JP2010171319A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010171319A JP2010171319A JP2009014233A JP2009014233A JP2010171319A JP 2010171319 A JP2010171319 A JP 2010171319A JP 2009014233 A JP2009014233 A JP 2009014233A JP 2009014233 A JP2009014233 A JP 2009014233A JP 2010171319 A JP2010171319 A JP 2010171319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- light
- group
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- 229910001009 interstitial alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【課題】直流駆動が可能な面発光素子に適用でき、十分な発光が得られ且つ長期の使用においても発光が衰えず安定した発光が得られる直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも電極層2,6と、発光層5と、p型半導体層3を有し、発光層5とp型半導体層3との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層4を有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】基板1上に、少なくとも電極層2,6と、発光層5と、p型半導体層3を有し、発光層5とp型半導体層3との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層4を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子に関するものであり、より具体的には直流駆動型の無機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
半導体材料に電界を印加することによって発光が得られる現象をエレクトロルミネッセンス(EL)といい、この現象を利用した発光素子はフラットパネルディスプレイやそのバックライト、および照明用光源として注目されており、現在盛んに開発が進められている。このような発光素子の例として、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードなどが挙げられる。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、直流駆動が可能であり、ガラス基板やプラスチックなどのフレキシブル基板上への形成が可能であるが、構成材料に有機物を用いているため、耐久性の点で問題がある。
発光ダイオードは、直流駆動が可能であり、無機発光材料を用いているため安定性にも優れているが、点光源であるため絶対光量(光束)が少なく用途が限られる。
無機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動方法によって交流駆動型と直流駆動型に大別される。交流駆動型としては、高誘電性バインダーに発光を担う無機蛍光体粒子を分散してなる交流分散型EL素子と、誘電体層間に無機発光層薄膜を挟んでなる交流薄膜型EL素子の2種類が知られているが、いずれも駆動電圧が高いことが課題となっている。
一方、直流駆動型としては、透明電極と金属電極で発光層薄膜を挟んで低電圧直流駆動する直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子が知られている。直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子は、直流駆動で発光するという点と、無機発光材料を用いているという点で、発光ダイオードに類似しているが、面発光の光源であり、多くの光束が得られるという点で発光ダイオードよりも有利である。
直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子の例として、特許文献1〜3が挙げられる。これらはいずれも、発光層にp型半導体材料を積層、または隣接させて、電極から注入される電子と正孔を効率よく移動させて、再結合による発光を得ようとするものである。
しかしながら、特許文献1〜3に記載されている素子構造では、作製された素子が十分に発光しなかったり、使用開始時には十分に発光しても経時使用により発光が衰えるという問題があった。
本願発明は、上記のような問題がなく、直流駆動が可能な面発光素子に適用でき、十分な発光が得られ且つ長期の使用においても発光が衰えず安定した発光が得られる直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子を提供しようとするものである。
発明者らは、鋭意検討の結果、p型半導体層と発光層との間に特定の元素を含む層を設けることにより、十分な発光が得られ経時的にも安定に発光する素子を作製することができ、本発明を成すに至った。
即ち、本発明は以下の要件により達成される。
(1)基板上に、少なくとも電極層と、発光層と、p型半導体層を有し、発光層とp型半導体層との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層を有することを特徴とする、発光素子。
(2)前記中間層が、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物を含有することを特徴とする、(1)に記載の発光素子。
(3)前記中間層が、結晶構造が侵入型化合物の形状をとっていることを特徴とする、(2)に記載の発光素子。
(4)前記発光層が、周期律表の第12−16族化合物から選ばれる少なくとも1種、またはそれらの混晶を母体材料とする蛍光体を含有することを特徴とする、(1)〜(3)に記載の発光素子。
(5)前記発光層蛍光体が、周期律表の第6〜第11族の第2遷移系列に属する元素または第3遷移系列に属する元素のうち少なくとも1種を含有する蛍光体を含有することを特徴とする、(4)に記載の発光素子。
(6)前記p型半導体層が、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含有することを特徴とする、(1)〜(5)に記載の発光素子。
(7)前記p型半導体層が、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第13族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含有することを特徴とする、(1)〜(5)に記載の発光素子。
(1)基板上に、少なくとも電極層と、発光層と、p型半導体層を有し、発光層とp型半導体層との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層を有することを特徴とする、発光素子。
(2)前記中間層が、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物を含有することを特徴とする、(1)に記載の発光素子。
(3)前記中間層が、結晶構造が侵入型化合物の形状をとっていることを特徴とする、(2)に記載の発光素子。
(4)前記発光層が、周期律表の第12−16族化合物から選ばれる少なくとも1種、またはそれらの混晶を母体材料とする蛍光体を含有することを特徴とする、(1)〜(3)に記載の発光素子。
(5)前記発光層蛍光体が、周期律表の第6〜第11族の第2遷移系列に属する元素または第3遷移系列に属する元素のうち少なくとも1種を含有する蛍光体を含有することを特徴とする、(4)に記載の発光素子。
(6)前記p型半導体層が、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含有することを特徴とする、(1)〜(5)に記載の発光素子。
(7)前記p型半導体層が、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第13族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含有することを特徴とする、(1)〜(5)に記載の発光素子。
本発明の作用機構といては、明確ではないが、以下のことが推測される。
直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子において形成された、蛍光体からなる発光層は、基板に対して垂直な方向に粒界が入った、柱状結晶の集合体となる場合がある。このとき、p型半導体層を発光層に積層または隣接させると、p型半導体の構成元素であるCuなどが粒界に沿って拡散し易くなると考えられる。拡散のメカニズムは、素子作製工程での熱処理による熱または発光時の電界印加により加わったエネルギーによって、p型半導体層の構成元素が発光層の粒界に多く存在する結晶欠陥や空隙などを伝っていくものと推定される。拡散によって粒界に偏析したCuなどのp型半導体層の構成元素は、S元素などの発光層の構成元素と結びついて導電性の化合物として存在する形となる。このような導電性化合物が電極間にわたって存在することで、素子が短絡することとなり、電界印加による発光が得られなくなる。
直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子において形成された、蛍光体からなる発光層は、基板に対して垂直な方向に粒界が入った、柱状結晶の集合体となる場合がある。このとき、p型半導体層を発光層に積層または隣接させると、p型半導体の構成元素であるCuなどが粒界に沿って拡散し易くなると考えられる。拡散のメカニズムは、素子作製工程での熱処理による熱または発光時の電界印加により加わったエネルギーによって、p型半導体層の構成元素が発光層の粒界に多く存在する結晶欠陥や空隙などを伝っていくものと推定される。拡散によって粒界に偏析したCuなどのp型半導体層の構成元素は、S元素などの発光層の構成元素と結びついて導電性の化合物として存在する形となる。このような導電性化合物が電極間にわたって存在することで、素子が短絡することとなり、電界印加による発光が得られなくなる。
そして、本発明は、発光層とp型半導体層との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層を設けることにより、該中間層が欠陥が少ない緻密な結晶を有する層となり、p型半導体層からの元素拡散を抑制することができるものと推定される。
なお、直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子に用いる発光層は、構成する材料の蒸気圧が低く、成膜時に結晶欠陥を生成しやすいという特徴があるため、発光層そのものの結晶欠陥および粒界を減らす(無くす)ことは非常に困難である。
なお、直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子に用いる発光層は、構成する材料の蒸気圧が低く、成膜時に結晶欠陥を生成しやすいという特徴があるため、発光層そのものの結晶欠陥および粒界を減らす(無くす)ことは非常に困難である。
上記推定の作用機構が事実ならば、本発明の発光素子が、発光層とp型半導体層との間に有する中間層は、p型半導体構成元素の拡散防止層とも言える。そして、その拡散防止層が、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有するものでなくても、それと同様の機能を有するものであれば、当然、本発明の技術思想に含まれ得るものである。
本発明の直流薄膜型エレクトロルミネッセンス素子は、発光層とp型半導体層との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層を有することで、作製された素子が十分に発光し、長期間安定に発光させることができ、ディスプレイ用バックライト光源や照明用光源などに有用に用いることができる。
本発明の発光素子は、基板上に、少なくとも電極層と、発光層(蛍光体層とも称する)と、p型半導体層を有し、発光層とp型半導体層との間に周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層を有することを特徴とする。
本発明における発光素子の発光層には、周期律表の第12−16族化合物から選ばれる少なくとも1種、またはそれらの混晶を母体材料とする蛍光体(以下、単に蛍光体材料とも称する)を用いることができる。第12−16族化合物とは、周期律表の第12族に属する少なくとも1種の元素と周期律表の第16族に属する少なくとも1種の元素からなる化合物を意味するものであり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有するもの(当業者)が通常使用している標記・表現である。
該母体材料として用いられる化合物の例としては、ZnS、CdS、ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTeなどであり、好ましくはZnS、ZnSeである。
また、発光層に用いる蛍光体に、周期律表の第6〜第11族の第2遷移系列に属する元素または第3遷移系列に属する元素のうち少なくとも1種を含有させることで、発光輝度を高めることができる。このような元素としては、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Re、Os、Ir、Pt、Auがあるが、中でもRu、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Auが挙げられ、中でもOs、Ir、Pt、Auが好ましい。これらの金属は単独で含有していてもよいし、複数で含有していてもよい。
発光層の厚みは厚くなりすぎると発光に必要な電界強度を得るために両電極間の電圧が上昇するので、低電圧駆動を実現するためには50μm以下が好ましく、さらに好ましくは30μm以下である。また厚みが薄くなりすぎると、蛍光体層の両面にある電極が短絡しやすくなるため、短絡を避けるために厚みは50nm以上が好ましく、さらに好ましくは100nm以上である。
発光層の成膜方法としては、物理的蒸着法である抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着、スパッタリングやイオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)など無機材料を一般的に成膜する方法が用いられる。電子ビーム蒸着で発光層を成膜する場合、蛍光体中に含有する金属の蒸気圧が、母体材料の蒸気圧と大幅に異なる場合には、それぞれ単独の蒸着源として複数の蒸着源を利用した蒸着方法も有用である。
本発明における発光素子のp型半導体層に用いられるp型半導体材料としては、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物、または、周期律表上第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第13族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を用いることができる。
該p型半導体材料として用いられる化合物の例として、CuxS(1≦x≦2)、CuxSe(1≦x≦2)、CuAlS2、CuGaS2、CuInS2、AgAlS2、AgGaS2、AgInS2、CuAlSe2、CuGaSe2、CuInSe2、AgAlSe2、AgGaSe2、AgInSe2、Cu(AlxGa1−x)S2、Ag(AlxGa1−x)S2などが挙げられ、好ましくはCuxS(1≦x≦2)、CuxSe(1≦x≦2)、CuAlS2、CuAlSe2である。
p型半導体層の成膜方法としては、発光層と同様に抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着、スパッタリングやイオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)、電着法など無機材料を一般的に成膜する方法が用いられる。
本発明における発光素子の中間層としては、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素、またはその元素を含む化合物を用いることができる。
本発明の中間層は、結晶構造が侵入型化合物の形状をとっていることがより好ましい。侵入型化合物とは、金属の結晶格子の隙間に他の小さな非金属元素が侵入してできる化合物のことをいう。このような中間層の例として、TiW、MoSc、TiB、TiC、TiN、ZrB、ZrC、ZrN、HfB、HfC、HfN、VB、VC、VN、NbB、NbC、NbN、TaB、TaC、TaN、CrB、CrN、MoB、MoC、MoN、WC、WN、TiCN、TiAlN、AlCrNiなどが挙げられ、好ましくはTiN、TaN、WNなどである。
中間層の成膜方法としては、発光層やp型半導体層の形成と同様に抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着、スパッタリングやイオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)など無機材料を一般的に成膜する方法が用いられる。
中間層の厚みは、厚くなりすぎるとp型半導体層から中間層を通り抜けて発光層へキャリアが移動するために必要な電界強度が増すため、低電圧駆動という観点から300nm以下が好ましく、さらに好ましくは100nm以下である。また厚みが薄くなりすぎると拡散防止の効果が得られないため、厚みは5nm以上が好ましく、さらに好ましくは10nm以上である。
本発明の発光素子において、電極層の一方を構成する透明導電膜には、一般的に用いられる任意の透明電極材料が用いられる。例えば錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛などの酸化物、銀の薄膜を高屈折率層で挟んだ多層構造、ポリアニリン、ポリピロールなどの共役系高分子などが挙げられる。
本発明に好ましく用いられる透明導電膜の表面抵抗率は、10Ω/□以下であることが好ましく、0.01Ω/□〜10Ω/□が更に好ましい。特に0.01Ω/□〜1Ω/□が好ましい。透明導電膜の表面低効率は、JIS K6911に記載の方法に準じて測定することができる。また、透明導電膜は、ガラス又はプラスチック基板上に形成されており、かつ酸化錫を含有していることが好ましい。
透明導電膜を形成させる基板としては、ガラス基板としては無アルカリガラス、ソーダライムガラスなど、一般的なガラスが用いられる。この場合、耐熱性が高く平坦性の高いガラスを用いることが好ましい。また、プラスチック基板としてはポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロースベース等の透明フィルムが好適に用いられる。これらの基板表面上に、インジウム・錫酸化物(ITO)や錫酸化物、酸化亜鉛等の透明導電性物質を蒸着、塗布、印刷等の方法で付着、成膜することができる。この場合、耐久性を上げる目的で透明導電膜表面を酸化錫主体の層とすることが好ましい。
透明導電膜を構成する透明導電性物質の好ましい付着量は、透明導電膜に対して、100質量%〜1質量%、より好ましくは、70質量%〜5質量%、さらに好ましくは、40質量%〜10質量%である。
透明導電膜の調製法はスパッター、真空蒸着等の気相法であっても良い。ペースト状のITOや酸化錫を塗布やスクリーン印刷で作成したり、膜全体を加熱したりレーザーにて加熱して成膜しても良い。
透明導電膜の調製法はスパッター、真空蒸着等の気相法であっても良い。ペースト状のITOや酸化錫を塗布やスクリーン印刷で作成したり、膜全体を加熱したりレーザーにて加熱して成膜しても良い。
更に素子を低抵抗化するには、例えば櫛型あるいはグリッド型等の網目状ないしストライプ状金属細線を配置して通電性を改善することが好ましい。金属や合金の細線としては、銅や銀、アルミニウム、ニッケル等が好ましく用いられる。この金属細線の太さは、任意であるが、0.5μm程度から20μmの間が好ましい。金属細線は、50μm〜400μmの間隔のピッチで配置されていることが好ましく、特に100μm〜300μmの間隔のピッチが好ましい。金属細線を配置することで、光の透過率が減少するが、この減少は出来るだけ小さいことが重要で、80%以上100%未満の透過率を確保することが好ましい。
金属細線は、メッシュを透明導電性フィルムに張り合わせてもよいし、予めマスク蒸着ないしエッチングによりフィルム上に形成した金属細線上に金属酸化物等を塗布、蒸着しても良い。また、予め形成した金属酸化物薄膜上に上記の金属細線を形成してもよい。
これとは異なる方法となるが、金属細線の代わりに、100nm以下の平均厚みを有する金属薄膜を金属酸化物と積層して本発明に適した透明導電膜とすることができる。金属薄膜に用いられる金属としては、AuやIn、Sn、Cu、Niなど耐腐食性が高く、展延性等に優れたものが好ましいが、特にこの限りではない。
これらの複層膜は、高い光透過率を実現することが好ましく、具体的には70%以上の光透過率を有することが好ましく、80%以上の光透過率を有することが特に好ましい。光透過率を規定する波長は、550nmである。光の透過率に関しては、干渉フィルターを用いて550nmの単色光を取り出し、一般に用いられる白色光源を用いた積分型光量測定やスペクトル測定装置を用いて測定することが出来る。
本発明の発光素子において、透明電極層と対になる電極層、すなわち光を取り出さない側の背面電極は、導電性の有る任意の材料が使用出来る。金、銀、白金、銅、鉄、アルミニウムなどの金属、グラファイトなどの中から、作製する素子の形態、作製工程の温度等により適時選択されるが、その中でも熱伝導率が高いことが重要で、2.0W/cm・deg以上であることが好ましい。また、EL素子の周辺部に高い放熱性と通電性を確保するために、金属シートや金属メッシュを用いることも好ましい。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔実施例1〕
ZnS100gに対して、IrCl3をIr元素量としてZnに対して4×10−3mol/molZn、MgCl2をCl元素量としてZnに対して6×10−2mol/molZnとなるよう秤量した。秤量したZnS、IrCl3およびMgCl2を乳鉢にいれ20分以上混合した後、錠剤成型機を用いてペレット状に成型し、真空中で1100℃、3時間焼成することで、蛍光体材料を得た。
〔実施例1〕
ZnS100gに対して、IrCl3をIr元素量としてZnに対して4×10−3mol/molZn、MgCl2をCl元素量としてZnに対して6×10−2mol/molZnとなるよう秤量した。秤量したZnS、IrCl3およびMgCl2を乳鉢にいれ20分以上混合した後、錠剤成型機を用いてペレット状に成型し、真空中で1100℃、3時間焼成することで、蛍光体材料を得た。
上記の無機蛍光体材料を用いて直流駆動型無機EL素子を作製した。該直流駆動型無機EL素子の構造の概略を図1に示す。
第1電極2として厚さ200nmのITO層が形成されたガラス基板1に対して、ITO層の上にCu2Sをエレクトロンビーム蒸着法により20nmの厚みになるよう蒸着成膜することで、p型半導体層3を形成した。次に、この上にTiNをスパッタリング法により5nmの厚みになるよう成膜することで、中間層4を形成した。さらに、上記蛍光体材料をエレクトロンビーム蒸着法により1μmの厚みになるよう蒸着成膜することで、発光層5を形成した。発光層5の成膜後、真空中で600℃、1時間熱処理を施し、発光層5の上に第2電極6としてAgを抵抗加熱蒸着法により蒸着成膜し、発光素子を得た。
得られた発光素子に、Agを正極、ITOを負極として直流電流を流したところ、450nmにピークを持つ発光が確認された。
第1電極2として厚さ200nmのITO層が形成されたガラス基板1に対して、ITO層の上にCu2Sをエレクトロンビーム蒸着法により20nmの厚みになるよう蒸着成膜することで、p型半導体層3を形成した。次に、この上にTiNをスパッタリング法により5nmの厚みになるよう成膜することで、中間層4を形成した。さらに、上記蛍光体材料をエレクトロンビーム蒸着法により1μmの厚みになるよう蒸着成膜することで、発光層5を形成した。発光層5の成膜後、真空中で600℃、1時間熱処理を施し、発光層5の上に第2電極6としてAgを抵抗加熱蒸着法により蒸着成膜し、発光素子を得た。
得られた発光素子に、Agを正極、ITOを負極として直流電流を流したところ、450nmにピークを持つ発光が確認された。
〔実施例2〕
p型半導体層を構成する材料をCuAlS2とした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔実施例3〕
中間層を構成する材料をTaNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔実施例4〕
中間層を構成する材料をWNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔実施例5〕
蛍光体の母体材料をZnSeとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔比較例1〕
中間層を付与しない以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔比較例2〕
中間層を構成する材料をMgNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔比較例3〕
中間層を構成する材料をAlNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
p型半導体層を構成する材料をCuAlS2とした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔実施例3〕
中間層を構成する材料をTaNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔実施例4〕
中間層を構成する材料をWNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔実施例5〕
蛍光体の母体材料をZnSeとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔比較例1〕
中間層を付与しない以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔比較例2〕
中間層を構成する材料をMgNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
〔比較例3〕
中間層を構成する材料をAlNとした以外は、実施例1と同様にして発光素子を得た。
下記表1に実施例1〜5および比較例1〜3で得た素子の耐久性の結果を示す。なお、耐久性の評価は、素子に対して10Vの直流電界を印加した場合の発光輝度の半減期をもって行った。
表1の結果から、中間層を付与していない比較例1および周期律表上の第4族〜第6族元素を含有しない中間層を付与した比較例2、3に対して、周期律表上第4族〜第6族元素を含有する中間層を付与した実施例1〜5では、輝度半減期が大幅に延び、発光素子の耐久性が飛躍的に向上したといえる。
1 ガラス基板
2 第1電極
3 p型半導体層
4 中間層
5 発光層
6 第2電極
2 第1電極
3 p型半導体層
4 中間層
5 発光層
6 第2電極
Claims (7)
- 基板上に、少なくとも電極層と、発光層と、p型半導体層を有し、発光層とp型半導体層との間に、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含有する中間層を有することを特徴とする、発光素子。
- 前記中間層が、周期律表の第4族〜第6族から選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物を含有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
- 前記中間層が、結晶構造が侵入型化合物の形状をとっていることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。
- 前記発光層が、周期律表の第12−16族化合物から選ばれる少なくとも1種、またはそれらの混晶を母体材料とする蛍光体を含有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の発光素子。
- 前記蛍光体が、周期律表の第6〜第11族の第2遷移系列に属する元素または第3遷移系列に属する元素のうち少なくとも1種を含有することを特徴とする、請求項4に記載の発光素子。
- 前記p型半導体層が、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の発光素子。
- 前記p型半導体層が、周期律表の第11族から選ばれる少なくとも1種の元素と第13族から選ばれる少なくとも1種の元素と第16族から選ばれる少なくとも1種の元素との化合物を含有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009014233A JP2010171319A (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009014233A JP2010171319A (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010171319A true JP2010171319A (ja) | 2010-08-05 |
Family
ID=42703135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009014233A Pending JP2010171319A (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010171319A (ja) |
-
2009
- 2009-01-26 JP JP2009014233A patent/JP2010171319A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4888119B2 (ja) | 透明導電膜及びその製造方法、並びに透明導電性基材、発光デバイス | |
JP3797317B2 (ja) | 透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4730300B2 (ja) | 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材 | |
KR20060043609A (ko) | 유기발광 표면요소의 제조방법 및 유기발광 표면요소 | |
US7868351B2 (en) | Light emitting device | |
TWI246360B (en) | Electrode for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same | |
JP2015156392A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
KR102331372B1 (ko) | 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 | |
US20170213996A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP4943440B2 (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
US7990057B2 (en) | Surface emitting-type electroluminescent device | |
JP2010171319A (ja) | 発光素子 | |
JP2009167351A (ja) | 無機蛍光体 | |
JP2008091754A (ja) | 発光素子 | |
JP2008235238A (ja) | 透明導電膜つき粘土膜 | |
JP2010031154A (ja) | 無機蛍光体 | |
JPH08281857A (ja) | 透明導電性積層体 | |
JP2010050421A (ja) | 半導体 | |
JP2010040217A (ja) | 無機el素子 | |
JP5046637B2 (ja) | 無機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP2009298902A (ja) | 無機蛍光体 | |
JP2009170358A (ja) | 無機el素子 | |
JP2008251487A (ja) | 発光素子 | |
JP2010061855A (ja) | 無機el素子 | |
JPH11300874A (ja) | 透明導電性フィルム及び分散型el素子 |