立大学法人山形大学 有機電子デバイス及びその製造方法
EP2647675A2 (en) * 2012-04-02 2013-10-09 Neo Solar Power Corp. Method for forming an ink
EP2981992A1 (en) 2013-04-03 2016-02-10 nanograde AG Silane functionalized buffer layers and electronic devices comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP3257091A1 (en) 2017-12-20
JP6503080B2 (ja) 2019-04-17
CN107251256B (zh) 2019-09-03
CN107251256A (zh) 2017-10-13
JP2018506857A (ja) 2018-03-08
EP3257091B1 (en) 2019-03-13
WO2016128133A1 (en) 2016-08-18
KR20170117466A (ko) 2017-10-23
CA2974044A1 (en) 2016-08-18
BR112017016097B1 (pt) 2021-01-19
US20180033984A1 (en) 2018-02-01
AU2016218562A1 (en) 2017-09-07
ZA201705904B (en) 2018-12-19
BR112017016097A2 (pt) 2018-04-03
SG11201706566XA (en) 2017-09-28
KR102120534B1 (ko) 2020-06-09
US10003037B2 (en) 2018-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017131626A (ru) Оптоэлектронные устройства, включающие буферные слои оксида металла, обрабатываемые в растворе
Hwang et al. Lead-free, air-stable hybrid organic–inorganic perovskite resistive switching memory with ultrafast switching and multilevel data storage
JP2017500741A5 (ru)
Zhu et al. Printable semiconductors for backplane TFTs of flexible OLED displays
KR101794735B1 (ko) 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법
KR101724210B1 (ko) 페로브스카이트 발광소자용 발광층 및 이의 제조방법과 이를 이용한 페로브스카이트 발광소자
KR101840077B1 (ko) 금속 산화물 박막 및 나노물질-유도되는 금속 복합체 박막의 저온 제조 방법
Mishra et al. Progress in materials development for flexible perovskite solar cells and future prospects
JP6131949B2 (ja) 金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス
US20170346031A1 (en) Perovskite light emitting device containing exciton buffer layer and method for manufacturing same
US10796857B2 (en) Inorganic/organic hybrid perovskite compound film, and method for manufacturing same
US20160293286A1 (en) Conductive complex and method of manufacturing the same, and electronic device including the conductive complex
KR102331372B1 (ko) 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
WO2016144883A1 (en) Efficient and stable of perovskite solar cells with all solution processed metal oxide transporting layers
CN103403906A (zh) 光伏电池
TW201810697A (zh) 固體接合型光電轉換元件及其製造方法
Hasan et al. Recent criterion on stability enhancement of perovskite solar cells
US20170092697A1 (en) Oxide Electron Selective Layers
US10879479B2 (en) Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers
Valanarasu et al. Improved memory effect of ZnO nanorods embedded in an insulating polymethylmethacrylate layer
WO2017142074A1 (ja) 固体接合型光電変換素子、及びその製造方法
TWI694526B (zh) 金屬氧化物半導體層形成用組成物及使用其之金屬氧化物半導體層之製造方法
KR101316237B1 (ko) 용액 공정 기반의 정공 전도층 제조방법 및 이를 이용한 유기태양전지의 제조방법
JP2015127409A (ja) 金属酸化物含有層形成用組成物、及び電子デバイスその製造方法
KR20140023778A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20190211