JPH10312876A - サージアブソーバ - Google Patents
サージアブソーバInfo
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- JPH10312876A JPH10312876A JP12106897A JP12106897A JPH10312876A JP H10312876 A JPH10312876 A JP H10312876A JP 12106897 A JP12106897 A JP 12106897A JP 12106897 A JP12106897 A JP 12106897A JP H10312876 A JPH10312876 A JP H10312876A
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- Japan
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- surge absorber
- base
- film
- discharge
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Abstract
(57)【要約】
【課題】インパルス放電開始電圧が改善され、漏れ電流
が小さく、かつサージ耐量が高められたサージアブソー
バを提供する。 【解決手段】 四角柱状の絶縁碍子１７と、その絶縁碍
子１７の側面に形成された導体膜１８と、その導体膜１
８を覆う絶縁膜１９とを有する基盤１２の両端部に、一
対のコ字状の放電電極１３＿１，１３＿２を固着し、リ
ード線１４＿１，１４＿２が突出した状態で、不活性ガ
ス１５が充填された容器１６に密封した。
が小さく、かつサージ耐量が高められたサージアブソー
バを提供する。 【解決手段】 四角柱状の絶縁碍子１７と、その絶縁碍
子１７の側面に形成された導体膜１８と、その導体膜１
８を覆う絶縁膜１９とを有する基盤１２の両端部に、一
対のコ字状の放電電極１３＿１，１３＿２を固着し、リ
ード線１４＿１，１４＿２が突出した状態で、不活性ガ
ス１５が充填された容器１６に密封した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部から侵入する
異常電圧（サージ）から電子回路を保護するために、そ
の電子回路の、外部と接続される入力端子やＣＲＴ接続
部分、あるいは電源ラインとグラウンドとの間等に使用
されるサージアブソーバに関し、特に電子回路の、高電
圧が印加される部分に使用されるサージアブソーバに関
する。
異常電圧（サージ）から電子回路を保護するために、そ
の電子回路の、外部と接続される入力端子やＣＲＴ接続
部分、あるいは電源ラインとグラウンドとの間等に使用
されるサージアブソーバに関し、特に電子回路の、高電
圧が印加される部分に使用されるサージアブソーバに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、上述のようなサージアブソー
バが、電子回路の、例えば耐圧試験が実施され高電圧が
印加される電源ラインとグラウンドとの間に使用されて
いる。このようなサージアブソーバとして、（１）放電
電極間に大ギャップが形成されたサージアブソーバ、
（２）多重マイクロギャップが形成されたサージアブソ
ーバ、（３）高ガス圧封入されたサージアブソーバが知
られている。
バが、電子回路の、例えば耐圧試験が実施され高電圧が
印加される電源ラインとグラウンドとの間に使用されて
いる。このようなサージアブソーバとして、（１）放電
電極間に大ギャップが形成されたサージアブソーバ、
（２）多重マイクロギャップが形成されたサージアブソ
ーバ、（３）高ガス圧封入されたサージアブソーバが知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、大ギャップが
形成されたサージアブソーバでは、そのギャップ内に形
成される電界が弱いため、十分な初期電子を放出するこ
とができず放電遅れが生じインパルス電圧に対する応答
性が悪いという欠点を有する。また、多重マイクロギャ
ップが形成されたサージアブソーバでは、例えば６００
０Ｖ以上の放電開始電圧を得るためにはマイクロギャッ
プを２０本以上形成する必要がある。このため、全ての
マイクロギャップを形成するための時間が長くかかりコ
ストアップにつながるという問題がある。また、各マイ
クロギャップそれぞれに印加される電圧がばらつくた
め、それら電圧のばらつきにより複数のマイクロギャッ
プでコロナ放電が発生し、放電開始電圧に近づくにつれ
コロナ放電による漏れ電流が大きくなるという欠点を有
する。
形成されたサージアブソーバでは、そのギャップ内に形
成される電界が弱いため、十分な初期電子を放出するこ
とができず放電遅れが生じインパルス電圧に対する応答
性が悪いという欠点を有する。また、多重マイクロギャ
ップが形成されたサージアブソーバでは、例えば６００
０Ｖ以上の放電開始電圧を得るためにはマイクロギャッ
プを２０本以上形成する必要がある。このため、全ての
マイクロギャップを形成するための時間が長くかかりコ
ストアップにつながるという問題がある。また、各マイ
クロギャップそれぞれに印加される電圧がばらつくた
め、それら電圧のばらつきにより複数のマイクロギャッ
プでコロナ放電が発生し、放電開始電圧に近づくにつれ
コロナ放電による漏れ電流が大きくなるという欠点を有
する。
【０００４】また、高ガス圧封入によるサージアブソー
バでは、同じギャップ幅を有するサージアブソーバと比
較した場合、高電圧化が比較的容易であるが、サージ耐
量が低下するという欠点を有する。本発明は、上記事情
に鑑み、インパルス放電開始電圧が改善され、漏れ電流
が小さく、かつサージ耐量が高められたサージアブソー
バを提供することを目的とする。
バでは、同じギャップ幅を有するサージアブソーバと比
較した場合、高電圧化が比較的容易であるが、サージ耐
量が低下するという欠点を有する。本発明は、上記事情
に鑑み、インパルス放電開始電圧が改善され、漏れ電流
が小さく、かつサージ耐量が高められたサージアブソー
バを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のサージアブソーバは、柱状の基盤と、この基盤両端
部に固着された一対の放電電極が、不活性ガス中に密封
されてなるサージアブソーバにおいて、上記基盤が、柱
状の絶縁性基体と、その絶縁性基体側面に形成された導
体膜と、その導体膜を覆う絶縁膜とを有するものである
ことを特徴とする。
明のサージアブソーバは、柱状の基盤と、この基盤両端
部に固着された一対の放電電極が、不活性ガス中に密封
されてなるサージアブソーバにおいて、上記基盤が、柱
状の絶縁性基体と、その絶縁性基体側面に形成された導
体膜と、その導体膜を覆う絶縁膜とを有するものである
ことを特徴とする。
【０００６】サージアブソーバの放電開始電圧を決定す
る要素として不活性ガスのガス圧（ｐ）と放電電極間の
ギャップ幅（ｄ）との積（ｐｄ値）がある。このｐｄ値
が放電開始電圧の最小値を示すｐｄ値よりも大きい場
合、そのｐｄ値が大きければ大きいほど放電開始電圧は
高い値を示すようになる。本発明は、この観点に着目し
たものであり、一対の放電電極が固着された、柱上の絶
縁性基体を有する基盤を備えているため、この基盤で大
ギャップが形成されることとなり、従って放電電極間距
離が大きくなり、同じガス圧の雰囲気において大きなｐ
ｄ値が実現される。従って、放電電極間がフラッシュオ
ーバするのに必要な電圧が高くなり、高電圧で動作する
サージアブソーバが得られる。
る要素として不活性ガスのガス圧（ｐ）と放電電極間の
ギャップ幅（ｄ）との積（ｐｄ値）がある。このｐｄ値
が放電開始電圧の最小値を示すｐｄ値よりも大きい場
合、そのｐｄ値が大きければ大きいほど放電開始電圧は
高い値を示すようになる。本発明は、この観点に着目し
たものであり、一対の放電電極が固着された、柱上の絶
縁性基体を有する基盤を備えているため、この基盤で大
ギャップが形成されることとなり、従って放電電極間距
離が大きくなり、同じガス圧の雰囲気において大きなｐ
ｄ値が実現される。従って、放電電極間がフラッシュオ
ーバするのに必要な電圧が高くなり、高電圧で動作する
サージアブソーバが得られる。
【０００７】また、単に大ギャップを形成した場合、ギ
ャップ内の電界が弱くなり、インパルス電圧など急峻な
電圧が印加されたときに十分な初期電子を放出すること
ができず、放電遅れが大きくなる。そこで、本発明で
は、この現象を防ぐために、絶縁性基体に導体膜および
その導体膜を覆う絶縁膜が形成されており、これにより
放電ギャップと並列に、 放電電極−絶縁膜−導体膜−絶縁膜−放電電極 …（１） の経路が形成される。放電電極間に電圧が印加されても
絶縁膜が形成されているため、上記（１）の経路が絶縁
破壊されることはなく、放電電極間のギャップで決定さ
れる放電開始電圧が実現される。ここで、（１）の経路
に電圧が印加されると、電圧印加時点では導体膜の内部
は電界が０であるため同電位にあり、また絶縁膜の比誘
電率は１より大きく、かつ放電電極と導体膜との間隔は
狭いため、放電電極の、導体膜に近接した部分に、強い
電界が形成される。従って、インパルス電圧など急峻な
電圧に対しては放電電極に形成される強い電界によって
遅れなく初期電子をその放電電極部分に放出することが
可能となり、小さな遅れで放電が開始される。また、こ
の強い電界はその放電電極部分にしか形成されず、放電
電極の他の部分は比較的弱い電界であるため、従来の、
多重マイクロギャップが形成されたサージアブソーバ
の、各ギャップそれぞれに印加される電圧のばらつきに
よって生じる漏れ電流が発生しないという利点がある。
ャップ内の電界が弱くなり、インパルス電圧など急峻な
電圧が印加されたときに十分な初期電子を放出すること
ができず、放電遅れが大きくなる。そこで、本発明で
は、この現象を防ぐために、絶縁性基体に導体膜および
その導体膜を覆う絶縁膜が形成されており、これにより
放電ギャップと並列に、 放電電極−絶縁膜−導体膜−絶縁膜−放電電極 …（１） の経路が形成される。放電電極間に電圧が印加されても
絶縁膜が形成されているため、上記（１）の経路が絶縁
破壊されることはなく、放電電極間のギャップで決定さ
れる放電開始電圧が実現される。ここで、（１）の経路
に電圧が印加されると、電圧印加時点では導体膜の内部
は電界が０であるため同電位にあり、また絶縁膜の比誘
電率は１より大きく、かつ放電電極と導体膜との間隔は
狭いため、放電電極の、導体膜に近接した部分に、強い
電界が形成される。従って、インパルス電圧など急峻な
電圧に対しては放電電極に形成される強い電界によって
遅れなく初期電子をその放電電極部分に放出することが
可能となり、小さな遅れで放電が開始される。また、こ
の強い電界はその放電電極部分にしか形成されず、放電
電極の他の部分は比較的弱い電界であるため、従来の、
多重マイクロギャップが形成されたサージアブソーバ
の、各ギャップそれぞれに印加される電圧のばらつきに
よって生じる漏れ電流が発生しないという利点がある。
【０００８】ここで、上記基盤は、上記絶縁性基体側面
全周にわたる上記導体膜及び上記絶縁膜を有するもので
あってもよい。このようにすると、放電にあたり基盤の
絶縁性基体側面全周を有効に利用できる。また、上記基
盤は、上記絶縁性基体側面の、周回方向について一部分
のみに形成された上記導体膜及び上記絶縁膜を有するも
のであってもよい。このようにすると、導体膜及び絶縁
膜を、基盤の絶縁性基体側面の一部分のみに形成すれば
よいため、製造が容易になる。
全周にわたる上記導体膜及び上記絶縁膜を有するもので
あってもよい。このようにすると、放電にあたり基盤の
絶縁性基体側面全周を有効に利用できる。また、上記基
盤は、上記絶縁性基体側面の、周回方向について一部分
のみに形成された上記導体膜及び上記絶縁膜を有するも
のであってもよい。このようにすると、導体膜及び絶縁
膜を、基盤の絶縁性基体側面の一部分のみに形成すれば
よいため、製造が容易になる。
【０００９】さらに、上記基盤が、その基盤両端部に形
成された電極膜を有し、上記放電電極がその基盤のその
電極膜部分に固着されてなることも好ましい形態であ
る。この電極膜により放電電圧の値を調整することがで
きる。
成された電極膜を有し、上記放電電極がその基盤のその
電極膜部分に固着されてなることも好ましい形態であ
る。この電極膜により放電電圧の値を調整することがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の第１実施形態のサージアブ
ソーバの断面を示す図である。図１に示すサージアブソ
ーバ１０を構成するサージアブソーバ素子１１は、４角
柱状の基盤１２と、その基盤１２の両端部に固着された
一対のコ字状の放電電極１３＿１，１３＿２とから形成
されている。基盤１２は、四角柱状の絶縁碍子１７と、
その絶縁碍子１７側面の一部分のみに形成された導体膜
１８と、その導体膜１８を覆う絶縁膜１９とを有する。
説明する。図１は、本発明の第１実施形態のサージアブ
ソーバの断面を示す図である。図１に示すサージアブソ
ーバ１０を構成するサージアブソーバ素子１１は、４角
柱状の基盤１２と、その基盤１２の両端部に固着された
一対のコ字状の放電電極１３＿１，１３＿２とから形成
されている。基盤１２は、四角柱状の絶縁碍子１７と、
その絶縁碍子１７側面の一部分のみに形成された導体膜
１８と、その導体膜１８を覆う絶縁膜１９とを有する。
【００１１】サージアブソーバ素子１１の両端部には、
リード線１４＿１，１４＿２が接続されている。このサ
ージアブソーバ素子１１は、不活性ガス１５が充填され
た容器１６に密封されており、これにより外部との絶縁
性が保持されている。図２は、図１に示すサージアブソ
ーバの、前半の製造過程を示す図、図３は、図１に示す
サージアブソーバの、中間の製造過程を示す図、図４
は、図１に示すサージアブソーバの、後半の製造過程を
示す図である。
リード線１４＿１，１４＿２が接続されている。このサ
ージアブソーバ素子１１は、不活性ガス１５が充填され
た容器１６に密封されており、これにより外部との絶縁
性が保持されている。図２は、図１に示すサージアブソ
ーバの、前半の製造過程を示す図、図３は、図１に示す
サージアブソーバの、中間の製造過程を示す図、図４
は、図１に示すサージアブソーバの、後半の製造過程を
示す図である。
【００１２】図１に示すサージアブソーバ１０を製造す
るには、先ず、図２に示すように、四角柱状の絶縁碍子
１７側面の一部分のみに導体膜１８を形成する。この導
体膜１８の抵抗値は、長手方向で測定して１Ω〜１００
ｋΩ程度である。この導体膜１８をガラス又は誘電体膜
等の絶縁膜１９で覆い、柱状の基盤１２を作成する。
尚、絶縁膜１９の比誘電率は、１×１０0 〜２×１０4
程度である。
るには、先ず、図２に示すように、四角柱状の絶縁碍子
１７側面の一部分のみに導体膜１８を形成する。この導
体膜１８の抵抗値は、長手方向で測定して１Ω〜１００
ｋΩ程度である。この導体膜１８をガラス又は誘電体膜
等の絶縁膜１９で覆い、柱状の基盤１２を作成する。
尚、絶縁膜１９の比誘電率は、１×１０0 〜２×１０4
程度である。
【００１３】次に、図３に示すように、基盤１２の両端
部に、断面がコ字状の放電電極１３＿１，１３＿２を圧
入し、これによりサージアブソーバ素子１１を作製す
る。さらに、図４に示すように、サージアブソーバ素子
１１の両端にリード線１４＿１，１４＿２を溶接し、不
活性ガス１５が満たされた容器１６に封入する。このよ
うにしてサージアブソーバ１０を製造する。
部に、断面がコ字状の放電電極１３＿１，１３＿２を圧
入し、これによりサージアブソーバ素子１１を作製す
る。さらに、図４に示すように、サージアブソーバ素子
１１の両端にリード線１４＿１，１４＿２を溶接し、不
活性ガス１５が満たされた容器１６に封入する。このよ
うにしてサージアブソーバ１０を製造する。
【００１４】本実施形態のサージアブソーバ１０では、
一対の放電電極１３＿１，１３＿２を挟んで、絶縁碍子
１７を有する基盤１２が備えられているため、放電電極
１３＿１，１３＿２間に大きなギャップが形成されるこ
ととなり、従って高電圧化が容易に実現される。また、
基盤１２は、絶縁膜１９で覆われた導体膜１８を有する
ため、サージアブソーバ１０にインパルス電圧が印加さ
れた場合、その導体膜１８により、放電電極１３＿１，
１３＿２の、導体膜１８に近接した先端部分に電界が集
中的に発生する。従って、初期電子が放出しやすくな
り、インパルス電圧に対する迅速な応答性を確保するこ
とができる。本実施形態のサージアブソーバ１０では、
インパルス電圧が印加されると、絶縁膜１９で覆われた
半導体膜１８の作用により初期電子が放出され、これに
より、放電電極１３＿１，１３＿２間における絶縁膜１
９上で、先ず放電（沿面放電）が発生し、この放電がト
リガとなりグロー放電に進展し、その後にアーク放電が
形成される。
一対の放電電極１３＿１，１３＿２を挟んで、絶縁碍子
１７を有する基盤１２が備えられているため、放電電極
１３＿１，１３＿２間に大きなギャップが形成されるこ
ととなり、従って高電圧化が容易に実現される。また、
基盤１２は、絶縁膜１９で覆われた導体膜１８を有する
ため、サージアブソーバ１０にインパルス電圧が印加さ
れた場合、その導体膜１８により、放電電極１３＿１，
１３＿２の、導体膜１８に近接した先端部分に電界が集
中的に発生する。従って、初期電子が放出しやすくな
り、インパルス電圧に対する迅速な応答性を確保するこ
とができる。本実施形態のサージアブソーバ１０では、
インパルス電圧が印加されると、絶縁膜１９で覆われた
半導体膜１８の作用により初期電子が放出され、これに
より、放電電極１３＿１，１３＿２間における絶縁膜１
９上で、先ず放電（沿面放電）が発生し、この放電がト
リガとなりグロー放電に進展し、その後にアーク放電が
形成される。
【００１５】尚、放電電極１３＿１，１３＿２と導体膜
１８との間に形成された絶縁膜１９の厚さは、放電電極
１３＿１，１３＿２と導体膜１８との間で放電が発生し
ない厚さで、かつ放電電極１３＿１，１３＿２の先端部
分に電界が集中的に発生する厚さに形成されている。こ
の厚さの好ましい値は、例えば０．０１ｍｍ〜２０ｍｍ
である。
１８との間に形成された絶縁膜１９の厚さは、放電電極
１３＿１，１３＿２と導体膜１８との間で放電が発生し
ない厚さで、かつ放電電極１３＿１，１３＿２の先端部
分に電界が集中的に発生する厚さに形成されている。こ
の厚さの好ましい値は、例えば０．０１ｍｍ〜２０ｍｍ
である。
【００１６】また、放電電極１３＿１，１３＿２間の距
離は、サージアブソーバ１０の放電開始電圧に基づいて
定まるものであり、例えば、放電開始電圧が１０００Ｖ
以上のものを作製する場合は、０．２ｍｍ以上の放電電
極間距離が必要である。放電開始電圧の上限は特に限定
されるものではないが、例えば３０ＫＶ程度の高電圧化
を所望する場合は、放電電極間の距離は３０ｍｍ程度で
ある。
離は、サージアブソーバ１０の放電開始電圧に基づいて
定まるものであり、例えば、放電開始電圧が１０００Ｖ
以上のものを作製する場合は、０．２ｍｍ以上の放電電
極間距離が必要である。放電開始電圧の上限は特に限定
されるものではないが、例えば３０ＫＶ程度の高電圧化
を所望する場合は、放電電極間の距離は３０ｍｍ程度で
ある。
【００１７】図５は、本発明の第２実施形態のサージア
ブソーバの断面を示す図である。図５に示すサージアブ
ソーバ２０を構成するサージアブソーバ素子２１は、円
柱状の基盤２２と、その基盤２２の両端部に固着された
一対のキャップ電極２３＿１，２３＿２とから形成され
ている。基盤２２は、円柱状の絶縁碍子２７と、その絶
縁碍子２７の、端面を除く全周にわたり形成された導体
膜２８と、その導体膜２８及び絶縁碍子２７の、端面を
覆う絶縁膜２９とを有する。
ブソーバの断面を示す図である。図５に示すサージアブ
ソーバ２０を構成するサージアブソーバ素子２１は、円
柱状の基盤２２と、その基盤２２の両端部に固着された
一対のキャップ電極２３＿１，２３＿２とから形成され
ている。基盤２２は、円柱状の絶縁碍子２７と、その絶
縁碍子２７の、端面を除く全周にわたり形成された導体
膜２８と、その導体膜２８及び絶縁碍子２７の、端面を
覆う絶縁膜２９とを有する。
【００１８】サージアブソーバ素子２１の両端部には、
リード線２４＿１，２４＿２が接続されている。このサ
ージアブソーバ素子２１は、不活性ガス２５が充填され
た容器２６に密封されており、これにより外部との絶縁
性が保持されている。図６は、図５に示すサージアブソ
ーバの、前半の製造過程を示す図、図７は、図５に示す
サージアブソーバの、中間の製造過程を示す図、図８
は、図５に示すサージアブソーバの、後半の製造過程を
示す図である。
リード線２４＿１，２４＿２が接続されている。このサ
ージアブソーバ素子２１は、不活性ガス２５が充填され
た容器２６に密封されており、これにより外部との絶縁
性が保持されている。図６は、図５に示すサージアブソ
ーバの、前半の製造過程を示す図、図７は、図５に示す
サージアブソーバの、中間の製造過程を示す図、図８
は、図５に示すサージアブソーバの、後半の製造過程を
示す図である。
【００１９】図５に示すサージアブソーバ２０を製造す
るには、先ず、図６に示すように、円柱状の絶縁碍子２
７の、端面を除く全周にわたり導体膜２８を形成する。
この導体膜２８の抵抗値は、長手方向で測定して１Ω〜
１００ｋΩ程度である。この導体膜２８及び絶縁碍子２
７の端面をガラス又は誘電体膜等の絶縁膜２９で覆い、
円柱状の基盤２２を作製する。尚、絶縁膜２９の比誘電
率は、１×１０0 〜２×１０4 程度である。
るには、先ず、図６に示すように、円柱状の絶縁碍子２
７の、端面を除く全周にわたり導体膜２８を形成する。
この導体膜２８の抵抗値は、長手方向で測定して１Ω〜
１００ｋΩ程度である。この導体膜２８及び絶縁碍子２
７の端面をガラス又は誘電体膜等の絶縁膜２９で覆い、
円柱状の基盤２２を作製する。尚、絶縁膜２９の比誘電
率は、１×１０0 〜２×１０4 程度である。
【００２０】次に、図７に示すように、基盤２２の両端
部に、キャップ電極２３＿１，２３＿２を圧入し、これ
によりサージアブソーバ素子２１を作製する。さらに、
図８に示すように、サージアブソーバ素子２１の両端に
リード線２４＿１，２４＿２を溶接し、不活性ガス２５
が満たされた容器２６に封入する。このようにしてサー
ジアブソーバ２０を製造する。
部に、キャップ電極２３＿１，２３＿２を圧入し、これ
によりサージアブソーバ素子２１を作製する。さらに、
図８に示すように、サージアブソーバ素子２１の両端に
リード線２４＿１，２４＿２を溶接し、不活性ガス２５
が満たされた容器２６に封入する。このようにしてサー
ジアブソーバ２０を製造する。
【００２１】本実施形態のサージアブソーバ２０では、
一対のキャップ２３＿１，２３＿２を挟んで、絶縁碍子
２７を有する基盤２２が備えられているため、キャップ
電極２３＿１，２３＿２間に大きなギャップが形成され
ることとなり、従って高電圧化が容易に実現される。ま
た、基盤２２は、絶縁膜２９で覆われた導体膜２８を有
するため、サージアブソーバ２０にインパルス電圧が印
加された場合、その導体膜２８により、キャップ電極２
３＿１，２３＿２の、導体膜２８に近接した先端部分に
電界が集中的に発生し、初期電子が放出しやすくなり、
従って、インパルス電圧に対する迅速な応答性を確保す
ることができる。
一対のキャップ２３＿１，２３＿２を挟んで、絶縁碍子
２７を有する基盤２２が備えられているため、キャップ
電極２３＿１，２３＿２間に大きなギャップが形成され
ることとなり、従って高電圧化が容易に実現される。ま
た、基盤２２は、絶縁膜２９で覆われた導体膜２８を有
するため、サージアブソーバ２０にインパルス電圧が印
加された場合、その導体膜２８により、キャップ電極２
３＿１，２３＿２の、導体膜２８に近接した先端部分に
電界が集中的に発生し、初期電子が放出しやすくなり、
従って、インパルス電圧に対する迅速な応答性を確保す
ることができる。
【００２２】図９は、本発明の第３実施形態のサージア
ブソーバの断面を示す図である。図９に示すサージアブ
ソーバ３０を構成するサージアブソーバ素子３１は、円
柱状の基盤３２と、その基盤３２の両端部に固着された
一対のキャップ電極３３＿１，３３＿２とから形成され
ている。基盤３２は、円柱状の絶縁碍子３７と、その絶
縁碍子３７の、端面を除く全周にわたり形成された導体
膜３８と、その導体膜３８及び絶縁碍子３７の、端面を
覆う絶縁膜３９とを有する。さらに、基盤３２は、その
基盤３２の両端部に、導電性の薄膜である電極膜４０＿
１，４０＿２を有する。
ブソーバの断面を示す図である。図９に示すサージアブ
ソーバ３０を構成するサージアブソーバ素子３１は、円
柱状の基盤３２と、その基盤３２の両端部に固着された
一対のキャップ電極３３＿１，３３＿２とから形成され
ている。基盤３２は、円柱状の絶縁碍子３７と、その絶
縁碍子３７の、端面を除く全周にわたり形成された導体
膜３８と、その導体膜３８及び絶縁碍子３７の、端面を
覆う絶縁膜３９とを有する。さらに、基盤３２は、その
基盤３２の両端部に、導電性の薄膜である電極膜４０＿
１，４０＿２を有する。
【００２３】サージアブソーバ素子３１の両端部には、
リード線３４＿１，３４＿２が接続されている。このサ
ージアブソーバ素子３１は、不活性ガス３５が充填され
た容器３６に密封されており、これにより外部との絶縁
性が保持されている。図１０は、図９に示すサージアブ
ソーバの、前半の製造過程を示す図、図１１は、図９に
示すサージアブソーバの、中間の製造過程を示す図、図
１２は、図９に示すサージアブソーバの、後半の製造過
程を示す図である。
リード線３４＿１，３４＿２が接続されている。このサ
ージアブソーバ素子３１は、不活性ガス３５が充填され
た容器３６に密封されており、これにより外部との絶縁
性が保持されている。図１０は、図９に示すサージアブ
ソーバの、前半の製造過程を示す図、図１１は、図９に
示すサージアブソーバの、中間の製造過程を示す図、図
１２は、図９に示すサージアブソーバの、後半の製造過
程を示す図である。
【００２４】図９に示すサージアブソーバ３０を製造す
るには、先ず、図１０に示すように、円柱状の絶縁碍子
３７の、端面を除く全周にわたり導体膜３８を形成す
る。この導体膜３８の抵抗値は、長手方向で測定して１
Ω〜１００ｋΩ程度である。この導体膜３８及び絶縁碍
子３７の端面をガラス又は誘電体膜等の絶縁膜３９で覆
う。尚、絶縁膜３９の比誘電率は、１×１０0 〜２×１
０4 程度である。さらに、絶縁硝子３７の、絶縁膜３９
で覆われた両端部に、電極膜４０＿１，４０＿２を形成
する。このとき導体膜３８と電極膜４０＿１，４０＿２
の、絶縁膜３９を挟んだ重なり部分は、放電開始電圧の
値により−５ｍｍ〜５ｍの範囲にする（−５ｍｍとは重
なり部分がなく、５ｍｍの間隔が開くことを示す）。こ
のようにして円柱状の基盤３２を形成する。
るには、先ず、図１０に示すように、円柱状の絶縁碍子
３７の、端面を除く全周にわたり導体膜３８を形成す
る。この導体膜３８の抵抗値は、長手方向で測定して１
Ω〜１００ｋΩ程度である。この導体膜３８及び絶縁碍
子３７の端面をガラス又は誘電体膜等の絶縁膜３９で覆
う。尚、絶縁膜３９の比誘電率は、１×１０0 〜２×１
０4 程度である。さらに、絶縁硝子３７の、絶縁膜３９
で覆われた両端部に、電極膜４０＿１，４０＿２を形成
する。このとき導体膜３８と電極膜４０＿１，４０＿２
の、絶縁膜３９を挟んだ重なり部分は、放電開始電圧の
値により−５ｍｍ〜５ｍの範囲にする（−５ｍｍとは重
なり部分がなく、５ｍｍの間隔が開くことを示す）。こ
のようにして円柱状の基盤３２を形成する。
【００２５】次に、図１１に示すように、基盤３２の両
端部に、キャップ電極３３＿１，３３＿２を圧入し、こ
れによりサージアブソーバ素子３１を作製する。さら
に、図１２に示すように、サージアブソーバ素子３１の
両端にリード線３４＿１，３４＿２を溶接し、不活性ガ
ス３５が満たされた容器３６に封入する。このようにし
てサージアブソーバ３０を製造する。
端部に、キャップ電極３３＿１，３３＿２を圧入し、こ
れによりサージアブソーバ素子３１を作製する。さら
に、図１２に示すように、サージアブソーバ素子３１の
両端にリード線３４＿１，３４＿２を溶接し、不活性ガ
ス３５が満たされた容器３６に封入する。このようにし
てサージアブソーバ３０を製造する。
【００２６】本実施形態のサージアブソーバ３０では、
一対のキャップ電極３３＿１，３３＿２を挟んで、絶縁
碍子３７を有する基盤３２が備えられているため、キャ
ップ電極３３＿１，３３＿２間に大きなギャップが形成
されることとなり、従って高電圧化が容易に実現され
る。また、基盤３２は、絶縁膜３９で覆われた導体膜３
８を有するため、サージアブソーバ３０にインパルス電
圧が印加された場合、その導体膜３８により、キャップ
電極３３＿１，３３＿２の、導体膜３８に近接した先端
部分に電界が集中的に発生し、初期電子が放出しやすく
なり、従ってインパルス電圧に対する迅速な応答性を確
保することができる。
一対のキャップ電極３３＿１，３３＿２を挟んで、絶縁
碍子３７を有する基盤３２が備えられているため、キャ
ップ電極３３＿１，３３＿２間に大きなギャップが形成
されることとなり、従って高電圧化が容易に実現され
る。また、基盤３２は、絶縁膜３９で覆われた導体膜３
８を有するため、サージアブソーバ３０にインパルス電
圧が印加された場合、その導体膜３８により、キャップ
電極３３＿１，３３＿２の、導体膜３８に近接した先端
部分に電界が集中的に発生し、初期電子が放出しやすく
なり、従ってインパルス電圧に対する迅速な応答性を確
保することができる。
【００２７】尚、本実施形態のサージアブソーバ２０，
３０では、円柱状の絶縁碍子の、端面を除く全周にわた
り導体膜を形成したが、これに限られるものではなく、
絶縁碍子全面に導体膜を形成してもよい。その場合、導
体膜は絶縁膜で覆われるため、絶縁碍子全体が絶縁膜で
覆われることになる。
３０では、円柱状の絶縁碍子の、端面を除く全周にわた
り導体膜を形成したが、これに限られるものではなく、
絶縁碍子全面に導体膜を形成してもよい。その場合、導
体膜は絶縁膜で覆われるため、絶縁碍子全体が絶縁膜で
覆われることになる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明の実施例１，２，３として、前述した製造過程によ
り、図１，図５，図９に示すサージアブソーバ１０，２
０，３０を製造した。尚、実施例３では、導体膜３８と
電極膜４０＿１，４０＿２の、絶縁膜３９を挟んだ重な
り部分は０ｍｍとした。
発明の実施例１，２，３として、前述した製造過程によ
り、図１，図５，図９に示すサージアブソーバ１０，２
０，３０を製造した。尚、実施例３では、導体膜３８と
電極膜４０＿１，４０＿２の、絶縁膜３９を挟んだ重な
り部分は０ｍｍとした。
【００２９】また、比較例１，２，３，４，５を製造し
た。比較例１，２，３は、それぞれ、実施例１，２，３
のサージアブソーバ１０，２０，３０から導体膜が除か
れたものである。また、比較例４は、従来の、多重マイ
クロギャップが備えられたもの、比較例５は、比較例１
に加え、封入ガス圧が高いものである。これら実施１，
２，３および比較例１，２，３，４，５それぞれの、作
製条件及び電気的特性を表１に示す。
た。比較例１，２，３は、それぞれ、実施例１，２，３
のサージアブソーバ１０，２０，３０から導体膜が除か
れたものである。また、比較例４は、従来の、多重マイ
クロギャップが備えられたもの、比較例５は、比較例１
に加え、封入ガス圧が高いものである。これら実施１，
２，３および比較例１，２，３，４，５それぞれの、作
製条件及び電気的特性を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１に示すＶｓ（放電開始電圧）は、ＤＣ
電圧を印加し、放電電流が１ｍＡになった時点の電圧を
求めたものである。また、Ｖｉｍｐ（インパルス放電開
始電圧）は、１．２／５０μｓ−２０ｋＶのインパルス
電圧を印加し、放電を開始した電圧を求めたものであ
る。さらに、漏れ電流は、放電開始電圧Ｖｓの７０％の
電圧を印加した状態で測定したものである。また、サー
ジ耐量は、８／２０μｓの電流サージを５回印加して破
壊しなかった最大の電流値を求めたものである。
電圧を印加し、放電電流が１ｍＡになった時点の電圧を
求めたものである。また、Ｖｉｍｐ（インパルス放電開
始電圧）は、１．２／５０μｓ−２０ｋＶのインパルス
電圧を印加し、放電を開始した電圧を求めたものであ
る。さらに、漏れ電流は、放電開始電圧Ｖｓの７０％の
電圧を印加した状態で測定したものである。また、サー
ジ耐量は、８／２０μｓの電流サージを５回印加して破
壊しなかった最大の電流値を求めたものである。
【００３２】表１から明らかなように、実施例１，２，
３では、比較例１，２，３と比べ、インパルス放電開始
電圧（Ｖｉｍｐ）が１００００Ｖ（比較例１，２），９
０００Ｖ（比較例３）から７０００Ｖに改善された。ま
た、実施例１，２，３では、比較例４と比べ、漏れ電流
は、比較例４の５０μＡに対し０μＡ（無し）であっ
た。また、ギャップ形成工程に要する時間は、比較例４
の１５秒に対し、いずれも１秒であった。さらに実施例
１，２，３では、比較例５と比べ、サージ耐量が２００
０Ａから５５００Ａに改善された。
３では、比較例１，２，３と比べ、インパルス放電開始
電圧（Ｖｉｍｐ）が１００００Ｖ（比較例１，２），９
０００Ｖ（比較例３）から７０００Ｖに改善された。ま
た、実施例１，２，３では、比較例４と比べ、漏れ電流
は、比較例４の５０μＡに対し０μＡ（無し）であっ
た。また、ギャップ形成工程に要する時間は、比較例４
の１５秒に対し、いずれも１秒であった。さらに実施例
１，２，３では、比較例５と比べ、サージ耐量が２００
０Ａから５５００Ａに改善された。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のサージア
ブソーバによれば、インパルス放電開始電圧が改善さ
れ、漏れ電流が小さく、かつ高いサージ耐量が得られ
る。また、高電圧用のギャップも短時間で作製できる。
ブソーバによれば、インパルス放電開始電圧が改善さ
れ、漏れ電流が小さく、かつ高いサージ耐量が得られ
る。また、高電圧用のギャップも短時間で作製できる。
【図１】本発明の第１実施形態のサージアブソーバの断
面を示す図である。
面を示す図である。
【図２】図１に示すサージアブソーバの、前半の製造過
程を示す図である。
程を示す図である。
【図３】図１に示すサージアブソーバの、中間の製造過
程を示す図である。
程を示す図である。
【図４】図１に示すサージアブソーバの、後半の製造過
程を示す図である。
程を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態のサージアブソーバの断
面を示す図である。
面を示す図である。
【図６】図５に示すサージアブソーバの、前半の製造過
程を示す図である。
程を示す図である。
【図７】図５に示すサージアブソーバの、中間の製造過
程を示す図である。
程を示す図である。
【図８】図５に示すサージアブソーバの、後半の製造過
程を示す図である。
程を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態のサージアブソーバの断
面を示す図である。
面を示す図である。
【図１０】図９に示すサージアブソーバの、前半の製造
過程を示す図である。
過程を示す図である。
【図１１】図９に示すサージアブソーバの、中間の製造
過程を示す図である。
過程を示す図である。
【図１２】図９に示すサージアブソーバの、後半の製造
過程を示す図である。
過程を示す図である。
１０，２０，３０ サージアブソーバ １１，２１，３１ サージアブソーバ素子 １２，２２，３２ 基盤 １３＿１，１３＿２ 放電電極 １４＿１，１４＿２，２４＿１，２４＿２，３４＿１，
３４＿２ リード線 １５，２５，３５ 不活性ガス １６，２６，３６ 容器 １７，２７，３７ 絶縁碍子 １８，２８，３８ 導体膜 １９，２９，３９ 絶縁膜 ２３＿１，２３＿２，３３＿１，３３＿２ キャップ電
極 ４０＿１，４０＿２ 電極膜
３４＿２ リード線 １５，２５，３５ 不活性ガス １６，２６，３６ 容器 １７，２７，３７ 絶縁碍子 １８，２８，３８ 導体膜 １９，２９，３９ 絶縁膜 ２３＿１，２３＿２，３３＿１，３３＿２ キャップ電
極 ４０＿１，４０＿２ 電極膜
Claims (4)
- 【請求項１】 柱状の基盤と、該基盤両端部に固着され
た一対の放電電極が、不活性ガス中に密封されてなるサ
ージアブソーバにおいて、 前記基盤が、柱状の絶縁性基体と、該絶縁性基体側面に
形成された導体膜と、該導体膜を覆う絶縁膜とを有する
ものであることを特徴とするサージアブソーバ。 - 【請求項２】 前記基盤が、前記絶縁性基体側面全周に
わたる前記導体膜及び前記絶縁膜を有するものであるこ
とを特徴とする請求項１記載のサージアブソーバ。 - 【請求項３】 前記基盤が、前記絶縁性基体側面の、周
回方向について一部分のみに形成された前記導体膜及び
前記絶縁膜を有するものであることを特徴とする請求項
１記載のサージアブソーバ。 - 【請求項４】 前記基盤が、該基盤両端部に形成された
電極膜を有し、前記放電電極が該基盤の該電極膜部分に
固着されてなることを特徴とする請求項１記載のサージ
アブソーバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12106897A JPH10312876A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | サージアブソーバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12106897A JPH10312876A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | サージアブソーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312876A true JPH10312876A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14802053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12106897A Pending JPH10312876A (ja) | 1997-05-12 | 1997-05-12 | サージアブソーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312876A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010041661A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 昭和電工株式会社 | 静電放電保護体 |
| KR101168814B1 (ko) | 2010-11-19 | 2012-07-25 | 스마트전자 주식회사 | 서지흡수장치 |
| US8717730B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing the same |
| US8760830B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device |
| JP2018535510A (ja) * | 2015-09-25 | 2018-11-29 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 過電圧保護デバイスおよび過電圧保護デバイスを製造するための方法 |
-
1997
- 1997-05-12 JP JP12106897A patent/JPH10312876A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010041661A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 昭和電工株式会社 | 静電放電保護体 |
| JPWO2010041661A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2012-03-08 | 昭和電工株式会社 | 静電放電保護体 |
| JP5314696B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2013-10-16 | 昭和電工株式会社 | 静電放電保護体 |
| US8625248B2 (en) | 2008-10-10 | 2014-01-07 | Showa Denko K.K. | Electrostatic discharge protector |
| US8717730B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing the same |
| US8760830B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device |
| KR101168814B1 (ko) | 2010-11-19 | 2012-07-25 | 스마트전자 주식회사 | 서지흡수장치 |
| JP2018535510A (ja) * | 2015-09-25 | 2018-11-29 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 過電圧保護デバイスおよび過電圧保護デバイスを製造するための方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031028 |