JP6195319B2 - 発光ダイオード装置 - Google Patents
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Description
2 第一基板
21 第一基板の第一基板区域
22 第一基板の第二基板区域
23 第一基板の第一表面
24 第一基板の第二表面
3 発光ダイオードチップ
4 第二基板
41 第二基板の第一基板区域
42 第二基板の第二基板区域
5 ビア
6 金属ブロック
7 ドーピング部
8 ESD保護素子
9 サーミスタデバイス
10 電気的絶縁層
11 保護層
Claims (14)
- 第一基板(2)と、該第一基板(2)上に配設された少なくとも一つの発光ダイオードチップ(3)とを備える発光ダイオード装置(1)であって、
前記第一基板(2)は、少なくとも一つの第一基板区域(21)及び一つの第二基板区域(22)を有し、
前記発光ダイオードチップ(3)は、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)上にのみ戴置されており、
前記第一基板区域(21)及び前記第二基板区域(22)はそれぞれ熱伝導性を有し、
前記第一基板区域(21)の熱伝導率は、前記第二基板区域(22)の熱伝導率の少なくとも1.5倍であり、
前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、横方向で前記第一基板(2)の第二基板区域(22)によって囲まれており、
前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)の熱伝導率を高めるドーピング部(7)を含んでおり、
前記ドーピング部(7)は、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)に含まれるセラミック材料に埋め込まれた金属粒子である、ことを特徴とする発光ダイオード装置。 - 前記第一基板区域(21)の熱伝導率が、前記第二基板区域(22)の熱伝導率の少なくとも5倍であることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード装置。
- 前記発光ダイオード装置が、すべて前記第一基板区域(21)上に配設された複数の発光ダイオードチップ(3)を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の発光ダイオード装置。
- 少なくとも一つの第一基板区域(41)及び一つの第二基板区域(42)を有する第二基板(4)を備えた、請求項1乃至3のいずれかに記載の発光ダイオード装置であって、
前記第二基板(4)の前記第一基板区域(41)及び前記第二基板区域(42)は、それぞれ熱伝導性を有し、
前記第二基板(4)の前記第一基板区域(41)の熱伝導率は、前記第二基板(4)の前記第二基板区域(42)の熱伝導率の少なくとも1.5倍であり、
前記第一基板(2)は前記第二基板(4)上に配設されており、
前記第一基板区域(21,41)が互いに重なって配設されている、ことを特徴とする発光ダイオード装置。 - その上に少なくとも一つの発光ダイオードチップ(3)が配設された第一基板(2)と、その上に該第一基板(2)が配設された第二基板(4)とを備えた発光ダイオード装置であって、
前記第一基板(2)及び前記第二基板(4)は、それぞれ少なくとも一つの第一基板区域(21,41)及び一つの第二基板区域(22、42)を有し、
前記発光ダイオードチップ(3)は、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)上にのみ戴置されており、
前記第一基板区域(21,41)及び前記第二基板区域(22,42)は、それぞれ熱伝導性を有し、
前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、前記第一基板(2)の第二基板区域(22)よりも高い熱伝導率を有し、
前記第二基板(4)の第一基板区域(41)は、前記第二基板(4)の第二基板区域(42)よりも高い熱伝導率を有し、
前記第一基板区域(21,41)は、互いに重なって配設されており、
前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、横方向で前記第一基板(2)の第二基板区域(22)によって囲まれており、
前記第二基板(4)の第一基板区域(41)は、横方向で前記第二基板(4)の第二基板区域(42)によって囲まれており、
前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)の熱伝導率を高めるドーピング部(7)を含んでおり、
前記ドーピング部(7)は、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)に含まれるセラミック材料に埋め込まれた金属粒子である、ことを特徴とする発光ダイオード装置。 - 前記第一基板(2)は、その上に前記発光ダイオードチップ(3)が配設された第一表面(23)と、該第一表面(23)と反対側にある第二表面(24)とを有し、前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、該第一表面(23)から該第二表面(24)まで延在していることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記第一基板(2)の第一基板区域(21)は、その上に前記発光ダイオードチップ(3)が配設された第一基板の第一表面(23)から、該第一表面(23)の反対側にある該第一基板(2)の第二表面(24)まで延在している熱的ビア(5)を有していることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記第一基板(2)の第一基板区域(21)が金属ブロック(6)を含んでいることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記第一基板(2)及び/または前記第二基板(4)は、ESD保護素子(8)を有し、該ESD保護素子(8)は、バリスタまたはシリコン半導体保護ダイオードまたはポリマーESD保護素子として実現されていることを特徴とする、請求項4乃至8のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記ESD保護素子(8)が前記第一基板(2)または前記第二基板(4)の部分領域によって形成されることを特徴とする、請求項9に記載の発光ダイオード装置。
- 前記第一基板(2)または前記第二基板(4)上に配設されたNTCサーミスタデバイス(91)及び/またはPTCサーミスタデバイス(92)を有することを特徴とする、請求項4乃至10のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記第一基板(2)の第二基板区域(22)及び/または前記第二基板(4)の第二基板区域(42)がセラミック材料及び/または有機材料を含むことを特徴とする、請求項4乃至11のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 前記第一基板(2)と前記第二基板(4)との間に設けられ、前記第一基板(2)と前記第二基板(4)とを電気的に絶縁する電気的絶縁層(10)をさらに備える、請求項4乃至11のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
- 第三基板を有し、前記第二基板(4)が前記第一基板(2)に向いていない面で該第三基板上に配設されていることを特徴とする、請求項4乃至13のいずれかに記載の発光ダイオード装置。
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