KR102331372B1 - 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 - Google Patents

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고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸
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Abstract

발광 소자이며, 기판의 제1 표면에, 서로 이격하여 대향하도록 배치된 한 쌍의 제1 전극과, 상기 제1 전극 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광층과, 상기 발광층 위에 배치된 제2 전극과, 상기 제1 전극 각각을 연결하는 브리지층을 갖고, 상기 브리지층은, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는 재료를 포함하는, 발광 소자.

Description

발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치{LIGHT-EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND LIGHTING DEVICE}
본 발명은 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치에 관한 것이다.
유기 EL(유기 일렉트로루미네센스) 소자와 같은 발광 소자는, 디스플레이(표시 장치), 백라이트 및 조명 장치 등에 널리 사용되고 있다.
일반적인 발광 소자는, 기판 위에 설치된 제1 전극과, 제2 전극과, 이들 전극 사이에 설치된 발광층을 갖는다. 양쪽 전극 사이에 전압을 인가하면, 각각의 전극으로부터, 발광층에 홀 및 전자가 주입된다. 이 홀과 전자가 발광층 내에서 재결합되었을 때, 결합 에너지가 발생하고, 이 결합 에너지에 의해 발광층 중의 발광 재료가 여기된다. 여기된 발광 재료가 기저 상태로 복귀될 때, 발광이 발생하기 때문에, 이것을 이용함으로써, 광을 외부로 취출할 수 있다.
이러한 발광 소자에 있어서, 소자의 대전 방지를 위해, 기판의 이면에 대전 방지막을 형성하는 것이 개시되어 있다(특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2004-047179호 공보
발광 소자 중에는, 사용 재료가 환경 중의 산소나 수분 등의 영향을 받기 쉽고, 이에 의해 성능이 열화되는 것이 있다. 또한, 이러한 발광 소자의 경우, 성능 저하를 억제하기 위해, 산소 및 수분을 제어한 환경하에서, 발광 소자가 제조되거나 또는 사용된다.
그러나, 이러한 환경 하에서는, 발광 소자가 정전기에 의한 대전을 받기 쉽고, 이 정전기가 방전되었을 때, 구성 소자가 정전 파괴될 우려가 있다. 이로 인해, 발광 소자의 분야에서는, 정전기 대책이 중요한 하나의 과제가 되었다.
여기서, 상술한 바와 같이, 특허문헌 1에는, 유기 일렉트로루미네센스 소자의 정전기 대책을 위해, 소자를 구성하는 기판의 이면 등에, 대전 방지막을 형성하는 것이 나타나 있다.
그러나, 정전기에 의한 대전 및 방전은, 반드시 기판의 이면 측에서 발생한다고는 할 수 없다. 특히, 발광 소자의 제조 중에는, 기판의 상부, 즉 구성 소자 측에서, 정전기의 방전에 의한 정전 파괴가 발생할 우려가 있다. 특허문헌 1과 같은 정전기 대책으로는, 이러한, 기판의 이면 이외의 장소에서의 정전기의 방전에 의한 정전 파괴를 충분히 억제하는 것은 어렵다.
또한, 기판의 이면에 대전 방지막을 형성한 경우, 발광 소자의 핸들링 및 반송 등을 할 때, 대전 방지막이 닳아서 기판으로부터 박리될 우려가 있다. 대전 방지막이 박리되었을 경우, 이미 대전 방지 효과는 얻어지지 않게 되어 버린다. 또한, 제조 과정에 있어서 그러한 박리가 발생하면, 박리물이 콘타미네이션의 원인이 되어 버린다.
이와 같이, 발광 소자의 정전 파괴의 문제에 대해서는, 아직 충분한 대책이 확립되어 있다고는 하기 어렵고, 여전히 유효한 대책이 요망되고 있다.
본 발명은 이러한 배경을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명에서는, 제조 과정 및 사용 상태 중 어느 경우든, 정전 파괴를 유의미하게 억제할 수 있는 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명에서는, 그러한 발광 소자를 갖는 표시 장치 및 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 발광 소자이며,
기판의 제1 표면에, 서로 이격하여 대향하도록 배치된 한 쌍의 제1 전극과,
상기 제1 전극 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광층과,
상기 발광층 위에 배치된 제2 전극과,
상기 제1 전극 각각을 연결하는 브리지층을 갖고,
상기 브리지층은, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는 재료를 포함하는, 발광 소자가 제공된다.
또한, 본 발명에서는, 그러한 발광 소자를 갖는 표시 장치 및 조명 장치가 제공된다.
본 발명에서는, 제조 과정 및 사용 상태 중 어느 경우든, 정전 파괴를 유의미하게 억제할 수 있는 발광 소자를 제공하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 발명에서는, 그러한 발광 소자를 갖는 표시 장치 및 조명 장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 다른 발광 소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 흐름도이다.
도 8은 실시예 1에서 사용한, 조명 장치용 발광 소자의 모식적인 상면도이다.
도 9는 실시예 2에서 사용한, 표시 장치용 발광 소자의 모식적인 상면도이다.
도 10은 실시예 3에서 사용한, 표시 장치용 발광 소자의 모식적인 상면도이다.
도 11은 예 1 내지 예 9의 샘플의 X선 회절 스펙트럼이다.
도 12는 예 1의 샘플에 있어서의 UPS 스펙트럼(일함수)이다.
도 13은 예 1의 샘플에 있어서의 UPS 스펙트럼(이온화 포텐셜)이다.
도 14는 예 1의 샘플에 있어서의 무기 재료의 막의 Tauc 플롯이다.
도 15는 예 2의 샘플에 있어서의 무기 재료의 막의 Tauc 플롯이다.
도 16은 전자 온리 소자, 및 예 2 내지 예 7의 샘플에 있어서의 전류-전압 특성을 통합하여 나타낸 도면이다.
도 17은 예 10에 있어서의 유기 EL 소자에 있어서 측정된 전류-전압-휘도 특성을 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자)
도 1에는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자(이하, 「제1 발광 소자」라고 칭함)(100)의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 발광 소자(100)는 기판(110)과, 제1 전극(120)과, 유기층(150)과, 제2 전극(180)을 갖는다.
제1 전극(120)은 기판(110)의 제1 표면(112)에, 대향하는 한 쌍의 서로 직접 접촉되지 않는 전극층(제1 저면 전극층(120a) 및 제2 저면 전극층(120b))을 갖는다. 대향하여 배치되는 제1 전극(120)의 제1 저면 전극층(120a)과 제2 저면 전극층(120b)의 사이의 공간 S를 충전하도록, 수지층(130)이 배치된다.
유기층(150)은 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광층, 홀 수송층, 및 홀 주입층 등을 포함한다. 단, 유기 발광층 이외의 각 층은 불필요할 경우, 생략해도 된다.
제2 전극(180)은 유기층(150)을 덮도록 배치되고, 제1 전극(120)을 구성하는 하나의 저면 전극층(예를 들어 제2 저면 전극층(120b))과 전기적으로 접속된다.
또한, 도 1의 예에서는, 기판(110)의 하측 표면(제2 표면)(114)이 광 취출면으로 되어 있으며, 따라서, 기판(110)은 투명 기판이고, 제1 전극(120)은 투명 전극이다.
이와 같은 구성의 제1 발광 소자(100)는, 예를 들어 조명 장치 등에 사용할 수 있다.
제1 발광 소자(100)를 작동시킬 경우, 먼저, 제1 저면 전극층(120a)이 음극이 되고, 제2 저면 전극층(120b)이 양극이 되도록, 양자 사이에 전압이 인가된다. 이에 의해, 제1 저면 전극층(120a) 측으로부터 유기층(150)을 향하여 전자가 방출되고, 제2 저면 전극층(120b)에 접속된 제2 전극(180) 측으로부터 유기층(150)을 향하여 홀이 방출된다. 전자 및 홀은, 유기층(150) 내에 형성된 유기 발광층에서 재결합되고, 이때 발생한 결합 에너지에 의해 유기 발광층 중의 발광 재료가 여기된다. 여기된 발광 재료가 기저 상태로 복귀될 때, 발광이 발생한다. 이 발광은, 기판(110)의 제2 표면(114)으로부터 출력되고, 이에 의해 제1 발광 소자(100)를 구비하는 조명 장치 등을 밝게(「온」으로) 할 수 있다.
여기서, 도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 발광 소자(100)는 또한, 수지층(130)의 위에 당해 수지층(130)을 덮도록 배치된 브리지층(140)을 갖는다. 브리지층(140)은 제1 전극(120)을 구성하는 2개의 저면 전극층(120a, 120b) 각각과 전기적으로 접속되고, 대향하는 전극(120) 사이의 공간 S를 걸치도록 구성된다.
브리지층(140)은 아연-주석-규소-산소계, 아연-주석-산소계, 및 아연-규소-산소계로 이루어지는 군에서 선정된 재료를 포함하고, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는다.
상술한 바와 같이, 종래의 발광 소자에서는, 정전기의 방전에 의해 발생하는 정전 파괴가 문제가 되고 있다.
그러나, 제1 발광 소자(100)에서는, 제1 저면 전극층(120a) 및 제2 저면 전극층(120b)을 연결하도록, 브리지층(140)이 배치되어 있다. 이와 같은 구성에서는, 브리지층(140)이 제1 저면 전극층(120a)과 제2 저면 전극층(120b) 사이의 적정한 저항 소자로서 기능할 수 있다. 이로 인해, 정전기의 방전 시에는, 예를 들어 제2 저면 전극층(120b)으로부터 제1 저면 전극층(120a)으로, 브리지층(140)을 통하여 비교적 작은 전류(우회 전류)가 흐르게 된다.
또한, 브리지층(140)은 상술한 산화물을 포함하고 있으며, 서지 전압에 의해 자신이 파손될 가능성도 적다.
따라서, 발광 소자(100)에서는, 정전기의 방전 시에, 양쪽 저면 전극층(120a 및 120b) 사이에 순간적으로 대전류가 흘러서, 발광 소자가 정전 파괴되는 것을 유의미하게 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 브리지층(140)은 비정질의 산화물을 포함한다. 이러한 비정질의 층은, 그레인 및 도메인을 갖지 않기 때문에, 패턴화 처리 시에, 평활한 노출 표면을 형성할 수 있다는 특징을 갖는다.
이로 인해, 브리지층(140) 위(및 측부)에 유기층(150)을 형성한 경우, 브리지층(140)/유기층(150) 계면에 있어서의 층의 접착 특성이 좋아져, 유기층(150)의 커버리지 특성을 높이는 것이 가능해진다.
또한, 브리지층(140)은 전자 또는 홀과 같은 담체에 대하여 높은 이동도를 갖는다. 이로 인해, 브리지층(140)은 유기층(150) 기능의 일부를 보완할 수 있다. 구체적으로는, 브리지층(140)은 전자 주입층, 전자 수송층, 홀 주입층, 및/또는 홀 수송층으로서 사용할 수 있다. 이러한 형태에서는, 도 1의 구성에 있어서, 브리지층(140)은, 예를 들어 제1 저면 전극층(120a)의 상부를 거의 덮도록 배치되어도 된다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 다른 발광 소자)
이어서, 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 다른 발광 소자에 대하여 설명한다. 도 2에는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 다른 발광 소자(이하, 「제2 발광 소자」라고 칭함)(200)의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 제2 발광 소자(200)는 기본적으로, 도 1에 도시한 제1 발광 소자(100)와 거의 마찬가지의 구성을 갖는다. 따라서, 도 2에 도시한 제2 발광 소자(200)에 있어서, 도 1과 마찬가지의 구성 부재에는, 도 1에서 사용한 참조 부호에 100을 더한 참조 부호가 사용되고 있다. 예를 들어, 제2 발광 소자(200)는 기판(210)과, 제1 전극(220)(제1 저면 전극층(220a) 및 제2 저면 전극층(220b))과, 브리지층(240)과, 유기층(250)과, 제2 전극(280)을 갖는다.
단, 제2 발광 소자(200)는 제1 저면 전극층(220a)과 제2 저면 전극층(220b) 사이의 공간 S에, 수지층(230)을 갖지 않는 점에서, 제1 발광 소자(100)와는 상이하다. 즉, 제2 발광 소자(200)에 있어서, 공간 S에는, 브리지층(240)이 충전된다.
상술한 바와 같이, 브리지층(240)은 아연-주석-규소-산소계, 아연-주석-산소계, 및 아연-규소-산소계로 이루어지는 군에서 선정된 재료를 포함하고, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는다는 특징을 갖는다.
따라서, 제2 발광 소자(200)에 있어서도, 브리지층(240)의 존재에 의해, 정전기의 방전 시에, 양쪽 저면 전극층(220a 및 220b) 사이에 순간적으로 대전류가 흘러서, 발광 소자가 정전 파괴된다는 문제를 유의미하게 억제할 수 있다.
또한, 산화물을 포함하는 브리지층(240)은 그레인 및 도메인을 갖지 않기 때문에, 패턴화 처리 시에, 평활한 노출 표면을 형성할 수 있다. 이로 인해, 제2 발광 소자(200)에서는, 브리지층(240)/유기층(250) 계면에 있어서의 층의 접착 특성이 좋아지고, 유기층(250)의 커버리지 특성을 높이는 것이 가능해진다.
또한, 제2 발광 소자(200)에서는, 제1 발광 소자(100)에 있어서, 공간 S의 충전에 사용되고 있는 수지층(130)의 설치를 생략할 수 있어, 제조 프로세스의 간략화가 가능하게 된다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자)
이어서, 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자에 대하여 설명한다. 도 3에는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자(이하, 「제3 발광 소자」라고 칭함)(300)의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 제3 발광 소자(300)는, 기본적으로 도 2에 도시한 제2 발광 소자(200)와 거의 마찬가지의 구성을 갖는다. 따라서, 도 3에 도시한 제3 발광 소자(300)에 있어서, 도 2와 마찬가지의 구성 부재에는, 도 2에서 사용한 참조 부호에 100을 더한 참조 부호가 사용되고 있다. 예를 들어, 제3 발광 소자(300)는 기판(310)과, 제1 전극(320)(제1 저면 전극층(320a) 및 제2 저면 전극층(320b))과, 브리지층(340)과, 유기층(350)과, 제2 전극(380)을 갖는다.
단, 제3 발광 소자(300)에서는, 브리지층(340)의 배치 형태가 제2 발광 소자(200)의 경우와는 상이하다.
상술한 바와 같이, 브리지층(340)은 전자 또는 홀과 같은 담체에 대하여 높은 이동도를 갖기 때문에, 유기층(350)의 기능의 일부를 보완할 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시한 제3 발광 소자(300)의 예에서는, 브리지층(340)은 전자 주입층으로서의 기능을 갖고 있으며, 제1 저면 전극층(320a)의 상부에, 당해 제1 저면 전극층(320a)을 거의 덮도록 배치된다. 이에 의해, 유기층(350)을 구성하는 층의 수를 저감하는 것이 가능하게 된다.
이와 같은 구성의 제3 발광 소자(300)에 있어서도, 제1 및 제2 발광 소자(100, 200)와 마찬가지의, 정전 파괴 방지 효과가 얻어지는 것은 당업자에게는 명확하다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자)
이상, 본 발명에 의한 발광 소자가 조명 장치에 적용되는 경우를 상정하여, 발광 소자의 구성 및 그 효과를 설명하였다. 그러나, 본 발명에 의한 발광 소자의 적용예는, 이것에 한정되는 것은 아니다. 그래서 이하, 다른 예로서, 본 발명에 의한 발광 소자가 표시 장치용 발광 소자일 경우를 예로 들어, 그 구성 및 효과에 대하여 설명한다.
도 4에는, 표시 장치 등에 사용될 수 있는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자(이하, 「제4 발광 소자」라고 칭함)의 일부의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 제4 발광 소자(400)는 기판(410)과, 제1 열전극(420)과, 브리지층(440)과, 유기층(450)과, 제2 행전극(480)을 갖는다.
제1 열전극(420)은 기판(410)의 제1 표면(412)에, 대향하는 1조의 전극층(제1 저면 전극층(420a) 및 제2 저면 전극층(420b))을 갖는다. 또한, 제1 열전극(420)은 서로 공간 S를 개재하여 배치된 3개 이상의 저면 전극층의 조를 포함해도 된다.
공간 S에는, 브리지층(440)이 충전, 배치된다. 브리지층(440)은 인접하는 2개의 저면 전극층(420a, 420b)의 각각과 전기적으로 접속되고, 양쪽 저면 전극층(420a, 420b)을 걸치도록 구성된다.
또한, 도 4와는 상이한 구성으로서, 공간 S에 수지층이 충전되고, 브리지층(440)은 이 수지층을 덮도록 배치되어도 된다.
브리지층(440)은 아연-주석-규소-산소계, 아연-주석-산소계, 및 아연-규소-산소계로 이루어지는 군에서 선정된 재료를 포함하고, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는다.
제1 열전극(420) 및 브리지층(440)의 위에는, 유기층(450)이 배치된다. 유기층(450)은 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광층, 홀 수송층, 및 홀 주입층 등을 포함한다. 단, 유기 발광층 이외의 각 층은 불필요할 경우, 생략해도 된다.
제2 행전극(480)은 유기층(450)을 덮도록 배치된다. 또한, 도면으로부터는 명백하지는 않지만, 제2 행전극(480)은, 통상의 경우, 공간을 개재하여 서로 인접하여 배치된, 복수의 상부 전극층을 포함한다.
또한, 도 4의 예에서는, 기판(410)의 하측 표면(제2 표면)(414)이 광 취출면으로 되어 있고, 따라서, 기판(410)은 투명 기판이며, 제1 열전극(420)은 투명 전극이다.
이와 같은 구성의 제4 발광 소자(400)는, 예를 들어 패시브 제어 방식의 표시 장치 등에 사용할 수 있다.
또한, 패시브 제어 방식의 표시 장치의 작동 방법은, 당업자에게는 명확하기 때문에, 여기에서는 더 이상 설명하지 않는다.
여기서, 제4 발광 소자(400)는 상술한 바와 같은 특징을 갖는 브리지층(440)을 갖는다. 이로 인해, 제4 발광 소자(400)에 있어서도, 정전기의 방전 시에 발생할 수 있는, 발광 소자의 정전 파괴를 유의미하게 억제할 수 있다.
또한, 비정질의 산화물을 포함하는 브리지층(440)은 그레인 및 도메인을 갖지 않기 때문에, 패턴화 처리 시에, 평활한 노출 표면을 형성할 수 있다. 이로 인해, 제4 발광 소자(400)에서는, 브리지층(440)/유기층(450) 계면에 있어서의 층의 접착 특성이 좋아져, 유기층(450)의 커버리지 특성을 높이는 것이 가능해진다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자)
이어서, 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자에 대하여 설명한다. 도 5에는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자(이하, 「제5 발광 소자」라고 칭함)(500)의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 제5 발광 소자(500)는 기본적으로, 도 4에 도시한 제4 발광 소자(400)와 거의 마찬가지의 구성을 갖는다. 따라서, 도 5에 도시한 제5 발광 소자(500)에 있어서, 도 4와 마찬가지의 구성 부재에는, 도 5에서 사용한 참조 부호에 100을 더한 참조 부호가 사용되고 있다. 예를 들어, 제5 발광 소자(500)는 기판(510)과, 제1 열전극(520)(제1 저면 전극층(520a) 및 제2 저면 전극층(520b))과, 브리지층(540)과, 유기층(550)과, 제2 행전극(580)을 갖는다.
단, 제5 발광 소자(500)에서는, 브리지층(540)의 배치 형태가 제4 발광 소자(400)의 경우와는 상이하다.
상술한 바와 같이, 브리지층(540)은 전자 또는 홀과 같은 담체에 대하여 높은 이동도를 갖기 때문에, 유기층의 기능의 일부를 보완할 수 있다. 그로 인해, 도 5에 도시한 제5 발광 소자(500)의 예에서는, 브리지층(540)은 전자 주입층으로서의 기능을 갖고 있으며, 제1 열전극(520)을 구성하는 각 저면 전극층(520a, 520b)의 상부에, 이들 층을 덮도록 배치된다. 이와 같은 구성에서는, 유기층(550)을 구성하는 층의 수를 저감하는 것이 가능하게 된다.
제5 발광 소자(500)에 있어서도, 제4 발광 소자(400)와 마찬가지로, 정전 파괴 방지 효과가 얻어지는 것은 당업자에게는 명확하다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자)
이어서, 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자에 대하여 설명한다. 도 6에는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 또 다른 발광 소자(이하, 「제6 발광 소자」라고 칭함)(600)의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 제6 발광 소자(600)는 기판(610)과, TFT 백플레인(630)과, 제1 전극(620)과, 브리지층(640)과, 유기층을 구성하는 각 층(651 내지 655)과, 제2 전극(680)을 갖는다.
TFT 백플레인(630)은 기판(610)의 제1 표면(612) 상에 배치된다. TFT 백플레인(630)은 각종 반도체 회로 소자를 갖는다.
제1 전극(620)은 TFT 백플레인(630) 위에 대향하는 1조의 전극층(제1 저면 전극층(620a) 및 제2 저면 전극층(620b))을 갖는다. 또한, 제1 전극(620)은 서로 공간 S를 개재하여 배치된 3개 이상의 저면 전극층의 조를 포함해도 된다.
제1 전극(620)의 위에는, 브리지층(640)이 배치된다.
상술한 바와 같이, 브리지층(640)은 전자 또는 홀과 같은 담체에 대하여 높은 이동도를 갖기 때문에, 유기층의 기능의 일부를 보완할 수 있다. 그로 인해, 도 6에 도시한 제6 발광 소자(600)의 예에서는, 브리지층(640)은 전자 주입층으로서의 기능을 갖고 있으며, 제1 전극(620)을 구성하는 각 저면 전극층(620a, 620b)의 상부에, 이들 층을 덮도록 배치된다.
또한 도 6의 예에서는, 브리지층(640)은 공간 S를 충전하고 있다. 이것과는 상이한 구성으로서, 공간 S에는 수지층이 충전되고, 브리지층(640)은 이 수지층을 덮도록 배치되어도 된다.
브리지층(640)은 아연-주석-규소-산소계, 아연-주석-산소계, 및 아연-규소-산소계로 이루어지는 군에서 선정된 재료를 포함하고, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는다.
브리지층(640)의 위에는, 유기층을 구성하는 각 층(651 내지 655)이 배치된다. 보다 구체적으로는, 브리지층(640)의 위에는, 전자 수송층(651), 유기 발광층(653), 홀 수송층(또는 주입층)(655)이, 이 순서대로 적층된다. 유기 발광층(653)은 연속된 층으로서가 아니라, 각 저면 전극층에 대응한 영역에, 각각 별개의 층으로서 배치된다. 예를 들어, 도 6에 도시한 예에서는, 저면 전극층(620a)에 대응한 영역에, 제1 유기 발광층(653a)이 배치되고, 저면 전극층(620b)에 대응한 영역에, 제2 유기 발광층(653b)이 배치된다. 제1 유기 발광층(653a)과 제2 유기 발광층(653b)에서는, 발광색이 상이해도 된다.
제2 전극(680)은 홀 수송층(또는 주입층)(655)을 덮도록 배치된다.
또한, 도 6의 예에서는, 기판(610)의 하측 표면(제2 표면)(614)이 광 취출면으로 되어 있고, 따라서, 기판(610)은 투명 기판이며, 제1 전극(620)은 투명 전극이다.
이와 같은 구성의 제6 발광 소자(600C)는, 예를 들어 액티브 제어 방식의 표시 장치 등에 사용할 수 있다.
또한, 표시 장치의 작동 방법은, 당업자에게는 명확하기 때문에, 여기에서는 더 이상 설명하지 않는다.
여기서, 제6 발광 소자(600)는 상술한 바와 같은 특징을 갖는 브리지층(640)을 갖는다. 이로 인해, 제6 발광 소자(600)에 있어서도, 정전기의 방전 시에 발생할 수 있는, 발광 소자의 정전 파괴를 유의미하게 억제할 수 있다.
또한, 비정질의 산화물을 포함하는 브리지층(640)은 그레인 및 도메인을 갖지 않기 때문에, 패턴화 처리 시에, 평활한 노출 표면을 형성할 수 있다. 이로 인해, 제6 발광 소자(600)에서는, 브리지층(640)/전자 수송층(651) 계면에 있어서의 층의 접착 특성이 좋아져, 유기층(450)의 커버리지 특성을 높이는 것이 가능해진다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 구성 부재에 대해서)
이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 각 구성 부재에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 여기에서는, 일례로서, 도 1에 도시한 제1 발광 소자(100)의 구성을 예로 들어, 각 구성 부재의 사양 등에 대하여 설명한다. 단, 이하의 기재가, 기타 구성의 발광 소자, 예를 들어 제2 내지 제6 발광 소자(200 내지 600)에 있어서도, 마찬가지로 또는 경미한 수정으로 적용할 수 있음은, 당업자에게는 명확하다.
각 부재를 나타낼 때에는, 도 1에 도시한 참조 부호를 사용한다.
(기판(110))
기판(110)을 구성하는 재료는, 특별히 한정되지 않고, 기판(110)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등이어도 된다. 또한, 발광 소자가 보텀에미션형이며, 기판(110)의 제2 표면(114)이 광 취출면이 될 경우, 기판(110)은 투명 기판이다.
(제1 전극(120))
발광 소자가 보텀에미션형인 경우, 제1 전극(120)은 투명 전극이다. 그 경우, 제1 전극(120)은 ITO 및 산화주석 등이어도 된다.
또는, 발광 소자가 톱에미션형인 경우, 제1 전극(120)은 알루미늄 합금 등의 금속 전극이어도 된다.
(수지층(130))
수지층(130)은 공간 S를 적절하게 충전하는 것이 가능한 한, 어떠한 수지 재료를 포함해도 된다. 수지층(130)은, 예를 들어 폴리이미드 수지 또는 아크릴 수지여도 된다.
(브리지층(140))
브리지층(140)은 산화물이며, 아연-주석-규소-산소계, 아연-주석-산소계, 및 아연-규소-산소계로 이루어지는 군에서 선정된 재료를 포함한다. 브리지층(140)은 그 밖에, 아연-주석-게르마늄-산소계여도 된다.
브리지층(140)은 비정질이어도, 미결정이어도, 비정질과 미결정이 혼재하는 형태여도 된다.
브리지층(140)이 아연-규소-산소계 재료를 포함하는 경우, 브리지층(140)은 아연(Zn), 규소(Si) 및 산소(O)를 포함하고, Zn/(Zn+Si)의 원자수비가 0.30 내지 0.95인 것이 바람직하다. Zn/(Zn+Si)의 원자수비가 0.30 이상, 0.95 이하이면 상기한 저항이 얻어지기 쉽고, 평탄도가 높은 층이 얻어지기 쉽기 때문이다. 기타, 브리지층(140)은 인듐-규소-산소계, 인듐-갈륨-아연-산소계, 인듐-아연-산소계, 게르마늄-아연-산소계의 재료여도 된다. Zn/(Zn+Si)의 원자수비는 0.6 이상이 보다 바람직하고, 0.7 이상이 더욱 바람직하다. Zn/(Zn+Si)의 원자수비는 0.92 이하가 보다 바람직하고, 0.90 이하가 더욱 바람직하다.
브리지층(140)이 아연-주석-규소-산소계 재료를 포함하는 경우, 브리지층(140)은 아연(Zn), 주석(Sn), 규소(Si) 및 산소(O)를 포함하고, 산화물 환산으로, 브리지층(140)의 산화물의 합계 100mol％에 대하여 SnO2가 15mol％ 초과, 95mol％ 이하인 것이 바람직하다. SnO2가 15mol％ 초과, 95mol％ 이하이면 평탄도가 높은 브리지층(140)이 얻어지기 쉽고, 상기한 저항이 얻어지기 쉽기 때문이다. SnO2는 60mol％ 이상이 보다 바람직하고, 70mol％ 이상이 더욱 바람직하다. SnO2는 90mol％ 이하가 보다 바람직하고, 80mol％ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 이 경우에, 브리지층(140)은 산화물 환산으로, 브리지층(140)의 산화물의 합계 100mol％에 대하여 SiO2가 7mol％ 이상, 30mol％ 이하인 것이 보다 바람직하다. SiO2가 7mol％ 이상, 30mol％ 이하이면, 전자 친화력이 너무 크지 않고, 체적 저항률이 너무 크지 않아, 상기한 저항이 얻어지기 쉽기 때문이다. SiO2는 10mol％ 이상이 보다 바람직하고, 20mol％ 이상이 더욱 바람직하다. SiO2는 40mol％ 이하가 보다 바람직하고, 30mol％ 이하가 더욱 바람직하다.
브리지층(140)이 아연-주석-산소계 재료를 포함하는 경우, 브리지층(140)은 아연(Zn), 주석(Sn) 및 산소(O)를 포함하고, 산화물 환산으로, 브리지층(140)의 산화물의 합계 100mol％에 대하여, SnO2가 15mol％ 초과, 95mol％ 이하인 것이 바람직하다. SnO2가 15mol％ 초과, 95mol％ 이하이면, 평탄도가 높은 브리지층(140)이 얻어지기 쉽고, 비정질, 미결정, 또는 비정질과 미결정이 혼재하는 박막의 상태를 유지하기 쉽고, 상기한 저항이 얻어지기 쉬우며, 성막용 산화물 타깃을 얻기 쉬워 박막을 만들기 쉽기 때문이다. SnO2는 30mol％ 이상이 보다 바람직하고, 40mol％ 이상이 더욱 바람직하다. SnO2는 65mol％ 이하가 보다 바람직하고, 55mol％ 이하가 더욱 바람직하다.
브리지층(140)은 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는다. 브리지층(140)의 저항은, 200㏀ 이상이 보다 바람직하고, 500㏀ 이상이 더욱 바람직하며, 1㏁ 이상이 특히 바람직하다. 브리지층(140)의 저항은, 50㏁ 이하가 보다 바람직하고, 20㏁ 이하가 더욱 바람직하며, 10㏁ 이하가 특히 바람직하다.
브리지층(140)은 형성하는 막의 비저항이 500Ω㎝ 내지 500㏀㎝여도 된다. 예를 들어, 비저항이 약 500Ω㎝인 막을 얻기 위해서, 전자 밀도가 1016㎝-1이고, 이동도가 0.13㎠/Vs인 막을 사용해도 된다. 또한, 비저항이 약 500㏀㎝인 막을 얻기 위해서, 전자 밀도가 1017㎝-1이고, 이동도가 1.25×10-4㎠/Vs인 막을 사용해도 된다. 브리지층(140)이 형성하는 막의 비저항은, 800Ω㎝ 이상이 보다 바람직하고, 1㏀㎝ 이상이 더욱 바람직하다. 브리지층(140)이 형성하는 막의 비저항은, 300㏀㎝ 이하가 보다 바람직하고, 100㏀㎝ 이하가 더욱 바람직하다.
재료 조성을 변화시킴으로써, 브리지층(140)의 전기 저항 및 이동도 등의 물리적 파라미터를 어느 정도 조정할 수 있다.
따라서, 브리지층(140)은 필요에 따라, 유기층(150) 내의 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광층, 홀 수송층, 및 홀 주입층 대신에 사용할 수 있다.
이러한 비정질의 산화물을 포함하는 브리지층(140)은, 예를 들어 스퍼터링법 및 PVD법 등의 성막 기술에 의해, 형성할 수 있다.
브리지층(140)은 비정질 또는 비정질의 상태가 지배적인 편이 층의 평탄성이 한층 더 얻어지기 쉽다. 또한, 브리지층(140)은 비정질 또는 비정질의 상태가 지배적인 편이 전자 친화력과 조성의 관계가 선형성이 되기 쉽기 때문에 층에 공급하는 전력을 제어하기 쉽다. 또한, 브리지층은, 비정질 또는 비정질의 상태가 지배적인 편이 균질한 층을 얻기 쉽다. 브리지층은, 비정질에 비하여 미결정인 편이 층 두께 방향으로 배향되기 쉽기 때문에, 미결정이 지배적인 편이 층 두께 방향의 전자적인 특성을 향상시키기 쉽다.
또한, 수지층(130)은 생략해도 된다. 이 경우, 공간 S에는, 브리지층(240)이 충전된다(예를 들어 도 2 참조). 이에 의해, 제조 공정을 간략화할 수 있다. 이 경우, 브리지층(240)의 막 두께는, 제1 전극(120)보다도 막 두께를 두껍게 함으로써, 제1 전극(120)의 단차를 충분히 피복할 수 있고, 제1 전극의 단차부에서의, 제1 전극(120)과 제2 전극(280)의 단락을 억제할 수 있다. 구체적으로는, 브리지층의 막 두께가 제1 전극의 막 두께보다 두꺼워도 되고, 브리지층의 막 두께가 제1 전극의 막 두께의 1.5배 이상이어도 되며, 브리지층의 막 두께가 제1 전극의 막 두께의 2배 이상이어도 된다. 브리지층의 막 두께는 100㎚ 이상이 바람직하고, 200㎚ 이상이 더욱 바람직하며, 300㎚ 이상이 특히 바람직하다.
(유기층(150))
유기층(150)은 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광층, 홀 수송층, 및 홀 주입층 등을 포함한다. 이들 층에는, 종래부터 알려져 있는 것을 사용할 수 있다.
또한, 유기 발광층 이외의 1 또는 2 이상의 층은, 생략되어도 된다. 특히, 예를 들어 상술한 바와 같이, 브리지층(140)이 전자 주입층 또는 홀 주입층으로서 사용될 경우, 유기층(150) 내의 전자 주입층 및 홀 주입층은 생략할 수 있다.
(제2 전극(180))
발광 소자가 보텀에미션형인 경우, 제2 전극(180)은 알루미늄 합금 등의 금속 전극이어도 된다. 또는, 발광 소자가 톱에미션형인 경우, 제2 전극(180)은 투명 전극이며, 예를 들어 ITO 및 산화주석 등을 포함해도 된다.
(본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 제조 방법에 대해서)
이어서, 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 여기에서는, 일례로서, 도 2에 도시한 제2 발광 소자(200)를 예로 들어, 그 제조 방법에 대하여 설명한다. 단, 이하의 기재가, 기타 구성의 발광 소자, 예를 들어 제1, 제3 내지 제6 발광 소자(100, 300 내지 600)에 있어서도, 마찬가지로 또는 경미한 수정으로 적용할 수 있음은, 당업자에게는 명확하다.
도 7에는, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자의 제조 방법(이하, 「제1 제조 방법」이라고 칭함)의 플로우를 모식적으로 나타낸다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 제조 방법은,
기판 위에, 제1 전극으로서, 대향하여 배치된 한 쌍의 전극층을 형성하는 스텝(스텝 S110)과,
상기 한 쌍의 전극층 각각과 전기적으로 접촉되고, 제1 전극 각각을 연결하는 브리지층을 배치하는 스텝(스텝 S120)과,
상기 한 쌍의 전극층 중 적어도 하나의 상부에, 유기층을 형성하는 스텝(스텝 S130)과,
상기 유기층의 상부에, 제2 전극을 배치하는 스텝(스텝 S140)을 갖는다.
이하, 각 스텝에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 각 부재를 나타낼 때에는, 도 2에 도시한 참조 부호를 사용한다.
(스텝 S110)
먼저, 기판(210)이 준비된다. 제조되는 발광 소자가 보텀에미션 방식인 경우, 기판은 투명 기판이다.
이어서, 기판 위에, 제1 전극(220)이 형성된다. 제조되는 발광 소자가 보텀에미션 방식인 경우, 제1 전극(220)은 투명 전극이다. 제1 전극(220)은 패턴화 처리되어, 적어도 한 쌍의 전극층(220a, 220b)을 갖도록 형성된다.
(스텝 S120)
이어서, 전극층(220a, 220b)과 접촉하고, 양자를 연결하도록, 브리지층(240)이 형성된다.
브리지층(240)은, 예를 들어 스퍼터링법 등과 같은 성막 기술에 의해, 전면 막으로서 형성한 후, 이것을 예를 들어 에칭 처리 등에 의해 패턴화함으로써 형성되어도 된다.
여기서, 브리지층(240)은 산화물을 포함하고, 그레인 및 도메인을 갖지 않는다. 따라서, 브리지층(240)의 패턴화 처리 후에는, 평활한 노출 표면을 형성할 수 있다. 이러한 평활한 노출 표면에 의해, 스텝 S130 이후의 공정에 있어서, 각 층의 성막을 적정하게 행할 수 있게 된다. 평활한 노출 표면을 얻기 위해서는, 산화물이 비정질인 편이 유리하다.
또한, 상술한 바와 같이, 종래의 발광 소자에서는, 제조 과정에서의 정전기의 방전에 의한 정전 파괴도 문제가 된다. 그러나, 제1 제조 방법에서는, 일단 브리지층(240)이 형성되면, 이후의 공정에서는, 이 브리지층(240)이 한 쌍의 전극층(220a, 220b) 사이의 적정한 저항 소자로서 기능한다. 따라서, 제1 제조 방법에서는, 발광 소자의 제조 도중이어도, 정전기의 방전에 의한 정전 파괴를 유의미하게 회피할 수 있다.
(스텝 S130)
이어서, 한 쌍의 전극층층(220a, 220b) 중 적어도 하나의 상부에, 유기층(250)이 형성된다. 유기층(250)은 브리지층(240)의 적어도 일부와 접해도 된다.
상술한 바와 같이, 브리지층(240)의 노출 표면은, 비교적 평활한 면으로 되어 있다. 이로 인해, 브리지층(240)/유기층(250)의 계면에서는, 유기층(250)의 접착 특성이 좋아지고, 유기층(150)의 커버리지 특성을 높이는 것이 가능해진다.
유기층(250)은 유기 발광층을 포함하는 복수의 층을 포함한다. 단, 상술한 바와 같이, 브리지층(240)을 전극층(220a)을 덮도록 배치하고, 전자 주입층으로서 기능시킬 수도 있다(도 3 참조). 이 경우, 유기층(250)을 구성하는 하나 이상의 층, 예를 들어 전자 주입층을 생략할 수 있다.
(스텝 S140)
이어서, 유기층(250)의 상부에, 제2 전극(280)이 배치된다. 제2 전극(280)은 금속을 포함해도 된다. 발광 소자(200)를 조명 장치에 적용하는 경우, 제2 전극(280)은 한 쌍의 전극층(220a, 220b) 중 적어도 하나(예를 들어 전극층(220b))와 전기적으로 접속된다. 이에 의해, 한 쌍의 전극층(220a, 220b) 각각에, 반대의 극성의 전압을 인가하는 것이 가능해진다.
이상의 공정에 의해, 도 2에 도시한 바와 같은 제2 발광 소자(200)를 제조할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예 I 내지 III에 대하여 설명한다.
(실시예 I)
상술한 도 2에 도시한 제2 발광 소자(200)의 구성을 예로 들어, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자가 조명 장치용 발광 소자로서, 실제로 사용 가능한지 여부를 검증하였다.
먼저, 각 부재가 상면에서 볼 때 도 8에 도시한 바와 같은 치수 관계를 갖는 발광 소자(200A)를 상정하였다. 여기서, 발광 소자(200A)의 도 8에 있어서의 A-A 단면은, 개략적으로 도 2에 도시한 구성에 대응한다. 또한, 도 8에 있어서, 기판은 생략되어 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 이 발광 소자(200A)는, 발광 부분이 세로 L, 가로 L의 정사각형 형상이며, 제1 저면 전극층(220a)과 제2 저면 전극층(220b) 사이의 공간 S는, 폭 G를 갖는다. 여기에서는, L을 100㎜로 하고, G를 200㎛로 하였다.
한편, 브리지층(240)에 관한 특성은, 실제로, 스퍼터링법에 의해 유리 기판 위에 성막한 산화물의 막으로부터 측정하였다. 스퍼터링 타깃에는, 90mol％ ZnO-10mol％ SiO2의 조성인 것을 사용하였다. 성막 조건은 이하로 했다:
성막 압력; 0.3㎩
가스 조성; Ar+10％ O2
타깃-기판 간 거리; 6.5㎝
성막 에너지 밀도; 9.9W/㎠
산화물 막의 두께 t는, 300㎚(=0.3㎛)로 하였다.
4단자법을 사용하여, 얻어진 산화물 막의 비저항을 측정한 결과, 비저항 ρ=9.8㏀㎝였다.
따라서, 브리지층(240)의 저항값 R1은, 이하의 식으로 구해진다:
저항값 R1=ρ(㏀㎝)×G(㎛)/(L(㎝)×t(㎛))=653㏀
한편, 발광 소자(200A)의 저항 r1은, 휘도를 3000cd/㎡로 하고, 발광 면적 S=L2=0.01㎡로 하고, 전류 효율을 30cd/A, 전압을 15V로 했을 때, 이하의 식으로 구해진다:
발광 소자(200A)의 저항 r1=15(V)/(3000(cd/㎡)/30(cd/A)×0.01(㎡))=15Ω
이 계산의 결과, 브리지층(240)에 흐르는 전류값 I1은, 발광 소자(200A)에 흐르는 전류값 i1과 비교하여 충분히 작은 것을 알 수 있었다(0.002％ 정도). 이것으로부터, 브리지층(240)의 설치에 의한, 발광 소자의 특성 저하의 영향은 거의 없고, 발광 소자(200A)는, 조명 장치용 발광 소자로서, 충분히 사용 가능한 것이 확인되었다.
(실시예 II)
상술한 도 5에 도시한 제5 발광 소자(500)의 구성을 예로 들어, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자가 패시브 제어 방식의 표시 장치용 발광 소자로서, 실제로 사용 가능한지 여부를 검증하였다.
먼저, 각 부재가 상면에서 볼 때 도 9에 도시하는 바와 같은 치수 관계를 갖는 발광 소자(500B)를 상정하였다. 여기서, 발광 소자(500B)의 도 9에 있어서의 B-B 단면은, 개략적으로 도 5에 도시한 구성에 대응한다. 또한, 도 9에 있어서, 기판은 생략되어 있다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 이 발광 소자(500B)는, 제1 전극(520)이 열전극으로 되어 있고, 제2 전극(580)이 행전극으로 되어 있다. 열전극 중 하나와 행전극 중 하나의 교점 영역이 발광 부분이 된다. 제1 전극(520)을 구성하는 각 저면 전극층(520a, 520b)의 폭은 W1이며, 양자 사이의 간극은 G1이다. 마찬가지로, 제2 전극(580)을 구성하는 각 상부 전극층(580a, 580b)의 폭은 W2이며, 양자 사이의 간극은 G2이다. 하나의 발광 부분의 면적 S는, W1에 W2를 승산한 값이다. 여기에서는, W1 및 W2를 모두 270㎛로 하고, G1 및 G2를 모두 30㎛로 하였다.
또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 브리지층(540) 및 유기층(550)은 상면에서 볼 때 동일 형상으로 되어 있고, 모두 1변의 길이가 L인 정사각형 형상으로 형성되는 것이라 가정하였다. 여기에서는 L을 20㎜로 하였다.
한편, 브리지층(540)에 관한 특성은, 실제로 스퍼터링법에 의해 유리 기판 위에 성막한 산화물의 막으로부터 측정하였다. 스퍼터링 타깃에는, 85mol％ ZnO-15mol％ SiO2의 조성인 것을 사용하였다. 성막 조건은 이하로 했다:
성막 압력; 0.25㎩
가스 조성; Ar
타깃-기판 간 거리; 10㎝
성막 에너지 밀도; 9.9W/㎠
산화물 막의 두께 t는, 150㎚(=0.15㎛)로 하였다.
4단자법을 사용하여, 얻어진 산화물 막의 비저항을 측정한 결과, 비저항 ρ=140㏀㎝였다.
따라서, 브리지층(540)의 저항값 R2는, 이하의 식으로 구해진다:
저항값 R2=ρ(㏀㎝)×G(㎛)/(L(㎝)×t(㎛))=14㏁
한편, 발광 소자(500B)에 있어서, 주사선 개수를 50개(1/50duty)로 하고, 휘도를 300cd/㎡로 하면, 순간 휘도는 300cd/㎡×50개=15000cd/㎡가 된다. 또한, 발광 면적 S는 W1에 W2를 승산한 값이며, W1을 270㎛, W2를 270㎛로 하고, 면적 S는 7.29×10-8㎡로 하였다.
따라서, 발광 소자(500B)의 저항 r2는, 전류 효율을 10cd/A로 하고, 전압을 10V로 했을 때, 이하의 식으로 구해진다:
발광 소자(500B)의 저항 r2=10(V)/(15000(cd/㎡)×7.29×10-8(㎡)/10(cd/A))=91.4㏀
이 계산의 결과, 브리지층(540)에 흐르는 전류값 I1은, 발광 소자(500B)에 흐르는 전류값 i1과 비교하여 충분히 작은 것을 알 수 있었다(6.5％ 정도). 이것으로부터, 브리지층(540)의 설치에 의한, 발광 소자(500B)의 특성 저하의 영향은 거의 없고, 발광 소자(500B)는, 패시브 제어 방식의 표시 장치용 발광 소자로서, 충분히 사용 가능한 것이 확인되었다.
(실시예 III)
상술한 도 6에 도시한 제6 발광 소자(600)의 구성을 예로 들어, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 발광 소자가 액티브 제어 방식의 표시 장치용 발광 소자로서, 실제로 사용 가능한지 여부를 검증하였다.
먼저, 각 부재가 상면에서 볼 때, 도 10에 도시하는 바와 같은 치수 관계를 갖는 발광 소자(600C)를 상정하였다. 여기서, 발광 소자(600C)의 도 10에 있어서의 C-C 단면은, 개략적으로 도 6에 도시한 구성에 대응한다. 단, 도 10에는, 명확화를 위해, TFT 백플레인(630) 및 제1 전극(620)(저면 전극층(620a, 620b)만이 나타나 있다.
상면에서 볼 때, 브리지층(640)의 치수 및 형성 위치는, 실질적으로 TFT 백플레인(630)의 치수 및 형성 위치와 일치하는 것으로 가정하였다. 또한, 상면에서 볼 때, 제1 전극(620)을 구성하는 각 저면 전극층(620a, 620b)의 치수 및 형성 위치는, 대응하는 유기 발광층(653a, 653b)의 치수 및 형성 위치와 일치하는 것으로 가정하였다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 제1 전극(620)을 구성하는 각 저면 전극층(620a, 620b)의 제1 폭(수평 방향의 길이)은 W1이며, 수평 방향에 있어서의 양자 사이의 간극은 G1이다. 또한, 각 저면 전극층(620a, 620b)의 제2 폭(수직 방향의 길이)은 W2이며, 수직 방향에 있어서의 양자 사이의 간극은 G2이다. 따라서, 하나의 발광 부분의 면적 S는, W1에 W2를 승산한 값이다. 여기에서는, W1을 70㎛로 하고, W2를 260㎛로 하고, G1을 30㎛로 하고, G2를 40㎛로 하였다.
한편, 브리지층(640)에 관한 특성은, 실제로, 스퍼터링법에 의해 유리 기판 위에 성막한 산화물의 막으로부터 측정하였다. 스퍼터링 타깃에는, 90mol％ ZnO-10mol％ SiO2의 조성인 것을 사용하였다. 성막 조건은 이하로 했다:
성막 압력; 0.25㎩
가스 조성; Ar
타깃-기판 간 거리; 5㎝
성막 에너지 밀도; 9.9W/㎠
산화물 막의 두께 t는, 125㎚(=0.125㎛)로 하였다.
4단자법을 사용하여, 얻어진 산화물 막의 비저항을 측정한 결과, 비저항 ρ=21㏀㎝였다.
이 경우, 수평 방향에 있어서의 브리지층(640)의 저항값 Rh는,
저항값 Rh=ρ(㏀㎝)×G1(㎛)/(W2(㎝)×t(㎛))=194㏁
이 된다. 한편, 수직 방향에 있어서의 브리지층(640)의 저항값 Rv는,
저항값 Rv=ρ(㏀㎝)×G2(㎛)/(W1(㎝)×t(㎛))=960㏁
이 된다. 따라서, 이들 병렬 합으로서 얻어지는, 1화소 주위의 브리지층(640)의 저항값 R3은, 이하의 식으로 구해진다:
저항값 R3=Rh×Rv/((Rh+Rv)×0.5)=80.6㏁
한편, 발광 소자(600C)에 있어서, 발광 면적 S는 W1에 W2를 승산하여 얻어지고, W1을 260㎛, W2를 70㎛로 하고, 발광 면적 S는 1.82×10-8㎡로 하였다. 또한, 발광 소자(600C)의 휘도를 2000cd/㎡로 한다.
이 경우, 발광 소자(600C)의 저항 r3은, 전류 효율을 10cd/A로 하고, 전압을5V로 했을 때, 이하의 식으로 구해진다:
발광 소자(600C)의 저항 r3=5(V)/(2000(cd/㎡)×1.82×10-8(㎡)/10(cd/A))=1.73㏁
이 계산의 결과, 브리지층(640)에 흐르는 전류값 I1은, 발광 소자(600C)에 흐르는 전류값 i1과 비교하여 충분히 작은 것을 알 수 있었다(2.1％ 정도). 이것으로부터, 브리지층(640)의 설치에 의한, 발광 소자(600C)의 특성 저하의 영향은 거의 없고, 발광 소자(600C)는, 액티브 제어 방식의 표시 장치용 발광 소자로서, 충분히 사용 가능한 것이 확인되었다.
이어서, 본 발명의 발광 소자의 실시예에 대하여 설명한다.
(예 1)
이하의 방법에 의해, 각종 피성막 기판 위에 산화물의 막을 성막한 샘플을 제작하였다. 피성막 기판에는, 니켈 기판 및 유리 기판 등을 사용하였다.
(성막 조건)
성막 장치에는, RF 마그네트론 스퍼터 장치(알박사 제조)를 사용하였다. 스퍼터링 타깃에는, 직경 2인치이고, 소정의 비율로 ZnO와 SiO2를 포함하는 소결체 타깃을 사용하였다.
성막 시에는, 먼저, 피성막 기판을 스퍼터 장치의 챔버 내에 도입하였다.
스퍼터 장치의 챔버 내를 10-5㎩ 이하의 진공도로 한 후, 챔버 내에 소정의 스퍼터링 가스를 20sc㎝ 도입하였다. 스퍼터링 가스로서, 아르곤(Ar) 가스(G1 그레이드: 순도 99.99995vol.％) 또는, 산소(O2) 가스(G1 그레이드: 순도 99.99995vol.％)와 Ar 가스(G1 그레이드)의 혼합 가스를 사용하였다. 즉, 스퍼터링 가스로서, Ar 가스 또는, 산소 농도 20％의 O2/Ar 혼합 가스를 사용하였다.
스퍼터 가스의 압력을 소정의 압력으로 하고, 타깃과 피성막 기판의 간격(T-S 거리)을 소정의 간격으로 하고, 스퍼터 장치의 캐소드에 전력 50W를 인가하였다. 성막 시의 기판 온도는 70℃ 이하였다.
(예 2 내지 예 9)
예 1과 마찬가지의 방법으로, 각종 피성막 기판 위에 산화물의 막을 성막한 샘플을 제작했다(예 2 내지 예 9). 단, 예 2 내지 예 9에서는, 예 1의 경우와는 상이한 성막 조건을 채용하였다.
이하의 표 1에는, 예 1 내지 예 9에 있어서 사용한 성막 조건을 정리하여 나타낸다.
Figure 112017025591026-pct00001
예 1 내지 예 9에 있어서 얻어진 각 샘플을 사용하여, 이하의 평가를 행하였다.
(평가 1 원자수비)
예 1 내지 예 9에 있어서 얻어진 각 샘플을 사용하여, 산화물 막의 원자수비(Zn/(Zn+Si))를 평가하였다. 또한, 각 샘플에 있어서, 피성막 기판은 니켈 기판으로 하였다.
원자수비는, 산화물의 막을 SEM-EDX 분석함으로써 구하였다. 니켈 기판에 의한 영향을 작게 하기 위해서, 가속 전압은 10kV로 하였다.
이하의 표 2의 「Zn/(Zn+Si)」의 란에는, 얻어진 결과를 정리하여 나타냈다.
Figure 112017025591026-pct00002
(평가 2 X선 회절)
예 1 내지 예 9에 있어서 얻어진 각 샘플을 사용하여, 산화물 막의 X선 회절 도형을 측정하였다. 또한, 각 샘플에 있어서, 피성막 기판은, 두께 1㎜의 석영 유리 기판으로 하였다.
X선 회절 스펙트럼은, RIGAKU 제조 X선 회절 장치 RINT-2000을 사용하고, 제만-볼린(Seemann-Bohlin)법에 의해 측정하였다. 제만-볼린법의 상세는, 일본 금속 학회 회보 제27권 제6호 461 내지 465페이지(1988)에 나타나 있다. 가속 전압 50kV, 방전 전류 300mA의 조건에서 전자선을 Cu에 조사하고, 발생한 CuKα선을 입사각 0.5°에 고정하여 샘플에 조사하여, 회절 패턴을 얻었다.
도 11에는, 각 샘플에 있어서 얻어진 회절 패턴을 나타낸다.
어느 회절 패턴에 있어서도, 우르츠형 ZnO에서 유래되는 할로 패턴이 확인되었다. 회절각 2θ가 33° 부근의 우르츠형 ZnO의 (002)면에 있어서의 쉐러 직경을, 상술한 표 2의 「쉐러 직경」 란에 나타냈다.
예 1 내지 예 7에서 얻어진 막은, 모두 쉐러 직경 5㎚ 이하이고, X선 회절에서는 날카로운 피크는 확인되지 않고, 비정질 또는 비정질의 상태가 지배적인 것이 확인되었다. 한편, 예 8 및 예 9에서는, 쉐러 직경이 5㎚보다 크고, X선 회절적으로 결정질이 지배적인 것이 확인되었다.
(평가 3 UPS 측정)
예 1 내지 예 9에 있어서 얻어진 각 샘플을 사용하여, 자외광 전자 분광(UPS)법에 의해, 이온화 포텐셜을 측정하였다.
또한, 각 샘플에 있어서, 피성막 기판은, 무알칼리 유리 기판 위에 150㎚의 ITO가 성막된 기판(이하, ITO 기판이라고 칭함)으로 하였다. 산화물의 막(두께 10㎚)은 ITO 기판의 ITO가 성막된 면 위에 성막하였다.
자외광 전자 분광 측정은, 10-7㎩ 이상의 고진공 중에서, 막에 He 램프의 자외선(He(I), 21.22eV)을 조사함으로써, 실시하였다.
예 1의 샘플에 있어서 얻어진 결과를 도 12 및 도 13에 나타낸다. 도 12는, 광전자의 카운트 수와 광전자의 운동 에너지의 관계를 나타낸 도면이며, 도 13은, 광전자의 카운트 수와 결합 에너지의 관계를 나타낸 도면이다.
도 12로부터, 예 1의 샘플에 있어서의 박막의 일함수는, 3.9eV로 산정되었다. 또한, 도 13으로부터, 결합 에너지와 일함수의 합으로 구해지는, 예 1의 샘플에 있어서의 산화물 막의 이온화 포텐셜은 6.6eV로 산정되었다.
(평가 4 광흡수 계수)
예 1 내지 예 9에 있어서 얻어진 각 샘플을 사용하여, 각 산화물 막의 광흡수 계수를 산정하였다. 또한, 각 샘플에 있어서, 피성막 기판은, 두께 1㎜의 석영 유리 기판으로 하였다.
광흡수 계수는, 각 샘플을 사용하여, 반사율 및 투과율을 측정함으로써 산출하였다. 또한, 얻어진 광흡수 계수의 Tauc 플롯으로부터 광학 밴드 갭을 구하였다.
도 14 및 도 15에는, 각각, 예 1 및 예 2에 있어서의 산화물 막의 Tauc 플롯을 나타낸다.
상술한 표 2의 「밴드 갭」의 란에는, 각 샘플에 있어서 얻어진 광학 밴드 갭을 정리하여 나타낸다. 예 1 내지 예 7에 있어서의 샘플에서는, 광학 밴드 갭은, 3.2 내지 4.0의 범위였다.
상술한 UPS 측정에서 얻어진 이온화 포텐셜의 결과와 대조하면, 예 1의 샘플에 있어서의 산화물 막의 전자 친화력은 2.6eV로 예상된다. 예 2 내지 예 7의 샘플에 있어서의 산화물의 막에 있어서도, 동일 정도의 이온화 포텐셜을 가정하면, 전자 친화력은 3.3 내지 3.4eV 정도로 예상된다.
(평가 5 저항률)
예 2 내지 예 7에 있어서 얻어진 각 샘플을 사용하여, 각 산화물 막의 저항률을 측정하였다. 또한, 각 샘플에 있어서, 피성막 기판은, 두께 1㎜의 석영 유리 기판으로 하였다.
저항률은 4단자법으로 측정하였다. 각 샘플에 있어서, 산화물의 막 위에, 폭 1㎜의 Nd 함유 알루미늄층을 2㎜ 간격으로 스퍼터 성막하고, 이것들을 측정 전극으로 하였다.
스퍼터 성막의 타깃에는, 코베르코 카켄 제조의 직경 2인치의 2mol％Nd 함유 알루미늄(제품명: AD20) 타깃을 사용하였다.
상술한 표 2의 「저항률」 란에는, 얻어진 측정 결과를 정리하여 나타냈다.
(평가 6 전자 수송성의 평가)
이하의 방법에 의해, 전자만을 흘리는 소자, 소위 전자 온리 소자를 제작하고, 그 특성을 평가하였다.
전자 온리 소자는, 유리 기판 위에 보텀 전극으로서 음극을 배치하고, 보텀 전극 위에 전자 수송층을 두께 150㎚로 배치하고, 전자 수송층 위에 톱 전극으로서 양극을, 보텀 전극과 직교하도록 배치하여 구성하였다.
음극은, 코베르코 카켄 제조의 직경 2인치의 2mol％Nd 함유 알루미늄(제품명: AD20) 타깃을 사용하고, Nd 함유 알루미늄을 두께 80㎚, 폭 1㎜가 되도록 스퍼터 성막하여 형성하였다. 전자 수송층으로서, 두께 150㎚의 Alq3의 층을 형성하였다. 양극은, 알루미늄을 두께 80㎚가 되도록 진공 증착하여 형성하였다.
전자 온리 소자의 음극과 양극에 전압을 인가하고, 이때 발생하는 전류값을 측정하였다.
도 16에는, 전자 온리 소자에 있어서 얻어진 전류-전압 특성(「Alq3」이라고 표기)을 나타낸다.
또한, 이 도 16에는, 예 2 내지 예 7의 샘플에 있어서의 전류-전압 특성이 동시에 나타나 있다. 이 전류-전압 특성은, 각 샘플에 있어서의 상술한 저항률로부터 산정하였다.
산정에는, 이하의 식 (1)을 사용했다:
Figure 112017025591026-pct00003
여기서 I는 전류 밀도, A는 면적, E는 전압, ρ은 저항률, L은 전자 수송층의 두께이다. 전자 수송층의 두께는 150㎚로 하였다.
도 16으로부터, 인가 전압이 20V까지의 범위에서는, 예 2 내지 예 7의 샘플은, 전자 수송층에 Alq3을 사용한 전자 온리 소자에 비하여, 전류값이 수자리수 이상 커져 있음을 알 수 있다. 또한, 도 16에는, 20V를 초과하는 전압 영역은 나타나 있지 않다. 이것은, 이러한 큰 전압의 인가는, 소자의 열화로 이어져 실용적이지 않기 때문이다.
도 16으로부터, 예 2 내지 예 7의 샘플에 있어서의 산화물의 막을 전자 수송층에 사용한 경우, 두께가 150㎚여도, 유기 EL 소자로서 충분한 전자 수송성을 갖는 것을 알 수 있었다.
이러한 산화물의 막을 원하는 저항값을 갖도록 패터닝하여 브리지층에 적용하면, 정전 파괴 방지 효과가 얻어진다.
(예 10)
이어서, 이러한 산화물의 막을 브리지층뿐만 아니라, 유기 EL 소자의 전자 수송층에 적용한 예를 나타낸다.
이하의 방법에 의해, 유기 EL 소자를 제작하고, 그 특성을 평가하였다. 유기 EL 소자는, 유리 기판 위에 보텀 전극으로서 음극을 배치하고, 그 위에 순서대로, 전자 수송층, 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층 및 톱 전극으로서의 양극을 배치하고, 양극 측으로부터 광을 취출하는 구조로 하였다. 또한, 예 11에 있어서는, 전자 주입층, 홀 블록층 및 전자 블록층의 형성은 생략하였다.
먼저, 유리 기판 위에 음극을 형성하였다. 유리 기판으로서는, 무알칼리 유리 기판을 사용하였다. 세정한 유리 기판 및 메탈 마스크를, 스퍼터 장치의 챔버 내에 설치하였다. 또한, 음극 성막용 타깃을, 스퍼터 장치의 챔버 내에 설치하였다. 음극용 타깃으로서는, 코베르코 카켄 제조의 직경 2인치의 2mol％ Nd 함유 알루미늄(제품명: AD20) 타깃을 사용하였다. 메탈 마스크를 사용하여, 유리 기판 위에 음극(120)을 두께 80㎚, 폭 1㎜가 되도록 스퍼터 성막하였다. 스퍼터 가스는 Ar, 스퍼터 가스의 압력은 0.3㎩로 하고, 스퍼터 캐소드에 전력 50W를 인가하였다.
이어서, 음극 위에 전자 수송층을 형성하였다. 메탈 마스크는 움직이지 않게 하고, 예 7에 있어서의 스퍼터 조건에서, 음극이 형성된 유리 기판 위에 전자 수송층으로서 두께 100㎚의 산화물의 막을 성막하였다.
이어서, 전자 수송층 위에 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층을 형성하였다. 전자 수송층(및 음극)이 형성된 유리 기판을, 10-4㎩ 이하의 고진공의 분위기 하에서, 스퍼터 장치의 챔버로부터 진공 증착용 챔버에 반송하였다. 계속해서, 전자 수송층 위에 발광층으로서 Alq3을 두께 50㎚ 증착하였다. 계속해서, 발광층 위에 홀 수송층으로서 α-NPD를 두께 50㎚ 증착하였다. 계속해서, 홀 수송층 위에 홀 주입층으로서 MoOx를 두께 0.8㎚ 증착하였다.
이어서, 홀 주입층 위에 양극을 형성하였다. 홀 주입층이 형성된 유리 기판 위에, 양극으로서 금을 두께 10㎚, 폭 1㎜로 증착하였다. 증착 시의 진공도는 약 8×10-6㎩였다. 양극은 가시광을 투과하므로, 양극(톱 전극) 측으로부터 광을 취출하는 구조로 되어 있다.
또한, 발광층, 홀 수송층 및 홀 주입층은, 음극 및 전자 수송층을 완전히 덮도록, 메탈 마스크를 사용하여 형성하였다. 양극은, 음극과 직교하도록, 메탈 마스크를 사용하여 형성하였다. 폭 1㎜의 음극과 직교하도록 증착된 폭 1㎜의 양극의 중복되는 1㎜×1mm의 영역이, 전압 인가에 의해 발광하는 영역이다.
이상의 공정을 거쳐, 유리 기판, 2mol％ 네오디뮴을 함유한 알루미늄을 포함하는 음극, 산화물의 막을 포함하는 전자 수송층, Alq3을 포함하는 발광층, α-NPD를 포함하는 홀 수송층, MoOx를 포함하는 홀 주입층, 및 금을 포함하는 양극을 구비하는 유기 EL 소자를 제작하였다.
(유기 EL 소자의 특성 평가)
이어서, 얻어진 유기 EL 소자에 대해서, 직류 전압을 인가하고, 전류 및 휘도를 측정하였다. 측정은, 질소 퍼지한 글로브 박스 내에 있어서, 유기 EL 소자의 음극과 양극의 사이에 소정의 값의 전압을 인가했을 때 얻어지는 휘도 및 전류값을 측정함으로써 실시하였다. 휘도 측정에는, TOPCOM사 제조의 휘도계(BM-7A)를 사용하였다.
도 17에, 얻어진 전류-전압-휘도 특성을 나타낸다. 유기 EL 소자는, 8V로부터 휘도 및 전류 밀도가 증가하고, 12V에서 휘도 1500cd/㎡, 전류 밀도 2.6A/㎠였다. 이 결과로부터, 두께 100㎚의 산화물의 막은, 전자 수송층으로서 기능하는 것이 확인되었다.
이렇게 산화물의 층은, 브리지층 및 전자 수송층으로서 겸용할 수 있음을 알 수 있었다. 이 경우, 성막 공정을 증가시키는 일 없이, 브리지층과 전자 수송층을 동시에 형성하는 것이 가능하게 된다.
본 발명은, 예를 들어 조명 장치 및 표시 장치 등에 이용할 수 있다.
또한, 본원은 2014년 9월 18일에 출원한 일본 특허 출원 제2014-190359호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 동 일본 출원의 전체 내용을 본원에 참조에 의해 원용한다.
100: 제1 발광 소자
110: 기판
112: 제1 표면
114: 제2 표면
120: 제1 전극
120a: 제1 저면 전극층
120b: 제2 저면 전극층
130: 수지층
140: 브리지층
150: 유기층
180: 제2 전극
200, 200A: 제2 발광 소자
210: 기판
212: 제1 표면
214: 제2 표면
220: 제1 전극
220a: 제1 저면 전극층
220b: 제2 저면 전극층
240: 브리지층
250: 유기층
280: 제2 전극
300: 제3 발광 소자
310: 기판
312: 제1 표면
314: 제2 표면
320: 제1 전극
320a: 제1 저면 전극층
320b: 제2 저면 전극층
340: 브리지층
350: 유기층
380: 제2 전극
400: 제4 발광 소자
410: 기판
412: 제1 표면
414: 제2 표면
420: 제1 열전극
420a: 제1 저면 전극층
420b: 제2 저면 전극층
440: 브리지층
450: 유기층
480: 제2 행전극
500, 500B: 제5 발광 소자
510: 기판
512: 제1 표면
514: 제2 표면
520: 제1 열전극
520a: 제1 저면 전극층
520b: 제2 저면 전극층
540: 브리지층
550: 유기층
580: 제2 행전극
580a: 상부 전극층
580b: 상부 전극층
600, 600C: 제6 발광 소자
610: 기판
612: 제1 표면
614: 제2 표면
620: 제1 전극
620a: 제1 저면 전극층
620b: 제2 저면 전극층
630: TFT 백플레인
640: 브리지층
651: 전자 수송층
653: 유기 발광층
653a: 제1 유기 발광층
653b: 제2 유기 발광층
655: 홀 주입층 또는 홀 수송층
680: 제2 전극
S: 공간

Claims (15)

  1. 발광 소자로서,
    기판의 제1 표면에, 서로 이격하여 대향하도록 배치된 한 쌍의 제1 전극과,
    상기 제1 전극 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광층과,
    상기 발광층 위에 배치된 제2 전극과,
    상기 제1 전극 각각을 연결하는 브리지층을 갖고,
    상기 브리지층은, 아연-주석-규소-산소계 재료, 및 아연-규소-산소계 재료로 이루어지는 군에서 선정되고,
    상기 브리지층은, 100㏀ 내지 100㏁의 범위의 저항을 갖는 재료를 포함하는, 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아연-규소-산소계 재료는, 아연(Zn), 규소(Si) 및 산소(O)를 포함하고, Zn/(Zn+Si)의 원자수비가 0.30 내지 0.95인, 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 아연-주석-규소-산소계 재료는, 아연(Zn), 주석(Sn), 규소(Si) 및 산소(O)를 포함하고, 산화물 환산으로, 상기 브리지층의 산화물의 합계 100mol％에 대하여 SnO2가 15mol％ 초과, 95mol％ 이하인, 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    산화물 환산으로, 상기 브리지층의 산화물의 합계 100mol％에 대하여 SiO2가 7mol％ 이상, 30mol％ 이하인, 발광 소자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 브리지층은 비정질의 산화물을 포함하는, 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 유기 발광층을 포함하는, 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 브리지층은 상기 기판의 제1 표면에 접하도록 배치되는, 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 브리지층은 전자 주입층으로서 기능하는, 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 중 적어도 한쪽은, ITO, SnO2 및 IZO로 이루어지는 군에서 선정된 적어도 하나의 재료를 갖는, 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극의 양자는 동일 극성의 전극인, 발광 소자.
  11. 발광 소자를 갖는 표시 장치로서,
    상기 발광 소자는 제10항에 기재된 발광 소자인, 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극의 양자는 반대 극성의 전극인, 발광 소자.
  13. 발광 소자를 갖는 조명 장치로서,
    상기 발광 소자는 제12항에 기재된 발광 소자인, 조명 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
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