JP5605413B2 - Esd保護デバイスとその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ESD保護デバイスとその製造方法に関する。
従来から、半導体装置や電子回路を静電気から保護するために、例えば特許文献1(WO2008/146514)に示すようなESD(Electro-Static Discharge;静電気放電)保護デバイスが用いられている。
図8に、特許文献1に示されたESD保護デバイス200の断面図を示す。
ESD保護デバイス200は、内部に空洞107を有するセラミック素体106を備えている。
空洞107内には、端面102a、104aが間隔Gを設けて対向する1対の放電電極層102、104が形成されている。
1対の放電電極層102、104およびその対向する領域109の下には、放電補助電極層103が形成されている。放電補助電極層103は、導体粒子および絶縁体材料を含んでいる。
セラミック素体106の表面上には、放電電極層102、104と電気的に接続された複数の外部電極112、112が形成されている。
ESD保護デバイス200の放電開始電圧は、放電電極層102、104の端面102a、104aの間隔Gを小さくすることにより、低下させることができる。
WO2008/146514
従来のESD保護デバイス200の製造方法においては、端面102a、104aが間隔Gを設けて対向する1対の放電電極層102、104は、例えばスクリーン印刷により形成されている。
しかしながら、スクリーン印刷は印刷位置精度が高くないため、端面102a、104aが狭い間隔Gで対向するように1対の放電電極層102、104を形成し、放電開始電圧が小さいESD保護デバイスを得ることが困難であった。
本発明の目的は、狭い間隔で対向する1対の放電電極層を備えた放電開始電圧が小さいESD保護デバイスと、その製造方法を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明のESD保護デバイスは、セラミック素体と、セラミック素体の内部に、間隔を設けて層状に対向するように配置された第1の放電電極層および第2の放電電極層と、セラミック素体の表面上に形成され、第1の放電電極層または第2の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極とを備え、第1の放電電極層および第2の放電電極層の端面が、第1の放電電極層と第2の放電電極層の間のセラミック素体の表面に対して突出しており、第1の放電電極層および第2の放電電極層の突出した端面を覆うように、セラミック素体の表面上に、導体粒子および絶縁体材料を含む保護膜が形成されていることを特徴とする。
また、本発明のESD保護デバイスの製造方法は、複数枚の第1のセラミックグリーンシートを準備する工程と、少なくとも1枚の第2のセラミックグリーンシートを準備する工程と、第2のセラミックグリーンシートよりも焼成収縮率が小さい放電電極層形成用ペーストを準備する工程と、複数枚の第1のセラミックグリーンシートのうち、所定のものの一方主面上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第1の放電電極層を形成する工程と、第1の放電電極層上に、少なくとも1枚の第2のセラミックグリーンシートを積層する工程と、第1の放電電極層上に積層された第2のセラミックグリーンシート上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第2の放電電極層を形成する工程と、第2の放電電極層上に、少なくとも1枚の第1のセラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより、積層体を形成する工程と、第1の放電電極層および第2の放電電極層の断面を含む面を分割面として、積層体を分割する工程と、分割された積層体を焼成する工程と、第1の放電電極層および第2の放電電極層の分割面を覆うように、積層体の表面上に、導体粒子および絶縁体材料を含む保護膜を形成する工程と、分割された積層体の表面上に、第1の放電電極層または第2の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、狭い間隔で対向する1対の放電電極層を備えた放電開始電圧が小さいESD保護デバイスを得ることができる。
図1(A)は、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の斜視図である。図1(B)は、ESD保護デバイス100の要部斜視図である。図1(C)は、ESD保護デバイス100の断面図であり、図1(A)のA−A線に対応する。 図2は、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法において適用する工程を示す斜視図である。 図3は、図2の続きであり、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法において適用する工程を示す要部斜視図である。 図4は、図3の続きであり、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法において適用する工程を示す要部斜視図である。 図5は、図4の続きであり、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法において適用する工程を示す要部斜視図である。 図6は、図5の続きであり、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法において適用する工程を示し、図6(A)は要部斜視図、図6(B)は図6(A)のA−A線に対応する断面図である。 図7は、図6の続きであり、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法において適用する工程を示し、図7(A)は斜視図、図7(B)は図7(A)のA−A線に対応する断面図である。 図8は、従来のESD保護デバイス200の断面図である。
以下において、図面とともに、本発明を実施するための形態の一例について説明する。
図1に、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100を示す。
ESD保護デバイス100は、図1(A)に示すように、第1のセラミックグリーンシート1、1、1および第2のセラミックグリーンシート3が積層および圧着されて一体となったセラミック素体6を備えている。セラミック素体6の材料には、例えばBa、Al、Siを中心とした各素材を混合してなるBAS材が用いられている。
セラミック素体6の内部には、図1(B)、(C)に示すように、間隔を設けて層状に対向して、Cu等からなる第1の放電電極層2および第2の放電電極層4が配置されている。第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の間には、セラミック素体6を構成する第2のセラミックグリーンシート3が形成されている。この第2のセラミックグリーンシート3の厚みを変化させることにより、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の間隔を制御することができる。
第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の端面2a、4aは、図1(B)、(C)に示すように、第1の放電電極層2と第2の放電電極層4の間のセラミック素体6の表面Dに対して突出している。第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の端面2a、4aおよび主面2b、4bが、図1(C)に示すように、最短距離では間隔Gで対向している。
セラミック素体6の表面D上には、図1(A)、(C)に示すように、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の突出した端面2a、4aを覆って、保護膜11が形成されている。保護膜11は、例えばAl等からなる導体粒子および、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁体材料を含んでいる。
セラミック素体6の表面上には、図1(A)に示すように、第1の放電電極層2または第2の放電電極層4と電気的に接続された、複数の外部電極12、12が形成されている。
上述した構造からなるESD保護デバイス100は、第1の放電電極層2の端面2a又は主面2bと、第2の放電電極層4の端面4a又は主面2bとの間の沿面放電や気中放電が生じることにより動作する。導体粒子を含む保護膜11は放電補助機能を持ち、ESD保護デバイス100の放電開始電圧を小さくする。
上述したように、ESD保護デバイス100は、図1(C)に示すように、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4それぞれの端面2a、4aおよび主面2b、4bが最短距離では間隔Gで対向している。後述する製造方法により、第2のセラミックグリーンシート3の厚みを小さく形成することができる。その結果、間隔Gを小さく設定でき、ESD保護デバイス100の放電開始電圧を小さくすることができる。
また、上述のように、第1の放電電極層2、第2の放電電極層4の端面2a、4aのみならず、第1の放電電極層2、第2の放電電極層4の主面2b、4bが対向している。そのため、第1の放電電極層2と第2の放電電極層4との対向面積が広くなり、ESD保護デバイス100の連続動作性を向上させることができる。
以下、図1〜図7を参照しながら、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイス100の製造方法の一例について説明する。
まず、セラミック素体6となる第1のセラミックグリーンシート1および第2のセラミックグリーンシート3と、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4となる放電電極層形成用ペーストを準備する。
Ba、Al、Siを中心とした各素材を所定の割合で調合、混合し、800〜1000℃で仮焼することにより、BAS材を形成する。BAS材は、例えば、BaをBaOに換算して4.0〜50.0wt%、AlをAlに換算して2.0〜60.0wt%、およびSiをSiOに換算して4.0〜70.0wt%含有している。得られたBAS材をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、平均粒径約1μmのBAS材からなる絶縁体材料を形成する。この絶縁体材料に、トルエンやエキネン等の有機溶媒を加え、混合する。その後、バインダー、可塑剤を加え、混合し、スラリーを形成する。
次に、スラリーをドクターブレート゛法により成形し、乾燥させることにより、厚み50μmの第1のセラミックグリーンシートを複数枚形成する。同様の方法により、厚み10μm等の第2のセラミックグリーンシートを少なくとも1枚形成する。第1のセラミックグリーンシートおよび第2のセラミックグリーンシートの焼成収縮率(焼成後寸法/焼成前寸法)は、スラリーの組成比率を上述するように制御したことにより、85%となっている。
また、粒径0.5〜1.0μmのアルミナ粉と平均粒径約2μmのCu粉を混合し、エチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、3本ロールで撹拌、混合することで、放電電極層形成用ペーストを形成する。なお、アルミナ粉とCu粒子を80wt%、バインダー樹脂と溶剤を20wt%の比率で混合する。また、アルミナ粉とCu粒子は、95vol%、5vol%の比率で混合する。放電電極層形成用ペーストの焼成収縮率は、上記の混合比率に制御することにより86〜90%となっている。この焼成収縮率は、第1のセラミックグリーンシート1および第2のセラミックグリーンシート3の焼成収縮率よりも小さくなるように設定されている。
次に、図2に示すように、複数枚の第1のセラミックグリーンシート1のうち、所定のものの一方主面上に、スクリーン印刷により放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第1の放電電極層2を形成する。第1の放電電極層2の厚みは、例えば10μmとする。
次に、図3に示すように、第1の放電電極層2上に、第2のセラミックグリーンシート3を積層する。なお、図3においては、第1の放電電極層2を実線、第1のセラミックグリーンシート1、第2のセラミックグリーンシート3を破線で示している(図4〜図6において同じ)。
次に、図4に示すように、第1の放電電極層2上に積層された第2のセラミックグリーンシート3上に、スクリーン印刷により放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第2の放電電極層4を形成する。第2の放電電極層4の厚みは、例えば10μmとする。
次に、図5に示すように、第2の放電電極層4上に、複数枚の第1のセラミックグリーンシート1(複数枚の第1のセラミックグリーンシート1を一体として図示)を積層し、圧着する。
次に、第1の放電電極層2が一方主面上に形成された第1のセラミックグリーンシート1の下面に、複数枚の第1のセラミックグリーンシート1(複数枚の第1のセラミックグリーンシート1を一体として図示)を積層し、圧着する。その結果、第1のセラミックグリーンシート1、1、1および第2のセラミックグリーンシート3からなるセラミック素体6を有する、厚み0.3mmの積層体10が形成される。
次に、図6(A)に示すように、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の断面を含む面を分割面Dとして、マイクロカッタを用いたカットにより、積層体10を分割する。分割された積層体10の大きさは、例えば1.0mm×0.5mm×0.3mmとする。分割面Dには、図6(B)に示すように、間隔Gで対向した第1の放電電極層2および第2の放電電極層4それぞれの端面2a、4aが露出する。
次に、分割された積層体10をN雰囲気中で焼成する。第1のセラミックグリーンシート1および第2のセラミックグリーンシート3の焼成収縮率を、放電電極層形成用ペーストの焼成収縮率よりも小さくしているため、図7に示すように、第1の放電電極層2、第2の放電電極層4の端面2a、4aが、第1の放電電極層2と第2の放電電極層4の間のセラミック素体6の分割面Dに対して突出する。その結果、第1の放電電極層2、第2の放電電極層4の端面2a、4aのみならず、第1の放電電極層2、第2の放電電極層4の主面2b、4bが、最短距離では間隔Gで対向することになる。
次に、図7に示すように、積層体10の表面上に導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、第1の放電電極層2または第2の放電電極層4と電気的に接続された複数の外部電極12、12を形成する。
次に、対向する第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の分割面D上に、Al等からなる導体粒子およびシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁体材料を含む材料を塗布することにより、完成図である図1に示すような保護膜11を形成する。
最後に、外部電極12、12上に、電解めっきにより、NiおよびSnからなる膜を形成することにより、ESD保護デバイス100を完成させる。
以上で示したESD保護デバイス100の製造方法によれば、スクリーン印刷の印刷厚み精度が高いため、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4間に膜厚の小さい第2のセラミックグリーンシート3を形成することができ、第1の放電電極層2と第2の放電電極層4の間隔Gを小さく設定することができる。
また、スクリーン印刷およびカットというコストの低い方法により、狭い間隔Gで対向する第1の放電電極層2および第2の放電電極層4を形成することができる。
また、積層体10をカットにより分割した後に焼成することのみで、第1の放電電極層2と第2の放電電極層4の間のセラミック素体6の表面Dに対して突出した第1の放電電極層2および第2の放電電極層4を形成することができる。
なお、本発明の実施形態にかかるESD保護デバイスおよびその製造方法は、上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
例えば、前記実施形態では、セラミック素体6に用いる材料には、Ba、Al、Siを中心とした各素材を混合してなるBAS材を用いているが、フォルステライトにガラスを加えたものや、CrZrOにガラスを加えたもの等を用いても良い。
また、放電電極層形成用ペーストに含まれる導体粒子の材料にCuを用いているが、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、Wや、これらの組み合わせでも良い。
また、放電電極層形成用ペーストをアルミナ粉、Cu粒子、バインダー樹脂および溶剤を混合することにより形成しているが、焼成収縮率を制御するために、さらにシリカやジルコニア等のセラミック材料を添加しても良い。
また、放電電極層形成用ペーストおよび第2のセラミックグリーンシート3それぞれの組成物および混合比率は、上述した内容に限られず、放電電極層形成用ペーストの焼成収縮率が第2のセラミックグリーンシート3よりも小さく設定されていれば、どのような内容でも良い。
また、図3に示すように、第1の放電電極層2上に第2のセラミックグリーンシート3を1枚積層しているが、複数枚積層しても良い。
また、図4に示すように、第2のセラミックグリーンシート3上にスクリーン印刷により第2の放電電極層4を形成しているが、第2の放電電極層4は転写により形成しても良い。
また、図3〜図5に示すように、第1の放電電極層2が形成された第1のセラミックグリーンシート1上に第2のセラミックグリーンシート3を積層し、その第2のセラミックグリーンシート3上に第2の放電電極層4を形成しているが、この形成の順番に限られない。
例えば、まず、第1の放電電極層2が形成された第1のセラミックグリーンシート1および、第2の放電電極層4が形成された第2のセラミックグリーンシート3をそれぞれ準備する。次に、第1のセラミックグリーンシート1上に第2のセラミックグリーンシート3を積層する。本発明の実施形態においては、以上に述べたような形成の順番でも良い。
他の例としては、まず、第1のセラミックグリーンシート1、第1の放電電極層2、第2のセラミックグリーンシート3が順に積層されてなる第1の積層体および、第2の放電電極層4、第1のセラミックグリーンシート1が積層されてなる第2の積層体をそれぞれ準備する。次に、第1の積層体上に、第2の積層体を積層する。本発明の実施形態においては、以上に述べたような形成の順番でも良い。
また、図6に示すように、1つの積層体10を2つの積層体10に分割しているが、親基板状態の積層体10を形成しておき、この積層体10を大量の積層体10に分割しても良い。
また、積層体10をN雰囲気中で焼成しているが、ArやNe等の希ガス雰囲気中で焼成しても良い。また、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4が酸化しない材料からなる場合には、大気雰囲気中で焼成しても良い。
また、同一のスラリーから第1のセラミックグリーンシート1および第2のセラミックグリーンシート3を形成しているが、異なる組成物又は混合比率からなるスラリーを用いて第1のセラミックグリーンシート1および第2のセラミックグリーンシート3を形成しても良い。
また、図1(C)に示すように、セラミック素体6のうち第1の放電電極層2および第2の放電電極層4が対向していない部分の表面に対して、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の端面2a、4aは突出しているが、当該表面Dに対して、端面2a、4aは同一の面に配置されても、凹んでいても良い。
この場合、第1のセラミックグリーンシートの焼成収縮率が、第1の放電電極層2および第2の放電電極層4の焼成収縮率と同一又は大きくなるように設定する。
1 第1のセラミックグリーンシート
2 第1の放電電極層
2a 第1の放電電極層の端面
2b 第1の放電電極層の主面
3 第2のセラミックグリーンシート
4 第2の放電電極層
4a 第2の放電電極層の端面
4b 第2の放電電極層の主面
6 セラミック素体
10 積層体
11 保護膜
12 外部電極
100 ESD保護デバイス
G 間隔
D 表面、分割面

Claims (2)

  1. セラミック素体と、
    前記セラミック素体の内部に、間隔を設けて層状に対向するように配置された第1の放電電極層および第2の放電電極層と、
    前記セラミック素体の表面上に形成され、前記第1の放電電極層または前記第2の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極とを備え、
    前記第1の放電電極層および前記第2の放電電極層の端面が、前記第1の放電電極層と前記第2の放電電極層の間の前記セラミック素体の表面に対して突出しており、
    前記第1の放電電極層および前記第2の放電電極層の突出した端面を覆うように、前記セラミック素体の表面上に、導体粒子および絶縁体材料を含む保護膜が形成されていることを特徴とするESD保護デバイス。
  2. 複数枚の第1のセラミックグリーンシートを準備する工程と、
    少なくとも1枚の第2のセラミックグリーンシートを準備する工程と、
    前記第2のセラミックグリーンシートよりも焼成収縮率が小さい放電電極層形成用ペーストを準備する工程と、
    前記複数枚の第1のセラミックグリーンシートのうち、所定のものの一方主面上に、前記放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第1の放電電極層を形成する工程と、
    前記第1の放電電極層上に、少なくとも1枚の前記第2のセラミックグリーンシートを積層する工程と、
    前記第1の放電電極層上に積層された前記第2のセラミックグリーンシート上に、前記放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第2の放電電極層を形成する工程と、
    前記第2の放電電極層上に、少なくとも1枚の前記第1のセラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより、積層体を形成する工程と、
    前記第1の放電電極層および前記第2の放電電極層の断面を含む面を分割面として、前記積層体を分割する工程と、
    分割された前記積層体を焼成する工程と、
    前記第1の放電電極層および前記第2の放電電極層の分割面を覆うように、前記積層体の表面上に、導体粒子および絶縁体材料を含む保護膜を形成する工程と、
    分割された前記積層体の表面上に、前記第1の放電電極層または前記第2の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極を形成する工程と、
    を備えていることを特徴とするESD保護デバイスの製造方法。
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