JP2023056844A - チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外部めっき層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の表面両端部に設けられた一対の表電極３と、両表電極３間を接続する抵抗体５と、表電極３との接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆う第１保護膜６と、第１保護膜６の両端部と該第１保護膜から露出する表電極３を覆う一対の第１導電膜７と、第１保護膜６と該第１保護膜６の両端部に重なる第１導電膜７の端部を覆う第２保護膜８と、第２保護膜８から露出する第１導電膜７を覆って該第２保護膜８の両端部に接する一対の第２導電膜９と、絶縁基板２の端面に設けられて表電極３と第１導電膜７および第２導電膜９の各端部に接続する一対の端面電極１０と、端面電極１０と第２導電膜８を覆う一対の外部めっき層１１とを備え、第１導電膜７と第２導電膜８が表電極３よりも硫化し難い金属材料で形成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、チップ抵抗器およびその製造方法に関するものである。

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部めっき層と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。

この種のチップ抵抗器において、通常、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属材料が用いられており、この表電極を覆うように外部めっき層が形成された構成となっているが、外部めっき層と保護膜の境界部分となる隙間から腐食性の強い硫化ガス等が侵入し易いため、表電極と保護膜の境界位置における表電極部分が硫化ガス等によって腐食されて抵抗値変化や断線等の不具合を招来する虞がある。

そこで従来より、図７（ａ）に示すように、一対の端面電極１００を表電極１０４と保護膜１０１の境界位置を超えて保護膜１０１の端部まで覆うように形成すると共に、外部めっき層１０２を保護膜１０１の端部に密着させることにより、外部めっき層１０２と保護膜１０１との境界部分となる隙間をなくして、表電極１０４と保護膜１０１の境界位置における表電極部分が硫化ガスに晒されないようにしたチップ抵抗器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、図７において、符号１０３は絶縁基板、符号１０５は抵抗体、符号１０６は裏電極をそれぞれ示している。

特開２００９－１５８７２１号公報

ところで、従来の一般的なチップ抵抗器においては、外部めっき層を形成する場合、無電解めっきに比べて価格的に安くめっき処理時間も短い等の利点を有するため、電解めっきが広く採用されている。かかる電解めっきにおいて、電流は被めっき物である電極表面の等電位面に垂直に流れることから、複雑な形状の被めっき物では電流分布が不均一になり、均一な厚さのめっき皮膜を形成することが困難となる。

前述した図７（ａ）に示す構成のチップ抵抗器では、電解めっきによって外部めっき層１０２を形成する場合、外部めっき層１０２の先端に電流密度が集中するため、図７（ｂ）に示すように、保護膜１０１の端部に密着する外部めっき層１０２の先端に膜厚部１０２ａが生じ易くなる。そして、このような膜厚部１０２ａが形成されると、保護膜１０１の端部に密着する外部めっき層１０２が、先端の膜厚部１０２ａ側から剥がれ易くなるため、結果的に外部めっき層１０２と保護膜１０１の境界部分に隙間ができ、当該部分から硫化ガス等が入り込んでしまうことになる。

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、第１の目的は、外部めっき層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の電極と、一対の前記電極間を接続する抵抗体と、前記電極との接続部分を含めて前記抵抗体の全体を覆う絶縁性の第１保護膜と、前記第１保護膜の両端部と該第１保護膜から露出する前記電極の露出部全体を覆う一対の第１導電膜と、前記第１保護膜の少なくとも一部と該第１保護膜の両端部に重なる前記第１導電膜の一端部とを覆う絶縁性の第２保護膜と、前記第２保護膜から露出する前記第１導電膜の露出部全体を覆うと共に該第２保護膜の両端部に接する一対の第２導電膜と、前記絶縁基板の両端面に延在して前記電極と前記第１導電膜および前記第２導電膜の各端部に接続する一対の端面電極と、前記端面電極と前記第２導電膜を覆う一対の外部めっき層と、を備え、前記第１導電膜と前記第２導電膜が前記電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料で形成されている、ことを特徴としている。

このように構成されたチップ抵抗器では、電極に導通する２層構造の第１導電膜と第２導電膜のうち、上層の第２導電膜が第２保護膜の端部に接しているため、外部めっき層を電解めっきによって形成する際に、外部めっき層の先端の電流密度が下がって膜厚部とならず、膜厚部に起因する外部めっき層の剥がれを抑制することができる。また、これら第１導電膜と第２導電膜が電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料で形成されているため、外部めっき層と第２保護膜の境界部分から硫化ガスが入り込んだとしても、電極の露出部全体を覆う第１導電膜によって硫化ガスの透過が抑制され、耐腐食性を高めることができる。しかも、第１導電膜が第１保護膜の端部と電極の露出部を覆うことで、第２保護膜と電極が接触しないようになっているため、第２保護膜の内部を透過した硫化ガスは第１導電膜によって遮断され、この点からも耐腐食性を高めることができる。さらに、金属材料で形成された第１導電膜と第２導電膜の電気導電率は樹脂材料に比べて非常に高いため、低抵抗の領域であってもＴＣＲ（抵抗温度係数）の増加を抑制することができる。

上記構成のチップ抵抗器において、外部めっき層がＮｉめっきからなるバリア層を有しており、第１導電膜がＣｒを含む合金材料で形成されていると共に、第２導電膜がＮｉを含む合金材料で形成されていることが好ましい。このように構成すると、硫化に強いＣｒ系合金からなる第１導電膜によって電極の耐腐食性を高めることができるだけでなく、Ｃｒ系合金の表面に生じる不導体膜（酸化被膜）がＮｉめっきの形成を阻害するという難点を、Ｎｉ系合金からなる第２導電膜を第１導電膜の上面に設けることで解消し、Ｎｉめっきからなるバリア層を容易に生成することができる。

また、上記構成のチップ抵抗器において、第１導電膜をスパッタリングによって形成する場合、スパッタ膜の膜厚が薄過ぎると隙間が発生し、硫化ガスの透過を遮断する機能が低下するため、第１導電膜は１．０μｍ以上の膜厚を有するスパッタ膜であることが好ましい。

また、上記構成のチップ抵抗器において、第１保護膜の表面に粗面化処理された粗面部が形成されており、この粗面部上に第１導電膜の一部が形成されていると、粗面部のアンカー効果によって第１保護膜と第１導電膜の密着性が高まるため、耐腐食性をより一層向上させることができる。

上記第２の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体と該抵抗体の両端部に接続する電極を形成する工程と、前記電極との接続部分を含めて前記抵抗体の全体を覆うように絶縁性の第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜の両端部と該第１保護膜から露出する前記電極の露出部分との表面に金属粒子をスパッタリングすることにより、前記電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料からなる第１導電膜を形成する工程と、前記第１保護膜の両端部を除く残余の部分と該第１保護膜の両端部に重なる前記第１導電膜の一端部を覆うように絶縁性の第２保護膜を形成する工程と、前記第２保護膜の両端部と該第２保護膜から露出する前記第１導電膜の露出部分との表面に金属粒子をスパッタリングすることにより、前記電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料からなる第２導電膜を形成する工程と、前記絶縁基板の端面に金属粒子をスパッタリングすることにより、前記電極と前記第１導電膜および前記第２導電膜の各端部に接続する端面電極を形成する工程と、電解めっきを施して前記端面電極と前記第２導電膜を覆う外部めっき層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。

上記構成のチップ抵抗器の製造方法において、第１導電膜と第２導電膜を形成するスパッタリングは、絶縁基板の上面に向かって行われることが好ましい。

また、上記構成のチップ抵抗器の製造方法において、第１保護膜の表面を酸またはアルカリ溶液により粗面化する工程をさらに含んでいると、粗面化された部分のアンカー効果によって第１保護膜と第１導電膜の密着性が高まるため、耐腐食性をより一層向上させることができる。

本発明によれば、外部めっき層の剥がれを防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することができる。

本発明の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。 図１のII－II線に沿う拡大断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。 従来例に係るチップ抵抗器の断面図である。

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図、図２は図１のII－II線に沿う拡大断面図、図３と図４は該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図、図５と図６は該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

図１と図２に示すように、本実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極４と、一対の表電極３に跨るように設けられた長方形状の抵抗体５と、表電極３との接続部分を含めて抵抗体５の全体を覆うアンダーコート層（第１保護膜）６と、アンダーコート層６の両端部と該アンダーコート層６から露出する表電極３の露出部全体とを覆う一対の第１導電膜７と、これら第１導電膜７で挟まれたアンダーコート層６の表面と第１導電膜７のアンダーコート層６上に重なる端部側とを覆うオーバーコート層（第２保護膜）８と、オーバーコート層８から露出する第１導電膜７の露出部全体を覆うと共に該オーバーコート層８の両端部に接する一対の第２導電膜９と、絶縁基板２の両端面に延在して表電極３と裏電極４を導通する一対の端面電極１０と、裏電極４と端面電極１０および第２導電膜９を覆うように設けられた一対の外部めっき層１１と、を備えて構成されている。

絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は後述する大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

表電極３はＰｄ（パラジウム）を１～５ｗｔ％含有するＡｇ（銀）系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。また、裏電極４はＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

抵抗体５は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体５の長手方向の両端部は表電極３に重なっている。抵抗体５には抵抗値を調整するためのトリミング溝５ａが形成されており、このトリミング溝５ａはアンダーコート層６の上からレーザー光を照射することによって形成される。

アンダーコート層６はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、このアンダーコート層６はトリミング溝５ａを形成する前に抵抗体５の全体を覆うように形成されている。

オーバーコート層８はエポキシやフェノール等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものであり、オーバーコート層８はトリミング溝５ａを形成した後のアンダーコート層６を覆うように形成されている。そして、これらアンダーコート層６とオーバーコート層８によって２層構造の絶縁性保護膜が構成されている。

第１導電膜７は表電極３よりも硫化し難い特性を有する金属材料からなり、本実施形態の場合、第１導電膜７は耐硫化性に優れたＣｒを含有するＣｒ系合金（Ｎｉ－Ｃｒ）をスバッタリングすることによって形成されている。なお、Ｃｒによる耐硫化特性を確保するために、第１導電膜７はＣｒの含有量が５０ｗｔ％以上のＮｉ－Ｃｒスパッタ膜となっている。この第１導電膜７は、表電極３と外部めっき層１１との間に位置し、表電極３に接続するアンダーコート層６の両端部６ａと該アンダーコート層６から露出する表電極３の露出部全体とを覆うように形成されている。また、第１導電膜７の膜厚が薄過ぎると隙間が発生し易くなるため、第１導電膜７の膜厚は１．０μｍ以上に設定されている。

第２導電膜９も表電極３よりも硫化し難い特性を有する金属材料からなり、本実施形態の場合、第２導電膜９はＮｉを含有するＮｉ系合金（Ｎｉ－Ｃｒ）をスバッタリングすることによって形成されている。なお、Ｃｒ系合金の表面に生じる不導体膜（酸化被膜）を抑えるために、第２導電膜９はＣｒの含有量が５０ｗｔ％以下のＮｉ－Ｃｒスパッタ膜となっている。この第２導電膜９は、第１導電膜７と外部めっき層１１との間に位置し、オーバーコート層８から露出する第１導電膜７の露出部全体を覆うと共に該オーバーコート層８の両端部８ａに接するように形成されている。

端面電極１０はニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、この端面電極１０によって絶縁基板２の端面を介して離間する表電極３と裏電極４とが導通されている。端面電極１０は、表電極３の端面に接続しているだけでなく、表電極３上に積層された第１導電膜７と第２導電膜９の各端面にも接続している。

外部めっき層１１は、内層側のバリア層１２と、該バリア層１２を覆う外層側の外部接続層１３との２層構造からなる。バリア層１２は電解めっきによって形成されたＮｉめっき層であり、このバリア層１２は、端面電極１０と裏電極４の表面全体を覆うと共に、第２導電膜９の表面全体を覆うように形成されている。外部接続層１３は電解めっきによって形成されたＳｎめっき層であり、この外部接続層１３はバリア層１２の表面全体を覆っている。

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図３～図６を参照しながら説明する。

まず、格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成された大判基板２Ａを準備する。これら一次分割溝と二次分割溝によって大判基板２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、これらチップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。図３～図６には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

そして、図３（ａ）と図５（ａ）に示すように、大判基板２Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極４を形成する。

次に、図３（ｂ）と図５（ｂ）に示すように、大判基板２Ａの表面にＡｇ－Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する。なお、表電極３と裏電極４の形成順序は上記と逆でも良く、表電極３と裏電極４を同時に形成するようにしても良い。

次に、大判基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図３（ｃ）と図５（ｃ）に示すように、両端部を表電極３に重ね合わせた長方形状の抵抗体５を形成する。

次に、図３（ｄ）と図５（ｄ）に示すように、抵抗体５を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷してこれを乾燥・焼成することにより、表電極３との接続端部を含めて抵抗体５の全体を被覆するアンダーコート層６を形成する。なお、アンダーコート層６を形成した後、その表面を酸またはアルカリ処理することにより、アンダーコート層６の表面を粗面化する。

次に、このアンダーコート層６の上からレーザー光を照射することにより、図３（ｅ）と図５（ｅ）に示すように、アンダーコート層６と抵抗体５を貫通するトリミング溝５ａを形成して抵抗体５の抵抗値を調整する。

次に、アンダーコート層６の表面に水等で洗い流せるマスキングペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、アンダーコート層６の表面にトリミング溝５ａを覆う不図示のマスキングを形成する。しかる後、大判基板２Ａの表面に向けてＣｒを主成分とするＣｒ系合金（Ｎｉ－Ｃｒ）をスパッタリングすることにより、図３（ｆ）と図５（ｆ）に示すように、アンダーコート層６の両端部と表電極３の露出部全体とを覆う一対の第１導電膜７を形成する。ここで、第１導電膜７のＣｒによる耐硫化特性を確保するために、Ｎｉ－Ｃｒ中におけるＣｒ含有量は５０ｗｔ％以上となっており、また、スパッタ膜に隙間が発生するのを防止するために、第１導電膜７の膜厚は１．０μｍ以上に設定されている。なお、第１導電膜７をスパッタリングする前にアンダーコート層６の表面が粗面化されているため、粗面化された部分のアンカー効果によって第１導電膜７とアンダーコート層６との密着性を高めることができる。

次に、前記マスキングを洗浄して取り除いた後、アンダーコート層６の上からエポキシまたはフェノールの樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）することにより、図４（ｇ）と図６（ｇ）に示すように、両第１導電膜７で挟まれたアンダーコート層６の表面全体と第１導電膜７のアンダーコート層６上に重なる端部側とを覆うオーバーコート層８を形成する。なお、これらアンダーコート層６とオーバーコート層８によって２層構造の絶縁性保護膜が形成される。

次に、大判基板２Ａの表面に向けてＮｉを主成分とするＮｉ系合金（Ｎｉ－Ｃｒ）をスパッタリングすることにより、図４（ｈ）と図６（ｈ）に示すように、オーバーコート層８から露出する第１導電膜７の露出部全体を覆う一対の第２導電膜９を形成する。これら第２導電膜９は、第１導電膜７とオーバーコート層８の境界部分を超えてオーバーコート層８の両端部に被さって接するように形成される。ここで、第１導電膜７の上面に第２導電膜９を形成する理由は、第１導電膜７の主成分であるＣｒが非常に酸化され易くて表面に不導体膜（酸化被膜）を生じるため、後工程で行われるバリア層１２のＮｉめっきを第１導電膜７に形成することが困難となるからである。そのため、Ｎｉを主成分とするＮｉ系合金からなる第２導電膜９を第１導電膜７上に形成することにより、Ｎｉめっきを第２導電膜９に対して容易に形成できるようにしている。ただし、第２導電膜９のＮｉ－Ｃｒ中におけるＣｒ含有量が多くなり過ぎると、第２導電膜９の表面にＮｉめっき形成を阻害する不導体膜が生じてしまうため、第２導電膜９のＣｒ含有量は５０ｗｔ％以下に設定されている。

これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。

次に、この短冊状基板２Ｂの分割面（端面）に向けてＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図４（ｉ）と図６（ｉ）に示すように、表電極３と裏電極４間を導通する一対の端面電極１０を形成する。これら端面電極１０は、表電極３の端面に接続するだけでなく、表電極３上に積層された第１導電膜７と第２導電膜９の各端面にも接続する。

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２Ｃに二次分割した後、これらチップ状基板２Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、図４（ｊ）と図６（ｊ）に示すように、裏電極４と端面電極１０および第２導電膜９の表面全体を覆うバリア層１２を形成する。その際、第２導電膜９はＮｉめっきと密着性が良好なＮｉ系合金からなるなるため、第２導電膜９に対してバリア層１２を確実に密着させることができる。

次に、チップ状基板２Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、図４（ｋ）と図６（ｋ）に示すように、バリア層１２の表面全体を覆う外部接続層１３を形成する。これらバリア層１２と外部接続層１３によって２層構造の外部めっき層１１が形成され、この時点で図１と図２に示すようなチップ抵抗器１が得られる。

以上説明したように、本実施形態に係るチップ抵抗器１は、表電極３に導通する２層構造の第１導電膜７と第２導電膜９が設けられており、そのうち上層の第２導電膜９がオーバーコート層（第２導電膜）８の端部に接しているため、外部めっき層１１を電解めっきによって形成する際に、外部めっき層１１の先端の電流密度が下がって膜厚部とならず、膜厚部に起因する外部めっき層１１の剥がれを抑制することができる。

また、これら第１導電膜７と第２導電膜９が表電極３よりも硫化し難い特性を有する金属材料で形成されているため、外部めっき層１１とオーバーコート層８の境界部分から硫化ガスが入り込んだとしても、表電極３を覆う第１導電膜７によって硫化ガスの透過が抑制され、耐腐食性を高めることができる。しかも、第１導電膜７がアンダーコート層（第１導電膜）６の端部と表電極３の露出部を覆うことで、オーバーコート層８と表電極３が接触しないようになっているため、樹脂材料からなるオーバーコート層８の内部を透過した硫化ガスは第１導電膜７によって遮断され、この点からも耐腐食性を高めることができる。

特に本実施形態では、外部めっき層１１がＮｉめっきで形成されたバリア層１２を有しており、第１導電膜７がＣｒを主成分とするＣｒ系合金（Ｎｉ－Ｃｒ）で形成されていると共に、第２導電膜９がＮｉを主成分とするＮｉ系合金（Ｎｉ－Ｃｒ）で形成されている。このため、硫化に強いＣｒ系合金からなる第１導電膜７によって表電極３の耐腐食性を高めた上で、Ｎｉめっきとの密着性に劣る第１導電膜７の上面にＮｉ系合金からなる第２導電膜９を設けることにより、バリア層１２のＮｉめっきを第２導電膜９に確実に密着させることができる。

また、低抵抗（例えば、１００ｍΩ以下）のチップ抵抗器では、表電極３の抵抗値がチップ抵抗器全体の抵抗値に影響を及ぼすため、低抵抗のチップ抵抗器ほどＴＣＲが増加してしまうことになる。本実施形態に係るチップ抵抗器１の場合、第１導電膜７がＣｒ系合金からなるスパッタ膜であると共に、第２導電膜９がＮｉ系合金からなるスパッタ膜であることから、これら金属材料（ＣｒやＮｉ）の電気導電率が樹脂材料に比べて非常に高いものとなっている。そのため、外部めっき層１１を回路基板（不図示）のランドに半田接合したチップ抵抗器１の実装状態において、第１導電膜７と第２導電膜９が外部めっき層１１と抵抗体５間の導通経路として機能することになり、低抵抗の領域であってもＴＣＲ（抵抗温度係数）の増加を抑制することができる。

また、本実施形態に係るチップ抵抗器１の製造方法では、Ｃｒ系合金やＮｉ系合金等の金属粒子を大判基板（絶縁基板）２Ａの上面に向けてスパッタリングすることにより、第１導電膜７と第２導電膜９を形成するようにしたので、これら第１導電膜７と第２導電膜９の膜厚をコントロールし易くなる。その際、第１導電膜７が１．０μｍ以上の膜厚となるように形成したので、第１導電膜７に隙間が発生することを防止して、第１導電膜７による硫化ガスの透過阻止機能を高めることができる。

また、本実施形態に係るチップ抵抗器１の製造方法では、第１導電膜７をスパッタリングする前に、アンダーコート層６の表面を酸またはアルカリ溶液により粗面化するようにしたので、粗面化された部分のアンカー効果によってアンダーコート層６と第１導電膜７との密着性が高まり、耐腐食性をより一層向上させることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、絶縁基板の裏面に表電極に導通する裏電極が設けられているチップ抵抗器について説明したが、そのような裏電極を備えていないタイプのチップ抵抗器についても本発明は適用可能である。

１ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 大判基板
２Ｂ 短冊状基板
２Ｃ チップ状基板
３ 表電極（電極）
４ 裏電極
５ 抵抗体
５ａ トリミング溝
６ アンダーコート層（第１保護膜）
７ 第１導電膜
８ オーバーコート層（第２保護膜）
９ 第２導電膜
１０ 端面電極
１１ 外部めっき層
１２ バリア層
１３ 外部接続層

Claims (8)

1. 直方体形状の絶縁基板と、
   前記絶縁基板の主面両端部に設けられた一対の電極と、
   一対の前記電極間を接続する抵抗体と、
   前記電極との接続部分を含めて前記抵抗体の全体を覆う絶縁性の第１保護膜と、
   前記第１保護膜の両端部と該第１保護膜から露出する前記電極の露出部全体を覆う一対の第１導電膜と、
   前記第１保護膜の少なくとも一部と該第１保護膜の両端部に重なる前記第１導電膜の一端部とを覆う絶縁性の第２保護膜と、
   前記第２保護膜から露出する前記第１導電膜の露出部全体を覆うと共に該第２保護膜の両端部に接する一対の第２導電膜と、
   前記絶縁基板の両端面に延在して前記電極と前記第１導電膜および前記第２導電膜の各端部に接続する一対の端面電極と、
   前記端面電極と前記第２導電膜を覆う一対の外部めっき層と、
   を備え、
   前記第１導電膜と前記第２導電膜が前記電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料で形成されている、
   ことを特徴とするチップ抵抗器。
2. 前記外部めっき層がＮｉめっきからなるバリア層を有しており、前記第１導電膜がＣｒを含む合金材料で形成されていると共に、前記第２導電膜がＮｉを含む合金材料で形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１導電膜はＣｒの含有量が５０ｗｔ％以上のＮｉ－Ｃｒであり、前記第２導電膜はＣｒの含有量が５０ｗｔ％以下のＮｉ－Ｃｒである、ことを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記第１導電膜が１．０μｍ以上の膜厚を有するスパッタ膜である、ことを特徴とする請求項２または３に記載のチップ抵抗器。
5. 前記第１保護膜の表面に粗面化処理された粗面部が形成されており、前記第１導電膜の一部が前記粗面部上に形成されている、ことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
6. 絶縁基板上に抵抗体と該抵抗体の両端部に接続する電極を形成する工程と、
   前記電極との接続部分を含めて前記抵抗体の全体を覆うように絶縁性の第１保護膜を形成する工程と、
   前記第１保護膜の両端部と該第１保護膜から露出する前記電極の露出部分との表面に金属粒子をスパッタリングすることにより、前記電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料からなる第１導電膜を形成する工程と、
   前記第１保護膜の両端部を除く残余の部分と該第１保護膜の両端部に重なる前記第１導電膜の一端部を覆うように絶縁性の第２保護膜を形成する工程と、
   前記第２保護膜の両端部と該第２保護膜から露出する前記第１導電膜の露出部分との表面に金属粒子をスパッタリングすることにより、前記電極よりも硫化し難い特性を有する金属材料からなる第２導電膜を形成する工程と、
   前記絶縁基板の端面に金属粒子をスパッタリングすることにより、前記電極と前記第１導電膜および前記第２導電膜の各端部に接続する端面電極を形成する工程と、
   電解めっきを施して前記端面電極と前記第２導電膜を覆う外部めっき層を形成する工程と、
   を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
7. 前記第１導電膜と前記第２導電膜を形成するスパッタリングは、前記絶縁基板の上面に向かって行われる、ことを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
8. 前記第１保護膜の表面を酸またはアルカリ溶液により粗面化する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器の製造方法。

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