CN104781943A - 发光二极管装置 - Google Patents

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CN104781943A CN201380045351.8A CN201380045351A CN104781943A CN 104781943 A CN104781943 A CN 104781943A CN 201380045351 A CN201380045351 A CN 201380045351A CN 104781943 A CN104781943 A CN 104781943A
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S·布伦纳
O·德诺夫泽克
K-D·艾希霍尔策
G·克伦
A·佩西纳
C·法伊施陶尔
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Abstract

本发明说明了一种发光二极管装置(1)，其具有第一支承体(2)和布置在第一支承体(2)上的至少一个发光二极管芯片(3)。第一支承体(2)具有至少第一和第二支承体部分(21，22)，其中，发光二极管芯片(3)仅铺设在第一支承体部分(21)上。此外，第一和第二支承体部分(21，22)分别具有导热能力，其中，第一支承体部分(21)的导热能力至少是第二支承体部分(22)的导热能力的1.5倍。第一支承体部分(21)被第二支承体部分(22)从侧面围绕。此外，说明了一种发光二极管装置(1)，其具有发光二极管芯片(3)、第一支承体(2)以及第二支承体(4)，第一支承体(2)布置在第二支承体(4)上。

Description

发光二极管装置
技术领域
说明了一种发光二极管装置，其具有第一支承体和布置在该支承体上的发光二极管芯片。
背景技术
在设计具有发光二极管(LED)的系统时，光产出、使用寿命和热管理总是意义重大。除了功能性要求外，还要解决热机械和几何问题。特别在移动式应用中，例如对于集成在智能手机或数码相机中的LED照相机闪光灯，LED以及离散的保护期间具有尽可能小的结构高度并且占据尽可能小的位置。对于壳体解决方案的另一重要要求在于，LED为了光辐射而尽可能远地脱离其它器件，并且不通过保护器件形成遮蔽。
发明内容
至少一些实施形式的任务是提出一种发光二极管装置。
该任务通过独立权利要求的主题完成。这些主题的有利实施形式和改进方案此外出自从属权利要求、下面的描述和附图。
根据至少一个实施形式，发光二极管装置具有第一支承体。该第一支承体例如可以具有例如为氧化铝或氮化铝的陶瓷材料、例如为聚合物或环氧树脂的有机材料、和/或例如为铝或铜的金属材料。
发光二极管装置还具有至少一个发光二极管芯片，其布置在第一支承体上。例如，发光二极管芯片可以具有如下材料的至少一种：磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、磷化镓砷(GaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、磷化铝镓(AlGaP)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝镓铟(AlGaInN)、硒化锌(ZnSe)。
根据另一实施形式，发光二极管芯片具有至少两个接触面。优选地，接触面可焊接。例如，接触面具有带有如下材料组合之一的合金或层序列，或者由其构成：Cu/Ni/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Sn、Cr/Ni/Sn、Cr/Cu/Ni/Sn。
根据另一实施形式，第一支承体具有至少第一和第二支承体部分。优选地，第一支承体部分和第二支承体部分彼此邻接。例如，第一支承体和第一支承体部分被第一支承体的第二支承体部分从侧面围绕。这尤其可以意味着，第一支承体部分完全被第二支承体部分侧向围绕，其中，侧向可以指垂直于发光二极管芯片在第一支承体上的布置方向的方向。第一支承体部分在此尤其还可以穿过第二支承体部分并且由此在朝向半导体芯片的一侧和背离半导体芯片的一侧形成第一支承体的表面或者第一支承体的表面的部分。第一和第二支承体部分例如可以形成第一支承体的支承体本体。第一支承体还可以具有用于半导体芯片的电接触的接线元件，例如印制导线、接触面或者其它电接触元件。第一和第二支承体部分分别具有导热能力，其中，第一和第二支承体部分的导热能力优选彼此不同。
特别优选地，发光二极管芯片仅铺设第一支承体的第一支承体部分上。这尤其可以意味着，发光二极管芯片在从发光二极管芯片来看的第一支承体的俯视图中仅布置在第一支承体部分上。借助“铺设”在此和在下文中可以指将发光二极管芯片直接或间接布置在第一支承体部分上。在第一支承体部分和铺设在其上的发光二极管芯片之间由此还可以布置一个或多个接线元件和/或一个或多个用于将发光二极管芯片装配在第一支承体部分上的连接层。
根据一个优选实施形式，第一支承体的第一支承体部分具有比第一支承体的第二支承体部分更高的导热能力。
根据一个优选实施形式，第一支承体部分的导热能力至少是第二支承体部分的导热能力的1.5倍。借助在其上布置有发光二极管芯片并且与第二支承体部分相比导热能力高的第一支承体部分，可以特别良好地将热从发光二极管芯片导散，例如向着发光二极管装置的壳体导散，第一支承体部分优选具有至该壳体的良好热接触。
根据一个特别优选的实施形式，发光二极管装置具有第一支承体以及至少一个发光二极管芯片，其布置在第一支承体上。第一支承体具有至少第一和第二支承体部分，其中，发光二极管芯片仅铺设在第一支承体的第一支承体部分上，并且第一支承体的第一支承体部分被第一支承体的第二支承体部分围绕。第一和第二支承体部分分别具有导热能力，其中，第一支承体部分的导热能力是第二支承体部分的导热能力的至少1.5倍。
根据另一特别优选的实施形式，第一支承体部分的导热能力是第二支承体部分的导热能力的至少5倍。由此，可以从发光二极管芯片导出许多热。例如，第二支承体部分可以包含氧化铝和具有大约25W/mK的导热能力，第一支承体部分包含具有玻璃或陶瓷填充物的银并且具有大约150W/mK的导热能力。
根据另一实施形式，发光二极管装置具有第二支承体，在其上布置有第一支承体。第二支承体具有至少第一和第二支承体部分。第二支承体的第一支承体部分和第二支承体的第二支承体部分分别具有导热能力，其中，第二支承体的第一和第二支承体部分的导热能力优选彼此不同。优选，第二支承体的第一支承体部分具有比第二支承体的第二支承体部分更高的导热能力。第二支承体的第一支承体部分被第二支承体的第二支承体部分从侧面围绕。
根据另一实施形式，第一和第二支承体的第一支承体部分叠置地布置。这尤其可以意味着，第一支承体在第二支承体上布置为使得第一支承体的第一支承体部分布置在第二支承体的第一支承体部分上。通过这种布置，可以实现将从发光二极管芯片特别良好的散热。
根据另一优选实施形式，发光二极管这种具有：第一支承体，在其上布置有至少一个发光二极管芯片；以及第二支承体，第一支承体布置在其上。第一和第二支承体分别具有第一和第二支承体部分，其中，发光二极管芯片优选仅铺设在第一支承体的第一支承体部分上。第一和第二支承体部分分别具有导热能力。优选地，第一支承体的第一支承体部分具有比第一支承体的第二支承体部分更高的导热能力，并且第二支承体的第一支承体部分具有比第二支承体的第二支承体部分更高的导热能力。此外，第一支承体部分优选叠置地布置，其中，第一支承体的第一支承体部分被第一支承体的第二支承体部分从侧面围绕，并且第二支承体的第一支承体部分被第二支承体的第二支承体部分从侧面围绕。
根据另一实施形式，第二支承体的第一支承体部分的导热能力是第二支承体的第二支承体部分的导热能力的至少1.5倍。根据另一优选实施形式，第二支承体的第一支承体部分的导热能力是第二支承体的第二支承体部分的导热能力的至少5倍。
根据另一实施形式，第一和/或第二支承体的第二支承体部分具有例如为氧化铝或氮化铝的陶瓷材料、例如为聚合物或环氧树脂的有机材料、和/或例如为铝或铜的金属材料。此外可能的是，第一和/或第二支承体的第二支承体部分由上述材料之一制成。在此，第一支承体的第二支承体部分和第二支承体的第二支承体部分具有相同或不同的材料，或者由相同或不同的材料构成。
根据另一实施形式，第一和/或第二支承体具有金属材料，其中该金属材料设有电绝缘层。借助电绝缘层例如可以实现第一与第二支承体之间或者支承体与布置在其上的器件之间的电绝缘。优选地，电绝缘层具有以下材料之一或者由以下材料之一构成：氧化钛、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅。
根据另一实施形式，第一支承体具有第一表面，在其上布置有发光二极管芯片，以及第二表面，其与第一表面对置。优选地，第一支承体的第一支承体部分从第一延伸至第二表面。由此可以特别有效地实现从发光二极管芯片的散热。
根据另一实施形式，第二支承体具有在其上布置有第一支承体的表面，以及与第二支承体的第一表面对置的表面。优选地，第二支承体的第一支承体部分从第二支承体的第一表面延伸至第二支承体的第二表面。
根据另一实施形式，第一支承体的第一支承体部分具有热通道，即，导热穿通接触部，其从第一支承体的在其上布置有发光二极管芯片的第一表面伸展至第一支承体的于第一表面对置的第二表面。通道在此表示“verticalinterconnect access(竖直互连通道)”。热通道例如可以是金属通道，即以金属填充的通道。例如热通道具有铜、银或银-钯，或者由其构成。
根据另一实施形式，第二支承体的第一支承体部分具有热通道。这些热通道在此如之前结合第一支承体的热通道描述那样实施。
根据另一实施形式，第一支承体的第一支承体部分具有金属块或者由其构成。金属块优选具有导热能力高的金属、例如银，或者由其构成。
根据另一实施形式，第二支承体的第一支承体部分具有金属块或者由金属块构成，其中金属块优选具有导热能力高的金属、例如银，或者由其构成。
根据另一实施形式，第一支承体的第一支承体部分具有掺杂。掺杂可以例如实施为例如可以嵌入在陶瓷材料中的金属颗粒，或者实施为例如在例如为硅或砷化镓的半导体材料中的金属掺杂。
根据另一实施形式，第二支承体的第一支承体部分具有掺杂。第二支承体的第一支承体部分中的掺杂可以例如如之前结合第一支承体的第一支承体部分的掺杂描述的掺杂那样实施。
借助热通道、金属块或者掺杂，可以分别有利地提高第一和/或第二支承体的第一支承体部分的导热能力。
根据另一实施形式，第一支承体具有ESD保护元件。在此“ESD”在这里和下文中代表“静电放电”。ESD保护元件优选用于保护发光二极管芯片不受过电压、由其不受静电放电。通常，发光二极管芯片对于静电放电很敏感，特别是在具有大于100伏的电压值的发光二极管芯片的情况下，并且因此必须通过保护器件来保护。ESD保护元件例如可以布置在第一支承体上。
根据另一实施形式，ESD保护元件实施为变阻器。变阻器例如可以以多层变阻器、也称作Multi-Layer-Varistor(MLV)的形式实施。
优选地，多层变阻器具有变阻器陶瓷，其例如可以包括由ZnO-Pr、由ZnO-Bi-Sb、由SrTiO3或者由SiC构成的系统或者可以尤其构成。此外可能的是，ESD保护元件实施为抑制二极管、尤其硅半导体保护二极管的形式，或者聚合物ESD保护元件的形式，即基于聚合物的ESD保护元件，其中例如将半导体材料嵌入到聚合物中。
根据另一实施形式，第二支承体具有ESD保护元件。ESD保护元件例如可以布置在第二支承体上。ESD保护元件在此尤其可以如结合第一支承体描述的ESD保护元件那样实施。
根据另一实施形式，ESD保护元件通过第一和/或第二支承体的一个子区域形成。特别优选地，ESD保护元件可以是集成到第一和/或第二支承体中的保护结构。换言之，ESD保护元件在该情况下不是作为例如离散ESD保护二极管形式的离散器件装配在支承体上。在此可以的是，ESD保护元件具有例如为陶瓷变阻器材料的材料，第一和/或第二支承体也具有该材料。替选地可能的是，ESD保护元件具有与第一和/或第二支承体的材料不同的材料。例如，第一和/或第二支承体可以具有例如为陶瓷变阻器材料的半导体材料，其嵌入在具有例如氧化铝、氮化铝或有机材料的第一和/或第二支承体中。
例如通过第一或第二支承体的子区域形成的ESD保护元件可以具有变阻器陶瓷和多个彼此交叠的内电极。替选地还可能的是，ESD保护元件通过集成到支承体中的半导体二极管形成。
由于ESD保护元件通过发光二极管装置的第一和/或第二支承体的子区域形成，可以有利地实现在此描述的发光二极管装置的特别紧凑的构造。
根据另一实施形式，发光二极管装置具有热敏器件，其可以布置在第一或第二支承体上。例如，热敏器件可以构建为超薄保护元件。这尤其可以意味着，该电器件可以具有小于或等于150μm的结构高度。此外，热敏器件可以嵌入到第一和/或第二支承体、例如第一和/或第二支承体的第二支承体部分中。
根据另一实施形式，热敏器件构建为NTC热敏器件，其中“NTC”代表“negative temperature coefficient(负温度系数)”。NTC热敏器件的特征在于在高温下比在低温下更好地传导电流。因此，NTC热敏器件也可以称作热导体。
优选地，NTC热敏器件起热传感器的作用。该热传感器优选与发光二极管芯片接线。例如，热传感器可以贡献于调节发光二极管芯片的控制电流，从而可以节省地运行发光二极管芯片。由此可以有利地提高发光二极管芯片的使用寿命。
根据另一实施形式，热敏器件构造为PTC热敏器件，其中“PTC”代表“positive temperature coefficient(正温度系数)”。NTC热敏器件优选与发光二极管芯片接线。在NTC热敏器件中，电流在低温下比在高温下更好地传导，因此，NTC热敏器件也可以称作冷导体。优选地，NTC热敏器件起过流保护元件的作用并且保护发光二极管芯片不受过高的运行电流，由此可以提高发光二极管芯片的使用寿命。
根据另一实施形式，发光二极管装置具有第三支承体。优选地，第二支承体以背离第一支承体的侧布置在第三支承体上。第三支承体同样可以具有第一支承体部分和从侧面围绕第一支承体部分的第二支承体部分，其中第一支承体部分优选具有比第二支承体部分更高的导热能力。第三支承体可以具有结合第二支承体描述过的其他特征。
根据另一实施形式，发光二极管芯片至少部分地被保护层围绕。保护层例如可以用作发光二极管装置的透镜。优选地，保护层具有硅或由硅构成。
在此描述的发光二极管装置可以有利地在高温和高功率中以高的光产出运行，而不负面影响发光二极管芯片的使用寿命。
附图说明
发光二极管装置的其它优点和有利实施形式从下面结合图1至9描述的实施形式得出。其中：
图1至3是根据几个实施例的发光二极管装置的示意截面图，其分别具有第一支承体和至少一个发光二极管芯片，
图4至6是根据其它实施例的发光二极管装置的示意截面图，其分别具有第一和第二支承体以及发光二极管芯片，以及
图7至9是根据其它实施例的第一支承体部分的示意图。
具体实施方式
在实施例和附图中，相同或作用相同的组成部分分别设有相同的附图标记。示出的元件和其彼此的尺寸比例基本上不能看做合乎比例的。更确切而言，各个元件，例如层、构件和区域为了更好的可示出性和/或为了更好的理解而可以被夸张地厚或大地定尺寸地示出。
图1示出了根据第一实施例的发光二极管装置1的示意截面图。发光二极管装置1包括第一支承体2，其具有第一支承体部分21以及第二支承体部分22。第一支承体部分21在此从第一支承体2的第一表面伸展至第一支承体2的与第一表面对置的第二表面，并且被第二支承体部分22从侧面围绕。第一和第二支承体部分21、22具有电绝缘材料、尤其陶瓷材料。
此外，发光二极管装置1具有布置在第一支承体2上并且尤其仅铺设在第一支承体部分21上的发光二极管芯片3。发光二极管芯片3具有接触面(未示出)，其用于发光二极管芯片3的接触和/或装配。例如，发光二极管芯片3以接触面焊接在第一支承体2上。尤其，第一和第二支承体部分21、22形成支承体2的支承体本体，其中支承体2除了第一和第二支承体部分21、22外还可以具有(未示出)用于电接触发光二极管芯片3的接线元件，例如印制导线或接触面，其与发光二极管芯片3的接触面电接触。在发光二极管芯片3与第一支承体部分21之间例如还可以布置一个或多个连接层。
发光二极管芯片3的接触面具有金-锡合金。替选地接触面可以具有例如铜、镍或金，或者由这些材料中的至少两种构成的合金或层序列。
此外，发光二极管芯片3被保护层11围绕。保护层11具有硅并且用作透镜。例如，保护层11可以实施为波长转换层。
第一支承体部分21和第二支承体部分22分别具有导热能力，其中，第一支承体部分21的导热能力大于第二支承体部分22的导热能力。尤其，在示出的实施例中，第一支承体部分21的导热能力是第二支承体部分22的导热能力的1.5倍。第一支承体部分21例如可以具有通道、掺杂或金属块，如随后结合图7至9示例性示出和阐述那样。
在图2中示出了根据另一实施例的发光二极管装置1的示意性截面图。与图1中所示的实施例不同，第一支承体2具有多个第一支承体部分21，其分别被第二支承体部分22从侧面围绕。此外，发光二极管装置1具有多个发光二极管芯片3，其中，各有一个发光二极管芯片3铺设在第一支承体部分21上。第一支承体部分21分别从第一支承体2的第一表面伸展至第一支承体2的与第一表面对置的第二表面。
图3示出了根据另一实施例的发光二极管装置1。与图2中示出的实施例不同，第一支承体2仅具有一个第一支承体部分21，其被第二支承体部分22从侧面围绕。发光二极管芯片3全都布置在该第一支承体部分21上。
此外，发光二极管装置1具有ESD保护元件8，其实施为变阻器并且通过第一支承体2的子区域、尤其通过第二支承体部分22的子区域形成。此外，发光二极管装置1包括热敏元件9，其实施为NTC热敏器件并且用作热传感器。替选地，热敏器件9也可以构建为PTC热敏器件。
在图4中示出了根据另一实施例的发光二极管装置1。与图1中示出的实施例不同，发光二极管装置1还具有第二支承体4，其中，第一支承体2布置在第二支承体4上。第二支承体4包括第一支承体部分41和第二支承体部分42，其中，第二支承体部分42从侧面围绕第一支承体部分41。第二支承体4的第一支承体部分41和第二支承体4的第二支承体部分42分别具有导热能力，其中，第二支承体4的第一支承体部分41具有比第二支承体4的第二支承体部分42高的导热能力。
第二支承体4的第一支承体部分41例如可以如结合图7至9描述的第一支承体部分那样实施。第一支承体的第一支承体部分21直接布置在第二支承体4的第一支承体部分41上。由此可以有利地将特别多热从发光二极管芯片3朝着第二支承体4导散。
图5示出了根据另一实施例的发光二极管装置1。与图4中示出的实施例不同，发光二极管装置1具有多个第一支承体2，其中，第一支承体2分别布置在第二支承体4上，尤其布置在第二支承体4的第一支承体部分41上。第一支承体2分别具有第一支承体部分21、第二支承体部分22以及布置在第一支承体部分21上的发光二极管芯片3。此外，发光二极管装置1具有ESD保护元件8以及热敏器件9，其分别实施为离散器件并且布置在第二支承体4上。替选地，发光二极管装置1还具有多个ESD保护元件8和热敏器件9，其分别布置在第一支承体2上。
在图6中示出了根据另一实施例的发光二极管装置1。与图5中示出的实施例不同，第二支承体4具有多个第一支承体部分41，其分别被第二支承体4的第二支承体部分42从侧面围绕。在此，在第二支承体4的每个第一支承体部分41上各布置了第一支承体2。尤其，第一支承体2的每个第一支承体部分21分别布置在第二支承体4的第一支承体部分41上。由此可以实现特别良好地从各个发光二极管芯片1散热。
此外，发光二极管装置1具有ESD保护元件8以及热敏器件9，其分别嵌入到第二支承体4的第二支承体部分42中，由此例如可以减小发光二极管装置1的结构高度。第二支承体4的第一和第二支承体部分41、42分别具有金属。第二支承体4还具有两个电绝缘层10，其布置在第二支承体4的对置的两侧上。在此，朝向第一支承体2的电绝缘层10用作在第一和第二支承体2、4之间的电绝缘。背离第一支承体2的层10可以用作第二支承体4与第三支承体(未示出)之间的电绝缘，第二支承体4可以布置在该第三支承体上。电绝缘层10具有氧化铝。替选地，电绝缘层10还可以具有以下材料之一：氮化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅。
在图7中示出了第一支承体2的第一支承体部分21或第二支承体4的第一支承体部分41。第一支承体部分21、41包括多个金属通道5，其基本上彼此平行地从第一支承体部分21、41的第一侧走向至第一支承体部分21、41的第二侧并且填充有银。替选地，通道5也可以填充有一种或多种其它金属，其优选具有高导热能力。通道5例如被陶瓷、聚合物或环氧树脂围绕。
在图8中示出了根据另一实施例的第一支承体部分21、41的示意图。第一支承体部分21、41包括具有银的金属块6，其被陶瓷材料从侧面围绕。替选地，金属块6还可以由银构成，或者具有带有优选高导热能力的其它金属或由其构成。还可能的是，金属块6被优选与金属块6的材料不同的、例如为聚合物或环氧树脂的一种或多种其它材料侧向围绕。
在图9中示出了根据另一实施例的第一支承体部分21、41。第一支承体部分21、41具有掺杂7。掺杂7实施为嵌入在陶瓷材料中的多个金属颗粒。替选地，掺杂7也可以是半导体材料中的金属掺杂，例如Si或GaAs。
借助图7、8和9中示出的用于第一支承体部分21、41的实施例，可以显著提高第一支承体部分21、41的导热能力。由此可以有利地实现从发光二极管芯片1的更好的散热。
在所示实施例中描述的特征可以根据其它实施例也彼此组合，即使这些组合未在附图中明确示出。此外，所示的发光二极管装置可以具有根据上面在发明内容中描述的实施形式的其它或替选特征。
本发明不通过借助实施例的描述而限于其，而是包括任意新特征及特征的任意组合。这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身未在权利要求或实施例中明确说明。
附图标记列表
1  发光二极管装置
2  第一支承体
21    第一支承体的第一支承体部分
22    第一支承体的第二支承体部分
23    第一支承体的第一表面
24    第一支承体的第二表面
3  发光二极管芯片
4  第二支承体
41    第二支承体的第一支承体部分
42    第二支承体的第二支承体部分
5  通道
6  金属块
7  掺杂
8  ESD保护元件
9  热敏期间
10    电绝缘层
11    保护层

Claims (15)

1.一种发光二极管装置(1)，其具有第一支承体(2)和布置在第一支承体(2)上的至少一个发光二极管芯片(3)，其中
-第一支承体(2)具有至少第一和第二支承体部分(21，22)，
-所述发光二极管芯片(3)仅铺设在第一支承体(2)的第一支承体部分(21)上，
-第一和第二支承体部分(21，22)分别具有导热能力，
-第一支承体部分(21)的导热能力至少是第二支承体部分(22)的导热能力的1.5倍，以及
-第一支承体(2)的第一支承体部分(21)被第一支承体(2)的第二支承体部分(22)从侧面围绕。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，第一支承体部分(21)的导热能力至少是第二支承体部分(22)的导热能力的5倍。
3.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，发光二极管装置具有多个发光二极管芯片(3)，其全部布置在第一支承体部分(21)上。
4.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其具有第二支承体(4)，该第二支承体具有至少第一和第二支承体部分(41，42)，其中
-第二支承体(4)的第一和第二支承体部分(41，42)分别具有导热能力，
-第二支承体(4)的第一支承体部分(41)的导热能力至少是第二支承体(4)的第二支承体部分(42)的导热能力的1.5倍，
-第一支承体(2)布置在第二支承体(4)上，以及
-第一支承体部分(21，41)彼此叠置地布置。
5.一种发光二极管装置(1)，具有：第一支承体(2)，在所述第一支承体上布置有至少一个发光二极管芯片(3)；以及第二支承体(4)，在所述第二支承体上布置有所述第一支承体(2)，其中
-第一和第二支承体(2，4)分别具有至少第一和第二支承体部分(21，41，22，42)，
-所述发光二极管芯片(3)仅铺设在第一支承体(2)的第一支承体部分(21)上，
-第一和第二支承体部分(21，41，22，42)分别具有导热能力，以及，
其中
-第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有比第一支承体(2)的第二支承体部分(22)高的导热能力，
-第二支承体(4)的第一支承体部分(41)具有比第二支承体(4)的第二支承体部分(42)高的导热能力，以及
-第一支承体部分(21，42)彼此叠置地布置，
-第一支承体(2)的第一支承体部分(21)被第一支承体(2)的第二支承体部分(22)从侧面围绕，以及
-第二支承体(2)的第一支承体部分(21)被第二支承体(2)的第二支承体部分(22)从侧面围绕。
6.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体(2)具有在其上布置有所述发光二极管芯片(3)的第一表面(23)和与第一表面(23)对置的第二表面(24)，其中，第一支承体(2)的第一支承体部分(21)从第一延伸至第二表面(23，24)。
7.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有热通路(5)，所述热通路从第一支承体的其上布置有所述发光二极管芯片(3)的第一表面(23)延伸至第一支承体(2)的与所述第一表面(23)对置的第二表面(24)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有金属块(6)。
9.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体(2)的第一支承体部分(21)具有掺杂(7)。
10.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一和/或第二支承体(2，4)具有ESD保护元件(8)，并且所述ESD保护元件(8)实施为变阻器、硅半导体保护二极管或者聚合物ESD保护元件。
11.根据权利要求10所述的发光二极管装置，其中，所述ESD保护元件(8)通过第一或第二支承体(2，4)的子区域形成。
12.根据上述权利要求中任一项所述的发光二极管装置，其具有布置在第一和/或第二支承体(2，4)上的NTC热敏电阻器件(91)和/或PTC热敏电阻器件(92)。
13.根据权利要求4至12中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体(2)的第二支承体部分(22)和/或第二支承体(4)的第二支承体部分(42)具有陶瓷和/或有机材料。
14.根据权利要求4至12中任一项所述的发光二极管装置，其中，第一支承体(2)的第二支承体部分(22)和/或第二支承体(4)的第二支承体部分(42)具有金属材料，所述金属材料设有电绝缘层(10)。
15.根据权利要求4至14中任一项所述的发光二极管装置，其具有第三支承体，其中，第二支承体(4)以背离第一支承体(2)的侧布置在第三支承体上。
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