DE102012101606A1 - ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED - Google Patents

ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED Download PDF

Info

Publication number
DE102012101606A1
DE102012101606A1 DE102012101606A DE102012101606A DE102012101606A1 DE 102012101606 A1 DE102012101606 A1 DE 102012101606A1 DE 102012101606 A DE102012101606 A DE 102012101606A DE 102012101606 A DE102012101606 A DE 102012101606A DE 102012101606 A1 DE102012101606 A1 DE 102012101606A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
esd protection
inner electrode
protection device
led
floating inner
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102012101606A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Feichtinger
Oliver Dernovsek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE102012101606A priority Critical patent/DE102012101606A1/de
Priority to MYPI2014701016A priority patent/MY175814A/en
Priority to US14/351,051 priority patent/US9209619B2/en
Priority to JP2014537638A priority patent/JP6117809B2/ja
Priority to CN201280052959.9A priority patent/CN103890866B/zh
Priority to EP12787404.8A priority patent/EP2771890A1/de
Priority to SG11201401848XA priority patent/SG11201401848XA/en
Priority to PCT/EP2012/071287 priority patent/WO2013060861A1/de
Publication of DE102012101606A1 publication Critical patent/DE102012101606A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12Overvoltage protection resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

Es wird ein ESD-Schutzbauelement (3) aufweisend ein Keramikmaterial und eine BGA- oder LGA-Terminierung (22) angegeben. Des Weiteren wird ein ESD-Schutzbauelement (3) angegeben, umfassend einen Grundkörper (21) mit einer Unterseite (12), wobei der Grundkörper (21) ein Keramikmaterial aufweist, und mindestens eine schwebende Innenelektrode (4a), wobei ein Abstand (16) zwischen der Unterseite (12) und der schwebenden Innenelektrode (4a) zwei bis 100 Keramikkörner beträgt. Des Weiteren wird ein Bauelement (20) angegeben, umfassend einen Träger (1), auf dem eine LED (2) und ein ESD-Schutzbauelement (3) angeordnet sind, wobei das ESD-Schutzbauelement (3) wie vorher beschrieben ausgebildet ist.

Description

  • Es wird ein ESD-Schutzbauelement angegeben. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das eine LED und ein ESD-Schutzbauelement umfasst.
  • Die Druckschrift DE 10 2008 024 481 A1 offenbart eine elektrische Bauelementanordnung, die ein Halbleiterbauelement und einen Varistorkörper zum Schutz des Halbleiterbauelements vor elektrostatischen Entladungen aufweist.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein ESD-Schutzbauelement mit verbesserten Eigenschaften anzugeben. Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Bauelement mit einer LED und einem verbesserten ESD-Schutzbauelement anzugeben.
  • Es wird ein ESD-Schutzbauelement angegeben. Vorzugsweise weist das ESD-Schutzbauelement ein Keramikmaterial auf.
  • „ESD“ steht im Folgenden für „electrostatic discharge“, bzw. elektrostatische Entladung. Das bedeutet, das ESD-Schutzbauelement ist vorzugsweise zum Schutz anderer Bauelemente, beispielsweise Halbleiterbauelemente, vor Überspannungen ausgebildet. Das ESD-Schutzbauelement kann auch zum Schutz anderer Bauelemente vor Überstrom dienen. Beispielsweise ist das ESD-Schutzbauelement zum Schutz einer LED ausgebildet. „LED“ steht im Folgenden für „Licht emittierende Diode“.
  • Das ESD-Schutzbauelement ist vorzugsweise als ultradünnes Schutzbauelement ausgebildet. Vorzugsweise weist das ESD-Schutzbauelement eine Höhe zwischen 50 µm und 150 µm, insbesondere zwischen 70 µm und 100 µm, auf. Beispielsweise weist das ESD-Schutzbauelement eine Höhe von 80 µm auf. Vorzugsweise kann ein Bauelement mit dieser Höhe platzsparend verbaut werden. Zudem tritt bei einer Anordnung des ESD-Schutzbauelements neben einer LED eine umso geringere Abschattung der LED auf je flacher das ESD Schutzbauelement ausgebildet ist.
  • Vorzugsweise weist das Keramikmaterial eine Varistorkeramik auf oder besteht aus einer Varistorkeramik.
  • Vorzugsweise weist das Keramikmaterial, insbesondere die Varistorkeramik, ein ZnO-Bi-Sb Material auf oder ein ZnO-Pr-Material auf oder besteht aus einem ZnO-Bi-Sb-Material oder einem ZnO-Pr-Material. Mit diesen Keramiken kann vorzugsweise ein besonders dünnes Bauelement bei einer hohen Festigkeit erzielt werden.
  • Vorzugsweise weist die Keramik des ESD-Schutzbauelements ein Komposit aus einem Varistormaterial und einem Metall auf, oder besteht aus einem Komposit aus einem Varistormaterial oder einem Metall. Beispielsweise wird durch das Metall der Widerstand der Varistorkeramik beeinflusst.
  • Das ESD-Schutzbauelement weist vorzugsweise einen Grundkörper auf. Der Grundkörper weist vorzugsweise eine Unterseite auf. Die Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements ist die Seite, welche in einem montierten Zustand des ESD-Schutzbauelements auf einem Träger dem Träger zugewandt ist. Der Grundkörper kann einen Schichtstapel, insbesondere einen Stapel aus dielektrischen Schichten, aufweisen. Die dielektrischen Schichten weisen vorzugsweise das Keramikmaterial auf. Vorzugsweise wird der Grundkörper des ESD-Schutzbauelements durch einen monolithischen Sinterkörper gebildet.
  • Vorzugsweise ist auf der Unterseite des Grundkörpers eine Kontaktierung angeordnet. Vorzugsweise umfasst die Kontaktierung zwei Kontaktelemente. Beispielsweise weisen die Kontaktelemente Kontaktflächen auf. Vorzugsweise sind die Kontaktelemente zur elektrischen Kontaktierung des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements, insbesondere mit einer Leiterplatte, ausgebildet.
  • Vorzugsweise sind die Kontaktelemente direkt auf dem Grundkörper des ESD-Schutzbauelements angeordnet. Vorzugsweise sind die Kontaktelemente mit einem Abstand zueinander angeordnet. Vorzugsweise kann über die Kontaktelemente bei Überschreitung einer zwischen den Kontaktelementen anliegenden Spannung ein Stromfluss durch das ESD-Schutzbauelement stattfinden.
  • Vorzugsweise weist das ESD-Schutzbauelement eine BGA-Terminierung auf.
  • „BGA“ steht im Folgenden für „ball grid array“, d. h., Kugelgitteranordnung. Bei der BGA-Terminierung ist Lot beispielsweise in Form von Lotkugeln engl. „balls“, auf einem Bauelement vorgesehen. Bei der BGA-Terminierung kann Lotmaterial auch in Form von Teilkugeln, beispielsweise halbkugelförmig vorgesehen sein. Die BGA-Terminierung ermöglicht ein besonders flaches Verlöten des ESD-Schutzbauelements auf einem Träger. Die Lotkugeln sind schon vor dem Verlöten des Bauelements auf dem Bauelement vorhanden, insbesondere auf dem Bauelement umgeschmolzen, und bilden damit ein Teil des Bauelements.
  • Vorzugsweise ist die BGA-Terminierung auf einer Unterseite des ESD-Schutzbauelements angeordnet. Die Lotkugeln sind vorzugsweise strukturiert angeordnet. Beispielsweise sind die Lotkugeln in Form eines gleichmäßigen Rasters aufweisend Spalten und Zeilen angeordnet. Vorzugsweise sind die Lotkugeln besonders flach ausgebildet.
  • In einer alternativen Ausführungsform weist das ESD-Schutzbauelement eine LGA-Terminierung auf.
  • „LGA“ steht im Folgenden für „land grid array“, d. h., Gitteranordnung von Kontaktflächen. Vorzugsweise sind die Kontaktflächen in Form eines gleichmäßigen Rasters aufweisend Spalten und Zeilen auf dem ESD-Schutzbauelement angeordnet. Auch bei einer LGA-Terminierung kann das ESD-Schutzbauelement auf einem Träger verlötet werden, wobei hier im Unterschied zur BGA-Terminierung vor dem Verlöten Lotmaterial auf dem Träger, insbesondere zu Lotkugeln umgeschmolzenes Lotmaterial, angeordnet wird.
  • Ein Vorteil von BGA- und LGA-Terminierungen ist es, dass keine zusätzlichen Anschlusspins zum Verlöten eines Bauelements benötigt werden und dass die Verlötung besonders flach ausgebildet werden kann.
  • Vorzugsweise weist das ESD-Schutzbauelement wenigstens eine schwebende Innenelektrode auf. Die schwebende Innenelektrode ist nicht für eine Kontaktierung nach außen vorgesehen. Eine schwebende Innenelektrode erstreckt sich beispielsweise auf keiner Seite bis zur Außenseite eines Grundkörpers.
  • Vorzugsweise dient die schwebende Innenelektrode zur Abstimmung der Durchbruchspannung des ESD-Schutzbauelements. Vorzugsweise befindet sich zwischen der schwebenden Innenelektrode keine weitere Innenelektrode. Im Folgenden wird eine derartige Innenelektrode auch als erste schwebende Innenelektrode bezeichnet. Beispielsweise wird die Durchbruchspannung unter anderem von dem Abstand der schwebenden Innenelektrode von der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements bestimmt. Vorzugsweise ist die Durchbruchspannung umso höher, je größer der Abstand der schwebenden Innenelektrode von der Unterseite des Grundkörpers ist. Vorzugsweise findet ab Erreichen der Durchbruchspannung ein Stromfluss über die schwebende Innenelektrode statt.
  • Beispielsweise weist das ESD-Schutzbauelement genau eine schwebende Innenelektrode auf.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das ESD-Schutzbauelement genau zwei schwebende Innenelektroden auf. Beispielsweise sind eine erste und eine zweite schwebende Innenelektrode übereinander angeordnet. Beispielsweise ist ein Abstand der zweiten schwebenden Innenelektrode zu der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements größer als ein Abstand der ersten schwebenden Innenelektrode zu der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements. Beispielsweise dient die zweite schwebende Innenelektrode hauptsächlich der Symmetrie des Bauelements. Insbesondere kann die zweite Innenelektrode dazu dienen, einen Sinterverzug des Bauelements zu verhindern, so dass das Bauelement insbesondere ebene Seitenflächen aufweist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist das ESD-Schutzbauelement einen Grundkörper auf, der symmetrisch aufgebaut ist. Vorzugsweise ist der Grundkörper hinsichtlich der Anordnung der Innenelektroden symmetrisch aufgebaut.
  • Vorzugsweise weist der Grundkörper zu jeder schwebenden Innenelektrode, die einen bestimmten Abstand zur Unterseite des Grundkörpers aufweist, auch eine schwebende Innenelektrode auf, die den gleichen Abstand zur Oberseite des Grundkörpers aufweist. Verläuft die Innenelektrode genau mittig zwischen Ober- und Unterseite muss keine weitere korrespondierende Innenelektrode vorhanden sein.
  • Insbesondere kann der Grundkörper symmetrisch bezüglich einer Symmetrieebene aufgebaut sein, die parallel zur Unterseite des Grundkörpers verläuft.
  • Insbesondere verläuft die Symmetrieebene mittig durch den Grundkörper. Auf diese Weise kann beispielsweise erreicht werden, dass der Grundkörper auch bei einer sehr dünnen Ausführung mechanisch stabil ist. Beispielsweise weist der Grundkörper genau zwei, genau vier oder genau acht schwebende Innenelektroden auf, wobei die Innenelektroden symmetrisch bezüglich der Symmetrieebene angeordnet sind. In einer weiteren Ausführungsform weist der Grundkörper eine ungerade Anzahl von Innenelektroden auf, wobei eine der Innenelektroden mittig zwischen Ober- und Unterseite angeordnet ist. Vorzugsweise trägt nur die erste, d. h., unterste Innenelektrode zur ESD-Schutzfunktion des Bauelements bei, während die weiteren Innenelektroden zur mechanischen Stabilisierung des Bauelements dienen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist der Grundkörper rotationssymmetrisch ausgeführt. Beispielsweise ist der Grundkörper rotationssymmetrisch bezüglich einer Rotationsachse, die parallel zur Unterseite und senkrecht zur Längsachse des Grundkörpers verläuft.
  • Vorzugsweise beträgt ein Abstand zwischen der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements und der schwebenden Innenelektrode, insbesondere der ersten schwebenden Innenelektrode, zwei Keramikkörner.
  • Bei einem Abstand von zwei Körnern spricht man auch von einem 1-Korngrenz-Design. Beispielsweise kann durch das 1-Korngrenz-Design eine ultradünne Ausbildung des ESD-Schutzbauelements erzielt werden. Beispielsweise beträgt der Abstand der ersten schwebenden Innenelektrode von der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements zwischen 7 µm und 10 µm. Beispielsweise beträgt der Abstand der ersten schwebenden Innenelektrode von der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements ca. 8 µm.
  • In einer weiteren Ausführungsform beträgt der Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode und der Unterseite des Grundkörpers zwischen zwei und 100 Keramikkörnern.
  • Ein Abstand von deutlich mehr als zwei Keramikkörnern, beispielsweise von 80 Keramikkörnern, ermöglicht den Einsatz des ESD-Schutzbauelements bei höheren Spannungen, bis hin zu Hochspannungs-Anwendungen.
  • Das aktive Volumen, welches für die Funktionalität des ESD-Schutzbauelements hauptsächlich entscheidend ist, befindet sich vorzugsweise zwischen der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements und der ersten schwebenden Innenelektrode. Das aktive Volumen beeinflusst vorzugsweise die Durchbruchspannung des ESD-Schutzbauelements, während ein Volumen oberhalb der ersten schwebenden Innenelektrode, insbesondere eine zweite schwebende Innenelektrode, keinen Einfluss auf die Durchbruchspannung hat.
  • Vorzugsweise ist der Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode und einer optional vorhandenen, zweiten schwebenden Innenelektrode größer als der Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode und der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das ESD-Schutzbauelement einen Grundkörper mit einer Unterseite, auf der eine Kontaktierung angeordnet ist, eine erste schwebende Innenelektrode und eine dazu benachbarte, zweite schwebende Innenelektrode, wobei der Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode und der zweiten schwebenden Innenelektrode größer ist als der Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode und der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform umfasst das ESD-Schutzbauelement einen Grundkörper mit einer Unterseite, wobei der Grundkörper ein Keramikmaterial und mindestens eine schwebende Innenelektrode aufweist, wobei der Abstand zwischen der Unterseite des Grundkörpers des ESD-Schutzbauelements und der schwebenden Innenelektrode zwischen zwei und 100 Keramikkörner beträgt. Vorzugsweise beträgt der Abstand zwei Keramikkörner.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform umfasst das ESD-Schutzbauelement ein Keramikmaterial und eine BGA- oder LGA-Terminierung.
  • Alle bevorzugten Ausführungsformen können die weiteren, vorher beschriebenen Merkmale aufweisen.
  • Des Weiteren wird ein Bauelement mit einem Grundkörper angegeben, auf dem eine LED und ein ESD-Schutzbauelement angeordnet sind. Das ESD-Schutzbauelement ist vorzugsweise wie vorher beschrieben ausgebildet.
  • Vorzugsweise sind die LED und das ESD-Schutzbauelement auf dem Grundkörper des Bauelements angeordnet. Der Grundkörper des Bauelements wird im Folgenden auch als Träger bezeichnet. Vorzugsweise sind die LED und das ESD-Schutzbauelement auf einer Oberseite des Grundkörpers angeordnet. Vorzugsweise sind die LED und das ESD-Schutzbauelement in einem Abstand zueinander angeordnet.
  • Durch die ultradünne Ausbildung des ESD-Schutzbauelements kann vorzugsweise die Bauhöhe des Bauelements gering gehalten werden. Insbesondere kann die Bauhöhe der LED gering gehalten werden, ohne dass eine Abschattung der LED durch das ESD-Schutzbauelement auftritt.
  • Der Grundkörper des Bauelements dient vorzugsweise als Träger für die LED und das ESD-Schutzbauelement. Vorzugsweise dient der Grundkörper als wärmeableitender Träger für die LED und das ESD-Schutzbauelement. Zusätzlich kann der Grundkörper elektrische Kontakte zur elektrischen Kontaktierung der LED und des ESD-Schutzbauelements aufweisen.
  • Der Grundkörper des Bauelements weist vorzugsweise ein keramisches Material auf oder besteht aus einem keramischen Material. Beispielsweise weist der Grundkörper ein LTCC-Material auf, wobei LTCC für low temperature cofired ceramic steht (auf Deutsch: Niedertemperatur-Einbrand-Keramik). Vorzugsweise weist der Grundkörper mindestens eines der Materialien Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid auf oder besteht aus einem der Materialien Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid. Alternativ weist der Grundkörper ein organisches Material auf oder besteht aus einem organischen Material. Alternativ weist der Grundkörper ein metallisches Material auf. Beispielsweise weist der Grundkörper eines der Materialien Aluminium oder Kupfer auf. Vorzugsweise weisen die genannten Materialien eine gute Wärmeleitfähigkeit auf.
  • Vorzugsweise ist der Grundkörper als isolierender Grundkörper ausgebildet. Vorzugsweise ist zumindest ein Teil des Grundkörpers elektrisch isolierend. Beispielsweise ist zumindest ein Teil des Grundkörpers, der der LED und dem ESD-Schutzbauelement zugewandt ist, elektrisch isolierend.
  • Beispielsweise weist der Grundkörper ein Metall auf, wobei das Metall mit einer elektrisch isolierenden Schicht überzogen ist. Beispielsweise ist der Grundkörper wenigstens auf einer der LED und dem ESD-Schutzbauelement zugewandten Seite mit der elektrisch isolierenden Schicht überzogen. Beispielsweise weist die elektrisch isolierende Schicht Aluminiumoxid auf oder besteht aus Aluminiumoxid. Der Grundkörper aus einem Metall und einer elektrisch isolierenden Schicht kann als isolierender Grundkörper betrachtet werden.
  • Vorzugsweise weist der Grundkörper eine gute Wärmeleitfähigkeit auf. Beispielsweise kann der Grundkörper Metallpartikel enthalten. Durch die Metallpartikel kann beispielsweise die Wärmeleitfähigkeit des Grundkörpers zusätzlich verbessert werden.
  • Der Grundkörper weist beispielsweise die Form einer Platte auf.
  • Vorzugsweise weist der Grundkörper mindestens ein Via auf. Via steht für „vertical interconnect access“ und bezeichnet eine Durchkontaktierung. Vorzugsweise verläuft das mindestens eine Via senkrecht zu einer Oberfläche des Grundkörpers. Vorzugsweise weist der Grundkörper mehrere Vias auf.
  • Vorzugsweise weist der Grundkörper wenigstens ein thermisches Via auf. Vorzugsweise dient das mindestens eine thermische Vias zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit. Beispielsweise weist der Grundkörper ein keramisches Material und thermische Vias auf oder besteht aus einem keramischen Material und thermischen Vias. Beispielsweise weist der Grundkörper ein organisches Material und thermische Vias auf oder besteht aus einem organischen Material und thermischen Vias. Vorzugsweise wird über die thermischen Vias Wärme von der LED abgeführt. Beispielsweise wird Wärme von der LED zu einem Gehäuse des Bauelements abgeführt. Vorzugsweise verbessert ein thermisches Via die Wärmeleitfähigkeit von der LED zu einem Gehäuse und führt somit zu einer Erhöhung der Lebensdauer der LED.
  • Vorzugsweise ist auf einer Unterseite des Grundkörpers des Bauelements eine Metallisierung angeordnet. Die Unterseite des Grundkörpers ist vorzugsweise die der LED und dem ESD-Schutzbauelement abgewandte Seite. Vorzugsweise dient die Metallisierung der elektrischen Kontaktierung des Bauelements. Vorzugsweise ist die Metallisierung in Form von zwei Kontaktflächen auf der Unterseite angeordnet. Vorzugsweise sind die zwei Kontaktflächen nebeneinander, mit einem Abstand zueinander, angeordnet.
  • Vorzugsweise weist der Grundkörper elektrische Vias auf. Vorzugsweise weist der Grundkörper zwei elektrische Vias auf. Vorzugsweise dienen die elektrischen Vias der elektrischen Kontaktierung der LED und des ESD-Schutzbauelements. Vorzugsweise verbinden die elektrischen Vias die Oberseite des Grundkörpers mit der Metallisierung auf der Unterseite. Vorzugsweise verbinden die elektrischen Vias die LED und das ESD-Schutzbauelement direkt oder indirekt mit der Metallisierung.
  • In einer weiteren Ausführungsform sind auf einer Oberseite des Grundkörpers elektrische Leiterbahnen angeordnet. Die elektrischen Leiterbahnen können jeweils mehrfach richtungsändernde Verläufe aufweisen bzw. als flächige, geometrische Muster realisiert sein. Sie können beispielsweise mittels Siebdruckens auf den Grundkörper angeordnet sein. Beispielsweise sind die elektrischen Leiterbahnen über die elektrischen Durchkontaktierungen mit der Metallisierung auf der Unterseite des Grundkörpers in Kontakt. Vorzugsweise verbinden die elektrischen Leiterbahnen die LED und das ESD Schutzbauelement über die elektrischen Vias mit der Metallisierung des Grundkörpers des Bauelements.
  • Beispielsweise sind die LED und das ESD-Schutzbauelement auf dem Grundkörper mittels der auf dem Grundkörper angeordneten elektrischen Leiterbahnen kontaktiert. Alternativ sind die LED und das ESD-Schutzbauelement über die elektrischen Durchkontaktierungen direkt mit der Metallisierung kontaktiert. In dieser Ausführungsform sind keine elektrischen Leiterbahnen notwendig. Vorzugsweise ist das ESD-Schutzbauelement zur LED parallel kontaktiert.
  • Die LED weist vorzugsweise auf ihrer Unterseite eine Metallisierung auf. Vorzugsweise ist die Metallisierung der LED mit den auf dem Grundkörper aufgebrachten elektrischen Leiterbahnen oder mit einer elektrischen Durchkontaktierung kontaktiert.
  • Vorzugsweise sind die LED und das ESD-Schutzbauelement in einer Flipchipbauweise auf dem Grundkörper angeordnet. Bei der Flipchip-Montage wird ein Bauelement direkt, ohne weitere Anschlussdrähte, mit einer Kontaktierungsseite nach unten auf einem Träger montiert. Die Kontaktierungsseite ist die Seite, auf der die zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements vorgesehene Kontaktierung angeordnet ist, insbesondere die Unterseite des Bauelements. Vorzugsweise ist eine BGA- oder LGA-Terminierung auf der Kontaktierungsseite angeordnet. Vorzugsweise ermöglicht die BGA- oder LGA-Terminierung eine mechanische und elektrische Verbindung der LED und des ESD-Schutzbauelements mit dem Grundkörper in Flipchipbauweise.
  • Vorzugsweise weist die LED mindestens eines der folgenden Materialien auf: Galliumphosphid (GaP), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenphosphid (GaAsP), Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP), Aluminiumgalliumphosphid (AlGaP), Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs), Indiumgalliumnitrid (InGaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Aluminiumgalliumindiumnitrid (AlGaInN) oder Zinkselenid (ZnSe).
  • Das ESD-Schutzbauelement dient vorzugsweise zum Schutz der LED vor Überspannungen. Vorzugsweise weist das ESD-Schutzbauelement einen Widerstand auf, der ab einer Durchbruchspannung stark abnimmt, so dass bei einer Überspannung ein Strom über das ESD-Schutzbauelement abgeführt werden kann. Insbesondere ist der Widerstand des ESD-Schutzbauelements derart ausgebildet, dass die Gefahr einer Beschädigung der LED durch eine Überspannung reduziert wird. Beispielsweise beträgt die Durchbruchspannung des ESD-Schutzbauelements zwischen 7 und 8 V. Vorzugsweise kann die Durchbruchspannung zwischen 7 und 8 V durch das 1-Korngrenzdesign erzielt werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Bauelement einen thermischen Sensor auf. Vorzugsweise ist der thermische Sensor mit der LED verschaltet. Beispielsweise verfügt der thermische Sensor über NTC-Eigenschaften. „NTC“ steht für „negative temperature coefficient“. Das heißt, der thermische Sensor leitet Strom bei hohen Temperaturen besser als bei niedrigen Temperaturen.
  • Vorzugsweise trägt der thermische Sensor zur Regulierung eines Steuerstroms der LED bei, so dass diese schonend betrieben werden kann. Die Regulierung des Steuerstroms erfolgt vorzugsweise derart, dass die LED keinen Stromstößen ausgesetzt wird, bzw. unter möglichst konstantem Wechselstrom betrieben wird.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Bauelement einen Überstromschutz auf. Vorzugsweise ist der Überstromschutz mit der LED verschaltet. Beispielsweise verfügt der Überstromschutz über PTC-Eigenschaften. „PTC“ steht für „positive temperature coefficient“. Das heißt, der Überstromschutz leitet Strom bei niedrigen Temperaturen besser als bei hohen Temperaturen.
  • Im Folgenden werden ein ESD-Schutzbauelement sowie verschiedene Anordnungen mit einer LED und einem ESD-Schutzbauelement anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Figuren erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1A ein ESD-Schutzbauelement auf einem Träger in einer Schnittdarstellung,
  • 1B einen Ausschnitt aus dem ESD-Schutzbauelement aus 1A in einer Schnittdarstellung,
  • 2 ein Bauelement mit einer LED und einem ESD-Schutzbauelement gemäß 1A auf einem Träger in einer Schnittdarstellung,
  • 3 ein Bauelement mit einer LED und einem ESD-Schutzbauelement gemäß 1A auf einem Träger mit thermischen Vias in dem Träger in einer Schnittdarstellung,
  • 4 ein Bauelement mit einer LED, eines ESD-Schutzbauelements und eines thermischen Sensors auf einem Träger mit thermischen Vias in dem Träger in einer Schnittdarstellung,
  • 5 ein Bauelement mit einer LED, einem ESD-Schutzbauelements und einem thermischen Sensor auf einem metallischen Träger in einer Schnittdarstellung,
  • 6 einen Wafer zur Herstellung von ESD-Schutzbauelementen gemäß 1A.
  • 1A zeigt ein ESD-Schutzbauelement 3 zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen. Das ESD-Schutzbauelement 3 ist auf einem Träger 1 angeordnet. Das ESD-Schutzbauelement 3 weist ein Keramikmaterial auf. Beispielsweise weist das ESD-Schutzbauelement 3 ein ZnO-Pr-Material auf. ZnO-Pr weist eine hohe Festigkeit auf, daher können mit einem ZnO-Pr-Material sehr dünne, planare Bauelemente hergestellt werden. Alternativ kann das ESD-Schutzbauelement 3 beispielsweise ein ZnO-Bi-Sb-Material aufweisen.
  • Das ESD-Schutzbauelement 3 weist einen Grundkörper 21 mit einer Unterseite 12 auf. Die Unterseite 12 des ESD-Schutzbauelements 3 ist vorzugsweise eine dem Träger 1 zugewandte Seite. Der Träger 1 ist vorzugsweise ein Grundkörper eines Bauelements.
  • Im Grundkörper 21 des ESD-Schutzbauelements 3 sind zwei schwebende Innenelektroden 4a, 4b übereinander angeordnet. Die schwebenden Innenelektroden 4a, 4b erstrecken sich auf keiner Seite bis zu einer Außenseite des ESD-Schutzbauelements 3. Die schwebenden Innenelektroden 4a, 4b weisen vorzugsweise ein metallisches Material auf, beispielsweise weisen sie Silber-Palladium auf oder bestehen aus Silber-Palladium.
  • Auf der Unterseite 12 des ESD-Schutzbauelements 3 ist eine Kontaktierung in Form einer BGA-Terminierung 22 angeordnet. Die BGA-Terminierung 22 umfasst zwei Kontaktelemente 22a, 22b. Die Kontaktelemente 22a, 22b weisen Kontaktflächen 6a, 6b auf. Die Kontaktflächen 6a, 6b weisen beispielsweise die Materialien Cu/Ni/Au, Cr/Ni/Au oder Cr/Cu/Ni/Au auf oder bestehen aus diesen Materialien. Beispielsweise weist eine Kontaktfläche 6a, 6b eine Breite 19 von 200 µm auf. Beispielsweise weist eine Kontaktfläche 6a, 6b eine Tiefe von 150 µm auf.
  • Auf den Kontaktflächen 6a, 6b des ESD-Schutzbauelements 3 sind vor dem Verlöten des ESD-Schutzbauelements 3 Lotkugeln zum Verlöten des ESD-Schutzbauelements 3 aufgebracht. In 1A ist das ESD-Schutzbauelement nach dem Verlöten mit einem Träger 1 gezeigt, wobei die Lotkugeln zu einer Lotschicht 5 umgeschmolzen sind. Die BGA-Terminierung 22 kann beispielsweise ein SnAu-Lotmaterial aufweisen.
  • Alternativ kann dass ESD-Schutzbauelement eine LGA-Terminierung aufweisen. In diesem Fall ist an den Kontaktflächen 6a, 6b des ESD-Schutzbauelements vor dem Verlöten kein Lotmaterial angebracht. Das Lotmaterial wird bei der LGA-Terminierung vor dem Verlöten auf dem Träger 1 aufgebracht und umgeschmolzen.
  • Ein Abstand 16 zwischen der ersten, unteren schwebenden Innenelektrode 4a und der Unterseite 12 des ESD-Schutzbauelements 3 beträgt beispielsweise 7 µm bis 10 µm. Beispielsweise beträgt der Abstand 16 8 µm. Dies entspricht einem Abstand von zwei Keramikkörnern, insbesondere von 2 ZnO-Pr-Körnern. Man spricht auch von einem 1-Korngrenz-Design, da sich zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode 4a und der Unterseite 12 des Grundkörpers 21 des ESD-Schutzbauelements 3 nur eine Korngrenze befindet. Je nach dem gewünschten Spannungsbereich kann der Abstand auch größer als zwei Keramikkörner, beispielsweise 10 Keramikkörner, sein.
  • Durch das 1-Korngrenz-Design kann ein ultradünnes Design des ESD-Schutzbauelements 3 realisiert werden. Die Bauhöhe 15 des ESD-Schutzbauelements 3 beträgt einschließlich der BGA-Terminierung 22 vorzugsweise 50 µm bis 150 µm, besonders bevorzugt 70 µm bis 100 µm. Beispielsweise beträgt die Bauhöhe 15 des ESD-Schutzbauelements 3 einschließlich der BGA-Terminierung 80 µm.
  • Ein aktives Volumen des ESD-Schutzbauelements 3 befindet sich zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode 4a und der Unterseite 12 des Grundkörpers 21 des ESD-Schutzbauelements 3. Das aktive Volumen ist für die Funktionalität des ESD-Schutzbauelements 3 maßgeblich. Der Abstand 16 zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode 4a und der Unterseite 12 in Kombination mit den Eigenschaften des verwendeten Keramikmaterials bestimmt maßgeblich die Durchbruchspannung des ESD-Schutzbauelements. Ein Abstand 16 von zwei Keramikkörnern entspricht beispielsweise einer Durchbruchspannung zwischen 7 und 8 V. Beispielsweise entspricht ein Abstand 16 von zwei ZnO-Pr-Körnern einer Durchbruchspannung von 7,2 V. Bei Erreichen der Durchbruchspannung fällt der Widerstand des ESD-Schutzbauelements 3 vorzugsweise ab, so dass beispielsweise ein auftretender Überstrom über das ESD-Schutzbauelement 3 abgeleitet werden kann.
  • Das über der ersten schwebenden Innenelektrode 4a angeordnete Keramikmaterial sowie die obere, zweite schwebende Innenelektrode 4b dienen vorzugsweise lediglich der Symmetrie des Bauelements. Durch diese symmetrische Ausbildung des ESD-Schutzbauelements 3 wird vorzugsweise erreicht, dass sich das ESD-Schutzbauelement 3 beim Sintern weniger verzieht als bei einer unsymmetrischen Ausbildung und dass die mechanische Stabilität des ESD-Schutzbauelements 3 erhöht wird. Der Bereich, der sich oberhalb der ersten schwebenden Innenelektrode 4a befindet hat in dem ESD-Schutzbauelement 3 vorzugsweise keine oder nur eine geringe ESD-Funktionalität.
  • Der Träger 1 weist beispielsweise ein keramisches Material auf oder besteht aus einem keramischen Material. Beispielsweise weist der Träger 1 Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid auf oder besteht aus Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid. Alternativ weist der Träger 1 ein organisches Material auf oder besteht aus einem keramischen Material. Vorzugsweise weist der Träger 1 eine hohe thermische Leitfähigkeit auf. Beispielsweise ist der Träger 1 als isolierender Träger ausgebildet. Beispielsweise ist zumindest ein Teil des Trägers 1 isolierend. Beispielsweise ist zumindest ein Teil des Trägers 1, der dem ESD-Schutzbauelement 3 zugewandt, isolierend.
  • Auf dem Träger 1 sind beispielsweise elektrische Leiterbahnen (nicht dargestellt) zur Kontaktierung des ESD-Schutzbauelements 3 angeordnet.
  • 1B zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus einem ESD-Schutzbauelement 3 gemäß 1A in einer Schnittdarstellung. In diesem Ausschnitt sind schematisch die Korngrenzen des Keramikmaterials dargestellt. Der Abstand 16 zwischen der Unterseite 12 des ESD-Schutzbauelements 3 und der ersten schwebenden Innenelektrode 4a beträgt beispielsweise 8µm. Dieser Abstand 16 entspricht der Korngröße zweier Keramikkörner. Dadurch ergibt sich zwischen der Unterseite 12 und der ersten schwebenden Innenelektrode 4a eine 1-Korngrenzschicht 14. Beispielsweise kann das ESD-Schutzbauelement 3 durch das 1-Korngrenzdesign ultradünn ausgebildet sein. In dem gezeigten Ausschnitt sind die Lotkugeln, die bei der BGA-Terminierung auf der Kontaktfläche 6b angeordnet sind, nicht gezeigt.
  • 2 zeigt ein Bauelement 20, wobei eine LED 2 und ein gemäß 1 ausgebildetes ESD-Schutzbauelement 3 auf einem Träger 1 angeordnet sind. Der Träger 1 wird auch als Grundkörper des Bauelements 20 bezeichnet. Aufgrund des ultradünnen Designs des ESD-Schutzbauelements 3 tritt keine oder nur eine geringe Abschattung der LED 2 durch das ESD-Schutzbauelement 3 auf. Dadurch kann auch die LED 2 flach ausgebildet sein, so dass die Bauhöhe des Bauelements 20 gering gehalten werden kann.
  • Die LED 2 und das ESD-Schutzbauelement 3 sind beispielsweise in einer Flip-Chip-Bauweise auf dem Träger 1 angeordnet. Bei der Flip-Chip-Bauweise werden Bauelemente direkt, ohne weitere Anschlussdrähte, auf einem Grundkörper montiert. Dies führt zu geringen Abmessungen der Anordnung und kurzen Leiterlängen. Die LED 2 steht über einen Metallkontakt 10 beispielsweise mit elektrischen Leiterbahnen (nicht dargestellt) des Trägers 1 in Verbindung. Das ESD-Schutzbauelement 3 ist mittels einer BGA- oder einer LGA-Terminierung aufweisend Kontaktelemente 22a, 22b mit dem Träger 1 verlötet.
  • Der Träger 1 weist vorzugsweise ein Material auf, welches eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweist. Beispielsweise weist der Träger 1 ein keramisches Material, ein metallisches oder ein organisches Material auf. Beispielsweise besteht der Grundkörper aus einem keramischen Material oder einem organischen Material. Beispielsweise weist der Grundkörper Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid auf oder besteht aus Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid. Auf der Unterseite des Trägers 1 ist eine Metallisierung 8 aufgebracht. Die Metallisierung 8 dient zum elektrischen Anschluss des Bauelements 20.
  • Aufgrund der thermischen Leitfähigkeit des Trägers 1 kann eine Wärmeabfuhr von der LED 2 zu einem Gehäuse (nicht dargestellt) erfolgen. Durch eine reduzierte Wärmebelastung kann die Lebensdauer einer LED verlängert werden. Bei einer um 20° C reduzierten Betriebstemperatur einer LED kann die Lebensdauer der LED beispielsweise um den Faktor 2 erhöht werden.
  • Über der LED 2 und dem ESD-Schutzbauelement 3 ist eine Schutzbeschichtung 7 aufgebracht.
  • 3 zeigt eine ähnliche wie in 2 gezeigte Anordnung einer LED 2 und eines gemäß 1 ausgebildeten ESD-Schutzbauelements 3 auf einem Träger 1. Zusätzlich sind in dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel thermische Vias 9 im Träger 1 angeordnet. Beispielsweise sind mehrere, z. B. drei, thermische Vias im Träger 1 angeordnet. Die thermischen Vias 9 führen von der LED zu der auf der Unterseite des Trägers 1 aufgebrachten Metallisierung 8. Die thermischen Vias 9 weisen beispielsweise Silber, Kupfer oder Silberpalladium auf oder bestehen aus Silber, Kupfer oder Silberpalladium. Durch den Einsatz dieser thermischen Vias 9 kann eine bessere Wärmeabfuhr von der LED 2 zu einem Gehäuse erreicht werden.
  • 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Bauelements 20, wobei eine LED 2, ein ESD-Schutzbauelement 3 und mehrere thermische Vias 9 ähnlich wie in 3 beschrieben angeordnet sind. Zusätzlich ist ein thermischer Sensor 11 auf dem Träger 1 angeordnet. Der thermische Sensor 11 ist beispielsweise als NTC-Element ausgebildet, d. h. er leitet Strom bei hohen Temperaturen besser als bei niedrigen Temperaturen. Der thermische Sensor 11 dient vorzugsweise zur Regulierung des Steuerstroms, so dass die LED keinen Stromstößen ausgesetzt wird. Vor dem Einschalten ist er kalt, leitet somit schlecht und verringert den Einschaltstrom. Nach dem Einschalten erwärmt er sich durch den Stromfluss und verliert seinen hohen Anfangswiderstand.
  • Zusätzlich oder alternativ kann ein Überstromschutz auf dem Träger 1 angeordnet sein (nicht dargestellt). Der Überstromschutz ist beispielsweise als PTC-Element ausgebildet, d. h. er leitet Strom bei niedrigen Temperaturen besser als bei hohen Temperaturen. Über den Bauelementen ist eine Schutzbeschichtung 7 aufgebracht.
  • 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Bauelements 20, wobei eine LED 2, ein ESD-Schutzbauelement 3 und ein thermischer Sensor 11 auf einem Träger 1 angeordnet sind. Der Träger 1 wird auch als Grundkörper des Bauelements 20 bezeichnet. Der thermische Sensor 11 ist beispielsweise als NTC-Element ausgebildet.
  • Der Grundkörper 1 weist beispielsweise ein metallisches Material auf. Der Träger 1 ist auf einer Seite, die der LED 2 und dem ESD-Schutzbauelement 3 zugewandt ist, mit einer elektrisch isolierenden Schicht 13 überzogen. Somit kann der Träger 1 als isolierender Grundkörper angesehen werden. Der Träger 1 weist beispielsweise Aluminium oder Kupfer auf. Die elektrisch isolierende Schicht 13 weist beispielsweise eine keramische Isolationsschicht auf oder besteht aus einer keramischen Isolationsschicht. Die elektrisch isolierende Schicht 13 weist beispielsweise Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid auf, oder besteht aus Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid. Auf der elektrisch isolierende Schicht 13 sind vorzugsweise elektrische Leiterbahnen (nicht dargestellt) zur Kontaktierung der Bauelemente der LED 2, des ESD-Schutzbauelements 3 und des thermischen Sensors 11 angeordnet. Über einen metallischen Teil des Trägers 1 kann vorzugsweise besonders gut Wärme von den Bauelementen zu einem Gehäuse abgeführt werden.
  • Zusätzlich oder alternativ kann ein Überstromschutz auf dem Träger 1 angeordnet sein (nicht dargestellt). Über den Bauelementen ist eine Schutzbeschichtung 7 aufgebracht.
  • 6 zeigt einen Wafer 18, der als Substrat zur Herstellung von elektronischen Bauteilen dient. Der in 6 gezeigte Wafer 18 dient zur Herstellung von ESD-Schutzbauelementen. Aus einem Wafer lassen sich mehrere ESD-Schutzbauelemente herstellen. Die ESD-Schutzbauelemente sind beispielsweise gemäß 1 ausgebildet. Dabei sind Kontaktflächen 6a, 6b in gleichmäßigen Abständen schachbrettartig auf dem Wafer 18 aufgetragen. Das Auftragen der Kontaktflächen 6a, 6b erfolgt beispielsweise mittels Maskentechnik oder Schablonendruck.
  • Bei einer BGA-Terminierung werden auf die Kontaktflächen 6a, 6b Lotkugeln aufgebracht. Bei einer LGA-Terminierung werden vorzugsweise vor dem Verlöten Lotkugeln auf den Träger aufgebracht. Die Lotkugeln sind beispielsweise zwischen 100 nm und 200 µm hoch. Beispielsweise werden aus dem Wafer 18 ESD-Schutzbauelemente gemäß 1 hergestellt.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Träger
    2
    LED
    3
    ESD
    4a
    erste schwebende Innenelektrode
    4b
    zweite schwebende Innenelektrode
    5
    Lotschicht
    6a
    Kontaktfläche
    6b
    Kontaktfläche
    7
    Schutzbeschichtung
    8
    Metallisierung
    9
    Thermische Vias
    10
    Metallkontakt
    11
    Thermischer Sensor
    12
    Unterseite des ESD-Schutzbauelements
    13
    elektrisch isolierende Schicht
    14
    1-Korngrenzschicht
    15
    Bauhöhe des ESD-Schutzbauelements mit Kontaktierung 6a, 6b
    16
    Abstand einer Unterseite 12 des ESD-Schutzbauelements zu erster schwebender Innenelektrode 4a
    17
    Lotkörper
    18
    Wafer
    19
    Breite einer Kontaktierung 6a, 6b
    20
    Bauelement
    21
    Grundkörper des ESD-Schutzbauelements
    22
    BGA-Terminierung
    22a
    Kontaktelement
    22b
    Kontaktelement
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102008024481 A1 [0002]

Claims (15)

  1. ESD-Schutzbauelement (3), umfassend einen Grundkörper (21) mit einer Unterseite (12), wobei der Grundkörper (21) ein Keramikmaterial aufweist, und mindestens eine schwebende Innenelektrode (4a), wobei ein Abstand (16) zwischen der Unterseite (12) und der schwebenden Innenelektrode (4a) zwei bis 100 Keramikkörner beträgt.
  2. ESD-Schutzbauelement nach Anspruch 1, bei dem der Abstand (16) zwei Keramikkörner beträgt.
  3. ESD-Schutzbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, aufweisend eine BGA- oder LGA-Terminierung (22).
  4. ESD-Schutzbauelement (3), umfassend ein Keramikmaterial und eine BGA- oder LGA-Terminierung (22).
  5. ESD-Schutzbauelement nach Anspruch 4, aufweisend mindestens eine schwebende Innenelektrode (4a).
  6. ESD-Schutzbauelement nach Anspruch 5, aufweisend einen Grundkörper (21) mit einer Unterseite (12), wobei ein Abstand (16) zwischen der Unterseite (12) und der schwebenden Innenelektrode (4a) zwei bis 100 Keramikkörner beträgt.
  7. ESD-Schutzbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend eine zweite schwebende Innenelektrode (4b), wobei ein Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode (4a) und der zweiten schwebenden Innenelektrode (4b) größer ist als der Abstand (16) zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode (4a) und der Unterseite (12) des Grundkörpers (21).
  8. ESD-Schutzbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweisend eine Kontaktierung zur elektrischen Kontaktierung des Grundkörpers (21), wobei die Kontaktierung auf der Unterseite (12) des Grundkörpers (21) angeordnet ist.
  9. ESD-Schutzbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Grundkörper (21) symmetrisch bezüglich einer Ebene ausgebildet ist, die parallel zur Unterseite (12) des Grundkörpers (21) verläuft.
  10. ESD-Schutzbauelement, umfassend einen Grundkörper (21) mit einer Unterseite (12), eine erste schwebende Innenelektrode (4a) und eine dazu benachbarte, zweite schwebende Innenelektrode (4b), wobei der Abstand zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode (4a) und der zweiten schwebenden Innenelektrode (4b) größer ist als der Abstand (16) zwischen der ersten schwebenden Innenelektrode (4a) und der Unterseite (12) des Grundkörpers (21), und wobei eine Kontaktierung auf der Unterseite (12) des Grundkörpers (21) angeordnet ist.
  11. ESD-Schutzbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Keramikmaterial ein ZnO-Bi-Sb-Material oder ZnO-Pr-Material aufweist oder aus einem ZnO-Bi-Sb-Material oder ZnO-Pr-Material besteht.
  12. Bauelement (20) umfassend einen Träger (1), auf dem eine LED (2) und ein ESD-Schutzbauelement (3) angeordnet sind, wobei das ESD-Schutzbauelement (3) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 ausgebildet ist.
  13. Bauelement nach Anspruch 12, bei dem der Träger (1) ein keramisches Material oder ein organisches Material aufweist oder aus einem keramischen Material oder einem organischen Material besteht.
  14. Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 13, bei dem der Träger (1) mindestens eine thermische Durchkontaktierung aufweist, welche senkrecht zu einer Oberfläche verläuft und die Wärmeleitfähigkeit von der LED (2) zu einem Gehäuse verbessert.
  15. Bauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem der Träger (1) ein Metall aufweist, wobei das Metall mit einer elektrisch isolierenden Schicht (13) überzogen ist.
DE102012101606A 2011-10-28 2012-02-28 ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED Pending DE102012101606A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012101606A DE102012101606A1 (de) 2011-10-28 2012-02-28 ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED
MYPI2014701016A MY175814A (en) 2011-10-28 2012-10-26 Esd protection component and component comprising an esd protection component and an led
US14/351,051 US9209619B2 (en) 2011-10-28 2012-10-26 ESD protection component and component comprising an ESD protection component and an LED
JP2014537638A JP6117809B2 (ja) 2011-10-28 2012-10-26 Esd保護デバイスおよびesd保護デバイスとledとを備えたデバイス
CN201280052959.9A CN103890866B (zh) 2011-10-28 2012-10-26 Esd保护结构元件和带有esd保护结构元件与led的结构元件
EP12787404.8A EP2771890A1 (de) 2011-10-28 2012-10-26 Esd-schutzbauelement und bauelement mit einem esd-schutzbauelement und einer led
SG11201401848XA SG11201401848XA (en) 2011-10-28 2012-10-26 Esd protective component and component comprising esd protective component and led
PCT/EP2012/071287 WO2013060861A1 (de) 2011-10-28 2012-10-26 Esd-schutzbauelement und bauelement mit einem esd-schutzbauelement und einer led

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011117151 2011-10-28
DE102011117151.0 2011-10-28
DE102012101606A DE102012101606A1 (de) 2011-10-28 2012-02-28 ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102012101606A1 true DE102012101606A1 (de) 2013-05-02

Family

ID=48084467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012101606A Pending DE102012101606A1 (de) 2011-10-28 2012-02-28 ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9209619B2 (de)
EP (1) EP2771890A1 (de)
JP (1) JP6117809B2 (de)
CN (1) CN103890866B (de)
DE (1) DE102012101606A1 (de)
MY (1) MY175814A (de)
SG (1) SG11201401848XA (de)
WO (1) WO2013060861A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015104641A1 (de) * 2015-03-26 2016-09-29 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Ag Träger mit passiver Kühlfunktion für ein Halbleiterbauelement
KR102345612B1 (ko) 2015-07-08 2022-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
WO2017036511A1 (en) 2015-08-31 2017-03-09 Epcos Ag Electric multilayer component for surface-mount technology and method of producing an electric multilayer component
US10433418B2 (en) * 2015-12-08 2019-10-01 Signify Holding B.V. Assembly and lighting device comprising the assembly
CN108512205A (zh) * 2017-02-24 2018-09-07 北京小米移动软件有限公司 Esd保护装置及数据连接线
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
WO2020096591A1 (en) * 2018-11-07 2020-05-14 Frederick Stephen Felt Protection of biological systems

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811164A (en) * 1988-03-28 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Monolithic capacitor-varistor
US5324986A (en) * 1991-06-27 1994-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip type varistor
DE19814388A1 (de) * 1997-04-04 1998-10-08 Murata Manufacturing Co Thermistorelemente mit Erhöhungen für eine Oberflächenbefestigung
DE19835443A1 (de) * 1997-08-07 1999-03-04 Murata Manufacturing Co Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors
DE19915661A1 (de) * 1998-04-07 1999-10-21 Murata Manufacturing Co Monolithischer Varistor
DE102006057534A1 (de) * 2005-12-14 2007-07-12 Tdk Corp. Varistor Element
US20080083929A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Iii-N Technology, Inc. Ac/dc light emitting diodes with integrated protection mechanism
DE102008024481A1 (de) 2008-05-21 2009-12-03 Epcos Ag Elektrische Bauelementanordnung
DE102009007316A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-05 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4882650A (en) * 1988-12-05 1989-11-21 Sprague Electric Company Magnesium titanate ceramic and dual dielectric substrate using same
JPH02220406A (ja) * 1989-02-21 1990-09-03 Murata Mfg Co Ltd 多極型バリスタ
JP3251134B2 (ja) * 1994-08-29 2002-01-28 松下電器産業株式会社 酸化亜鉛焼結体の製造方法
JPH10261546A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ
JPH11191506A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Murata Mfg Co Ltd 積層型バリスタ
US6011683A (en) * 1997-12-29 2000-01-04 Texas Instruments Incorporated Thin multilayer ceramic capacitors
TW432731B (en) * 1998-12-01 2001-05-01 Murata Manufacturing Co Multilayer piezoelectric part
JP2000228302A (ja) * 1999-02-04 2000-08-15 Atsushi Iga 酸化亜鉛系磁器積層物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタ
DE19931056B4 (de) * 1999-07-06 2005-05-19 Epcos Ag Vielschichtvaristor niedriger Kapazität
US7113383B2 (en) * 2000-04-28 2006-09-26 X2Y Attenuators, Llc Predetermined symmetrically balanced amalgam with complementary paired portions comprising shielding electrodes and shielded electrodes and other predetermined element portions for symmetrically balanced and complementary energy portion conditioning
EP1179826A1 (de) * 2000-07-12 2002-02-13 Littelfuse Ireland Development Company Limited Integriertes passives Bauelement und Herstellungsverfahren
US6760215B2 (en) * 2001-05-25 2004-07-06 Daniel F. Devoe Capacitor with high voltage breakdown threshold
US7463474B2 (en) * 2002-04-15 2008-12-09 Avx Corporation System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components
JP4458226B2 (ja) * 2002-07-25 2010-04-28 株式会社村田製作所 バリスタの製造方法、及びバリスタ
TWI236683B (en) * 2002-07-25 2005-07-21 Murata Manufacturing Co Varistor and manufacturing method thereof
US7095053B2 (en) 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4776913B2 (ja) * 2004-01-08 2011-09-21 Tdk株式会社 積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法
US7279724B2 (en) 2004-02-25 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection
JP4295682B2 (ja) * 2004-06-28 2009-07-15 Tdk株式会社 多層配線基板
JP4270395B2 (ja) 2005-03-28 2009-05-27 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
US20060220177A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Palanduz Cengiz A Reduced porosity high-k thin film mixed grains for thin film capacitor applications
CN101536275B (zh) * 2006-10-31 2012-05-30 松下电器产业株式会社 防静电部件及其制造方法
JP2008227139A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール
JP4888225B2 (ja) * 2007-03-30 2012-02-29 Tdk株式会社 バリスタ及び発光装置
DE102007020783A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-06 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
US8263432B2 (en) * 2007-05-17 2012-09-11 Bee Fund Biotechnology Inc. Material composition having core-shell microstructure used for varistor
DE102007031510A1 (de) * 2007-07-06 2009-01-08 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
CN102915462B (zh) * 2007-07-18 2017-03-01 株式会社村田制作所 无线ic器件
US7858402B2 (en) * 2007-11-28 2010-12-28 Broadcom Corporation Integrated circuit package having reversible ESD protection
WO2009136535A1 (ja) * 2008-05-08 2009-11-12 株式会社 村田製作所 Esd保護機能内蔵基板
US8253230B2 (en) * 2008-05-15 2012-08-28 Micron Technology, Inc. Disabling electrical connections using pass-through 3D interconnects and associated systems and methods
CN101740678A (zh) 2008-11-10 2010-06-16 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 固态发光元件及光源模组
JP5272683B2 (ja) * 2008-11-28 2013-08-28 株式会社村田製作所 非線形抵抗変化素子
DE102009010212B4 (de) * 2009-02-23 2017-12-07 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
KR101392455B1 (ko) 2009-09-30 2014-05-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Esd 보호 디바이스 및 그 제조 방법
JP5324390B2 (ja) * 2009-10-22 2013-10-23 Tdk株式会社 積層電子部品
DE102010007443A1 (de) * 2010-02-10 2011-08-11 Epcos Ag, 81669 Keramisches Vielschichtbauelement
US8947852B2 (en) * 2011-07-07 2015-02-03 Kemet Electronics Corporation Integrated EMI filter and surge protection component

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811164A (en) * 1988-03-28 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Monolithic capacitor-varistor
US5324986A (en) * 1991-06-27 1994-06-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip type varistor
DE19814388A1 (de) * 1997-04-04 1998-10-08 Murata Manufacturing Co Thermistorelemente mit Erhöhungen für eine Oberflächenbefestigung
DE19835443A1 (de) * 1997-08-07 1999-03-04 Murata Manufacturing Co Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors
DE19915661A1 (de) * 1998-04-07 1999-10-21 Murata Manufacturing Co Monolithischer Varistor
DE102006057534A1 (de) * 2005-12-14 2007-07-12 Tdk Corp. Varistor Element
US20080083929A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Iii-N Technology, Inc. Ac/dc light emitting diodes with integrated protection mechanism
DE102008024481A1 (de) 2008-05-21 2009-12-03 Epcos Ag Elektrische Bauelementanordnung
DE102009007316A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-05 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015501545A (ja) 2015-01-15
WO2013060861A1 (de) 2013-05-02
US9209619B2 (en) 2015-12-08
US20140252403A1 (en) 2014-09-11
SG11201401848XA (en) 2014-09-26
CN103890866A (zh) 2014-06-25
EP2771890A1 (de) 2014-09-03
MY175814A (en) 2020-07-09
CN103890866B (zh) 2017-03-22
JP6117809B2 (ja) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012101606A1 (de) ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED
DE102009010212B4 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement
EP2891193B1 (de) Leuchtdiodenvorrichtung
EP2652785B1 (de) Träger für einen optoelektronischen halbleiterchip und halbleiterchip
EP0103748A2 (de) Kombinierte Schaltung mit Varistor
WO2013174583A1 (de) Leuchtdiodenvorrichtung
DE102008024480A1 (de) Elektrische Bauelementanordnung
EP2289074B1 (de) Elektrische bauelementanordnung mit einem varistor und einem halbleiterbauelement
WO2010089294A1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement
DE102019119371A1 (de) Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
DE102006015723A1 (de) Mehrschichtiger Chipvaristor
DE102013217801B4 (de) Halbleiteranordnung, verfahren zur herstellung einer anzahl von chipbaugruppen, verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und verfahren zum betrieb einer halbleiteranordnung
WO2014000988A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
EP3178117B1 (de) Träger für eine led
EP1825511B1 (de) Halbleiterschaltmodul
WO2010108774A1 (de) Anordnung optoelektronischer bauelemente
WO2017009085A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102016200598A1 (de) Oberflächenmontierbare Vorrichtung zum Schutz einer elektrischen Schaltung
DE102014116793B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
EP3455861A2 (de) Keramische vielschichtbauelement und verfahren zur seines herstellung
EP2438613B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102007043681B4 (de) Optoelektronisches Bauelement
EP1911052A1 (de) Elektrisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R016 Response to examination communication