JP5649391B2 - Esd保護デバイス - Google Patents
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Description
しかしながら、この特許文献2のESD保護デバイスの場合にも、上記特許文献1のESD保護デバイスの場合と全く同様の問題点を有している。
しかしながら、このESD保護デバイスの場合、製造時の焼成工程において、セラミック多層基板中のガラス成分が放電補助電極に浸透し、放電補助電極の導電材料が過焼結状態となり、ショート不良が発生するという問題点がある。
ガラス成分を有するセラミック基材と、
前記セラミック基材の表面に、先端部が互いに間隔をおいて対向するように形成された一方側対向電極と他方側対向電極とを備えてなる対向電極と、
前記対向電極を構成する前記一方側対向電極と前記他方側対向電極のそれぞれと接続し、前記一方側対向電極から前記他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極と、
前記放電補助電極と前記セラミック基材との間に配設されたシール層と、
前記シール層と前記セラミック基材の界面に、前記シール層の構成材料と前記セラミック基材の構成材料とが反応することにより生成した反応生成物を含む反応層と
を具備し、
前記シール層の主要構成材料の概念的塩基度B1と、前記セラミック基材を構成する非晶質部の概念的塩基度B2との差ΔB(=B1−B2)が−0.09以上、1.33以下であり、
前記対向電極は、前記放電補助電極の少なくとも一部を覆うように形成されていること
を特徴としている。
ガラス成分を有するセラミック基材と、
前記セラミック基材の表面に、先端部が互いに間隔をおいて対向するように形成された一方側対向電極と他方側対向電極とを備えてなる対向電極と、
前記対向電極を構成する前記一方側対向電極と前記他方側対向電極のそれぞれと接続し、前記一方側対向電極から前記他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極と、
前記放電補助電極と前記セラミック基材との間に配設されたシール層と、
前記シール層と前記セラミック基材の界面に、前記シール層の構成材料と前記セラミック基材の構成材料とが反応することにより生成した反応生成物を含む反応層と
を具備し、
前記シール層の主要構成材料の概念的塩基度B1と、前記セラミック基材を構成する非晶質部の概念的塩基度B2との差ΔB(=B1−B2)が−0.09以上、1.33以下であり、
前記反応層の厚さは、1.6μm以上、43.6μm以下であること
を特徴としている。
第一のセラミックグリーンシートの一方主面上にシール層ペーストを印刷して未焼成のシール層を形成する工程と、
前記シール層の少なくとも一部を被覆するように放電補助電極ペ−ストを印刷して未焼成の放電補助電極を形成する工程と、
前記第1のセラミックグリーンシートの一方主面上に、対向電極ペーストを印刷して、それぞれが、前記放電補助電極の一部を覆うとともに、互いに間隔をおいて配設された一方側対向電極と他方側対向電極とを備える未焼成の対向電極を形成する工程と、
前記第1のセラミックグリーンシートの他方主面上に、第2のセラミックグリーンシートを積層して未焼成の積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成する工程と
を備え、
前記シール層と前記第1のセラミックグリーンシートとの界面に、前記シール層の構成材料と前記第1のセラミックグリーンシートの構成材料とが反応することにより生成した反応生成物を含む反応層が形成され、
前記シール層の主要構成材料の概念的塩基度B1と、前記セラミック基材を構成する非晶質部の概念的塩基度B2との差ΔB(=B1−B2)が−0.09以上、1.33以下であることを特徴とする方法により製造することができる。
図1は、本発明の一実施例にかかるESD保護デバイスの構造を模式的に示す断面図であり、図2は、本発明の一実施例にかかるESD保護デバイスの平面図である。
金属粒子としては、銅粉や、好ましくは表面を無機酸化物やセラミック成分にてコーティングした銅粉末などを用いることが可能である。また、セラミック成分には、特別の制約はないが、より好ましいセラミック成分として、セラミック基材の構成材料を含むもの(この場合、Ba−Si−Al系)、あるいは、SiCなどの半導体成分を含むものなどが例示される。
このシール層11は、例えば、アルミナなどのセラミック粒子からなる、ポーラスな層で、セラミック基材1に含まれているガラス成分や、焼成工程でセラミック基材1において生成するガラス成分を吸収保持(トラップ)して、ガラス成分が放電補助電極3に流入することを抑制、防止して、放電補助電極部が過焼結となることによるショート不良の発生を抑制する機能を果たす。
(1)セラミックグリーンシートの作製
セラミック基材1の材料となるセラミック材料として、Ba、Al、Siを主たる成分とする材料を用意する。
そして、各材料を所定の組成になるよう調合し、800〜1000℃で仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得る。
このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合した後、さらにバインダー、可塑剤を加え、混合することによりスラリーを作製する。
このスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを作製した。
また、一対の対向電極2a,2bを形成するための対向電極ペーストとして、平均粒径約2μmのCu粉80重量%と、エチルセルロースなどからなるバインダー樹脂を調合し、溶剤を添加して3本ロールにより撹拌、混合することにより対向電極ペーストを作製した。なお、上記のCu粉の平均粒径とは、マイクロトラックによる粒度分布測定から求めた中心粒径(D50)をいう。
さらに、放電補助電極3を形成するための放電補助電極ペーストとして、表面が5重量%の酸化アルミニウムでコートされた平均粒径約3μmのCu粉と、平均粒径約0.5μmの炭化ケイ素粉末と、エチルセルロースとターピネオールとからなる有機ビヒクルとを配合し、3本ロールにより撹拌、混合することにより放電補助電極ペーストを作製した。なお、Cu粉と炭化ケイ素粉末との混合比率は、体積比率で80/20となるように調整した。
この実施例では、シール層ペーストとして、無機酸化物と有機ビヒクルとを含む複数種類のペーストを用意した。
酸化物融体の塩基度は、対象とする系の組成から計算で求まる平均的な酸素イオン活量(概念的塩基度)と、化学反応など外部から与えられた刺激の応答(酸化・還元電位測定、光学スペクトル測定等)を測定して得られる酸素イオン活量(作用点塩基度)に大別できる。
すなわち、酸化物(無機酸化物)MiOのMi−O間の結合力は、陽イオンと酸素イオン間の引力で表すことができ、下記の式(1)で表される。
Ai:陽イオン−酸素イオン間引力、
Zi:i成分陽イオン価数、
ri:i成分陽イオン半径(Å)、
ここで、酸素供与能力を観念的に、かつ、定量的に取り扱うために、得られたBi 0値を指標化する。
Bi=(Bi 0−BSiO2 0)/(BCaO 0−BSiO2 0) ……(3)
なお、指標化時には、CaOのBi値を1.000(Bi 0=1.43)、SiO2のBi値を0.000(Bi 0=0.41)と定義する。
まず、図3に示すように、第1のセラミックグリーンシート101にシール層ペーストを塗布して未焼成のシール層111を形成する。
なお、この実施例では、焼成後の段階において、一方側対向電極2aおよび他方側対向電極2bの幅Wが100μm、放電ギャップ10の寸法Gが30μmとなるようにした。
なお、シール層ペーストをはじめとして、各ペーストは直接塗布対象上に塗布してもよく、また、転写工法など他の方法で塗布してもよい。
上述のようにして、シール層ペースト、放電補助電極ペースト、対向電極ペーストの順で各ペーストを塗布した第1のセラミックグリーンシートの非印刷面側に、ペーストが塗布されていない第2のセラミックグリーンシートを複数枚数積層し、圧着することにより積層体を形成した。なお、ここでは、焼成後の厚みが0.3mmになるように積層体を形成した。
得られた積層体を所定の寸法にカットした後、N2/H2/H2Oを用いて雰囲気制御した焼成炉にて、最高温度980〜1000℃の条件で焼成した。その後、焼成済みのチップ(試料)の両端に外部電極ペーストを塗布し、さらに雰囲気制御した焼成炉にて焼き付けることにより、図1および2に示すような構造を有するESD保護デバイスを得た。
また、比較のため、シール層を備えていないESD保護デバイス(表5の試料番号11の試料)を作製した。
なお、本実施例では述べていないが、耐候性を向上させる目的で、焼成後のESD保護デバイスの放電ギャップ上に保護膜を形成してもよい。保護膜の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、アルミナやシリカなどの酸化物粉末と、熱硬化性エポキシ樹脂や熱硬化性シリコン樹脂などの熱硬化性樹脂からなるものを挙げることができる。
次に、上述のようにして作製した各ESD保護デバイス(試料)について、以下の方法で各特性を調べた。
試料を厚み方向に沿って切断し、切断面を研磨した後、シール層と、セラミック基材との界面をSEM、およびWDXにて観察し、前記界面に形成されている反応層の厚みを調べた。
8kV×50ショット、20kV×10ショットの2条件で各試料に電圧を印加し、logIR>6Ωの試料については、ショート特性が良好(○)と評価し、電圧の連続印加中に一度でもlogIR≦6Ωとなった試料についてはショート特性が不良(×)と評価した。
IECの規格、IEC61000−4−2に基づき、8kVの接触放電にて、ピーク電圧値:Vpeak、および波頭値から30ns後の電圧値:Vclampを測定した。印加回数は、各試料20回とした。
Vpeak_max≦900Vの試料をVpeakが良好(○)と評価し、Vclamp_max≦100Vとなる試料をVclampが良好(○)と評価した。
ショート:8kV×100ショット
Vclamp:8kV×1000ショット
の負荷をかけ、全測定結果がlog IR>6、Vclamp_max≦100Vとなる試料を繰り返し特性が良好(○)と評価した。
焼き上がった製品の外観を目視観察、また断面研磨後の製品を顕微鏡観察し、割れが発生していない試料を良好(○)と評価した。また、基板反りについては、水平板上に製品を置き、中央部や端部に浮きが存在していないものを良好(○)と評価した。
上述のようにして特性を評価した結果を表6に示す。
なお、シール層を設けていない試料番号11の試料においては、反応層は確認されなかった。
なお、放電補助電極が過焼結になると、Cu粉どうしが近接し、ESD印加時にCu粉どうしが融着してショート不良を起こしやすくなる。
ただし、シール層を備えていない試料番号11の試料の場合、Vpeak、Vclampについては必要な特性が得られたが、ショート特性に関しては連続印加中にショートが発生するものが見られた。
(a)放電補助電極とセラミック基材間に配設されたシール層によりセラミック基材から放電補助電極に浸入しようとするガラス成分をトラップして、放電補助電極が過焼結になることによるショート不良の発生を抑制することができる、
(b)シール層とセラミック基材の界面に、シール層の構成材料とセラミック基材の構成材料とが反応することにより生成した反応生成物を含む反応層が形成されることにより、シール層とセラミック基材間の密着性が確保され、信頼性が向上する、
(c)シール層の主要構成材料の塩基度B1と、セラミック基材を構成する非晶質部の塩基度B2との差ΔB(=B1−B2)が1.4以下になるように設計することにより、シール層とセラミック基材の過剰反応が抑制され、結果として、放電補助電極の過焼結を抑制できる
などの特有の作用効果を奏するESD保護デバイスが得られることが確認された。
2 対向電極
2a 対向電極を構成する一方側対向電極
2b 対向電極を構成する他方側対向電極
3 放電補助電極
5a,5b 外部電極
10 放電ギャップ部
11 シール層
101 第1のセラミックグリーンシート
102a 未焼成の一方側対向電極
102b 未焼成の他方側対向電極
103 未焼成の放電補助電極
110 ギャップ部
111 未焼成のシール層
W 対向電極の幅
G 放電ギャップ部の寸法
Claims (5)
- ガラス成分を有するセラミック基材と、
前記セラミック基材の表面に、先端部が互いに間隔をおいて対向するように形成された一方側対向電極と他方側対向電極とを備えてなる対向電極と、
前記対向電極を構成する前記一方側対向電極と前記他方側対向電極のそれぞれと接続し、前記一方側対向電極から前記他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極と、
前記放電補助電極と前記セラミック基材との間に配設されたシール層と、
前記シール層と前記セラミック基材の界面に、前記シール層の構成材料と前記セラミック基材の構成材料とが反応することにより生成した反応生成物を含む反応層と
を具備し、
前記シール層の主要構成材料の概念的塩基度B1と、前記セラミック基材を構成する非晶質部の概念的塩基度B2との差ΔB(=B1−B2)が−0.09以上、1.33以下であり、
前記対向電極は、前記放電補助電極の少なくとも一部を覆うように形成されていること
を特徴とするESD保護デバイス。 - ガラス成分を有するセラミック基材と、
前記セラミック基材の表面に、先端部が互いに間隔をおいて対向するように形成された一方側対向電極と他方側対向電極とを備えてなる対向電極と、
前記対向電極を構成する前記一方側対向電極と前記他方側対向電極のそれぞれと接続し、前記一方側対向電極から前記他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極と、
前記放電補助電極と前記セラミック基材との間に配設されたシール層と、
前記シール層と前記セラミック基材の界面に、前記シール層の構成材料と前記セラミック基材の構成材料とが反応することにより生成した反応生成物を含む反応層と
を具備し、
前記シール層の主要構成材料の概念的塩基度B1と、前記セラミック基材を構成する非晶質部の概念的塩基度B2との差ΔB(=B1−B2)が−0.09以上、1.33以下であり、
前記反応層の厚さは、1.6μm以上、43.6μm以下であること
を特徴とするESD保護デバイス。 - 前記シール層は、前記セラミック基材を構成する元素の一部を含有していることを特徴とする請求項1または2記載のESD保護デバイス。
- 前記シール層は、主成分が酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のESD保護デバイス。
- 前記放電補助電極は、金属粒子と、セラミック成分とを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のESD保護デバイス。
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