JP5088396B2 - Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、静電気から半導体や電子回路を保護するためのＥＳＤ保護デバイス及びその製造方法に関し、より詳細には、空洞内において、第１，第２の放電電極がギャップを隔てて対向されている構造を有するＥＳＤ保護デバイス及びその製造方法に関する。

従来、半導体装置や電子回路を静電気から保護するために、様々なＥＳＤ保護デバイス１０１が用いられている。

例えば下記の特許文献１には、図５（ａ），（ｂ）に示すＥＳＤ保護デバイスが開示されている。ＥＳＤ保護デバイス１０１は、セラミック多層基板１０２を有する。ここでは、セラミック多層基板１０２は、ガラスセラミックス、すなわち低温焼成セラミックス（ＬＴＴＣ）からなる。セラミック多層基板１０２内には、空洞１０３が形成されている。また、セラミック多層基板１０２内には、第１の放電電極１０４と、第２の放電電極１０５とが配置されている。第１の放電電極１０４及び第２の放電電極１０５の先端部分が空洞１０３内に位置している。図５（ａ）に示すように、空洞１０３内においてギャップＧを隔てて、第１，第２の放電電極１０４，１０５の先端同士が対向している。また、上記空洞１０３の下面には、混合部１０６が配置されている。混合部１０６は、第１，第２の放電電極１０４，１０５を接続するように第１，第２の放電電極１０４，１０５の下面に接続されている。

混合部１０６の詳細は、図５（ｂ）に示す通りであり、混合部１０６では、導電性を有さない無機材料によりコーティングされた導電性粒子１０６ａがセラミック材料中に分散されている。混合部１０６は、第１，第２の放電電極間の沿面放電を容易とするために設けられている。従って、放電開始電圧を低めることができる。混合部１０６は、このように、放電補助電極として機能するものである。

ＷＯ２００８／１４６５１４

特許文献１に記載のＥＳＤ保護デバイス及びその製造方法では、ガラスセラミック基板内に、空洞形成用材料を配置した状態でガラスセラミック基板の焼成が行われる。従って、空洞形成用材料が消失して空洞が形成されるに際し、上記混合部１０６からなる放電補助電極にガラスセラミック基板内のガラスが浸透することがあった。その結果、第１，第２の放電電極間において、所望でない短絡が生じ、静電気からの保護を確実に図ることができないおそれがあった。

本発明の目的は、放電補助電極が第１，第２の放電電極を接続するように設けられているＥＳＤ保護デバイスにおいて、第１，第２の放電電極間の所望でない短絡が生じ難く、従って、静電気からの保護を確実に図り得る、ＥＳＤ保護デバイス及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスは、ガラスセラミック基板を除く絶縁性セラミック基板、前記絶縁性セラミック基板上に設けられた熱硬化性樹脂硬化物層を備える。前記熱硬化性樹脂硬化物層に、前記熱硬化性樹脂硬化物層と前記絶縁性セラミック基板との界面に臨む空洞が設けられている。また、前記絶縁性セラミック基板上において先端同士がギャップを設けて対向するようにかつ先端同士及びギャップが前記空洞に露出するように設けられている第１，第２の放電電極と、前記第１，第２の放電電極を電気的に接続するように設けられており、表面が無機絶縁性材料粉末によりコーティングされた金属粒子と、セラミック材料とを含む放電補助電極がさらに備えられている。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスのある特定の局面では、前記放電補助電極に含まれている前記セラミック材料が半導体粒子である。この場合には、放電補助電極により、放電開始電圧をより確実に低めることができる。従って、静電気からの保護をより確実に図ることができる。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスの他の特定の局面では、前記熱硬化性樹脂硬化物層が、前記絶縁性セラミック基板の上面の一部にポッティングにより付与された熱硬化性樹脂硬化物層である。この場合には、熱硬化性樹脂をポッティングにより絶縁性セラミック基板上に容易に付与することができる。従って、ＥＳＤ保護デバイスのコストを低減することができる。

また、本発明に係るＥＳＤ保護デバイスでは、前記熱硬化性樹脂硬化物層が、前記絶縁性セラミック基板の上面の全面に積層された熱硬化性樹脂硬化物層であってもよい。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスのさらに他の特定の局面では、前記絶縁性セラミック基板が、アルミナ基板である。この場合には、アルミナ基板は安価で入手しやすい。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法は、ガラスセラミック基板を除く絶縁性セラミック基板を用意する工程と、前記絶縁性セラミック基板上に無機絶縁性材料粉末により表面がコーティングされた金属粒子と、セラミック材料とを含む放電補助電極形成用ペーストを塗工する工程と、前記放電補助電極形成用ペーストを焼成して放電補助電極を形成する工程と、前記第１，第２の放電電極形成用電極ペーストを焼成して第１，第２の放電電極を形成する工程と、前記第１，第２の放電電極の先端間のギャップと、第１，第２の放電電極の先端とを含む領域に、加熱により消失する材料からなる空洞形成用材料を付与する工程と、前記空洞形成用材料が設けられている領域を含む領域において、前記絶縁性セラミック基板上に熱硬化性樹脂を付与する工程と、前記熱硬化性樹脂を加熱により硬化させ、かつ前記空洞形成用材料を消失させることにより空洞を形成する工程とを備える。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法のある特定の局面では、前記放電補助電極に含まれるセラミック材料が半導体粒子である。この場合には、放電開始電圧をより一層低めることができる。従って、ＥＳＤ保護デバイスにより、静電気からの保護をより確実に図ることができる。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法では、上記放電補助電極形成用ペーストを焼成する工程と、第１，第２の放電電極形成用電極ペーストを焼成する工程は、同じ工程で行われてもよく、別々の焼成工程が行われてもよい。

本発明のＥＳＤ保護デバイスの製造方法の他の特定の局面では、前記熱硬化性樹脂を付与する工程が、前記絶縁性セラミック基板上に熱硬化性樹脂をポッティングすることにより行われる。この場合には、熱硬化性樹脂をポッティングにより容易に絶縁性セラミック基板上に付与することができる。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法のさらに他の特定の局面では、前記絶縁性セラミック基板上に熱硬化性樹脂を付与する工程が、前記絶縁性セラミック基板の上面の全面に、熱硬化性樹脂を塗工することにより行われる。この場合には、所望の形状となるように熱硬化性樹脂層を形成することができる。従って、例えば、直方体状のあるいは矩形板状のような汎用形状の電子部品を有するＥＳＤ保護デバイスを製造することができる。また、ＥＳＤ保護デバイスの外形のばらつきを低減することができる。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法のさらに別の特定の局面では、前記絶縁性セラミック基板が、アルミナ基板である。この場合には、アルミナ基板は安価で入手しやすい。

本発明に係るＥＳＤ保護デバイス及びその製造方法によれば、ガラスセラミック基板ではない絶縁性セラミック基板を用いているため、空洞形成に際し、加熱されたとしても、放電補助電極にガラス成分が浸透しない。従って、放電補助電極により放電開始電圧を低下させることができるだけでなく、所望でない短絡を防止することができる。よって、信頼性に優れたＥＳＤ保護デバイスを提供することが可能となる。また、上記ガラス成分の浸透を抑制することができるので、ガラス成分浸透を抑制するためのシール層などを設ける必要もない。

（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護デバイスの平面断面図であり、（ｂ）は、その正面断面図であり、（ｃ）は、放電補助電極の詳細を説明するための部分切欠拡大正面断面図である。 （ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るＥＳＤ保護デバイスの平面断面図であり、（ｂ）は、正面断面図である。 本発明のＥＳＤ保護デバイスの変形例を説明するための平面図である。 本発明のＥＳＤ保護デバイスの他の変形例を説明するための平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、従来のＥＳＤ保護デバイスを説明するための平面図及び正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）は本発明の第１の実施形態において、熱硬化性樹脂硬化物層を除いた状態を示す平面図であり、（ｂ）は第１の実施形態のＥＳＤ保護デバイスの正面断面図であり、（ｃ）は放電補助電極の詳細を示す部分切欠拡大断面図である。

図１（ｂ）に示すように、ＥＳＤ保護デバイス１は、絶縁性セラミック基板２を有する。絶縁性セラミック基板２は、ガラスセラミック基板以外の絶縁性セラミックスからなる。ガラスセラミックスとは、例えば、前述した特許文献１に記載の低温焼成セラミックスＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）のようなガラス成分を含むセラミックスをいうものとする。本実施形態では、上記ガラスセラミックス以外の絶縁性セラミックスからなる絶縁性セラミックスとして、アルミナが用いられている。もっとも、アルミナ以外に、ムライト、ジルコニアなどを用いてもよい。

上記絶縁性セラミック基板２上に、第１，第２の放電電極３，４が形成されている。第１の放電電極３，４の先端３ａ，４ａは、ギャップＧを隔てて対向されている。ギャップＧの上記対向方向に沿う寸法をａとする。

第１，第２の放電電極３，４は、適宜の電極形成方法により形成することができるが、本実施形態では、電極ペーストの塗布及び焼成により形成されている。電極ペーストとしては、電極形成用金属粉末と少量のガラスフリットとを含有する適宜の電極ペーストを用いることができる。このような金属としては、Ｃｕ、Ｎｉなどの卑金属、あるいはＡｇ、Ａｕ、ＡｇＰｄ合金のような貴金属を用いることができる。卑金属を用いた場合、コストを低減することができる。

また、絶縁性セラミック基板２の上面には、放電補助電極５が形成されている。放電補助電極５は、第１の放電電極３と、第２の放電電極４とを電気的に接続するように設けられている。本実施形態では、放電補助電極５が先に形成され、次に、第１，第２の放電電極３，４が形成されている。従って、第１，第２の放電電極３，４の先端３ａ，４ａ近傍が、放電補助電極５上に重なっている。もっとも、放電補助電極５は、第１，第２の放電電極３，４の後に形成されてもよい。従って、放電補助電極５は、第１，第２の放電電極３，４の上面に重なり合うように設けられてもよい。

上記放電補助電極５は表面が無機絶縁性材料粉末によりコーティングされた金属粒子と、セラミック材料とを含む。

図１（ｃ）は、放電補助電極５の詳細を示す模式的部分拡大正面断面図である。放電補助電極５では、上記の通り、導電性を有さない無機材料粉末が表面に付着されることによりコーティングされた金属粒子８と、セラミック材料７とが分散されている。金属粒子８は、Ｃｕ、Ｎｉなどの適宜の金属もしくは合金からなる。金属粒子８の直径は、特に限定されないが、２〜３μｍ程度である。また、上記無機材料粉末としては、特に限定されず、絶縁性の適宜の無機材料を挙げることができる。このような無機材料としては、Ａｌ_２Ｏ_３などを挙げることができる。

このような無機材料粉末の直径は金属粒子８の直径よりも小さい。例えば、直径数ｎｍ〜数十ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３粒子が好適に用いられる。

また、セラミック材料７は、本実施形態では、炭化ケイ素からなる。放電補助電極５において用いられている上記セラミック材料７については、炭化ケイ素に限らず、様々なセラミック材料を用いることができる。もっとも、ＥＳＤ応答性を高めるためには、セラミック材料７は、半導体セラミックス粒子であることが好ましい。このような半導体セラミックスとしては、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデンもしくは炭化タングステン等の炭化物、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化クロム、窒化バナジウムもしくは窒化タンタル等の窒化物、ケイ化チタン、ケイ化ジルコニウム、ケイ化タングステン、ケイ化モリブデンもしくはケイ化クロム等のケイ化物、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム、ホウ化クロム、ホウ化ランタン、ホウ化モリブデンもしくはホウ化タングステンなどのホウ化物または酸化亜鉛もしくはチタン酸ストロンチウム等の酸化物などを挙げることができる。特に、比較的安価でありかつ様々な粒径の粒子が市販されているため、炭化ケイ素が特に好ましい。

また、上記半導体セラミックからなるセラミック材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上併用されてもよい。さらに、上記半導体セラミックからなセラミック材料７を、適宜、アルミナなどの絶縁性セラミック材料と混合して用いてもよい。

また、第１，第２の放電電極３，４を構成する電極材料についても、Ｃｕに限らず、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、ＮｉもしくはＷを適宜用いることができる。

上記放電補助電極５中に上記無機絶縁性材料粉末で表面がコートされた金属粒子８が分散されているため、第１の放電電極３の先端３ａと第２の放電電極４の先端４ａとの間における沿面放電を利用した放電に際しての放電開始電圧を低めることができる。従って、より効果的に静電気からの保護を図ることができる。

なお、上記セラミック材料７は、絶縁性セラミック基板２を構成する材料と同一のセラミックスから構成されていてもよい。この場合には、焼成時の収縮挙動を、絶縁性セラミック基板２とほぼ同じとすることができる。

放電補助電極５を構成している上記金属粒子は、特に限定されないが、第１，第２の放電電極３，４を形成している金属と同じ金属であることが好ましい。それによって、放電補助電極５と第１，第２の放電電極３，４との線膨張係数を近づけることができる。

また、後述する製造方法においても示すように、放電補助電極５を形成するためのペースト及び第１，第２の放電電極３，４を形成するための電極ペーストを印刷した後、同時にこれらを焼成する場合には、金属の酸化を防止するために、以下の組み合わせが望ましい。

例えば、第１，第２の放電電極３，４を構成する金属が、ＡｇやＡｕまたはＡｇＰｄ合金のような非酸化性の貴金属からなる場合には、放電補助電極５を構成している金属についても、同様に、非酸化性の貴金属であることが好ましい。それによって、焼成雰囲気を共通化し得る。

また、同時焼成により、第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５を形成する場合、第１，第２の放電電極３，４がＣｕやＮｉなどの酸化性の卑金属からなる場合には、焼成雰囲気を中性もしくは還元性雰囲気または低酸素濃度雰囲気とする必要がある。この場合、放電補助電極５は、ＣｕやＮｉなどの卑金属で構成されることが好ましい。それによって、コストを低減することができる。もっとも、この場合には、放電補助電極５は、ＡｇやＡｕなどの非酸化性の貴金属で構成してもよい。

なお、第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５を別々に焼成する場合には、焼成雰囲気を異ならせることができる。従って、第１，第２の放電電極３，４を構成する金属と、放電補助電極５を形成する金属の組み合わせについては特に限定されない。もっとも、第１，第２の放電電極３，４を構成する金属が卑金属である場合、放電補助電極５を構成する金属も卑金属とすることが好ましい。それによって、コストを低減することができ、かつ焼成雰囲気を共通化することができる。

絶縁性セラミック基板２上には、上記第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５を覆うように熱硬化性樹脂硬化物層６が形成されている。熱硬化性樹脂硬化物層６は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの適宜の熱硬化性樹脂の硬化物からなる。熱硬化性樹脂硬化物層６内には、空洞１０が形成されている。空洞１０は、熱硬化性樹脂硬化物層６の下面に開いている。空洞１０に、第１，第２の放電電極３，４の先端３ａ，４ａが露出している。

また、第１の放電電極３の先端３ａと、第２の放電電極４の先端４ａとの間の領域すなわちギャップＧにおいては、放電補助電極５が空洞１０に露出している。空洞１０の第１，第２の放電電極３，４の対向方向に沿う寸法をｂとする。

放電補助電極５の上記対向方向に沿う寸法は、上記寸法ｂよりも大きくされている。すなわち、図１（ａ）に示すように、平面視した場合、放電補助電極５の設けられている領域内に含まれるように、空洞１０が形成されている。そのため、静電気が加わった際に、第１の放電電極３の先端３ａと、第２の放電電極４の先端４ａとの間の沿面放電が、放電補助電極５の作用により起こりやすくされている。従って、放電補助電極５が設けられているので、放電開始電圧をより一層低くすることが可能とされている。よって、静電気からの保護を確実に図ることができる。

絶縁性セラミック基板２内には、ビアホール電極１１，１２が形成されている。ビアホール電極１１，１２は、絶縁性セラミック基板２の上面から下面に至るように形成されている。ビアホール電極１１，１２の上端が第１，第２の放電電極３，４に接合されている。

また、絶縁性セラミック基板２の下面には、端子電極１３，１４が形成されている。端子電極１３，１４は、ビアホール電極１１，１２の下端に接合されている。端子電極１３，１４により、ＥＳＤ保護デバイス１を外部と電気的に接続することができる。

上記ビアホール電極１１，１２及び端子電極１３，１４は、Ｃｕ、Ａｌなどの卑金属またはＡｇ、Ａｕなどの貴金属などの適宜の金属もしくは合金により形成することができる。

なお、本実施形態のＥＳＤ保護デバイス１では、上記沿面放電だけでなく、空洞１０内における気中放電も利用される。すなわち、沿面放電だけでは、繰り返し静電気が加わった場合、放電特性が低下する。これに対して、空洞１０が設けられており、気中放電も利用するため、繰り返し静電気が加わった場合でも、放電が確実に生じ、ＥＳＤ保護デバイス１の放電特性の低下を抑制することが可能とされている。

特許文献１に記載のＥＳＤ保護デバイス１０１では、セラミック多層基板がガラスセラミックスすなわち低温焼成セラミックスからなるため、焼成に際し、ガラス成分が放電補助電極に浸透し、所望でない短絡が生じるという問題があった。

これに対して、本実施形態のＥＳＤ保護デバイス１では、絶縁性セラミック基板２が、ガラスセラミックスを除く絶縁性セラミックスからなり、かつ空洞１０の上部は熱硬化性樹脂硬化物層６からなる。従って、ガラス成分の放電補助電極５への浸透が生じ難く、所望でない短絡を確実に抑制することができる。

なお、上記ガラス成分のセラミックス側からの染みだしを抑制するために、シール層を設けることも考えられる。すなわち、放電補助電極と絶縁性セラミックスとの間にガラス成分の放電補助電極５側への浸透を防止するためにシール層を設けることも考えられる。しかしながら、このようなシール層を設けた構造では、構造が複雑化し、コストが高くつく。本実施形態では、このようなシール層を設けずとも、放電補助電極５の変質による短絡を確実に抑制することができる。

次に、ＥＳＤ保護デバイス１の製造方法の一例を説明する。なお、ＥＳＤ保護デバイス１の製造方法は、以下の例に限定されるものではない。

先ず、ガラスセラミックスを除く絶縁性セラミックスからなる絶縁性セラミック基板２を用意する。絶縁性セラミック基板２上に、放電補助電極５を形成するためのペーストをスクリーン印刷などの適宜の方法により付与する。しかる後、第１，第２の放電電極３，４を形成するための電極ペーストをスクリーン印刷等により付与する。

次に、放電補助電極５を形成するためのペースト及び第１，第２の放電電極３，４を形成するための電極ペーストを焼成し、第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５を完成させる。この焼成については、例えばＡｇ、ＡｕまたはＡｇＰｄ合金などの貴金属を用いた第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５の場合には、空気中などの適宜の雰囲気下で焼成を行えばよい。また、上記金属として、ＣｕやＮｉなどの卑金属を用いた場合には、５ｐｐｍ以下の酸素濃度すなわち非酸化性雰囲気で焼成することが必要である。

焼成温度は、使用する金属によっても異なるが、８００〜９００℃程度の温度とすればよく、またこれらの温度に維持する温度についても１０〜３０分程度とすればよい。

次に、空洞１０を形成するために空洞形成用材料を空洞１０の形成位置に塗布する。空洞形成用材料としては、後述の熱硬化性樹脂を加熱硬化させる温度で消失する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、ロウやパラフィンなどのワックスを用いることができる。上記空洞形成用材料の塗布方法についても、特に限定されず、ポッティング等の適宜の方法を用いることができる。

しかる後、上記空洞形成用材料を付与した後、熱硬化性樹脂を塗布する。熱硬化性樹脂の塗布方法については、ディスペンサーを用いた塗布方法の他、適宜の方法を用いることができる。

次に、熱硬化性樹脂をその硬化温度以上に加熱する。このようにして、熱硬化性樹脂を硬化し、熱硬化性樹脂硬化物からなる熱硬化性樹脂硬化物層６を形成する。この硬化に際し、上記空洞形成用材料が溶融し、熱硬化性樹脂中に含浸する。従って、硬化後には、空洞１０が形成されることとなる。

本実施形態では、熱硬化性樹脂硬化物層６は、上記絶縁性セラミック基板２の全面を覆うように、また全体として矩形の形状を有するように形成されている。もっとも、図２（ａ）及び（ｂ）に示す変形例のように、上記空洞１０が設けられている領域の周囲のみに熱硬化性樹脂をポッティングし、加熱により硬化させ、熱硬化性樹脂硬化物層６Ａを形成してもよい。図２（ｂ）に示すように、変形例では、熱硬化性樹脂硬化物層６Ａは、絶縁性セラミック基板２の上面の中央領域に形成されている。もっとも、熱硬化性樹脂硬化物層６Ａは、好ましくは、下方の放電補助電極５が形成されている部分を含む領域に形成することが望ましい。それによって、第１，第２の放電電極３，４の先端３ａ，４ａ、放電補助電極５が設けられている要部を確実に熱硬化性樹脂硬化物層６Ａにより被覆することができる。従って、上記要部が確実にシールされるため、信頼性を高めることができる。

図２（ｂ）に示すＥＳＤ保護デバイス１では、第１，第２の放電電極３，４に接続されるように絶縁性セラミック基板２の端面２ａを覆うように、第１の端子電極１３Ａが、第２の端面２ｂを覆うように第２の端子電極１４Ａが形成されている。

図１（ａ）において、放電電極３，４の対向方向と直交する方向を幅方向とする。図１（ａ）に示すように、第１の放電電極３及び第２の放電電極４の幅に比べて、放電補助電極５の該幅方向寸法が大きくされている。このように、放電補助電極５の幅方向が第１の放電電極３，４の幅よりも大きいことが望ましい。それによって、放電補助電極５により、第１，第２の放電電極３，４間の沿面放電が起こりやすくなる。もっとも、図３に示す変形例のように、第１，第２の放電電極３，４の幅よりも放電補助電極５の幅が狭くともよい。

また、図４に示すように、第１の放電電極３Ａの先端が尖らされた形状とされていてもよい。このように、第１の放電電極３及び第２の放電電極４の形状は適宜変形することができる。

上記製造方法では、放電補助電極５を形成するためのペーストを塗工し、第１，第２の放電電極３，４を形成するための電極ペーストを塗工し、これらを同時に焼成していた。しかしながら、放電補助電極５を構成するペーストを塗布し焼成した後、第１，第２の放電電極３，４を形成するための電極ペーストを塗工し、焼成してもよい。

すなわち、放電補助電極５を得るための焼成工程とは別に、第１，第２の放電電極３，４を得るための焼成工程を実施してもよい。

さらに、上記製造方法では、図１（ｂ）に示した構造を得るために、放電補助電極５を形成するためのペーストを印刷した後に、放電電極３，４を形成するための電極ペーストを印刷したが、この順序は逆であってもよい。その場合においても、放電補助電極５を完成させるための焼成工程と、第１，第２の放電電極３，４を完成させるための焼成工程は同時に行われてもよく、個別に行われてもよい。

１…ＥＳＤ保護デバイス
２…絶縁性セラミック基板
２ａ…端面
２ｂ…第２の端面
３…第１の放電電極
３Ａ…第１の放電電極
３ａ…先端
４…第２の放電電極
４ａ…先端
５…放電補助電極
６，６Ａ…熱硬化性樹脂硬化物層
７…セラミック材料
８…金属粒子
１０…空洞
１１，１２…ビアホール電極
１３，１４…端子電極
１３Ａ…第１の端子電極
１４Ａ…第２の端子電極

Claims (12)

1. ガラスセラミック基板を除く絶縁性セラミック基板、
   前記絶縁性セラミック基板上に設けられた熱硬化性樹脂硬化物層を備え、前記熱硬化性樹脂硬化物層に、前記熱硬化性樹脂硬化物層と前記絶縁性セラミック基板との界面に臨む空洞が設けられており、
   前記絶縁性セラミック基板上において先端同士がギャップを設けて対向するようにかつ先端同士及びギャップが前記空洞に露出するように設けられている第１，第２の放電電極と、
   前記第１，第２の放電電極を電気的に接続するように設けられており、表面が無機絶縁性材料粉末によりコーティングされた金属粒子と、セラミック材料とを含む放電補助電極とをさらに備える、ＥＳＤ保護デバイス。
2. 前記放電補助電極に含まれている前記セラミック材料が半導体粒子である、請求項１に記載のＥＳＤ保護デバイス。
3. 前記熱硬化性樹脂硬化物層が、前記絶縁性セラミック基板の上面の一部にポッティングにより付与された熱硬化性樹脂の硬化物層である、請求項１または２に記載のＥＳＤ保護デバイス。
4. 前記熱硬化性樹脂硬化物層が、前記絶縁性セラミック基板の上面の全面に積層された熱硬化性樹脂硬化物層である、請求項１または２に記載のＥＳＤ保護デバイス。
5. 前記絶縁性セラミック基板が、アルミナ基板である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
6. ガラスセラミック基板を除く絶縁性セラミック基板を用意する工程と、
   前記絶縁性セラミック基板上に無機絶縁性材料粉末により表面がコーティングされた金属粒子と、セラミック材料とを含む放電補助電極形成用ペーストを塗工する工程と、
   前記絶縁性セラミック基板上に、第１，第２の放電電極形成用電極ペーストを塗工する工程と、
   前記放電補助電極形成用ペーストを焼成して放電補助電極を形成する工程と、
   前記第１，第２の放電電極形成用電極ペーストを焼成して第１，第２の放電電極を形成する工程と、
   前記第１，第２の放電電極の先端間のギャップと、第１，第２の放電電極の先端とを含む領域に、加熱により消失する材料からなる空洞形成用材料を付与する工程と、
   前記空洞形成用材料が設けられている領域を含む領域において、前記絶縁性セラミック基板上に熱硬化性樹脂を付与する工程と、
   前記熱硬化性樹脂を加熱により硬化させ、かつ前記空洞形成用材料を消失させることにより空洞を形成する工程とを備える、ＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
7. 前記放電補助電極に含まれるセラミック材料が半導体粒子である、請求項６に記載のＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
8. 前記放電補助電極形成用ペーストを焼成して放電補助電極を形成する工程と、前記第１，第２の放電電極形成用電極ペーストを焼成して第１，第２の放電電極を形成する工程が同じ焼成工程で行われる、請求項６または７に記載のＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
9. 前記放電補助電極形成用ペーストを焼成する工程と、前記第１，第２の放電電極形成用電極ペーストを焼成する工程が別工程で行われる、請求項６または７に記載のＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
10. 前記熱硬化性樹脂を付与する工程が、前記絶縁性セラミック基板上に熱硬化性樹脂をポッティングすることにより行われる、請求項６〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
11. 前記絶縁性セラミック基板上に熱硬化性樹脂を付与する工程が、前記絶縁性セラミック基板の上面の全面に熱硬化性樹脂層を塗工することにより行われる、請求項６〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
12. 前記絶縁性セラミック基板が、アルミナ基板である、請求項６〜１１のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイスの製造方法。

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