KR100999760B1 - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 5
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/483—Containers
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Description
Claims (19)
- 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체;상기 패키지 몸체 위에 서로 이격된 복수개의 금속층;상기 캐비티 내에 배치되며 상기 캐비티 내에 배치된 적어도 한 금속층에 전기적으로 연결된 발광 소자;상기 패키지 몸체의 캐비티 바닥면과 상기 발광 소자의 사이에 집적된 온도 측정 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체;상기 패키지 몸체 위에 서로 이격된 복수개의 금속층;상기 캐비티 내의 적어도 한 금속층 위에 배치된 발광 소자;상기 발광 소자와 대응되는 상기 패키지 몸체의 하면에 집적된 온도 측정 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광 소자는 유색 LED 칩 및 UV LED 칩 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 캐비티에는 수지물 또는 형광체가 첨가된 수지물을 포함하는 발광소자 패키지.
- 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 패키지 몸체는 실리콘 재질을 포함하며,상기 패키지 몸체와 상기 금속층 및 상기 온도 측정 소자의 사이에 절연층을 포함하는 발광소자 패키지.
- 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속층은 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제1 및 제2금속층; 및 상기 온도 측정 소자에 연결된 제3 및 제4금속층을 포함하는 발광소자 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 온도 측정 소자는 상기 발광 소자와 상기 패키지 몸체 사이에 형성되며, 상기 발광 소자와 전기적으로 오픈되게 배치된 발광 소자 패키지.
- 제2항에 있어서,상기 온도 측정 소자는 상기 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 금속층으로부터 이격되게 배치되는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 온도 측정 소자는 반도체 박막 저항체 또는 전이 금속을 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 온도 측정 소자는 TaN, NiCr, Fe, Mn, Co, Ni 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 패키지 몸체에 배치된 제너 다이오드를 포함하는 발광 소자 패키지.
- 제 1항에 있어서,상기 패키지 몸체의 캐비티 바닥면 일부에 상기 온도 측정 소자가 배치된 단차진 홈;상기 패키지 몸체와 상기 금속층 및 상기 온도 측정 소자 사이에 절연층; 및상기 복수개의 금속층 사이에 배치되고 상기 온도 측정 소자를 보호하는 절연막을 포함하며,상기 절연막의 상면은 상기 캐비티 내의 금속층의 상면과 동일 평면으로 배치되며, 상기 발광소자는 상기 절연막 및 어느 하나의 금속층 위에 배치되는 발광소자 패키지.
- 패키지 몸체에 상부가 개방된 오목한 캐비티를 형성하는 단계;상기 패키지 몸체 위에 서로 이격된 복수개의 금속층을 형성하는 단계;상기 패키지 몸체에 온도 측정 소자를 형성하는 단계; 및상기 캐비티에 발광 소자를 배치하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 패키지 몸체에 절연층을 형성한 후 상기 금속층 또는 상기 온도 측정 소자를 형성하는 발광소자 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 온도측정소자는 상기 패키지 몸체의 캐비티의 바닥면 또는 상기 발광 소자와 대응되는 상기 패키지 몸체의 하면에 집적되는 발광소자 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 캐비티에 수지물 또는 형광체가 첨가된 수지물을 형성하는 발광소자 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 온도 측정 소자는 스퍼터링 또는 증착법을 이용하여 형성된 반도체 박막 저항체 또는 전이 금속 물질로 집적되는 발광 소자 패키지 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 온도 측정 소자는 TaN, NiCr, Fe, Mn, Co, Ni 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
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Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080094485A KR100999760B1 (ko) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
CN2009801006727A CN102027608B (zh) | 2008-09-26 | 2009-09-25 | 发光器件及其制造方法 |
EP09816459.3A EP2210287B1 (en) | 2008-09-26 | 2009-09-25 | Light emitting device |
TW098132524A TWI511322B (zh) | 2008-09-26 | 2009-09-25 | 發光裝置 |
US12/567,155 US8247829B2 (en) | 2008-09-26 | 2009-09-25 | Light emitting device |
PCT/KR2009/005505 WO2010036066A2 (en) | 2008-09-26 | 2009-09-25 | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080094485A KR100999760B1 (ko) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100035237A KR20100035237A (ko) | 2010-04-05 |
KR100999760B1 true KR100999760B1 (ko) | 2010-12-08 |
Family
ID=42056421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080094485A KR100999760B1 (ko) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8247829B2 (ko) |
EP (1) | EP2210287B1 (ko) |
KR (1) | KR100999760B1 (ko) |
CN (1) | CN102027608B (ko) |
TW (1) | TWI511322B (ko) |
WO (1) | WO2010036066A2 (ko) |
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2008
- 2008-09-26 KR KR1020080094485A patent/KR100999760B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-09-25 WO PCT/KR2009/005505 patent/WO2010036066A2/en active Application Filing
- 2009-09-25 TW TW098132524A patent/TWI511322B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-09-25 CN CN2009801006727A patent/CN102027608B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-25 EP EP09816459.3A patent/EP2210287B1/en active Active
- 2009-09-25 US US12/567,155 patent/US8247829B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8247829B2 (en) | 2012-08-21 |
TWI511322B (zh) | 2015-12-01 |
WO2010036066A3 (en) | 2010-07-22 |
KR20100035237A (ko) | 2010-04-05 |
EP2210287A2 (en) | 2010-07-28 |
EP2210287B1 (en) | 2019-02-27 |
EP2210287A4 (en) | 2015-09-02 |
WO2010036066A2 (en) | 2010-04-01 |
TW201017937A (en) | 2010-05-01 |
US20100078668A1 (en) | 2010-04-01 |
CN102027608B (zh) | 2013-10-16 |
CN102027608A (zh) | 2011-04-20 |
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A201 | Request for examination | ||
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