JP2003283362A - アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた移動体通信機器 - Google Patents
アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた移動体通信機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 移動体通信機器において、耐圧が高く大電圧
の信号の流れる機器で使用できるアンテナスイッチモジ
ュールを提供することを目的とする。 【解決手段】 アンテナ端子１に第１のＦＥＴ２の一端
を接続し他端を出力端子に接続し、前記第１のＦＥＴと
出力端子の間に第２のＦＥＴ４の一端を接続し他端を第
１のサージ吸収コンデンサ５を介して接地し、かつ前記
第１のＦＥＴ２がＯＮ状態の時は第２のＦＥＴ４をＯＦ
Ｆ状態に制御する、もしくは前記第１のＦＥＴ２がＯＦ
Ｆ状態の時は第２のＦＥＴ４をＯＮ状態に制御する回路
を少なくとも１つ以上有し、前記第１および第２のＦＥ
Ｔを複数層からなる積層体の上面に搭載し前記第１のサ
ージ吸収コンデンサ５を前記積層体の表面もしくは内部
に設けたものである。
の信号の流れる機器で使用できるアンテナスイッチモジ
ュールを提供することを目的とする。 【解決手段】 アンテナ端子１に第１のＦＥＴ２の一端
を接続し他端を出力端子に接続し、前記第１のＦＥＴと
出力端子の間に第２のＦＥＴ４の一端を接続し他端を第
１のサージ吸収コンデンサ５を介して接地し、かつ前記
第１のＦＥＴ２がＯＮ状態の時は第２のＦＥＴ４をＯＦ
Ｆ状態に制御する、もしくは前記第１のＦＥＴ２がＯＦ
Ｆ状態の時は第２のＦＥＴ４をＯＮ状態に制御する回路
を少なくとも１つ以上有し、前記第１および第２のＦＥ
Ｔを複数層からなる積層体の上面に搭載し前記第１のサ
ージ吸収コンデンサ５を前記積層体の表面もしくは内部
に設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話などの移動
体通信機器に用いられるアンテナスイッチモジュール及
びそれを用いた移動体通信機器に関するものである。
体通信機器に用いられるアンテナスイッチモジュール及
びそれを用いた移動体通信機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話などの移動体通信機器に
用いられるアンテナスイッチモジュールは、図１９に示
すように１つのＩＣベアチップ４７にＦＥＴとサージ吸
収コンデンサが形成され、このＩＣベアチップ４７は凹
型のパッケージ４６に金ワイヤ４８で超音波ボンディン
グにより実装され、蓋４９で覆われている。パッケージ
４６の裏面にはアンテナ、ＲＦ、ＦＥＴのバイアス、電
源、グランドなどの電極５０を形成して構成していた。
用いられるアンテナスイッチモジュールは、図１９に示
すように１つのＩＣベアチップ４７にＦＥＴとサージ吸
収コンデンサが形成され、このＩＣベアチップ４７は凹
型のパッケージ４６に金ワイヤ４８で超音波ボンディン
グにより実装され、蓋４９で覆われている。パッケージ
４６の裏面にはアンテナ、ＲＦ、ＦＥＴのバイアス、電
源、グランドなどの電極５０を形成して構成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】移動体通信機器のアン
テナを通してサージなどの大電圧の信号が流れた場合、
ＩＣベアチップ４７の内部に形成しているサージ吸収コ
ンデンサの耐電圧が低くアンテナスイッチモジュールが
破壊するという不具合があった。
テナを通してサージなどの大電圧の信号が流れた場合、
ＩＣベアチップ４７の内部に形成しているサージ吸収コ
ンデンサの耐電圧が低くアンテナスイッチモジュールが
破壊するという不具合があった。
【０００４】このように、従来のアンテナスイッチモジ
ュールを使用する場合、無線周波数部分の回路を構成す
るために前記アンテナスイッチモジュールに加えサージ
対策としてバリスタなどの電圧依存性素子やサージ吸収
コンデンサなどの直流電流遮断素子が必要となってい
た。このため回路構成が大きくなり部品点数が増え形状
が大きくなり、基板上の配線などによる損失も大きくな
るという課題を有していた。
ュールを使用する場合、無線周波数部分の回路を構成す
るために前記アンテナスイッチモジュールに加えサージ
対策としてバリスタなどの電圧依存性素子やサージ吸収
コンデンサなどの直流電流遮断素子が必要となってい
た。このため回路構成が大きくなり部品点数が増え形状
が大きくなり、基板上の配線などによる損失も大きくな
るという課題を有していた。
【０００５】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、アンテナからのサージなどによる高電圧かつ大電
流の信号が流れても破壊されないアンテナスイッチモジ
ュール及びそれを用いた移動体通信機器を提供すること
を目的とする。
あり、アンテナからのサージなどによる高電圧かつ大電
流の信号が流れても破壊されないアンテナスイッチモジ
ュール及びそれを用いた移動体通信機器を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のアンテナスイッ
チモジュールは、アンテナ端子に第１のＦＥＴの一端が
接続され他端が出力端子に接続され、第１のＦＥＴと出
力端子の間に第２のＦＥＴの一端が接続され他端が第１
のサージ吸収コンデンサを介して接地され、第１のＦＥ
ＴがＯＮ状態の時は第２のＦＥＴがＯＦＦ状態に制御さ
れ、上記第１のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴ
がＯＮ状態に制御される回路を少なくとも１つ以上有す
るアンテナスイッチモジュールであって、前記第１およ
び第２のＦＥＴを複数層からなる積層体の上面に搭載し
前記第１のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面も
しくは内部に設けたものである。
チモジュールは、アンテナ端子に第１のＦＥＴの一端が
接続され他端が出力端子に接続され、第１のＦＥＴと出
力端子の間に第２のＦＥＴの一端が接続され他端が第１
のサージ吸収コンデンサを介して接地され、第１のＦＥ
ＴがＯＮ状態の時は第２のＦＥＴがＯＦＦ状態に制御さ
れ、上記第１のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴ
がＯＮ状態に制御される回路を少なくとも１つ以上有す
るアンテナスイッチモジュールであって、前記第１およ
び第２のＦＥＴを複数層からなる積層体の上面に搭載し
前記第１のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面も
しくは内部に設けたものである。
【０００７】上記構成によれば高電圧かつ大電流の信号
が流れても破壊しないアンテナスイッチモジュールを提
供することができる。
が流れても破壊しないアンテナスイッチモジュールを提
供することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、アンテナ端子に第１のＦＥＴの一端が接続され他端
が出力端子に接続され、第１のＦＥＴと出力端子の間に
第２のＦＥＴの一端が接続され他端が第１のサージ吸収
コンデンサを介して接地され、第１のＦＥＴがＯＮ状態
の時は第２のＦＥＴがＯＦＦ状態に制御され、前記第１
のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴがＯＮ状態に
制御される回路を少なくとも１つ以上有するアンテナス
イッチモジュールであって、前記第１および第２のＦＥ
Ｔを複数層からなる積層体の上面に搭載し前記第１のサ
ージ吸収コンデンサを前記積層体の表面もしくは内部に
設けたアンテナスイッチモジュールであり、コンデンサ
の耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大電流の信号
からＦＥＴを保護できる作用を有する。
は、アンテナ端子に第１のＦＥＴの一端が接続され他端
が出力端子に接続され、第１のＦＥＴと出力端子の間に
第２のＦＥＴの一端が接続され他端が第１のサージ吸収
コンデンサを介して接地され、第１のＦＥＴがＯＮ状態
の時は第２のＦＥＴがＯＦＦ状態に制御され、前記第１
のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴがＯＮ状態に
制御される回路を少なくとも１つ以上有するアンテナス
イッチモジュールであって、前記第１および第２のＦＥ
Ｔを複数層からなる積層体の上面に搭載し前記第１のサ
ージ吸収コンデンサを前記積層体の表面もしくは内部に
設けたアンテナスイッチモジュールであり、コンデンサ
の耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大電流の信号
からＦＥＴを保護できる作用を有する。
【０００９】本発明の請求項２に記載の発明は、アンテ
ナ端子と第１のＦＥＴの一端との間に第２のサージ吸収
コンデンサが接続され、この第２のサージ吸収コンデン
サを前記積層体の表面もしくは内部に設けた請求項１に
記載のアンテナスイッチモジュールであり、アンテナ端
子において直流成分を遮断でき、かつ第２のサージ吸収
コンデンサの耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大
電流の信号からＦＥＴを保護できる作用を有する。
ナ端子と第１のＦＥＴの一端との間に第２のサージ吸収
コンデンサが接続され、この第２のサージ吸収コンデン
サを前記積層体の表面もしくは内部に設けた請求項１に
記載のアンテナスイッチモジュールであり、アンテナ端
子において直流成分を遮断でき、かつ第２のサージ吸収
コンデンサの耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大
電流の信号からＦＥＴを保護できる作用を有する。
【００１０】本発明の請求項３に記載の発明は、アンテ
ナ端子と第１のＦＥＴの一端との間に第２のサージ吸収
コンデンサが接続され、この第２のサージ吸収コンデン
サと第１のＦＥＴの一端との間に第３のサージ吸収コン
デンサの一端が接続され、この第３のサージ吸収コンデ
ンサの他端が接地された回路とし、この第３のサージ吸
収コンデンサを前記積層体の表面もしくは内部に設けた
アンテナスイッチモジュールであり、第３のサージ吸収
コンデンサの耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大
電流の信号からＦＥＴを保護できる作用を有する。
ナ端子と第１のＦＥＴの一端との間に第２のサージ吸収
コンデンサが接続され、この第２のサージ吸収コンデン
サと第１のＦＥＴの一端との間に第３のサージ吸収コン
デンサの一端が接続され、この第３のサージ吸収コンデ
ンサの他端が接地された回路とし、この第３のサージ吸
収コンデンサを前記積層体の表面もしくは内部に設けた
アンテナスイッチモジュールであり、第３のサージ吸収
コンデンサの耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大
電流の信号からＦＥＴを保護できる作用を有する。
【００１１】本発明の請求項４に記載の発明は、出力端
子と第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との
間に第４のサージ吸収コンデンサを接続し、この第４の
サージ吸収コンデンサを積層体の表面もしくは内部に設
けたアンテナスイッチモジュールであり、アンテナ端子
において直流成分を遮断でき、かつ第４のサージ吸収コ
ンデンサの耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大電
流の信号からＦＥＴを保護できる作用を有する。
子と第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との
間に第４のサージ吸収コンデンサを接続し、この第４の
サージ吸収コンデンサを積層体の表面もしくは内部に設
けたアンテナスイッチモジュールであり、アンテナ端子
において直流成分を遮断でき、かつ第４のサージ吸収コ
ンデンサの耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大電
流の信号からＦＥＴを保護できる作用を有する。
【００１２】本発明の請求項５に記載の発明は、出力端
子と第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との
間に第４のサージ吸収コンデンサを接続し、この第４の
サージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの他端および第２
のＦＥＴの一端との間に第５のサージ吸収コンデンサの
一端を接続し、この第５のサージ吸収コンデンサの他端
が接地された回路とし、この第５のサージ吸収コンデン
サを前記積層体の表面もしくは内部に設けたアンテナス
イッチモジュールであり、第５のサージ吸収コンデンサ
の耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大電流の信号
からＦＥＴを保護できる作用を有する。
子と第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との
間に第４のサージ吸収コンデンサを接続し、この第４の
サージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの他端および第２
のＦＥＴの一端との間に第５のサージ吸収コンデンサの
一端を接続し、この第５のサージ吸収コンデンサの他端
が接地された回路とし、この第５のサージ吸収コンデン
サを前記積層体の表面もしくは内部に設けたアンテナス
イッチモジュールであり、第５のサージ吸収コンデンサ
の耐圧が高いのでサージなどの大電圧かつ大電流の信号
からＦＥＴを保護できる作用を有する。
【００１３】本発明の請求項６に記載の発明は、アンテ
ナ端子と第１のＦＥＴの一端との間に第２のサージ吸収
コンデンサが接続され、第２のサージ吸収コンデンサと
第１のＦＥＴの一端との間に第３のサージ吸収コンデン
サの一端が接続され、前記第３のサージ吸収コンデンサ
の他端が接地された回路とし前記第２のサージ吸収コン
デンサと第１のＦＥＴの一端との間に第３のサージ吸収
コンデンサと並列に第１のインダクタの一端が接続さ
れ、この第１のインダクタの他端を接地した構成とする
アンテナスイッチモジュールであり、第３のサージ吸収
コンデンサの容量によって不整合となったアンテナ端子
におけるインピーダンスを整合する作用を有する。
ナ端子と第１のＦＥＴの一端との間に第２のサージ吸収
コンデンサが接続され、第２のサージ吸収コンデンサと
第１のＦＥＴの一端との間に第３のサージ吸収コンデン
サの一端が接続され、前記第３のサージ吸収コンデンサ
の他端が接地された回路とし前記第２のサージ吸収コン
デンサと第１のＦＥＴの一端との間に第３のサージ吸収
コンデンサと並列に第１のインダクタの一端が接続さ
れ、この第１のインダクタの他端を接地した構成とする
アンテナスイッチモジュールであり、第３のサージ吸収
コンデンサの容量によって不整合となったアンテナ端子
におけるインピーダンスを整合する作用を有する。
【００１４】本発明の請求項７に記載の発明は、出力端
子と第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との
間に第４のサージ吸収コンデンサを接続し、第４のサー
ジ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの他端および第２のＦ
ＥＴの一端との間に第５のサージ吸収コンデンサの一端
を接続し、この第５のサージ吸収コンデンサの他端が接
地された回路とし、前記第４のサージ吸収コンデンサと
第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との間に
第５のサージ吸収コンデンサと並列に第２のインダクタ
の一端が接続され、前記第２のインダクタの他端を接地
した構成とするアンテナスイッチモジュールであり、第
４のサージ吸収コンデンサの容量によって不整合となっ
た出力端子におけるインピーダンスを整合する作用を有
する。
子と第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との
間に第４のサージ吸収コンデンサを接続し、第４のサー
ジ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの他端および第２のＦ
ＥＴの一端との間に第５のサージ吸収コンデンサの一端
を接続し、この第５のサージ吸収コンデンサの他端が接
地された回路とし、前記第４のサージ吸収コンデンサと
第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との間に
第５のサージ吸収コンデンサと並列に第２のインダクタ
の一端が接続され、前記第２のインダクタの他端を接地
した構成とするアンテナスイッチモジュールであり、第
４のサージ吸収コンデンサの容量によって不整合となっ
た出力端子におけるインピーダンスを整合する作用を有
する。
【００１５】本発明の請求項８に記載の発明は、第１か
ら第５のサージ吸収コンデンサは２つの電極で構成さ
れ、ビアホールを介して前記電極の一方が第１のＦＥＴ
の他端および第２のＦＥＴの一端に接続され、他方がビ
アホールを介して積層体の裏面に設けられた電極を介し
て接地された構造を有するアンテナスイッチモジュール
であり、スクリーン印刷などの工法が採用できるので積
層体を薄くできる作用を有する。
ら第５のサージ吸収コンデンサは２つの電極で構成さ
れ、ビアホールを介して前記電極の一方が第１のＦＥＴ
の他端および第２のＦＥＴの一端に接続され、他方がビ
アホールを介して積層体の裏面に設けられた電極を介し
て接地された構造を有するアンテナスイッチモジュール
であり、スクリーン印刷などの工法が採用できるので積
層体を薄くできる作用を有する。
【００１６】本発明の請求項９に記載の発明は、サージ
吸収コンデンサを形成する電極の上側および下側に形成
される層の誘電率よりもサージ吸収コンデンサを構成す
る電極間に形成される層の誘電率が高い構成とするアン
テナスイッチモジュールであり、サージ吸収コンデンサ
の容量を大きくできる作用を有する。
吸収コンデンサを形成する電極の上側および下側に形成
される層の誘電率よりもサージ吸収コンデンサを構成す
る電極間に形成される層の誘電率が高い構成とするアン
テナスイッチモジュールであり、サージ吸収コンデンサ
の容量を大きくできる作用を有する。
【００１７】本発明の請求項１０に記載の発明は、サー
ジ吸収コンデンサを構成する電極間に形成される層が電
圧依存性材料で構成したアンテナスイッチモジュールで
あり、大電圧の信号を消費できるのでＦＥＴを保護する
機能を向上させる作用を有する。
ジ吸収コンデンサを構成する電極間に形成される層が電
圧依存性材料で構成したアンテナスイッチモジュールで
あり、大電圧の信号を消費できるのでＦＥＴを保護する
機能を向上させる作用を有する。
【００１８】本発明の請求項１１に記載の発明は、サー
ジ吸収コンデンサを構成する電極の接地側の電極を複数
層からなる積層体の中央層に形成したアンテナスイッチ
モジュールであり、積層体を平滑に構成できる作用を有
する。
ジ吸収コンデンサを構成する電極の接地側の電極を複数
層からなる積層体の中央層に形成したアンテナスイッチ
モジュールであり、積層体を平滑に構成できる作用を有
する。
【００１９】本発明の請求項１２に記載の発明は、サー
ジ吸収コンデンサを構成する電極の接地されている方の
電極が積層体の最下面に形成したアンテナスイッチモジ
ュールであり、内層電極パターンが削減できるので積層
体の強度を向上できる作用を有する。
ジ吸収コンデンサを構成する電極の接地されている方の
電極が積層体の最下面に形成したアンテナスイッチモジ
ュールであり、内層電極パターンが削減できるので積層
体の強度を向上できる作用を有する。
【００２０】本発明の請求項１３に記載の発明は、アン
テナと一端がこのアンテナに接続されたアンテナスイッ
チモジュールとアンテナスイッチモジュールと接続し特
定の周波数の電流だけを通過させる受信フィルタおよび
この受信フィルターに接続されたＬＮＡおよび受信端子
と前記アンテナスイッチモジュールに直列に接続された
送信フィルターとＰＡおよび送信端子からなる移動体通
信器であり、移動体通信機器のサージ対策を向上させる
作用を有する。
テナと一端がこのアンテナに接続されたアンテナスイッ
チモジュールとアンテナスイッチモジュールと接続し特
定の周波数の電流だけを通過させる受信フィルタおよび
この受信フィルターに接続されたＬＮＡおよび受信端子
と前記アンテナスイッチモジュールに直列に接続された
送信フィルターとＰＡおよび送信端子からなる移動体通
信器であり、移動体通信機器のサージ対策を向上させる
作用を有する。
【００２１】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１８を用いて説明する。
から図１８を用いて説明する。
【００２２】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１におけるアンテナスイッチモジュールの回路図であ
る。アンテナスイッチモジュールはアンテナ端子１に第
１のＦＥＴ２のドレイン端子を接続しかつソース端子に
出力端子３を接続し、第１のＦＥＴ２のソース端子と出
力端子３の間に第２のＦＥＴ４のドレイン端子を接続し
かつソース端子を第１のサージ吸収コンデンサ５を介し
て接地した回路で構成されている。
態１におけるアンテナスイッチモジュールの回路図であ
る。アンテナスイッチモジュールはアンテナ端子１に第
１のＦＥＴ２のドレイン端子を接続しかつソース端子に
出力端子３を接続し、第１のＦＥＴ２のソース端子と出
力端子３の間に第２のＦＥＴ４のドレイン端子を接続し
かつソース端子を第１のサージ吸収コンデンサ５を介し
て接地した回路で構成されている。
【００２３】また図２は本実施の形態１におけるアンテ
ナスイッチモジュールの分解斜視図である。図２におい
て、アンテナスイッチモジュールはアルミナを主成分と
するセラミックのグリーンシート６，９，１１を積層し
た後、焼成した積層体で構成している。
ナスイッチモジュールの分解斜視図である。図２におい
て、アンテナスイッチモジュールはアルミナを主成分と
するセラミックのグリーンシート６，９，１１を積層し
た後、焼成した積層体で構成している。
【００２４】グリーンシート６の上面には積層間や上下
面の電気的な接続をするためＡｇやＰｄなどの金属導体
からなるビア５１を形成している。そしてこのビア５１
を電気的に絶縁するための面積を残して全面を高融点金
属であるＡｇやＰｄからなる導体を印刷し電極８を形成
している。
面の電気的な接続をするためＡｇやＰｄなどの金属導体
からなるビア５１を形成している。そしてこのビア５１
を電気的に絶縁するための面積を残して全面を高融点金
属であるＡｇやＰｄからなる導体を印刷し電極８を形成
している。
【００２５】グリーンシート６の下面には第１のＦＥＴ
２のバイアスを印加するための電極７ｈ、アンテナと接
続するための電極７ａ、アンテナスイッチモジュールの
信号を出力するための電極７ｃ、第２のＦＥＴ４のバイ
アスを印加するための電極７ｄが形成されている。
２のバイアスを印加するための電極７ｈ、アンテナと接
続するための電極７ａ、アンテナスイッチモジュールの
信号を出力するための電極７ｃ、第２のＦＥＴ４のバイ
アスを印加するための電極７ｄが形成されている。
【００２６】さらに高周波的にグランドの安定化を図
り、マザー基板との接続において落下強度を確保する為
に裏面の四角形の対角線のコーナー部分および隣接する
辺の中央部にグランドの電極７ｇ，７ｅ，７ｆ，７ｂを
形成している。
り、マザー基板との接続において落下強度を確保する為
に裏面の四角形の対角線のコーナー部分および隣接する
辺の中央部にグランドの電極７ｇ，７ｅ，７ｆ，７ｂを
形成している。
【００２７】このようにグリーンシート６の下面に形成
した各電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７
ｇ，７ｈはグリーンシート６の上部に形成したグリーン
シート９，１１の各回路パターンからの各信号を個々の
グリーンシート６，９，１１に形成したビア５１によっ
て電気的に接続している。
した各電極７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７
ｇ，７ｈはグリーンシート６の上部に形成したグリーン
シート９，１１の各回路パターンからの各信号を個々の
グリーンシート６，９，１１に形成したビア５１によっ
て電気的に接続している。
【００２８】グリーンシート９の上面には電極１０を配
置し、グリーンシート１１の上面に第１のＦＥＴ２およ
び第２のＦＥＴ４を半田を用いて接続し実装を行ってい
る。
置し、グリーンシート１１の上面に第１のＦＥＴ２およ
び第２のＦＥＴ４を半田を用いて接続し実装を行ってい
る。
【００２９】なお、ＦＥＴ２，４をベアチップ化しワイ
ヤーボンディングによる金−金の接続やＡＣＦによる異
方導伝性樹脂による接続を行うことで更に小型化するこ
とが可能である。
ヤーボンディングによる金−金の接続やＡＣＦによる異
方導伝性樹脂による接続を行うことで更に小型化するこ
とが可能である。
【００３０】第１のＦＥＴ２は一端がビア５１で電極７
ａに接続され、他端がビア５１で電極７ｃに接続される
とともに第２のＦＥＴ４と接続される。第２のＦＥＴ４
の他端はビア５１で電極１０と接続され、電極１０はグ
リーンシート９を介して電極８と対向して図１に示す第
１のサージ吸収コンデンサ５を形成する。電極８はビア
５１によって電極７ｂ，７ｅ，７ｆを介して接地され
る。
ａに接続され、他端がビア５１で電極７ｃに接続される
とともに第２のＦＥＴ４と接続される。第２のＦＥＴ４
の他端はビア５１で電極１０と接続され、電極１０はグ
リーンシート９を介して電極８と対向して図１に示す第
１のサージ吸収コンデンサ５を形成する。電極８はビア
５１によって電極７ｂ，７ｅ，７ｆを介して接地され
る。
【００３１】以上のように構成されたアンテナスイッチ
モジュールについて、その動作を以下に説明する。電極
７ｈに正の電圧ＶD［Ｖ］、電極７ｄに０［Ｖ］のバイ
アス電圧を印加すると、第１のＦＥＴ２のゲート端子に
おける電位（以下、ＶG1とする）がＶD［Ｖ］、または
第２のＦＥＴ４のゲート端子における電位（以下、ＶG 2
とする）が０［Ｖ］となる。このとき第１のＦＥＴ２の
ソース端子における電位（以下、ＶS1とする）と第２の
ＦＥＴ４のドレイン端子における電位（以下、ＶD2とす
る）は同じであるから、これらの端子における電位の関
係は式１のようになる。
モジュールについて、その動作を以下に説明する。電極
７ｈに正の電圧ＶD［Ｖ］、電極７ｄに０［Ｖ］のバイ
アス電圧を印加すると、第１のＦＥＴ２のゲート端子に
おける電位（以下、ＶG1とする）がＶD［Ｖ］、または
第２のＦＥＴ４のゲート端子における電位（以下、ＶG 2
とする）が０［Ｖ］となる。このとき第１のＦＥＴ２の
ソース端子における電位（以下、ＶS1とする）と第２の
ＦＥＴ４のドレイン端子における電位（以下、ＶD2とす
る）は同じであるから、これらの端子における電位の関
係は式１のようになる。
【００３２】
ＶD＝ＶG1＞ＶS1＝ＶD2＞ＶG2＝０ …（式１）
第１のＦＥＴ２においてゲート端子とソース端子の間は
順バイアスとなり、第２のＦＥＴ４においてドレイン端
子とゲート端子の間は逆バイアスとなるので、流れる電
流が同じであることを考えれば、第１のＦＥＴ２におけ
るゲート端子とソース端子の間の電位差（以下、Ｖ
G1-S1とする）と第２のＦＥＴ４におけるドレイン端子
とソース端子の間の電位差（以下、ＶD2-S2とする）の
関係は式２のようになる。
順バイアスとなり、第２のＦＥＴ４においてドレイン端
子とゲート端子の間は逆バイアスとなるので、流れる電
流が同じであることを考えれば、第１のＦＥＴ２におけ
るゲート端子とソース端子の間の電位差（以下、Ｖ
G1-S1とする）と第２のＦＥＴ４におけるドレイン端子
とソース端子の間の電位差（以下、ＶD2-S2とする）の
関係は式２のようになる。
【００３３】
ＶG1-S1≪ＶD2-S2 …（式２）
また第２のＦＥＴ４においてドレイン端子とゲート端子
の間は逆バイアスであるため流れる電流は極めて微小で
あるので、 ＶS1＝ＶD2 …（式３） であることからＶD2は式４で表される。
の間は逆バイアスであるため流れる電流は極めて微小で
あるので、 ＶS1＝ＶD2 …（式３） であることからＶD2は式４で表される。
【００３４】
ＶD2≒ＶD …（式４）
第２のＦＥＴ４のソース端子において、式４およびＶG2
＝０が成立するので、第２のＦＥＴ４のゲート端子とド
レイン端子の間には空乏層が広がった状態となる。この
空乏層の広がりは第２のＦＥＴ４のソース端子側へは第
２のＦＥＴ４のゲート端子とソース端子の間がピンチオ
フするところまで広がる。また第２のＦＥＴ４のソース
端子は第１のサージ吸収コンデンサ５によりグランドと
絶縁されているので、第２のＦＥＴ４のソース端子にお
ける電位（以下、ＶS2とする）は第２のＦＥＴ４のピン
チオフ電圧（以下、ＶP2とする）と等しくなる。
＝０が成立するので、第２のＦＥＴ４のゲート端子とド
レイン端子の間には空乏層が広がった状態となる。この
空乏層の広がりは第２のＦＥＴ４のソース端子側へは第
２のＦＥＴ４のゲート端子とソース端子の間がピンチオ
フするところまで広がる。また第２のＦＥＴ４のソース
端子は第１のサージ吸収コンデンサ５によりグランドと
絶縁されているので、第２のＦＥＴ４のソース端子にお
ける電位（以下、ＶS2とする）は第２のＦＥＴ４のピン
チオフ電圧（以下、ＶP2とする）と等しくなる。
【００３５】これらの結果、第１のＦＥＴ２はＯＮ状態
となり第２のＦＥＴ４はＯＦＦ状態となるのでアンテナ
端子１から入力した信号は出力端子３から出力される。
となり第２のＦＥＴ４はＯＦＦ状態となるのでアンテナ
端子１から入力した信号は出力端子３から出力される。
【００３６】同様に、電極７ｈに０［Ｖ］、電極７ｄに
正の電圧ＶD［Ｖ］のバイアス電圧を印加すると、ＶG1
が０［Ｖ］、またＶG2がＶD［Ｖ］となる。このときＶ
D2とＶS1は同じであるから、これらの端子における電位
の関係は式５のようになる。
正の電圧ＶD［Ｖ］のバイアス電圧を印加すると、ＶG1
が０［Ｖ］、またＶG2がＶD［Ｖ］となる。このときＶ
D2とＶS1は同じであるから、これらの端子における電位
の関係は式５のようになる。
【００３７】
ＶD＝ＶG2＞ＶD2＝ＶS1＞ＶG1＝０ …（式５）
第２のＦＥＴ４においてゲート端子とドレイン端子の間
は順バイアスとなり、第１のＦＥＴ２においてソース端
子とゲート端子の間は逆バイアスとなるので、流れる電
流が同じであることを考えれば、第２のＦＥＴ４におけ
るゲート端子とドレイン端子の間の電位差（以下、Ｖ
G2-D2とする）と第１のＦＥＴ２におけるソース端子と
ドレイン端子の間の電位差（以下、ＶS1-D1とする）の
関係は式６のようになる。
は順バイアスとなり、第１のＦＥＴ２においてソース端
子とゲート端子の間は逆バイアスとなるので、流れる電
流が同じであることを考えれば、第２のＦＥＴ４におけ
るゲート端子とドレイン端子の間の電位差（以下、Ｖ
G2-D2とする）と第１のＦＥＴ２におけるソース端子と
ドレイン端子の間の電位差（以下、ＶS1-D1とする）の
関係は式６のようになる。
【００３８】
ＶG2-D2≪ＶS1-D1 …（式６）
また第２のＦＥＴ４のソース端子は第１のサージ吸収コ
ンデンサ５によりグランドと絶縁されており、かつ第１
のＦＥＴ２においてソース端子とゲート端子の間は逆バ
イアスであるため流れる電流は極めて微小であるので、 ＶD2＝ＶS1 …（式７） であることからＶS1は式８で表される。
ンデンサ５によりグランドと絶縁されており、かつ第１
のＦＥＴ２においてソース端子とゲート端子の間は逆バ
イアスであるため流れる電流は極めて微小であるので、 ＶD2＝ＶS1 …（式７） であることからＶS1は式８で表される。
【００３９】
ＶS1≒ＶD …（式８）
第１のＦＥＴ２のドレイン端子において、式８およびＶ
G1＝０が成立するので、第１のＦＥＴ２のゲート端子と
ドレイン端子の間には空乏層が広がった状態となる。こ
の空乏層の広がりは第１のＦＥＴ２のドレイン端子側へ
は第１のＦＥＴ２のゲート端子とドレイン端子の間がピ
ンチオフするところまで広がる。従って、第１のＦＥＴ
２のドレイン端子における電位（以下、ＶD1とする）は
第１のＦＥＴ２のピンチオフ電圧（以下、ＶP1とする）
と等しくなる。
G1＝０が成立するので、第１のＦＥＴ２のゲート端子と
ドレイン端子の間には空乏層が広がった状態となる。こ
の空乏層の広がりは第１のＦＥＴ２のドレイン端子側へ
は第１のＦＥＴ２のゲート端子とドレイン端子の間がピ
ンチオフするところまで広がる。従って、第１のＦＥＴ
２のドレイン端子における電位（以下、ＶD1とする）は
第１のＦＥＴ２のピンチオフ電圧（以下、ＶP1とする）
と等しくなる。
【００４０】これらの結果、第１のＦＥＴ２はＯＦＦ状
態となり第２のＦＥＴ４はＯＮ状態となる。アンテナ端
子１から入力した信号はその大部分が減衰しかつわずか
に通過する信号も第２のＦＥＴ４側に流れることにな
り、アンテナ端子１と出力端子３の間の高周波的なアイ
ソレーションを大きくできるので信号が流れない。従っ
て外部からの正電位基準電位印加バイアスがない場合の
１入力１出力型のスイッチとして機能する。
態となり第２のＦＥＴ４はＯＮ状態となる。アンテナ端
子１から入力した信号はその大部分が減衰しかつわずか
に通過する信号も第２のＦＥＴ４側に流れることにな
り、アンテナ端子１と出力端子３の間の高周波的なアイ
ソレーションを大きくできるので信号が流れない。従っ
て外部からの正電位基準電位印加バイアスがない場合の
１入力１出力型のスイッチとして機能する。
【００４１】また上記スイッチを動作させるために必要
な第１のサージ吸収コンデンサ５の容量値は通常３［ｐ
Ｆ］もあれば十分であるが、耐サージ電圧としては０．
３［ＫＶ］程度である。そこで本構成の第１のサージ吸
収コンデンサ５は積層体内に平行平板型のサージ吸収コ
ンデンサとして構成することで、その電極間隔および面
積を任意に設計でき要求される耐サージ電圧に対応する
ことができる。
な第１のサージ吸収コンデンサ５の容量値は通常３［ｐ
Ｆ］もあれば十分であるが、耐サージ電圧としては０．
３［ＫＶ］程度である。そこで本構成の第１のサージ吸
収コンデンサ５は積層体内に平行平板型のサージ吸収コ
ンデンサとして構成することで、その電極間隔および面
積を任意に設計でき要求される耐サージ電圧に対応する
ことができる。
【００４２】一例として誘電率が７．４の積層体を用い
た場合、第１のサージ吸収コンデンサ５の電極間隔を２
５［μｍ］とし、電極面積を１．１５［ｍｍ2］とする
ことで５．２［ｐＦ］を実現できる。このように形成し
た第１のサージ吸収コンデンサ５は６［ＫＶ］のサージ
に対して絶縁破壊が起きないことを確認している。
た場合、第１のサージ吸収コンデンサ５の電極間隔を２
５［μｍ］とし、電極面積を１．１５［ｍｍ2］とする
ことで５．２［ｐＦ］を実現できる。このように形成し
た第１のサージ吸収コンデンサ５は６［ＫＶ］のサージ
に対して絶縁破壊が起きないことを確認している。
【００４３】以上のように本実施の形態１のアンテナス
イッチモジュールはサージなどの大電圧の信号が入力し
た場合でも正常なスイッチ動作を保証できる１入力１出
力型のアンテナスイッチモジュールとして動作すること
ができる。
イッチモジュールはサージなどの大電圧の信号が入力し
た場合でも正常なスイッチ動作を保証できる１入力１出
力型のアンテナスイッチモジュールとして動作すること
ができる。
【００４４】なお、本実施の形態１の第１のサージ吸収
コンデンサは積層体内に形成した電極で構成している
が、これはチップ部品を用いて積層体の上面にＦＥＴの
ように実装して構成してもよい。この場合はサージ吸収
コンデンサの容量を大きくする効果がある。
コンデンサは積層体内に形成した電極で構成している
が、これはチップ部品を用いて積層体の上面にＦＥＴの
ように実装して構成してもよい。この場合はサージ吸収
コンデンサの容量を大きくする効果がある。
【００４５】さらに上記サージ吸収コンデンサはバリス
タのような電圧依存性抵抗素子とすることが望ましい。
この場合は大電圧の信号を電圧依存性抵抗素子で熱に変
換して消費できるのでＦＥＴを保護する機能を向上させ
る効果がある。
タのような電圧依存性抵抗素子とすることが望ましい。
この場合は大電圧の信号を電圧依存性抵抗素子で熱に変
換して消費できるのでＦＥＴを保護する機能を向上させ
る効果がある。
【００４６】なお、本実施の形態１のアンテナスイッチ
モジュールは１入力１出力型であるが、これは図３に示
すように本構成のアンテナスイッチモジュール１２が複
数個あって、複数個のアンテナスイッチモジュール１２
のアンテナ端子１３をそれぞれ共通端子１４に接続し、
共通端子を図３に示す回路全体のアンテナ端子とし、複
数個あるアンテナスイッチモジュール１２の出力端子１
５をそのまま図３に示す回路全体の出力端子とした構成
としてもよい。この場合は１入力ｎ出力型（ｎは２以上
の正の整数）のアンテナスイッチモジュールとして動作
し、かつサージなどからアンテナスイッチモジュールを
保護する効果がある。
モジュールは１入力１出力型であるが、これは図３に示
すように本構成のアンテナスイッチモジュール１２が複
数個あって、複数個のアンテナスイッチモジュール１２
のアンテナ端子１３をそれぞれ共通端子１４に接続し、
共通端子を図３に示す回路全体のアンテナ端子とし、複
数個あるアンテナスイッチモジュール１２の出力端子１
５をそのまま図３に示す回路全体の出力端子とした構成
としてもよい。この場合は１入力ｎ出力型（ｎは２以上
の正の整数）のアンテナスイッチモジュールとして動作
し、かつサージなどからアンテナスイッチモジュールを
保護する効果がある。
【００４７】さらに上記１入力ｎ出力型のアンテナスイ
ッチモジュールにおいて、サージ吸収コンデンサの接地
される側の電極を共通とすることが望ましい。この場合
は各サージ吸収コンデンサを形成する電極パターン数を
削減できるので積層体を簡単に構成できる効果がある。
ッチモジュールにおいて、サージ吸収コンデンサの接地
される側の電極を共通とすることが望ましい。この場合
は各サージ吸収コンデンサを形成する電極パターン数を
削減できるので積層体を簡単に構成できる効果がある。
【００４８】なお、本実施の形態１の電極８は積層体の
比較的下方に形成しているが、これは積層体の中央もし
くはその近傍に形成してもよい。この場合は積層体を平
滑にする効果がある。
比較的下方に形成しているが、これは積層体の中央もし
くはその近傍に形成してもよい。この場合は積層体を平
滑にする効果がある。
【００４９】なお、本実施の形態１の電極８は積層体の
比較的下方に形成しているが、これは積層体の最下面に
形成してもよい。この場合は内層電極が削減できるので
積層体の強度を向上する効果がある。また、裏面電極と
ともにメッキ工法などの採用により製造コストを削減で
きる効果がある。
比較的下方に形成しているが、これは積層体の最下面に
形成してもよい。この場合は内層電極が削減できるので
積層体の強度を向上する効果がある。また、裏面電極と
ともにメッキ工法などの採用により製造コストを削減で
きる効果がある。
【００５０】なお、本実施の形態１の積層体は一定の誘
電率で形成されているが、これはグリーンシート９の誘
電率をグリーンシート６およびグリーンシート１１の誘
電率よりも高い材料で形成してもよい。この場合はサー
ジ吸収コンデンサ５の容量を大きくする効果がある。
電率で形成されているが、これはグリーンシート９の誘
電率をグリーンシート６およびグリーンシート１１の誘
電率よりも高い材料で形成してもよい。この場合はサー
ジ吸収コンデンサ５の容量を大きくする効果がある。
【００５１】なお、本実施の形態１の積層体は同材質の
材料で形成されているが、これはグリーンシート９を電
圧依存性材料で形成してもよい。この場合は大電圧の信
号を電圧依存性材料で熱に変換して消費できるのでＦＥ
Ｔ２，４を保護する機能を向上させる効果がある。
材料で形成されているが、これはグリーンシート９を電
圧依存性材料で形成してもよい。この場合は大電圧の信
号を電圧依存性材料で熱に変換して消費できるのでＦＥ
Ｔ２，４を保護する機能を向上させる効果がある。
【００５２】なお、本実施の形態１の積層体の同材質の
材料で形成されているが、これはグリーンシート９を主
成分が酸化亜鉛セラミックとなる材料で形成してもよ
い。この場合も大電圧の信号を酸化亜鉛セラミックによ
り熱に変換して消費できるのでＦＥＴ２，４を保護する
機能を向上させる効果があり、かつ誘電率が高いのでサ
ージ吸収コンデンサ５の容量を大きくする効果がある。
材料で形成されているが、これはグリーンシート９を主
成分が酸化亜鉛セラミックとなる材料で形成してもよ
い。この場合も大電圧の信号を酸化亜鉛セラミックによ
り熱に変換して消費できるのでＦＥＴ２，４を保護する
機能を向上させる効果があり、かつ誘電率が高いのでサ
ージ吸収コンデンサ５の容量を大きくする効果がある。
【００５３】なお、本実施の形態１の積層体は同材質の
材料で形成されているが、これはグリーンシート９を主
成分が酸化亜鉛セラミックでビスマス系材料もしくはア
ンチモン系材料を含む材料で形成してもよい。この場合
はＦＥＴ２，４を保護する機能を調整する効果がある。
材料で形成されているが、これはグリーンシート９を主
成分が酸化亜鉛セラミックでビスマス系材料もしくはア
ンチモン系材料を含む材料で形成してもよい。この場合
はＦＥＴ２，４を保護する機能を調整する効果がある。
【００５４】なお、本実施の形態１は積層体上にＦＥＴ
２，４を実装して構成しているが、これは内部に形成さ
れる電極と同時焼成できる誘電体上にＦＥＴ２，４を実
装して構成してもよい。この場合はアンテナスイッチモ
ジュールを小型化できる効果がある。
２，４を実装して構成しているが、これは内部に形成さ
れる電極と同時焼成できる誘電体上にＦＥＴ２，４を実
装して構成してもよい。この場合はアンテナスイッチモ
ジュールを小型化できる効果がある。
【００５５】なお、本実施の形態１の積層体の種類およ
びその作製方法にはさまざまなものがあり、本発明はこ
れらの細部に限定されるものでない。
びその作製方法にはさまざまなものがあり、本発明はこ
れらの細部に限定されるものでない。
【００５６】なお、本実施の形態１においてＦＥＴ２，
４はスイッチとして用いているので、ドレイン端子とソ
ース端子を逆に接続しても同様の効果が得られる。
４はスイッチとして用いているので、ドレイン端子とソ
ース端子を逆に接続しても同様の効果が得られる。
【００５７】なお、本実施の形態１のＦＥＴ２，４の実
装方法にはさまざまなものがあり、本発明はこれらの細
部に限定されるものではない。
装方法にはさまざまなものがあり、本発明はこれらの細
部に限定されるものではない。
【００５８】（実施の形態２）図４は本発明の実施の形
態２におけるアンテナスイッチモジュールの回路図であ
る。また図５は本発明の実施の形態２におけるアンテナ
スイッチモジュールの分解斜視図である。図４において
アンテナスイッチモジュールはアンテナ端子１と第１の
ＦＥＴ２のドレイン端子との間に第２のサージ吸収コン
デンサ１６を接続している。図５においてグリーンシー
ト９とグリーンシート１１の間にグリーンシート１８を
形成し、グリーンシート９の上面に電極１０と電極１７
を配置してビア５１を介して裏面電極７ａと接続し、グ
リーンシート１８の上面に電極１９を配置してビア５１
を介して第１のＦＥＴ２のゲート端子と接続している。
そして電極１７はグリーンシート１８を介して電極１９
と対向して第２のサージ吸収コンデンサ１６を形成す
る。
態２におけるアンテナスイッチモジュールの回路図であ
る。また図５は本発明の実施の形態２におけるアンテナ
スイッチモジュールの分解斜視図である。図４において
アンテナスイッチモジュールはアンテナ端子１と第１の
ＦＥＴ２のドレイン端子との間に第２のサージ吸収コン
デンサ１６を接続している。図５においてグリーンシー
ト９とグリーンシート１１の間にグリーンシート１８を
形成し、グリーンシート９の上面に電極１０と電極１７
を配置してビア５１を介して裏面電極７ａと接続し、グ
リーンシート１８の上面に電極１９を配置してビア５１
を介して第１のＦＥＴ２のゲート端子と接続している。
そして電極１７はグリーンシート１８を介して電極１９
と対向して第２のサージ吸収コンデンサ１６を形成す
る。
【００５９】アンテナ端子１からサージなどによる大電
圧の信号を入力した場合、その信号の大部分を占める直
流近傍の成分は積層体に形成した第２のサージ吸収コン
デンサ１６に蓄えられることにより第１のＦＥＴ２およ
び第２のＦＥＴ４には大電圧が加わらず、ＦＥＴ２，４
は破壊されずアンテナスイッチモジュールとして安定な
動作が確保される。
圧の信号を入力した場合、その信号の大部分を占める直
流近傍の成分は積層体に形成した第２のサージ吸収コン
デンサ１６に蓄えられることにより第１のＦＥＴ２およ
び第２のＦＥＴ４には大電圧が加わらず、ＦＥＴ２，４
は破壊されずアンテナスイッチモジュールとして安定な
動作が確保される。
【００６０】その他は基本的に実施の形態１において説
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００６１】以上のように本実施の形態２のアンテナス
イッチモジュールはアンテナ端子１からサージなどによ
る大電圧の信号が入力した場合、実施の形態１に加えさ
らに正常なスイッチ動作を保証できる１入力１出力型の
アンテナスイッチモジュールとして動作することができ
る。
イッチモジュールはアンテナ端子１からサージなどによ
る大電圧の信号が入力した場合、実施の形態１に加えさ
らに正常なスイッチ動作を保証できる１入力１出力型の
アンテナスイッチモジュールとして動作することができ
る。
【００６２】なお、本実施の形態２のスイッチ回路は１
入力１出力型であるが、図６に示すように１入力ｎ出力
型のアンテナスイッチモジュールの共通端子１４の先に
サージ吸収コンデンサ２０を形成し、各アンテナスイッ
チモジュール１２の共通の第２のサージ吸収コンデンサ
としてもよい。
入力１出力型であるが、図６に示すように１入力ｎ出力
型のアンテナスイッチモジュールの共通端子１４の先に
サージ吸収コンデンサ２０を形成し、各アンテナスイッ
チモジュール１２の共通の第２のサージ吸収コンデンサ
としてもよい。
【００６３】この場合も同様にサージなどからアンテナ
スイッチモジュールを保護できる効果があることは言う
までも無い。
スイッチモジュールを保護できる効果があることは言う
までも無い。
【００６４】（実施の形態３）図７は本発明の実施の形
態３におけるアンテナスイッチモジュールの回路図であ
る。また図８は本発明の実施の形態３におけるアンテナ
スイッチモジュールの分解斜視図である。図７において
アンテナスイッチモジュールは第２のサージ吸収コンデ
ンサ１６と第１のＦＥＴ２のドレイン端子との間に第３
のサージ吸収コンデンサ２１を接続している。図８にお
いてグリーンシート９の上面に電極１０および電極１７
と電極２２を配置してビア５１を介して第１のＦＥＴ２
のドレイン端子と接続している。電極２２はグリーンシ
ート９を介して電極８と対向して第３のサージ吸収コン
デンサ２１を形成する。また第３のサージ吸収コンデン
サ２１は積層体内に形成しているのでその耐圧を高くす
ることができる。アンテナ端子からサージなどによる大
電圧の信号が入力した場合、その大部分を占める直流近
傍成分は積層体に形成した第２のサージ吸収コンデンサ
１６および第３のサージ吸収コンデンサ２１に蓄えられ
ることにより第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ４には
大電圧が加わらず、ＦＥＴ２，４は破壊されずアンテナ
スイッチモジュールとして安定な動作が確保される。
態３におけるアンテナスイッチモジュールの回路図であ
る。また図８は本発明の実施の形態３におけるアンテナ
スイッチモジュールの分解斜視図である。図７において
アンテナスイッチモジュールは第２のサージ吸収コンデ
ンサ１６と第１のＦＥＴ２のドレイン端子との間に第３
のサージ吸収コンデンサ２１を接続している。図８にお
いてグリーンシート９の上面に電極１０および電極１７
と電極２２を配置してビア５１を介して第１のＦＥＴ２
のドレイン端子と接続している。電極２２はグリーンシ
ート９を介して電極８と対向して第３のサージ吸収コン
デンサ２１を形成する。また第３のサージ吸収コンデン
サ２１は積層体内に形成しているのでその耐圧を高くす
ることができる。アンテナ端子からサージなどによる大
電圧の信号が入力した場合、その大部分を占める直流近
傍成分は積層体に形成した第２のサージ吸収コンデンサ
１６および第３のサージ吸収コンデンサ２１に蓄えられ
ることにより第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ４には
大電圧が加わらず、ＦＥＴ２，４は破壊されずアンテナ
スイッチモジュールとして安定な動作が確保される。
【００６５】その他は基本的に実施の形態１において説
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００６６】なお、本実施の形態３のスイッチ回路は１
入力１出力型であるが、図９に示すように１入力ｎ出力
型のアンテナスイッチモジュールの共通端子１４の先に
サージ吸収コンデンサ２０を形成し、このサージ吸収コ
ンデンサ２０と共通端子１４の間にサージ吸収コンデン
サ２３の一端を接続し他端を接地し、各アンテナスイッ
チモジュール１２に共通に第２のサージ吸収コンデンサ
および第３のサージ吸収コンデンサとした回路で構成し
てもよい。この場合も同様にサージなどからアンテナス
イッチモジュールを保護する効果がある。
入力１出力型であるが、図９に示すように１入力ｎ出力
型のアンテナスイッチモジュールの共通端子１４の先に
サージ吸収コンデンサ２０を形成し、このサージ吸収コ
ンデンサ２０と共通端子１４の間にサージ吸収コンデン
サ２３の一端を接続し他端を接地し、各アンテナスイッ
チモジュール１２に共通に第２のサージ吸収コンデンサ
および第３のサージ吸収コンデンサとした回路で構成し
てもよい。この場合も同様にサージなどからアンテナス
イッチモジュールを保護する効果がある。
【００６７】なお、本実施の形態３は第２のサージ吸収
コンデンサ１６の他端に第３のサージ吸収コンデンサ２
１の一端と第１のＦＥＴ２の一端を接続して構成されて
いるが、これは図１０に示すように第２のサージ吸収コ
ンデンサ１６と第１のＦＥＴ２の一端との間に第３のサ
ージ吸収コンデンサ２１と並列に第１のインダクタ２４
の一端が接続され他端を接地し、その第１のインダクタ
ンス２４を調整して第３のサージ吸収コンデンサ２１の
容量とで所望の周波数帯域において共振するように構成
してもよい。この場合は第３のサージ吸収コンデンサの
容量によって不整合となったアンテナ端子１におけるイ
ンピーダンスを整合できる効果がある。
コンデンサ１６の他端に第３のサージ吸収コンデンサ２
１の一端と第１のＦＥＴ２の一端を接続して構成されて
いるが、これは図１０に示すように第２のサージ吸収コ
ンデンサ１６と第１のＦＥＴ２の一端との間に第３のサ
ージ吸収コンデンサ２１と並列に第１のインダクタ２４
の一端が接続され他端を接地し、その第１のインダクタ
ンス２４を調整して第３のサージ吸収コンデンサ２１の
容量とで所望の周波数帯域において共振するように構成
してもよい。この場合は第３のサージ吸収コンデンサの
容量によって不整合となったアンテナ端子１におけるイ
ンピーダンスを整合できる効果がある。
【００６８】さらに上記第１のインダクタ２４はチップ
部品で形成してもよいし内層電極で形成してもよい。前
者の場合はチップ部品を積層体上に搭載し、内層電極で
形成した回路とビア５１で接続することにより、電極パ
ターンを簡単に設計できる効果がある。また後者の場合
はアンテナスイッチモジュールのコストを低減できる効
果がある。
部品で形成してもよいし内層電極で形成してもよい。前
者の場合はチップ部品を積層体上に搭載し、内層電極で
形成した回路とビア５１で接続することにより、電極パ
ターンを簡単に設計できる効果がある。また後者の場合
はアンテナスイッチモジュールのコストを低減できる効
果がある。
【００６９】さらに上記１入力ｎ出力型のアンテナスイ
ッチモジュールにおいて、サージ吸収コンデンサ２３と
各アンテナスイッチモジュール１２におけるサージ吸収
コンデンサの接地される側の電極を共通とすることが望
ましい。この場合はサージ吸収コンデンサを形成する電
極パターン数を削減できるので積層体を簡単に構成でき
る効果がある。
ッチモジュールにおいて、サージ吸収コンデンサ２３と
各アンテナスイッチモジュール１２におけるサージ吸収
コンデンサの接地される側の電極を共通とすることが望
ましい。この場合はサージ吸収コンデンサを形成する電
極パターン数を削減できるので積層体を簡単に構成でき
る効果がある。
【００７０】（実施の形態４）図１１は本発明の実施の
形態４におけるアンテナスイッチモジュールの回路図で
ある。また図１２は本発明の実施の形態４におけるアン
テナスイッチモジュールの分解斜視図である。図１１に
おいてアンテナスイッチモジュールは出力端子３と第１
のＦＥＴ２のソース端子および第２のＦＥＴ４のドレイ
ン端子との間に第４のサージ吸収コンデンサ２５を接続
している。図１２においてグリーンシート９とグリーン
シート１１の間にグリーンシート１８を形成し、グリー
ンシート９の上面に電極１０と電極２６を配置してビア
５１を介して電極７ｃと接続し、グリーンシート１８の
上面に電極２７を配置してビア５１を介して第１のＦＥ
Ｔ２のソース端子および第２のＦＥＴ４のドレイン端子
と接続している。電極２６はグリーンシート１８を介し
て電極２７と対向して第４のサージ吸収コンデンサ２５
を形成する。
形態４におけるアンテナスイッチモジュールの回路図で
ある。また図１２は本発明の実施の形態４におけるアン
テナスイッチモジュールの分解斜視図である。図１１に
おいてアンテナスイッチモジュールは出力端子３と第１
のＦＥＴ２のソース端子および第２のＦＥＴ４のドレイ
ン端子との間に第４のサージ吸収コンデンサ２５を接続
している。図１２においてグリーンシート９とグリーン
シート１１の間にグリーンシート１８を形成し、グリー
ンシート９の上面に電極１０と電極２６を配置してビア
５１を介して電極７ｃと接続し、グリーンシート１８の
上面に電極２７を配置してビア５１を介して第１のＦＥ
Ｔ２のソース端子および第２のＦＥＴ４のドレイン端子
と接続している。電極２６はグリーンシート１８を介し
て電極２７と対向して第４のサージ吸収コンデンサ２５
を形成する。
【００７１】出力端子３からサージなどにより大電圧の
信号が入力した場合、その大部分を占める直流近傍成分
は積層体に形成した第４のサージ吸収コンデンサ２５に
蓄えられるので第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ４は
破壊されずアンテナスイッチモジュールとして安定な動
作が確保される。
信号が入力した場合、その大部分を占める直流近傍成分
は積層体に形成した第４のサージ吸収コンデンサ２５に
蓄えられるので第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ４は
破壊されずアンテナスイッチモジュールとして安定な動
作が確保される。
【００７２】また第４のサージ吸収コンデンサ２５は第
１のサージ吸収コンデンサ５と同様で積層体内に平行平
板型のサージ吸収コンデンサとして形成しており、その
電極間隔および面積の設計の自由度を大きくすることが
できる。
１のサージ吸収コンデンサ５と同様で積層体内に平行平
板型のサージ吸収コンデンサとして形成しており、その
電極間隔および面積の設計の自由度を大きくすることが
できる。
【００７３】以上のように本実施の形態４のアンテナス
イッチモジュールは大電圧の信号が入力した場合、正常
なスイッチ動作を保証できる１入力１出力型のアンテナ
スイッチモジュールとして動作するので、サージなどか
らアンテナスイッチモジュールを保護できる。
イッチモジュールは大電圧の信号が入力した場合、正常
なスイッチ動作を保証できる１入力１出力型のアンテナ
スイッチモジュールとして動作するので、サージなどか
らアンテナスイッチモジュールを保護できる。
【００７４】その他は基本的に実施の形態１において説
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００７５】なお、本実施の形態４のスイッチ回路は１
入力１出力型であるが、図１３に示すように１入力ｎ出
力型の各アンテナスイッチモジュール１２の出力端子の
先にそれぞれサージ吸収コンデンサ２８を形成してもよ
い。この場合も同様にサージなどからアンテナスイッチ
モジュールを保護できる効果がある。
入力１出力型であるが、図１３に示すように１入力ｎ出
力型の各アンテナスイッチモジュール１２の出力端子の
先にそれぞれサージ吸収コンデンサ２８を形成してもよ
い。この場合も同様にサージなどからアンテナスイッチ
モジュールを保護できる効果がある。
【００７６】（実施の形態５）図１４は本発明の実施の
形態５におけるアンテナスイッチモジュールの回路図で
ある。また図１５は本発明の実施の形態５におけるアン
テナスイッチモジュールの分解斜視図である。図１４に
おいてアンテナスイッチモジュールは第４のサージ吸収
コンデンサ２５と第１のＦＥＴ２のソース端子および第
２のＦＥＴ４のドレイン端子との間に第５のサージ吸収
コンデンサ２９を接続している。図１５においてグリー
ンシート９の上面に電極１０および電極２６と電極３０
を配置してビア５１を介して第１のＦＥＴ２のソース端
子および第２のＦＥＴ４のドレイン端子と接続してい
る。電極３０はグリーンシート９を介して電極８と対向
して第５のサージ吸収コンデンサ２９を形成する。また
第５のサージ吸収コンデンサ２９は積層体内に平行平板
型のサージ吸収コンデンサとして形成しており、その電
極間隔および面積の設計の自由度を大きくできる。
形態５におけるアンテナスイッチモジュールの回路図で
ある。また図１５は本発明の実施の形態５におけるアン
テナスイッチモジュールの分解斜視図である。図１４に
おいてアンテナスイッチモジュールは第４のサージ吸収
コンデンサ２５と第１のＦＥＴ２のソース端子および第
２のＦＥＴ４のドレイン端子との間に第５のサージ吸収
コンデンサ２９を接続している。図１５においてグリー
ンシート９の上面に電極１０および電極２６と電極３０
を配置してビア５１を介して第１のＦＥＴ２のソース端
子および第２のＦＥＴ４のドレイン端子と接続してい
る。電極３０はグリーンシート９を介して電極８と対向
して第５のサージ吸収コンデンサ２９を形成する。また
第５のサージ吸収コンデンサ２９は積層体内に平行平板
型のサージ吸収コンデンサとして形成しており、その電
極間隔および面積の設計の自由度を大きくできる。
【００７７】出力端子３からサージなどによる大電圧の
信号が入力した場合、その大部分を占める直流近傍成分
は積層体に形成した第４のサージ吸収コンデンサ２５お
よび第５のサージ吸収コンデンサ２９に蓄えられるので
第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ４は破壊されずアン
テナスイッチモジュールとして安定な動作が確保され
る。
信号が入力した場合、その大部分を占める直流近傍成分
は積層体に形成した第４のサージ吸収コンデンサ２５お
よび第５のサージ吸収コンデンサ２９に蓄えられるので
第１のＦＥＴ２および第２のＦＥＴ４は破壊されずアン
テナスイッチモジュールとして安定な動作が確保され
る。
【００７８】その他は基本的に実施の形態１において説
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
明したアンテナスイッチモジュールと同じであるので、
同一部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００７９】以上のように本実施の形態５のアンテナス
イッチモジュールは大電圧の信号が入力した場合、正常
なスイッチ動作を保証できる１入力１出力型のアンテナ
スイッチモジュールとして動作するので、サージなどか
らアンテナスイッチモジュールを保護できる。
イッチモジュールは大電圧の信号が入力した場合、正常
なスイッチ動作を保証できる１入力１出力型のアンテナ
スイッチモジュールとして動作するので、サージなどか
らアンテナスイッチモジュールを保護できる。
【００８０】なお、本実施の形態５のスイッチ回路は１
入力１出力型であるが、図１６に示すように１入力ｎ出
力型の各アンテナスイッチモジュール１２の出力端子の
先にサージ吸収コンデンサ２８を形成し、かつ前記サー
ジ吸収コンデンサ２８と出力端子１５との間にサージ吸
収コンデンサ３１の一端を接続し他端を接地した回路で
構成してもよい。この場合も同様にサージなどからアン
テナスイッチモジュールを保護できる効果がある。
入力１出力型であるが、図１６に示すように１入力ｎ出
力型の各アンテナスイッチモジュール１２の出力端子の
先にサージ吸収コンデンサ２８を形成し、かつ前記サー
ジ吸収コンデンサ２８と出力端子１５との間にサージ吸
収コンデンサ３１の一端を接続し他端を接地した回路で
構成してもよい。この場合も同様にサージなどからアン
テナスイッチモジュールを保護できる効果がある。
【００８１】なお、本実施の形態５は第１のＦＥＴ２の
他端および第２のＦＥＴ４の一端に第４のサージ吸収コ
ンデンサ２５の一端と第５のサージ吸収コンデンサ２９
の一端を接続して構成されているが、これは図１７に示
すように第１のＦＥＴ２の他端および第２のＦＥＴ４の
一端と第４のサージ吸収コンデンサ２５の一端との間に
第５のサージ吸収コンデンサ２９と並列に第２のインダ
クタ３２の一端が接続され他端を接地し、その第２のイ
ンダクタ３２のインダクタンスと第５のサージ吸収コン
デンサ２５の容量とを調整することで所望の周波数帯域
において共振するように構成してもよい。この場合は第
５のサージ吸収コンデンサ２９の容量によって不整合と
なったアンテナ端子１におけるインピーダンスを整合で
きる効果がある。
他端および第２のＦＥＴ４の一端に第４のサージ吸収コ
ンデンサ２５の一端と第５のサージ吸収コンデンサ２９
の一端を接続して構成されているが、これは図１７に示
すように第１のＦＥＴ２の他端および第２のＦＥＴ４の
一端と第４のサージ吸収コンデンサ２５の一端との間に
第５のサージ吸収コンデンサ２９と並列に第２のインダ
クタ３２の一端が接続され他端を接地し、その第２のイ
ンダクタ３２のインダクタンスと第５のサージ吸収コン
デンサ２５の容量とを調整することで所望の周波数帯域
において共振するように構成してもよい。この場合は第
５のサージ吸収コンデンサ２９の容量によって不整合と
なったアンテナ端子１におけるインピーダンスを整合で
きる効果がある。
【００８２】さらに上記第２のインダクタ３２はチップ
部品で形成してもよいし内層電極で形成してもよい。前
者の場合はチップ部品を積層体上に搭載し、内層電極で
形成した回路とビア５１で接続することにより、電極パ
ターンを簡単に設計できる効果がある。また後者の場合
はアンテナスイッチモジュールのコストを低減できる効
果がある。
部品で形成してもよいし内層電極で形成してもよい。前
者の場合はチップ部品を積層体上に搭載し、内層電極で
形成した回路とビア５１で接続することにより、電極パ
ターンを簡単に設計できる効果がある。また後者の場合
はアンテナスイッチモジュールのコストを低減できる効
果がある。
【００８３】さらに上記１入力ｎ出力型のアンテナスイ
ッチモジュールにおいて、各サージ吸収コンデンサの接
地される側の電極を共通とすることが望ましい。この場
合はサージ吸収コンデンサを形成する電極数を削減でき
るので積層体を簡単に構成できる効果がある。
ッチモジュールにおいて、各サージ吸収コンデンサの接
地される側の電極を共通とすることが望ましい。この場
合はサージ吸収コンデンサを形成する電極数を削減でき
るので積層体を簡単に構成できる効果がある。
【００８４】なお、図１８に示すようにアンテナ３３に
アンテナスイッチモジュール３４を接続し、このアンテ
ナスイッチモジュール３４に送信フィルタ３５および受
信フィルタ３６を接続し送信フィルタ３５に送信端子３
９が接続されたＰＡ３７を接続し、受信フィルタ３６に
受信端子４０を接続したＬＮＡ３８を接続して構成した
移動体通信機器において、アンテナスイッチモジュール
３４が本実施の形態１、２、３、４もしくは５のアンテ
ナスイッチモジュールを用いることにより、サージなど
の大電圧の信号が入力した場合でも正常なスイッチ動作
を保証できてサージ対策部品を削除できるので、結果と
して移動体通信機器を小型化できる効果がある。
アンテナスイッチモジュール３４を接続し、このアンテ
ナスイッチモジュール３４に送信フィルタ３５および受
信フィルタ３６を接続し送信フィルタ３５に送信端子３
９が接続されたＰＡ３７を接続し、受信フィルタ３６に
受信端子４０を接続したＬＮＡ３８を接続して構成した
移動体通信機器において、アンテナスイッチモジュール
３４が本実施の形態１、２、３、４もしくは５のアンテ
ナスイッチモジュールを用いることにより、サージなど
の大電圧の信号が入力した場合でも正常なスイッチ動作
を保証できてサージ対策部品を削除できるので、結果と
して移動体通信機器を小型化できる効果がある。
【００８５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アンテナ
端子に第１のＦＥＴの一端を接続し他端を出力端子に接
続し、前記第１のＦＥＴと出力端子の間に第２のＦＥＴ
の一端を接続し他端を第１のサージ吸収コンデンサを介
して接地し、かつ前記第１のＦＥＴがＯＮ状態の時は第
２のＦＥＴをＯＦＦ状態に制御する、もしくは前記第１
のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴをＯＮ状態に
制御する回路を少なくとも１つ以上有し、前記第１およ
び第２のＦＥＴを複数層からなる積層体の上面に搭載し
前記第１のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面も
しくは内部に設けたものであり、上記構成によれば高電
圧かつ大電流の信号が流れても破壊しない小型のアンテ
ナスイッチモジュールを提供することができる。
端子に第１のＦＥＴの一端を接続し他端を出力端子に接
続し、前記第１のＦＥＴと出力端子の間に第２のＦＥＴ
の一端を接続し他端を第１のサージ吸収コンデンサを介
して接地し、かつ前記第１のＦＥＴがＯＮ状態の時は第
２のＦＥＴをＯＦＦ状態に制御する、もしくは前記第１
のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴをＯＮ状態に
制御する回路を少なくとも１つ以上有し、前記第１およ
び第２のＦＥＴを複数層からなる積層体の上面に搭載し
前記第１のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面も
しくは内部に設けたものであり、上記構成によれば高電
圧かつ大電流の信号が流れても破壊しない小型のアンテ
ナスイッチモジュールを提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるアンテナスイッ
チモジュールの回路図
チモジュールの回路図
【図２】本発明の実施の形態１におけるアンテナスイッ
チモジュールの分解斜視図
チモジュールの分解斜視図
【図３】本発明の実施の形態１におけるアンテナスイッ
チモジュールの別の構成例を示す図
チモジュールの別の構成例を示す図
【図４】本発明の実施の形態２におけるアンテナスイッ
チモジュールの回路図
チモジュールの回路図
【図５】本発明の実施の形態２におけるアンテナスイッ
チモジュールの分解斜視図
チモジュールの分解斜視図
【図６】本発明の実施の形態２におけるアンテナスイッ
チモジュールの別の構成例を示す図
チモジュールの別の構成例を示す図
【図７】本発明の実施の形態３におけるアンテナスイッ
チモジュールの回路図
チモジュールの回路図
【図８】本発明の実施の形態３におけるアンテナスイッ
チモジュールの分解斜視図
チモジュールの分解斜視図
【図９】本発明の実施の形態３におけるアンテナスイッ
チモジュールの別の構成例を示す図
チモジュールの別の構成例を示す図
【図１０】本発明の実施の形態３におけるアンテナスイ
ッチモジュールの別の構成例を示す図
ッチモジュールの別の構成例を示す図
【図１１】本発明の実施の形態４におけるアンテナスイ
ッチモジュールの回路図
ッチモジュールの回路図
【図１２】本発明の実施の形態４におけるアンテナスイ
ッチモジュールの分解斜視図
ッチモジュールの分解斜視図
【図１３】本発明の実施の形態４におけるアンテナスイ
ッチモジュールの別の構成例を示す図
ッチモジュールの別の構成例を示す図
【図１４】本発明の実施の形態５におけるアンテナスイ
ッチモジュールの回路図
ッチモジュールの回路図
【図１５】本発明の実施の形態５におけるアンテナスイ
ッチモジュールの分解斜視図
ッチモジュールの分解斜視図
【図１６】本発明の実施の形態５におけるアンテナスイ
ッチモジュールの別の構成例を示す図
ッチモジュールの別の構成例を示す図
【図１７】本発明の実施の形態５におけるアンテナスイ
ッチモジュールの別の構成例を示す図
ッチモジュールの別の構成例を示す図
【図１８】本実施の形態のアンテナスイッチモジュール
を用いた移動体通信機器のブロック図
を用いた移動体通信機器のブロック図
【図１９】従来例における高周波複合スイッチモジュー
ルの分解斜視図
ルの分解斜視図
１，１３ アンテナ端子
２ 第１のＦＥＴ
３，１５ 出力端子
４ 第２のＦＥＴ
５ 第１のサージ吸収コンデンサ
６，９，１１，１８ グリーンシート
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ 電
極 ８，１０，１７，１９，２２，２６，２７，３０，５０
電極 １２ アンテナスイッチモジュール １４ 共通端子 １６ 第２のサージ吸収コンデンサ ２０，２３，２８，３１ サージ吸収コンデンサ ２１ 第３のサージ吸収コンデンサ ２４ 第１のインダクタ ２５ 第４のサージ吸収コンデンサ ２９ 第５のサージ吸収コンデンサ ３２ 第２のインダクタ ３３ アンテナ ３４ アンテナスイッチモジュール ３５ 送信フィルタ ３６ 受信フィルタ ３７ ＰＡ ３８ ＬＮＡ ３９ 送信端子 ４０ 受信端子 ４６ パッケージ ４７ ＩＣベアチップ ４８ ワイヤ ４９ 蓋 ５１ ビア
極 ８，１０，１７，１９，２２，２６，２７，３０，５０
電極 １２ アンテナスイッチモジュール １４ 共通端子 １６ 第２のサージ吸収コンデンサ ２０，２３，２８，３１ サージ吸収コンデンサ ２１ 第３のサージ吸収コンデンサ ２４ 第１のインダクタ ２５ 第４のサージ吸収コンデンサ ２９ 第５のサージ吸収コンデンサ ３２ 第２のインダクタ ３３ アンテナ ３４ アンテナスイッチモジュール ３５ 送信フィルタ ３６ 受信フィルタ ３７ ＰＡ ３８ ＬＮＡ ３９ 送信端子 ４０ 受信端子 ４６ パッケージ ４７ ＩＣベアチップ ４８ ワイヤ ４９ 蓋 ５１ ビア
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 多良 勝司
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5K011 DA02 DA21 JA01 KA11 KA18
Claims (13)
- 【請求項１】 アンテナ端子に第１のＦＥＴの一端が接
続され他端が出力端子に接続され、第１のＦＥＴと出力
端子の間に第２のＦＥＴの一端が接続され他端が第１の
サージ吸収コンデンサを介して接地され、第１のＦＥＴ
がＯＮ状態の時は第２のＦＥＴがＯＦＦ状態に制御さ
れ、前記第１のＦＥＴがＯＦＦ状態の時は第２のＦＥＴ
がＯＮ状態に制御される回路を少なくとも１つ以上有す
るアンテナスイッチモジュールであって、前記第１およ
び第２のＦＥＴを複数層からなる積層体の上面に搭載し
前記第１のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面も
しくは内部に設けたアンテナスイッチモジュール。 - 【請求項２】 アンテナ端子と第１のＦＥＴの一端との
間に第２のサージ吸収コンデンサが接続され、この第２
のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面もしくは内
部に設けた請求項１に記載のアンテナスイッチモジュー
ル。 - 【請求項３】 アンテナ端子と第１のＦＥＴの一端との
間に第２のサージ吸収コンデンサが接続され、この第２
のサージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの一端との間に
第３のサージ吸収コンデンサの一端が接続され、この第
３のサージ吸収コンデンサの他端が接地された回路と
し、この第３のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表
面もしくは内部に設けた請求項２に記載のアンテナスイ
ッチモジュール。 - 【請求項４】 出力端子と第１のＦＥＴの他端および第
２のＦＥＴの一端との間に第４のサージ吸収コンデンサ
を接続し、この第４のサージ吸収コンデンサを積層体の
表面もしくは内部に設けた請求項１に記載のアンテナス
イッチモジュール。 - 【請求項５】 出力端子と第１のＦＥＴの他端および第
２のＦＥＴの一端との間に第４のサージ吸収コンデンサ
を接続し、この第４のサージ吸収コンデンサと第１のＦ
ＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端との間に第５のサ
ージ吸収コンデンサの一端を接続し、この第５のサージ
吸収コンデンサの他端が接地された回路とし、この第５
のサージ吸収コンデンサを前記積層体の表面もしくは内
部に設けた請求項４に記載のアンテナスイッチモジュー
ル。 - 【請求項６】 アンテナ端子と第１のＦＥＴの一端との
間に第２のサージ吸収コンデンサが接続され、第２のサ
ージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの一端との間に第３
のサージ吸収コンデンサの一端が接続され、前記第３の
サージ吸収コンデンサの他端が接地された回路とし前記
第２のサージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの一端との
間に第３のサージ吸収コンデンサと並列に第１のインダ
クタの一端が接続され、この第１のインダクタの他端を
接地した構成とする請求項３に記載のアンテナスイッチ
モジュール。 - 【請求項７】 出力端子と第１のＦＥＴの他端および第
２のＦＥＴの一端との間に第４のサージ吸収コンデンサ
を接続し、第４のサージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴ
の他端および第２のＦＥＴの一端との間に第５のサージ
吸収コンデンサの一端を接続し、この第５のサージ吸収
コンデンサの他端が接地された回路とし、前記第４のサ
ージ吸収コンデンサと第１のＦＥＴの他端および第２の
ＦＥＴの一端との間に第５のサージ吸収コンデンサと並
列に第２のインダクタの一端が接続され、前記第２のイ
ンダクタの他端を接地した構成とする請求項５に記載の
アンテナスイッチモジュール。 - 【請求項８】 第１から第５のサージ吸収コンデンサは
２つの電極で構成され、ビアホールを介して前記電極の
一方が第１のＦＥＴの他端および第２のＦＥＴの一端に
接続され、他方がビアホールを介して積層体の裏面に設
けられた電極を介して接地された構造を有する請求項１
から５のいずれかに記載のアンテナスイッチモジュー
ル。 - 【請求項９】 サージ吸収コンデンサを形成する電極の
上側および下側に形成される層の誘電率よりもサージ吸
収コンデンサを構成する電極間に形成される層の誘電率
が高い構成とする請求項１から５のいずれかに記載のア
ンテナスイッチモジュール。 - 【請求項１０】 サージ吸収コンデンサを構成する電極
間に形成される層が電圧依存性材料で構成した請求項１
から５のいずれかに記載のアンテナスイッチモジュー
ル。 - 【請求項１１】 サージ吸収コンデンサを構成する電極
の接地側の電極を複数層からなる積層体の中央層に形成
した請求項１から５のいずれかに記載のアンテナスイッ
チモジュール。 - 【請求項１２】 サージ吸収コンデンサを構成する電極
の接地されている方の電極が積層体の最下面に形成した
請求項１から５のいずれかに記載のアンテナスイッチモ
ジュール。 - 【請求項１３】 アンテナと一端がこのアンテナに接続
されたアンテナスイッチモジュールとアンテナスイッチ
モジュールと接続し特定の周波数の電流だけを通過させ
る受信フィルタおよびこの受信フィルターに接続された
ＬＮＡおよび受信端子と前記アンテナスイッチモジュー
ルに直列に接続された送信フィルターとＰＡおよび送信
端子からなる移動体通信器で請求項１から７のいずれか
に記載のアンテナスイッチモジュールを設けた移動体通
信機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078376A JP2003283362A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた移動体通信機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078376A JP2003283362A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた移動体通信機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283362A true JP2003283362A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29228354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002078376A Withdrawn JP2003283362A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた移動体通信機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283362A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100388489C (zh) * | 2004-12-31 | 2008-05-14 | 络达科技股份有限公司 | 开关电路 |
| JP2008141393A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 電子機器 |
| JP2011119948A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | カードデバイス |
| US8693157B2 (en) | 2008-05-08 | 2014-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Substrate including an ESD protection function |
| JP2014138312A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体モジュール |
-
2002
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