JP2008251487A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008251487A JP2008251487A JP2007094662A JP2007094662A JP2008251487A JP 2008251487 A JP2008251487 A JP 2008251487A JP 2007094662 A JP2007094662 A JP 2007094662A JP 2007094662 A JP2007094662 A JP 2007094662A JP 2008251487 A JP2008251487 A JP 2008251487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- light
- emitting element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の発光素子100は、基板1と、基板1の主面上に形成された発光層2と、発光層2の一方面上に設けられた一対の電極3,4とを備え、発光層2が、半導体多結晶と、該半導体多結晶の結晶粒界に存在し、前記半導体多結晶とは異なる組成の化合物とを含むものである。
【選択図】 図2
Description
先ず、基板として低アルカリガラス基板(125mm×125mm、厚み:0.7mm)を用意し、この表面を中性洗剤によるスクラブ洗浄した後、更にイソプロピルアルコールの蒸気により洗浄した。次に、洗浄した基板を蒸着装置の成膜用基板ホルダーに設置し、蒸着装置の成膜室内の圧力が2×10−4Paとなるまで真空排気した。更に、蒸着装置の基板付近に配置された抵抗加熱装置により基板温度を180℃まで昇温した。
基板上に成膜した薄膜の厚みをそれぞれ、0.3μm、0.5μm、0.7μm、1.5μm及び2.0μmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2〜6の発光素子をそれぞれ作製した。
基板上に成膜された膜の熱処理温度をそれぞれ、400℃、450℃及び650℃としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例7〜9の発光素子をそれぞれ作製した。
ZnS混合焼結体ペレットにおけるCu2S濃度をそれぞれ、1mol%、10mol%及び25mol%としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例10〜12の発光素子をそれぞれ作製した。
先ず、実施例1と同様の低アルカリガラス基板を用意し、同様に洗浄した。
基板加熱温度:180℃
ガス流量:Ar、150sccm
スパッタリング圧力:0.5Pa
高周波電力:2.5kW
焼結体ターゲットの作製において、Ga2S3の変わりにAl2S3を0.6mol%、及びIn2S3を0.6mol%それぞれ用いたこと以外は実施例13と同様にして、実施例14及び15の発光素子を作製した。
Claims (8)
- 基板と、該基板の主面上に形成された発光層と、該発光層の一方面上に設けられた一対の電極と、を備え、
前記発光層が、半導体多結晶と、該半導体多結晶の結晶粒界に存在し、前記半導体多結晶とは異なる組成の化合物と、を含むものである、発光素子。 - 前記発光層が、ZnS結晶粒と、当該ZnS結晶粒の結晶粒界に存在し、銅原子を含む硫黄化合物と、を含むものである、請求項1に記載の発光素子。
- 前記銅原子を含む硫黄化合物が、前記発光層の前記基板と接する面と反対側の面から前記基板に向かう方向にのびて存在する、請求項2に記載の発光素子。
- 前記発光層のX線回折パターンにおける(111)結晶面に起因するX線回折ピーク強度をI(111)とし、(110)結晶面に起因するX線回折ピーク強度をI(110)としたとき、ピーク強度比(I(111)/I(110))が80以上である、請求項2又は3に記載の発光素子。
- 前記発光層における銅濃度が、0.1原子%〜5原子%である、請求項2〜4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記発光層が、Ga、Al及びInのうちから選択される1種以上の金属元素を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記一対の電極が櫛歯状である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記一対の電極間に交流電圧を印加することにより発光せしめる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007094662A JP4946576B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007094662A JP4946576B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008251487A true JP2008251487A (ja) | 2008-10-16 |
JP4946576B2 JP4946576B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=39976174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007094662A Expired - Fee Related JP4946576B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4946576B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009004314A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 無機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2009246330A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-10-22 | Canon Inc | 発光膜、発光素子およびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03190991A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-20 | Toshiba Corp | 電場発光蛍光体の製造方法 |
JPH0790262A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Nec Kansai Ltd | 電界発光素子用蛍光体の製造方法 |
JPH0820772A (ja) * | 1991-02-27 | 1996-01-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蛍光体粉末の製造方法 |
JP2002313568A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-10-25 | Agfa Gevaert Nv | 薄膜無機発光ダイオードの製造 |
WO2008069174A1 (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Panasonic Corporation | 面状発光装置 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007094662A patent/JP4946576B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03190991A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-20 | Toshiba Corp | 電場発光蛍光体の製造方法 |
JPH0820772A (ja) * | 1991-02-27 | 1996-01-23 | Mitsubishi Materials Corp | 蛍光体粉末の製造方法 |
JPH0790262A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Nec Kansai Ltd | 電界発光素子用蛍光体の製造方法 |
JP2002313568A (ja) * | 2001-02-07 | 2002-10-25 | Agfa Gevaert Nv | 薄膜無機発光ダイオードの製造 |
WO2008069174A1 (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Panasonic Corporation | 面状発光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009004314A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 無機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2009246330A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-10-22 | Canon Inc | 発光膜、発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4946576B2 (ja) | 2012-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5102357B2 (ja) | 窒化ガリウムのエピタキシャル成長用基板 | |
KR20000071682A (ko) | 반도체발광소자, 투명도전막의 제조방법 및화합물반도체발광소자의 제조방법 | |
WO2008045423A1 (en) | Self assembled controlled luminescent transparent conductive photonic crystals for light emitting devices | |
JP6235580B2 (ja) | Ii−vi族ベースの発光半導体デバイス | |
JP2008153603A (ja) | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ | |
JP5200596B2 (ja) | 発光素子 | |
WO2005076373A1 (ja) | 半導体材料およびこれを用いた半導体素子 | |
JP4946576B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5049503B2 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
TWI440221B (zh) | 製造半導體發光裝置之方法 | |
JP5115277B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5130996B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5130976B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5046637B2 (ja) | 無機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP6004404B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
KR101920289B1 (ko) | 그래핀에 의하여 광증폭된 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
CN103518266B (zh) | Ⅲ族氮化物半导体发光元件 | |
JP6334929B2 (ja) | p型ZnO系半導体層の製造方法、及び、ZnO系半導体素子の製造方法 | |
CN108389947B (zh) | 发光二极管及其制备方法 | |
JP5062882B2 (ja) | 無機エレクトロルミネッセンス素子 | |
TW201507204A (zh) | 半導體裝置 | |
JP5446111B2 (ja) | 発光素子及び蛍光体材料 | |
JP2010050421A (ja) | 半導体 | |
JP2010182490A (ja) | 発光素子 | |
KR100705995B1 (ko) | 발광소자용 은 도핑된 산화아연 반도체 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120220 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4946576 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |