JPS62203389A - 情報表示方法 - Google Patents

情報表示方法

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JPS62203389A
JPS62203389A JP61045617A JP4561786A JPS62203389A JP S62203389 A JPS62203389 A JP S62203389A JP 61045617 A JP61045617 A JP 61045617A JP 4561786 A JP4561786 A JP 4561786A JP S62203389 A JPS62203389 A JP S62203389A
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oxide
layer
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display method
injection layer
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JP61045617A
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English (en)
Inventor
Masaaki Takimoto
滝本　雅章
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
    • G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
    • H—ELECTRICITY
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    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/25—Multistable switching devices, e.g. memristors based on bulk electronic defects, e.g. trapping of electrons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、情報表示方法に関し、特にフラットパネル表
示装置上に情報を表示する方法に関する。
現在の表示技法は、高分解能を特に必要としない多くの
中途において、大容積でパワー消費口の大きいＣＲＴに
代って、フラッｌ−パネル構造に向（プて急速に進展し
ている。
この俤の表示装置には、大きく分けて２種類ある２叩ち
、能動表示装置と受動表示装置でおる。
能動表示装置は、表示すべき可視パターンに従って平坦
表面上に光を発生する。この表示装置は、ＣＲＴ画面と
非常によく似ており、ＣＲＴ画面と同様の長所と制限を
付している。例えば、その可榎性は光環境に依存し、高
輝噴の光か画面上に当ると続易さか妨げられる。
受動表示装置（よ、選択的に光を反射または吸収して、
像形成パターンを形！ｉ！２する。この表示装置は、印
刷慨に似ており、周囲の光が強ければ強い程画像は良好
になる。この表示装置は、周囲の光が強い条件下での表
示に最も適切で市るエフラット表示装置のアドレス指定
（ま、一般に、直交するＸ−Ｙの交点に画素を配置した
クロスバ−導体系のデジタル制御に暴づいて行なわれる
。
Ｘ−Ｙ交点を一列ずつラスクー條式でアドレス指定する
ためのシフトレジスターを用いることにより、ＴＶ型走
査か可能である。
従来数多くのフラット表示装置が提案されてあり、受動
タイプ（光変調タイプ）としては例えば液晶表示装置（
ＬＣＤ＞　、磁気光学表示装置（ＭＯＤ＞ａよびエレク
トロクロミック表示装置（ＥＣＤ）等、能動タイプ（光
発生タイプ）としては例えば弁光ダイオードアレイ（Ｌ
ＥＤ）　、プラズマパネル（Ｇ、ＤＤ）およびエレクト
ロルミネセンス表示装置（ＥＬＤ）等、種々のタイプか
める。
液晶表示装＠（ＬＣＤ）は、現在の市場において最も普
役しているフラット表示装置でか恒この表示装置は、製
造費が比較的安く、良好なコントラストの画像を生じ、
その分解能はＣＲＴの分解能と同程度でめり、また単色
画像よりも幾分低い分解能でカラー画像を表示できるつ
じかし、液晶表示装置は、画像の観測角か変わるとコン
トラストか変イヒづるという欠点を有する。アドレス指
定に要する時間は尚まだ比較的遅く、またＴＶ走査甲に
複雉な回路が必要となる。
陽気光学表示装置（ＭＯＤ）は、必然的に高価な単結晶
（大結晶）を必要とし、またはモザイク構造の場合には
アセンブリや小結晶を必要とするので、製造費が非常に
高いユまた、この表示装置は、アドレス指定か困難であ
り、液晶表示装置よりも高い信＠電１を必要とする。
エレクトロクロミック表示装置＜ＥＣＤ＞は、フラット
表示装置としては液晶に次いで好ましい。
この表示装置は、散乱ではなく吸光に基づいて光学濃度
を生ずるので、観測方向によるコントラストの変化かな
いという点で、液晶表示装置よりも得策でめる。また、
液晶表示装置よりも構造か簡単で市り、製造かより−Ｉ
！！済的で市ると思われる。従来のエレクトロクロミッ
ク表示装置の欠点は、応答時間が）１いことと寿命が短
いことである。
能動表示装置は光が強いＩＭ境では可視性が低いという
点で不都合で必るが、このタイプの中で、発光グイオー
トアレイ（ＬＥＤ）は製造コストおよびパワー消費量か
高く、また分解能か個々のダイオードの最小サイズによ
って制限される。カラー表示は可能であるが、この場合
には受動型液晶表示装置よりも分解能かはるかに低くな
る。
プラズマパネル（ＧＤＤ）は、ＬＥＤアレイよりもはる
かに価格が安く得策で必るユプラズマパネルの主な欠点
は、分解能が低いことと寿命が限られていることである
。
エレクトロルミネセンス表示装＠（ＥＬＤ）、特に薄Ｈ
ＥＬＤは、受動型液晶表示装置に対して競争力のおる唯
一の能動表示装置であろうユこの種の表示装置は、高分
解能を有し製造費か安い。
しかし、寿命およびカラー表示の点で問題かか仏米国特
許第４．０９１　、３７５＠明細自には、上記の種々の
フラット表示装置とは異なった新貌なフラット表示装置
が開示されている。すなわら、金属より成る電子注入層
、薄い誘電体１および極薄金属１より成る複合電子注入
手段、半導体金属酸化カーならびに導Ｎ１をこの順序で
備えたフラットパネルで、金属より成る電子往入層を導
電層に対して負電位にバイアスすることにより、複合電
子注入手段中の電子注入層は極薄金属１に対して負電位
となり、このため電子注入層内のフェルミ準位に近い電
子は、半導体金属酸化物層中に注入され、―内の欠陥の
エネルギー準位にトラップされて、カラーセンターが生
じるという原理により、情報を表示しようとするもので
カ恒このフラット表示装置は、応答が早（、分解能およ
びコントラストか高く、観察角度によってコントラス１
〜がざほと変わらず、同一のアドレス指定点で種々のカ
ラーを表示でき、低い信号筒ｒｆおよび低電流で動作で
さるという優れた特長を有しているが、電子注入手段の
構造が複雉で、製造しにくく、またコストも高いという
欠点があった。
不発明は、簡単な構造で、かつ電子注入効率か高く、高
濃度で情報を表示しうる情報表示方法および装置を提供
することを目的とするものでおる。
本発明のかかる目的は、電子注入図と正孔注入層との間
に半導体酸化物層を配置し、前記餓化物否の両端間に電
圧を選択的に印加し、前記電子注入層を前記正孔注入層
に対して負にバイアスして、前記酸化物層への電子およ
び正孔を二元的に注入して前記酸化物層内のカラーセン
ター形成を促進する構造欠陥中に電子をトラップさせる
ことによって画像を発生させ、前記電子往入層と前記正
孔注入層との間に逆極性の電圧を印Ｉ、１０して前記画
像を消去する情報表示方法において、前記電子往入層は
金、＠酸化物微粒子を含有して成ることを特徴とする情
報表示方法により達成される。
本発明においては、正孔注入苦を半導体酸化カーを介し
て電子往入層の叉対側に設けているため、動作時に多く
の正孔か半導体酸化物層に注入される。この注入された
正孔か半導体酸化物層内および、隣接する電子注入層色
との界面にトラップされるため、電子注入層に対して効
果的に電界か加わり、電子の注入が促進される。この結
果米国特許第４．０９１　、３７５号に示すような複雑
な＠造を有する複合電子注入手段を用いることなく、簡
単な憤造で安価な情報表示方法および装＠を提供するこ
とか可能となる。
また電子注入層に金属酸化物ｙ１′＠子が含有せしめら
れていることにより驚くハく８ことに、電子の注入か促
進され、表示情報のコントラストか増大することか判明
した。
本梵明においては、半導体金属酸化物層内のカラーセン
ターの生成および消去に基づいて画像形成かなされる。
この基本概念は、他の三俤煩の受動表示装置、即ち、液
晶、磁気光学およびエレクトロクロミックタイプとは全
く異なる。
カラーセンターは、構造欠陥付近に電子かトラップされ
る結果として固体内に生成される。トラップされた電子
は、構造欠陥に弱く結合し、スベク１〜ルの可視部また
はし１Ｖ部に対応する撮動周波′Ｐｉｌを有する。カラ
ーセンターは、曲者の場合にはＥセンター、後者の場合
には＼／センターと呼ばれる。カラーセンターは、その
トラップされた電子の撮動周波数に対応した周波数の光
を吸収して、その補色を発生ざぜる。
従って、構造欠陥の存在とこれらの欠陥内にトラップさ
れるべき電子の送り込みとが、固体内でカラーセンター
を生成するための条件となる。この電子の送り込みとト
ラップは、構造欠陥かその材料のハント図における成る
エネルギー零位に対応する場合に可能になる。これらの
準位の位置によって、カラーセンターの色と、これらの
準位へ電子を送り込むのに必要なエネルギーか決まる。
下記の二つの場合かめる。即ち、 （ａ）　　材料内に既に構造欠陥が存在する場合。
この場合には、電子を対応するエネルギ一単位へ送り込
むことによってカラーセンターか生Ｆｌｉされる。
（ｂ）　＠造欠陥を生成し、そのエネルギー準位へ電子
を送り込まなければならない場合。
この場合が最も普通であり、下記の項目が含まれる。
Ａ、材料の成分のうちのいずれかの蒸気の存在下での材
料のＩＪ口熱工 典型的な例はハロゲン化アルカリの場合であり、この場
合には、アルカリ金属蒸気の存在下に材′Ｒを！ＩＯ熱
して、ハロゲン化物の格子構造中に金属原子を拡散させ
フレンケル型の欠陥を生成する。電子は、格子の陽イオ
ンの熱励起によって与えられる。
Ｂ、高エネルギー粒子または牧射線（Ｘ線、ガンマ線、
ベータ線）による衝撃。
この衝突により、構造体の原子は格子中の永久位置から
割込み位置に転置し、空位か残される。この空位に閉じ
込められる電子は、照射に続くイオン化によって発生す
る。
Ｃ，ショットキー効果； とかった電極による非常に集中した電界により、高エネ
ルギーの局部的電子流が生じ、その結果上記Ｂのベータ
線の場合と同様にしてカラーセンターか発生する。
カラーセンター表示装置は１９４０年代から知られてお
り、レーダー投影表示用に使用された（Ｒｏｓｅｎｔｈ
ａｌ、　Ａ、　Ｈ，Ｐｒｏｃ、　　ＩＲＥ、　　５，２
０３（１９１１０））２この表示装置は、ＣＲＴ画面の
代りに塩化カリウムの微拮晶苦からなる。表面を走査す
る電子ビームによって生じたカラーセンターにより画像
か形成され、この画像は適切な光学手段によって拡大投
影される。画像の消去は、熱によってなされ、従って比
較的遅い。この理由から、スカイアトロンと呼ばれるこ
の管がテレビ用に考えられなかったと言えるや ハロゲン化アルカリに関する資料が容易に入手可能で必
ったため、ハロゲン化アルカリを用いてフラットカラー
センター表示装置を股訓する試みかなすｔｌり（Ｒｏｂ
ｉｌｌａｒｄ　　Ｊ、、　　Ｃ，Ｒ，、ＮＡＴＯＣｏｎ
ｒ、　　Ｏｎ　Ｑｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｌｃ　５ｌｎ
ｌｌｌａｌ　Ｐ　ｒ。
ｃｅｓｓｉｒ＋ｒ＋　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ、　　Ｏｓ
ｌｏＮｏｒｗａｙ　　（１９６９））。電子注入は、通
常のＣＲＴと同様にして、電子ビームを用いてなされた
。消去は、電（へ導電ガラスを低抗体として用いること
により実施されたー不発明のカラーセンター表示方法に
おいては、必る範囲の色を形成するために、半導体金属
醒化物を単独でまたは混合物として用い（Ｎ、Ｐ、Ｂｏ
ｇｏｒｏｄ　ｉ　ｔＳｋｒ　ｉ　　、　　）（ｒｉｓｔ
Ｖａ　　ａｎｄ　　　ｙ、　　Ａ、　　　Ｉ　　。
Ｐａｎｏｖａ、Ｆｉｚ、　　Ｔｖｅｒｄ、　　Ｔｅ１ａ
　　９，２５３（１９６７）　）、コス１〜と性能の両
方で従来のものよりはるかに優れた結果を（りた。
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
第１図は、本発明の表示方法の一具体例によって動作す
るフラットパネル構造体を示す断面図であるユこの！ｆ
４　’ｒ青（本は、ＮＥＳＡカラスのプレー１〜１０を
有し、このガラスは一表面、この場合には第１図に示す
ように内側または右側表面に、薄い導電−（図示せず）
を有した既知のものである。ＮＥＳＡガラス１０の導電
面には半導材料製の正孔往入層１１を形成し、次に半導
体金属Ｍ（ヒ物嗜１２を形成する。この半導体金属酸化
物層１２は、カラーセンター形成を促進する構造欠陥１
３を高密度で形成するように高度にドーピングされてい
る（または非化学場論的とされる）、、正孔注入層１１
に対して酸化物層１？の文対側には、電子注入＠１５か
形成される。
動作時には、金、＠＠１４はＮＥＳＡカラス１０上の導
電層に対して負電位にバイアスされる。この状態で金属
＠１４内のフェルミ準位に近い電子は、電子１７に示す
ようにカラーセンター酸化カー１２中にε人され、酸化
物層１２内の欠陥のエネルギー準位にトラップされる。
電子１７が＠１？に注入されるにつれて、系の電子平衡
を保つために正孔注入＠１１から同数の正孔１８が注入
される必要か必る。これらの正孔１８は、＠１２と＠１
５との間の界面付近にととまり、この領域に空間電荷を
生じる。
欠陥１３内に電子１７かトラップされることによって、
カラーセンターか発生する。勿論、意味のある画像を形
成するには、電子と正孔の二元注入が構造体の選択され
た領域のみに生じるように！ｆｌｌ造体を選択的にバイ
アスで８なければならない、従って、全点アドレス指定
表示を達成するために、’ＪＥＳＡカラス１０上の薄い
導電層を、一連の平行細片（Ｘバー）状に、通常は数ミ
クロン間隔で、パターン化し、間諜に金、属＠１４をも
カラス１０上の細片に直角な一連の平行細片（Ｙバー）
状にパターン化する。この場合には、所定の対をなづ−
ＸバーとＹバー間に電位差を与えるとくＸバーをＹバー
に対して正とする）、これら二つのバーの交点に一つの
画素か生じ、クロスバ−アドレス指定において周知のよ
うに所定の粗のＸバーおよびＹバーをＦｉＪ起すること
により画像全体を形成できる。
正孔往入層１１および半導体酸化物り１２でのカラーセ
ンターの生成に必要な欠陥において半導体性を発揮する
ためには、これらの材料をドーピングする必要かある。
ドーピング材料および手順は対象材料によって幾分異な
り、エネルギー帯構造および他の固体性状により決まる
。啜１１または１２が（ａ）半導体材料の蒸着薄膜であ
るが、または（ｂ）バインダー中に分散され塗布（３）
を形成する単導体粒子であるかによって、一般に二つの
方法か用いられる。
（ａ）の場合には、半導体−の形成後にその上面に恒め
て薄いドーパント牧を蒸着しこの１の温度を上げてドー
パントを半導体層中に拡散させる。
（ｂ）の場合には、ドーバン１〜の塩、例えば硫化銅、
の水溶液中に半導体材料を導入し、故時間撹拝し、５戸
別乾燥する。ドーパント塩を表面に吸収したこれらの乾
燥粒子を、真空かま内で、粒子中へのドーパン１〜の拡
散に必要な温度に数時間加熱する。このＪノＤ熱温度は
、ドーピングされる材料およびドーパントに応じて、半
導体へのドーパントの拡散特性によって異なる。表工に
、正孔往入層１１の形成に使用できる半導体材料、ドー
パントおよび拡散温度を示し、表■に、カラーセンター
形成＠１２の形成に使用できる半導体金属酸化物材料、
ドーパントおよび拡散温度を示す。
表示は以下のようになされる。特定のＸバーとＹバーと
の間にＹバーを負として直流電圧を印Ｑｌすると、交点
ＸＹにおいて、この交点に位置する＠１２の部分に電子
と正孔が注入され、表示装置上の色点として現われるカ
ラーセンターかこの部分に生じる。これらと同じバー間
に、トラップされた電子を弱く束縛された状態から引出
すのに充分な電界を生じるのに必要な撮幅にて逆電圧を
印り口すると、カラーセンターが破壊され、表示装置上
の点か消去される。この消去用電圧は、閉じ込められた
電子をそれらの位置から引出すのに必要な電界を発生す
るために、一般に高振幅を要する。
画像の任意点での温度は、材料中の欠陥密度とこの特定
点に注入された電子の数とに比例するユ電流変調によっ
てグレースケール表示も可能である。
英数字表示が必要な場合には、ＸバーとＹバーを形成す
る代りに、バイアスを加える導電−の一つを既知の、例
えば液晶計痺器表示装置のように、文字セグメントの形
に形成し、他の導電層は細片化またはセグメン１〜化せ
ずに連続的に適用する。
第２図は第１図の＠造に対応するもので必り、各々’、
ｉ　Ｅ　Ｓ　Ａガラス１０および惰１４への電気接続部
２０および？１を示す。これらの電気接続部２０および
２１は、前記のバイアス印１３０を可能とする（これら
は第２図にも示しである）。但し、選択的バイアス印す
１１のためには構造体の少なくとも一方側に複数の接続
部か必要となるが、前記の接続部２０および？１は略図
的に示しておる。
第３図は、カラーセンター形成り１２としてバインダー
中に半導体金属酸化物粒子を分散ざぜた材料を用いた、
第１図に類似した構造を示す。その他の点では、第３図
の構造は第１図のものに対応する。
第４図は、第１図および第２図の表示構造体を真空ハウ
ジング内に取付けた例を示し、参照数字２３は真空ハウ
ジングのガラス壁を示し、２４はこのハウジング内の自
由真空空間を示す。第５図は、第１図および第２図の表
示構造体を、空気および水に対して不透過性の重合体？
５内に封入した例を示す。いずれの場合においても、ガ
ラスプレー１〜１０は、ハウジング２３または重合体２
５８含めた構造全体を支持する支持体として作用する。
第４図と第５図において、他の参照数字は第１図と第２
図の参照数字に対応する。
正孔注入苦１１は、ガラスプレート１０上に、硫化鉛ｐ
ｂ３．テルル化鉛ＰｂＴｅ、セレン化鉛ｐｂ３ｅ、テル
ル化カドミウムＣｄ　Ｔｅ　、テルル化錫Ｓｎ　Ｔｅ　
、１化バナジウムＶ２０！　、ｍ化タンタルＴａ　ｚ　
Ｏ！、ｍ化クロムＣｒ　２０＝　、Ｆ化ベリリウムＢｅ
２Ｏ：＋、酸化インジウムＩｎ０ｚ、セレン化鉛−錫ｐ
ｂ　ｓｎ　ｓｅ　、テルル化鉛−錫Ｐｂ３ｎ　ｌ’−ｅ
または表■の他の材料のいずれかを、０２乃至１ミクロ
ンの厚さに真空蒸着させることによって形成できる。ま
ず蒸発を従来の技法を用いて１０’　ｓ　Ｈ！］の真空
学内で実施し、次いで前記の如き適切なドーパントを蒸
着拡散させる。
カラーセンター形成１１２は、正孔往入層１１上に半導
体金属酸化物を蒸着ざぜることにより、または適切なバ
インダー中に半導体金属酸化物を分散ざぜた層を正孔往
入層上に形成することによって得ることができる。いず
れの場合においても、半導体金（１２化物として用いら
れる材料は、酸化錫。
酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、または酸化
セリウムヤ酸化ランタンの如き希土類材料から選ばれる
。
前記の第一の場合においては、厚さ０．２乃至１ミクロ
ンまでのタンタル、モリブデンまたはタングステンのボ
ートを用いて１０’　ｍｍ　ＨＣＪの真空中で酸化物を
蒸発させ、次に表■の適切なドーパン！へを蒸発拡散ざ
ぜる。
第二の場合においては、０．１乃至１０ミクロンの大８
ざのドーピングされた粒子の状態の酸化物をバインダー
溶液に分散させ（酸化物；バインダー比は３：１乃至５
：１重量部である）、標準の塗布方法によって正孔往入
層上に塗布する。溶剤除去後の塗イ「された層の最終呼
ざは１乃至１０ミクロンである。バインダーとしては、
ブタジェン重合体、スチレン重合体またはブタジェン−
スチレン共重合体を用い得る。正孔注入饗１１も同様に
して形成でき、但しこの場合には使用するドーピングさ
れた粒子は表■から選択される。
金属饗１４としては、１０’　ｒｒｖｎ　Ｈ！］の圧力
での真空蒸着によって電子注入留１５上に形成された薄
い金宅膜を用いることかできる。この薄Ｑ桑は、０．５
乃至５ミクロンの甲ざのアンチモン、ｌ：ｌニスマス、
ジルコニウム、銀、金、銅、タングステン、モリブデン
、ニッケル、アルミニウム、珪素またはタンタルの如き
低仕事関数の金属て必ってよい、クロスへ−構造の場合
には、カラス支持体１０の対応する導電ストライブに直
角に配置した平行ストライブを形成するマスクを通して
金属を蒸発させる。
英数字表示の場合には、文字の＠成要素に対応した基本
セグメントを形成するマスクを用い、カラス支持体１０
には、ス１〜ライブ化していない連続した導電用を備え
る。
クロスバ−アドレス指定の場合には、導電ガラス支持体
１０上の対応するストライブに対して直角に配置した平
行ストライブを形成するマスクを通して真空蒸着するこ
とによって金属１１４を得る。
英数字表示の場合には、文字を形成するセグメントを形
成するマスクを用いる。
電子注入＠１５は、０．１乃至１０ミクロンの大きざの
金属酸化物粒子をバインダー溶液に分散させ（酸化物：
バインダー比は１；１乃至１０：１重量部である）、標
準の塗布方法によってカラーセンクー形成−１２の上に
塗布することによって形成されるユ溶剤除去後の塗布さ
れ１７層の最終厚さは０．１乃至１０ミクロンである。
バインダーとしてはブタジェン重合体、スチレン重合体
、ブタジェン−スチレン共患合体、アクリル醒エステル
重合体。
エポキシ（刺脂、アルキド樹脂、ポリビニルアルコール
、ゼラチン、力ぜイン等が利用できる。金属酸化物とし
ては、酸化チタン、酸化！Ｔ！鎗、酸化錫等が使用でき
、特にアンチモンをトープしＴ＝醒化錫、ニッケルもし
くはアルミニウムをドープした酸化亜鉛、あるいは酸化
チタンの表面にアンチモンをドープした酸化錫薄層を設
けた複合酸化物粒子か有用である。この醗化錫薄−は５
０オングストロ一ム以上で効果かか乞酸化賜に対するア
ンチモンのドープ量また酸化亜鉛に対するニッケルもし
くはアルミニウムのドープ量は０．５〜３０！ｆｆｉパ
ーセントの範囲で選ぶことができ、好ましくは１〜１５
重但パ重量ントの範囲から選ぶのがよい。
前記の順序とは逆の順序で表示＠造体をガラス支持体上
に形成してもよい。即ち、最初にガラスプレート（この
場合には非導電性）上に金属層１４を蒸着しその上に電
子往入層１５を設け、次いで単導体金属酸化物層１２と
正孔往入層１１を形成してもよい。
本発明の方法によって動作する構造の実施例により、本
発明をざらに説明する。全ての実施例において、半導体
材料は前記のように１ヘーピングされることを面提とす
る。
実施例工 １０°６ｓＨ！１の真空中で導電ＮＥＳＡカラス上にり
ざ０．５ミクロンの硫化鉛ＰｂＳ層を蒸着した。
次に酸化錫１を１ミクロンの厚さに前記の１の上面に蒸
着した。その上に平均粒径０．３ミクロンの酸化チタン
粒子表面にアンチモンを５重量パーセントドープした酸
化錫を薄―杓１００オンゲスｉ〜ローム（酸化チタンの
約２０重量パーセント）を設けた複合酸化物５重量部を
スチレンブタジェン共重合体（グツドイヤー礼：ｐｌｉ
Ｏ１ｉ℃ｅ）中に分散ざぜて１ミクロンの厚さに塗布し
た（溶媒トルエン）。
ざらにその上に叩ざ０２ミクロンの金の真空蒸着フィル
ムからなる第三の層を、英数字セグメントを形成する適
切なマスクを通して形成しＩ＝ｏ各金セグメントをマイ
ナス側にして導電ガラスプレートとの間に１５ボルトの
電圧を印υ０づると、電圧を印加したセグメン１へに対
応する領域に青色か生じた。？０ポルトの逆電圧を印＋
ＪＯ′￥ると、この情報は消えた。
実施例■ 真空中でＮＥＳＡカラス製の導電支持体上に、セレン化
ｆＵＰｂｓｅの層を０５ミクロンの厚さに装着したつ トルエン２４重信部中にヒリット（シェル礼装のスチレ
ンブタジェン）１重但部を溶かした溶液中に酸化セリウ
ム５重量部を分散させたエマルションを、２４時間のボ
ールミル粉砕によって調製した。
前もって蒸着したセレン化鉛層上に２ミクロンの雫ざに
このエマルジョンを塗イ「シた。
アンチモン１０重量パーセントをトープした平均粒径０
３ミクロンの酸化錫粒子１００重但重但ポリビニルアル
コール３％水溶液１，３００重旧都に分散ざぜもう１つ
の塗布液として調！４した。この塗Ｔｎ液を前記酸化セ
リウム層の上に乾燥厚み０．５ミクロンとなる様に塗布
した２ 次いで蒸着ジルコニウムからなる層を、前記の塗ｒｆｉ
された筈の上面に形成したつこの蒸着図の厚さは０．５
ミクロンであったユこの最後の１上の蒸着は、英数字レ
グメン１−８形成するマスクを通して実施しｊ＝ｏ各セ
グメントをマイナス側として導電カラス支持体との間に
１０ポル１−の電叩を印り０すると、Ｎ圧を印ＩＪ０シ
たセグメントに対応する領域か赤褐色に着色した。１？
ボルトの逆電）王を印υ目すると、表示上の着色領域は
消去された。
実施例■ 次の粗或のエマルジョンを調製した。Ｔａｚ０５重量部
、ブリオライド（グツドイヤー社製のスチレンアタジエ
ン樹脂）１重量部、トルエン１５重量部。この組成物を
２４時間ボールミル粉砕し、導電カラス（１＼ＥＳＡ）
上に０．８ミクロンの厚さに塗布した。塗布模の乾燥後
に、真空中で３ｎ　Ｏｚ苦ｌｙ　９８ミクロンのワさに
蒸着した。その上に実施例１中で使用した複合酸化物塗
Ｔｌｉ液を乾燥厚さ］ミクロンになる様に塗イ「シた。
ニッケルからなる苦を次に５ｎ０２層の上面に蒸着した
。この最後の層の厚さは０．５ミクロンであり、蒸着は
英数字セグメント形成用のマスクを通して実施した。
個々のセグメン１〜をマイナス側として導電ガラスプレ
ートとの間に１５小ル１〜の電ｊ王を印り■すると、電
圧を印加したセグメントに対［芯する領域が禄青色に着
色した。２０ボルトの逆電圧を印り０ｖると、着色は消
え１＝。
実施例ＩＶ ガラスプレート上に、英数字セグメントを形成するマス
クを通してアルミニウムを０．５ミクロン蒸着した。そ
の上にニッケル３重量パーセントをドープした平均粒径
０．３ミクロンの醒化亜鎗粒子１００ｉ量部をアクリル
酸エステル共重合体（三菱レーヨン製；ダイヤナールし
Ｒ−０１８）　２０重量部（溶媒トルエン）に分散させ
た−を１ミクロンの雫ざに塗布した工ざらにその上にド
ーピングされた酸化錫を厚さ１ミクロンに蒸着した。次
いでテルル 着し、その上にインジウムと錫の混合酸化物喝を−１に
電極として蒸着した。
英数字セグメントアルミニウム電極をマイナス側として
インジウム錫酸化物電極との間に１５ボルトの電圧を印
ｔＪ口するとセグメン１〜に対応する領域かｌＩ８青色
に着色した。２０ホルトの逆電圧を印加すると情報は消
去された。
実施例■ 実施例■と同様にし、但しマスキング手順によってＮＥ
ＳＡガラスの導電層を幅１０ミクロン、間隔１０ミクロ
ンの平行細片の形にパターン化し、構造体の金属層を同
様にしてガラス上の細片方向に直角に細片を配置してパ
ターン化した。
実施例Ｖｌ 実施例■と同様にし、但しＮＥＳＡガラスの導電層を前
記のように平行細片状にパターン化し、構造体の金属Ｎ
Ｓ−ｒｉｌｌｉ１様にしてガラス上の細片方向に直角に
細片を配置してパターン化しｌ＝。
実施例■Ｔ 実施例■と同様にし、（Ｂ　Ｌ　Ｎ　Ｅ　Ｓ　Ａガラス
の導Ｎ層を前記のように平行細片状にパターン化し、構
造体の金属層を同様にしてガラス上の細片方向に直角に
キリ１片を配置してパターン化した。
表　　　　■ 半　導　体　　　　ドーパント　　　拡散温度（°Ｃ）
ＺｎＯ　　　　　　　　“＼１３５０ ＰｂＳ　　　　　　　　　　　　ＣＩＪ　　　　　　　
　　　　　７００ＰｂＴｅ　　　　　　　Ｓｎ　　　　
　　　　４００ＰｂＳｅ　　　　　　　Ｓｂ　　　　　
　　　（１００Ｃｄ　Ｔｅ　　　　　　　Ｓｂ，　Ｌ　
ｉ　　　　　ｄｏＯ．／１２０ＳｎＴｅ　　　　　　　
Ｓｂ　　　　　　　　４２０Ｖ２Ｏ！　　　　　　　Ｖ Ａｌ２Ｏ３　　　　　　Ｙ，Ｃｏ　　　　　　８５０Ｃ
　　ｒ　ｚ　　　０３　　　　　　　　　　　　　　　
　　ＨＯ　　へ／ｌ（］　　　　　　　　　　　　　８
００．１５５０ＢｅＯ　　　　　　　　、Ａ！］　　　
　　　　　７５０１ｎ　２　０３　　　　　　Ｇｄ．Ｓ
ｎ　　　　　　８００ｐｂ　３ｎ　３ｅ　　　　　ＣＬ
Ｉ　　　　　　　　７５０Ｐｂ　Ｓｎ　Ｔｅ　　　　　
ＣＩＪ　　　　　　　　７５０Ｔａ２Ｏ！　　　　　０
２　　　　　　　　８５０Ｓｎ０２　　　　　　　０２
　　　　　　　　８１０Ｚｎ　Ｓ　　　　　　　　Ｓｂ
，　Ｌ　ｉ　　　　　ｄｏｏ．／１２０Ｃｒ１３　　　
　　　　　３ｂ．　Ｌ　ｉ　　　　　４００／１２０表
　　　　■ Ｓｎ　Ｏｚ　　　　　　　　ｉ＼ｉ、ｊ−ａ　　　　　
　　　８５０Ｔｉ　０２　　　　　　　Ｔｉ、Ｌａ　　
　　　　　　７００Ｚ　ｎ　ＯＬ　ｉ、　Ｇｄ　　　　
　　　１２０．１５５０Ｚｒ　０２　　　　　　　　Ｇ
ｄ、Ｓｎ　　　　　　　　８００ＣｅＯｚ　　　　　　
　　Ｃｕ　　　　　　　　　　　７００ＬａＯｚ　　　
　　　　　Ｌａ　　　　　　　　　　　７００
【図面の簡単な説明】
第１図は、反対側からの電子および正孔の二元注入によ
って半導体金属酸化物層内にカラーセンターを形成する
ための表示構造体を示す概略断面図、 第２図は、第１図に示す表示構造体の電気的接読の概略
図、 第３図は、カラーセンター形成に半導体粒子の苦を用い
た表示構造の概略断面図、 第４図は、リエ空カラスハウジング内に配置した表示構
造を示ｙ慨略図、そして 第５図はボ非透過性の用合体の保護塗模内に配置した表
示構造を示す概略図でおる。 １０・・・カラスプレート　　　　１１・・・正孔注入
―１？・・・半導体金属酸化物＠１３・・・構　造　欠
　陥１４・・・金　属　饗　　　　　　１５・・・電子
往入層１７・・・電　　　子　　　　　　１８・・・正
　　　孔第２　図 第３　図

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　電子注入層と正孔注入層との間に半導体酸化物
    層を配置し、前記酸化物層の両端間に電圧を選択的に印
    加し、前記電子注入層を前記正孔往入層に対して負にバ
    イアスして、前記酸化物層への電子および正孔を二元的
    に注入して前記酸化物層内のカラーセンター形成を促進
    する構造欠陥中に電子をトラップさせることによつて画
    像を発生させ、前記電子注入層と前記正孔注入層との間
    に逆極性の電圧を印加して前記画像を消去する情報表示
    方法において、前記電子注入層は金属酸化物微粒子を含
    有して成ることを特徴とする情報表示方法。
  2. （２）　前記電子往入層が、電子放出金属層と、カラー
    センター形成用の前記半導体酸化物層に直接接触した誘
    電体層とからなる複合構造体であることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項に記載の情報表示方法。
  3. （３）　前記電子往入層が、酸化チタン，酸化亜鉛また
    は酸化錫微粒子を含むことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項に記載の情報表示方法。
  4. （４）　前記電子往入層が、アンチモンをドープした酸
    化錫微粒子を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項に記載の情報表示方法。
  5. （５）　前記電子注入層が、アンチモンをドープした酸
    化錫の表面薄層を有する酸化チタン微粒子を含むことを
    特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の情報表示方法
    。
  6. （６）　前記電子注入層が、ニッケルもしくはアルミニ
    ウムをドープした酸化亜鉛微粒子を含むことを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項に記載の情報表示方法。
  7. （７）　前記正孔注入層が、硫化鉛ＰｂＳ，テルル化鉛
    ＰｂＴｅ，セレン化鉛ＰｂＳｅ，テルル化カドミウムＣ
    ｄＴｅ，テルル化錫ＳｎＴｅ，酸化バナジウムＶ＿２Ｏ
    ＿５，酸化タンタルＴａ＿２Ｏ＿５，酸化クロムＣｒ＿
    ２Ｏ＿３，酸化ベリリウムＢｅ＿２Ｏ＿３，酸化インジ
    ウムＩｎＯ＿２，セレン化鉛−錫ＰｂＳｎＳｅまたはテ
    ルル化鉛−錫ＰｂＳｎＴｅの真空蒸着膜からなることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項のいずれか
    １項に記載の情報表示方法。
  8. （８）　前記正孔注入層が、３：１乃至５：１重量部の
    粒子：バインダー比にてバインダー中に含まれた半導体
    粒子からなり、この粒子の材料が酸化亜鉛ＺｎＯ，酸化
    アルミニウムＡｌ＿２Ｏ＿３，酸化タンタルＴａ＿２Ｏ
    ＿５，硫化亜鉛ＺｎＳまたは硫化カドミウムＣｄＳから
    なり、バインダーがブタジエン重合体，スチレン重合体
    またはスチレン−ブタジエン共重合体からなることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項から第６項のいずれか１
    項に記載の情報表示方法。
  9. （９）　前記半導体酸化物壱が、酸化亜鉛，酸化錫，酸
    化チタン，酸化ジルコニウム，酸化セリウムまたは酸化
    ランタンの真空蒸着膜からなることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項から第８項のいずれか１項に記載の情報
    表示方法。
  10. （１０）　前記半導体酸化物層が、３：１乃至５：１重
    量部の酸化物：バインダー比にてバインダー中に含まれ
    る酸化物粒子からなり、この酸化物は酸化亜鉛，酸化錫
    ，酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化セリウムまたは
    酸化ランタンからなり、バインダーがブタジエン重合体
    ，スチレン重合体またはスチレン−ブタジエン共重合体
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
    ８項のいずれか１項に記載の情報表示方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012160714A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 国立大学法人山形大学 有機電子デバイス及びその製造方法
JP2015216291A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機発光素子およびその製造方法
WO2021029007A1 (ja) * 2019-08-13 2021-02-18 シャープ株式会社 発光素子及び発光装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996014206A1 (en) * 1994-11-08 1996-05-17 Spectra Science Corporation Semiconductor nanocrystal display materials and display apparatus employing same
DE19625993A1 (de) * 1996-06-28 1998-01-02 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauteil mit Ladungstransportschicht
US6795465B2 (en) * 2002-04-11 2004-09-21 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dual layer color-center patterned light source

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1036388B (de) * 1956-12-15 1958-08-14 Standard Elektrik Lorenz Ag Elektrisch steuerbares optisches Element, insbesondere elektrisch steuerbares Lichtfilter
US3829196A (en) * 1971-01-27 1974-08-13 American Cyanamid Co Variable light transmission device
US3973136A (en) * 1973-11-02 1976-08-03 Lee William W Y Charge coupled display device
US4091375A (en) * 1976-08-23 1978-05-23 Laboratoires De Physicochimie Appliquee, Issec S.A. Flat screen solid state display and memory device utilizing color centers
US4263105A (en) * 1979-08-21 1981-04-21 Issec Sa Electrosensitive recording material and process
IE850536L (en) * 1985-03-04 1986-09-04 Robillard Jean J A Displaying information

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012160714A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 国立大学法人山形大学 有機電子デバイス及びその製造方法
JP5682877B2 (ja) * 2011-05-20 2015-03-11 国立大学法人山形大学 有機電子デバイス及びその製造方法
US9373823B2 (en) 2011-05-20 2016-06-21 National University Corporation Yamagata University Organic electronic device and method for manufacturing the same
JP2015216291A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機発光素子およびその製造方法
WO2021029007A1 (ja) * 2019-08-13 2021-02-18 シャープ株式会社 発光素子及び発光装置

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