KR102057362B1 - 광 다이오드 장치 - Google Patents

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KR102057362B1
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토마스 페이히팅게르
올리버 데르노브세크
클라우스-디에테르 아이흐홀제르
세바스티앙 브루네르
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티디케이 일렉트로닉스 아게
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Abstract

적어도 하나의 캐비티(51)를 구비한 캐리어(2), 적어도 하나의 캐비티(51) 내에 적어도 부분적으로 인입되어 배치되는 광다이오드칩(3), 및 캐리어(2)의 일부 영역으로 형성되는 ESD-보호 소자(20)를 포함한 광다이오드 장치(1)가 제공된다. 또한, 적어도 하나의 캐비티(51)를 구비한 캐리어(2), 캐리어(2) 상에 배치된 광 다이오드칩(3), 및 적어도 하나의 캐비티(51) 내에 적어도 부분적으로 인입되어 배치되는 전기 소자(41)를 포함하는 광 다이오드 장치(1)가 제공된다. 또한, 광 다이오드 장치(1)는 캐리어(2)의 일부 영역으로 형성되는 ESD-보호 소자(20)를 포함한다.

Description

광 다이오드 장치{LIGHT DIODE DEVICE}
적어도 하나의 캐비티를 구비한 캐리어 및 광 다이오드 칩을 포함하는 광 다이오드 장치가 제공된다.
평편한 캐리어 상에 LED-칩 및 보호 소자가 배치되는 발광 다이오드("LED")는 공지되어 있다. 보호 소자에 의해 LED-칩으로부터 방출되는 광은 차폐될 수 있다.
적어도 일부 실시형태의 과제는 광 다이오드 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제는 독립 청구항들의 대상물에 의하여 해결된다. 대상물의 유리한 실시 형태 및 발전 형태는 종속 청구항들, 이하의 상세한 설명 및 도면으로부터 도출된다.
적어도 일 실시형태에 따른 광 다이오드 장치는 캐리어를 포함한다. 캐리어는 기본 몸체를 포함할 수 있다. 예컨대 캐리어는 세라믹 기본 몸체를 포함할 수 있다. 대안적으로, 캐리어는 유기 물질을 함유하는 기본 몸체를 포함할 수 있다. 예컨대 기본 몸체는 유기 물질을 함유한 도체 플레이트를 포함할 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 기본 몸체는 반도체 물질을 포함한다. 바람직한 실시형태에 따르면, 기본 몸체는 세라믹 배리스터 물질(varistor material)을 포함한다. 예컨대 기본 몸체는 SrTiO3, ZnO-Pr 또는 ZnO-Bi를 포함한다. 또한, 기본 몸체는 ZnO-Pr과 유리의 복합물 또는 ZnO-Pr과 유기 물질의 복합물을 포함하거나, ZnO-Pr과 유리의 복합물 또는 ZnO-Pr과 유기 물질의 복합물로 구성될 수 있다. "복합물(composite)"란 개념은 이상 및 이하에서 특히, 적어도 2개의 서로 다른 재료로 이루어진 혼합 또는 화합에 의해 형성되는 물질을 가리킬 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 기본 몸체는 알루미늄산화물, 알루미늄질화물 또는 LTCC("저온 동시소성 세라믹")형 세라믹을 포함하거나 이러한 물질들 중 하나로 구성된다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 광 다이오드칩을 포함한다. 바람직하게는, 광 다이오드칩은 갈륨인화물(GaP), 갈륨질화물(GaN), 갈륨비소인화물(GaAsP), 알루미늄갈륨인듐인화물(AlGaInP), 알루미늄갈륨인화물(AlGaP), 알루미늄갈륨비화물(AlGaAs), 인듐갈륨질화물(InGaN), 알루미늄질화물(AlN), 알루미늄갈륨질화물(AlGaN), 알루미늄갈륨인듐질화물(AlGaInN), 아연셀렌화물(ZnSe) 중 적어도 하나의 물질을 포함한다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드칩은 적어도 2개의 접촉면을 포함한다. 바람직하게는, 접촉면은 납땜 가능하다. 예컨대, 접촉면은 이하의 물질 조합 중 하나를 포함한 합금물 또는 층 시퀀스를 포함하거나 그것으로 구성된다: Cu/Ni/Au, Cr/Ni/Au, Cr/Cu/Ni/Au, Cu/Ni/Sn, Cr/Ni/Sn, Cr/Cu/Ni/Sn.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 ESD-보호 소자를 포함한다. 이상 및 이하에서 "ESD"는 "electrostatic discharge(정전기 방전)"을 나타낸다. 바람직하게는, ESD-보호 소자는 캐리어의 일부 영역으로 형성된다.
더욱 바람직하게는, ESD-보호 소자는 캐리어 및/또는 기본 몸체 내에 내장된 보호 구조물일 수 있다. 바꾸어 말하면, ESD-보호 소자는 예컨대 이산 ESD-보호 소자의 형태를 갖는 이산 소자로서 캐리어 상에 실장되지 않는다. 이때, ESD-보호 소자는 예컨대 캐리어 및/또는 기본 몸체가 포함하는 세라믹 배리스터 물질과 같은 물질을 포함할 수 있다. 대안적으로, ESD-보호 소자는 캐리어 및/또는 기본 몸체의 물질 또는 물질들과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, ESD-보호 소자는 예컨대 세라믹 배리스터 물질과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있고, 이러한 물질은 예컨대 알루미늄산화물, 알루미늄질화물 또는 유기 물질을 함유하는 캐리어 내에 매립된다.
다른 실시형태에 따르면, ESD-보호 소자는 배리스터로서 형성된다. 예컨대, ESD-보호 소자는 배리스터 물질을 포함하거나 배리스터 물질과 금속의 복합물을 포함한다.
다른 실시형태에 따르면, ESD-보호 소자는 배리스터 세라믹 및 서로 중첩된 복수의 내부 전극들을 포함한다. 내부 전극들은 바람직하게는 교번적으로 접촉되고, 예컨대 비아들을 이용하여 접촉된다. 비아들은 예컨대 캐리어의 하나 이상의 표면으로부터 기본 몸체 안으로 이어진다. 내부 전극들은 바람직하게는 은 또는 은-팔라듐을 포함한다. 대안적으로, 또한, ESD-보호 소자가 캐리어 내에 내장된 반도체 다이오드로 형성되는 것을 고려할 수 있다.
ESD-보호 소자는 바람직하게는 광 다이오드칩을 과전압, 특히 정전기 방전으로부터 보호하기 위한 기능을 갖는다. 일반적으로, 광 다이오드칩은 정전기 방전에 대해 매우 민감하며, 특히 전압값이 100 Volt를 초과하는 정전기 방전에 대해 매우 민감하므로, 보호 소자에 의해 보호되어야 한다.
ESD-보호 소자가 광 다이오드 장치의 캐리어의 부분 영역으로 형성됨으로써, 유리하게는 본원에 설명된 광 다이오드 장치의 매우 콤팩트한 구조가 달성될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 적어도 하나의 전기 소자를 포함한다. 전기 소자는 예컨대 광전 특성이 없는 이산 전기 소자이다. 이는 특히, 전기 소자가 광 방출 전기 소자도 아니고 광 수신 전기 소자도 아니라는 것을 의미할 수 있다. 전기 소자는 특히 광 다이오드칩과 접속될 수 있다. 바람직하게는 전기 소자는 캐리어 상에 배치된다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자는 적어도 2개의 접촉면을 포함한다. 바람직하게는 접촉면은 납땜 가능하다. 예컨대 접촉면은 이하의 물질 조합:Cu/Ni/Au, Cr/Ni/Au, Cr/Cu/Ni/Au, Cu/Ni/Sn, Cr/Ni/Sn, Cr/Cu/Ni/Sn 중 하나를 포함한 합금물 또는 층 시퀀스를 포함하거나 그것으로 구성된다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자는 초박형(ultra-thin) 보호 소자이다. 이는 특히, 전기 소자가 150 ㎛이하의 설계 높이를 가질 수 있음을 의미할 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자는 표면 실장 가능한 단자를 포함한다. 예컨대 전기 소자는 표면 실장된 소자(SMD, "surface-mounted device")일 수 있다. 전기 소자는 또한 BGA-하우징 형태(BGA, "Ball Grid Array") 또는 LGA-하우징 형태(LGA, "Land Grid Array")를 가질 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자는 서미스터 소자이다. 서미스터 소자는 예컨대 소위 NTC-서미스터 소자로서 형성될 수 있고, 이때 "NTC"는 "negative temperature coefficient(부 온도 계수)"를 나타낸다. NTC-서미스터 소자는 저온일 때보다 고온일 때 전류가 더욱 양호하게 흐른다는 것을 특징으로 한다. 따라서 NTC-서미스터 소자는 열 도체라고도 할 수 있다.
바람직하게는, NTC-서미스터 소자는 열 센서로서 기능한다. 열 센서는 바람직하게는 광 다이오드칩과 접속된다. 예컨대 열 센서는 광 다이오드 칩의 제어 전류의 조정을 위해 기여할 수 있어서, 광 다이오드칩은 보호 하에 구동될 수 있다. 이를 통해 유리하게는 광 다이오드칩의 유효 수명이 증가할 수 있다.
또한, 서미스터 소자는 소위 PTC-서미스터 소자로 형성될 수 있고, 이때 "PTC"는 "positive temperature coefficient(정 온도 계수)"를 나타낸다. PTC-서미스터 소자는 바람직하게는 광 다이오드칩과 접속된다. PTC-서미스터 소자에서, 전류는 고온일 때보다 저온일 때 더욱 양호하게 흐르므로, PTC-서미스터 소자는 냉 도체라고도 한다. 바람직하게는 PTC-서미스터 소자는 과전류 보호 소자로서 기능하고, 광 다이오드칩을 높은 구동 전류로부터 보호함으로써, 광 다이오드칩의 유효 수명이 증가할 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 적어도 하나의 추가적 전기 소자를 포함한다. 추가적 전기 소자는 앞에 설명한 전기 소자처럼 형성될 수 있다. 또한, 전기 소자들은 각각 앞에 설명된 실시 형태들 중 하나를 포함하고 서로 상이할 수 있다. 예컨대 전기 소자는 NTC-서미스터 소자이고, 추가적 전기 소자는 PTC-서미스터 소자로 형성될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 캐리어는 적어도 하나의 캐비티를 포함한다. 캐비티는 예컨대 캐리어 및 특히 기본 몸체의 표면의 함몰부로 형성된다. 바람직하게는, 캐비티는 실장면을 포함하여, 예컨대 광 다이오드칩 또는 전기 소자는 캐비티 내에 실장될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드칩은 적어도 부분적으로 캐비티 내에 인입되어 배치된다. 예컨대 광 다이오드칩은 캐비티 내에 배치되되, 광 다이오드칩의 영역들이 캐비티 밖으로 돌출할 수 있도록 배치될 수 있다. 이 경우, 특히, 광 다이오드칩의 활성 영역이 캐비티의 상부 변 밑에 배치되는 것이 유리할 수 있다. 광 다이오드 칩의 활성 영역 내에서 구동 중에 광이 생성된다. 이를 통해, 예컨대, 광 다이오드칩으로부터 생성된 광이 직접적으로 캐리어 상에 배치된 소자에 도달하여 차폐되는 것이 방지될 수 있다.
더욱 바람직한 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 적어도 하나의 캐비티를 구비한 캐리어, 적어도 하나의 캐비티 내에 적어도 부분적으로 인입되어 배치된 광 다이오드칩 및 캐리어의 일부 영역으로 형성된 ESD-보호 소자를 포함한다.
다른 바람직한 실시형태에 따르면, 광 다이오드칩은 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치된다. 소자가 캐비티 내에 "완전히 인입"되어 배치되는 것은 특히, 캐비티가 어떤 깊이를 가지고, 이 깊이가 캐비티 내에 배치된 소자의 높이와 같거나 더 커서, 소자의 어느 영역도 캐비티 위로 돌출하지 않는다는 것을 의미할 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 그 내부에 광 다이오드칩이 배치된 캐비티는 바닥면 및 측면들을 포함한다. 측면들은 바람직하게는 바닥면에 대해 경사진다. 예컨대 측면들은 바닥면과 각각 120°와 150°사이의 각도를 가진다. 바람직한 실시형태에 따르면 측면들은 바닥면과 각각 130°와 140°사이의 각도를 이룬다. 더욱 바람직하게는 측면들은 바닥면과 각각 135°의 각도를 가진다.
다른 실시형태에 따르면, 그 내부에 광 다이오드칩이 배치된 캐비티는 반사층을 포함한다. 예컨대 캐비티의 측면들 및/또는 바닥면은 반사층을 구비할 수 있다.
바닥면에 대해 경사진 캐비티의 측면들, 그리고 측면들 및/또는 바닥면에 배치된 반사층을 이용하여, 광 다이오드칩으로부터 방출된 광의 매우 양호한 수율이 달성될 수 있는데, 광 다이오드칩으로부터 구동 중에 캐비티의 측벽 및/또는 바닥면의 방향으로 방출되는 광 비율이 캐비티로부터 반사될 수 있기 때문이다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드칩은 캐비티 내에 인입되지 않고 캐리어 상에 배치된다. 예컨대 광 다이오드칩은 캐리어 및/또는 기본 몸체의 표면에 올려 배치될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자는 캐리어의 캐비티 내에서 적어도 부분적으로 인입되어 배치된다. 예컨대, 전기 소자는 캐리어의 캐비티 내에 배치될 수 있는 반면, 광 다이오드칩은 캐비티 내에 배치되지 않는다. 이에 대해 대안적으로, 광 다이오드칩은 앞에 더 설명한 바와 같이 적어도 하나의 캐비티 내에 배치될 수 있는 반면, 전기 소자는 이하에 더 설명되는 바와 같이 캐리어의 또 다른 캐비티 내에 배치된다. 예컨대, 전기 소자의 영역들은 이 전기 소자가 배치된 캐비티 위로 돌출할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 전기 소자는 적어도 하나의 캐비티 내에서 완전히 인입되어 배치된다. 바람직하게는, 적어도 하나의 전기 소자의 어느 영역도 캐비티 밖으로 돌출하지 않는다. 이를 통해 유리하게도, 광 다이오드 장치의 구동 중에 광 다이오드칩으로부터 방출된 광이 전기 소자 또는 전기 소자의 일부분에 의해 차폐되는 일이 방지될 수 있다.
다른 바람직한 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 적어도 하나의 캐비티를 구비한 캐리어, 및 캐리어 상에 배치된 광 다이오드칩을 포함한다. 또한, 광 다이오드 장치는 적어도 하나의 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치된 전기 소자 및 캐리어의 일부 영역으로 형성된 ESD-보호 소자를 포함한다.
다른 실시형태에 다르면, 광 다이오드칩은 적어도 하나의 캐비티 내에 배치되고, 전기 소자는 추가적 캐비티 내에 배치된다. 이때 광 다이오드칩뿐만 아니라 전기 소자도 부분적으로 또는 완전히 인입되어 각각의 캐비티 내에 배치될 수 있다. 바람직하게는, 그 내부에 광 다이오드칩이 배치된 캐비티는 그 내부에 전기 소자가 배치된 추가적 캐비티와 광학적으로 분리되어 배치된다. "광학적으로 분리"란 표현은, 특히, 광 다이오드칩으로부터 방출된 광이 직접적으로 추가적 캐비티에 도달할 수 없음을, 즉 추가적 캐비티는 예컨대 먼저 반사가 일어나지 않고는 직접적으로 조사될 수 없음을 의미할 수 있다.
더욱 바람직한 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 캐리어, 광 다이오드칩 및 적어도 하나의 전기 소자를 포함하고, 이때 캐리어는 캐비티 및 이와 광학적으로 분리된 적어도 하나의 추가적 캐비티를 포함하고, 광 다이오드칩 및 적어도 하나의 전기 소자는 각각 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치된다.
그 내부에 전기 소자가 배치된 캐비티는 예컨대 그 내부에 광 다이오드칩이 배치된 캐비티와 동일한 캐리어 표면에 배치될 수 있어서, 예컨대 광 다이오드칩 및 전기 소자는 짧은 도전 경로를 통하여 서로 접속될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 그 내부에 전기 소자가 배치된 캐비티는 광 다이오드칩에 대향된 캐리어의 측에 배치된다. 예컨대, 광 다이오드칩을 구비한 캐리어의 표면에 대향되는 기본 몸체의 표면은 함몰부를 포함하고, 함몰부는 전기 소자의 캐비티를 형성한다. 광 다이오드칩을 구비한 캐리어의 표면은 캐리어의 상측을 형성할 수 있다. 따라서, 유리하게도, 광 다이오드 장치는 매우 콤팩트하게 형성될 수 있다. 또한, 이와 같은 배치에 의하여, 전기 소자가 광 다이오드칩의 광 출사를 일부 차폐하는 것을 방지할 수 있다.
본원에 설명된 광 다이오드 장치에서, 광 다이오드 장치는 매우 작은 규격, 특히 매우 낮은 설계 높이를 가질 수 있고, 이러한 점은 광 다이오드 장치의 설계 시에 항상 중요한 역할을 한다. 특정하게 모바일 응용물에서, 예컨대 스마트폰 또는 디지털 카메라에서 내장된 LED-카메라 플래시를 위해, 광 다이오드칩 및 추가적인 이산 소자들은 가급적 작은 공간을 차지해야 한다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자 및 추가적 전기 소자는 하나 이상의 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치된다. 예컨대 적어도 하나의 추가적 전기 소자는, 상기 전자 소자가 내부에 배치된 그 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치된다. 바꾸어 말하면, 그 내부에 전기 소자가 배치된 캐비티는 적어도 2개의 전기 소자가 그 내부에 배치될 수 있도록 형성될 수 있다. 이를 통해, 광 다이오드칩 및 적어도 2개의 전기 소자를 포함하는 광 다이오드 장치의 매우 콤팩트한 설계가 달성될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 전기 소자 및 추가적 전기 소자는 각각 부분적으로 또는 완전히 인입되어 별도의 캐비티 내에 배치된다. 그 내부에 추가적 전기 소자가 배치된 캐비티는 예컨대 광 다이오드 칩이 배치된 측과 동일한 캐리어의 측에 배치될 수 있다. 대안적으로, 그 내부에 추가적 전기 소자가 배치된 캐비티는 광 다이오드칩에 대향된 캐리어의 측에 배치될 수 있다.
다른 바람직한 실시형태에 따르면, 광 다이오드 장치는 NTC-서미스터 소자 및 PTC-서미스터 소자를 포함하고, 이러한 서미스터 소자들은 각각 고유의 캐비티 내에 또는 2개가 동일한 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치된다. 이를 통해, 그러한 광 다이오드 장치에서 과전류에 대비하여 예컨대 PTC-서미스터 소자 형태의 보호 소자들 및 예컨대 NTC-서미스터 소자 형태의 온소 센서의 내장이 광 다이오드 장치의 매우 낮는 설계 높이와 함께 달성될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 기본 몸체는 비아를 포함한다. 비아는 "수직연결 접속(vertical interconnect access)"을 나타내고, 관통 콘택이라고 한다. 바람직하게는, 적어도 하나의 비아는 열간 비아로서 형성되고, 즉 열적 도전성인 관통 콘택으로 형성된다. 또한, 복수의 비아 또는 모든 비아는 열간 비아로 형성될 수 있다. 적어도 하나의 열간 비아는 유리하게도 광 다이오드칩으로부터 열을 멀리 배출시키는 것을 개선할 수 있다. 바람직하게는, 적어도 하나의 열간 비아는 양호한 열 전도도를 갖는 물질을 포함한다.
예컨대 적어도 하나의 비아는 광 다이오드칩의 캐비티의 바닥면으로부터 광 다이오드칩의 캐비티로부터 멀어지는, 특히 대향된 캐리어의 표면까지 달할 수 있다. 예컨대, 적어도 하나의 비아는 구리, 은 또는 은-팔라듐을 포함하거나 그것으로 구성된다. 또한, 적어도 하나의 비아가 제공되되, 광 다이오드칩과, 광 다이오드칩의 캐비티로부터 멀어지는 캐리어의 표면에 배치된 전기적 연결면 사이에서 금속 배선의 형태를 갖는 전기적 공급 라인으로서 기능하는 적어도 하나의 비아가 제공될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 광 다이오드칩은 적어도 부분적으로 보호 코팅물에 의해 둘러싸인다. 예컨대, 광 다이오드칩은 보호 코팅물에 의해 덮이는 캐비티 내에 배치된다. 보호 코팅물은 광 다이오드 장치의 렌즈로서 기능할 수 있다. 또한, 추가적 캐비티 및/또는 추가적 캐비티 내에 배치된 전기 소자가 보호 코팅물에 의해 적어도 부분적으로 덮일 수 있다. 보호 코팅물은 바람직하게는 실리콘을 포함하거나 실리콘으로 구성된다.
다른 실시형태에 다르면, 캐리어는 캐비티로부터 멀어지는 측에서 금속배선을 포함한다. 금속배선은 적어도 하나의 캐비티로부터 멀어지는 캐리어의 전체 측면에 걸쳐 연장될 수 있다. 대안적으로, 금속배선은 적어도 하나의 캐비티로부터 멀어지는 캐리어 측의 일부 영역에 걸쳐 연장될 수 있다. 바람직하게는, 금속 배선은 광 다이오드 장치의 전기적 연결을 위해, 예컨대 기판 또는 도체판으로의 전기적 연결을 위해 기능한다. 금속배선은 따라서 캐리어의 하측에 배치될 수 있는 반면, 캐비티 및 특히 광 다이오드칩은 대향된 상측에 배치된다.
다른 실시형태에 따르면, 기본 몸체는 절연층을 포함한다. 절연층은 바람직하게는 전기 절연층이다. 예컨대 기본 몸체는 적어도 일 측에서 절연층으로 입혀진 배리스터 물질을 포함할 수 있다. 절연층을 이용하여 예컨대 캐리어 상에 배치된 소자와 기본 몸체 또는 기본 몸체 영역들 사이의 전기적 절연이 달성될 수 있다. 바람직하게는, 절연층은 티타늄산화물, 알루미늄산화물, 알루미늄질화물, 규소산화물, 규소질화물 중 하나의 물질을 포함하거나 이러한 물질들 중 하나의 물질로 구성된다.
본원에 설명된 광 다이오드 장치는 무엇보다도 낮은 설계 높이 및 양호한 열 관리를 특징으로 한다. 또한, 본원에 설명된 광 다이오드 장치에서는, 광 다이오드칩의 방출이 예컨대 이산 ESD-보호 소자 또는 열 센서와 같은 전기적 소자들에 의해 부정적으로 영향을 받지 않도록 할 수 있다.
광 다이오드 장치의 다른 이점 및 유리한 실시형태는 이하 도 1 내지 도 5와 관련하여 설명된 실시 형태들로부터 도출된다.
도 1은 일 실시예에 따른 광 다이오드 장치의 개략적 단면도를 도시한다.
도 2 내지 도 4는 다른 실시예들에 따른 광 다이오드 장치의 개략적 단면도를 도시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 ESD-보호 소자의 개략적 도면을 도시한다.
실시예 및 도면에서 동일하거나 동일한 효과를 가진 구성요소는 각각 동일한 참조번호를 가질 수 있다. 도시된 요소들 및 이들간의 크기비는 기본적으로 축척에 맞는 것으로 간주하지 않아야 한다. 오히려, 예컨대 층, 부품, 영역과 같은 개별 요소는 더 나은 표현 및/또는 더 나은 이해를 위해 과장되어 두껍거나 큰 치수로 도시되어 있을 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 광 다이오드 장치(1)의 개략적 단면도를 도시한다.
광 다이오드 장치(1)는 ZnO-Bi로 이루어진 세라믹 기본 몸체(21)를 구비한 캐리어(2)를 포함한다. 대안적으로, 기본 몸체(21)는 예컨대 ZnO-Pr, SrTiO3 또는 하나 이상의 다른 배리스터 세라믹을 포함할 수 있다. 또한, 기본 몸체는 배리스터 세라믹과 유리의 복합물 또는 배리스터 세라믹과 유기 물질의 복합물을 포함할 수 있다. 캐리어(2)는 캐리어(2) 및 특히 기본 몸체(21)의 표면 내에서 캐비티(51)를 포함한다.
광 다이오드 장치(1)는 적어도 부분적으로 캐비티(51) 내에 인입되어 배치된 광 다이오드칩(3)을 더 포함한다. 유리하게는, 광 다이오드칩(3)은 도 1에 따른 실시예에 도시된 바와 같이 캐비티(51) 내에 완전히 인입되어 배치된다.
또한, 광 다이오드 장치(1)는 캐리어(2)의 일부 영역으로 형성된 ESD-보호 소자(20)를 포함한다. ESD-보호 소자(20)는 이하에서 도 5와 관련하여 더 설명되는 바와 같이 배리스터로서 형성된다. 대안적으로, ESD-보호 소자(20)는 캐리어(2) 내에 내장된 반도체 다이오드로서도 형성될 수 있다.
광 다이오드 장치(1)의 캐리어(2) 내에 ESD-보호 소자(20)의 내장을 이용하여, 유리하게도, 광 다이오드 장치(1)가 매우 낮은 규격을 갖게 될 수 있는데, ESD-보호 소자(2)를 위해 캐리어(2) 상에 추가 공간이 구비될 필요가 없기 때문이다. 또한 유리하게도, 캐리어의 표면에 배치된 ESD-보호 소자가 광 다이오드칩(3)으로부터 생성된 광을 차폐하는 것이 방지될 수 있다.
캐리어(2) 내에 형성된 캐비티(51)는 바닥면(71) 및 바닥면(71)에 대해 120°이상과 150°이하의 각도로 경사진 2개의 측면들(72)을 포함한다. 바닥면(71) 및 측면들(72)은 반사층(미도시)을 구비한다. 반사층을 이용하여 광 다이오드칩(3)으로부터 방출된 광의 광 수율이 개선될 수 있는데, 광 다이오드칩(3)으로부터 방출되어 반사층을 구비한 면에 도달하는 광은 대부분 반사되며, 흡수되지 않아서 그러하다.
광 다이오드칩(3)은 접촉면들을 포함하고, 접촉면들은 광 다이오드칩(3)의 접촉 및/또는 실장을 위해 기능하며 이러한 접촉면들 중 오로지 예시적으로 접촉면(10)이 도시되어 있고, 이 접촉면을 이용하여 광 다이오드칩(3)은 캐비티(51)의 바닥면(71)에 고정된다. 바람직하게는, 광 다이오드칩은 바닥면(71)에 납땜된다. 접촉면(10)은 금-주석 합금물을 포함한다. 대안적으로, 접촉면(10)은 구리, 니켈 또는 금을 포함하거나, 이러한 물질들 중 적어도 2개로 이루어진 합금물 또는 층 시퀀스를 포함할 수 있다.
캐비티(51)로부터 멀어지는 캐리어(2)의 측에서 기본 몸체(21) 상에 금속배선(12)이 배치된다. 금속배선(12)은 광 다이오드 장치(1)의 전기적 연결을 위해 기능한다. 캐리어(2) 및 특히 기본 몸체(21)는 도시된 요소들의 접속을 위한 관통 콘택 및/또는 도전로를 더 포함하고, 이는 개관상의 이유로 미도시되어 있다.
또한, 광 다이오드칩(3) 및 전기 소자(41)는 보호 코팅물(11)에 의해 둘러싸인다. 보호 코팅물(11)은 실리콘을 포함하고 렌즈로서 역할한다. 또한, 보호 코팅물(11)은 파장 변환층으로서 형성될 수 있다. 도시된 실시예에 대해 대안적으로, 광 다이오드 장치는 보호 코팅물(11)을 포함하지 않거나, 다만 부분적으로 예컨대 광 다이오드칩(3) 위에 보호 코팅물을 구비할 수 있다.
이하의 도면은 도 1에 도시된 실시예의 수정 및 변형된 실시예를 도시하며, 따라서 특히 도 1과의 상이점에 대해 설명한다.
도 2에는 다른 실시예에 따른 광 다이오드 장치(1)의 개략적 단면도가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 실시예와 달리, 광 다이오드칩(3)은 캐비티 내에 인입되지 않고 캐리어(2)의 표면에 배치된다.
또한, 광 다이오드 장치(1)는 전기 소자(41)를 포함하며, 전기 소자는 도시된 실시예에서 NTC-서미스터 소자로서 형성된다. 대안적으로, 전기 소자(41)는 PTC-서미스터 소자로 형성될 수 있다. 전기 소자(41)는 캐비티(51) 내에 완전히 인입되어 배치된다. 전기 소자(41)가 캐비티(51) 내에 인입됨으로써 유리하게도, 광 다이오드칩(3)으로부터 방출된 광이 직접 전기 소자(41)에 도달하여 전기 소자(41)에 의한 차폐가 일어나는 경우가 방지될 수 있다.
전기 소자(41)는 2개의 접촉면들(10)을 포함하고, 접촉면들을 이용하여 전기 소자는 캐비티(51)의 바닥면에 고정된다. 대안적으로, 전기 소자(41)는 접촉면(10)을 더많이 포함할 수 있다. 접촉면들(10)은 전기 소자(41)의 전기적 접촉 및 실장을 위해 기능한다. 접촉면들(10)은 Cu/Ni/Au로 이루어진 합금물 또는 층 시퀀스를 포함한다. 대안적으로, 접촉면들(10)은 Cr/Ni/Au로 이루어지거나 Cr/Cu/Ni/Au로 이루어진 합금물 또는 층 시퀀스를 포함할 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광 다이오드 장치(1)를 도시한다. 도 1에 도시된 실시예와 달리, 광 다이오드 장치(1)는 추가적 캐비티(52)를 포함하고, 이 캐비티 내에 전기 소자(41)는 완전히 인입되어 배치된다. 전기 소자(41)는 도시된 실시예에서 다시 NTC-서미스터 소자로서 형성된다. 대안적으로 전기 소자(41)는 PTC-서미스터 소자로 형성될 수도 있다.
또한 기본 몸체(21)는 비아들(8)을 포함하고, 비아는 열간 비아로서 형성된다. 비아들(8)은 광 다이오드칩(3)의 접촉면(10)으로부터 전기 전도적으로 절연되고, 광 다이오드칩(2)으로부터 구동 중에 생성되는 열의 소산을 위해 기능한다. 이를 위해 비아들(8)은 도시된 실시예에서 구리를 포함한다. 대안적으로, 비아들(8)은 예컨대 은 또는 은-팔라듐과 같이 높은 열 전도도를 갖는 다른 물질을 포함할 수 있다. 비아들(8)은 기본 몸체(21)의 표면에 대해 약간 수직으로 연장된다. 또한, 하나 이상의 비아, 바람직하게는 적어도 2개의 비아는 전기적 비아로서 형성될 수 있고, 이러한 전기적 비아는 광 다이오드칩(3)의 접촉면들(10)과 전기 전도적으로 연결되며 광 다이오드칩(3)의 전기적 접촉을 위해 기능한다.
도 4에는 다른 실시예에 따른 광 다이오드 장치(1)가 도시되어 있다. 도 3에 도시된 실시예와 달리, 캐리어(2)는 제2 다른 캐비티(53)를 포함하고, 제2 캐비티 내에 또 다른 전기적 소자(42)가 완전히 인입되어 배치된다. 따라서 광 다이오드 장치(1)는 서로 다른 캐비티(52, 53) 내에 배치된 2개의 전기적 소자(41, 42)를 포함한다. 바람직하게는, 2개의 전기적 소자(41, 42) 중 하나는 NTC-서미스터 소자이고, 다른 하나는 PTC-서미스터 소자로 형성되며, 이때 NTC-서미스터 소자는 열 센서로 작용하고, PTC-서미스터 소자는 과전류 보호 소자로 작용한다. 대안적으로, 전기 소자 및 추가적 전기 소자는 하나의 캐비티 내에 완전히 인입되어 배치될 수 있다. 이와 같은 배치에 의하여 광 다이오드칩(3) 및 2개의 전기적 소자(41, 42)를 포함하는 광 다이오드 장치(1)의 매우 콤팩트한 설계가 달성될 수 있다.
또한 광 다이오드 장치(1)의 캐리어는 유기 물질로 이루어진 기본 몸체(21)를 포함하거나 그것으로 구성된다. 이에 대해 대안적으로, 기본 몸체(21)는 알루미늄산화물 또는 알루미늄질화물을 포함하거나, 알루미늄산화물 또는 알루미늄질화물로 구성될 수 있다.
캐리어(2)는 또한 절연층(9)을 포함하고, 절연층은 전기 절연 패시베이션층으로서 작용한다. 절연층(9)은 규소산화물을 포함한다. 대안적으로, 절연층은 규소질화물, 알루미늄산화물, 알루미늄질화물, 티타늄산화물 또는 LTCC-세라믹을 포함할 수 있다.
절연층(9)에 의하여 광 다이오드칩(3)을 지지하는 캐리어(2)의 상측은 대향된 하측으로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 이때 절연층(9)의 두께는 바람직하게는, 가급적 양호한 열 전도도가 유지되도록 선택된다. 바꾸어 말하면, 절연층은 열 전도도를 고려하여 가급적 얇아야 하고, 전기 절연을 고려하여 충분한 최소 두께를 가져야 한다.
도 5는 일 실시예에 따른 ESD-보호 소자(20)의 개략도를 도시한다. ESD-보호 소자(20)는 ZnO-Pr로 이루어진 세라믹 배리스터 물질 및 서로 중첩되는 복수의 전극들(13)을 포함하고, 전극들은 비아(8)를 이용하여 전기적으로 접촉된다. 대안적으로, 배리스터 물질은 ZnO-Bi 또는 SrTiO3을 포함할 수 있다. 또한, ESD-보호 소자(20)는 ZnO-Pr과 유리의 복합물 또는 ZnO-Pr과 유기 물질의 복합물을 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 ESD-보호 소자(20)는 바람직하게는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같은 광 다이오드 장치(1)의 캐리어(2) 내에 내장된다. 예컨대 ESD-보호 소자(2)는 캐리어(2) 내에 또는 기본 몸체(21) 내에 매몰되어 있을 수 있다. 이를 통해 ESD-보호부를 갖는 광 다이오드 장치(1)의 콤팩트한 설계가 달성될 수 있다.
도시된 실시예들에서 설명된 특징들은 다른 실시예들에 따라 서로 조합될 수 있으며, 그러한 조합이 명백하게 도면에 도시되어 있지 않더라도 그러하다. 또한 도시된 광 다이오드 장치는 앞에서 일반적 설명 부분에 설명된 실시 형태에 따른 추가적 또는 대안적인 특징들을 포함할 수 있다.
본 발명은 실시예들에 의거한 설명에 의하여 이러한 실시예들에 한정되지 않으며, 각각의 새로운 특징 및 특징들의 각각의 조합을 포함한다. 이러한 점은 특히 특허 청구범위에서 특징들의 각각의 조합을 포괄하며, 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허청구범위 또는 실시예들에 기재되지 않더라도 그러하다.
1 광 다이오드 장치
2 캐리어
20 ESD-보호 소자
21 기본 몸체
3 광 다이오드칩
41 전기 소자
42 추가적 전기 소자
51 캐비티
52, 53 추가적 캐비티
71 바닥면
72 측면
8 비아
9 절연층
10 접촉면
11 보호 코팅물
12 금속배선
13 전극

Claims (15)

  1. 복수의 캐비티들(51, 52, 53)을 구비한 캐리어(2),
    상기 캐리어(2) 상에 배치되는 광 다이오드칩(3), 및
    상기 캐리어(2)의 일부 영역으로 형성되는 ESD-보호 소자(20)를 포함하는 광 다이오드 장치(1)로서,
    상기 광 다이오드 장치(1)는 상기 캐리어(2) 상에 배치된 전기소자(41) 및 추가적 전기소자(42)를 구비하고, 이들 전기 소자는 상기 복수의 캐비티들(51, 52, 53) 중 복수의 추가적 캐비티들(52, 53) 내에 완전히 인입되어 배치되며, 상기 전기 소자(41, 42) 중 하나는 NTC-서미스터 소자로, 그리고 상기 전기 소자(41, 42) 중 다른 하나는 PTC-서미스터 소자로 형성되며, 그리고 상기 광 다이오드칩(3)은 상기 전기 소자(41) 및 상기 추가적 전기 소자(42)로부터 광학적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 다이오드칩(3)은 상기 복수의 캐비티들(51, 52, 53) 중 적어도 하나의 캐비티(51) 내에 완전히 인입되어 배치되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 전기 소자(41) 및 상기 추가적 전기 소자(42)는 상기 복수의 캐비티들(51, 52, 53) 중 동일한 추가적 캐비티 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  4. 청구항 1에 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 전기 소자(41)는 상기 복수의 캐비티들(51, 52, 53) 중 추가적 캐비티(52) 내에 완전히 인입되어 배치되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 전기 소자(41) 및 상기 추가적 전기 소자(42)는 상기 복수의 캐비티들(51, 52, 53) 중 2개의 추가적 캐비티(52,53) 내에 각각 배치되고, 상기 추가적 캐비티(52,53) 중 하나는 상기 광 다이오드 칩(3)을 기준으로 상기 광 다이오드 칩(3)이 배치된 측과 동일한 캐리어(2)의 일측 상면에 배치되고, 그리고 다른 하나는 상기 광 다이오드칩(3)에 대향된 캐리어(2)의 다른측 상면에 배치되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 PTC-서미스터 소자는 과전류 보호 소자로서, 그리고 상기 NTC-서미스터 소자는 열 센서로서 상기 광 다이오드 장치 내에 통합되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  7. 삭제
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 ESD-보호 소자(20)는 배리스터 물질과 금속으로 이루어진 복합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 ESD-보호 소자(20)는 상기 캐리어 내에 내장된 반도체 다이오드로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 캐리어(2)는 세라믹 기본 몸체(21) 또는 유기 물질을 함유하는 기본 몸체(21) 또는 반도체 물질을 함유하는 기본 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 기본 몸체(21)는 SrTiO3, ZnO-Pr 또는 ZnO-Bi를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 기본 몸체(21)는 ZnO-Pr과 유리의 복합물 또는 ZnO-Pr과 유기 물질의 복합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 기본 몸체(21)는 알루미늄산화물 또는 알루미늄질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 기본 몸체(21)는 절연층(9)을 포함하고, 상기 절연층은 티타늄산화물, 알루미늄산화물, 알루미늄질화물, 규소산화물 또는 규소질화물을 포함하고,
    상기 광 다이오드칩(3)을 지지하는 상기 캐리어(2)의 상측은 대향된 상기 캐리어(2)의 하측으로부터 전기적으로 절연하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
  15. 청구항 10에 있어서,
    상기 기본 몸체(21)는 비아(8)를 포함하고, 적어도 하나의 비아(8)는 열간 비아로서 형성되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008024479A1 (de) * 2008-05-21 2009-12-03 Epcos Ag Elektrische Bauelementanordnung
EP2892078A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-08 OSRAM GmbH A lighting device and corresponding method
DE102014108368A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014115375A1 (de) * 2014-08-08 2016-02-11 Epcos Ag Träger für eine LED
KR102413224B1 (ko) * 2015-10-01 2022-06-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
DE102016107497B4 (de) 2016-03-24 2020-01-30 Tdk Electronics Ag Multi-LED System und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016205691A1 (de) * 2016-04-06 2017-10-12 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul in Chip-on-Board-Technologie
DE102016107495B4 (de) * 2016-04-22 2022-04-14 Tdk Electronics Ag Vielschicht-Trägersystem, Verfahren zur Herstellung eines Vielschicht-Trägersystems und Verwendung eines Vielschicht-Trägersystems
DE102016108427A1 (de) 2016-05-06 2017-11-09 Epcos Ag Multi-LED System
DE102016108604A1 (de) * 2016-05-10 2017-11-16 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements
DE102016122014A1 (de) * 2016-11-16 2018-05-17 Epcos Ag Leistungsmodul mit verringerter Defektanfälligkeit und Verwendung desselben
DE102017118490A1 (de) * 2017-08-14 2019-02-14 Tdk Electronics Ag LED Modul
JP7152688B2 (ja) * 2019-07-17 2022-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP4365574A1 (en) * 2021-07-02 2024-05-08 Hitachi High-Tech Corporation Light source and automatic analysis device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757827B1 (ko) 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR100788931B1 (ko) * 2006-10-27 2007-12-27 (주) 아모센스 전자부품 패키지

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251644A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP2000261039A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp 光源装置
TWI284639B (en) 2000-01-24 2007-08-01 Shionogi & Co A compound having thrombopoietin receptor agonistic effect
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP4580633B2 (ja) 2003-11-14 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7279724B2 (en) * 2004-02-25 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection
FR2873527B1 (fr) 2004-07-23 2006-12-01 Gemplus Sa Reduction d'influence des perturbations d'un terminal de lecture de carte a puce sans contact
JP4720825B2 (ja) * 2005-04-01 2011-07-13 パナソニック株式会社 バリスタ
US20070200133A1 (en) 2005-04-01 2007-08-30 Akira Hashimoto Led assembly and manufacturing method
JP4915058B2 (ja) 2005-06-06 2012-04-11 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ部品およびその製造方法
KR100638876B1 (ko) 2005-07-22 2006-10-27 삼성전기주식회사 보호 소자의 배치 구성을 개선한 측면형 발광 다이오드
JP4789673B2 (ja) * 2005-10-27 2011-10-12 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置
WO2007058438A1 (en) 2005-11-18 2007-05-24 Amosense Co., Ltd. Electronic parts packages
KR101314713B1 (ko) 2006-06-16 2013-10-07 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 반도체 장치, 그 제조 방법, 및 기판
JP5394617B2 (ja) 2006-06-16 2014-01-22 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法及び基板
KR101134752B1 (ko) * 2006-07-14 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
US20080225449A1 (en) 2007-03-13 2008-09-18 Tatsuya Inoue Electrostatic discharge protection component, and electronic component module using the same
JP2008270327A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール
US7932806B2 (en) * 2007-03-30 2011-04-26 Tdk Corporation Varistor and light emitting device
US8436371B2 (en) * 2007-05-24 2013-05-07 Cree, Inc. Microscale optoelectronic device packages
JP5558665B2 (ja) * 2007-11-27 2014-07-23 パナソニック株式会社 発光装置
JP2009206422A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Nichicon Corp 表面実装型ｌｅｄパッケージ
DE102008024481B4 (de) 2008-05-21 2021-04-15 Tdk Electronics Ag Elektrische Bauelementanordnung
DE102008024480A1 (de) * 2008-05-21 2009-12-03 Epcos Ag Elektrische Bauelementanordnung
KR100999760B1 (ko) * 2008-09-26 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102010001791A1 (de) * 2009-02-16 2010-09-30 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Baueinheit
TWI380433B (en) * 2009-02-25 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
US8093788B2 (en) * 2009-03-02 2012-01-10 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Light emitting device package for temeperature detection
JP5467791B2 (ja) * 2009-04-09 2014-04-09 日東光学株式会社 Ｌｅｄ照明装置およびｌｅｄ発光装置
DE102009053064A1 (de) * 2009-11-13 2011-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757827B1 (ko) 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR100788931B1 (ko) * 2006-10-27 2007-12-27 (주) 아모센스 전자부품 패키지

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Publication number Publication date
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