JP2017123456A - チップ抵抗素子 - Google Patents

Abstract

【課題】下部に位置した抵抗保護層からの剥離を防止すると共に、外部電極となるメッキ層を容易に形成可能なチップ抵抗素子を得る。【解決手段】当該チップ抵抗素子は、互いに対向する第１面及び第２面を有する絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、抵抗層を間に挟む形で上記抵抗層と接続された第１及び第２内部電極と、抵抗層を覆い、第１及び第２内部電極の一部に延びた抵抗保護層と、抵抗保護層の一部と重なるように第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、導電性粉末と樹脂を含む第１電極保護層及び第２電極保護層と、第２電極保護層を覆うように第１及び第２内部電極上に配置され、抵抗保護層に接続される第１及び第２外部電極とを含み、第２電極保護層の樹脂含量比は第１電極保護層の樹脂含量比より低い。【選択図】図１

Description

本発明は、チップ抵抗素子に関するものである。

通常、チップ抵抗素子は、外部環境で長期間用いられる場合、内部電極などの劣化しやすい箇所で望ましくない化学反応が起こって、素子の信頼性が低下したり、必要な素子性能を維持できなくなったりすることがある。例えば、内部電極に通常用いられる銀（Ａｇ）などの金属は硫化しやすいため、望ましくない反応生成物（例えば、Ａｇ_２Ｓ）が形成され、さらには断線を起こす恐れもある。

従来は、このような問題を解決するために、内部電極を別のもので代替する手法や内部電極保護層を導入する手法などが提案されていたが、これらの手法では、優れた導電性を確保しにくいだけでなく、良好なメッキ特性が得られずに外部電極となるメッキ層が形成されにくいという問題や、下部構造との接着力が低下して下部構造から剥離してしまうという問題があった。ここで、良好なメッキ特性とは、例えば、以下のような材料特性を意味するものであってもよい。すなわち、メッキ処理により充分な厚みのメッキ層を均質に形成可能であり、その結果、下部構造との強固な接着状態を維持可能な表面状態を実現することができる特性であってもよい。

特開２００４−２５９８６４号公報

本発明の一実施形態の目的は、良好なメッキ特性が得られ、下部構造との強い接着力を維持可能な電極保護層を有するチップ抵抗素子を提供することにある。

本発明の一実施形態は、互いに対向するように位置した第１面及び第２面を有する絶縁基板と、上記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、上記絶縁基板の第１面の両側部の一方と他方にそれぞれ接するように配置され、上記抵抗層に接続された第１及び第２内部電極と、上記抵抗層を覆い、上記第１及び第２内部電極の一部まで延在するように設けられる抵抗保護層と、上記抵抗保護層の一部と重なるように上記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、第１導電性粉末と樹脂を含む第１電極保護層と、上記第１電極保護層上にそれぞれ配置され、第２導電性粉末と樹脂を含み、上記第１電極保護層の樹脂含量比より低い樹脂含量比を有する第２電極保護層と、上記第２電極保護層を覆うように上記第１及び第２内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に接続される第１及び第２外部電極と、を含むチップ抵抗素子を提供する。

一例において、上記第１電極保護層は、上記第１導電性粉末を第１重量比で含有し、上記第２電極保護層は、上記第２導電性粉末を上記第１重量比より大きい第２重量比で含有することができる。

一例において、上記第２導電性粉末は、上記第１導電性粉末の粒度（ｄ５０）よりも大きい粒度を有することができる。

一例において、上記第１電極保護層の樹脂含有量が全体重量に占める重量パーセンテージは、９５〜９９ｗｔ％の範囲内となるようにすることができる。この場合、上記第１導電性粉末は全体重量に対する重量パーセンテージで１〜５ｗｔ％のカーボンナノチューブを含むことができる。

一例において、上記第２電極保護層の樹脂含有量が全体重量に占める重量パーセンテージは、３〜１０ｗｔ％の範囲内となるようにすることができる。この場合、上記第２導電性粉末は全体重量に対する重量パーセンテージで９０〜９７ｗｔ％のＣｕＮｉ合金粉末を含むことができる。上記第２導電性粉末はカーボンナノチューブをさらに含むことができる。

本発明の一実施形態は、絶縁基板と、上記絶縁基板の上面に配置された抵抗層と、上記絶縁基板の上面の両側端の一方と他方にそれぞれ接するように配置され、上記抵抗層に接続された第１及び第２上面電極と、上記抵抗層を覆い、上記第１及び第２上面電極の一部にまでそれぞれ延在するように設けられている抵抗保護層と、上記絶縁基板の両側面に配置され、上記第１及び第２上面電極にそれぞれ接続された第１及び第２側面電極と、上記抵抗保護層の一部と重なるように上記第１及び第２上面電極上にそれぞれ配置され、第１導電性粉末と樹脂を含む第１電極保護層と、上記第１電極保護層上にそれぞれ配置され、第２導電性粉末と樹脂を含み、上記第１電極保護層の樹脂含量比より低い樹脂含量比を有する第２電極保護層と、上記第１及び第２側面電極上にそれぞれ配置され、上記第２電極保護層を覆う形で延在するように設けられている第１及び第２外部電極と、を含むチップ抵抗素子を提供する。

本発明の一実施形態は、抵抗層と、上記抵抗層に接続された内部電極と、上記抵抗層上に配置され、上記内部電極に接続された抵抗保護層と、上記内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に接続された電極保護層と、上記電極保護層上に配置された外部電極と、を含むチップ抵抗素子を提供する。上記電極保護層は、上記内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に接続された第１電極保護層と、上記第１電極保護層上に配置され、上記外部電極が配置された上面を有する第２電極保護層と、を含み、上記第１及び第２電極保護層はそれぞれ樹脂を含み、上記第１電極保護層は上記第２電極保護層より大きい樹脂含量比を有するように形成される。

本発明の一実施形態は、絶縁基板と、上記絶縁基板上において互いに分離されて配列された複数の抵抗部と、を含み、上記複数の抵抗部のそれぞれは、上記絶縁基板の一面に配置された抵抗層と、上記絶縁基板の上記一面に配置された上記抵抗層に接続された内部電極と、上記抵抗層上に配置され、上記内部電極に接続された抵抗保護層と、上記内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に接続された電極保護層と、上記電極保護層上に配置された外部電極と、を含むチップ抵抗素子を提供する。上記各抵抗部の上記電極保護層は、上記内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に接続された第１電極保護層と、上記第１電極保護層上に配置され、上記外部電極が配置された上面を有する第２電極保護層と、を含み、上記第１及び第２電極保護層はそれぞれ樹脂を含み、上記第１電極保護層は上記第２電極保護層より大きい樹脂含量比を有するように形成される。

本発明の一実施形態は、絶縁基板の一面上に互いに分離された第１及び第２内部電極を形成する段階と、上記絶縁基板の上記一面において上記第１及び第２内部電極の間に上記第１及び第２内部電極と接続されるように抵抗層を形成する段階と、上記抵抗層を覆う抵抗保護層を形成する段階と、上記抵抗保護層に接続されるように上記第１及び第２内部電極上に電極保護層を形成する段階と、上記電極保護層を覆い、且つ上記抵抗保護層に接続されるようにして、上記第１及び第２内部電極上にそれぞれ第１及び第２外部電極を形成する段階と、を含むチップ抵抗素子の製造方法を提供する。上記電極保護層を形成する段階は、上記抵抗保護層に接続されるように上記第１及び第２内部電極上に第１電極保護層を形成する段階と、上記第１電極保護層上に上記第１及び第２外部電極が配置された上面を有する第２電極保護層を形成する段階と、を含み、上記第１及び第２電極保護層は、それぞれ樹脂を含むように形成され、上記第１電極保護層は上記第２電極保護層より大きい樹脂含量比を有するように形成される。

本実施形態によると、樹脂含量比が層毎に異なる多層構成の電極保護構造を導入することで、下部に位置した抵抗保護層からの剥離を防止するとともに、外部電極を構成するためのメッキ層を容易に形成することが可能なチップ抵抗素子およびその製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す側断面図である。 図１に図示されたチップ抵抗素子を示す上部平面図である。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子に採用可能な第１電極保護層のＳＥＭ写真である。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子に採用可能な第１電極保護層の模式図である。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子に採用可能な第２電極保護層のＳＥＭ写真である。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子に採用可能な第２電極保護層の模式図である。 図１に図示された抵抗素子が実装基板に搭載された抵抗素子アセンブリーを示す斜視図である。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す側断面図である。 図６に図示されたチップ抵抗素子を示す上部平面図である。 本発明による実施例１と比較例によるチップ抵抗素子の耐硫化特性を比較するグラフである。 本発明による実施例２（合金比率の変化）によるチップ抵抗素子の耐硫化特性を比較するグラフである。 本発明による実施例２（ＣＮＴ追加量の変化）によるチップ抵抗素子の耐硫化特性を比較するグラフである。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す斜視図である。 図１１に図示されたチップ抵抗素子を示す側断面図である。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。

図１は、本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す斜視図であり、図２は、図１に図示された抵抗素子をＩ−Ｉ'線に沿って切断して見た場合の側方断面図である。

図１及び図２を参照すると、本実施形態によるチップ抵抗素子１０は、絶縁基板１１と、抵抗層１５と、第１及び第２内部電極１２、１３と、第１及び第２外部電極１８、１９と、を含む。上記チップ抵抗素子１０は、上記抵抗層１５を保護するための抵抗保護層１６と、上記第１及び第２内部電極１２、１３を保護するための電極保護層１７と、をさらに含む。図１に示すように、上記第１及び第２外部電極１８、１９は、それぞれ第１メッキ層１８ａ、１９ａ及び第２メッキ層１８ｂ、１９ｂを有していてもよい。例えば、上記第１及び第２メッキ層（１８ａ、１９ａ及び１８ｂ、１９ｂ）はＮｉメッキ層及びＳｎメッキ層であってもよい。

上記絶縁基板１１はその一面に配置された抵抗層１５を含む。上記絶縁基板１１は、比較的薄い抵抗層１５を支持し、外部からの作用力に対するチップ抵抗素子１０の耐久性を確保することができる。上記絶縁基板１１は熱伝導性に優れた材質からなることができる。上記絶縁基板１１は、使用時に抵抗層１５で生じた熱を外部に向けて効果的に放出することができる。例えば、上記絶縁基板１１の素材としては、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などのセラミック材またはポリマー基材を用いることができる。特定例において、上記絶縁基板１１は、薄い板状のアルミニウムの表面をアノダイジング（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）処理することで得られたアルミナ基板として形成することができる。

上記第１及び第２内部電極１２、１３は上記絶縁基板の両側に配置される。上記抵抗層１５は、上記第１及び第２内部電極１２、１３に接続されるように上記絶縁基板１１の一面に配置される。上記抵抗層１５の素材としては、種々の金属または合金や、酸化物などの化合物を用いることができる。上述した合金や酸化物は、例えば、ＣｕＮｉ系合金、ＮｉＣｒ系合金、Ｒｕ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｎ及びＭｎ系合金の少なくとも一つを含むことができる。上記抵抗層１５は、ペースト状の材料として製造されて所望の領域に印刷されることができる。

上記第１及び第２内部電極１２、１３は、上記抵抗層１５に接続され、上記絶縁基板１１の上面（「第１面」ともいう）に配置された上面電極１２ａ、１３ａを含む。上記第１及び第２内部電極１２、１３は、上面電極１２ａ、１３ａを含むだけでなく、外部電極１８、１９が形成される領域にさらに形成された内部電極をも含むことができる。また、本実施形態によれば、上記第１及び第２内部電極１２、１３は、上記絶縁基板１１の両側面に配置された側面電極１２ｂ、１３ｂをさらに含むことができる。図１に示すように、上記側面電極１２ｂ、１３ｂは、上記絶縁基板１１の第１面と対向するように位置した第２面まで延在させることができる。

上記第１及び第２内部電極１２、１３は、導電性ペーストを用いた印刷工程（印刷後焼成）または蒸着工程により形成することができる。上記第１及び第２内部電極１２、１３は、それぞれ第１及び第２外部電極１８、１９のためのメッキ工程でシード（ｓｅｅｄ）として用いられることができる。例えば、上記第１及び第２内部電極１２、１３を形成する素材は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）の少なくとも一つを含むことができる。上記内部電極１２、１３は、その形成位置に応じて異なる物質で形成されることができる。例えば、第１及び第２上面電極１２ａ、１３ａは、上記抵抗層１５と直接接続されるため、高い導電性を確保するためにＡｇなどの高い伝導性を有する成分を含有し、側面電極１２ｂ、１３ｂは、ＮｉまたはＰｄなどの成分を素材として含有することができる。

上記抵抗保護層１６は、図２に示すように上記抵抗層１５を覆うように配置され、上記抵抗層１５を外部の衝撃から保護することができる。例えば、上記抵抗保護層１６の素材は、シリコン（ＳｉＯ_２）やガラス（ｇｌａｓｓ）またはポリマーを含むことができる。本実施形態において、上記抵抗保護層１６は２層構造からなり、上記抵抗層１５上に順に積層された第１抵抗保護層１６ａと第２抵抗保護層１６ｂを含む。上記第１抵抗保護層１６ａは、トリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）処理工程を行う前に配置され、トリミング処理過程においてレーザーなどによってトリミング対象外の領域が損傷することを防止することができる。上記第２抵抗保護層１６ｂは、トリミング工程の後に配置され、チップ抵抗素子を実際に使用する過程において外部から受けた衝撃から上記抵抗層１５を保護することができる。例えば、上記第１抵抗保護層１６ａはガラス系物質を素材として含み、上記第２抵抗保護層１６ｂはポリマーの樹脂（ｒｅｓｉｎ）を素材として含有することができる。

図１及び図２に示すように、上記電極保護層１７は、上記抵抗保護層１６の一部と重なり合うように上記第１及び第２内部電極１２、１３上にそれぞれ配置されることができる。上記電極保護層１７は、上記第１及び第２内部電極１２、１３が外部に露出することによる損傷から上記第１及び第２内部電極１２、１３を保護する役割を担う。例えば、上記第１及び第２内部電極１２、１３のうち上面電極１２ａ、１３ａはＡｇを含有することができるが、このＡｇが外部の大気中に含まれる硫黄成分に接触するとＡｇ_２Ｓなどの硫化物が形成されやすく、これにより、深刻な断線不良が発生し得る。

本実施形態で採用された電極保護層１７は２層構造を有する。上記電極保護層１７は、上記第１及び第２内部電極１２、１３上にそれぞれ配置された第１電極保護層１７ａと、上記第１電極保護層１７ａ上にそれぞれ配置された第２電極保護層１７ｂと、を含む。上記第１及び第２電極保護層１７ａ、１７ｂは、それぞれ第１及び第２導電性粉末が含有された樹脂から形成することができ、互いに異なる樹脂含量比を有する。具体的には、上記第２電極保護層１７ｂは、上記第１電極保護層１７ａの樹脂含量比より低い樹脂含量比を有するように形成することができる。

上記電極保護層１７は、電極の一部を構成する部材として十分な導電性を有するだけでなく、その下部に位置した層（すなわち、内部電極１２、１３と抵抗保護層１６）との間で強固な結合状態を実現する必要があると共に、その上部の表面に第１及び第２外部電極１８、１９を形成するために、良好なメッキ特性を有する表面状態を実現する必要がある。

上記第１電極保護層１７ａは、上記第１電極保護層１７ｂよりも相対的に高い樹脂含量を有するため、類似の成分（例えば、樹脂）を有する抵抗保護層１６との高い接合力を実現することができる。したがって、上記第１電極保護層１７ａは、上記抵抗保護層１６との界面付近の領域Ａに対して硫化性の腐食性物質が浸透する経路を効果的に遮断することで、上記第１及び第２内部電極１２、１３を効果的に保護することができる。

上記第２電極保護層１７ｂは、上記第１電極保護層１７ａよりも相対的に低い樹脂含量を有し、且つ高い含量比で第２導電性粉末を含むように形成することができる。したがって、上記第２電極保護層１７ｂの上部に位置する第１及び第２外部電極１８、１９を形成するためのメッキ処理工程を円滑に行うことが可能となる。

このように、本実施形態で採用された電極保護層１７は、少なくとも２層から成る構造に区分され、各層毎に樹脂の含量（または導電性粉末の含量）を異ならせることで、相反する特性要求（例えば、強い接着力と良好なメッキ特性）を両立させる形で満たすことができる。

図３ａ及び図４ａは上記第１及び第２電極保護層１７ａ、１７ｂの一例を撮影したＳＥＭ写真であり、内部構成を模式してそれぞれ図３ｂ及び図４ｂに示した。

先ず、図３ａ及び図３ｂを参照すると、第１電極保護層１７ａは、第１導電性粉末としてカーボンナノチューブＣ１を含有する樹脂Ｅ１を含んで形成されている。例えば、上記第１電極保護層１７ａを形成する素材である樹脂Ｅ１としては、エポキシ、シリコン樹脂、またはそれらの組み合わせを用いることができる。

電極保護層を形成する素材としてカーボンナノチューブＣ１を用いることで、樹脂含量比を高めながらも所望の導電性を容易に確保することができる。これに限定されないが、上記第１電極保護層１７ａを形成する樹脂Ｅ１が全体重量に占める含量比は、重量パーセンテージで表した場合に９５〜９９ｗｔ％の範囲内となるようにすることができる。また、上記カーボンナノチューブＣ１の含有量が全体重量に占める重量パーセンテージは、１〜５ｗｔ％の範囲内となるようにすることができる。上記第１電極保護層１７ａは、第１電極保護層１７ａの形成材料とするためのペーストを製造した後に、当該ペーストを印刷することで形成することができる。このような作業性を考慮して、カーボンナノチューブの長さは１ｍｍ〜５ｍｍを範囲内とする（とするか）、カーボンナノチューブの直径を５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内とすることが可能である。

図４ａ及び図４ｂを参照すると、第２電極保護層１７ｂは、第２導電性粉末として銅−ニッケル（ＣｕＮｉ）合金粉末Ｐを含有する樹脂Ｅ２を含んで形成される。例えば、上記第２電極保護層１７ｂを形成する素材である樹脂Ｅ２としては、エポキシ、シリコン樹脂、またはその組み合わせを用いることができる。上記第２電極保護層１７ｂを形成する素材である樹脂Ｅ２は、上記第１電極保護層１７ａを形成する素材である樹脂Ｅ１と同一の樹脂とすることが可能である。

良好なメッキ特性を十分に確保するために、樹脂Ｅ２に含まれるＣｕＮｉ合金粉末Ｐの含有比率は、重量パーセンテージで表した場合に９０〜９７ｗｔ％の範囲内とすることができる。上記第２電極保護層１７ｂを形成する樹脂Ｅ２にＣｕＮｉ合金粉末Ｐが含まれる量は、ＣｕＮｉ合金粉末Ｐが結束された状態を維持しながら第１電極保護層１７ａと接着可能な程度に、できるだけ少なくするべきである。例えば、上記第２電極保護層１７ｂを形成する樹脂Ｅ２におけるＣｕＮｉ粉末の含量比は３〜１０ｗｔ％の範囲内となるようにすることができる。ＣｕＮｉ粉末が表面に現れ、良好なメッキ特性が得られるように、ＣｕＮｉ合金粉末Ｐの平均粒度（ｄ５０）は２μｍ〜３０μｍの範囲内となるようにすることができる。このような好ましい粒度条件は、ＣｕＮｉ合金粉末以外の他の導電性粉末にも同様に適用することができる。

ＣｕＮｉ合金粉末Ｐは、耐硫化特性に優れており安定的な化合物であるが、Ａｇなどの金属に比べてやや低い導電性を有する。これを補完するために、ＣｕＮｉ合金粉末に含まれるＮｉの重量比を２０ｗｔ％以上、さらには５０ｗｔ％以上となるように調節することで導電性を高めることができる。また、本実施形態のように、上記第２電極保護層１７ｂに少量のカーボンナノチューブＣ２をさらに含ませることができる。例えば、カーボンナノチューブＣ２は、全体重量に対して１〜５ｗｔ％の含有比率で含有させることができる。以下、このような内容について、図９及び図１０を参照してさらに詳細に説明する。

本実施形態で採用可能な第１及び第２電極保護層１７ａ、１７ｂは、様々な構成の組み合わせを有することができる。また、上記第１及び第２導電性粉末は、カーボンナノチューブまたはＣｕＮｉ合金の他にも、Ａｇより化学的安定性に優れた物質からなる他の導電性粉末を含むことができる。例えば、上記第１及び第２導電性粉末を形成する物質は、他のＣｕ系またはＮｉ系合金、ＡｇＰｄのようなＰｄ系合金などを含むことができる。上記第１及び第２導電性粉末は、上述の例のように互いに異なる物質または互いに異なる物質の組み合わせで構成することができるが、同一の物質で構成した上で、粒度または含量などの他の条件を調節することで、所望の特性を持った第１及び第２電極保護層１７ａ、１７ｂを形成するための条件を満たすことができる。これは図６を参照して詳細に説明する。

図６は、図７に図示された抵抗素子をＩＩ−ＩＩ'線に沿って切断して見た場合の側方断面図である。上記第１電極保護層１７ａを形成する樹脂は、上述した樹脂に限定されるものではないが、上記第２電極保護層１７ｂを形成する樹脂と同一の物質を含むことができる。上記第２抵抗保護層１６ｂは上記第１電極保護層１７ａの樹脂と同一の樹脂を含んで形成することができる。例えば、上記第１及び第２電極保護層１７ａ、１７ｂを形成する樹脂と上記第２抵抗保護層１６ｂを形成する樹脂は、全てエポキシ樹脂を含むことができる。

図５は、図１に図示された抵抗素子が実装基板上に搭載された状態の抵抗素子アセンブリーを示す斜視図である。

図５を参照すると、本実施形態によるチップ抵抗素子アセンブリー１００は、図１に図示されたチップ抵抗素子１０と、上記チップ抵抗素子１０が実装された回路基板１１０と、を含む。

上記回路基板１１０は、素子実装領域において第１及び第２電極パッド１１８、１１９を含んでいる。上記第１及び第２電極パッド１１８、１１９とは、上記回路基板１１０上に実現された回路パターンと電気的に接続され、素子の実装のために提供されるランドパターンを指す。上記第１及び第２外部電極１８、１９は、半田１２０を介して第１及び第２電極パッド１１８、１１９と電気的に接続することができる。

図５に示すように、上記チップ抵抗素子１０は、抵抗層１５が形成された面（図５では、抵抗保護層１６で表示されている）が上側を向くように実装することができる。この場合、外部の大気に露出しやすいため内部電極が硫化しやくなってしまうが、上述のように、樹脂含量比の高い第１電極保護層１７ａの働きにより高い密着力で外部からの硫化性物質の浸透を遮断することができ、第２電極保護層１７ｂの働きにより外部電極１８、１９を形成するのに十分良好なメッキ特性が保証されるため、耐硫化特性とメッキ特性に優れたチップ抵抗素子及びアセンブリー製品を提供することができる。

図６は本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子の構造を側方断面図で表したものである。

図６に図示されたチップ抵抗素子１０Ａは、電極保護層１７'の構成態様、トリミング工程の適用の有無、及び内部電極１２'の形成方法のみが異なっており、それ以外の点では図１及び図２に図示されたチップ抵抗素子１０と類似の構成を有すると理解することができる。本実施形態の構成要素のうち、図１及び図２に図示された実施形態と同一または類似の構成要素については、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、図１及び図２に図示されたチップ抵抗素子１０の各構成要素についての説明を参照して理解されることができる。

上記電極保護層１７'は、樹脂含量比が互いに異なる第１及び第２電極保護層１７ａ'、１７ｂ'を含む。上記第１電極保護層１７ａ'は第１導電性粉末を第１重量比で含有し、上記第２電極保護層１７ｂ'は第２導電性粉末を上記第１重量比より大きい第２重量比で含有するように形成することができる。

本実施形態において、上記第１導電性粉末と上記第２導電性粉末は、両方ともＣｕＮｉ合金などの合金粉末Ｐ１、Ｐ２を含むことができる。上記第２電極保護層１７ｂ'を形成する合金粉末Ｐ２は、上記第１電極保護層１７ａ'を形成する合金粉末の粒度ｄ２よりも大きい粒度ｄ１を有するようにすることができる。上記第１及び第２電極保護層１７ａ'、１７ｂ'の導電性を確保するために、上記第１及び第２電極保護層１７ａ'、１７ｂ'は、カーボンナノチューブＣをさらに含んで形成することができる。

上記第１電極保護層１７ａ'の全体重量に占める樹脂含量比は重量パーセンテージで９５〜９９ｗｔ％の範囲内となるようにし、上記第２電極保護層１７ｂ'の全体重量に占める樹脂含量比は重量パーセンテージで３〜１０ｗｔ％の範囲内となるようにすることができる。しかしながら、本発明の実施に際して、電極保護層における樹脂含量比は上述した比率に限定されない。

このように、第１及び第２導電性粉末は様々な形成物質の組み合わせにより実現することができ、含量や粒度を調整するだけでなく、他の粉末（例えば、カーボンナノチューブ）との組み合わせなどにより、所望の特性（密着性、メッキ特性、導電性）を選択的に強化することができる。

上記第１及び第２電極保護層１７ａ'、１７ｂ'を形成する樹脂Ｅ１、Ｅ２は、エポキシ、シリコン樹脂、またはその組み合わせを素材として含むことができる。上記第２電極保護層１７ｂ'を形成する樹脂Ｅ２は、上記第１電極保護層１７ａ'のを形成する樹脂Ｅ１と同一の樹脂とすることができる。

本実施形態で採用された第１及び第２内部電極１２'、１３'は、上述の実施形態とは異なる工程により形成することができる。また、第１及び第２内部電極１２'、１３'において、上面電極１２ａ、１３ａは、図１〜図４ｂを用いて上述した実施形態と同様に、抵抗層１５'と電気的に接続されるように上記絶縁基板１１の第１面に配置される。側面電極１２ｂ'、１３ｂ'は、上記絶縁基板１１の側面だけでなく、上記第１及び第２電極保護層１７ａ'、１７ｂ'の側面にも設けることができる。これは、第１及び第２電極保護層１７a'、１７ｂ'が形成された後に側面電極１２ｂ'、１３ｂ'が形成されるためである。以下の構成態様に限定されないものの、図６に示すように、上記側面電極１２ｂ'、１３ｂ'は、上記絶縁基板１１の第１面と対向するように位置した第２面まで延在させることができる。

上記抵抗層１５'は部分的に除去された部分Ｔを含むことができる。これは、抵抗値を高い精度で微調整するために上記抵抗層１５'をトリミング処理した結果である。ここで、「トリミング処理」とは、上記抵抗層１５'を形成した後、回路設計に必要な抵抗値を得るための微細切断（ｃｕｔｔｉｎｇ）などのような部分的除去工程を意味する。

図７に示すように、抵抗層１５'上に第１抵抗保護層１６ａ'を形成した後、所望の抵抗値を得るためのトリミング工程を行うことができる。上記第１抵抗保護層１６ａ'はガラス系物質を含み、トリミング処理の過程でレーザーなどによってトリミング対象外の意図しない領域が損傷することを防止することができる。トリミング処理の過程で、図７に示すように、上記抵抗層１５'を形成する材料の一部が部分的に除去されて所望の抵抗値を有するようにすることができる。次いで、上記第２抵抗保護層１６ｂ'が上記第１抵抗保護層１６ａ'上に配置され、その結果、上記第２抵抗保護層１６ｂ'は、トリミング処理の過程で露出した抵抗層１５'をも覆うこととなる。従って、上記第２抵抗保護層１６ｂ'は、上記第１抵抗保護層１６ａ'を保護するだけでなく、抵抗層１５'をも保護することができる。上記第２抵抗保護層１６ｂ'の形成素材は、ポリマーの樹脂を含有することができる。上記第２抵抗保護層１６ｂ'を形成する樹脂は、上記電極保護層１７'を形成する樹脂Ｅと同一の樹脂を含むことができる。

本発明の具体的な実施形態による作用と効果を確認するために、下記のように評価試験を行った。

実施例１
図１と類似のチップ抵抗素子に第１及び第２電極保護層を本発明の条件にしたがって製造した。

先ず、Ａｇを主成分とするペーストを用いて上面電極を形成した。第１電極保護層は、カーボンナノチューブとエポキシ樹脂を３：９７の重量比で混合したペーストを用いて形成した。カーボンナノチューブとしては、約８ｎｍの直径と１〜３ｍｍの長さを有する製品を用いた。第２電極保護層は、ＣｕＮｉ合金（Ｎｉ：７０ｗｔ％）とＣＮＴ（カーボンナノチューブ）とエポキシ樹脂を９４：１：５で混合したペーストを用いて、上記第１電極保護層上に形成した。次いで、Ｎｉメッキ及びＳｎメッキを連続して施すことで外部電極を形成した。

比較例
第１及び第２電極保護層を形成せずに、Ｎｉメッキ及びＳｎメッキを連続して施すことで外部電極を形成した点を除き、実施例１と同様の方法でチップ抵抗素子を製造した。

耐硫化特性の評価テスト（ＦｏＳ）
実施例１及び比較例に従ってそれぞれ作成した２つのチップ抵抗素子に対して、ＩＢＭより提案された評価試験方法であるＦｏＳテストを行った。具体的には、１０５℃に維持されたオーブン内にガラスデシケーター（ｇｌａｓｓ ｄｅｓｉｃｃａｔｏｒ）を入れ、その内部に所定の固体硫黄（Ｓ_８）とともに実施例１及び比較例によるチップ抵抗素子を投入し、初期抵抗値に対する抵抗率の経時変化を測定した。このような評価試験結果としてチップ抵抗素子の抵抗率の変化を図８のグラフに示した。

図８を参照すると、比較例によるチップ抵抗素子は、１２０時間後に抵抗値の変化率が３０％以上となり、硫化性の浸蝕作用による深刻な断線不良が発生したのに対し、実施例１によるチップ抵抗素子は、１０００時間にわたって硫化性の雰囲気に露出した後でも抵抗値の変化率が０．５％以下のままであり、優れた安定性を示した。

メッキ特性試験
さらに、エポキシ樹脂の含量によるＮｉメッキ特性の評価試験を行った。評価方法は、ＣｕＮｉ合金（Ｎｉ：７０ｗｔ％）とエポキシ樹脂を混合して５個のサンプル（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）を準備し、当該５個のサンプルを作成する際、エポキシ樹脂の含量の比率（重量パーセンテージ）がそれぞれ３ｗｔ％、５ｗｔ％、６ｗｔ％、８ｗｔ％、１０ｗｔ％となるようにエポキシ樹脂の含有比率を異ならせた。そして、それぞれのサンプルの表面に同一の条件でＮｉメッキ層を形成し、メッキ層の抵抗値を測定して、テープテスト（ｔａｐｅ ｔｅｓｔ）により密着性を評価した。

表１に示すように、エポキシ樹脂の含量比が８ｗｔ％以下である場合にはメッキ特性が非常に良好であり、特に、含量比が１０ｗｔ％を超える場合には、良質のメッキ層が形成されず、メッキ層が剥離されやすいことを確認した。

実施例２：ＣｕＮｉ合金の評価
本実施形態で有益に採用されることができるＣｕＮｉ合金に対して評価を行った。Ｃｕの含量比とＮｉの含量比との間の相対比率をサンプル毎に異ならせて、それぞれのサンプルについての合金粉末の耐硫化特性と比抵抗値を測定した。具体的には、Ｎｉ含量比が０ｗｔ％、２０ｗｔ％、４５ｗｔ％、８０ｗｔ％、１００ｗｔ％となるようにＣｕ／Ｎｉの相対比率をサンプル毎に異ならせて合金粉末の耐硫化特性と比抵抗値を測定した。上記の条件による合金粉末の含量比が９０ｗｔ％となり、エポキシ樹脂の含量比が１０ｗｔ％となるように両者を混合して電極保護層を製造した。本実験で製造される電極保護層は上述した第２電極保護層として形成することができる。

先ず、それぞれのサンプルに対して、合金比率をサンプル毎に変化させた場合のＦｏＳテストを行った。ＦｏＳテストの具体的実施方法としては、上述した方法と同様の方法を用いて行った。さらに、カーボンナノチューブの添加量をサンプル毎に変化させた場合の各サンプルの比抵抗値の変化をともに測定した。

その結果を表２と、図９及び図１０のグラフに示した。表２においてＦｏＳテストの評価結果は、比抵抗値の変化率を±１％以下に維持することができた最長の時間を「ＦｏＳ最大維持時間」として記載した。

表２と図９を参照すると、ＦｏＳ最大維持時間が、サンプルａは１５時間に過ぎなかったが、ニッケルを含有させた場合には増加しており、ニッケルの含量比が４５ｗｔ％以上である場合には１０００時間以上となって、耐硫化特性が強化されたことを確認することができる。

このように耐硫化特性の点で、ＣｕＮｉ合金のＮｉ重量比を２０ｗｔ％以上、さらには５０ｗｔ％以上とすることが好適である。但し、Ｎｉ重量比が増加すると比抵抗が高くなるため、高いＮｉ重量比を有する合金の場合、カーボンナノチューブを適宜混合することが好適である。

表２と図１０を参照すると、カーボンナノチューブの添加量を増加させることにより、素子全体の比抵抗が大きく減少することを確認することができる。特に、ニッケルの重量比が８０ｗｔ％以上であるＣｕＮｉ合金粉末の場合にも、カーボンナノチューブと混合することで比抵抗を大きく減少させることができる。必要に応じて、ペーストによって電極保護層を形成する作業の作業性を向上させるために、カーボンナノチューブの添加量を１．５ｗｔ％以下、さらには１．０ｗｔ％以下に調節することができる。

本実施形態によるチップ抵抗素子に採用される多層電極保護層の構造は、様々なタイプのチップ抵抗素子にも有益に適用することができる。例えば、アレイタイプのチップ抵抗素子はもちろん、多端子（例えば、３端子）を有するチップ抵抗素子にも有益に適用することができる。

図１１は本発明の一実施形態（アレイタイプ）によるチップ抵抗素子を示す斜視図であり、図１２は、図１１に図示されたチップ抵抗素子をＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿って切断して見た場合の側方断面図である。

図１１を参照すると、本実施形態によるチップ抵抗素子５０は、５個の抵抗部が所定の間隔Ｄで配列された絶縁基板５１を含む。

上記チップ抵抗素子５０のそれぞれの抵抗部は、図１２に示すように、抵抗層５５と、第１及び第２内部電極５２、５３と、第１及び第２外部電極５８、５９と、抵抗保護層５６と、電極保護層５７と、を含む。本実施形態の構成要素のうち、特に異なる趣旨の説明がされていない構成要素については、図６及び図７に図示されたチップ抵抗素子１０Ａが備える類似の構成要素についての説明を参照して理解することができる。

上記絶縁基板５１の上面（すなわち第１面）には、５個の抵抗層５５が所定の間隔で配置されることができる。それぞれの抵抗層５５に接続される上記第１及び第２内部電極５２、５３は、抵抗層５５を間に挟んで上記絶縁基板５１の両側端の一方と他方にそれぞれ接するように配置される。上記第１及び第２内部電極５２、５３は、上記抵抗層５５と電気的に接続され、上記絶縁基板５１の上面に配置された上面電極５２ａ、５３ａと、上記絶縁基板５１の両側面に配置された側面電極５２ｂ、５３ｂと、を含むことができる。図１２に示すように、上記側面電極５２ｂ、５３ｂは上記絶縁基板５１の第１面と対向するように位置した第２面まで延在させて形成することができる。

上記抵抗保護層５６は、上記抵抗層５５を覆うように配置されており、第１抵抗保護層５６ａと第２抵抗保護層５６ｂを含む。上記第１抵抗保護層５６ａはトリミング工程前に形成され、トリミング工程後に上記第２抵抗保護層５６ｂを形成することができる。

上記電極保護層５７は、上記抵抗保護層５６の一部と重なり合うようにして上記第１及び第２内部電極５２、５３の上にそれぞれ配置することができる。上記電極保護層５７は、上記上面電極５２ａ、５３ａ上にそれぞれ配置された第１電極保護層５７ａと、上記第１電極保護層５７ａ上にそれぞれ配置された第２電極保護層５７ｂと、を含む。上記第１及び第２電極保護層５７ａ、５７ｂはそれぞれ、第１及び第２導電性粉末が含有された樹脂から形成することができ、上記第２電極保護層５７ｂは、上記第１電極保護層５７ａの樹脂含量比より低い樹脂含量比を有することができる。

上記第１電極保護層５７ａは上記第２電極保護層５７ｂよりも相対的に高い樹脂含量を有するため、類似の成分を有する抵抗保護層５６との間で高い接合力を維持することができる。上記第２電極保護層５７ｂは、上記第１電極保護層５７ａよりも相対的に低い樹脂含量を有し、且つ上記第１電極保護層５７ａよりも相対的に高い含量比で第２導電性粉末を含むことができる。したがって、その上部に位置する第１及び第２外部電極５８、５９のためのメッキ処理工程を円滑に行うことができる。図１２に示すように、上記第１及び第２外部電極５８、５９は、それぞれ第１メッキ層５８ａ、５９ａ及び第２メッキ層５８ｂ、５９ｂを有することができる。例えば、上記第１及び第２メッキ層（５８ａ、５９ａ及び５８ｂ、５９ｂ）は、Ｎｉメッキ層及びＳｎメッキ層であってもよい。

このように、本実施形態で採用された電極保護層５７は、少なくとも２層に区分された構造を有し、各層における樹脂の含量（または導電性粉末の含量）を異ならせることで、相反する特性要求（例えば、強い接着力と良好なメッキ特性）を両立させる形でともに満たすことができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

１０ チップ抵抗素子
１１ 絶縁基板
１２、１３ 第１及び第２内部電極
１５ 抵抗層
１６ 抵抗保護層
１６ａ、１６ｂ 第１及び第２抵抗保護層
１７ 電極保護層
１７ａ、１７ｂ 第１及び第２電極保護層
１８、１９ 第１及び第２外部電極

Claims (25)

1. 互いに対向するように位置した第１面及び第２面を有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、
   前記絶縁基板の第１面の両側端の一方と他方にそれぞれ接するように配置され、前記抵抗層に接続された第１及び第２内部電極と、
   前記抵抗層を覆い、前記第１及び第２内部電極の一部にまで延在するように設けられている抵抗保護層と、
   前記抵抗保護層の一部と重なるように前記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、第１導電性粉末と樹脂を含む第１電極保護層と、
   前記第１電極保護層上にそれぞれ配置され、第２導電性粉末と樹脂を含み、前記第１電極保護層の樹脂含量比より低い樹脂含量比を有する第２電極保護層と、
   前記第２電極保護層を覆うように前記第１及び第２内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に接続される第１及び第２外部電極と、を含む、チップ抵抗素子。
2. 前記第１電極保護層は、前記第１導電性粉末を第１重量比で含有し、
   前記第２電極保護層は、前記第２導電性粉末を前記第１重量比より大きい第２重量比で含有する、請求項１に記載のチップ抵抗素子。
3. 前記第２導電性粉末は、前記第１導電性粉末の粒度（ｄ５０）より大きい粒度を有する、請求項１または請求項２に記載のチップ抵抗素子。
4. 前記第１電極保護層の全体重量に占める樹脂の含量比は９５〜９９ｗｔ％の範囲内である、請求項１から請求項３の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
5. 前記第１導電性粉末はカーボンナノチューブを含み、前記第１導電性粉末の全体重量に占める前記カーボンナノチューブの含量比は、１〜５ｗｔ％の範囲内である、請求項４に記載のチップ抵抗素子。
6. 前記カーボンナノチューブは、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内となる長さ及び５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内となる直径を有する、請求項５に記載のチップ抵抗素子。
7. 前記第２電極保護層の全体重量に占める樹脂の含量比は３〜１０ｗｔ％の範囲内である、請求項１から請求項６の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
8. 前記第２導電性粉末はＣｕＮｉ合金粉末を含み、前記第２導電性粉末の全体重量に占めるＣｕＮｉ合金粉末の含量比は、９０〜９７ｗｔ％の範囲内である、請求項７に記載のチップ抵抗素子。
9. 前記ＣｕＮｉ合金粉末の平均粒度（ｄ５０）は２μｍ〜３０μｍの範囲である、請求項８に記載のチップ抵抗素子。
10. 前記ＣｕＮｉ合金粉末に含まれるＮｉの重量比が５０ｗｔ％以上である、請求項８または請求項９に記載のチップ抵抗素子。
11. 前記第２導電性粉末はカーボンナノチューブをさらに含む、請求項８から請求項１０の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
12. 前記第１及び第２内部電極は銀（Ａｇ）を含む、請求項１から請求項１１の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
13. 前記第１電極保護層を形成する樹脂は、前記第２電極保護層を形成する樹脂と同一の物質を含む、請求項１から請求項１２の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
14. 前記抵抗保護層は、前記第１電極保護層を形成する樹脂と同一の樹脂を含む、請求項１から請求項１３の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
15. 前記抵抗保護層は、
    前記抵抗層上に配置され、ガラスを含有する第１抵抗保護層と、
    前記第１抵抗保護層上に配置され、樹脂を含有する第２抵抗保護層と、を含む、請求項１から請求項１４の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
16. 前記第１及び第２内部電極が前記絶縁基板の側面にまで延在するように設けられている、請求項１から請求項１５の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
17. 前記第１及び第２外部電極はそれぞれ、ニッケル（Ｎｉ）を含有する第１メッキ層と、前記第１メッキ層上に配置され、Ｓｎ及びＰｂの少なくとも一つを含有する第２メッキ層と、を含む、請求項１から請求項１６の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
18. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板の上面に配置された抵抗層と、
    前記絶縁基板の上面の両側端の一方と他方にそれぞれ接するように配置され、前記抵抗層に接続された第１及び第２上面電極と、
    前記抵抗層を覆い、前記第１及び第２上面電極の一部にまでそれぞれ延在させた抵抗保護層と、
    前記絶縁基板の両側面にそれぞれ配置され、前記第１及び第２上面電極にそれぞれ接続された第１及び第２側面電極と、
    前記抵抗保護層の一部と重なるように前記第１及び第２上面電極上にそれぞれ配置され、第１導電性粉末と樹脂を含む第１電極保護層と、
    前記第１電極保護層上にそれぞれ配置され、第２導電性粉末と樹脂を含み、前記第１電極保護層の樹脂含量比より低い樹脂含量比を有する第２電極保護層と、
    前記第１及び第２側面電極上にそれぞれ配置され、前記第２電極保護層を覆うように延在するように設けられている第１及び第２外部電極と、を含む、チップ抵抗素子。
19. 前記第１及び第２上面電極は銀（Ａｇ）を含む、請求項１８に記載のチップ抵抗素子。
20. 前記第２導電性粉末は、前記第１導電性粉末の粒度（ｄ５０）より大きい粒度を有し、
    前記第１電極保護層は、前記第１導電性粉末を第１重量比で含有し、前記第２電極保護層は、前記第２導電性粉末を前記第１重量比より大きい第２重量比で含有する、請求項１８または請求項１９に記載のチップ抵抗素子。
21. 前記第１電極保護層の全体重量に占める樹脂の含量比は９５〜９９ｗｔ％の範囲内であり、前記第１導電性粉末はカーボンナノチューブを含み、前記第１導電性粉末の全体重量に占める前記カーボンナノチューブの含量比は、１〜５ｗｔ％の範囲内であり、
    前記第２電極保護層の全体重量に占める樹脂の含量比は３〜１０ｗｔ％の範囲内であり、前記第２導電性粉末はＣｕＮｉ合金粉末を含み、前記第２導電性粉末の全体重量に占める前記ＣｕＮｉ合金粉末の含量比は、９０〜９７ｗｔ％の範囲内である、請求項１８から請求項２０の何れか一項に記載のチップ抵抗素子。
22. 前記第２導電性粉末はカーボンナノチューブをさらに含み、前記第２導電性粉末の全体重量に占める前記カーボンナノチューブの含量比は、０．２〜０．５ｗｔ％の範囲内である、請求項２１に記載のチップ抵抗素子。
23. 抵抗層と、
    前記抵抗層に接続された内部電極と、
    前記抵抗層上に配置され、前記内部電極に接続された抵抗保護層と、
    前記内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に接続された電極保護層と、
    前記電極保護層上に配置された外部電極と、を含み、
    前記電極保護層は、
    前記内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に接続された第１電極保護層と、
    前記第１電極保護層上に配置され、前記外部電極が配置された上面を有する第２電極保護層と、を含み、
    前記第１及び第２電極保護層はそれぞれ樹脂を含み、前記第１電極保護層の樹脂含量比が前記第２電極保護層の樹脂含量比より大きい、チップ抵抗素子。
24. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上において互いに分離されて配列された複数の抵抗部と、を含み、
    前記複数の抵抗部のそれぞれは、
    前記絶縁基板の一面に配置された抵抗層と、
    前記絶縁基板の前記一面に配置された前記抵抗層に接続された内部電極と、
    前記抵抗層上に配置され、前記内部電極に接続された抵抗保護層と、
    前記内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に接続された電極保護層と、
    前記電極保護層上に配置された外部電極と、を含み、
    前記複数の抵抗部の各々における前記電極保護層は、
    前記内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に接続された第１電極保護層と、
    前記第１電極保護層上に配置され、前記外部電極が配置された上面を有する第２電極保護層と、を含み、
    前記第１及び第２電極保護層はそれぞれ樹脂を含み、前記第１電極保護層の樹脂含量比が前記第２電極保護層の樹脂含量比より大きい、チップ抵抗素子。
25. 絶縁基板の一面上に互いに分離された第１及び第２内部電極を形成する段階と、
    前記絶縁基板の前記一面において前記第１及び第２内部電極の間に前記第１及び第２内部電極と接続されるように抵抗層を形成する段階と、
    前記抵抗層を覆う抵抗保護層を形成する段階と、
    前記抵抗保護層に接続されるように前記第１及び第２内部電極上に電極保護層を形成する段階と、
    前記電極保護層を覆い、且つ前記抵抗保護層に接続されるように、前記第１及び第２内部電極上にそれぞれ第１及び第２外部電極を形成する段階と、を含み、
    前記電極保護層を形成する段階は、
    前記抵抗保護層に連結されるように前記第１及び第２内部電極上に第１電極保護層を形成する段階と、
    前記第１電極保護層上に前記第１及び第２外部電極が配置された上面を有する第２電極保護層を形成する段階と、を含み、
    前記第１及び第２電極保護層は、それぞれ樹脂を含むように形成され、前記第１電極保護層の樹脂含量比が前記第２電極保護層の樹脂含量比より大きい、チップ抵抗素子の製造方法。