CN103890866B - Esd保护结构元件和带有esd保护结构元件与led的结构元件 - Google Patents

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Abstract

说明了一种ESD保护结构元件(3)，其具有陶瓷材料和BGA或LGA终端(22)。此外，说明了一种ESD保护结构元件(3)，其包括：带有下侧(12)的基体(21)，其中，基体(21)具有陶瓷材料；和至少一个悬着的内电极(4a)，其中，在下侧(12)和悬着的内电极(4a)之间的距离(16)为2至100个陶瓷晶粒。此外，说明了一种结构元件(20)，其包括载体(1)，在该载体(1)上布置有LED(2)和ESD保护结构元件(3)，其中，ESD保护结构元件(3)如之前说明的那样来构造。

Description

ESD保护结构元件和带有ESD保护结构元件与LED的结构元件
技术领域
本发明提出一种ESD保护结构元件。此外，提出一种包括LED和ESD保护结构元件的结构元件。
背景技术
出版物DE 10 2008 024 481 A1公开了一种电的结构元件组件，其具有半导体结构元件和用于保护半导体结构元件不受静电放电影响的变阻器体。
发明内容
待解决的一个任务是提供一种带有改进的性能的ESD保护结构元件。另一任务在于提供一种带有LED和改进的ESD保护结构元件的结构元件。
提供了一种ESD保护结构元件。优选地，该ESD保护结构元件具有陶瓷材料。
“ESD”以下代表“electrostatic discharge”或“静电放电”。这意味着ESD保护结构元件优选构造成用于保护其他的结构元件(例如半导体结构元件)不受过电压的影响。ESD保护结构元件还可用于保护其他的结构元件不受过电流的影响。例如，ESD保护结构元件构造成用于保护LED。“LED”以下代表“Licht emittierende Diode(发光二极管)”。
优选地，ESD保护结构元件构造为超薄的保护结构元件。优选地，ESD保护结构元件具有在50μm与150μm之间的高度，尤其具有在70μm与100μm之间的高度。例如，ESD保护结构元件具有80μm的高度。优选地，带有该高度的结构元件可节省空间地来建造。此外，在ESD保护结构元件布置在LED旁边时，ESD保护结构元件构造得越平，LED的遮蔽越少。
优选地，陶瓷材料具有变阻器陶瓷(Varistorkeramik)或者由变阻器陶瓷制成。
优选地，陶瓷材料尤其变阻器陶瓷具有ZnO-Bi-Sb材料或者ZnO-Pr材料，或者由ZnO-Bi-Sb材料或ZnO-Pr材料制成。优选地，利用该陶瓷可在高强度的情况下获得特别薄的结构元件。
优选地，ESD保护结构元件的陶瓷具有包含变阻器材料和金属的复合物，或者由包含变阻器材料和金属的复合物制成。例如，通过金属影响变阻器陶瓷的电阻。
优选地，ESD保护结构元件具有基体。基体优选具有下侧。ESD保护结构元件的基体的下侧是这样的侧部，其在ESD保护结构元件装配在载体上的状态中面对载体。基体可具有层堆叠部，尤其具有包含非传导性的层的堆叠部。非传导性的层优选具有陶瓷材料。优选地，ESD保护结构元件的基体由单块的烧结体形成。
优选地，在基体的下侧上布置有接触部(Kontaktierung)。优选地，该接触部包括两个接触元件。接触元件例如具有接触面。优选地，接触元件构造成用于ESD保护结构元件的基体尤其与电路板的电接触。
优选地，接触元件直接布置在ESD保护结构元件的基体上。优选地，接触元件彼此布置成带有间距。优选地，在超过存在于接触元件之间的电压时，可通过接触元件出现通过ESD保护结构元件的电流流动。
优选地，ESD保护结构元件具有BGA终端(Terminierung)。
“BGA”以下代表“ball grid array”，即球栅阵列。在BGA终端中，焊料例如以焊料球(Lotkugel，英文“balls”)的形式设置在结构元件上。在BGA终端中，焊料材料还可以部分球体的形式(例如半球状地)来设置。BGA终端使得ESD保护结构元件能够特别平地焊接在载体上。焊料球已经在焊接结构元件之前就存在于结构元件上，尤其在结构元件上再熔化，并且由此形成结构元件的一部分。
优选地，BGA终端布置在ESD保护结构元件的下侧上。焊料球优选地布置成具有一定的结构。例如，焊料球以具有行和列的均匀的网栅的形式来布置。优选地，焊料球构造得特别平。
在一种备选的实施方式中，ESD保护结构元件具有LGA终端。
“LGA”以下代表“land grid array”，即平面栅格阵列。优选地，接触面以具有行和列的均匀的网栅的形式布置在ESD保护结构元件上。在LGA终端中，ESD保护结构元件同样可焊接在载体上，其中，在此不同于BGA终端，在焊接之前将焊料材料(尤其再熔化成焊料球的焊料材料)布置在载体上。
BGA和LGA终端的优点是不需要用于焊接结构元件的附加的联接针，并且焊接部可构造得特别平。
优选地，ESD保护结构元件具有至少一个悬着的内电极。悬着的内电极并非向外设置成用于接触。悬着的内电极例如在每一侧上都未延伸直至基体的外侧。
优选地，悬着的内电极用于确定ESD保护结构元件的击穿电压。优选地，在悬着的内电极之间不存在其他的内电极。下面还将这种类型的内电极称为悬着的第一内电极。例如，击穿电压尤其由该悬着的内电极和ESD保护结构元件的基体的下侧的距离确定。优选地，击穿电压越高，悬着的内电极与基体的下侧的距离越大。优选地，自达到击穿电压起，发生通过悬着的内电极的电流流动。
例如，ESD保护结构元件具有刚好一个悬着的内电极。
在另一实施方式中，ESD保护结构元件具有刚好两个悬着的内电极。悬着的第一内电极和第二内电极例如相叠地来布置。例如，悬着的第二内电极与ESD保护结构元件的基体的下侧的距离大于悬着的第一内电极与ESD保护结构元件的基体的下侧的距离。
例如，悬着的第二内电极主要用于结构元件的对称。第二内电极可尤其用于防止结构元件的烧结扭曲，从而结构元件尤其具有平坦的侧面。
在一种优选的实施方式中，ESD保护结构元件具有对称地构造的基体。优选地，基体在内电极的布置方面设立成对称的。
优选地，对于与基体的下侧具有一定距离的悬着的每个内电极，基体还具有与基体的上侧具有相同的距离的悬着的内电极。如果内电极刚好居中地在上侧和下侧之间伸延，不必存在其他的对应的内电极。
基体尤其可建造成关于平行于基体的下侧伸延的对称平面对称。
对称平面尤其居中地伸延通过基体。以这种方式例如可实现基体即使在非常薄的实施方案中在机械方面也是稳定的。例如，基体具有刚好两个、刚好四个或刚好八个悬着的内电极，其中，这些内电极布置成关于对称平面对称。在另一实施方式中，基体具有奇数数量的内电极，其中，内电极中的一个居中地布置在上侧和下侧之间。优选地，仅仅第一内电极(即最下方的内电极)有助于结构元件的ESD保护功能，而其他的内电极用于结构元件的机械稳定。
在另一实施方式中，基体实施成旋转对称。例如，基体关于平行于下侧且垂直于基体的纵轴线伸延的旋转轴线旋转对称。
优选地，在ESD保护结构元件的基体的下侧和悬着的内电极(尤其悬着的第一内电极)之间的距离为两个陶瓷晶粒(Keramikkorn)。
两个晶粒的距离还称成单晶界设计方案。例如，通过单晶界设计方案可获得ESD保护结构元件的超薄的构造方案。例如，悬着的第一内电极与ESD保护结构元件的基体的下侧的距离在7μm与10μm之间。例如，悬着的第一内电极与ESD保护结构元件的基体的下侧的距离约为8μm。
在另一实施方式中，在悬着的第一内电极和基体的下侧之间的距离在2个与100个陶瓷晶粒之间。
明显大于两个陶瓷晶粒(例如80个陶瓷晶粒)的距离使得能够在更高的电压的情况下直至高压应用使用ESD保护结构元件。
主要对于ESD保护结构元件的功能性决定性的有效体积优选位于ESD保护结构元件的基体的下侧和悬着的第一内电极之间。该有效体积优选影响ESD保护结构元件的击穿电压，而在悬着的第一内电极上方的体积(尤其悬着的第二内电极)对击穿电压没有影响。
优选地，在悬着的第一内电极和可选地存在的悬着的第二内电极之间的距离大于在悬着的第一内电极和ESD保护结构元件的基体的下侧之间的距离。
在一种优选的实施方式中，ESD保护结构元件包括带有下侧(在该下侧上布置有接触部)的基体、悬着的第一内电极和与此相邻的悬着的第二内电极，其中，在悬着的第一内电极和悬着的第二内电极之间的距离大于在悬着的第一内电极和ESD保护结构元件的基体的下侧之间的距离。
在另一优选的实施方式中，ESD保护结构元件包括带有下侧的基体，其中，基体具有陶瓷材料和至少一个悬着的内电极，其中，在ESD保护结构元件的基体的下侧和悬着的内电极之间的距离在2个与100个陶瓷晶粒之间。优选地，该距离为两个陶瓷晶粒。
在另一优选的实施方式中，ESD保护结构元件包括陶瓷材料和BGA或LGA终端。
所有优选的实施方式可具有之前说明的其他特征。
此外，说明了一种带有基体的结构元件，在该基体上布置有LED和ESD保护结构元件。ESD保护结构元件优选如之前说明的那样来构造。
优选地，LED和ESD保护结构元件布置在结构元件的基体上。结构元件的基体下面还被称为载体。优选地，LED和ESD保护结构元件布置在基体的上侧上。优选地，LED和ESD保护结构元件彼此成间距地来布置。
通过ESD保护结构元件的超薄的构造方案可优选地使结构元件的结构高度保持得很小。尤其可将LED的结构高度保持得很小，而并未出现LED由于ESD保护结构元件的遮蔽。
优选地，结构元件的基体用作用于LED和ESD保护结构元件的载体。优选地，基体用作用于LED和ESD保护结构元件的导热的载体。附加地，基体可具有用于LED和ESD保护结构元件的电接触的电触头。
优选地，结构元件的基体具有陶瓷材料或者由陶瓷材料制成。例如，基体具有LTCC材料，其中，LTCC代表low temperature cofired ceramic(低温共烧陶瓷)。优选地，基体具有材料氧化铝或氮化铝中的至少一种，或者由材料氧化铝或氮化铝中的一种制成。备选地，基体具有有机材料或者由有机材料制成。备选地，基体具有金属材料。例如，基体具有材料铝或铜中的一种。优选地，所提及的材料具有良好的导热能力。
优选地，基体构造为绝缘基体。优选地，基体的至少一部分是电绝缘的。例如，基体的面对LED和ESD保护结构元件的至少一部分是电绝缘的。
基体例如具有金属，其中，金属利用电绝缘层来覆盖。基体例如至少在面对LED和ESD保护结构元件的侧部上利用电绝缘层来覆盖。例如，电绝缘层具有氧化铝或由氧化铝制成。包含金属和电绝缘层的基体可被看作绝缘基体。
优选地，基体具有良好的导热能力。例如，基体可含有金属颗粒。通过金属颗粒例如可附加地改善基体的导热能力。
基体例如具有板的形状。
优选地，基体具有至少一个Via。Via代表“vertical interconnect access(垂直互连通路)”并且表示通道(Durchkontaktierung)。优选地，至少一个Via垂直于基体的表面伸延。优选地，基体具有多个Via。
优选地，基体具有至少一个热Via。优选地，至少一个热Via用于改善导热能力。例如，基体具有陶瓷材料和热Via或者由陶瓷材料和热Via制成。例如，基体具有有机材料和热Via或者由有机材料和热Via制成。优选地，通过热Via将热从LED导出。例如将热从LED导出到结构元件的壳体。优选地，热Via改善了从LED到壳体的导热能力并且由此引起LED的使用寿命的提高。
优选地，在结构元件的基体的下侧上布置有喷涂金属(Metallisierung)。基体的下侧优选为背对LED和ESD保护结构元件的侧部。优选地，喷涂金属用于结构元件的电接触。优选地，喷涂金属以两个接触面的形式布置在下侧上。优选地，两个接触面并排彼此布置成带有间距。
优选地，基体具有电Via。优选地，基体具有两个电Via。优选地，电Via用于LED和ESD保护结构元件的电接触。优选地，电Via使基体的上侧与下侧上的喷涂金属相连接。优选地，电Via使LED和ESD保护结构元件直接或间接与喷涂金属相连接。
在另一实施方式中，在基体的上侧上布置有电的导体电路。电的导体电路可相应具有多次在方向上变化的走向或者实现为面式的几何模型。其例如可借助于丝网印刷布置在基体上。例如，电的导体电路通过电的通道与在基体的下侧上的喷涂金属接触。优选地，电的导体电路通过电Via使LED和ESD保护结构元件与结构元件的基体的喷涂金属相连接。
例如，在基体上的LED和ESD保护结构元件借助于布置在基体上的电的导体电路相接触。备选地，LED和ESD保护结构元件通过电的通道直接与喷涂金属接触。在该实施方式中，不需要电的导体电路。优选地，ESD保护结构元件相对于LED并联地接触。
优选地，LED在其下侧上具有喷涂金属。优选地，LED的喷涂金属与施加在基体上的电的导体电路或者与电的通道相接触。
优选地，LED和ESD保护结构元件以倒装结构方式(Flip-Chip-Bauweise)布置在基体上。在倒装装配中，结构元件直接在没有其他联接线的情况下利用接触侧向下装配在载体上。接触侧是这样的侧部，即，在该侧部上布置有设置成用于电接触结构元件的接触部，尤其结构元件的下侧。优选地，BGA或LGA终端布置在接触侧上。优选地，BGA或LGA终端使得LED和ESD保护结构元件与基体能够以倒装结构方式实现机械和电的连接。
优选地，LED具有以下材料中的至少一种：磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、铝磷化镓(AlGaP)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝(AlN)、氮化铝稼(AlGaN)、氮化铝镓铟(AlGaInN)或硒化锌(ZnSe)。
ESD保护结构元件优选用于保护LED不受过电压的影响。优选地，ESD保护结构元件具有自击穿电压起快速下降的电阻，从而使得在过电压的情况下电流可通过ESD保护结构元件导出。尤其如此构造ESD保护结构元件的电阻，即，降低LED由于过电压损坏的风险。例如，ESD保护结构元件的击穿电压在7V与8V之间。优选地，在7V与8V之间的击穿电压可通过单晶界设计方案达到。
在另一实施方式中，结构元件具有热传感器。优选地，热传感器与LED相连接。例如，热传感器具有NTC性能。“NTC”代表“negative temperatur coefficient(负温度系数)”。也就是说，热传感器在高温下比在低温下更好地传导电流。
优选地，热传感器有助于调节LED的控制电流，从而LED可安全地运行。优选如此进行控制电流的调节，即，LED不经受电流冲击，更确切地说在尽可能恒定的交流电的作用下运行。
在另一实施方式中，结构元件具有过电流保护部。优选地，过电流保护部与LED相连接。例如，过电流保护部具有PTC性能。“PTC”代表“positive temperatur coefficient(正温度系数)”。也就是说，过电流保护部在低温下比在高温下更好地传导电流。
附图说明
下面借助示意性的且未按比例的附图阐述ESD保护结构元件以及带有LED和ESD保护结构元件的不同组件。其中：
图1A以截面图显示了在载体上的ESD保护结构元件，
图1B以截面图显示了图1A的ESD保护结构元件的部段，
图2以截面图显示了结构元件，其带有在载体上的LED和根据图1A的ESD保护结构元件，
图3以截面图显示了结构元件，其带有在载体上的LED和根据图1A的ESD保护结构元件和在载体中的热Via，
图4以截面图显示了结构元件，其带有在载体上的LED、ESD保护结构元件和热传感器与在载体中的热Via，
图5以截面图显示了结构元件，其带有在金属载体上的LED、ESD保护结构元件和热传感器，
图6显示了用于制造根据图1A的ESD保护结构元件的晶片。
具体实施方式
图1A显示了用于保护不受静电放电影响的ESD保护结构元件3。ESD保护结构元件3布置在载体1上。ESD保护结构元件3具有陶瓷材料。例如，ESD保护结构元件3具有ZnO-Pr材料。ZnO-Pr具有很高的强度，因此可利用ZnO-Pr材料制造非常薄的平的结构元件。备选地，ESD保护结构元件3例如可具有ZnO-Bi-Sb材料。
ESD保护结构元件3具有带有下侧12的基体21。ESD保护结构元件3的下侧12优选为面对载体1的侧部。载体1优选为结构元件的基体。
在ESD保护结构元件3的基体21中相叠布置有悬着的两个内电极4a、4b。悬着的内电极4a、4b在每一侧上都未延伸直至ESD保护结构元件3的外侧。优选地，悬着的内电极4a、4b具有金属材料，例如其具有银钯或者由银钯制成。
在ESD保护结构元件3的下侧12上布置有呈BGA终端22的形式的接触部。BGA终端22包括两个接触元件22a、22b。接触元件22a、22b具有接触面6a、6b。接触面6a、6b例如具有材料Cu/Ni/Au、Cr/Ni/Au或Cr/Cu/Ni/Au，或者由这些材料制成。接触面6a、6b例如具有19μm至200μm的宽度。接触面6a、6b例如具有150μm的厚度。
在焊接ESD保护结构元件3之前将焊料球施加在ESD保护结构元件3的接触面6a、6b上以用于焊接ESD保护结构元件3。在图1A中示出了与载体1焊接在一起之后的ESD保护结构元件，其中，焊料球再熔化成焊料层5。BGA终端22例如可具有SnAu焊料材料。
备选地，ESD保护结构元件可具有LGA终端。在这种情况下，在焊接之前并未在ESD保护结构元件的接触面6a、6b处施加焊料材料。对于LGA终端，在焊接之前在载体1上施加焊料材料并且使其再熔化。
在下部的悬着的第一内电极4a和ESD保护结构元件3的下侧12之间的距离16例如为7μm至10μm。该距离16例如为8μm。这相应于两个陶瓷晶粒(尤其2个ZnO-Pr晶粒)的距离。还称之为单晶界设计方案，因为在悬着的第一内电极4a和ESD保护结构元件3的基体21的下侧12之间存在仅仅一个晶界。根据期望的电压范围，该距离还可大于两个陶瓷晶粒，例如为10个陶瓷晶粒。
通过单晶界设计方案可实现超薄地设计ESD保护结构元件3。ESD保护结构元件3连同BGA终端22的结构高度15优选为50μm至150μm，特别优选地为70μm至100μm。ESD保护结构元件3连同BGA终端的结构高度15例如为80μm。
ESD保护结构元件3的有效体积位于悬着的第一内电极4a和ESD保护结构元件3的基体21的下侧12之间。该有效体积对于ESD保护结构元件3的功能性非常重要。在悬着的第一内电极4a和下侧12之间的距离16结合所使用的陶瓷材料的性能决定性地确定ESD保护结构元件的击穿电压。两个陶瓷晶粒的距离16例如相应于在7V与8V之间的击穿电压。两个ZnO-Pr晶粒的距离16例如相应于7.2V的击穿电压。优选地，在达到击穿电压时，ESD保护结构元件3的电阻下降，从而例如可通过ESD保护结构元件3导出出现的过电流。
布置在悬着的第一内电极4a之上的陶瓷材料以及上方的悬着的第二内电极4b优选仅仅用于结构元件的对称性。通过ESD保护结构元件3的这种对称的构造方案优选实现ESD保护结构元件3在烧结时比在非对称的构造方案中更少地扭曲，并且提高ESD保护结构元件3的机械稳定性。位于悬着的第一内电极4a上方的区域在ESD保护结构元件3中优选不具有或者仅仅具有很少的ESD功能。
载体1例如具有陶瓷材料或者由陶瓷材料制成。载体1例如具有氧化铝或氮化铝或者由氧化铝或氮化铝制成。备选地，载体1具有有机材料或者由陶瓷材料制成。优选地，载体1具有很高的导热能力。载体1例如构造为绝缘载体。载体1的至少一部分例如是绝缘的。例如，载体1的面对ESD保护结构元件3的至少一部分是绝缘的。
在载体1上例如布置有用于接触ESD保护结构元件3的电的导体电路(未示出)。
图1B以截面图示出了根据图1A的ESD保护结构元件3的放大的部段。在该部段中示意性地示出了陶瓷材料的晶界。在ESD保护结构元件3的下侧12和悬着的第一内电极4a之间的距离16例如为8μm。距离16相应于两个陶瓷晶粒的晶粒大小。由此在下侧12和悬着的第一内电极4a之间得到单晶界层14。例如ESD保护结构元件可通过单晶界设计方案构造成超薄的。在所示出的部段中，未示出在BGA终端22中布置在接触面6b上的焊料球。
图2显示了结构元件20，其中，LED 2和根据图1构造的ESD保护结构元件3布置在载体1上。载体1还被称为结构元件20的基体。由于ESD保护结构元件3超薄的设计方案，并未出现LED 2由ESD保护结构元件3的遮蔽或仅仅出现LED 2由ESD保护结构元件3的很少的遮蔽。由此还可将LED 2构造成平的，从而结构元件20的结构高度可保持得很小。
LED 2和ESD保护结构元件3例如以倒装结构方式布置在载体1上。在倒装结构方式中，结构元件直接在没有其他联接线的情况下装配在基体上。这引起组件的很小的尺寸和很短的导体长度。LED 2通过金属触头10例如与载体1的电的导体电路(未示出)相连接。ESD保护结构元件3借助于具有接触元件22a、22b的BGA或LGA终端与载体1焊接在一起。
优选地，载体1具有这样的材料，即，该材料具有很高的导热能力。例如，载体1具有陶瓷材料、金属材料或有机材料。例如，基体由陶瓷材料或有机材料制成。例如，基体具有氧化铝或氮化铝或者由氧化铝或氮化铝制成。在载体1的下侧上施加有喷涂金属8。喷涂金属8用于结构元件20的电的联接。
由于载体1的热传导能力可实现从LED 2到壳体(未示出)的散热。通过降低热负载可延长LED的使用寿命。例如，在LED的运行温度降低20℃时，LED的使用寿命可提高两倍。
在LED 2和ESD保护结构元件3上施加有保护涂层7。
图3显示了在载体1上的LED 2和根据图1构造的ESD保护结构元件3的类似于在图2中示出的组件。附加地，在图3中示出的实施例中在载体1中布置有热Via 9。例如，在载体1中布置有多个(例如三个)热Via 9。这些热Via 9从LED引导至施加在载体1的下侧上的喷涂金属8。热Via 9例如具有银、铜或银钯或者由银、铜或银钯制成。通过插入热Via 9可实现从LED 2到壳体的更好的散热。
图4显示了结构元件20的另一实施例，其中，LED 2、ESD保护结构元件3和多个热Via 9与在图3中说明的那样类似地来布置。附加地，在载体1上布置热传感器11。热传感器11例如构造为NTC元件，即其在高温下比在低温下更好地传导电流。热传感器11优选地用于调节控制电流，从而使得LED不经受电流冲击。热传感器11在接通之前较冷、由此不良地传导并且使接通电流变小。在接通之后，热传感器11通过电流加热并且失去其高的初始电阻。
附加地或备选地，在载体1上可布置有过电流保护部(未示出)。过电流保护部例如构造为PTC元件，即其在低温下比在高温下更好地传导电流。在这些结构元件上施加有保护涂层7。
图5显示了结构元件20的一个实施例，其中，LED 2、ESD保护结构元件3和热传感器11布置在载体1上。载体1还被称为结构元件20的基体。热传感器11例如构造为NTC元件。
基体1例如具有金属材料。载体1在面对LED 2和ESD保护结构元件3的侧部上利用电绝缘层13来覆盖。由此可将载体1视为绝缘基体。载体1例如具有铝或铜。电绝缘层13例如具有陶瓷绝缘层或者由陶瓷绝缘层制成。电绝缘层13例如具有氧化铝或氮化铝，或者由氧化铝或氮化铝制成。在电绝缘层13上优选布置有用于与LED 2、ESD保护结构元件3和热传感器11的结构元件接触的电的导体电路(未示出)。通过载体1的金属部分可优选地特别好地将热从结构元件导出至壳体。
附加地或备选地，在载体1上可布置过电流保护部(未示出)。在这些结构元件上施加有保护涂层7。
图6显示了晶片18，其用作用于制造电子构件的基底。在图6中显示的晶片18用于制造ESD保护结构元件。可由一个晶片制成多个ESD保护结构元件。ESD保护结构元件例如根据图1来构造。在此将接触面6a、6b以均匀的距离棋盘状地施加在晶片18上。例如借助于掩膜技术或丝网印刷(Schablonendruck)进行接触面6a、6b的涂装。
对于BGA终端，将焊料球施加到接触面6a、6b上。对于LGA终端，优选在焊接之前将焊料球施加到载体上。焊料球的高度例如在100nm至200μm之间。例如由晶片18制成根据图1的ESD保护结构元件。
参考标号列表
1 载体
2 LED
3 ESD
4a 悬着的第一内电极
4b 悬着的第二内电极
5 焊料层
6a 接触面
6b 接触面
7 保护涂层
8 喷涂金属
9 热Via
10 金属触头
11 热传感器
12 ESD保护结构元件的下侧
13 电绝缘层
14 单晶界层
15 带有接触部6a、6b的ESD保护结构元件的结构高度
16 ESD保护结构元件的下侧12与悬着的第一内电极4a的距离
18 晶片
19 接触部6a、6b的宽度
20 结构元件
21 ESD保护结构元件的基体
22 BGA终端
22a 接触元件
22b 接触元件。

Claims (12)

1.一种ESD保护结构元件(3)，包括：带有下侧(12)的基体(21)，其中，所述基体(21)具有陶瓷材料；和至少一个悬着的内电极(4a)，其中，在所述下侧(12)和所述悬着的内电极(4a)之间的距离(16)为2至100个陶瓷晶粒，且据此，所述基体(21)具有内电极(4a)的对称的布置，其中，内电极(4a)的布置关于一平面对称，该平面平行于所述下侧(12)且居中地穿过所述基体(21)地伸延。
2.根据权利要求1所述的ESD保护结构元件，其特征在于，所述距离(16)为两个陶瓷晶粒。
3.根据权利要求1或2所述的ESD保护结构元件，其特征在于，具有BGA或LGA终端(22)。
4.根据权利要求1或2所述的ESD保护结构元件，其特征在于，包括悬着的第二内电极(4b)，其中，在所述悬着的第一内电极(4a)和所述悬着的第二内电极(4b)之间的距离大于在所述悬着的第一内电极(4a)和所述基体(21)的下侧(12)之间的距离(16)。
5.根据权利要求1或2所述的ESD保护结构元件，其特征在于，具有用于电接触所述基体(21)的接触部，其中，所述接触部布置在所述基体(21)的下侧(12)上。
6.根据权利要求1或2所述的ESD保护结构元件，其特征在于，所述陶瓷材料具有ZnO-Bi-Sb材料或ZnO-Pr材料，或者由ZnO-Bi-Sb材料或ZnO-Pr材料制成。
7.一种ESD保护结构元件，包括带有下侧(12)的基体(21)、悬着的第一内电极(4a)和与此相邻的悬着的第二内电极(4b)，其中，在所述悬着的第一内电极(4a)和所述悬着的第二内电极(4b)之间的距离大于在所述悬着的第一内电极(4a)和所述基体(21)的下侧(12)之间的距离(16)，并且其中，接触部布置在所述基体(21)的下侧(12)上。
8.根据权利要求7所述的ESD保护结构元件，其特征在于，所述陶瓷材料具有ZnO-Bi-Sb材料或ZnO-Pr材料，或者由ZnO-Bi-Sb材料或ZnO-Pr材料制成。
9.一种结构元件(20)，其包括载体(1)，在该载体上布置有LED(2)和ESD保护结构元件(3)，其中，所述ESD保护结构元件(3)根据权利要求1至8中任一项来构造。
10.根据权利要求9所述的结构元件，其特征在于，所述载体(1)具有陶瓷材料或有机材料，或者由陶瓷材料或有机材料制成。
11.根据权利要求9至10中任一项所述的结构元件，其特征在于，所述载体(1)具有至少一个热通道，其垂直于表面伸延并且改善从所述LED(2)到壳体的热传导能力。
12.根据权利要求9至10中任一项所述的结构元件，其特征在于，所述载体(1)具有金属，其中，所述金属利用电绝缘层(13)来覆盖。
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