JPWO2009136535A1 - Esd保護機能内蔵基板 - Google Patents
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Abstract
Description
セラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料を用いた。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、800〜1000℃で仮焼した。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得た。このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合し、スラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。
セラミックグリーンシート上に、混合部14を形成するため、セラミック/金属混合ペーストを2μm〜100μm程度の厚みで、所定のパターンになるよう、スクリーン印刷にて塗布する。セラミック/金属混合ペーストの厚みが大きい場合などには、セラミックグリーンシートに予め設けた凹部に、セラミック/金属混合ペーストを充填するようにしても構わない。
通常のセラミック多層基板と同様に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着する。ここでは、全体の厚みが0.3mmになるように積層した。
LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、マイクロカッタでカットして、各チップにわける。
次いで、通常のセラミック多層基板と同様に、N2雰囲気中で焼成する。また、ESDに対する応答電圧を下げるため空洞部13にAr、Neなどの希ガスを導入する場合には、セラミック材料の収縮、焼結が行われる温度領域をAr、Neなどの希ガス雰囲気で焼成すればよい。酸化しない電極材料(Agなど)の場合には、大気雰囲気でも構わない。
LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、外部電極20,21,22上に電解Ni−Snメッキを行う。
12,12a セラミック多層基板(絶縁性基板、セラミック基板)
13 空洞部
14,14a 混合部
14k 金属材料
15 間隔
16,16b,16c,16d,16e 放電電極
17,17b,17c,17d 対向部
17k、17s、17t 先端
18,18b,18c,18d 放電電極
19,19b,18c,19d 対向部
19k,19s,19t 先端
20,20a,20c 外部電極(信号入力部)
21,21a,21s,21t 外部電極
22,22a,22c 外部電極
24,24a,24b,24x,24y インダクタ素子(回路素子)
26,26x,26y,26z キャパシタ素子(回路素子)
28,28b 配線パターン
30,30e ESD保護部
50 IC
Claims (8)
- 回路素子又は配線パターンの少なくとも一方を内蔵する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の内部に形成された、少なくとも一つの空洞部と、
前記空洞部の内に間隔を設けて先端同士が対向するように配置された対向部を有し、前記回路素子又は前記配線パターンと電気的に接続された、少なくとも一対の放電電極と、を備えたことを特徴とするESD保護機能内蔵基板。 - 前記絶縁性基板は、前記放電電極の設けられた表面近傍であって、少なくとも前記放電電極の前記対向部及び前記対向部間の部分に隣接して配置される、金属材料と前記絶縁性基板を構成する絶縁材料とを含む混合部を備えたことを特徴とする請求項1に記載のESD保護機能内蔵基板。
- 前記混合部は、前記対向部及び前記対向部間のみに隣接して配置されたことを特徴とする請求項2に記載のESD保護機能内蔵基板。
- 前記放電電極の前記対向部と前記混合部とが重なる方向に透視したとき、前記混合部は、前記空洞部の周縁に接して前記周縁よりも内側のみに形成されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のESD保護機能内蔵基板。
- 前記絶縁性基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項4に記載のESD保護機能内蔵基板。
- 前記絶縁性基板の信号入力部付近に、前記空洞部及び前記放電電極が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5に記載のESD保護機能内蔵基板。
- 前記回路素子又は前記配線パターンは、高周波用回路を構成していることを特徴とする請求項1ないし請求項6に記載のESD保護機能内蔵基板。
- 前記絶縁性基板上又は前記絶縁性基板内に、ICが実装されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7に記載のESD保護機能内蔵基板。
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