TWI511322B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI511322B
TWI511322B TW098132524A TW98132524A TWI511322B TW I511322 B TWI511322 B TW I511322B TW 098132524 A TW098132524 A TW 098132524A TW 98132524 A TW98132524 A TW 98132524A TW I511322 B TWI511322 B TW I511322B
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Description

發光裝置
本發明是關於一種發光裝置。
本發明係主張關於2008年09月26日申請之韓國專利案號10-2008-0094485之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
發光二極體(LED)可藉由使用一化合物半導體材料(諸如，GaAs系列、AlGaAs系列、GaN系列、InGaN系列及InGaAlP系列)來構成一發光源。
此LED經封裝且用作用於發射各種色彩之發光裝置，且該發光裝置用作多種領域(諸如，用於顯示色彩之開/關顯示器、文數字顯示器、影像顯示器等)之光源。
本發明提供一種發光裝置，其包含一感測一發光二極體之溫度的電阻器及/或一本體。
本發明另提供一種發光裝置，其能夠藉由使用一形成於一本體上之電阻器感測一溫度，該溫度是自一發光二極體產生。
本發明另提供一種發光裝置，其包含一整合於一本體上或下之用以感測一溫度的電阻器。
本發明另提供一種發光裝置，其能夠藉由感測一發光二極體來調整一發光二極體之電力供應。
本發明一實施例提供一種發光裝置，其包含：一本體；一在該本體上之發光二極體；一電阻器，其整合於該本體與該發光二極體之間且用以感測該發光二極體之一溫度；及在該本體上之複數個金屬層。
本發明一實施例提供一種發光裝置，其包含：一本體；一在該本體上之發光二極體；一電阻器，其配置於該本體下且用以感測該本體之一溫度；及在該本體上之複數個金屬層。
本發明一實施例提供一種發光裝置，其包含：一本體；一在該本體上之發光二極體；一在該本體之表面上的絕緣層；第一及第二金屬層，其電性連接至該發光裝置且形成於該絕緣層上；一電阻器，其經配置以感測該發光二極體之溫度且形成於該絕緣層上；及第三及第四金屬層，其電性連接至該電阻器，其中該第三金屬層及該第四金屬層中之一者電性連接至該本體。
一或多個實施例之細節陳述於下文之附圖及描述中。其他特徵將自該描述及諸附圖及自申請專利範圍顯而易見。
在下文中，參看附圖如下描述實施例。在實施例之描述中，每一組件之厚度僅為一實例，且不限於諸圖中之厚度。
在以下描述中，應理解，在一層或膜被稱為「在」另一層或基板「上」時，其可直接在另一層或基板上，或亦可存在介入層。另外，應理解，在一層被稱為「在」另一層「下」時，其可直接在另一層下，且亦可存在一或多個介入層。另外，亦應理解，當一層被稱為「在」兩個層「之間」時，其可為該兩個層之間的唯一層，或亦可存在一或多個介入層。
圖1為根據第一實施例之發光裝置的透視圖。圖2為圖1之水平剖面圖。圖3為圖1之垂直剖面圖。
參看圖1至圖3，一發光裝置100包含一本體110、一空腔111、一發光二極體120、一電阻器130，及一透明樹脂140。
本體110是由基於矽材料(例如，矽)之晶圓級封裝(WLP)形成，且可具有一多面體(例如，長方體)之框架。
具有一預定深度之空腔111形成於本體110之頂部中，且其表面形狀可為多邊形、圓形及橢圓形。空腔111可經由乾式蝕刻或/及濕式蝕刻方法而以一預定深度形成，但不限於所述形式及深度。
空腔111之側面可形成為傾斜的，且該傾斜側面可改良光之反射量。另外，空腔111之側面可形成為垂直於其底部，且不限於所述側傾角。
電阻器130及發光二極體120配置於空腔111中。
絕緣層112形成於本體110之表面上。金屬層114、116、132及134形成於絕緣層112之表面上。另外，外部電極層115、117、135及136形成於絕緣層112上。
絕緣層112可由諸如氧化矽、氮化矽、AlN及SiC之絕緣材料形成以便使一傳導層與矽材料之本體110絕緣。絕緣層112形成於本體110、金屬層114、116、132及134與外部電極層115、117、135及136之間，以使得兩種材料彼此電絕緣。
該等金屬層分為第一至第四金屬層114、116、132及134。第一金屬層114及第二金屬層116可為電性連接至發光二極體120之第一內部電極層。第三金屬層132及第四金屬層134可為電性連接至電阻器130之第二內部電極層。金屬層可為一單層或一多層，但不限於此。
空腔111中之第一至第四金屬層114、116、132及134可由具有高反射率之金屬材料或具有對樹脂之極好黏著性的金屬材料形成。若第一至第四金屬層114、116、132及134為一多層，則最上層可由諸如Al、Ag、APC(Ag+Pd+Cu)之金屬材料中之至少一者形成。
第一金屬層114及第二金屬層116經由本體110之左/右側延伸至本體110之後部之一部分，且電性連接至第一外部電極層115及第二外部電極層117。
第三金屬層132及第四金屬層134經由本體110之前/後側延伸至本體110之後部之一部分，且電性連接至第三外部電極層135及第四外部電極層136。
第一至第四外部電極層115、117、135及136可由具有極好黏著性之黏著劑及金屬材料形成以便在表面安裝技術(SMT)製程期間與基板配線電耦接及/或機械耦接。第一至第四外部電極層115、117、135及136可由單層或多層形成。在多層之情況下，最上層可由諸如Au及Cu之金屬形成。
圖6之齊納二極體125可在本體110中呈現。本體110為矽材料之基板。在絕緣層112形成之後，形成一齊納二極體圖案，且接著執行一擴散製程或一離子植入製程以在本體110中形成該齊納二極體。此齊納二極體可改良發光二極體120之耐受電壓(withstand voltage)。
電阻器130作為一半導體薄層而整合於本體110之絕緣層112上。電阻器130感測或偵測經由發光二極體120之底部傳導的熱。
電阻器130可由具有高溫度依賴性之薄層(例如，具有高電阻溫度係數(TCR)之薄層)形成，或可形成為具有無困難地滿足一預定電阻值之電阻率。該薄膜電阻器可由TaN、NiCr、Fe、Mn、Co及Ni中之一者形成。此處，TaN金屬可用以實現作為具有負溫度係數(NTC)或正溫度係數(PTC)特性之熱敏電阻器操作的薄膜電阻器。該熱敏電阻器可形成為具有薄膜電阻值隨溫度增加而減小的NTC特性，或薄膜電阻值隨溫度減小而增加的PTC特性。可使用氧化物沈積諸如Fe、Mn、Co及Ni之過渡金屬。
若電阻器130為一TaN薄層，則其是經由在絕緣層112之表面上使用濺鍍或蒸鍍之金屬薄膜沈積方法及使用光微影及/或電阻器蝕刻製程之圖案化方法形成。或，形成電阻器130之另一種方法包含：經由絕緣層112上之光微影來圖案化一薄膜電阻器區域之光阻層；沈積一金屬薄膜電阻器；及經由一剝離方法移除該光阻層。在上述技術範疇內，可修改該形成電阻器130之方法。在實施例之技術範疇內，該實施例包含使用TaN薄膜之電阻器的製程及使用另一材料之電阻器的製程。
該電阻器附著至該發光二極體之一部分底表面或一整個底表面。
發光二極體120可附著於電阻器130上。發光二極體120可選擇性地包含一有色LED(發光二極體)晶片及一UV(紫外線)LED晶片。該有色LED晶片包含一藍色LED晶片、一綠色LED晶片及一紅色LED晶片。
發光二極體120經由導線121連接至第一金屬層114及第二金屬層116。電阻器130直接連接至第三金屬層132及第四金屬層134。發光二極體120可用側向半導體發光二極體來實現。在此種情況下，使用複數個導線121將發光二極體120電性連接至第一電極層114及第二電極層116。
防短路層118可形成於電阻器130與第一金屬層114及第二金屬層116之間。
一透明樹脂140可形成於本體110之空腔111中。透明樹脂140包含透明環氧樹脂或矽材料，或可包含用於發射預定色彩之磷光體。一透鏡可形成於透明樹脂140上且不限於此。
第一實施例將電阻器130整合於本體110之發光二極體120下，且因此可準確地感測或量測發光二極體120之溫度。將所感測之溫度提供至一LED驅動器(未圖示)，且因此可用以控制發光二極體120。亦即，該LED驅動器使用該溫度來有效地補償發光二極體120之溫度及電特性。因此，不管環境改變如何，發光二極體120皆可具有均一發光特性。
圖4為說明根據第一實施例之發光裝置中之電阻器之電路的剖視圖。
參看圖4，一電阻器130整合於一本體110中，且一發光二極體120配置於該電阻器130上。電阻器130感測或量測自發光二極體120產生之熱且接著將其提供至一LED驅動器(未圖示)。
因此，該LED驅動器(未圖示)根據發光二極體120之溫度控制一流經發光二極體120之電流，以使得不管發光二極體120之溫度如何皆可發射均一光。
圖5為說明一發光二極體及一電阻器分離地配置於根據第一實施例之發光裝置中的電路圖。
參看圖5，發光二極體120之兩個末端P1及P2及電阻器130之兩個末端P3及P4可配置為電性導通的。在此種情況下，電阻器130感測或偵測經由發光二極體120之底部傳導的熱。
圖6為說明一齊納二極體另外包含於根據第一實施例之發光裝置中的電路圖。
參看圖6，發光二極體120與齊納二極體125並聯連接，且發光二極體120及電阻器130與一電路電性導通。齊納二極體125可具有單方向性或雙方向性，因此可改良發光二極體120之耐受電壓。
圖7為說明根據第一實施例之電阻器之溫度與電阻之間的特徵關係的圖表。
參看圖7，該電阻器具有以下特性：在其根據PTC特性來操作時，若溫度為高，則其電阻R與溫度T成正比例地增加；且在其根據NTC特性來操作時，若溫度為高，則其電阻R與溫度T成反比例地減小。此電阻器可製造成根據PTC特性或NTC特性來操作。
圖8至圖11為說明根據第一實施例之發光裝置製造方法的視圖。
參看圖8，在一本體110之頂部中形成一具有預定深度之空腔111。本體110包含一矽材料。可經由濕式蝕刻或/及乾式蝕刻製程來形成空腔111。濕式蝕刻可使用KOH溶液，但不限於此。
空腔111之表面形狀可為多邊形、圓形及橢圓形，但不限於此等上述形狀或深度。
空腔111之側面可相對於垂直於底表面之軸線而向外傾斜。空腔111之側面可形成為相對於底表面垂直。此側傾角可根據光效率而變化，但不限於此。
參看圖9，在本體110之表面上形成一絕緣層112。絕緣層112可由諸如氧化矽、氮化矽、AlN及SiC之絕緣材料形成。
參看圖10及圖1至圖3，可在絕緣層112上形成金屬層114、116、132及134、外部電極層115、117、135及136，及電阻器130。此處，在形成金屬層114、116、132及134後，可形成電阻器130。或，在形成電阻器130後，可形成金屬層114、116、132及134。
金屬層114、116、132及134彼此導通。第一金屬層114及第二金屬層116配置成彼此相向。第三金屬層132及第四金屬層134配置成彼此相向。
第一至第四金屬層114、116、132及134可由具有高反射率或相對於樹脂之極好黏著性的金屬材料形成。另外，第一至第四金屬層114、116、132及134可由諸如Al、Ag及APC(Ag+Pd+Cu)之金屬中之至少一者形成。
第一金屬層114及第二金屬層116延伸至本體110之底部以電性連接至第一外部電極層115及第二外部電極層117。第三金屬層132及第四金屬層134延伸至本體110之底部以電性連接至第三外部電極層135及第四外部電極層136。第一至第四外部電極層115、117、135及136可由單層或多層形成。在多層之情況下，最上層可由諸如Au及Cu之金屬形成。
電阻器130可作為薄膜電阻器形成於絕緣層112上。第三金屬層132及第四金屬層134電性連接至電阻器130之兩個末端。
該薄膜電阻器可由TaN、NiCr、Fe、Mn、Co或Ni形成。可在濺鍍或蒸鍍過程中經由使用光微影及/或電阻器蝕刻製程之圖案化方法來形成此薄膜電阻器。另外，可藉由以下步驟形成電阻器130：經由絕緣層112上之光微影來圖案化電阻器130之一區域中之光阻層，且接著在沈積一金屬層後使用剝離方法來移除該光阻層。在技術範疇內，形成電阻器130之方法可發生變化。在實施例之技術範疇內，該實施例包含使用TaN薄膜之電阻器的製程及使用另一材料之電阻器的製程。
此外，薄膜電阻器可由具有高溫度依賴性之薄層(例如，具有高TCR之薄層)形成，或可形成為具有無困難地滿足一預定電阻值之電阻率。該薄膜電阻器可實現一作為根據薄膜沈積條件具有NTC或PTC特性之熱敏電阻器操作的薄膜電阻器。
舉例而言，可經由濺鍍形成TaN薄層。此外，一起注射Ar氣體及N2 氣體且接著Ta金屬與N2 氣體反應，以使得TaN薄層得以沈積。為了沈積具有高TCR之薄層，在Ar氣體與N2 氣體之組合物之態樣中，注射更多量之N2 氣體。
防短路層118是由一絕緣材料形成。防短路層118形成於第一金屬層114與第二金屬層116之間、圖2之第三金屬層132與圖2之第四金屬層134之間，及電阻器130周圍，以使得電短路可得以防止。
參看圖11，使用黏著劑將發光二極體120附著至電阻器130，且該黏著劑可用作非傳導材料。發光二極體120可包含有色LED晶片及UV LED晶片中之至少一者，但不限於此。
發光二極體120經由導線121連接至第一金屬層114及第二金屬層116。電阻器130之尺寸可大於或小於發光二極體120之底部尺寸，但不限於此。
透明樹脂140形成於空腔111中。透明樹脂140包含透明環氧樹脂或矽材料。必要時，可添加至少一種磷光體。
在發光裝置100中，在驅動發光二極體120時，產生熱。電阻器130量測或感測自發光二極體120產生之溫度，且接著將其傳輸至一LED驅動器。該LED驅動器藉由使用所量測或感測之溫度來調整施加至發光二極體120之電流。因此，發光二極體120發射一均一光而未受溫度影響。
另外，一發光模組可將發光裝置100以陣列配置於一基板上，且每一發光裝置100使用其中之電阻器130來量測或感測發光二極體120之溫度且傳輸該溫度。因此，可藉由控制每一電流來一致地維持構成一發光模組之整個發光裝置的特性，該每一電流施加至每一發光裝置100中之發光二極體120。
圖12為說明根據第二實施例之發光裝置的剖面圖。雖然描述第二實施例，但向與第一實施例之組件相同的組件給予相同參考數字，且將省略重疊描述。
參看圖12，根據發光裝置100A，一發光二極體120配置於一本體110之空腔111中，且一電阻器130A整合於本體110之底部上。電阻器130A量測經由本體110自發光二極體120傳輸之溫度，且接著將該溫度傳輸至一LED驅動器。在本體110之背部上製造電阻器130A之過程將參考第一實施例。
根據該實施例，電阻器130A整合於本體110之底部上以準確地量測發光二極體120之溫度。因此，可有效地補償發光二極體120之溫度及電特性。另外，不管外部環境改變如何，發光二極體120皆可經控制以具有一均一發光特性。
電阻器130A之兩個末端可配置於本體110之底部之兩個末端上，但不限於此。電阻器130A連接至電性連接至該本體的金屬層(未圖示)。
圖13為說明根據第三實施例之發光裝置的剖面圖。第三實施例與第一實施例相似，因此 相同元件為相同元件編號，且將省略其重描述。
參看圖13，發光裝置100B具有本體110之空腔111之底表面具有一階梯狀凹槽108的結構。
絕緣層112形成於本體110之包含階梯狀凹槽108的表面上，且電阻器130B形成於絕緣層118上在階梯狀凹槽108之一區域中。形成電阻器130B之方法將參考第一實施例。
防短路層118A形成於電阻器130B之兩個末端處之除了金屬層外的圓周區域上。防短路層118A可使電阻器130B與第一金屬層114及第二金屬層116電絕緣。
此處，因為電阻器130B配置於發光二極體120下，所以可量測、偵測或輻射自發光二極體120發出之熱。
防短路層118A之頂表面是由與第一金屬層114及第二金屬層116相同之平面形成，且發光二極體120是使用傳導性黏著劑安裝於防短路層118A及第二金屬層116上。
此時，發光二極體120為一垂直半導體發光二極體。發光二極體120之底電極可經由一焊料附著於第二金屬層116上，且發光二極體120之頂電極可經由導線121連接至第一金屬層114。
發光二極體120可配置為平行的。因為防短路層118A及第二金屬層116之表面形成於同一平面上，所以發光二極體120可配置為平行的。在此種情況下，即使電阻器130B之尺寸減少，仍可防止歸因於階梯狀結構之限制。
本發明一實施例提供一種製造發光裝置之方法，其包含：在該本體之表面上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成複數個金屬層；在該絕緣層上形成一電阻器；及將一發光裝置附著於該電阻器上。
根據該實施例，電阻器整合於一本體上，以使得一能夠準確地感測一發光二極體之一溫度的發光裝置可得以提供。
該等實施例可有效地補償一發光裝置之溫度特性。
該等實施例提供不管外部環境改變如何皆具有一均一發光特性的發光裝置及發光模組。
該等實施例維持構成一發光模組之全部LED裝置的特性。
該等實施例提供一LED封裝。
該等實施例提供一耐溫度之LED封裝。
該等實施例可用作諸如顯示裝置、街燈及照明裝置之光源。
該等實施例可改良LED封裝之可靠性。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，可由熟習此項技術者設計將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟習此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「實例實施例」等等之任何引用意謂結合該實施例描述之一特定特徵、結構或特性包括於本發明之至少一個實施例中。此等片語在本說明書之各處中的出現未必皆涉及同一實施例。另外，當結合任何實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，認為結合該等實施例中之其他者來實現此特徵、結構或特性是在熟習此項技術者之能力範圍內。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，可由熟習此項技術者設計將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟習此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
100．．．發光裝置
100A．．．發光裝置
100B．．．發光裝置
108．．．階梯狀凹槽
110．．．本體
111．．．空腔
112．．．絕緣層
114．．．第一金屬層
115．．．第一外部電極層
116．．．第二金屬層
117．．．第二外部電極層
118．．．防短路層
118A．．．防短路層
120．．．發光二極體
121．．．導線
125．．．齊納二極體
130．．．電阻器
130A．．．電阻器
130B．．．電阻器
132．．．第三金屬層
134．．．第四金屬層
135．．．第三外部電極層
136．．．第四外部電極層
140．．．透明樹脂
P1．．．發光二極體末端
P2．．．發光二極體末端
P3．．．電阻器末端
P4．．．電阻器末端
圖1為根據第一實施例之發光裝置的透視圖。
圖2為圖1之水平剖面圖。
圖3為圖1之垂直剖面圖。
圖4為說明根據第一實施例之發光裝置中之電阻器的電路的剖視圖。
圖5為說明一發光二極體及一電阻器分離地配置於根據第一實施例之發光裝置中的電路圖。
圖6為說明一齊納二極體另外包含於根據第一實施例之發光裝置中的電路圖。
圖7為說明根據第一實施例之電阻器之溫度與電阻之間的特徵關係的圖表。
圖8至圖11為說明根據第一實施例之發光裝置製造方法的視圖。
圖12為說明根據第二實施例之發光裝置的剖面圖。
圖13為說明根據第三實施例之發光裝置的剖面圖。
100．．．發光裝置
110．．．本體
111．．．空腔
114．．．第一金屬層
115．．．第一外部電極層
116．．．第二金屬層
117．．．第二外部電極層
118．．．防短路層
120．．．發光二極體
121．．．導線
130．．．電阻器
132．．．第三金屬層
134．．．第四金屬層

Claims (18)

  1. 一種發光裝置，其包含：一本體，包括一空腔及位於該空腔底表面之一部分的階梯狀凹槽；一發光二極體，配置在該本體上；一電阻器，其整合於該本體與該發光二極體之間且用以感測該發光二極體之一溫度，並設置於該階梯狀凹槽中之一防短路層之間；及複數個金屬層，配置在該本體上，其中該本體包括一矽材料，其中該電阻器係由具有高溫度依賴性之薄層形成，其中該防短路層之頂表面與該些金屬層之至少一者形成於相同平面，且該防短路層之該頂表面、該些金屬層之至少一者及該電阻器同時與該發光二極體接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一絕緣層，配置在該本體之一表面與該些金屬層之間，其中該絕緣層形成於該本體之該表面與該電阻器之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該空腔包括一透明樹脂或一添加磷光體之透明樹脂。
  4. 一種發光裝置，包括：一本體，包括一空腔及位於該空腔底表面之一部分的階梯狀凹槽；一發光二極體，配置在該本體上； 一電阻器，整合於該本體與該發光二極體之間且用以感測該發光二極體之一溫度，並設置於該階梯狀凹槽中之一防短路層之間；複數個金屬層，配置在該本體上；以及一絕緣層，配置在該本體之表面與該些金屬層之間，其中該絕緣層形成於該本體之表面與該電阻器之間，其中該電阻器係由具有高溫度依賴性之薄層形成，其中該防短路層之頂表面與該些金屬層之至少一者形成於相同平面，且該防短路層之該頂表面、該些金屬層之至少一者及該電阻器同時與該發光二極體接觸。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該本體包括一矽材料。
  6. 如申請專利範圍第1或4項所述之發光裝置，其中該電阻器用於與該發光二極體電性導通。
  7. 如申請專利範圍第1或4項所述之發光裝置，其中該電阻器是由一半導體薄膜電阻器或一過渡金屬形成。
  8. 如申請專利範圍第1或4項所述之發光裝置，其中該電阻器是由TaN、NiCr、Fe、Mn、Co及Ni中之一者形成。
  9. 如申請專利範圍第1或4項所述之發光裝置，其包含一齊納二極體，配置於該本體中且在該本體上擴散。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中該空腔包括一透明樹脂或一添加磷光體之透明樹脂。
  11. 如申請專利範圍第1或4項所述之發光裝置，其中該電阻 器附著至該發光二極體之一整個底表面。
  12. 一種發光裝置，包括：一本體，包括一空腔及位於該空腔底表面之一部分的階梯狀凹槽；一發光二極體，配置在該本體上；一電阻器，整合於該本體與該發光二極體之間且用以感測該發光二極體之一溫度，並設置於該階梯狀凹槽中；複數個金屬層，配置在該本體上；以及一絕緣層，在該本體之表面與該些金屬層之間，其中該些金屬層包含一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層，及一第四金屬層，該第一金屬層及該第二金屬層電性連接至該發光二極體，該第三金屬層及該第四金屬層電性連接至該電阻器，其中一防短路層形成在該電阻器與該第一金屬層、第二金屬層之間，其中該電阻器係由具有高溫度依賴性之薄層形成，其中該防短路層之頂表面與該第一金屬層及該第二金屬層形成於相同平面，且該第一金屬層及該第二金屬層之至少一者、該防短路層之該頂表面及該電阻器同時與該發光二極體接觸。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置，其中該第一金屬層及該第二金屬層是形成在該本體之一方向上，且該第三金屬層及該第四金屬層是形成在該本體之另一方向上。
  14. 一種發光裝置，其包含：一本體；一發光二極體，配置在該本體上；一電阻器，其配置於該本體下且用以感測該本體之一溫度；複數個金屬層，配置在該本體上，其中該本體包括一矽材料、一空腔及位於該空腔底表面之一部分的階梯狀凹槽，且該發光二極體配置於該空腔中，其中該電阻器配置在該階梯狀凹槽中之一防短路層之間，且由具有高溫度依賴性之薄層形成，其中該防短路層之頂表面與該些金屬層之至少一者形成於相同平面，且該防短路層之該頂表面、該些金屬層之至少一者及該電阻器同時與該發光二極體接觸。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，更包含一絕緣層，配置在該本體與該複數個金屬層之間，該些金屬層電性連接該發光二極體且在一電路中與該電阻器導通。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該電阻器包含TaN、NiCr、Fe、Mn、Co及Ni中之一者且由一薄膜形成。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，其中該電阻器是整合於該本體上或下。
  18. 一種發光裝置，其包含： 一本體包括一空腔；一發光二極體，配置在該本體上；一絕緣層，配置在該本體之表面上；一第一金屬層及一第二金屬層，其電性連接至該發光裝置且形成於該絕緣層上；一電阻器，其用以感測該發光二極體之溫度且形成於該絕緣層構成之階梯狀凹槽上；及一第三金屬層及一第四金屬層，其電性連接至該電阻器，其中該第三金屬層及該第四金屬層中之一者電性連接至該本體，其中該電阻器係由具有高溫度依賴性之薄層形成，其中一防短路層形成在該電阻器與該第一金屬層以及該第二金屬層之間，其中該防短路層之頂表面與該第一金屬層及該第二金屬層形成於相同平面，且該第一金屬層及該第二金屬層之至少一者、該防短路層之該頂表面及該電阻器同時與該發光二極體接觸。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9548286B2 (en) * 2010-08-09 2017-01-17 Micron Technology, Inc. Solid state lights with thermal control elements
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN102867819B (zh) * 2011-07-08 2015-09-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
KR101230914B1 (ko) * 2011-09-23 2013-02-07 한국과학기술원 광측정소자를 내장한 발광 소자 패키지
DE102012104494A1 (de) * 2012-05-24 2013-11-28 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
TWI511335B (zh) * 2012-06-08 2015-12-01 Univ Feng Chia Light emitting diode module
US9418972B2 (en) * 2012-09-27 2016-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with protective circuit
US9064773B2 (en) * 2012-10-26 2015-06-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
DE102012110397A1 (de) 2012-10-30 2014-04-30 Epcos Ag Leuchtdiodenanordnung, Modul und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiodenanordnung
DE102012111458B4 (de) * 2012-11-27 2022-12-08 Tdk Electronics Ag Halbleitervorrichtung
KR101423514B1 (ko) * 2013-02-01 2014-07-29 주식회사 포스코 발광 다이오드 패키지 및 이를 이용한 발광 장치
KR102123991B1 (ko) 2013-03-11 2020-06-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이를 구비하는 전자 시스템
KR102221599B1 (ko) * 2014-06-18 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6482785B2 (ja) * 2014-07-28 2019-03-13 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6425933B2 (ja) * 2014-07-28 2018-11-21 ローム株式会社 半導体装置
KR101687209B1 (ko) 2014-12-04 2016-12-19 인텍엘앤이 주식회사 서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법
CN104392683B (zh) * 2014-12-11 2017-10-10 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led显示模组及显示屏
DE102019207713A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 Würth Elektronik eiSos Gmbh & Co. KG LED-Bauelement, Verfahren zum Herstellen einer Verbindung und Anordnung
DE102019207714A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 Würth Elektronik eiSos Gmbh & Co. KG SMD-Bauelement, Verfahren zur Herstellung einer Verbindung und Anordnung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339559A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ部品およびその製造方法
JP2008034530A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄパッケージ、それを用いた発光装置およびｌｅｄパッケージの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63289443A (ja) * 1987-05-21 1988-11-25 Sharp Corp 感湿素子
JP2816629B2 (ja) * 1992-06-12 1998-10-27 シャープ株式会社 抵抗内蔵型発光装置
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
CN1521863A (zh) * 2003-02-10 2004-08-18 光磊科技股份有限公司 发光二极管的封装装置
US7306967B1 (en) * 2003-05-28 2007-12-11 Adsem, Inc. Method of forming high temperature thermistors
US7518158B2 (en) * 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール
JP2006093486A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光素子搭載用基板および発光装置
DE102004047682A1 (de) 2004-09-30 2006-04-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED-Array
KR100609124B1 (ko) * 2004-12-21 2006-08-08 한국에너지기술연구원 능동형 열 제어기를 갖는 조명용 백색 ｌｅｄ 램프 시스템및 그 제어방법
CN100382344C (zh) * 2004-12-31 2008-04-16 财团法人工业技术研究院 发光二极管封装结构及其制作方法
JP2006286786A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Anritsu Corp 半導体装置
JP4857633B2 (ja) 2005-07-20 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ光源
KR100746783B1 (ko) * 2006-02-28 2007-08-06 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2007258227A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ駆動回路
CN100435349C (zh) * 2006-10-26 2008-11-19 友达光电股份有限公司 一种有源有机发光二极管面板及其控制方法
CN101392896A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339559A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ部品およびその製造方法
JP2008034530A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄパッケージ、それを用いた発光装置およびｌｅｄパッケージの製造方法

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