JP2002313568A - 薄膜無機発光ダイオードの製造 - Google Patents

薄膜無機発光ダイオードの製造

Info

Publication number
JP2002313568A
JP2002313568A JP2002028059A JP2002028059A JP2002313568A JP 2002313568 A JP2002313568 A JP 2002313568A JP 2002028059 A JP2002028059 A JP 2002028059A JP 2002028059 A JP2002028059 A JP 2002028059A JP 2002313568 A JP2002313568 A JP 2002313568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dispersion
zns
layer
thin
dispersions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002028059A
Other languages
English (en)
Inventor
Hieronymus Andriessen
ヒエロニムス・アンドリーセン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agfa Gevaert NV
Original Assignee
Agfa Gevaert NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agfa Gevaert NV filed Critical Agfa Gevaert NV
Publication of JP2002313568A publication Critical patent/JP2002313568A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G9/00—Compounds of zinc
    • C01G9/08—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/04—Compounds of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/50—Agglomerated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
    • C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
    • C01P2004/86—Thin layer coatings, i.e. the coating thickness being less than 0.1 time the particle radius
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 直流の影響下で発光可能な薄膜無機発光ダイ
オードデバイスの製造のための容易で且つ経済的な方法
を提供すること。 【解決手段】 ルミネセント中心でドーピングされたＺ
ｎＳのおよびＣｕxＳの分散液を水溶液からの沈澱によ
り一緒にまたは別個に製造する。そのような分散液を伝
導性電極間にコーテイングすると、薄膜無機発光ダイオ
ードデバイスが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜無機発光ダイオ
ードの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、数種の薄膜エレクトロルミネセン
トデバイス（thin film electroluminescent devices）
（ＥＬＤ）が存在するかまたはまだ開発中である。それ
らは全て、２つの電極間に挟まれた１つ（もしくはそれ
以上）のエレクトロルミネセント活性層により特徴づけ
られる。場合により、誘電層が存在してもよい。基質は
プラスチックまたはガラスでありうる。
【０００３】薄膜ＥＬＤは、有機および無機をベースと
するＥＬＤに分類することができる。有機をベースとす
る薄膜ＥＬＤ(1)は、有機分子またはオリゴマー発光ダ
イオード（ＯＬＥＤ）および重合体発光ダイオード（Ｐ
ＬＥＤ）にさらに分類される。他方、無機ＥＬＤは高電
圧交流（ＨＶ−ＡＣ）ＥＬＤおよび低電圧直流（ＬＶ−
ＤＣ）ＥＬＤにさらに分類することができる。ＨＶ−Ａ
Ｃ ＥＬＤの中では、薄膜エレクトロルミネセントデバ
イス（ＴＦＥＬデバイスまたはＥＦＥＬＤ）および粉末
ＥＬＤ（ＰＥＬデバイスまたはＰＥＬＤ）を特筆するこ
とができる。ＬＶ−ＤＣ ＥＬＤの中では、粉末ＥＬＤ
（ＤＣ−ＰＥＬデバイスまたはＤＣ−ＰＥＬＤ）および
以下で薄膜無機発光ダイオード（ＩＬＥＤ）と称する薄
膜ＤＣ−ＥＬＤを特筆することができる。
【０００４】有機ＥＬＤ（ＰＬＥＤおよびＯＬＥＤ）の
基本的構造は下記の層配置を含んでなる：透明な基質
（ガラスまたは柔軟性プラスチック）、透明な伝導体、
例えば酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、孔輸送(hole tran
sporting)層、ルミネセント層、および第二の電極、例
えばＣａ、Ｍｇ／ＡｇまたはＡｌ／Ｌｉ電極。ＯＬＥＤ
に関しては、孔輸送層およびルミネセント層は１０−５
０ｎｍの厚さでありそして真空蒸着により適用され、Ｐ
ＬＥＤに関しては孔輸送層は４０ｎｍの厚さであり且つ
ルミネセント層は１００ｎｍでありそしてスピンコーテ
イングにより適用される。２つの電極間に、５−１０Ｖ
の直流電圧が適用される。
【０００５】ＯＬＥＤに関して、孔輸送層およびエレク
トロルミネセント層は、オリゴマー類を包含する低分子
量有機化合物から構成される。例えば、Ｎ,Ｎ′−ジフ
ェニル−１,１′−ビフェニル−４,４′−ジアミン（Ｔ
ＰＤ）を孔輸送体として使用することができ、そしてエ
レクトロルミネセント化合物としてアルミニウム（II
I）８−ヒドロキシキノリン錯体（Ａｌｑ3）、多核芳香
族（アントラセン誘導体、ペリレン誘導体およびスチル
ベン誘導体）並びにポリヘテロ−芳香族（オキサゾール
類、オキサジアゾール類、チアゾール類など）を使用す
ることができる。これらの低分子量ＯＬＥＤの主な利点
には、高い蛍光量子収率、高い精製および結晶成長能力
並びに材料計画の広い選択性が包含される。最初は非晶
質のサンプルの結晶化、他の物質との励起錯体の生成、
およびしばしば高い化学的反応性が、安定なＥＬシステ
ムに対するそれらの適用において重要な問題を生ずる。
さらに、層は真空蒸着技術を用いることにより適用さ
れ、それらはしばしば面倒であり且つ費用がかる。しか
しながら、この原理に基づく単色ディスプレイが開発者
により最近市場に送り出されている(3)。
【０００６】他方、ＰＬＥＤ中で使用できるエレクトロ
ルミネセント化合物は非−共役ポリビニルカルバゾール
誘導体（ＰＶＫ）のような重合体またはポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン類（ＰＰＶ）、ポリ（３−アルキロチオ
フェン、ポリ（ｐ−フェニレンエチニレン類）などのよ
うな共役重合体である。これらの高分子量物質は注型成
形による薄膜の容易な製造を可能にし、そして高い耐結
晶化性を示す。精製工程（およびその結果としての再現
性）における困難、並びに、多くは、複雑な構造並びに
酸素および水分に対する高い感度に加えて、低い蛍光量
子収率が有機ＥＬＤに対するそれらの適用における重要
な欠点である。
【０００７】上記のように、現在では、２種のＨＶ−Ａ
Ｃ無機ベースＥＬＤ、すなわちＰＥＬＤおよびＴＦＥＬ
Ｄが存在する(2)。ＰＥＬデバイスは主として背面光お
よび低情報内容ディスプレイ用に使用されそして柔軟性
基質上で製作することができる。ＴＦＥＬデバイスは高
情報内容マトリックスディスプレイのために使用されそ
して、要求される高い加工温度のためにガラス基質上で
のみ製造できる。それらの基本的構造は本質的に同じで
ある。ＰＥＬＤは、透明な基質、透明な伝導体（ＩＴ
Ｏ）、ドーピングされたＺｎＳのルミネセント層（５０
μｍ）、絶縁体／反射体層（５０μｍ）、および上部電
極、例えばＡｇ−ペーストから構成される。２つの電極
間に、１１０Ｖおよび４００Ｈｚの交流電圧が適用され
る。ＴＦＥＬデバイスは、透明な基質、透明な伝導体、
および２つの水分保護絶縁体層（０.６μｍ）の間のル
ミネセント燐層（０.６μｍ）、および上部電極、例え
ば蒸発させた金属から構成される。２つの電極間に、２
００Ｖおよび４００Ｈｚの交流電圧が適用される。
【０００８】両方のデバイスに関して、ドーピングされ
たＺｎＳが活性ルミネセント層として使用される。ドー
ピング中心（例えば、Ｍｎ2+、Ｃｕ+）は高電場を用い
て射出させた電子の衝撃によりまたはエレクトロルミネ
セント中心に向かう再結合エネルギーの移動により励起
させうる。これらの励起した中心はルミネセンス法によ
り基底状態に緩和する。エレクトロルミネセンス法に関
する数種の機構が提唱されている(4)。ＰＥＬＤ用の絶
縁層（捺染印刷したＢａＴｉＯ3−粉末＋結合剤）は３
つの機能を果す：（１）それは破滅的な降伏を防止し、
（２）高い誘電定数によって、電場は優先的にＺｎＳ層
上に集束され、そして（３）それは拡散光反射体として
作用して光出力を高めるであろう。ＴＦＥＬデバイスに
関して、真空蒸着されたＡｌ2Ｏ3は、また、破滅的な降
伏を防止しそしてそれは電子射出のためのトンネル化バ
リアーとして機能する。構造は２つの電極により仕上げ
られ、それらの１つは透明でなければならない。
【０００９】ＰＥＬデバイスに関して、ＺｎＳ層はポリ
ビニリデンフルオリドまたはある種のシアノ樹脂のよう
な高い誘電定数を有する有機結合剤に混入された銅イオ
ン並びに可能なら塩素およびマンガンのような他の元素
でドーピングされたＺｎＳ粉末を含んでなる。ドーパン
トのＺｎＳ結晶マトリックス中への拡散および冷却後の
ＺｎＳ格子内外のＣｕxＳに富んだ針状結晶の集成(inte
gration)を可能にするために、粉末は高温焼結法（＞７
００℃）により製造される。ＨＶ−ＡＣ ＰＥＬＤに関
して、表面におけるＣｕxＳ−針状結晶はシアニドイオ
ンを用いるエッチングにより化学的に除去される。これ
が、電気的に単離している粒子を確保する。その後、燐
の寿命を延長させるために、粒子にＡｌ2Ｏ3またはＮＣ
（窒化炭素）のような水分保護層を付与する。これらの
粉末の粒子寸法は２−２０μｍの間で変動する。この粉
末の分散液を、それらを５０−１００μｍの厚さを有す
るエレクトロルミネセント層内に適用するために、スク
リーン印刷法で使用することができる。
【００１０】電場を燐粒子上に適用すると、電荷（例え
ば電子）が粒子の内側でＺｎＳ格子中および／またはＣ
ｕxＳ針状結晶中の積層欠陥場所で発生する。これらの
電荷は適用される場（ＡＣ）の方向に応じて移動しう
る。この方法により、再結合工程が起きることができ、
それにより再結合エネルギーをエレクトロルミネセント
中心（例えばＣｕ+またはＭｎ2+）に移動させることが
できる。電子の運動エネルギーが充分高い（約４−５ｅ
Ｖ）場合には、ルミネセンス中心の直接衝撃励起も起き
うる。これらの工程がエレクトロルミネセンスを生じう
る。
【００１１】エレクトロルミネセンスは通常は１−２Ｍ
Ｖ／ｃｍ程度の場の強さで起きる。１００μｍの層厚さ
に関して、１１０Ｖの適用が５０ｋＶ／ｃｍの場の強さ
の平均値を与える。ＺｎＳ−粒子内部におけるＣｕxＳ
針状結晶が電場の強さを５０〜１００の因子だけ局部的
に高めて１ＭＶ／ｃｍまでの場の強さ値を生じ、それに
よりエレクトロルミネセンスを可能にさせる。厚い層は
ゆっくりした輝度−電圧応答を引き起こして、ＰＥＬデ
バイスをディスプレイ用途に適さないようにさせる。
【００１２】これらのＰＥＬＤの一般的な欠点は価格
（多数の要求される製品（１平方メートル当たり１５０
ｇの燐）、高価なＢａＴｉＯ3層、高い駆動電圧（約１
１０Ｖ））およびそれらに固有な不安定性である。後者
は電場を適用することによる結晶積層欠陥およびＣｕx
Ｓ針状結晶数のゆっくりした減少により引き起こされる
（再結晶化）。積層欠陥またはＣｕxＳ針状結晶が少な
ければ少ないほど、より少ない電荷（電子）を発生させ
ることができそしてその結果として光出力における減少
を期待することができる。
【００１３】ＴＦＥＬデバイスに関して、ドーピングさ
れたＺｎＳ層は好ましくは原子層エピタキシー(Atomic
Layer Epitaxy)技術（プラナール・インターナショナル
(Planar International)）を用いることにより蒸着さ
れ、それも高温焼結段階を必要とし、そのため、基質は
ガラス基質に限定される。製造されるドーピングされた
ＺｎＳ−層は結晶性である。この層を２つの薄い単離し
ているＡｌ2Ｏ3層の間に挟む。典型的には１５０−２０
０Ｖの間の高電圧を適用すると、電子のトンネル化がこ
れらのＡｌ2Ｏ3層を通して起きる。ＺｎＳ層の高い結晶
性のために、電子は適用された電場の影響下でこのドー
ピングされたＺｎＳ層中で自由に移動することができ、
それにより運動エネルギーを集積する。約４−５ｅＶの
集積値では、ドーパントの衝撃励起が起きてエレクトロ
ルミネセンスを生じうる。薄いエレクトロルミネセント
層（１−１.５μｍ）はルミネセンス−電圧曲線のしき
い値性能を示し、このＴＦＥＬデバイスをディスプレイ
用途に適するようにさせる。
【００１４】このシステムの一般的欠点は、ゆっくりし
た費用のかかる製造方法および周囲湿度に対する完全な
保護の必要性である。
【００１５】低電圧ＤＣ ＰＥＬデバイスは Vecht 他に
より開発された(5)。それらはＡＣ−ＰＥＬＤ用と同じ
燐粒子を使用したが、表面における伝導性ＣｕxＳ−針
状結晶は除去されない。一般的な構造は、透明な基質、
透明な伝導体（ＩＴＯ）、ドーピングされたＺｎＳ燐層
（２０μｍ）、および上部電極（蒸発させたＡｌｕ）か
ら構成される。
【００１６】燐層はドクターブレード技術またはスクリ
ーン印刷によりＩＴＯ伝導層の上に適用される。引き続
き、Ａｌｕ電極を蒸発させる。数ボルトの直流電圧（Ｉ
ＴＯ陽性）を適用すると、ｐ−伝導性ＣｕxＳがＡｌｕ
電極に向かって移動し、それによりＩＴＯ層の隣に絶縁
領域（厚さ約１μｍ）が１分以内もしくはそれ以上で生
成する。これが、発光の開始を伴う電流低下をもたら
す。この方法はフォーミング法(forming process)と称
された。この生成された薄い高抵抗性燐層では、高い電
場が起きそしてエレクトロルミネセンスはすでに（典型
的には１０〜３０ブレードの間の）低い電圧においてす
でに可能である。
【００１７】このシステムの主な欠点は、フォーミング
法の非再現性および水分に対する完全な気密化の必要性
である。燐粒子の製造も高い焼結温度を必要とする。こ
の原理に基づく商業用デバイスは現在市販されている。
【００１８】最近、いくつかの研究グループが無機半導
性ナノ粒子からの光−(7-13)およびエレクトロルミネセ
ンス(14-18)を報告した。
【００１９】Colvin ら(14)はヘキサンジチオールによ
り安定化させたＣｄＳｅナノ粒子のエレクトロルミネセ
ンスに関して報告した。彼らはＩＴＯ上でＣｄＳｅおよ
びＰＰＶのスピンコーテイングさせた二重層を含んでな
りそしてそれを蒸発させたＭｇ電極で被覆した２つのデ
バイスに関するＥＬを示した。電圧によって、彼らはＣ
ｄＳｅ（比較的低い電圧）からのまたはＰＰＶ（比較的
高い電圧）からの発生を観察した。
【００２０】ＣｄＳｅ量子−ドット／重合体複合体のエ
レクトロルミネセンスは Dabbousiらによっても報告さ
れた(15)。彼らはＩＴＯ上にトリオクチルホスフィンオ
キシドで安定化されそして重合体状の孔輸送体（ＰＶ
Ｋ）および電子輸送種（ＰＶＫのオキサジアゾール誘導
体、ｔ−Ｂｕ−ＰＢＤ）と混合されたＣｄＳｅナノ粒子
の１つの単一層をスピンコーテイングした。アルミニウ
ム電極を引き続き蒸発させた。このシステムは逆斜線方
向にエレクトロルミネセンスを示し、そして適用される
電圧によりＣｄＳｅ量子ドットまたはＰＶＫの発生スペ
クトルが観察された。
【００２１】Gao ら(16)はＰＰＶおよびＣｄＳｅナノ粒
子の自己集合フィルムのエレクトロルミネセンスに関し
て報告した。彼らはＣｄＳｅ粒子からおよび／またはＰ
ＰＶから、適用される電圧に依存して、エレクトロルミ
ネセンスを観察することができる。
【００２２】これらの例は、ＯＬＥＤと同様に、発光ダ
イオードとして半導体性質を有する無機ナノ粒子（ＩＬ
ＥＤ）の考えられる使用を示す。しかしながら、Ｃｄ−
またはＳｅ−化合物の使用は予測されうる環境問題のた
めに推奨することはできない。
【００２３】Huang ら(17)は、ＩＴＯ基質上にスピンコ
ーテイングさせそしてアルミニウム電極で蒸発させたＺ
ｎＳ：Ｃｕナノ結晶の単一層の光−およびエレクトロル
ミネセンスを報告した。ＺｎＳおよびＣｕxＳはＣｄＳ
ｅと比べてはるかに環境的に優しい。有機ＰＥＬＤ中で
知られるような安定性の問題を引き起こしうる有機性の
孔または電子輸送体の必要もない。それらのシステムの
欠点は、ＺｎＳ：Ｃｕ粒子の合成が極めて面倒であり且
つ低収率をもたらすことである。ポリスチレンスルホン
酸が高分子電解質として使用され、その上にＺｎおよび
Ｃｕイオンが結合する。引き続き、この高分子電解質を
ジメチルホルムアミド中に溶解しそしてＨ2Ｓと反応さ
せる。この方法により、ＺｎＳ：ＣｕxＳ粒子が製造さ
れる。
【００２４】Que ら(18)は、銅がドーピングされたＺｎ
Ｓナノ結晶／重合体複合体からの光−およびエレクトロ
ルミネセンスを報告した。ナノ粒子の合成は逆マイクロ
エマルション法を使用することにより行われた。洗浄し
そして乾燥した後に、ＺｎＳ：Ｃｕ粉末を結合剤として
ＰＭＭＡを用いてＭＥＫの中に再分散させそしてＩＴＯ
上にスピンコーテイングしそしてアルミニウム電極で蒸
発させた。緑色エレクトロルミネセンスが２つの斜線方
向で５Ｖにおいて観察された。このデバイスの製作の欠
点は得られうるＺｎＳ：Ｃｕ分散液の低濃度（約１０-3
Ｍ）である。さらに、それは明確な二相系（石鹸／水）
を必要とする。また溶媒をベースとしたスピンコーテイ
ング分散液も欠点でありえた。
【００２５】参考文献 （１）Kalinowski J.; J. Phys. D: Appl. Phys. 32 (1
999) R179-R250. （２）De Visschere, 'Status of electroluminescent
display technologies',Conference papers of ChemiCh
romics' 97, 1997 （３）http://www.pioneerelectronics.com （４）A.G. Fischer, J. Electrochemical Soc., (196
3), Vol. 110, Nr. 7, 733-746. （５）S. Chadha, Powder Electroluminescence, Solid
State Lumin. (1993) 159-227 （６）Eshuis A.; van Elderen G.R.A.; Koning C.A.
J.; Colloids and Surfaces A: Physicochemical and E
ngineering Aspects (1999), 151, 505-512. （７）Gallagher, D.,; Heady, W.E.; Racz J.M.; Bhar
gava, R.N.; J. Mater.Res. (1995), 10(4), 870-6 （８）Murase, N.; Jagannathan, R.; Kanematsu, Y.;
Watanabe, M.; Kurita,A.; Hirata, K.; Yazawa, T.; K
ushida, T.; J. Phys. Chem. B (1999), 103(5), 754-7
60. （９）Vacassy, Robert; Scholz, Stefan M.; Dutta, J
oydeep; Plummer, Christopher John George; Houriet,
Raymond; Hofmann, Heinrich; J. Am. Ceram. Soc. (1
998), 81(10), 2699-2705. （１０）Yu, I.; Isobe T.; Senna M.; J. Phys. Chem.
Solids (1996), 57(4),373-379. （１１）Xu, S.J.; Chua, S.J.; Liu, B.; Gan, L.M.;
Chew, C.H.; Xu, G.Q. Appl. Phys. Lett. (1998), 73
(4), 478-480. （１２）Gan, L.M.; Liu, B.; Chew, C.H.; Xu, S.J.;
Chua, S.J.; Loy, G.L.;Xu, G.Q.; Langmuir (1997), 1
3(24), 6427-6431 （１３）Leeb, J.; Gebhardt; V. Mueller, G.; Haare
r, D.; Su, D.; Giersig,M.; McMahon, G.; Spanhel.
L. Institut fuer Silicatchemie, UniversitaetWuerzb
urg, Wuerzburg, Germany. J. Phys. Chem. B (1999),
103(37), 7839-7845. （１４）Colvin V.L., Schlamp M.C. & Alivisatos A.
P., Nature (1994), Vol370, 354-357. （１５）Dabbousi B.O., Bawendi M.G., Onitska O. an
d Rubner M.F., Appl. Phys. Lett. (1995) 66(11) 131
6-1318 （１６）Gao M., Richter B., Kirstein S. and Moehwa
ld H., J. Phys. Chem.B (1998), 102, 4096-4103. （１７）Huang J., Yang Y., Xue S., Yang B., Liu
S., Shen J. Appl/. Phys.Lett. (1997) 70(18), 2335-
2337. （１８）Que, Wenxiu; Zhou, Y.; Lam, Y.L.; Chan, Y.
C.; Kam, C.H.; Liu, B.; Gan, L.M.; Chew, C.H.; Xu,
G.Q.; Chua, S.J.; Xu, S.J.; Mendis, F.V.C.;Appl.
Phys. Lett. (1998), 73(19), 2727-2729. （１９）Rossetti R., Hull R., Gibson J.M., Brus L.
E.; J. Phys. Chem. (1985), 82, 552-559.
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、直流
の影響下で発光可能な薄膜無機発光ダイオードデバイス
の製造のための容易で且つ経済的な方法を提供すること
である。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、（１）
ルミネセント中心でドーピングされたＺｎＳ（ｎ−タイ
プ半導体）およびＣｕxＳ（ｐ−タイプ半導体）を一緒
に含んでなるナノ粒子分散液を、各イオンの適当な水溶
液からの沈澱により製造するか、或いは（１′）ルミネ
セント中心でドーピングされたＺｎＳ（ｎ−タイプ半導
体）の第一の別個のナノ粒子分散液およびＣｕｘＳ（ｐ
−タイプ半導体）の第二の別個のナノ粒子分散液を、両
者とも各イオンの適当な水溶液からの沈澱により製造
し、（２）（１）に従い製造された分散液または
（１′）に従い製造された両分散液を洗浄して、沈澱し
なかったイオンを除去し、（３）第一の伝導性電極上
に、段階（１）および（２）から生ずる分散液もしくは
段階（１′）および（２）から生ずる分散液の混合物を
１つの同じ層内で、または段階（１′）および（２）か
ら生ずる別個の分散液を２つの別個の層内でコーテイン
グし、（４）段階（３）から生ずる１つもしくは複数の
該コーテイング層の上部に第二の伝導性電極を適用する
段階を含んでなり、但し該第一および第二の電極の少な
くとも１つが透明である、薄膜無機発光ダイオードデバ
イスの製造方法を提供することにより達成することがで
きる。
【００２８】本発明を次にその好ましい態様によりさら
に詳細に論ずる。
【００２９】
【発明の実施の形態】第一の好ましい態様では、Ｚｎ
(Ｃｕ)Ｓ分散液を製造するために、亜鉛イオン、銅イオ
ンおよび硫化物イオンを水溶液から一緒に混合する。３
種の溶液を製造し、第一はＺｎ2+塩、例えばＺｎＣｌ2.
２Ｈ2Ｏの溶液であり、第二は硫化物、例えばＮａ2Ｓ.
９Ｈ2Ｏの溶液であり、第三はＣｕ2+塩、例えばＣｕＣ
ｌ2の溶液である。０.２〜２Ｍの間の濃度が好ましい。
３種の溶液を好ましくはダブルジェット原理に従い混合
する。少量の硫化ナトリウム溶液を塩化銅溶液に加えそ
して次に塩化亜鉛溶液および硫化ナトリウム溶液を同時
に時間および流速の調節された条件下で塩化銅溶液に加
える。実用的には、銅イオンの量は亜鉛イオンの量に対
して約１％〜約２０％に変動しうる。
【００３０】生ずるナノ粒子分散液または実施例で称さ
れるような予備分散液は洗浄しそして濃縮しなければな
らない。これは好ましくは透析処理により行われる。透
析は好ましくはナノ粒子のアグロメレーションを防止し
うる化合物の存在下で行われる。この化合物の性質は特
定の化学種に限定されず、種々の化学タイプから選択で
きる。好ましい化合物はポリ燐酸またはポリ燐酸塩、例
えばポリ燐酸ナトリウム、ヘキサメタ燐酸塩、例えばヘ
キサメタ燐酸ナトリウム、およびチオグリセロールであ
る。
【００３１】次の段階で、界面活性剤を濃縮された分散
液に加えてもよい。多数の既知の界面活性剤のいずれも
使用できるが、好ましい製品は市販のサポニンである。
【００３２】生ずるナノ粒子分散液は二相の混合物であ
り、一方は銅イオンでドーピングされた硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ：Ｃｕ）の分散液であり、そして他方はＣｕxＳより
なる別の相である。二相の共存は固体ＺｎＳ中の銅イオ
ンの低い溶解度（０.０４％）による。ＺｎＳ：Ｃｕ相
はｎ−タイプ半導体であるが、ＣｕxＳはｐ−タイプ半
導体である。
【００３３】コーテイング用の分散液を製造するため
に、結合剤を加えてもよい。好ましい結合剤は、ポリビ
ニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（Ｐ
ＶＰ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳＨ）およびポ
リ(３,４−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレ
ンスルホン酸の錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳＨ）の水溶液
である。これらの結合剤の添加はナノ粒子分散液の安定
性を改良する。
【００３４】このようにして製造されるナノ粒子分散液
を２つの伝導性電極間に導入する場合、いわゆる薄膜無
機発光ダイオード（ＩＬＥＤ）が製造される。これを次
にさらに詳細に説明する。
【００３５】分散液をパターン化された（実施例部分の
図１参照）第一の伝導性電極上にコーテイングする。１
つの好ましい態様では、この伝導性電極はＩＴＯ（酸化
錫インジウム）電極である。蒸発させたＡｇ、Ａ
ｕ、...の薄い透明な電極を使用することもできる。透
明な電極は好ましくはプラスチック基質、例えばポリエ
チレンテレフタレート基質のようなポリエステル基質の
上部に適用されるが、ガラス基質を使用することもでき
る。上部−電極（第二の電極）が透明である場合には、
ガラスまたはプラスチック上の不透明な電極（例えばＡ
ｌ、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕなど）を第一の電極として
使用することもできる。
【００３６】好ましい別の態様では、第一の伝導性電極
はポリチオフェン／ポリアニオン伝導性錯体を含んでな
る箔である。好ましくは、この錯体はポリ(３,４−エチ
レンジオキシチオフェン)／ポリスチレンスルホネート
錯体である。そのような伝導性錯体を含んでなる箔はオ
ルガコン(ORGACON)（アグファ−ゲヴェルトＮ.Ｖ.(Agfa
-Gevaert N.V.)の登録商標）として市販されている。
【００３７】コーテイングしようとする分散液を第一の
電極の上部に任意の適当なコーテイング技術により適用
することができる。小規模原型(small prototype)の製
造にはスピンコーテイングが最も好ましいが、より大き
い面積のドクターブレードコーテイングまたは空気ナイ
フコーテイングまたはカーテンコーテイングのような例
えば写真乳剤コーテイングで使用されている連続的コー
テイング技術を使用することもできる。分散液層の得ら
れる厚さは結合剤の性質および濃度並びにコーテイング
条件に依存する。この厚さは好ましくは５０〜１０００
ｎｍの間である。
【００３８】最後に、第二の伝導性電極がコーテイング
された層の上部に適用される。伝導性電極の少なくとも
１つは透明でなければならない。好ましい態様では、第
二の伝導性電極は真空蒸着により適用されるアルミニウ
ム電極（陰極）である。Ｃａ、Ｍｇ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａ
ｇを使用することもできる。使用される底電極が不透明
である（Ａｌ、Ａｇ、...）場合には、透明な電極をス
ピンコーテイングされたＺｎＳ：ＣｕxＳ層の上部に適
用すべきである。これは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液を
スピンコーテイングすることにより、またはＩＴＯ層を
その上部にスパッタリングすることにより、または薄く
且つ透明なＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、...のような伝導性金属
層の蒸発により行うことができる。
【００３９】生ずるデバイスが異なる直流バイアス電圧
で駆動される場合には、５１５ｎｍにおける緑色エレク
トロルミネセンスは、一般的には４Ｖからの、あるター
ンオン電圧から出発して観察することができる。ある場
合には、実施例によりさらに示されているように、ダイ
オード性能は２つの斜線方向におけるエレクトロルミネ
センスと一緒に観察される。
【００４０】別の態様では、ｎ−タイプＺｎＳ：Ｃｕ分
散液およびｔ−タイプＣｕxＳ分散液は一緒にではな
く、適当なイオン溶液から別個に沈澱する。２つの別個
の分散液を次にコーテイング段階の前に、例えば別個の
透析処理後に、または２つの分散液に対する結合剤の別
個の添加後に、混合してもよい。さらに別の態様では、
２つの別個に製造された分散液は全く混合されず、２つ
の別個の層内で互いの上部に二重層集合体内でコーテイ
ングされる。これらの別の態様でも、緑色ルミネセンス
を発生させることができた。
【００４１】本発明に従う別の好ましい態様では、マン
ガン（および可能なら、沈澱条件に依存して、銅イオ
ン）でドーピングされた硫化亜鉛とＣｕxＳ相との混合
物を含有する分散液が好ましい。ここでも、沈澱は好ま
しくはダブルジェット原理に従い行われる。例えば、少
量の硫化ナトリウム溶液を塩化銅（II）溶液に加える。
次に、塩化亜鉛および酢酸マンガンの両者を含有する溶
液並びに硫化ナトリウ溶液を同時に調節された条件下で
塩化銅（II）溶液に加える。Ｚｎ：Ｍｎ、ＣｕおよびＣ
ｕxＳ分散液の混合物が得られる。分散液のその後の製
造段階および無機発光ダイオード中への導入は第一の態
様と同様にして進行する。ここでも、別の態様に従い、
別個のＺｎＳ：Ｍｎ、ＣｕまたはＺｎＳ：Ｍｎ分散液、
および別個のＣｕxＳ分散液を製造することもできる。
分散液をコーテイング前に混合することができ、または
それらを二重層集合体に従い別個の層内でコーテイング
することもできる。マンガンが導入される全てのこれら
の態様では、適切なターンオン電圧が適用される場合に
は橙黄色エレクトロルミネセンスを発生することができ
る。
【００４２】ＺｎＳにＡｇ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ａｕ、などで
あるようなルミネセント中心を生ずるいずれのイオンで
もドーピングできることは明らかであるはずである。
【００４３】本発明を次に以下の実施例で説明するが、
それらに限定されるものではない。
【００４４】
【実施例】１. 緑色発生単一層ＩＬＥＤ１.１. Ｚｎ（Ｃｕ（１％））Ｓ−分散液の製造： 下記の溶液を製造した：
【００４５】
【表１】
【００４６】ＺｎＳ：Ｃｕ分散液を下記の通りにして製
造した：１５００ｒｐｍで室温において撹拌されている
溶液３に、最初に０.５ｍｌの溶液２を加えた。引き続
き、両者とも室温に保たれている溶液１および２を同時
に５００ｍｌ／分の流速で溶液３に加えた。これがＺｎ
Ｓ：Ｃｕ−粒子を含んでなる予備分散液Ａである。１.２. Ｚｎ(Ｃｕ)Ｓ−分散液の洗浄： １０００ｍｌの
予備分散液Ａに、１０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水溶
液を加えそしてこの分散液をフレゼニウス(Fresenius)
Ｆ６０カートリッジを通して透析した。分散液を１００
０ｍｌに濃縮しそしてこの水準で６０００ｍｌの２％ポ
リ燐酸Ｎａ水溶液を使用することにより洗浄した。
【００４７】洗浄後に、この分散液を透析設定により約
３５ｇのＺｎＳ／ｌの濃度まで濃縮した。引き続き、２
０ｍｌの分散液当たり１ｍｌのサポニン・キラヤ(Sapon
ineQuillaya)（シュミットマン(Schmittmann)）の１２.
５％水／エタノール（８０／２０）中溶液を加えた。こ
れが分散液Ａである。
【００４８】分散液をその粒子寸法分布（重量平均
ｄwa）に関してディスク遠心光沈降計(Disc Centrifuge
Photosedimentometer)であるブルックハーベン(Brookh
aven)ＢＩ−ＤＣＰを用いて分析した。約１０５ｎｍの
重量平均粒子寸法直径が得られた。
【００４９】粒子寸法はＤＣＰで測定できたが、電子顕
微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ）によりはっきりした粒子は見ら
れなかった。測定された粒子寸法は多分（ＥＥＭ像によ
り示されるように）ナノ−サイズ粒子(6)の集合による
ものである。これはさらに、ＤＣＰ測定前の超音波処理
が得られる粒子寸法分布に明らかに影響する事実によっ
ても確認される。超音波処理とＤＣＰ−測定との間の時
間が長くなればなるほど、重量平均粒子寸法に関して得
られる値は大きくなる。多分散性も増加する。
【００５０】ＸＲＤ−測定は低い結晶性ＺｎＳを示す
が、得られた回折信号をデバイ−シェルレル(Debye-Sch
errer)式で使用して結晶粒子寸法を計算した。沈澱条件
によるが、１.５〜５ｎｍの間の粒子寸法が見いだされ
た。
【００５１】主要粒子がＤＣＰ−測定により示されるよ
うに実際ははるかに小さいという別の指摘は、塊状Ｚｎ
Ｓ（〜３３０ｎｍ）と比べてより短い波長へＺｎＳ−分
散および／または層の吸収端部が移行することである。
これは量子ドットにおける既知の現象である(7)。沈澱
条件によるが、２７５〜３１０ｎｍの間の分散液または
層に関する吸収端部の値が見いだされ、それはブルス(B
rus)式(19)によると１.５〜５ｎｍの間の粒子寸法を示
す。
【００５２】ＤＣＰ技術は真のナノ粒子分散液の場合に
は１０−２０ｎｍより小さい粒子に関する情報を与えな
いが、この技術は分散液中に存在する最大アグリゲート
に関する重要な情報を与える。層厚さを約２００−４０
０ｎｍのスピンコーテイングにより適用することによ
り、スピンコーテイング前にも使用される超音波処理後
のＤＣＰにより見いだされたような重量平均粒子寸法直
径は滑らかな層を得るためには１５０ｎｍより小さいま
までありそしてより好ましくは１００ｎｍより小さいま
まであることが重要である。１.３. コーテイング分散液の製造： 分散液をさらに安
定化させそして均質なコーテイングを可能にするため
に、分散液Ａに、結合剤を表Ｉに従い加えた。
【００５３】
【表２】
【００５４】１.４. ＩＴＯ上の薄膜無機発光ダイオー
ドの製造：デバイス構造は図１に示されている。図１ａ
は層集合体である。約８０Ｏｈｍ／Ｓｑの表面伝導度を
有するＰＥＴ基質（２０）（６ｃｍ×６ｃｍ×１７５μ
ｍ）上のＩＴＯ（２１）をＨＮＯ3を用いることにより
パターン化した。伝導度を無にするために約１.５ｃｍ
の２つの境界をＨＮＯ3で処理した。生じた材料は６ｃ
ｍ×３ｃｍの寸法を有する材料の中央に伝導性領域を含
んでなる。引き続き、コーテイング分散液をこの基質上
にスピンコーテイングした。乾燥層（２２）の厚さは、
結合剤およびスピンコーターのスピン回数により、１５
０〜４００ｎｍの間で変動した。３００ｎｍ厚さのアル
ミニウム電極（２３）（陰極）をスピンコーテイングさ
せたＺｎＳ：Ｃｕ／結合剤層の上に１０-6トールにおい
てマスクを通して真空蒸着させた。発生面積は２５ｍｍ
2であった。図１ｂ、１ｃおよび１ｄは異なる層のパタ
ーン化を別個に示し、そして図１ｅは完全にパターン化
されたＩＬＥＤの上部図を示す。
【００５５】デバイスは異なる直流バイアス電圧で駆動
された。表IIは、５１５ｎｍにおいて緑色エレクトロル
ミネセンスが観察されたターンオン電圧を示す。エレク
トロルミネセンススペクトルの一例は図２に示されてい
る。５−１５ｍＡの電流に達したらすぐにエレクトロル
ミネセンスが始まった。この電流は、図３および４に例
示されているように、Ｉ／Ｖ−曲線の指数的な残留偏差
（ダイオード性能）に相当する。ある場合には、２つの
斜線方向でエレクトロルミネセンスと一緒になったダイ
オード性能が観察された。寿命はより定量的に示され、
ＡはＥＬ光が５秒間より短くだけ観察されたことを意味
し、Ｂはそれが５秒間〜３分間の間に観察されたことを
意味し、そしてＣはエレクトロルミネセンスが３分間よ
り長く観察できたことを意味する。
【００５６】
【表３】
【００５７】１.５. オルガコンTM上の薄膜無機発光ダ
イオードの製造：ＩＴＯの代わりに、Ａｇｆａ−Ｇｅｖ
ａｅｒｔの商標である透明な伝導性膜オルガコン（ＰＥ
Ｔ基質上のコーテイングされたポリ(３,４−エチレンジ
オキシチオフェン)／ポリスチレンスルホン酸錯体）を
デバイス構造用に使用した。デバイス構造は図１に示さ
れたものと同様であり、ＩＴＯの代わりにオルガコンTM
を使用した。
【００５８】オルガコン箔を６ｃｍ×６ｃｍサンプルに
切断した。引き続き、抵抗ＡＺ７２１７（クラリアント
(Clariant)）をサンプル上にスピンコーテイングしそし
て３０分間にわたり９０℃においてベークした。乾燥層
厚さは約２−３μｍであった。この処理後に、抵抗の中
央部分（６ｃｍ×３ｃｍ）を照明するために、図１のＩ
ＴＯパターンに従いマスクを通して紫外線露光した（４
ｍＷ／ｃｍ2において約１分間）。サンプルを次に４５
秒間にわたり１１０℃においてプレベークしそしてＡＺ
３５１Ｂ現像液（クラリアント）中での４０秒間にわた
る現像段階にかけた。良好な付着性を得るために、１１
０℃における３０分間にわたる前露光ベークが行われ
た。引き続き、サンプルを１％ＮａＣｌＯ溶液中に２０
秒間にわたり浸漬することにより２つの境界における保
護されていない領域を不活性化させた。この段階後に、
水によるすすぎおよび乾燥を行った。次に、１分間にわ
たる４ｍＷ／ｃｍ2における全面露光を行い、そしてイ
ソプロパノール中で９０秒間にわたり現像することによ
り抵抗を除去した。引き続き、サンプルを水で洗浄しそ
して乾燥した。生じた材料は、ＩＴＯサンプルに関して
図１に示されているものと同様に、寸法６ｃｍ×３ｃｍ
の材料の中央にある伝導性領域（約１５００Ｏｈｍ／Ｓ
ｑ）を含んでなる。
【００５９】引き続き、コーテイング分散液をこの基質
上でスピンコーテイングした。乾燥層厚さは、結合剤お
よびスピンコーターのスピン回数により、１５０〜４０
０ｎｍの間で変動した。３００ｎｍ厚さのアルミニウム
電極（陰極）をスピンコーテイングさせたＺｎＳ：Ｃｕ
／結合剤層の上に１０-6トールにおいてマスクを通して
真空蒸着させた。発生面積は２５ｍｍ2であった。
【００６０】デバイスは異なる直流バイアス電圧で駆動
された。表IIIは、５１５ｎｍにおいて緑色エレクトロ
ルミネセンスが観察されたターンオン電圧を示す。５−
１５ｍＡの電流に達したらすぐにエレクトロルミネセン
スが始まった。この電流はＩ／Ｖ−曲線の指数的な残留
偏差（ダイオード性能）に相当する。寿命はより定量的
に示され、ＡはＥＬ光が５秒間より短くだけ観察された
ことを意味し、Ｂはそれが５秒間〜３分間の間に観察さ
れたことを意味し、そしてＣはエレクトロルミネセンス
が３分間より長く観察できたことを意味する。
【００６１】
【表４】
【００６２】２. 緑色発生単一層ＩＬＥＤ２.１. Ｚｎ（Ｃｕ（１０％））Ｓ−分散液の製造： 下
記の溶液を製造した：
【００６３】
【表５】
【００６４】ＺｎＳ：Ｃｕ分散液を下記の通りにして製
造した：１５００ｒｐｍで室温において撹拌されている
溶液５に、最初に４.５ｍｌの溶液４を加えた。引き続
き、両者とも室温に保たれている溶液１および４を同時
に５００ｍｌ／分の流速で溶液５に加えた。これがＺｎ
Ｓ：Ｃｕ−粒子を含んでなる予備分散液Ｂである。２.２. Ｚｎ(Ｃｕ)Ｓ−分散液の洗浄： １０００ｍｌの
予備分散液Ｂに、１０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水溶
液を加えそしてこの分散液をフレゼニウスＦ６０カート
リッジを通して透析した。分散液を１０００ｍｌに濃縮
しそしてこの水準で６０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水
溶液を使用することにより洗浄した。
【００６５】洗浄後に、この分散液を透析設定により約
３５ｇのＺｎＳ／ｌの濃度まで濃縮した。引き続き、２
０ｍｌの分散液当たり１ｍｌのサポニン・キラヤ（シュ
ミットマン）の１２.５％水／エタノール（８０／２
０）中溶液を加えた。これが分散液Ｂである。
【００６６】分散液をその粒子寸法分布（重量平均
ｄwa）に関してディスク遠心光沈降計であるブルックハ
ーベンＢＩ−ＤＣＰを用いて分析した。約１１２ｎｍの
重量平均粒子寸法直径が得られた。２.３. コーテイング分散液の製造： 分散液をさらに安
定化させそして均質なコーテイングを可能にするため
に、分散液Ｂに、結合剤を表IVに従い加えた。
【００６７】
【表６】
【００６８】２.４. 薄膜無機発光ダイオードの製造：
約８０Ｏｈｍ／Ｓｑの表面伝導度を有するＰＥＴ基質
（１７５μｍ）上のＩＴＯを実施例１に記載されている
通りにしてパターン化した。引き続き、コーテイング分
散液をこの基質上にスピンコーテイングした。乾燥層の
厚さは、結合剤およびスピンコーターのスピン回数によ
り、１５０〜４００ｎｍの間で変動した。３００ｎｍ厚
さのアルミニウム電極（陰極）をスピンコーテイングさ
れたＺｎＳ：Ｃｕ／結合剤層の上に１０-6トールにおい
てマスクを通して真空蒸着させた。発生面積は２５ｍｍ
2であった。
【００６９】デバイスは異なる直流バイアス電圧で駆動
された。表Ｖは、５１５ｎｍにおいて緑色エレクトロル
ミネセンスが観察されたターンオン電圧を示す。
【００７０】
【表７】
【００７１】３. 緑色発生単一層ＩＬＥＤ３.１. Ｚｎ（Ｃｕ（２０％））Ｓ−分散液の製造： 下
記の溶液を製造した：
【００７２】
【表８】
【００７３】ＺｎＳ：Ｃｕ分散液を下記の通りにして製
造した：１５００ｒｐｍで室温において撹拌されている
溶液７に、最初に０.６６ｍｌの溶液６を加えた。引き
続き、両者とも室温に保たれている溶液１および６を同
時に５００ｍｌ／分の流速で溶液７に加えた。これがＺ
ｎＳ：Ｃｕ−粒子を含んでなる予備分散液Ｃである。３.２. Ｚｎ(Ｃｕ)Ｓ−分散液の洗浄： １０００ｍｌの
予備分散液Ｃに、１０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水溶
液を加えそしてこの分散液をフレゼニウスＦ６０カート
リッジを通して透析した。分散液を１０００ｍｌに濃縮
しそしてこの水準で６０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水
溶液を使用することにより洗浄した。
【００７４】洗浄後に、この分散液を透析設定により約
３５ｇのＺｎＳ／ｌの濃度まで濃縮した。引き続き、２
０ｍｌの分散液当たり１ｍｌのサポニン・キラヤ（シュ
ミットマン）の１２.５％水／エタノール（８０／２
０）中溶液を加えた。これが分散液Ｃである。
【００７５】分散液をその粒子寸法分布（重量平均
ｄwa）に関してディスク遠心光沈降計であるブルックハ
ーベンＢＩ−ＤＣＰを用いて分析した。約１３８ｎｍの
重量平均粒子寸法直径が得られた。３.３. コーテイング分散液の製造： 分散液をさらに安
定化させそして均質なコーテイングを可能にするため
に、１８.９６ｍｌの分散液Ｃに１.０４ｍｌの５％ポリ
ビニルアルコール（ポリビオール(POLYVIOL)Ｗ４０、ワ
ッカー・ヘミー(Wacker Chemie)）水溶液を加えた。３.４. 薄膜無機発光ダイオードの製造： 約８０Ｏｈｍ
／Ｓｑの表面伝導度を有するＰＥＴ基質（１７５μｍ）
上のＩＴＯをパターン化した。引き続き、コーテイング
分散液をこの基質上にスピンコーテイングした。乾燥層
の厚さは、結合剤およびスピンコーターのスピン回数に
より、１５０〜４００ｎｍの間で変動した。３００ｎｍ
厚さのアルミニウム電極（陰極）をスピンコーテイング
させたＺｎＳ：Ｃｕ／結合剤層の上に１０-6トールにお
いてマスクを通して真空蒸着させた。発生面積は２５ｍ
ｍ2であった。
【００７６】デバイスは異なる直流バイアス電圧で駆動
された。表VIは、５１５ｎｍにおいて緑色エレクトロル
ミネセンスが観察されたターンオン電圧を示す。
【００７７】
【表９】
【００７８】４. 橙黄色単一層ＩＬＥＤ４.１. ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃｕ分散液の製造： 下記の溶液
を製造した：
【００７９】
【表１０】
【００８０】ＺｎＳ：Ｍｎ,Ｃｕ分散液を下記の通りに
して製造した：１５００ｒｐｍで室温において撹拌され
ている溶液１０に、最初に０.５ｍｌの溶液９を加え
た。引き続き、両者とも室温に保たれている溶液８およ
び９を同時に５００ｍｌ／分の流速で溶液１０に加え
た。これがＺｎ−Ｓ：Ｍｎ、Ｃｕ粒子を含んでなる予備
分散液Ｄである。４.２. ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃｕ−分散液の洗浄： １０００
ｍｌの予備分散液Ｄに、１０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎ
ａ水溶液を加えそしてこの分散液をフレゼニウスＦ６０
カートリッジを通して透析した。分散液を１０００ｍｌ
に濃縮しそしてこの水準で６０００ｍｌの２％ポリ燐酸
Ｎａ水溶液を使用することにより洗浄した。
【００８１】洗浄後に、この分散液を透析設定により約
３５ｇのＺｎ(Ｍｎ、Ｃｕ)Ｓ／ｌの濃度まで濃縮した。
引き続き、２０ｍｌの分散液当たり１ｍｌのサポニン・
キラヤ（シュミットマン）の１２.５％水／エタノール
（８０／２０）中溶液を加えた。これが分散液Ｄであ
る。
【００８２】分散液をその粒子寸法分布（重量平均
ｄwa）に関してディスク遠心光沈降計であるブルックハ
ーベンＢＩ−ＤＣＰを用いて分析した。約１００ｎｍの
重量平均粒子寸法直径が得られた。４.３. コーテイング分散液の製造： 分散液をさらに安
定化させそして均質なコーテイングを可能にするため
に、分散液Ｄに、結合剤を表VIIに従い加えた。
【００８３】
【表１１】
【００８４】４.４. ＩＴＯ上の薄膜発光ダイオードの
製造：約８０Ｏｈｍ／Ｓｑの表面伝導度を有するＰＥＴ
基質（１７５μｍ）上のＩＴＯをパターン化した。引き
続き、コーテイング分散液をこの基質上にスピンコーテ
イングした。乾燥層の厚さは、結合剤およびスピンコー
ターのスピン回数により、１５０〜４００ｎｍの間で変
動した。３００ｎｍ厚さのアルミニウム電極（陰極）を
スピンコーテイングさせたＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃｕ／結合剤
層の上に１０-6トールにおいてマスクを通して真空蒸着
させた。発生面積は２５ｍｍ2であった。
【００８５】デバイスは異なる直流バイアス電圧で駆動
された。表VIIは、５９０ｎｍにおいて橙黄色エレクト
ロルミネセンスが観察されたターンオン電圧を示す。図
５はサンプルＤ５のＩ／Ｖ曲線を示す。
【００８６】
【表１２】
【００８７】４.５. オルガコンTM上の薄膜発光ダイオ
ードの製造：約８０Ｏｈｍ／Ｓｑの表面伝導度を有する
オルガコンTMサンプルを実施例１に記載されている通り
にしてパターン化した。引き続き、コーテイング分散液
をこの基質上でスピンコーテイングした。乾燥層厚さ
は、結合剤およびスピンコーターのスピン回数により、
１５０〜４００ｎｍの間で変動した。３００ｎｍ厚さの
アルミニウム電極（陰極）をスピンコーテイングさせた
ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｃｕ／結合剤層の上に１０-6トールにお
いてマスクを通して真空蒸着させた。発生面積は２５ｍ
ｍ2であった。
【００８８】デバイスは異なる直流バイアス電圧で駆動
された。表IXは、５９０ｎｍにおいて緑色エレクトロル
ミネセンスが観察されたターンオン電圧を示す。
【００８９】
【表１３】
【００９０】５. 橙黄色および緑色発生二重層ＩＬＥ
Ｄ５.１. ＣｕxＳ−およびＺｎＳ−、ＺｎＳ：Ｍｎおよ
びＺｎＳ：Ｃｕ分散液の製造： 下記の溶液を製造した：
【００９１】
【表１４】
【００９２】
【表１５】
【００９３】ＺｎＳ−分散液を下記の通りにして製造し
た：１５００ｒｐｍで室温において撹拌されている溶液
１１に、両者とも室温に保たれている溶液１および２を
同時に５００ｍｌ／分の流速で加えた。これがＺｎ−Ｓ
粒子を含んでなる予備分散液Ｅである。
【００９４】ＣｕxＳ−分散液を下記の通りにして製造
した：１５００ｒｐｍで室温において撹拌されている溶
液１３に、両者とも室温に保たれている溶液２および１
２を同時に５００ｍｌ／分の流速で加えた。これがＣｕ
xＳ−粒子を含んでなる予備分散液Ｆである。
【００９５】ＺｎＳ：Ｍｎ−分散液を下記の通りにして
製造した：１５００ｒｐｍで８０℃において撹拌されて
いる溶液１５に、両者とも室温に保たれている溶液２お
よび１４を同時に５００ｍｌ／分の流速で加えた。これ
がＺｎＳ：Ｍｎ−粒子を含んでなる予備分散液Ｇであ
る。
【００９６】ＺｎＳ：Ｃｕ（０.０５％）分散液を下記
の通りにして製造した：１５００ｒｐｍで室温において
撹拌されている溶液１８に、両者とも室温に保たれてい
る溶液１６および１７を同時に５００ｍｌ／分の流速で
加えた。これがＺｎＳ：Ｃｕ−粒子を含んでなる予備分
散液Ｈである。５.２. ＺｎＳ−、ＣｕxＳ−、ＺｎＳ：ＭｎおよびＺ
ｎＳ：Ｃｕ−分散液の洗浄： １０００ｍｌの予備分散液
Ｅ、ＧおよびＨに、１０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水
溶液を加えそしてこの分散液をフレゼニウスＦ６０カー
トリッジを通して透析した。分散液を１０００ｍｌに濃
縮しそしてこの水準で５０００ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ
水溶液を使用することにより洗浄した。
【００９７】洗浄後に、この分散液を透析設定により約
４０ｇのＺｎＳ／ｌの濃度まで濃縮した。引き続き、２
０ｍｌの分散液当たり１ｍｌのサポニン・キラヤ（シュ
ミットマン）の１２.５％水／エタノール（８０／２
０）中溶液を加えた。これらが分散液Ｅ、ＧおよびＨで
ある。
【００９８】１０００ｍｌの予備分散液Ｆに、１０００
ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水溶液を加えそしてこの分散液
をフレゼニウスＦ６０カートリッジを通して透析した。
分散液を１０００ｍｌに濃縮しそしてこの水準で５００
０ｍｌの２％ポリ燐酸Ｎａ水溶液を使用することにより
洗浄した。
【００９９】洗浄後に、この分散液を透析設定により約
４０ｇのＣｕxＳ／ｌの濃度まで濃縮した。引き続き、
２０ｍｌの分散液当たり１ｍｌのサポニン・キラヤ（シ
ュミットマン）の１２.５％水／エタノール（８０／２
０）中溶液を加えた。これらが分散液Ｆである。
【０１００】分散液をそれらの粒子寸法分布に関してデ
ィスク遠心光沈降計であるブルックハーベンＢＩ−ＤＣ
Ｐを用いて分析した。１００ｎｍより小さい重量平均粒
子寸法直径が全ての分散液に関して得られた。５.３. 薄膜無機発光ダイオードの製造： 約８０Ｏｈｍ
／Ｓｑの表面伝導度を有するＰＥＴ基質（１７５μｍ）
上のＩＴＯをパターン化した。引き続き、分散液Ｆをこ
の基質上に２回１０００ｒｐｍでスピンコーテイングし
た。３個のサンプルを製造した。引き続き、これらのサ
ンプル上でに、分散液Ｅ、ＨおよびＧを上部に２回これ
も１０００ｒｐｍでスピンコーテイングした。全ての分
散液を、結合剤を添加せずに、適用した。３００ｎｍ厚
さのアルミニウム電極（陰極）をスピンコーテイングさ
せた二重層の上に１０-6トールにおいてマスクを通して
真空蒸着させた。発生面積は２５ｍｍ2であった。
【０１０１】表Ｘはこれらの二重層ダイオードの結果を
示す。図６はサンプルＥ３のＩ／Ｖ曲線を示す。サンプ
ルＥ１（ＣｕxＳ＋ＺｎＳ）は良好なダイオード性能を
示したが、エレクトロルミネセンスは観察できなかっ
た。
【０１０２】
【表１６】
【０１０３】６. 橙黄色および緑色発生単一層ＩＬＥ
Ｄ １６.４ｍｌの分散液Ｅ、Ｆ、ＧおよびＨに、それぞれ
３.６ｍｌの５％ポリビニルピロリドン（ルビスコル(LU
VISKOL)Ｋ−９０、ＢＡＳＦ）を加えた。これらは分散
液Ｅ′、Ｆ′、Ｇ′およびＨ′である。
【０１０４】分散液Ｆ′を引き続き表XIに従い分散液
Ｅ′、Ｇ′およびＨ′と混合し、そしてデバイスを実施
例１（１.４）の記述に従い製造した。
【０１０５】
【表１７】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１.４（以上参照）に従うＩＬＥＤデバ
イスの構造を示す。図１ａは層配置を示す。それはＰＥ
Ｔ基質２０、第一の伝導性ＩＴＯ層２１、ルミネセント
層２２、および蒸発させたアルミニウムの第二の電極層
２３を含んでなる。図１ｂ、１ｃおよび１ｄは別個にそ
れぞれ層２１、２２、および２３のパターン化を示す。
図１ｅは完全にパターン化されたＩＬＥＤの上部図を示
す。３１は接触点３２および３３を介してＩＴＯ電極お
よびアルミニウム電極に連結されている直流−電圧源
（Ｉ／Ｖ源）を示す。
【図２】実施例１のサンプルＡ３を用いて構成されたＩ
ＬＥＤで得られた６ボルトにおけるエレクトロルミネセ
ンススペクトルを示す。
【図３】実施例１のサンプルＡ３を用いて構成されたＩ
ＬＥＤで得られた直流−電圧曲線（Ｉ／Ｖ曲線）を示
す。
【図４】実施例１のサンプルＡ５を用いて構成されたＩ
ＬＥＤで得られたＩ／Ｖ曲線を示す。
【図５】実施例４のサンプルＤ５を用いて構成されたＩ
ＬＥＤで得られたＩ／Ｖ曲線を示す。
【図６】実施例５のサンプルＥ３を用いて構成されたＩ
ＬＥＤで得られたＩ／Ｖ曲線を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB06 AB11 AB18 DA01 DB02 DC01 DC02 FA00

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （１）ルミネセント中心でドーピングさ
    れたＺｎＳ（ｎ−タイプ半導体）およびＣｕxＳ（ｐ−
    タイプ半導体）を一緒に含んでなるナノ粒子分散液を、
    各イオンの適当な水溶液からの沈澱により製造するか、
    或いは（１′）ルミネセント中心でドーピングされたＺ
    ｎＳ（ｎ−タイプ半導体）の第一の別個のナノ粒子分散
    液およびＣｕｘＳ（ｐ−タイプ半導体）の第二の別個の
    ナノ粒子分散液を、両者とも各イオンの適当な水溶液か
    らの沈澱により製造し、（２）（１）に従い製造された
    分散液または（１′）に従い製造された両分散液を洗浄
    して、沈澱しなかったイオンを除去し、（３）第一の伝
    導性電極上に、段階（１）および（２）から生ずる分散
    液もしくは段階（１′）および（２）から生ずる分散液
    の混合物を１つの同じ層内で、または段階（１′）およ
    び（２）から生ずる別個の分散液を２つの別個の層内で
    コーテイングし、（４）段階（３）から生ずる１つもし
    くは複数の該コーテイング層の上部に第二の伝導性電極
    を適用する段階を含んでなり、但し該第一および第二の
    電極の少なくとも１つが透明である、薄膜無機発光ダイ
    オードデバイスの製造方法。
  2. 【請求項２】 ドーピングされたＺｎＳ中の該ルミネセ
    ント中心がＣｕである請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 ドーピングされたＺｎＳ中の該ルミネセ
    ント中心がＭｎである請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの方法に従い製
    造される薄膜無機発光ダイオードデバイス。
JP2002028059A 2001-02-07 2002-02-05 薄膜無機発光ダイオードの製造 Pending JP2002313568A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01000006A EP1231250A1 (en) 2001-02-07 2001-02-07 Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode
EP01000006.5 2001-02-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002313568A true JP2002313568A (ja) 2002-10-25

Family

ID=8176006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002028059A Pending JP2002313568A (ja) 2001-02-07 2002-02-05 薄膜無機発光ダイオードの製造

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP1231250A1 (ja)
JP (1) JP2002313568A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326366B2 (en) 2003-10-22 2008-02-05 Fujifilm Corporation Method of producing inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle and inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle
WO2008072520A1 (ja) * 2006-12-15 2008-06-19 Panasonic Corporation 線状発光装置
JP2008251487A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp 発光素子
US8258690B2 (en) 2005-10-11 2012-09-04 Kuraray Co., Ltd. High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004019346A1 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
US7056600B2 (en) * 2002-08-23 2006-06-06 Agfa Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
WO2004024629A1 (en) 2002-09-12 2004-03-25 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
US7468146B2 (en) 2002-09-12 2008-12-23 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7615800B2 (en) * 2005-09-14 2009-11-10 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting layer

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3477338B2 (ja) * 1997-03-06 2003-12-10 サンスター技研株式会社 有機分散型エレクトロルミネッセンス素子およびその発光層用組成物
JPH11256150A (ja) * 1998-03-11 1999-09-21 Toshiba Corp 電場発光蛍光体，その製造方法およびｅｌパネル

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326366B2 (en) 2003-10-22 2008-02-05 Fujifilm Corporation Method of producing inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle and inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle
US8258690B2 (en) 2005-10-11 2012-09-04 Kuraray Co., Ltd. High brightness inorganic electroluminescence device driven by direct current
WO2008072520A1 (ja) * 2006-12-15 2008-06-19 Panasonic Corporation 線状発光装置
JP2008251487A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp 発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP1231250A1 (en) 2002-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6737293B2 (en) Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode
US6706551B2 (en) Thin film inorganic light emitting diode
US6602731B2 (en) Manufacturing of a thin inorganic light emitting diode
EP1231251A1 (en) Thin film inorganic light emitting diode
US10774032B2 (en) Organometal halide perovskit nanoplatelets, devices, and methods
US6558575B2 (en) Perparation of improved ZnS:Mn phosphors
JP5176459B2 (ja) 白色発光素子
Gaponik et al. A light-emitting device based on a CdTe nanocrystal/polyaniline composite
CA2934970C (en) Light emitting device including semiconductor nanocrystals
Gao et al. Electroluminescence of different colors from polycation/CdTe nanocrystal self-assembled films
US20160079316A1 (en) Light emitting device including tandem structure
US9136426B2 (en) Method for processing devices including quantum dots and devices
KR20120038472A (ko) 안정적이고 모든 용액에 처리 가능한 양자점 발광 다이오드
JP2006066395A (ja) 半導体ナノ結晶を含有する白色発光有機／無機ハイブリッド電界発光素子
WO2007037882A1 (en) Quantum dot light emitting layer
JP2005038634A (ja) 電流注入型発光素子
WO2011146299A2 (en) Light emitting material
EP1241713A1 (en) Preparation of improved ZnS: Mn phosphors
US6724141B2 (en) Particular type of a thin layer inorganic light emitting device
JP2009088276A (ja) 発光素子
US20220029118A1 (en) Perovskite light-emitting device comprising passivation layer and manufacturing method therefor
JP2002313568A (ja) 薄膜無機発光ダイオードの製造
Ahn et al. White organic light-emitting devices incorporating nanoparticles of II–VI semiconductors
EP1231249A1 (en) Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode
KR100928305B1 (ko) 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법 및 금속 산화물 나노입자가 분포된 발광층을 포함하는 발광 소자 및 그 발광소자 제작 방법